CN102474936A - 发光片及其制备方法 - Google Patents

发光片及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102474936A
CN102474936A CN2010800366732A CN201080036673A CN102474936A CN 102474936 A CN102474936 A CN 102474936A CN 2010800366732 A CN2010800366732 A CN 2010800366732A CN 201080036673 A CN201080036673 A CN 201080036673A CN 102474936 A CN102474936 A CN 102474936A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
luminescent layer
short
light tiles
circuit part
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2010800366732A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102474936B (zh
Inventor
松林由美子
永绳智史
小野义友
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lintec Corp
Original Assignee
Lintec Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lintec Corp filed Critical Lintec Corp
Publication of CN102474936A publication Critical patent/CN102474936A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102474936B publication Critical patent/CN102474936B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/813—Anodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/822—Cathodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8428—Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/50—Forming devices by joining two substrates together, e.g. lamination techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/341—Short-circuit prevention

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供一种发光片以及该发光片的有效的制备方法，该发光片在施加电压时能够不引起组件端部的绝缘击穿，不发生短路等不良情况，能够实现稳定的驱动。具体地，提供一种发光片以及该发光片的有效的制备方法，其中，该发光片具有第一电极和第二电极，且在两电极之间夹持有发光层，其特征在于，在该发光层的边缘部设置有由绝缘体形成的防短路部件，所述防短路部件以该部件的一部分从发光层突出的状态进行设置。

Description

发光片及其制备方法
技术领域
本发明涉及发光片及其制备方法。更具体地涉及能够不产生短路等不良情况、实现稳定的驱动的发光片，以及该发光片的有效的制备方法。
背景技术
公知通过施加电压而发光的电致发光组件能够作为电气与电子领域、或者光学领域中的功能组件。该电致发光组件可大致分为一般在发光层中使用无机类电致发光材料的无机电致发光组件(以下称为无机EL组件)和使用有机类电致发光材料的有机电致发光组件(以下称为有机EL组件)。
无机EL组件与有机EL组件相比，虽然难以形成高亮度的发光，但具有长期稳定性良好、并且即便在高温等苛刻的条件下也可稳定发光的优点。因此，可在要求耐候性、耐热性、长期稳定性等的领域中利用，并对于无机EL组件持续进行着研究。
另外，利用印刷技术无机EL组件能够在纸或高分子薄膜上形成电子装置，从而作为要求柔韧性的照明组件形成了市场。作为这样的无机EL组件，在背板(背面電極)上形成绝缘层、发光层，在其上设置透明电极，在上面和下面用吸湿薄膜覆盖的电致发光组件已众所周知，发光层通过丝网印刷等印刷(例如参照专利文献1)。但是，这样的方法制备工序繁多。因此，作为能够大量生产的方法，已知通过辊印刷和层压来廉价地制备无机EL组件的方法(例如参照专利文献2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特公平7-58636号公报
专利文献2：特开2004-234942号公报
发明内容
通过以往的方法制备的无机EL组件，由于上下的电极在组件端部接近，而存在施加电压时引起绝缘击穿、常常发生短路等不良情况的问题。
因此，本发明的课题在于解决上述问题，提供耐电压性高、能够抑制短路等不良情况的发光片及该发光片的有效的制备方法。
即，本发明关于以下的[1]～[9]。
[1]一种发光片，该发光片具有第一电极和第二电极，且在两电极之间夹持有发光层，其特征在于，在该发光层的边缘部设置有由绝缘体形成的防短路部件，所述防短路部件以该部件的一部分从发光层突出的状态进行设置。
[2]一种发光片，该发光片具有第一电极和第二电极，且在两电极之间夹持有发光层，其特征在于，在该发光层的边缘部的至少一部分设置有由绝缘体形成的防短路部件，所述防短路部件以该部件的一部分从发光层突出的状态进行设置，并且，未设置所述防短路部件或未以该部件的一部分从发光层突出的状态设置的发光层的边缘部上的第一电极和/或第二电极被切断，形成与对发光片施加电压的电路非电连接状态的非导通部。
[3]根据上述[2]所述的发光片，其中，第一电极和/或第二电极的切断通过激光进行。
[4]根据上述[1]-[3]中任意一项所述的发光片，其中，所述防短路部件从发光层突出，使得第一电极和第二电极的爬电距离的最小值为2mm以上。
[5]根据上述[2]-[4]中任意一项所述的发光片，其中，通过所述电极的切断，处于电连接状态的第一电极的导通部和第二电极的导通部的爬电距离的最小值为2mm以上。
[6]根据上述[1]-[5]中任意一项所述的发光片，其中，所述防短路部件为具有绝缘性的粘着片。
[7]根据上述[1]-[6]中任意一项所述的发光片，其中，在第一电极或第二电极与发光层之间具有电介质层。
[8]一种发光片的制备方法，所述发光片具有第一电极和第二电极，且两电极之间夹持有发光层，其特征在于，以卷对卷(ロ一ル·ツ一·ロ一ル)方式制备，在发光层的运动方向的两边、发光层的边缘部设置由绝缘体形成的防短路部件，所述防短路部件以该部件的一部分从发光层突出的状态进行设置，并且，在宽度方向将第一电极和/或第二电极切断，形成与对发光片施加电压的电路非电连接状态的非导通部。
[9]一种发光片的制备方法，所述发光片具有第一电极和第二电极，且两电极之间夹持有发光层，其特征在于，以卷对卷方式制备，在发光层的运动方向的一边、发光层的边缘部设置由绝缘体形成的防短路部件，所述防短路部件以该部件的一部分从发光层突出的状态进行设置，将位于发光层另一边的的边缘部的上面或下面的电极切断，形成与对发光片施加电压的电路非电连接状态的非导通部，并且，在宽度方向将第一电极和/或第二电极切断，形成与对发光片施加电压的电路非电连接状态的非导通部。
根据本发明，能够提供在施加电压时能够不引起组件端部的绝缘击穿、不发生短路等不良情况、能够实现稳定的驱动的发光片以及该发光片的有效的制备方法。
附图说明
[图1]为表示在第一电极基材的第一电极上粘贴(设置)有框状防短路部件的状态(层压体1)的图；
[图2]表示在第二电极基材的第二电极上的右侧沿纵向粘贴(设置)有直线状防短路部件的状态(层压体2)的图；
[图3]为表示在层压体1的第一电极面以及防短路部件上，以防短路部件的上边、下边以及左边的一部分从发光层突出的方式形成有发光层的状态(层压体3)的图；
[图4]为表示使层压体2层压在层压体3上的发光片A的图；
[图5]为发光片A的横截面图；
[图6]表示在第一电极基材的第一电极上的左侧沿纵向粘贴(设置)有直线状防短路部件的状态(层压体4)的图；
[图7]表示在第二电极基材的第二电极上的右侧沿纵向粘贴(设置)有直线状防短路部件的状态(层压体5)的图；
[图8]为表示在层压体4的第一电极面以及防短路部件上，以防短路部件的一部分从发光层突出的方式形成有发光层的状态(层压体6)的图；
[图9]为表示使层压体5层压在层压体6上的发光片F’的图；
[图10]为发光片F’的横截面图；
