CN102479675B - 单晶片加工方法及单晶片 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种单晶片加工方法，包括如下步骤：将去除了一侧扩散层的单晶片的应力集中区去除。这种单晶片的加工方法在去除单晶片一侧扩散层后去除了应力集中区，减小了应力，从而降低了碎片损耗。此外，还提供一种去除了一侧的扩散层后应力集中区被去除的单晶片。

Description

单晶片加工方法及单晶片

【技术领域】

本发明涉及半导体器件制造领域，尤其涉及一种单晶片加工方法及单晶片。

【背景技术】

如图1所示的硅单晶厂家提供的传统的硅单晶片的边缘形状，经过双边扩散加工后，将完成了双边扩散的硅单晶片一侧的扩散层去除，得到的硅单晶片边缘形状如图2所示。

此时，硅单晶片边缘出现垂直形状的应力集中区(图中A区)。这种垂直形状的应力集中区应力集中，在后续的加工过程中容易造成碎片损耗。

【发明内容】

基于此，有必要提供一种降低碎片损耗的单晶片的加工方法。

此外，还有必要提供一种碎片损耗较低的单晶片。

一种单晶片加工方法，包括如下步骤：将去除了一侧扩散层的单晶片的应力集中区去除。

优选的，所述单晶片加工方法还包括去除所述应力集中区之后，对去除了应力集中区的单晶片的损伤进行修理、去除的步骤。

优选的，所述单晶片一侧的扩散层采用磨片的方式去除。

优选的，所述应力集中区采用倒角的方式去除。

优选的，所述应力集中区为单晶片去除一侧扩散层后形成的直角边缘。

优选的，还包括去除应力集中区之前的如下步骤：

提供硅单晶片；

对硅单晶片进行双边扩散加工；

去除硅单晶片一侧的扩散层。

优选的，所述硅单晶片经过倒角处理。

一种单晶片，所述单晶片去除了一侧的扩散层后应力集中区被去除。

优选的，所述应力集中区为单晶片去除一侧扩散层后形成的直角边缘。

这种单晶片的加工方法在去除单晶片一侧的扩散层后去除了应力集中区，减小了应力，从而降低了碎片损耗。

【附图说明】

图1为传统的硅单晶片边缘形状；

图2为传统的去除了一侧扩散层后的硅单晶片的边缘形状；

图3为一实施方式的单晶片的加工方法的流程图；

图4为图3示加工方法的去除应力集中区步骤的示意图。

【具体实施方式】

下面结合附图和实施例对单晶片的加工方法做进一步的描述。

如图3所示的硅单晶片的加工方法，包括如下步骤：

S10、提供硅单晶片

购买上游硅单晶厂家生产的经过倒角处理的硅单晶片，也可以自行生产。

在磨削加工领域，将工件边缘棱角去除的工艺称为倒角。

S20、对硅单晶片进行双边扩散加工

双边扩散工艺，也可以称为三重扩散。

S30、去除硅单晶片一侧的扩散层

采用磨片的方法去除硅单晶片一侧的扩散层，同时硅单晶片出现直角边缘，即边缘形成了垂直形状的应力集中区(图4示A区)。

S40、去除应力集中区

参阅图4，采用倒角的方式去除应力集中区(图4示A区)，形成图4示B区，减小了应力。

S50、崩角等损伤的修理、去除

对前面加工过程中硅单晶片出现的崩边等损伤进行修理、去除。

上述硅单晶片的加工方法并不局限于硅单晶片，可以应用于类似结构的单晶片加工。

此外，还提供一种去除了一侧的扩散层后应力集中区被去除的单晶片，应力集中区为单晶片去除一侧扩散层后形成的直角边缘。

这种单晶片的加工方法在去除单晶片一侧扩散层后去除了应力集中区，减小了应力，从而降低了碎片损耗。

以上所述实施例仅表达了本发明的一种或几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (2)

1.一种单晶片加工方法，包括如下步骤：

提供经过倒角处理后的硅单晶片；

对硅单晶片进行双边扩散加工；

采用磨片的方式去除硅单晶片一侧的扩散层，同时硅单晶片出现直角边缘；

采用倒角的方式将去除了一侧扩散层的单晶片的应力集中区去除，所述应力集中区为单晶片去除一侧扩散层后形成的直角边缘。

2.如权利要求1所述的单晶片加工方法，其特征在于，所述单晶片加工方法还包括去除所述应力集中区之后，对去除了应力集中区的单晶片的损伤进行修理、去除的步骤。

Images