CN102543770A - 一种紧凑型荧光灯专用半桥驱动集成电路的封装方法 - Google Patents

一种紧凑型荧光灯专用半桥驱动集成电路的封装方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102543770A
CN102543770A CN2012100159428A CN201210015942A CN102543770A CN 102543770 A CN102543770 A CN 102543770A CN 2012100159428 A CN2012100159428 A CN 2012100159428A CN 201210015942 A CN201210015942 A CN 201210015942A CN 102543770 A CN102543770 A CN 102543770A
Authority
CN
China
Prior art keywords
power mos
mos pipe
island
lead frame
bonding area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2012100159428A
Other languages
English (en)
Inventor
李阳
钱建平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhejiang Yankon Group Co Ltd
Original Assignee
Zhejiang Yankon Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zhejiang Yankon Group Co Ltd filed Critical Zhejiang Yankon Group Co Ltd
Priority to CN2012100159428A priority Critical patent/CN102543770A/zh
Publication of CN102543770A publication Critical patent/CN102543770A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Landscapes

  • Inverter Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种紧凑型荧光灯专用半桥驱动集成电路的封装方法，包括以下步骤：在引线框架中设置第一岛、第二岛和第三岛，在第一岛上设置第一固晶区和第二固晶区，在第二岛上设置第三固晶区，在第三岛上设置第四固晶区；再将高压驱动芯片贴装在第一固晶区，将低压控制芯片贴装在第二固晶区，将两个功率MOS管分别贴装在第三固晶区和第四固晶区，将高压驱动芯片、低压控制芯片、第一功率MOS管和第二功率MOS管互连，将高压驱动芯片、低压控制芯片、第一功率MOS管和第二功率MOS管分别与引线框架连接；优点是实现了高压驱动电路和低压逻辑控制电路的分置，减少了高压工艺的使用，降低了制造成本。