[图11]为表示将发光片F’的第二电极用激光加工机切断的发光片F的图；
[图12]为发光片F的纵截面图；
[图13]为表示沿箭头方向从辊抽出的第一电极基材的第一电极的左侧沿纵向粘贴(设置)有直线状防短路部件的状态(层压体7)的图；
[图14]为表示从辊抽出的第二电极基材的第二电极的右侧沿纵向粘贴(设置)有直线状防短路部件的状态(层压体8)的图；
[图15]为表示在从辊抽出的层压体7的第一电极面以及防短路部件上，以防短路部件的一部分从发光层突出的方式形成有发光层的状态(层压体9)的图；
[图16]为表示使层压体8层压在从辊抽出的层压体9上的发光片H’的图；
[图17]为发光片H’的宽度方向(横)截面图；
[图18]为表示将发光片H’的第二电极的任意的两个位置用激光加工机切断的状态(发光片H)的图；
[图19]为发光片H的运动方向(纵)截面图；
[图20]为说明发光层的“边缘部”的位置的图。
具体实施方式
本发明的发光片为具有第一电极和第二电极、且两电极之间夹持有发光层的发光片，其中，在该发光层的边缘部(以下称为发光层边缘部)设置有由绝缘体形成的防短路部件，所述防短路部件以该部件的一部分从发光层突出的状态进行设置。在此，发光层边缘部是指不面向第一电极和第二电极任意一者的发光层的侧面部位，如图20所示，使用未设置防短路部件的发光片的截面图进行说明时，是指第一电极基材20和第二电极基材21夹持的发光层22的侧面部位23。对于该发光片的平面形状没有特别的限制，可以为正方形、长方形、梯形、菱形等的四边形、三角形、圆形、椭圆形、星型等的任意一者。
以下，以第一电极为阴极、第二电极为阳极、第一基材侧为背面、第二基材侧为前面的发光片为例子进行说明，但并不限定于此。
(电极用的基材)
第一电极(阴极)和第二电极(阳极)优选各自形成于基材上(以下，将第一电极用的基材称为第一基材，将第二电极用的基材称为第二基材，将在第一基材上层压了第一电极的称为第一电极基材，将在第二基材上层压了第二电极的称为第二电极基材。)。作为第一基材和第二基材可以使用例如玻璃板、塑料薄膜，但从具有柔韧性、可轻质化的观点考虑，优选塑料薄膜。作为该塑料薄膜，优选不透水的薄膜或水分透过率极低的薄膜。另外，重要的是，第二基材具有透明性。
作为这样的塑料薄膜的材料，从成本或通用性的观点出发，优选为聚酯、聚酰胺等。作为聚酯可举出聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯等。另外，作为聚酰胺，可举出全芳香族聚酰胺：尼龙6、尼龙66、尼龙共聚物等。
对于使用的基材的厚度没有特别的限制，通常为1-1000μm，优选为5-500μm，从实用性的观点出发，更优选为10-200μm。
另外，第一基材没有必要特别透明。
第二基材可以为无色透明，也可以为有色透明，但是从使由后述的发光层发出的光不散射或不衰减的观点出发，优选为无色透明。
另外，根据需要，第一基材和第二基材可以在其表面或背面设置防透湿层(阻气层)。作为所述防透湿层(阻气层)的材料，适合使用氮化硅、氧化硅等的无机物。该防透湿层(阻气层)可以通过例如高频溅射法等形成。
[第一电极；阴极]
作为本发明的发光片的第一电极(阴极)，只要具有作为阴极的功能即可，没有特别的限制，根据发光片的用途，可以从公知的阴极中适当地选择。
作为第一电极的材料，例如金属、合金、金属氧化物、有机导电性化合物、以及它们的混合物等。
作为第一电极的材料的具体例子，可以举出金、银、铅、铝、铟、镱、以及这些金属和碱金属或碱土类金属的合金或者混合物；聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯等的有机导电性聚合物。这些可以单独使用一种，也可以两种以上组合使用。它们中，优选功函数为4.5eV以下的材料。
它们中，从稳定性良好的观点考虑，优选以铝为主体的材料。以铝为主体的材料是指纯铝、或铝和0.01-10质量％左右的碱金属或碱土类金属的合金或者混合物(例如，锂-铝合金、镁-铝合金等)。
对于第一电极的形成方法没有特别的限制，可以按照公知的方法形成。根据与所述材料的适应性，可以根据从例如印刷方式、涂布方式等的湿式方式；真空蒸镀法、溅射法、离子镀法等的物理方式；CVD法(化学气相沉积法)、等离子体CVD法等的化学方式；或者层压金属箔的方法等中适当选择的方法在所述第一基材上形成。
例如，作为第一电极的材料，在选择铝等的金属等的情况下，可以通过在基材上溅射一种金属或者同时或依次溅射两种以上的金属的方法、将金属箔层压等的方法来形成。
作为第一电极的厚度，可以根据所述材料进行适当选择，不能一概而论，通常为10nm-50μm，优选为20nm-20μm，更优选为50nm-15μm。另外，该第一电极可以透明，也可以不透明。第一电极的表面电阻率优选为103Ω/□以下，更优选为102Ω/□以下。该表面电阻率为通过实施例记载的方法求出的值。
[第二电极；阳极]
作为本发明的发光片的第二电极(阳极)，只要是具有作为阳极的功能、并为透明电极即可，没有特别的限制，根据发光片的用途，可以从公知的阳极中适当选择。
作为第二电极的材料，例如，可适当举出金属、合金、金属氧化物、有机导电性化合物、或者它们的混合物。
作为第二电极的材料的具体例子，氧化锡、锑掺杂的氧化锡(ATO)、氟掺杂的氧化锡(FTO)、氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ITO)、氧化锌铟(IZO)等的金属氧化物；金、银、铬、镍等的金属；所述金属氧化物和所述金属的混合物或层压物；聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯等的有机导电性聚合物等。这些中，优选功函数为4.0eV以上的材料，从透明性高的观点出发，特别优选为ITO。
第二电极可以按照公知的方法形成，根据与所述材料的适应性，可以根据从例如印刷方式、涂布方式等的湿式方式；真空蒸镀法、溅射法、离子镀法等的物理方式；CVD、等离子体CVD法等的化学方式等中适当选择的方法在所述第二基材上形成。
例如，作为第二电极的材料，在选择ITO的情况下，第二电极的形成可以按照直流或者高频溅射法、真空蒸镀法、离子镀法等来进行。另外，作为第二电极的材料，选择有机导电性化合物的情况下，第二电极的形成可以按照湿式制膜法来进行。
作为第二电极的厚度，可以根据所述材料进行适当选择，不能一概而论，通常为10-1000nm，优选为20-500nm，更优选为50-200nm。
第二电极的表面电阻率优选为103Ω/□以下，更优选为102Ω/□以下。该表面电阻率为通过实施例记载的方法求出的值。
第二电极可以为无色透明，也可以为有色透明，优选为无色透明。另外，为了从该第二电极侧发出光，第二基材和第二电极的层压体的透光率(透過率)优选为60％以上，更优选为70％以上。该透光率为通过实施例记载的方法求出的值。
[发光层]
在本发明的发光片中，发光层例如可以通过在所述第一电极或第二电极上、或者后述的电介质层上涂布发光性组合物来形成。另外，也可以将发光性组合物涂布到剥离薄膜上后，转印(転写)到第一电极或第二电极上、或者转印呈电介质层状来形成发光层。
发光性组合物可以使用含有电致发光体和基体树脂的组合物。以下对电致发光体和基体树脂依次进行说明。
(电致发光体)
作为电致发光体，可以使用无机类电致发光材料和有机类电致发光材料的任意一种。从本发明的发光片的用途的观点出发，优选使用长期稳定性良好的无机类电致发光材料。
-无机类电致发光材料-
作为无机类电致发光材料，例如以硫化锌(ZnS)为母材、作为发光中心材料分别添加了铜、锰、氟化铽、氟化钐、氟化铥的ZnS:Cu、ZnS:Mn、ZnS:TbF3、ZnS:SmF3、ZnS:TmF3；以硫化钙(CaS)为母材、作为发光中心材料添加了铕的CaS:Eu；以硫化锶(SrS)为母材、作为发光中心材料添加了铈的SrS:Ce；或者以CaCa2S4、SrCa2S4那样的碱土类钙硫化物等为母材，作为发光中心材料，添加了锰等过渡金属或铕、铈、铽等稀土类元素的物质等的无机类电致发光材料。
这些中，ZnS:Cu发出绿色的光，ZnS:Mn发出黄橙色的光，ZnS:TbF3发出绿色的光，ZnS:SmF3、CaS:Eu发出红色的光，ZnS:TmF3、SrS:Ce发出蓝色的光。
进而，还可以举出由掺杂除Sc以外的稀土类元素、例如Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu等的Sc2O3形成的氧化物发光材料。作为掺杂的稀土类元素，优选为Ce、Sm、Eu、Tb、Tm。根据掺杂的稀土类元素的种类，发出黄色、波长比黄色长的红色、波长比黄色短的绿色或蓝色的光。
在本发明中，这些无机类电致发光材料可以单独使用一种，根据需要也可以两种以上组合使用。
-有机类电致发光材料-
作为有机类电致发光材料，可以使用低分子型和高分子型中的任意一种，或者也可以使用荧光发光材料以及磷光发光材料中的任意一种。
