CN102496458A - 一种多层电容器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种多层电容器，包括电容、接地板和电极层，采用厚度为1mm的Al2O3陶瓷基板，电容的介质层材料采用陶瓷材料。所用陶瓷材料为BiNbO4或Bi2O3-ZnO-Nb2O5中的一种。介质层材料厚度控制在35um-55um之间。通过上述方式，本发明能够与传统的厚膜材料和光刻工艺相兼容、能多层设计一次烧结成功，且具有低温度系数，高热导率的优点。
Description
技术领域
本发明涉及印刷电路板领域，特别是涉及一种用于印刷电路板的多层电容器。
背景技术
传统的三维分立式无源元件是通过插入、焊接、表面贴装等方式与印制电路板相结合的，它们占据了印刷电路板的五分之二的表面积与大部分的造价。随着无线电通信设备小型化和高性能射频模组小型化的飞速发展，需要更小型的半导体器件和无源器件与之相适应，而埋入式多层无源器件技术是提高系统集成度和小型化的一种有效途径。同传统的分立式组装技术相比，埋入式多层无源器件技术具有十分突出的优点，它使器件具有更小的表面积，更轻的质量；由于极大的缩短了引线距离，使得附加的电容和电感非常小，信号响应更快。同时由于焊点数目大大减少，使得器件的可靠性和整体性能得到了很大的提高。
目前，埋入式无源器件技术主要是基于低温共烧陶瓷基板和有机复合基板来开展研究的。有机复合基板具有易于加工，介电特性优良，化学稳定等特点，但相对陶瓷基板而言，有机复合基板具有易吸潮、玻璃化温度较低、有相对较高的温度系数、需要能低温烧结成功的高介质陶瓷和金属材料与之匹配、成本高等缺点。因此，用于埋入式无源器件的新的基板亟待提出。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种多层电容器，能够与传统的厚膜材料和光刻工艺相兼容、能多层设计一次烧结成功。
为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：提供一种多层电容器，包括电容、接地板和电极层，其特征是，采用厚度为1mm的Al2O3陶瓷基板，电容的介质层材料采用陶瓷材料。
优选的，所述陶瓷材料为BiNbO4 或Bi2O3-ZnO-Nb2O5中的一种。
优选的，所述介质层材料厚度控制在35um-55um之间。
本发明的有益效果是：本发明与传统的厚膜材料和光刻工艺相兼容、能多层设计一次烧结成功，且具有低温度系数，高热导率的优点。
具体实施方式
下面对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
实施例1、本发明实施例包括：采用厚度为1mm的Al2O3陶瓷基板，电容的介质层材料采用陶瓷材料BiNbO4，介质层的厚度控制在40 um，接地板和电极层厚度均控制在10 um，在埋入电容上面加上一层电路板，厚度为0.5mm。采用丝网印刷的方法制备多层陶瓷电容器，在850℃时一次烧结成功。
实施例2、本发明实施例包括：采用厚度为1mm的Al2O3陶瓷基板，电容的介质层材料采用陶瓷材料BiNbO4，介质层的厚度控制在50 um，接地板和电极层厚度均控制在10 um，在埋入电容上面加上一层电路板，厚度为0.5mm。采用丝网印刷的方法制备多层陶瓷电容器，在850℃时一次烧结成功。
实施例3、本发明实施例包括：采用厚度为1mm的Al2O3陶瓷基板，电容的介质层材料采用陶瓷材料Bi2O3-ZnO-Nb2O5，介质层的厚度控制在40 um，接地板和电极层厚度均控制在10 um，在埋入电容上面加上一层电路板，厚度为0.5mm。采用丝网印刷的方法制备多层陶瓷电容器，在850℃时一次烧结成功。
实施例4、本发明实施例包括：采用厚度为1mm的Al2O3陶瓷基板，电容的介质层材料采用陶瓷材料Bi2O3-ZnO-Nb2O5，介质层的厚度控制在50 um，接地板和电极层厚度均控制在10 um，在埋入电容上面加上一层电路板，厚度为0.5mm。采用丝网印刷的方法制备多层陶瓷电容器，在850℃时一次烧结成功。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (3)
1.一种多层电容器，包括电容、接地板和电极层，其特征在于，采用厚度为1mm的Al2O3陶瓷基板，电容的介质层材料采用陶瓷材料。
2.根据权利要求1所述的多层电容器，其特征在于，所述陶瓷材料为BiNbO4 或Bi2O3-ZnO-Nb2O5中的一种。
3.根据权利要求1所述的多层电容器，其特征在于，所述介质层材料厚度控制在35um-55 um之间。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011104021200A CN102496458A (zh) | 2011-12-07 | 2011-12-07 | 一种多层电容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN2011104021200A CN102496458A (zh) | 2011-12-07 | 2011-12-07 | 一种多层电容器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN102496458A true CN102496458A (zh) | 2012-06-13 |
Family
ID=46188270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN2011104021200A Pending CN102496458A (zh) | 2011-12-07 | 2011-12-07 | 一种多层电容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102496458A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105103277A (zh) * | 2013-03-22 | 2015-11-25 | 国立研究开发法人科学技术振兴机构 | 电介质层及电介质层的制造方法、以及固态电子装置及固态电子装置的制造方法 |
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2011
- 2011-12-07 CN CN2011104021200A patent/CN102496458A/zh active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105103277A (zh) * | 2013-03-22 | 2015-11-25 | 国立研究开发法人科学技术振兴机构 | 电介质层及电介质层的制造方法、以及固态电子装置及固态电子装置的制造方法 |
| US9876067B2 (en) | 2013-03-22 | 2018-01-23 | Japan Science And Technology Agency | Dielectric layer and manufacturing method of dielectric layer, and solid-state electronic device and manufacturing method of solid-state electronic device |
| CN105103277B (zh) * | 2013-03-22 | 2018-03-20 | 国立研究开发法人科学技术振兴机构 | 电介质层及电介质层的制造方法、以及固态电子装置及固态电子装置的制造方法 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
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Application publication date: 20120613 |