Description

一种紧凑型荧光灯专用半桥驱动集成电路的封装方法
技术领域
本发明涉及一种半桥驱动集成电路的封装方法，尤其是涉及一种紧凑型荧光灯专用半桥驱动集成电路的封装方法。
背景技术
[0002] 在灯具照明制造行业中，经常会采用一些应用集成电路工艺制造的带有内置功率MOS管的专用半桥驱动集成电路，该半桥驱动集成电路构成灯具的主体电路。紧凑型荧光灯（CFL）作为一种新型的节能灯具，在日常生活中得到了越来越多的应用。目前常用的紧凑型荧光灯专用半桥驱动集成电路一般包括高压驱动电路、低压逻辑控制电路以及两个半桥功率MOS 管。低压控制电路是负责整个集成电路的逻辑控制、并输出对两个半桥功率MOS管的控制信号的低压控制芯片，高压驱动电路是负责对低压控制芯片的输出信号进行高压隔离驱动以实现对半桥震荡电路高压侧的功率MOS管实施栅极控制的高压驱动芯片。两个半桥功率MOS 管分别为半桥震荡电路高压侧的第一功率MOS 管和半桥震荡电路低压侧的第二功率MOS 管。目前，紧凑型荧光灯专用半桥驱动集成电路常用的封装类型为DIP8型，在其封装方法中，高压驱动电路和低压逻辑控制电路混合设置，在高压驱动电路和低压逻辑控制电路中均需要大量采用高压工艺，增加了其制造成本增加，从而限制了其市场竞争力。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种成本较低的紧凑型荧光灯专用半桥驱动集成电路的封装方法。
本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为：一种紧凑型荧光灯专用半桥驱动集成电路的封装方法，包括以下步骤：
（1）在一个引线框架上设置三个岛，三个岛分别为第一岛、第二岛和第三岛，将所述的第一岛设置在所述的引线框架的一侧，将所述的第二岛和所述的第三岛上下排列设置在所述的引线框架的另一侧； 
（2）在第一岛上设置第一固晶区和第二固晶区，在第二岛上设置第三固晶区，在第三岛上设置第四固晶区；
（3）将高压驱动芯片贴装在第一固晶区，将低压控制芯片贴装在第二固晶区，将两个功率MOS管分别贴装在第三固晶区和第四固晶区，两个功率MOS管分别为第一功率MOS管和第二功率MOS管；
（4）将高压驱动芯片、低压控制芯片、第一功率MOS管和第二功率MOS管互连；
（5）将高压驱动芯片、低压控制芯片、第一功率MOS管和第二功率MOS管分别与引线框架连接。
所述的步骤（4）中的高压驱动芯片、低压控制芯片、第一功率MOS管和第二功率MOS管通过金线互连，所述的步骤（5）中的高压驱动芯片、低压控制芯片、第一功率MOS管和第二功率MOS管分别通过铜线与引线框架连接。
所述的引线框架上设置有第一功率MOS管引出脚和第二功率MOS管引出脚，所述的第一功率MOS管与所述的第一功率MOS管引出脚之间设置有第一引脚固定加强孔，所述的第二功率MOS管和所述的第二功率MOS管引出脚之间设置有第二引脚固定加强孔，所述的第一引脚固定加强孔和所述的第二引脚固定加强孔均为两个独立的圆孔。
与现有技术相比，本发明的优点在于通过在引线框架上设置第一岛、第二岛和第三岛，在第一岛上设置第一固晶区和第二固晶区，在第二岛上设置第三固晶区，在第三岛上设置第四固晶区，将高压驱动芯片贴装在第一固晶区，将低压控制芯片贴装在第二固晶区，将两个功率MOS管分别贴装在第三固晶区和第四固晶区，实现了集成电路中高压驱动电路和低压逻辑控制电路的分置，可以在低压逻辑控制电路中采用低压工艺，减少了集成电路中高压工艺的使用，降低了制造成本；
当高压驱动芯片、低压控制芯片、第一功率MOS管和第二功率MOS管通过金线互连，高压驱动芯片、低压控制芯片、第一功率MOS管和第二功率MOS管分别通过铜线与引线框架连接时，减少了集成电路中金线的使用量，降低了材料成本；
当在引线框架上分别设置有第一引脚固定加强孔和第二引脚固定加强孔，第一引脚固定加强孔和第二引脚固定加强孔均为两个独立的圆孔时，可以有效增加第一功率MOS管引出脚和第二功率MOS管引出脚的导热输出截面，使得第一功率MOS管和第二功率MOS管产生的热量可以更快地通过引出脚散出封装体之外，另外，在第一功率MOS管引出脚和第二功率MOS管引出脚的导热输出截面增大的同时，增加了第二岛和第三岛的面积，第二岛和第三岛进一步分摊第一功率MOS管和第二功率MOS管产生的热量并最终通过封装壳体散出去，提高了内置的第一功率MOS管和第二功率MOS管的承载能力及集成电路整体的热导出能力。
附图说明
图1为本发明的封装的一种结构示意图；
图2为本发明的封装的另一种结构示意图；
图3为本发明的引线框架与岛的结构示意图；
图4为本发明的高压驱动芯片、低压控制芯片、第一功率MOS管和第二功率MOS管互连的线路示意图；
图5为本发明的高压驱动芯片、低压控制芯片、第一功率MOS管和第二功率MOS管分别与引线框架连接的线路示意图。
具体实施方式
以下结合附图实施例对本发明作进一步详细描述。
实施例一：如图 1所示，一种紧凑型荧光灯专用半桥驱动集成电路的封装方法，包括以下步骤：
（1）在一个引线框架1上设置三个岛，三个岛分别为第一岛11、第二岛12和第三岛13，将第一岛11设置在引线框架1的一侧，将第二岛12和第三岛13上下排列设置在引线框架1的另一侧；