作为低分子型有机类电致发光材料，例如可以举出以苯并噁唑衍生物、苯并咪唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯乙烯基苯(スチリルベンゼン)衍生物、聚苯衍生物、二苯基丁二烯衍生物、四苯基丁二烯衍生物、萘二甲酰亚胺衍生物、香豆素衍生物、二萘嵌苯衍生物、芘酮(ペリノン)衍生物、噁二唑(オキサジアゾ一ル)衍生物、醛连氮衍生物、吡咯烷(ピラリジン)衍生物、环戊二烯衍生物、双苯乙烯基蒽衍生物、喹吖啶酮衍生物、吡咯并吡啶衍生物、噻二唑并吡啶(チアジアゾロピリジン)衍生物、苯乙烯基胺衍生物、芳香族二亚甲基化合物、芳香族二胺衍生物、8-羟基喹啉衍生物的金属络合物或稀土类络合物为代表的各种金属络合物等；邻位金属化(オルトメタル化)金属络合物[例如，山本明夫著《有机金属化学-基础和应用-》p.150-232，裳華房社(1982年发行)；或H.Yersin著《Photochemistry andPhotophysics of Coordination Compounds》，p.71-77和p.135-146、Springer-Verlag社(1987年发行)等中记载的化合物组的总称]；卟啉金属络合物等。
另外，作为高分子型有机类电致发光材料，可以举出作为荧光发光材料的聚噻吩衍生物、聚苯(ポリフエニレン)衍生物、聚对苯乙炔衍生物、聚芴衍生物等。
在本发明中，作为有机类电致发光材料，可以从所述的低分子型和高分子型中选择一种单独使用，也可以选择两种以上组合使用。
另外，在发光层为由有机类电致发光材料形成的层的情况下，优选在该发光层的阳极侧形成空穴注入·输送层，在阴极侧形成电子注入·输送层。另外，发光层中的该电致发光体的含量因无机类、有机类而不同，为无机类的情况下，从发光性和经济性的平衡等的观点出发，相对于100质量份的后述的基体树脂，通常，优选为20-900质量份，更优选为30-700质量份，进一步优选为40-500质量份。
(基体树脂)
作为发光性组合物所含有的基体树脂，可举出聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯等的聚酯、聚酯系热塑性弹性体；聚氨酯、聚氨酯系热塑性弹性体；聚苯乙烯、聚苯乙烯系热塑性弹性体；聚氯乙烯；聚丙烯等的聚烯烃、聚烯烃系热塑性弹性体；聚硅氧烷系树脂；丙烯酸系树脂；丙烯酸聚氨酯树脂等。它们中，优选在常温下具有粘着性的物质。使用在常温下具有粘着性的树脂时，只通过将发光层与电极或电介质层等挤压便能够进行接合。作为具有粘着性的树脂优选丙烯酸系树脂。
作为丙烯酸系树脂，可以优选举出根据期望而使用具有羧基等官能团的单体和其它的单体与烷基碳原子数为1-20的(甲基)丙烯酸酯的共聚物，即(甲基)丙烯酸酯共聚物。
在此，作为烷基碳原子数为1-20的(甲基)丙烯酸酯的例子，可以举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷酯、(甲基)丙烯酸十六烷酯、(甲基)丙烯酸十八烷酯等。这些可以单独使用，也可以两种以上组合使用。
另外，(甲基)丙烯酸酯共聚物的重均分子量优选为30万以上，更优选为40万-100万。
在发光性组合物中，根据期望，还可以添加交联剂、抗氧剂、紫外线吸收剂、红外线吸收剂、颜料等。
所述发光性组合物的涂布方法没有特别限制，可以采用以往公知的方法，例如刮刀涂布法、辊涂法、棒涂法、刮板涂布法、模具涂布法(ダイコ一ト法)、凹版涂布法等。
这样得到的发光层的厚度，从发光片的亮度、与其它层的接合性的观点出发，通常为0.1-100μm，优选为5-90μm，进一步优选为20-80μm。
[电介质层]
在本发明的发光片中，可以在第一电极和发光层之间和/或发光层和第二电极之间设置电介质层。
作为形成该电介质层的材料，优选具有高介电常数的材料，例如可以举出SiO2、BaTiO3、SiON、Al2O3、TiO2、Si3N4、SiAlON、Y2O3、Sm2O3、Ta2O5、BaTa2O3、PbNb2O3、Sr(Zr，Ti)O3、SrTiO3、PbTiO3、HfO3、含有Sb的SnO2(ATO)等的无机材料；聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、环氧树脂、氰乙酰纤维素等的有机材料。它们可以单独使用一种，也可以两种以上组合使用。
在电介质层存在于发光层和第二电极之间的情况下，由于电介质层必须透明，因此，上述中，优选SiO2、Al2O3、Si3N4、Y2O3、Ta2O5、BaTa2O3、SrTiO3、PbTiO3等的无机材料。在电介质层存在于第一电极和发光层之间的情况下，没必要特别透明。
该电介质层例如可以通过将所述电介质的形成材料均质分散到适当的粘合剂中的材料，利用以往公知的涂布法、例如喷雾法、刮刀涂布法、辊涂法、棒涂法、刮板涂布法、模具涂布法、凹版涂布法等进行涂布的方法、或者使用挤出机来形成。粘合剂没有特别的限制，例如可以使用与前述的发光性组合物的基体树脂同样的材料。另外，为有机材料的情况下，可以不使用粘合剂而直接涂布。
在用交流电驱动本发明的发光片的情况下，在发光层的电导率过高，难以施加充分的电压于发光层时，或者，由于电流过大可能引起绝缘击穿时，该电介质层发挥控制这些情况的效果。该电介质层的厚度，从使上述效果良好地发挥的观点出发，通常优选为0.1-50μm，更优选为10-50μm。
<防短路部件的设置>
本发明的发光片的特征在于，在所述发光层的边缘部设置有由绝缘体形成的防短路部件，所述防短路部件以该部件的一部分从发光层突出的状态进行设置。
(防短路部件)
作为防短路部件，只要是具有绝缘性的材料(以下，简称为绝缘性材料。)就没有特别的限制，例如可举出Y2O3、Al2O3、Si3N4、Ta2O5、PbTiO3、BaTa2O6、SrTiO3、云母等的无机材料；聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚萘二甲酸乙二醇酯等的聚酯系树脂、氰乙基纤维素系树脂、聚乙烯或聚丙烯等的聚烯烃系树脂、聚苯乙烯系树脂、聚硅氧烷树脂、环氧树脂、氟树脂、丙烯酸系树脂、聚酰亚胺系树脂、酚醛树脂等的各种有机类高分子材料。
作为防短路部件，优选使用由所述绝缘性材料形成的片，或者优选利用以所述聚酯系树脂或聚烯烃系树脂等形成的绝缘性材料为基材、在其上设置绝缘性的粘着剂层而成的胶带。作为形成绝缘性的粘着剂层的粘着剂，可以使用不含导电材料的丙烯酸系粘着剂、聚硅氧烷系粘着剂、橡胶系粘着剂等公知的粘着剂。另外，胶带的厚度优选为10-500μm。
防短路部件的体积电阻率优选为1011Ω·cm以上，更优选为1012Ω·cm以上。该体积电阻率为通过实施例记载的方法求出的值。
所述防短路部件可以以围绕发光层边缘部一周的方式设置，如后述那样，在发光片的截面形状中，以在位于未设置防短路部件的发光层边缘部的上面或下面的电极的边缘部形成有非导通部为条件，防短路部件也可以为设置在发光层边缘部的“一部分”的状态。“设置”不仅是指插入发光层的状态，还包括夹持在发光层和电极之间的状态，或者防短路部件为胶带时，夹持在发光层和电极之间并且粘贴在电极上的状态。另外，防短路部件夹持在发光层和电极之间的情况下，可以只设置在发光层和第一电极之间或者发光层和第二电极之间，也可以在两者之间都设置。
防短路部件的设置，因使用胶带作为防短路部件粘贴到电极上的方法简便而优选。
在此，“防短路部件以围绕发光层边缘部一周的方式设置”除了是指防短路部件全部连接的状态以外，还包括相对于发光片的平面从垂直方向观看的情况下，外观上，看上去为从发光层突出的防短路部件绕发光层一周的状态。外观上看上去绕一周的状态，例如，可以举出在正方形的发光片的情况下，四边中的两边，防短路部件形成于发光层和第一电极之间，剩下的两边，防短路部件形成于发光层和第二电极之间的状态等。
防短路部件的从发光层突出部位的长度优选为1-15mm，更优选为1.5-12mm。通过以该程度从发光层突出，使得第一电极和第二电极的爬电距离能够充分防止短路的发生。设置了防短路部件时的该爬电距离是指在发光片的外周部的任意点，沿发光层和防短路部件的表面(发光片具有电介质层的情况下包括电介质层表面。)测定第一电极和第二电极之间的距离时的最短距离，例如在图5中，用三个箭头的合计距离表示。这样测定的爬电距离的最小值优选为2mm，更优选为2.5mm以上。该爬电距离的最小值的上限没有特别的限定，通常为100mm左右。
作为以上那样的本发明的发光片的一个例子，图4和图5中示出四边形的发光片A。如图5所示，发光片A在第一电极基材1和第二电极基材3之间夹持有发光层4，发光层边缘部设置(粘贴)有防短路部件2和防短路部件2’。如图4和图5所示，在发光片A中，由于防短路部件2以在发光片的三边从发光层突出的状态设置，防短路部件2’以在剩下的一边从发光层突出的状态设置，因此，相对于发光片的平面从垂直方向观看时，外观上，从发光层突出的防短路部件绕发光层一周。
本发明的发光片以在发光层边缘部的一部分上防短路部件的“一部分”从发光层突出的状态设置的情况下，在位于未设置所述防短路部件或未以防短路部件从发光层突出的状态设置的发光层的边缘部上面或下面的电极的边缘部形成非导通部。使用图6-图12对这样的发光片的一个例子进行说明。在第一电极基材6和第二电极基材7各自的电极纵向上以直线状设置了防短路部件8和8’的发光片F’中，通过均未设置防短路部件8和8’的横向的第一电极和/或第二电极被切断，形成与用于对发光片施加电压的电路非电连接状态(以下，简称为“非电连接状态”。)的非导通部12和12’。这样得到的发光片，相对于发光片的平面从垂直方向观看时，外观上，防短路部件和非导通部绕发光层一周。
另外，以从发光层突出的状态设置防短路部件时，由于第一电极和第二电极两者为从发光层的同一边缘部各自突出的状态的情况下，有可能降低本发明的效果，因而如图5、10以及17所示，优选位于设置了防短路部件的发光层边缘部的上下任意一者的电极的末端不要从发光层突出8mm以上，更优选不要突出5mm以上，进一步优选为实质不突出的状态。
(电极的切断条件)
作为电极的切断方法没有特别的限制，使用激光加工机简便而优选。作为激光加工机没有特别的限制，例如YAG激光、CO2激光、准分子激光、飞秒激光等。
激光输出或扫描速度可以进行适当调节以形成非导通部，作为基准，例如，从电极基材的基材侧进行切断的情况下(参照图12)，电极基材的厚度为50-100μm的范围时，通常，优选以激光输出功率为30-80W和扫描速度为350-700mm/s的条件进行切断。
电极的切断位置只要比发光层端部更内侧即可，为了防止发光面积过度变小，优选距电极的端部2-10mm的位置，更优选为3-8mm的位置，进一步优选为4-6mm的位置。另外，还可以切断发光层的一部分。另外，可以预先从电极基材的电极侧将电极切断，然后将发光层和电极接合。
切断时的线宽，从防止短路的观点出发，通常优选为10μm以上。但是，即便将线宽扩大到必要线宽以上，也不会改变防止短路性能，但由于发光面积变小，更优选线宽为10-200μm，进一步优选为20-180μm。
另外，通过所述电极的切断，优选电连接状态的第一电极的导通部边缘部与第二电极的导通部边缘部的爬电距离的最小值(图12的发光层中记载2个箭头的合计距离)达到2mm以上，更优选达到2.5mm以上。该爬电距离的最小值的上限没有特别的限定，通常为100mm左右。另外，该爬电距离是不考虑关于电极切断时一起被切断的发光层的深度的值。
[发光片的制备方法]
另外，本发明的发光片的制备实施方式没有特别的限制，只要能够得到所述构成的发光片即可，可以为任何方法。
作为本发明的发光片的制备方法的一个例子，可以举出如下方法：通过下述工序(1)或(2)制作第一层压体和第二层压体，将第一层压体的发光层侧和第二层压体的第二电极侧，或者第一层压体的第一电极侧和第二层压体的发光层侧各自进行接合。
(1)通过在第一基材上依次形成第一电极和发光层来制作第一层压体，另外通过在第二基材上形成第二电极来制作第二层压体的工序。
(2)通过在第一基材上形成第一电极来制作第一层压体，另外通过在第二基材上依次形成第二电极和发光层来制作第二层压体的工序。
在上述工序(1)和(2)中，防短路部件的设置以及电极的切断的时机可以随意，没有特别的限制，在工序(1)中，例如，可以利用以下的方法(1A)和(1B)等。
(1A)为在第一基材上形成的第一电极上设置(粘贴)防短路部件，接着以防短路部件的一部分从发光层突出的方式形成发光层，来制作第一层压体的方法，为在第一电极上设置的防短路部件设置不从发光层突出的部位的情况下，在第二基材上至少形成第二电极后，在位于该部位的第二基材上的第二电极上设置(粘贴)防短路部件的方法。
(1B)为在形成于第一基材上的第一电极上设置(粘贴)防短路部件，接着以防短路部件的一部分从发光层突出的方式形成发光层，来制作第一层压体的方法，为在第一电极上设置的防短路部件设置不从发光层突出的部位的情况下，在第二基材上至少形成了第二电极后，将位于该部位的第二基材上的第二电极切断，来设置非导通部的方法。
另外，在工序(2)中，例如，可以利用以下的方法(2A)和(2B)等。
(2A)为在第二基材上形成的第二电极上设置(粘贴)防短路部件，然后以防短路部件的一部分从发光层突出的方式形成发光层，来制作第二层压体的方法，为在第二电极上设置的防短路部件设置不从发光层突出的部位的情况下，在第一基材上至少形成第一电极后，在位于该部位的第一基材上的第一电极上设置(粘贴)防短路部件的方法。
(2B)为在第二基材上形成的第二电极上设置(粘贴)防短路部件，接着，防短路部件的一部分以从发光层突出的方式形成发光层，来制作第二层压体的方法，为在第二电极上设置的防短路部件设置不从发光层突出的部位的情况下，在第一基材上至少形成第一电极后，将位于该部位的第一基材上的第一电极切断，来设置非导通部的方法。
在此，为了方便，将第一层压体和第二层压体的构成分别按下述那样用记号表示。即，将第一基材用“1”、第二基材用“2”表示，将第一电极用“E1”、第二电极用“E2”表示，将发光层用“L”表示，将后述的电介质层用“D”或“D’”表示，此时，在经过上述工序(1)的方法中，作为第一层压体，得到1-E1-L的构成，作为第二层压体，得到2-E2的构成。通过将该第一层压体和第二层压体以L和E2相对的方式进行接合，得到1-E1-L-E2-2的构成的发光片。
另外，在经过上述工序(2)的方法中，作为第一层压体，得到1-E1的构成，作为第二层压体，得到2-E2-L的构成。通过将该第一层压体和第二层压体以E1和L相对的方式进行接合，得到1-E1-L-E2-2的构成的发光片。
另外，通过下述工序(3)-(12)的任一工序来制作第一层压体和第二层压体，通过将第一层压体的电介质层侧、发光层侧或第一电极侧，与第二层压体的第二电极侧、发光层侧或电介质层侧分别接合，能够得到第一电极或第二电极和发光层之间具有电介质层的发光片，但并不特别限定于此。
(3)通过在第一基材上依次形成第一电极、电介质层以及发光层来制作第一层压体，另外通过在第二基材上形成第二电极来制作第二层压体的工序。
(4)通过在第一基材上依次形成第一电极和电介质层来制作第一层压体，另外通过在第二基材上依次形成第二电极和发光层来制作第二层压体的工序。
(5)通过在第一基材上形成第一电极来制作第一层压体，另外通过在第二基材上依次形成第二电极、发光层以及电介质层来制作第二层压体的工序。
(6)通过在第一基材上依次形成第一电极、发光层以及电介质层来制作第一层压体，另外通过在第二基材上形成第二电极来制作第二层压体的工序。
(7)通过在第一基材上依次形成第一电极和发光层来制作第一层压体，另外通过在第二基材上依次形成第二电极和电介质层来制作第二层压体的工序。
(8)通过在第一基材上形成第一电极来制作第一层压体，另外通过在第二基材上依次形成第二电极、电介质层以及发光层来制作第二层压体的工序。
(9)通过在第一基材上依次形成第一电极、电介质层、发光层以及电介质层来制作第一层压体，另外通过在第二基材上形成第二电极来制作第二层压体的工序。
(10)通过在第一基材上依次形成第一电极、电介质层以及发光层来制作第一层压体，另外通过在第二基材上依次形成第二电极和电介质层来制作第二层压体的工序。
(11)通过在第一基材上依次形成第一电极和电介质层来制作第一层压体，另外通过在第二基材上依次形成第二电极、电介质层以及发光层来制作第二层压体的工序。
(12)通过在第一基材上形成第一电极来制作第一层压体，另外通过在第二基材上依次形成第二电极、电介质层、发光层以及电介质层来制作第二层压体的工序。
另外，在上述工序(3)-(12)中，防短路部件的设置和电极的切断的时机可以随意，没有特别限制。另外，在上述工序(9)-(12)中的第一电极侧和第二电极侧的电介质层可以相同，也可以不同。
经过上述工序(1)-(12)的方法中的第一层压体的构成、第二层压体的构成以及得到发光片的构成如表1所示。
[表1]
表1
  工序   第一层压体的构成   第二层压体的构成   发光片的构成
  (1)   1-E1-L   2-E2   1-E1-L-E2-2
  (2)   1-E1   2-E2-L   1-E1-L-E2-2
  (3)   1-E1-D-L   2-E2   1-E1-D-L-E2-2
  (4)   1-E1-D   2-E2-L   1-E1-D-L-E2-2
  (5)   1-E1   2-E2-L-D   1-E1-D-L-E2-2
  (6)   1-E1-L-D   2-E2   1-E1-L-D-E2-2
  (7)   1-E1-L   2-E2-D   1-E1-L-D-E2-2
  (8)   1-E1   2-E2-D-L   1-E1-L-D-E2-2
  (9)   1-E1-D-L-D’   2-E2   1-E1-D-L-D’-E2-2
  (10)   1-E1-D-L   2-E2-D’   1-E1-D-L-D’-E2-2
  (11)   1-E1-D   2-E2-D’-L   1-E1-D-L-D’-E2-2
  (12)   1-E1   2-E2-D’-L-D   1-E1-D-L-D’-E2-2
另外，从使本发明的发光片的生产率提高的观点出发，可以通过卷对卷方式来制备发光片。通过卷对卷方式的本发明的发光片的制备是指：将卷取成卷状的连续的电极基材抽出，进行防短路部件的设置、非导通部的形成、发光层的形成、与电极基材的接合、根据需要的电介质层的形成等，再卷取成卷状的方法。所得到发光片可以裁剪成期望的大小来使用。