（2）在第一岛11上设置第一固晶区111和第二固晶区112，在第二岛12上设置第三固晶区121，在第三岛13上设置第四固晶区131；
（3）将高压驱动芯片2贴装在第一固晶区111，将低压控制芯片3贴装在第二固晶区112，将两个功率MOS管分别贴装在第三固晶区121和第四固晶区131，两个功率MOS管分别为第一功率MOS管4和第二功率MOS管5；
（4）将高压驱动芯片2、低压控制芯片3、第一功率MOS管4和第二功率MOS管5互连；
（5）将高压驱动芯片2、低压芯片3、第一功率MOS管4和第二功率MOS管5分别与引线框架1连接。
本实施例中，高压驱动芯片2负责对低压控制芯片3的输出信号进行高压隔离驱动以实现对半桥震荡电路高压侧的第一功率MOS管4实施栅极控制，低压控制芯片3负责整个集成电路的逻辑控制，并输出对第一功率MOS管4和第二功率MOS管5的控制信号，第一功率MOS管4为半桥震荡电路的高压侧MOS 管，第二功率MOS管5为半桥震荡电路的低压侧MOS 管。高压驱动芯片2、低压控制芯片3、第一功率MOS管4和第二功率MOS管5可以通过金线互连，其中高压驱动芯片2通过一根金线与第一功率MOS管4连接，低压控制芯片3通过一根金线与第二功率MOS管5连接，高压驱动芯片2和低压控制芯片3通过两根金线连接；高压驱动芯片2、低压控制芯片3、第一功率MOS管4和第二功率MOS管5可以分别通过铜线与引线框架1连接，高压驱动芯片2通过三根铜线与引线框架1的导电区连接，低压控制芯片3通过五根铜线与引线框架1的导电区连接，第一功率MOS管4和第二功率MOS管5各通过一根铜线与引线框架1的导电区连接。
本实施例中，引线框架1上设置有第一功率MOS管引出脚（图中未显示）和第二功率MOS管引出脚（图中未显示），第一功率MOS管4与第一功率MOS管引出脚之间设置有第一引脚固定加强孔14，第二功率MOS管5和第二功率MOS管引出脚之间设置有第二引脚固定加强孔15，第一引脚固定加强孔14和第二引脚固定加强孔15均为一个长圆孔，第一引脚固定加强孔14正对放置在第一功率MOS管4与第一功率MOS管引出脚的中间，第二引脚固定加强孔15正对放置在第二功率MOS管5与第二功率MOS管引出脚的中间。
实施例二：如图2~图5所示，一种紧凑型荧光灯专用半桥驱动集成电路的封装方法，包括以下步骤：
（1）在一个引线框架1上设置三个岛，三个岛分别为第一岛11、第二岛12和第三岛13，将第一岛11设置在引线框架1的一侧，将第二岛12和第三岛13上下排列设置在引线框架1的另一侧；
（2）在第一岛11上设置第一固晶区111和第二固晶区112，在第二岛12上设置第三固晶区121，在第三岛13上设置第四固晶区131；
（3）将高压驱动芯片2贴装在第一固晶区111，将低压控制芯片3贴装在第二固晶区112，将两个功率MOS管分别贴装在第三固晶区121和第四固晶区131，两个功率MOS管分别为第一功率MOS管4和第二功率MOS管5；
（4）将高压驱动芯片2、低压控制芯片3、第一功率MOS管4和第二功率MOS管5互连；
（5）将高压驱动芯片2、低压控制芯片3、第一功率MOS管4和第二功率MOS管5分别与引线框架1连接。
本实施例中，高压驱动芯片2负责对低压控制芯片3的输出信号进行高压隔离驱动以实现对半桥震荡电路高压侧的第一功率MOS管4实施栅极控制，低压控制芯片3负责整个集成电路的逻辑控制，并输出对第一功率MOS管4和第二功率MOS管5的驱动信号，第一功率MOS管4为半桥震荡电路的高压侧MOS 管，第二功率MOS管5为半桥震荡电路的低压侧MOS 管。高压驱动芯片2、低压控制芯片3、第一功率MOS管4和第二功率MOS管5可以通过金线互连，其中高压驱动芯片2通过一根金线与第一功率MOS管4连接，低压控制芯片3通过一根金线与第二功率MOS管5连接，高压驱动芯片2和低压控制芯片3通过两根金线连接；高压驱动芯片2、低压控制芯片3、第一功率MOS管4和第二功率MOS管5可以分别通过铜线与引线框架1连接，高压驱动芯片2通过三根铜线与引线框架1的导电区连接，低压控制芯片3通过五根铜线与引线框架1的导电区连接，第一功率MOS管4和第二功率MOS管5各通过一根铜线与引线框架1的导电区连接。
本实施例中，引线框架1上设置有第一功率MOS管引出脚（图中未显示）和第二功率MOS管引出脚（图中未显示），第一功率MOS管4与第一功率MOS管引出脚之间设置有第一引脚固定加强孔14，第二功率MOS管5和第二功率MOS管引出脚之间设置有第二引脚固定加强孔15。由于封装体内部设置有第一功率MOS管4和第二功率MOS管5，其工作时产生的功率损耗将明显加热封装体内的整体电路，为了提高引线框架1对热量的导出能力，在保持外形尺寸符合通用标准的前提下，本实施例中第一引脚固定加强孔14和第二引脚固定加强孔15均为两个独立的小圆孔，这两个独立的小圆孔的面积明显小于实施例一中的具有较大面积的长圆孔，因此，本实施例相对于实施例一，第一功率MOS管引出脚和第二功率MOS管引出脚的导热输出截面更大，另外，在第一功率MOS管引出脚和第二功率MOS管引出脚的导热输出截面增加的同时，第二岛12和第三岛13的面积也增加了，第二岛12和第三岛13可以进一步分摊第一功率MOS管4和第二功率MOS管5产生的热量。