在采用该卷对卷方式的情况下，(a)在发光层的运动方向(纵向)的两边、发光层边缘部上将由绝缘体形成的防短路部件以其一部分从发光层突出的状态进行设置，进而，在宽度方向(横向)将第一电极和/或第二电极切断，形成非电连接状态的非导通部；或者(b)在发光层的运动方向(纵向)的一边、发光层边缘部上将由绝缘体形成的防短路部件以其一部分从发光层突出的状态进行设置，将位于另一边的发光层边缘部的上面或下面的电极切断，形成非电连接状态的非导通部，进而，在宽度方向将第一电极和/或第二电极切断，形成非电连接状态的非导通部。另外，防短路部件的设置和非导通部的形成的时机没有特别限定，可以在任意阶段进行。
以下对通过卷对卷方式制备本发明的发光片的方法进行具体地说明，但并非特别限定于此。
(卷对卷方式(I))
(i)将卷取成卷状的连续的第一电极基材和第二电极基材分别抽出，沿各自的电极基材的运动方向(纵向)在电极面上设置防短路部件。
(ii)在第一电极基材的第一电极面侧(或者第二电极基材的第二电极面侧)以防短路部件的一部分从发光层突出的方式形成发光层。
(iii)在发光层上接合第二电极基材(或者第一电极基材)形成连续的发光片。
(iv)在连续的发光片的宽度方向的任意位置切断第一电极和/或第二电极，形成非导通部。此时，估计目标发光片的大小中电极的端部，从电极的端部，以优选剩余2-10mm的方式、更优选剩余3-8mm的方式、进一步优选剩余4-6mm的方式，将电极切断。
(v)卷取成卷状。
(卷对卷方式(II))
(i)将卷取成卷状的连续的第一电极基材抽出，将该第一电极基材的运动方向(纵向)的一边切断，形成非导通部，然后卷到辊上。另外，此时，从容易进行以下(iii)的作业的观点出发，优选以剩余一部分基材的方式切断电极。
(ii)将卷取成卷状的所述连续的第一电极基材和/或第二电极基材抽出，在电极的运动方向的未形成非导通部的一边上设置防短路部件。
(iii)在第一电极基材的第一电极面侧(或者第二电极基材的第二电极面侧)以防短路部件的一部分从发光层突出的方式形成发光层。
(iv)在发光层上接合第二电极基材(或者第一电极基材)形成连续的发光片。
(v)在连续的发光片的宽度方向的任意位置将第一电极和/或第二电极切断，形成非导通部。此时，估计目标发光片的大小中电极的端部，从电极的端部，以优选剩余2-10mm的方式、更优选剩余3-8mm的方式、进一步优选剩余4-6mm的方式，将电极切断。
(vi)卷取成卷状。
在卷对卷方式中，上述各阶段可以连续进行，也可以采用在各阶段中暂时卷取成卷状，再次抽出的方法。另外，各电极和发光层之间根据需要还可以形成电介质层。另外，与前述同样的理由，将电极切断时的切断宽度优选为10-200μm，更优选为20-180μm。
按照以上的方式得到的发光片，能够抑制施加电压时的绝缘击穿，不发生短路等的不良情况，因而能够耐受长时间的使用，与以往的发光片相比，可靠性良好。
实施例
下面，基于附图通过实施例对本发明进行更详细地说明，但本发明并不限于这些实施例。
另外，在各例中使用的发光层中的丙烯酸酯共聚物的重均分子量为通过凝胶渗透色谱以单分散聚苯乙烯为基准，以聚合物的聚苯乙烯换算得出的值。另外，第一电极和第二电极的表面电阻率、第二电极基材的透光率以及防短路部件(胶带)的体积电阻率的测定按照以下方式进行。
[第一电极和第二电极的表面电阻率的测定方法]
将第一电极基材和第二电极基材在23℃以及相对湿度为50％的环境下放置24小时后，在同样的环境下，使用表面电阻率测定装置(株式会社アドバンテスト制、商品名“R-127004”)测定表面电阻率。
[第二电极基材的透光率的测定方法]
使用紫外可视近红外分光光度计(株式会社岛津制作所制，商品名“UV-3101PC”)，测定来自电极侧的波长为550nm的光的透光率。
[防短路部件(胶带)的体积电阻率的测定方法]
将防短路部件在23℃和相对湿度为50％的环境下放置24小时后，在相同的环境下，使用数字静电计(株式会社アドバンテスト制、商品名“R8252”)测定体积电阻率。
另外，各例中使用的第一基材、第一电极、第二基材、第二电极、层压机以及激光加工机如下所述。
第一基材：聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(厚度50μm)
第一电极：铝箔(厚度12μm)
以下，将在上述第一基材上层压了第一电极的层压体称为“第一电极基材”。在各例中，作为该第一电极基材，使用商品名“アルペツト(注册商标)12×50”(アジヤアルミ株式会社制)。该第一电极的表面电阻率为0.5Ω/□。
第二基材：聚对苯二甲酸乙二醇酯(厚度75μm)
第二电极：氧化铟锡(ITO、厚度100nm)
以下，将在上述第二基材上层压了第二电极的层压体称为“第二电极基材”。在各例中，作为该第二电极基材，使用商品名“メタルフオ一スR-IT(E12)”(中井工业株式会社制)。该第二电极的表面电阻率为102Ω/□，第二电极基材的波长550nm的光的透光率为89％。
层压机：商品名“Excelam 355Q”(GMP社制)
激光加工机：商品名“CO2 LASER MARKER LP-ADP40”(サンクス株式会社制)
另外，各例中使用的发光层、电介质层按照下述方法制备。
(发光层)
将作为基体树脂的100质量份由丙烯酸正丁酯和丙烯酸形成的丙烯酸酯共聚物(丙烯酸正丁酯/丙烯酸＝90/10(质量比)、重均分子量80万)、作为电致发光体的300质量份ZnS·Cu类荧光体(オスラムシルバニア社制，商品名“GG25BlueGreen”)、2质量份聚异氰酸酯系交联剂(东洋インキ制造株式会社制，商品名“オリバイン(注册商标)BHS8515”，固体成分37.5质量％)以及作为溶剂的500质量份甲苯的混合物充分搅拌，配制发光性组合物的涂布液。
将所得的涂布液使用刮刀涂布机以干燥后的厚度达到55μm的方式涂布到第一剥离薄膜(リンテツク株式会社制，商品名“SP-PET3811”，在各例中，称为第一剥离薄膜。)的剥离处理面上，在100℃下加热干燥2分钟形成发光层，在发光层表面上贴合第二剥离薄膜(リンテツク株式会社制，商品名“SP-PET3801”，在各例中，称为第二剥离薄膜)，得到两面设置有剥离薄膜的发光层(在各例中，称为含有发光层的片。)。
(电介质层)
将100质量份由丙烯酸正丁酯和丙烯酸形成的丙烯酸酯共聚物(丙烯酸正丁酯/丙烯酸＝90/10(质量比)，重均分子量80万)、100质量份氧化钛(大日精化株式会社制，商品名“SZカラ一#7030ホワイト”)以及作为溶剂的300质量份甲苯构成的混合物充分搅拌，以干燥后的厚度达到10μm的方式涂布到剥离薄膜(リンテツク株式会社制，商品名“SP-PET3811”)，在100℃下干燥2分钟，在剥离薄膜上形成电介质层(在各例中，称为含有电介质层的片。)。
另外，各例中所得到的发光片的耐压试验和发生短路试验按照如下方法进行。
[耐电压试验]
针对各例中所得到的发光片，使用耐电压测定器(株式会社计测技研制，商品名“AC耐电压试验器7220”)，通过在10mA的电流下，以1分钟使施加电压从0V上升至1000V，测定引起绝缘击穿的电压。引起绝缘击穿的电压越大，耐电压性越优。
[发生短路试验]
目测将各例中所得到的发光片用AC200V和2000Hz驱动时的发光片端部有无发生短路。另外，发生短路时，在驱动后立刻确认到黑色斑点。
实施例1
如图1所示，在B4大小(横364mm×竖257mm)的第一电极基材1的第一电极面上，使用层压机将胶带[在厚度16μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜上设置有厚度24μm的粘着剂层的胶带(宽度10mm)；(リンテツク株式会社制，商品名“FR1225-16”，体积电阻率1018Ω·cm]粘贴成框状作为防短路部件2，得到层压体1。在此，作为胶带，使用长度339mm和长度237mm的胶带各两条，如图1所示那样粘贴成框状。另外，从层压体1的左端到防短路部件2的左端的最短距离(未粘贴胶带的部分的宽度)为25mm。
另外，如图2所示，在竖247mm、横364mm的第二电极基材3的第二电极面上，使用层压机将胶带(リンテツク株式会社制，商品名“FR1225-16”，宽度10mm(前述))粘贴成直线状作为防短路部件2’，形成层压体2。另外，从层压体2的右端到防短路部件2’的右端的最短距离(未粘贴胶带的部分的宽度)为25mm。
然后，使用层压机，将竖247mm、横334mm的含有发光层的片的第二剥离薄膜剥离，同时如图3所示那样，在层压体1的第一电极面上，以防短路部件2的一部分从发光层突出的方式层压发光层4，形成层压体3。此时，使得防短路部件2从发光层4突出的部分(防短路部件突出部5)的长度为5mm(参照图5)。
然后，使用层压机，将层压体3中的发光层4的第一剥离薄膜剥离，同时如图4所示那样，使层压体2的第二电极面与层压体3的发光层4相接，并且，以在层压体2上粘贴的防短路部件2’位于右侧的方式将层压体2和层压体3层压，得到发光片A。此时，层压体2的第二电极面全部覆盖层压体3的发光层4，并且，设置于层压体2侧的防短路部件2’从发光层4突出的部分(防短路部件突出部5’)的长度达到5mm(参照图5)。该发光片A中的第一电极和第二电极的爬电距离的最小值(以下，将第一电极和第二电极的爬电距离的最小值简称为“爬电距离”。)由突出的部分的长度(5mm)、防短路部件的厚度(0.040mm)以及发光层的厚度(0.055mm)的和计算出，为5.095mm。所得到的发光片A的爬电距离、耐电压试验结果以及发生短路试验结果如表2所示。
实施例2
在实施例1中，除了使用在厚度25μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜上设置有厚度24μm的粘着剂层的胶带(リンテツク株式会社制，商品名“FR1225-25”，宽度10mm，体积电阻率1018Ω·cm)作为防短路部件2和2’以外，与实施例1同样地操作，得到发光片B。该发光片B的爬电距离为5.104mm。
所得到的发光片B的爬电距离和各试验结果如表2所示。
实施例3
在实施例1中，除了使用在厚度75μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜上设置有厚度24μm的粘着剂层的胶带(リンテツク株式会社制，商品名“FR1225-75”，宽度10mm，体积电阻率1018Ω·cm)作为防短路部件2和2’以外，与实施例1同样地操作，得到发光片C。该发光片C的爬电距离为5.154mm。
所得到的发光片C的爬电距离和各试验结果如表2所示。
实施例4
在实施例1中，除了防短路部件2和2’的从发光层突出的部分(防短路部件突出部5和5’)的长度各自为10mm以外，与实施例1同样地操作，得到发光片D。该发光片D的爬电距离为10.095mm。
所得到的发光片D的爬电距离和各试验结果如表2所示。
实施例5
在实施例1中，除了防短路部件2和2’的从发光层突出的部分的长度(防短路部件突出部5和5’)各自为2.5mm以外，与实施例1同样地操作，得到发光片E。该发光片E的爬电距离为2.595mm。
所得到的发光片E的爬电距离和各试验结果如表2所示。
实施例6
如图6所示，在B4大小的第一电极基材6的第一电极面上，使用层压机粘贴胶带(リンテツク株式会社制，商品名“FR-1225-16”，宽度10mm(前述))作为防短路部件8，形成层压体4。另外，从层压体4的左端到防短路部件8的左端的最短距离(未粘贴胶带的部分的宽度)为25mm。
另外，如图7所示，在B4大小的第二电极基材7的第二电极面上，使用层压机粘贴胶带(リンテツク株式会社制的胶带，商品名“FR1225-16”，宽度10mm(前述))作为防短路部件8’，形成层压体5。从层压体5的右端到防短路部件8’的右端的最短距离(未粘贴胶带的部分的宽度)为25mm。
然后，使用层压机，如图8所示，将竖257mm、横334mm的含有发光层的片的第二剥离薄膜剥离，同时在层压体4的第一电极面上层压含有发光层的片，形成设置有发光层9的层压体6。此时，防短路部件8从发光层9突出的部分(防短路部件突出部10)的长度达到5mm(参照图10)。
然后，使用层压机，如图9所示，将层压体6中的发光层9的第一剥离薄膜剥离，同时使层压体5的第二电极面与层压体6的发光层9相接，并以在层压体5粘贴的防短路部件8’位于右侧的方式将层压体5和层压体6层压，形成发光片F’。此时，粘贴于层压体5侧的防短路部件8’从发光层9突出的部分(防短路部件突出部10’)的长度达到5mm(参照图10)。
然后，如图11所示，使用激光加工机，在激光输出功率45W和扫描速度500mm/s的条件下，在沿发光片F’的第二电极基材7的边缘、距边缘5mm的位置(激光切断部11和11’)切断，形成图12所示的非导通部12和12’，得到发光片F。另外，激光切断部11和11’的宽度为143μm、切断深度为76μm。该发光片F的爬电距离为5.055mm。
所得到的发光片F的爬电距离和各试验结果如表2所示。
实施例7
在实施例6中，除了在第一电极上设置防短路部件8后，使用含有电介质层的片在第一电极面上层压与发光层9具有相同形状、面积的电介质层，接着将电介质层的剥离薄膜剥离后，使用层压机将含有发光层的片的第二剥离薄膜剥离，同时在电介质层上以重叠的方式层压发光层9(即，在第一电极和发光层9之间设置电介质层)以外，与实施例6同样地操作，得到发光片G。该发光片G的爬电距离为5.065mm。
所得到的发光片G的爬电距离和各试验结果如表2所示。
实施例8
准备具有宽度300mm和长度100m的尺寸的第一电极基材和第二电极基材、以及两面设置有剥离片的具有宽度270mm和长度100m的尺寸的含有发光层的片，分别卷取成卷状。
然后，将第一电极基材13由辊抽出，同时使用层压机，如图13所示，将胶带[リンテツク株式会社制，商品名“FR1225-16”，宽度10mm(前述)]沿第一电极基材的运动方向(图13的右侧的箭头的方向)粘贴到第一电极面上作为防短路部件15，形成层压体7，将所得的层压体7卷取成卷状。另外，从层压体7的左端到防短路部件15的左端的最短距离(未粘贴胶带的部分的宽度)为25mm。
同样地，如图14所示，将胶带[リンテツク株式会社制，商品名“FR-1225-16”，宽度10mm(前述)]沿第二电极基材的运动方向粘贴到第二电极面上作为防短路部件15’，形成层压体8，将所得的层压体8卷取成卷状。另外，从层压体8的右端到防短路部件15’的右端的最短距离(未粘贴胶带的部分的宽度)为25mm。
然后，将层压体7从辊抽出，同时，使用层压机将第二剥离薄膜剥离，同时将含有发光层的片从辊抽出，如图15所示，在层压体7的第一电极面上层压发光层，形成设置有发光层16的层压体9，将所得的层压体9卷取成卷状。此时，防短路部件15从发光层16突出的部分(防短路部件突出部17)的长度为5mm。(参照图17)
然后，将层压体8抽出，同时将第一剥离片剥离，同时将层压体9从辊抽出，如图16所示，以层压体8的第二电极面与层压体9的发光层16相接的方式，且以粘贴在层压体8上的防短路部件15’位于右侧的方式层压，形成发光片H’，将所得的发光片H’卷取成卷状。此时，防短路部件15’从发光层16突出的部分(防短路部件突出部17’)的长度达到5mm(参照图17)。
然后，将发光片H’从辊抽出，同时如图18所示，在发光片H’的宽度方向(激光切断部11和11’)上，使用激光加工机，在激光输出功率45W和扫描速度500mm/s的条件下将第二电极基材切断，形成如图19所示的非导通部19和19’，得到发光片H。另外，激光切断部18和18’的宽度为143μm、切断深度为76μm。
最后，在宽度方向将发光片8切成片状，得到发光片H。从发光片端部到激光切断部18、18’的长度为5mm。该发光片H的爬电距离为5.055mm。所得到的发光片H的爬电距离和各试验结果如表2所示。
比较例1
在实施例1中，除了未在第一电极和第二电极上粘贴防短路部件2和2’以外，与实施例1同样地操作，得到发光片I。该发光片I的爬电距离为0.055mm。
所得到发光片I的爬电距离和各试验结果如表2所示。
比较例2
在实施例6中，除了未在第一电极和第二电极上粘贴防短路部件8和8’以外，与实施例6同样地操作，得到发光片J。该发光片J的爬电距离为0.055mm。
所得到发光片J的爬电距离和各试验结果如表2所示。
比较例3
在实施例6中，不切断发光片F’的第二电极基材7的边缘，直接得到发光片F’。该发光片F’的爬电距离为0.055mm。
所得到发光片F’的爬电距离和各试验结果如表2所示。
[表2]
表2
Figure BDA0000136562470000301
1)从第一电极的导通部边缘部到第二电极的导通部边缘部的爬电距离的最小值
2)施加电压后立刻确认到黑色斑点
从表2可知，在发光层边缘部上，由绝缘体形成的防短路部件以该部件的一部分从发光层突出的状态设置的发光片，耐电压性高、驱动时无短路发生(参照实施例1-5)。
在发光层边缘部的至少一部分上，由绝缘体形成的防短路部件以该部件的一部分从发光层突出的状态设置，进而，未设置所述防短路部件或者该部件的一部分未以从发光层突出的状态设置的发光层边缘部上的第一电极和/或第二电极被切断，从而形成非电连接状态的非导通部的发光片，耐电压性也高，驱动时也无短路发生(参照实施例6和7)。
另外，以卷对卷方式制备的；在发光层的运动方向的两边、发光层边缘部上，由绝缘体形成的防短路部件以其一部分从发光层突出的状态设置的；进而，在宽度方向第一电极和/或第二电极被切断，从而形成非电连接状态的非导通部的发光片，耐电压性也高，驱动时也无短路发生(参照实施例8)。
另一方面，在发光层边缘部，完全未设置由绝缘体形成的防短路部件的发光片，耐电压性低，且驱动时发生短路(参照比较例1)。
另外，在发光层边缘部，由绝缘体形成的防短路部件未以该部件的一部分从发光层突出的状态设置的发光片(参照比较例2)；相对于发光片的平面从垂直方向观看，没有将未设置防短路部件的发光层边缘部上的第一电极和第二电极切断的发光片(参照比较例3)，耐电压性低，且驱动时发生短路。
工业实用性
本发明的发光片在例如商业楼宇的窗或在汽车等上设置的广告媒介、装饰用媒介、或者防犯用片等用于背光等，要求耐候性、耐热性和长期稳定性等的领域中有用。