Claims (3)

1.一种紧凑型荧光灯专用半桥驱动集成电路的封装方法，其特征在于包括以下步骤：
（1）在一个引线框架上设置三个岛，三个岛分别为第一岛、第二岛和第三岛，将所述的第一岛设置在所述的引线框架的一侧，将所述的第二岛和所述的第三岛上下排列设置在所述的引线框架的另一侧；
（2）在第一岛上设置第一固晶区和第二固晶区，在第二岛上设置第三固晶区，在第三岛上设置第四固晶区；
（3）将高压驱动芯片贴装在第一固晶区，将低压控制芯片贴装在第二固晶区，将两个功率MOS管分别贴装在第三固晶区和第四固晶区，两个功率MOS管分别为第一功率MOS管和第二功率MOS管；
（4）将高压驱动芯片、低压控制芯片、第一功率MOS管和第二功率MOS管互连；
（5）将高压驱动芯片、低压控制芯片、第一功率MOS管和第二功率MOS管分别与引线框架连接。
2.根据权利要求1所述的一种紧凑型荧光灯专用半桥驱动集成电路的封装方法，其特征在于所述的步骤（4）中的高压驱动芯片、低压控制芯片、第一功率MOS管和第二功率MOS管通过金线互连，所述的步骤（5）中的高压驱动芯片、低压控制芯片、第一功率MOS管和第二功率MOS管分别通过铜线与引线框架连接。
3.根据权利要求1或2所述的一种紧凑型荧光灯专用半桥驱动集成电路的封装方法，其特征在于所述的引线框架上设置有第一功率MOS管引出脚和第二功率MOS管引出脚，所述的第一功率MOS管与所述的第一功率MOS管引出脚之间设置有第一引脚固定加强孔，所述的第二功率MOS管和所述的第二功率MOS管引出脚之间设置有第二引脚固定加强孔，所述的第一引脚固定加强孔和所述的第二引脚固定加强孔均为两个独立的圆孔。
CN2012100159428A 2012-01-18 2012-01-18 一种紧凑型荧光灯专用半桥驱动集成电路的封装方法 Pending CN102543770A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2012100159428A CN102543770A (zh) 2012-01-18 2012-01-18 一种紧凑型荧光灯专用半桥驱动集成电路的封装方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2012100159428A CN102543770A (zh) 2012-01-18 2012-01-18 一种紧凑型荧光灯专用半桥驱动集成电路的封装方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102543770A true CN102543770A (zh) 2012-07-04

Family

ID=46350345

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2012100159428A Pending CN102543770A (zh) 2012-01-18 2012-01-18 一种紧凑型荧光灯专用半桥驱动集成电路的封装方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102543770A (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102931104A (zh) * 2012-11-12 2013-02-13 杭州士兰集成电路有限公司 一种紧凑型智能功率驱动模块及其封装方法
CN102931182A (zh) * 2012-11-12 2013-02-13 杭州士兰微电子股份有限公司 紧凑型单相集成驱动电路的封装装置及单相集成驱动电路
CN103368362A (zh) * 2013-05-27 2013-10-23 苏州贝克微电子有限公司 在半桥配置下的双功率场效应管的驱动电路
CN107658283A (zh) * 2017-09-30 2018-02-02 杭州士兰微电子股份有限公司 用于电机驱动的集成功率模块和智能功率模块
CN108682657A (zh) * 2018-07-12 2018-10-19 无锡市宏湖微电子有限公司 一种大功率固态继电器封装结构
CN109075787A (zh) * 2016-02-02 2018-12-21 赛灵思公司 有源接有源可编程器件
USRE49163E1 (en) 2016-02-02 2022-08-09 Xilinx, Inc. Active-by-active programmable device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101834176A (zh) * 2010-04-26 2010-09-15 日银Imp微电子有限公司 一种半桥驱动电路芯片
CN102208865A (zh) * 2011-05-31 2011-10-05 日银Imp微电子有限公司 一种用于三相电机桥式驱动的智能功率模块电路

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101834176A (zh) * 2010-04-26 2010-09-15 日银Imp微电子有限公司 一种半桥驱动电路芯片
CN102208865A (zh) * 2011-05-31 2011-10-05 日银Imp微电子有限公司 一种用于三相电机桥式驱动的智能功率模块电路

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102931104A (zh) * 2012-11-12 2013-02-13 杭州士兰集成电路有限公司 一种紧凑型智能功率驱动模块及其封装方法
CN102931182A (zh) * 2012-11-12 2013-02-13 杭州士兰微电子股份有限公司 紧凑型单相集成驱动电路的封装装置及单相集成驱动电路
CN102931182B (zh) * 2012-11-12 2015-09-23 杭州士兰微电子股份有限公司 紧凑型单相集成驱动电路的封装装置及单相集成驱动电路
CN103368362A (zh) * 2013-05-27 2013-10-23 苏州贝克微电子有限公司 在半桥配置下的双功率场效应管的驱动电路
CN109075787A (zh) * 2016-02-02 2018-12-21 赛灵思公司 有源接有源可编程器件
CN109075787B (zh) * 2016-02-02 2022-04-29 赛灵思公司 有源接有源可编程器件
USRE49163E1 (en) 2016-02-02 2022-08-09 Xilinx, Inc. Active-by-active programmable device
CN107658283A (zh) * 2017-09-30 2018-02-02 杭州士兰微电子股份有限公司 用于电机驱动的集成功率模块和智能功率模块
CN107658283B (zh) * 2017-09-30 2024-05-07 杭州士兰微电子股份有限公司 用于电机驱动的集成功率模块和智能功率模块
CN108682657A (zh) * 2018-07-12 2018-10-19 无锡市宏湖微电子有限公司 一种大功率固态继电器封装结构
CN108682657B (zh) * 2018-07-12 2024-04-09 无锡市宏湖微电子有限公司 一种大功率固态继电器封装结构

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102543770A (zh) 一种紧凑型荧光灯专用半桥驱动集成电路的封装方法
CN101895190B (zh) 一种用于控制桥式驱动电路的栅极驱动电路
CN101894834B (zh) 一种桥式驱动电路芯片
HK1113231A1 (en) Multi-chip-module light emitting diode design and fabrication
CN102291003B (zh) 一种用于三相桥式驱动的智能功率模块
CN102738365A (zh) 一种基于dfn、qfn的新型led封装件及其制作方法
CN204465969U (zh) 功率器件合封的led驱动电路封装结构
CN102208865B (zh) 一种用于三相电机桥式驱动的智能功率模块电路
CN202454554U (zh) 一种紧凑型荧光灯专用半桥驱动集成电路的封装结构
CN110323199A (zh) 一种多基岛引线框架及电源转换模块的qfn封装结构
CN201699675U (zh) 一种用于控制桥式驱动电路的栅极驱动电路
CN102593093A (zh) 双芯片在to-220封装中引线框架的结构
CN110417283A (zh) 电源模块
CN203883669U (zh) 高低边驱动集成电路以及开关电源
CN202167995U (zh) 一种用于三相桥式驱动的智能功率模块
CN201417772Y (zh) 带门极电阻布局的功率mosfet模块
CN201265820Y (zh) Led光源模块封装结构
CN201994293U (zh) 一种大功率led的封装结构
CN201392836Y (zh) 扁平式封装半控桥臂器件
CN220041858U (zh) 双基岛引线框架芯片封装结构
CN202085067U (zh) 一种用于三相电机桥式驱动的智能功率模块电路
CN106058031A (zh) 一种集成式高功率紫外led散热板
CN201717263U (zh) 一种桥式驱动电路芯片
CN103280949B (zh) 一种用于三相桥式驱动的智能功率模块
CN104681517A (zh) 一种适合于led照明应用的多芯片qfn封装

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20120704