附图标记说明
1         第一电极基材
2、2’    防短路部件
3         第二电极基材
4         发光层
5、5’    防短路部件突出部
6         第一电极基材
7         第二电极基材
8、8’    防短路部件
9         发光层
10、10’  防短路部件突出部
11、11’  激光切断部
12、12’  非导通部
13        第一电极基材
14        第二电极基材
15、15’  防短路部件
16        发光层
17、17’  防短路部件突出部
18、18’  激光切断部
19、19’  非导通部
20        第一电极基材
21        第二电极基材
22        发光层
23        发光层的侧面部位(发光层边缘部)

Claims (9)

1.一种发光片，该发光片具有第一电极和第二电极，且在两电极之间夹持有发光层，其特征在于，在该发光层的边缘部设置有由绝缘体形成的防短路部件，所述防短路部件以该部件的一部分从发光层突出的状态进行设置。
2.一种发光片，该发光片具有第一电极和第二电极，且在两电极之间夹持有发光层，其特征在于，在该发光层的边缘部的至少一部分设置有由绝缘体形成的防短路部件，所述防短路部件以该部件的一部分从发光层突出的状态进行设置，并且，未设置所述防短路部件或未以该部件的一部分从发光层突出的状态设置的发光层的边缘部上的第一电极和/或第二电极被切断，形成与对发光片施加电压的电路非电连接状态的非导通部。
3.根据权利要求2所述的发光片，其中，第一电极和/或第二电极的切断通过激光进行。
4.根据权利要求1-3中任意一项所述的发光片，其中，所述防短路部件从发光层突出，使得第一电极和第二电极的爬电距离的最小值为2mm以上。
5.根据权利要求2-4中任意一项所述的发光片，其中，通过所述电极的切断，处于电连接状态的第一电极的导通部和第二电极的导通部的爬电距离的最小值为2mm以上。
6.根据权利要求1-5中任意一项所述的发光片，其中，所述防短路部件为具有绝缘性的粘着片。
7.根据权利要求1-6中任意一项所述的发光片，其中，在第一电极或第二电极与发光层之间具有电介质层。
8.一种发光片的制备方法，所述发光片具有第一电极和第二电极，且两电极之间夹持有发光层，其特征在于，以卷对卷方式制备，在发光层的运动方向的两边、发光层的边缘部设置由绝缘体形成的防短路部件，所述防短路部件以该部件的一部分从发光层突出的状态进行设置，并且，在宽度方向将第一电极和/或第二电极切断，形成与对发光片施加电压的电路非电连接状态的非导通部。
9.一种发光片的制备方法，所述发光片具有第一电极和第二电极，且两电极之间夹持有发光层，其特征在于，以卷对卷方式制备，在发光层的运动方向的一边、发光层的边缘部设置由绝缘体形成的防短路部件，所述防短路部件以该部件的一部分从发光层突出的状态进行设置，将位于发光层的另一边的边缘部的上面或下面的电极切断，形成与对发光片施加电压的电路非电连接状态的非导通部，并且，在宽度方向将第一电极和/或第二电极切断，形成与对发光片施加电压的电路非电连接状态的非导通部。
CN201080036673.2A 2009-08-19 2010-07-08 发光片及其制备方法 Active CN102474936B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009190356A JP5478147B2 (ja) 2009-08-19 2009-08-19 発光シート及びその製造方法
JP2009-190356 2009-08-19
PCT/JP2010/061624 WO2011021447A1 (ja) 2009-08-19 2010-07-08 発光シート及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102474936A true CN102474936A (zh) 2012-05-23
CN102474936B CN102474936B (zh) 2015-08-19

Family

ID=43606903

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201080036673.2A Active CN102474936B (zh) 2009-08-19 2010-07-08 发光片及其制备方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8860304B2 (zh)
EP (2) EP2493270A4 (zh)
JP (1) JP5478147B2 (zh)
KR (1) KR101692092B1 (zh)
CN (1) CN102474936B (zh)
TW (1) TWI558263B (zh)
WO (1) WO2011021447A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105210206A (zh) * 2013-05-16 2015-12-30 株式会社Lg化学 有机发光器件及其制造方法
CN107210369A (zh) * 2014-12-10 2017-09-26 埃特19有限公司 柔性薄膜电子器件

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5539659B2 (ja) 2008-05-22 2014-07-02 リンテック株式会社 発光性組成物、それを用いる無機系電界発光シート及びその製造方法
CN102437134B (zh) * 2011-12-07 2013-09-11 上海凯虹电子有限公司 一种超小型封装体及其制作方法
US9159945B2 (en) * 2012-12-13 2015-10-13 Universal Display Corporation System and method for matching electrode resistances in OLED light panels
CN104362243B (zh) * 2014-10-24 2017-11-03 深圳市华星光电技术有限公司 基板的封装方法及封装结构
KR102574113B1 (ko) 2023-05-30 2023-09-04 (주)올바른이엔씨 유연성 및 가공성이 우수한 발광시트

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101128941A (zh) * 2005-01-20 2008-02-20 纳米太阳能公司 具有复合导电基底的光电子结构
JP2008108680A (ja) * 2006-10-27 2008-05-08 Fuji Electric Holdings Co Ltd 有機ｅｌ素子の製造方法
CN101334552A (zh) * 2007-06-29 2008-12-31 奇达光电股份有限公司 液晶显示器的平面光源装置与平面光源驱动方法
US20090001882A1 (en) * 2005-12-23 2009-01-01 Doosan Corporation White Light Emitting Organic Electroluminescent Device

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2901652A (en) * 1957-12-10 1959-08-25 Gen Electric Electroluminescent lamp construction
JPH0319296A (ja) 1989-06-15 1991-01-28 Matsushita Electric Works Ltd 配線用基板清浄装置
JP2505173Y2 (ja) * 1989-07-07 1996-07-24 関西日本電気株式会社 電界発光灯
JPH0393188A (ja) * 1989-09-05 1991-04-18 Toshiba Corp Ｅｌ素子
JPH0758636B2 (ja) 1990-11-22 1995-06-21 関西日本電気株式会社 電界発光灯
US5432015A (en) 1992-05-08 1995-07-11 Westaim Technologies, Inc. Electroluminescent laminate with thick film dielectric
JPH0613179A (ja) * 1992-06-29 1994-01-21 Nec Kansai Ltd 電界発光灯とその製造方法
JP3578786B2 (ja) * 1992-12-24 2004-10-20 アイファイアー テクノロジー インク Ｅｌラミネート誘電層構造体および該誘電層構造体生成方法ならびにレーザパターン描画方法およびディスプレイパネル
JPH0758636A (ja) 1993-08-11 1995-03-03 Fujitsu Ltd 周波数シンセサイザ
JP2773625B2 (ja) * 1994-02-24 1998-07-09 関西日本電気株式会社 電界発光灯
US5858561A (en) * 1995-03-02 1999-01-12 The Ohio State University Bipolar electroluminescent device
US6465969B1 (en) 1997-08-04 2002-10-15 Lumimove, Inc. Electroluminescent display intelligent controller
US5936469A (en) 1997-08-04 1999-08-10 Motorola, Inc. Amplifier with input referred common-mode adjustment
US6965196B2 (en) 1997-08-04 2005-11-15 Lumimove, Inc. Electroluminescent sign
JP3542902B2 (ja) * 1998-03-13 2004-07-14 セイコープレシジョン株式会社 Ｅｌ素子
US6066830A (en) * 1998-06-04 2000-05-23 Astronics Corporation Laser etching of electroluminescent lamp electrode structures, and electroluminescent lamps produced thereby
ATE286346T1 (de) * 1998-09-17 2005-01-15 Seiko Epson Corp Verfahren zur herstellung einer elektrolumineszensvorrichtung
US20010035716A1 (en) 2000-04-13 2001-11-01 Matthew Murasko Electroluminescent multiple segment display device
US20010042329A1 (en) 2000-04-13 2001-11-22 Matthew Murasko Electroluminescent sign
JP2003045647A (ja) * 2001-07-26 2003-02-14 Nec Kansai Ltd 電界発光灯及びその製造方法
JP2004234942A (ja) * 2003-01-29 2004-08-19 Yodogawa Steel Works Ltd 無機ｅｌ素子の作製方法
US20040265481A1 (en) * 2003-06-27 2004-12-30 Yoshihiro Kobayashi Method for manufacturing electroluminescent element
US7838868B2 (en) * 2005-01-20 2010-11-23 Nanosolar, Inc. Optoelectronic architecture having compound conducting substrate
JP2007048571A (ja) * 2005-08-09 2007-02-22 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置の製造方法、電子機器
JP2008041381A (ja) * 2006-08-04 2008-02-21 Dainippon Printing Co Ltd 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP2008123700A (ja) * 2006-11-08 2008-05-29 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置とその修復方法、及び有機ｅｌ表示装置の製造方法
US20090101206A1 (en) * 2007-10-17 2009-04-23 Quantum Solar System Corp Process for manufacturing a photovoltaic or a light emitting polymer device
KR100986024B1 (ko) * 2007-12-31 2010-10-07 (주)에이디에스 투명 전극 패턴 제조 방법 및 이를 갖는 전기 광학 소자의제조 방법
WO2010103967A1 (ja) * 2009-03-13 2010-09-16 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロニクス素子及びその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101128941A (zh) * 2005-01-20 2008-02-20 纳米太阳能公司 具有复合导电基底的光电子结构
US20090001882A1 (en) * 2005-12-23 2009-01-01 Doosan Corporation White Light Emitting Organic Electroluminescent Device
JP2008108680A (ja) * 2006-10-27 2008-05-08 Fuji Electric Holdings Co Ltd 有機ｅｌ素子の製造方法
CN101334552A (zh) * 2007-06-29 2008-12-31 奇达光电股份有限公司 液晶显示器的平面光源装置与平面光源驱动方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105210206A (zh) * 2013-05-16 2015-12-30 株式会社Lg化学 有机发光器件及其制造方法
US9793333B2 (en) 2013-05-16 2017-10-17 Lg Display Co., Ltd. Organic light-emitting device and method of manufacturing same
CN107210369A (zh) * 2014-12-10 2017-09-26 埃特19有限公司 柔性薄膜电子器件
CN107210369B (zh) * 2014-12-10 2020-01-03 埃特19有限公司 柔性薄膜电子器件

Also Published As

Publication number Publication date
KR101692092B1 (ko) 2017-01-02
EP2809131A1 (en) 2014-12-03
WO2011021447A1 (ja) 2011-02-24
TWI558263B (zh) 2016-11-11
EP2493270A1 (en) 2012-08-29
US20120146485A1 (en) 2012-06-14
KR20120085727A (ko) 2012-08-01
CN102474936B (zh) 2015-08-19
JP5478147B2 (ja) 2014-04-23
US8860304B2 (en) 2014-10-14
EP2493270A4 (en) 2014-01-15
JP2011044263A (ja) 2011-03-03
TW201119490A (en) 2011-06-01
EP2809131B1 (en) 2019-03-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102474936B (zh) 发光片及其制备方法
EP2285185B1 (en) Luminescent composition, electroluminescent sheet using the luminescent composition, and process for producing the electroluminescent sheet
EP1774556A2 (en) Flexible electeroluminescent material
KR101591122B1 (ko) 발광성 조성물, 그것을 이용하는 무기계 전계 발광 시트
CN102474940B (zh) 发光片
JP5351559B2 (ja) シート状発光性部材、電界発光シート、シート状発光性部材の製造方法及び電界発光シートの製造方法
JP2014160675A (ja) 発光性組成物、それを用いる無機系電界発光シート及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant