CN102455728B

CN102455728B - 电流控制电路

Info

Publication number: CN102455728B
Application number: CN201010526419.2A
Authority: CN
Inventors: 朱海刚
Original assignee: Samsung Semiconductor China R&D Co Ltd; Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Semiconductor China R&D Co Ltd; Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 2010-10-25
Filing date: 2010-10-25
Publication date: 2014-06-04
Anticipated expiration: 2030-10-25
Also published as: CN102455728A; KR20120042649A

Abstract

本发明提供一种电流控制电路，所述电流控制电路包括：第一功率晶体管和第二功率晶体管，并联在第一电源和控制电流电路的输出端之间，第一功率晶体管的宽长比小于第二功率晶体管的宽长比；控制器，响应于接收到的使能信号而使第一功率晶体管和第二功率晶体管顺序导通，其中，当接收到使能信号时，控制器使第一功率晶体管导通，使得从第一电源提供的功率通过第一功率晶体管被提供到输出端，当输出端的电压电平等于所述电流控制电路的预定输出电压的电平时，控制器使第二功率晶体管导通，使得从第一电源提供的功率通过在饱和区运行的第二功率晶体管被提供到输出端。因此，所述电流控制电路可以实现软启动的功能，限制了涌入电流。

Description

电流控制电路

技术领域

本发明涉及电子电路领域，更具体地讲，涉及一种能够限制涌入电流（inrush current）的电流控制电路。

背景技术

当前，低压差（LDO）稳压器已经广泛地使用在电源电路中，以减小输入-输出电压差。低压差稳压器还可以通过限制电流来防止负载的过载（overload）。

图1是示出传统的低压差稳压电路10的电路图。

参照图1，传统的低压差稳压电路10包括误差放大器11、反馈电阻网络12、基准电压源13、驱动缓冲器14、功率晶体管15。

如图1中所示，功率晶体管15连接在输入电源（第一电源）Vin和低压差稳压电路10的输出端OUT之间。误差放大器11包括正向输入端、负向输入端、输出端。反馈电阻网络12连接在低压差稳压电路10的输出端OUT和地（第二电源）之间。反馈电阻网络12包括串联的电阻器R1和R1，以感测低压差稳压电路10的输出电流，并将与其对应的反馈信号提供到误差放大器11的正向输入端。基准电压源13产生基准电压，并将其提供到误差放大器11的负向输入端。驱动缓冲器14连接在误差放大器11的输出端和功率晶体管15的控制电极（栅电极）之间。功率晶体管15响应于驱动缓冲器14的输出而将第一电源Vin的功率通过输出端OUT提供到外部电路。在图1中，将外部电路示意性地示出为包括外部电容器16。

在这样的情况下，误差放大器11比较反馈电阻网络12提供的反馈信号与基准电压源13产生的基准电压。当反馈信号的电压电平超过基准电压的电平时，误差放大器11控制功率晶体管15以调节提供到外部电路的电流。

低压差稳压电路10还包括使能信号输入端En和晶体管MP_PD。误差放大器11通过使能信号输入端En接收使能信号，并将其分别提供到误差放大器11、基准电压源13、驱动缓冲器14，从而使它们开始运行。晶体管MP_PD连接在第一电源Vin和功率晶体管15的栅电极之间。晶体管MP_PD响应于提供到其栅电极的使能信号而导通，从而使功率晶体管15导通。换句话说，低压差稳压电路10响应于使能信号而开始运行。

在低压差稳压电路10接收到使能信号而开始运行时，基准电压源11的输出可以快速达到期望的基准电压，例如，低电平的基准电压，反馈信号也可以为低电平，因此误差放大器11的输出可以为低电平。误差放大器11的低电平的输出经过驱动缓冲器14而输出到功率晶体管15的栅电极，使得功率晶体管15导通，从而第一电源的功率可以通过功率晶体管15而提供到外部电路，例如，给外部电路的外部电容器16充电。此时，功率晶体管15完全开启（即，功率晶体管15在深线性区运行），因此流过功率晶体管15的涌入电流可以是低压差稳压电路10的额定输出电流（即，外部电路的额定负载电流）的3倍或更大，导致第一电源Vin的供给电路和/或外部电路过载，从而损坏这些电路中的元件，也可能导致系统功能错误。因此，需要一种能够限制涌入电流的电流控制电路。

另外，还需要一种具有软启动功能的电流控制电路，该电流控制电路可以在开始向外部电路供电时使输出电压缓慢地升高至期望的（例如，额定的）输出电压以限制涌入电流。

发明内容

示例性实施例的目的在于克服在现有技术中的上述和其他缺点。为此，示例性实施例提供一种能够限制涌入电流的电流控制电路。

根据示例性实施例，电流控制电路可以包括：第一功率晶体管和第二功率晶体管，第一功率晶体管包括连接到第一电源的第一电极和连接到所述电流控制电路的输出端的第二电极，第二功率晶体管包括连接到第一电源的第一电极和连接到所述电流控制电路的输出端的第二电极，第一功率晶体管的宽长比小于第二功率晶体管的宽长比；控制器，连接到第一功率晶体管的控制电极和第二功率晶体管的控制电极，控制器响应于接收到的使能信号而使第一功率晶体管和第二功率晶体管顺序导通，其中，当接收到使能信号时，控制器使第一功率晶体管导通，使得从第一电源提供的功率通过第一功率晶体管被提供到所述电流控制电路的输出端，当所述电流控制电路的输出端的电压电平等于所述电流控制电路的预定输出电压的电平时，控制器使第二功率晶体管导通，使得从第一电源提供的功率通过在饱和区运行的第二功率晶体管被提供到所述电流控制电路的输出端。

根据示例性实施例，所述电流控制电路还可以包括：第一开关单元，包括连接到控制器的控制电极、连接到第一电源的第一电极和连接到第一功率晶体管的控制电极的第二电极，第一开关单元响应于从控制器提供的信号而导通，以使第一功率晶体管导通；第二开关单元，包括连接到控制器的控制电极、连接到第一电源的第一电极和连接到第二功率晶体管的控制电极的第二电极，第二开关单元响应于从控制器提供的信号而导通，以使第二功率晶体管导通。

根据示例性实施例，控制器可以包括启动触发器，当控制器接收到使能信号时，控制器将使能信号提供到第一开关单元的控制电极，以使第一开关单元导通，从而使第一功率晶体管导通，当控制器接收到使能信号时，启动触发器将使能信号延迟预定的时间，并将经延迟的使能信号提供到第二开关单元的控制电极，以使第二开关单元导通，从而使第二功率晶体管在所述电流控制电路的输出端的电压电平等于预定输出电压的电平时导通并在饱和区域运行，其中，所述预定的时间大于或等于从第一功率晶体管导通的时刻至所述电流控制电路的输出端的电压电平等于预定输出电压的电平的时刻的时间。

根据示例性实施例，所述电流控制电路还可以包括：误差放大器，包括正向输入端、负向输入端、信号输出端；反馈电阻网络，连接在所述电流控制电路的输出端和第二电源之间，反馈电阻网络响应于所述电流控制电路的输出电流来产生反馈信号，并将反馈信号提供到误差放大器的正向输入端；基准电压源，用于将基准电压提供到误差放大器的负向输入端；第一驱动缓冲器和第二驱动缓冲器，第一驱动缓冲器连接在误差放大器的信号输出端和第一功率晶体管的控制电极之间，第二驱动缓冲器连接在误差放大器的信号输出端和第二功率晶体管的控制电极之间，第一驱动缓冲器输出的驱动电流小于第二驱动缓冲器输出的驱动电流，其中，误差放大器比较反馈信号的电压电平和基准电压的电平，当反馈信号的电压电平超过基准电压的电平时，误差放大器控制第一功率晶体管和第二功率晶体管以减小所述电流控制电路的输出电流。

根据示例性实施例，控制器可以包括启动触发器，当接收到使能信号时，控制器将使能信号提供到误差放大器、基准电压源和第一驱动缓冲器，以使误差放大器、基准电压源和第一驱动缓冲器运行，当接收到使能信号时，启动触发器将使能信号延迟预定的时间，并将经延迟的使能信号提供到第二驱动缓冲器，以使第二驱动缓冲器运行，其中，所述预定的时间大于或等于从第一功率晶体管导通的时刻至所述电流控制电路的输出端的电压电平等于预定输出电压的电平的时刻的时间。

根据示例性实施例，基准电压源可以为带隙基准电压源，并且/或者误差放大器可以为两级差分运算放大器。

根据示例性实施例，第一功率晶体管和第二功率晶体管可以为PMOS场效应晶体管、NMOS场效应晶体管、双极结晶体管等。

在示例性实施例中，可以根据连接到所述电流控制电路的输出端的外部电路的额定电流来选择第一功率晶体管的宽长比，以使得在第一功率晶体管导通时产生并通过所述电流控制电路的输出端传输到外部电路的涌入电流小于或等于外部电路的额定电流。

在示例性实施例中，可以根据连接到所述电流控制电路的输出端的外部电路的额定电流和第一功率晶体管的长宽比来选择第二功率晶体管的宽长比，以使得在第二功率晶体管导通时通过所述电流控制电路的输出端传输到传输到外部电路的电流大于或等于外部电路的额定电流。

根据示例性实施例，可以通过第一电源提供使能信号。

在根据示例性实施例电流控制电路中，可以响应于接收到的使能信号而导通宽长比相对较小的第一功率晶体管，以将从第一电源提供的功率通过第一功率晶体管提供到输出端，并因此产生相对较小（例如，小于或等于连接到外部电路的额定电流的）的涌入电流。因此，连接到外部电路的输出端的电压缓慢上升。当输出端的电压电平等于所述电流控制电路的预定输出电压的电平时，可以导通宽长比相对较大的第二功率晶体管，从而第二晶体管可以在饱和区运行，因此可以在不产生涌入电流的同时向外部电路提供足够的大的（例如，基本等于外部电路的额定电流的）电流。因此，根据示例性实施例电流控制电路可以实现软启动的功能，限制了涌入电流。

附图说明

通过下面结合附图详细描述示例性实施例，示例性实施例的上述和/或其他方面、特征以及优点将变得更清楚并更易于理解，在附图中：

图1是示出传统的低压差稳压电路的电路图；

图2是示出根据示例性实施例的电流控制电路的框图；

图3是示出根据示例性实施例的电流控制电路的示意性电路图；

图4是示出根据示例性实施例的包括在电流控制电路中的启动触发器的示意性电路图；

图5是示出根据示例性实施例的电流控制电路的波形图。

具体实施方式

下文中，将参照附图来详细描述示例性实施例。然而，示例性实施例可以以许多不同的形式来实施，且不应该限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底并完整的，并将示例性实施例的范围充分地传达给本领域技术人员。为了清楚起见，在附图中夸大了层和区域的尺寸和相对尺寸。在附图中，相同的标号始终表示相同的元件。

图2是示出根据示例性实施例的电流控制电路100的框图。

参照图2，电流控制电路100可以包括第一功率晶体管MOS1、第二功率晶体管MOS2、控制器110。第一功率晶体管MOS1和第二功率晶体管MOS2可以并联在第一电源Vin和电流控制电路100的输出端OUT之间。在图2中示出的功率晶体管为P型MOS晶体管，然而，示例性实施例不限于此，且可以根据电路设计的需要将各种类型的晶体管用作功率晶体管。使能信号可以经电流控制电路100的使能信号输入端En被提供到控制器110，从而控制器110可以响应于接收到的使能信号而使第一功率晶体管MOS1和第二功率晶体管MOS2导通（例如顺序导通）。

具体地讲，当接收到使能信号时，控制器110可以首先使第一功率晶体管MOS1导通。因此，从第一电源Vin提供的功率可以通过第一功率晶体管MOS1而被提供到输出端OUT，从而被提供到连接到输出端OUT的外部电路（未示出）。此时，第一功率晶体管MOS1完全开启（即，第一功率晶体管MOS1在击穿区运行），因此产生涌入电流。因为涌入电流取决于第一功率晶体管MOS1的宽长比（W/L），所以可以通过选择第一功率晶体管MOS1的宽长比来控制涌入电流的大小。

控制器110可以在第一功率晶体管MOS1导通之后使第二功率晶体管MOS2导通。因此，从第一电源Vin提供的功率可以通过第二功率晶体管MOS2而被提供到输出端OUT，从而被提供到连接到输出端OUT的外部电路。在本示例性实施例中，控制器110可以在输出端OUT的电压电平基本等于电流控制电路100的预定输出电压的电平时使第二功率晶体管MOS2导通。例如，控制器110可以在输出端OUT的电压电平达到额定输出电平时使第二功率晶体管MOS2导通。因此，在第二功率晶体管MOS2导通前后其Vds（漏极-源极电压）可不发生变化，即第二功率晶体管MOS2可以在近似处于零电压开关（Zero Voltage Switching）状态时导通，此时，可不产生涌入电流。因此，根据本实施例，可以首先使第一功率晶体管MOS1导通以将第一电源的功率（例如，电压）提供到输出端，从而使第二功率晶体管MOS2在导通时近似处于零电压开关状态，因此可以仅在宽长比较小的第一功率晶体管MOS1导通时产生较小的涌入电流，并可以防止在宽长比较大的第二功率晶体管MOS2导通时产生大的涌入电流，同时，可以通过宽长比较大的第二功率晶体管MOS2来向外部电路提供其所需的额定负载电流。

在本实施例中，可以根据外部电路的额定电流来选择第一功率晶体管MOS1的宽长比，以使得在第一功率晶体管MOS1导通时产生的涌入电流小于或等于外部电路的额定电流。另外，可以根据外部电路的额定电流和第一功率晶体管MOS1的长宽比来选择第二功率晶体管MOS2的宽长比，以使得在第二功率晶体管MOS2导通时传输到外部电路的电流（即，通过第一功率晶体管MOS1传输的电流和通过第二功率晶体管MOS2传输的电流的和）大于或等于外部电路的额定电流。

图3是示出根据示例性实施例的电流控制电路200的示意性电路图。

参照图3，电流控制电路200可以包括第一功率晶体管MOS1、第二功率晶体管MOS2、第一开关单元（晶体管MP_PD1）、第二开关单元（晶体管MP_PD2）、控制器210。第一功率晶体管MOS1和第二功率晶体管MOS2可以并联在第一电源Vin和电流控制电路200的输出端OUT之间，例如，第一功率晶体管MOS1和第二功率晶体管MOS2中的每个可以包括连接到第一电源Vin的第一电极（源极和漏极中的一个）和连接到输出端OUT第二电极（源极和漏极中的另一个）。第一开关单元可以包括连接到第一电源Vin的第一电极（源极和漏极中的一个）和连接到第一功率晶体管MOS1的控制电极的第二电极（源极和漏极中的一个）。第一开关单元可以包括连接到控制器210的控制电极，从而响应于从控制器210提供的信号而导通，从而使第一功率晶体管MOS1导通。第二开关单元可以包括连接到第一电源Vin的第一电极（源极和漏极中的一个）和连接到第二功率晶体管MOS2的控制电极的第二电极（源极和漏极中的一个）。第二开关单元可以包括连接到控制器210的控制电极，从而响应于从控制器210提供的信号而导通，从而导通第二功率晶体管MOS2。如图3中所示，第一开关元件可以为P型的PDMOS晶体管MP_PD1，并包括连接到第一电源Vin的源极和连接到第一功率晶体管MOS1的控制电极的栅极；第二开关元件可以为P型的PDMOS晶体管MP_PD2，并包括连接到第一电源Vin的源极和连接到第二功率晶体管MOS2的控制电极的栅极。虽然在图2中将开关单元示出为P型的PDMOS晶体管MP_PD1和MP_PD2，但是示例性实施例不限于此，本领域技术人员可以根据电路设计的需要将各种类型的晶体管用作开关单元，开关单元可以采用小尺寸的PMOS管。

使能信号可以经电流控制电路200的使能信号输入端En而被提供到控制器210。如图3所示，当接收到使能信号时，控制器210可以将使能信号提供到第一开关单元，以使第一开关单元导通，从而使第一功率晶体管MOS1导通。控制器210可以包括启动触发器217。当控制器210接收到使能信号时，启动触发器217可以将使能信号延迟预定的时间，并将经延迟的使能信号提供到第二开关单元，以使第二开关单元导通。所述预定的时间可以大于或等于从第一功率晶体管MOS1导通的时刻至输出端OUT的电压电平基本等于电流控制电路200的预定输出电压的电平的时刻的时间。例如，所述预定的时间可以大于或等于从第一功率晶体管MOS1导通的时刻至输出端OUT的电压电平基本等于第一电源Vin的电压电平的时刻的时间。因此，第二功率晶体管MOS2可以在近似处于零电压开关状态时导通，并可以在饱和区域运行，从而不产生涌入电流。

如图3中所示，所述电流控制电路200还可以包括误差放大器211、反馈电阻网络212、基准电压源213、驱动缓冲器214和215。误差放大器211可以包括正向输入端、负向输入端、信号输出端。反馈电阻网络212可以连接在输出端OUT和第二电源（地）之间。反馈电阻网络212可以包括串联的电阻器R1和R2，以感测电流控制电路200的输出电流，并将与感测到的输出电流对应的反馈信号提供到误差放大器211的正向输入端。基准电压源213可以产生基准电压，并可将产生的基准电压提供到误差放大器211的负向输入端。第一驱动缓冲器214可以连接在误差放大器211的信号输出端和第一功率晶体管MOS1的控制电极之间。第二驱动缓冲器215可以连接在误差放大器211的信号输出端和第二功率晶体管MOS2的控制电极之间。第一驱动缓冲器输出的驱动电流可以小于第二驱动缓冲器输出的驱动电流。在图3中，将外部电路示意性地示出为包括外部电容器216的电路。

在示例性实施例中，控制器210可以将接收到的使能信号提供到误差放大器211、基准电压源213、第一驱动缓冲器214。误差放大器211、基准电压源213、第一驱动缓冲器214可以响应于接收到的使能信号而运行。此外，控制器210可以通过启动触发器217将使能信号延迟预定的时间，并将经延迟的使能信号提供到第二驱动缓冲器215，以使第二驱动缓冲器215运行。换句话说，电流控制电路200可以响应于使能信号而开始运行。

在一个示例性实施例中，基准电压源213可以为带隙基准电压源，并且/或者误差放大器211可以为两级差分运算放大器。

如上所述，误差放大器211可以比较反馈电阻网络212提供的反馈信号与基准电压源213产生的基准电压。当反馈信号的电压电平超过基准电压的电平时，误差放大器211可以通过信号输出端将其输出信号经第一驱动缓冲器214提供到第一功率晶体管MOS1的控制电极，并可以通过信号输出端将其输出信号经第二驱动缓冲器215提供到第二功率晶体管MOS2的控制电极，从而通过功率晶体管MOS1和MOS2的来调节（例如，减小）提供到外部电路的电流。

图4是示出根据示例性实施例的包括在电流控制电路200中的启动触发器217的示意性电路图。

如图4中所示，启动触发器217可以包括晶体管MP1、MP2、MP3、MN1、电容器C1、偏置电流源Ib、反相器INV1-INV6、与非门NAND1。晶体管MP1、MP2可以组成PMOS电流镜。电容器C1可以为晶体管MN1的寄生电容器。当从使能信号输入端En接收到使能信号时（例如，当使能信号从低电平变为高电平时），启动触发器217可以将使能信号延迟预定的时间，并通过延迟输出端En_D输出该经延迟的信号。可以通过偏置电流源Ib、晶体管MP1和MP2的宽长比、电容器C1的电容值、反相器INV2-INV4的延迟量来确定使能信号将被延迟的时间。因此，可以通过调节晶体管MP1和MP2的宽长比和/或电容器C1的电容值来调节使能信号将被延迟的时间。

下面将详细描述根据示例性实施例的电流控制电路200的操作。图5是示出根据示例性实施例的电流控制电路200的波形图。

首先，电流控制电路200在时间t1通过使能信号输入端En接收使能信号，在本示例性实施例中，可以将高电平作为使能信号，如图5中的（a）所示。此时，响应于接收到的高电平的使能信号，基准电压源213、误差放大器211、第一驱动缓冲器214开始运行。同时，第一开关单元导通，并因此使第一功率晶体管MOS1导通。如图5中的（c）所示，第一电源Vin的功率通过第一功率晶体管MOS1而被提供到输出端OUT，因此，连接到外部电路的输出端OUT的电压电平Vout缓慢上升。因完全开启的第一功率晶体管MOS1而产生了如图5中的（d）所示的涌入电流。

启动触发器217可以在时间t3通过延迟输出端En_D输出经延迟的使能信号，如图5中的（b）所示，即，启动触发器217可以将接收到的使能信号延迟预定的时间（t3-t1）。该预定的时间（t3-t1）必须大于或等于从第一功率晶体管MOS1导通的时刻t1至输出端OUT的电压电平Vout基本等于电流控制电路200的预定输出电压的电平的时刻t2的时间（t2-t1）。例如，所述预定的时间必须大于或等于从第一功率晶体管MOS1导通的时刻至输出端OUT的电压电平Vout等于额定输出电平的时刻的时间。因此，第二功率晶体管MOS2可以在近似处于零电压开关状态时导通，并可以在饱和区域运行，从而不产生涌入电流。

当停止提供使能信号时（即，当从使能信号输入端提供的信号从高电平变为低电平时），因为启动触发器217可以不延迟低电平的信号，所以控制器210可以将低电平的信号同时提供到误差放大器211、基准电压源213、驱动缓冲器214和215，从而可以同时关断包括在电流控制电路200中的所有元件。

在上面的示例性实施例中，使能信号可以是从外部提供到使能信号输出端的信号。然而，示例性实施例不限于此，在另一示例性实施例的电流控制电路中，可以将第一电源Vin连接到使能信号输入端，从而将从第一电源Vin的输出作为使能信号，因此可以不需要从外部提供使能信号。

在上面的示例性实施例中，第一电源Vin提供正电压电平，第二电源为地。然而，示例性实施例不限于此，在另一示例性实施例的电流控制电路中，第一电源可以为地，第二电源可以提供负电压电平。

如上所述，在根据示例性实施例的电流控制电路中，可以响应于接收到的使能信号而导通宽长比相对较小的第一功率晶体管，以将从第一电源提供的功率通过第一功率晶体管提供到输出端，并因此产生相对较小（例如，小于或等于连接的外部电路的额定电流的）的涌入电流。因此，连接到外部电路的输出端的电压缓慢上升。当输出端的电压电平等于所述电流控制电路的预定输出电压的电平时，可以导通宽长比相对较大的第二功率晶体管，从而第二晶体管可以在饱和区运行，因此可以在不产生涌入电流的同时向外部电路提供足够的大的（例如，基本等于外部电路的额定电流的）电流。因此，根据示例性实施例电流控制电路可以实现软启动的功能，限制了涌入电流。

虽然已经示出并描述了示例性实施例的示例，但是本领域技术人员应该理解的是，示例性实施例不限于此，在不脱离如权利要求的精神和范围的情况下，可以在此进行各种改变和修改。

Claims

1.一种电流控制电路，其特征在于所述电流控制电路包括：

第一功率晶体管和第二功率晶体管，第一功率晶体管包括连接到第一电源的第一电极和连接到所述电流控制电路的输出端的第二电极，第二功率晶体管包括连接到第一电源的第一电极和连接到所述电流控制电路的输出端的第二电极，第一功率晶体管的宽长比小于第二功率晶体管的宽长比；

控制器，连接到第一功率晶体管的控制电极和第二功率晶体管的控制电极，控制器响应于接收到的使能信号而使第一功率晶体管和第二功率晶体管顺序导通，

其中，当接收到使能信号时，控制器使第一功率晶体管导通，使得从第一电源提供的功率通过第一功率晶体管被提供到所述电流控制电路的输出端，从而所述电流控制电路的输出端的电压电平上升，且当所述电流控制电路的输出端的电压电平等于所述电流控制电路的预定输出电压的电平时，控制器使第二功率晶体管导通，使得从第一电源提供的功率通过在饱和区运行的第二功率晶体管被提供到所述电流控制电路的输出端。

2.如权利要求1所述的电流控制电路，其特征在于所述电流控制电路还包括：

第一开关单元，包括连接到控制器的控制电极、连接到第一电源的第一电极和连接到第一功率晶体管的控制电极的第二电极，第一开关单元响应于从控制器提供的信号而导通，以使第一功率晶体管导通；

第二开关单元，包括连接到控制器的控制电极、连接到第一电源的第一电极和连接到第二功率晶体管的控制电极的第二电极，第二开关单元响应于从控制器提供的信号而导通，以使第二功率晶体管导通。

3.如权利要求2所述的电流控制电路，其特征在于控制器包括启动触发器，

当控制器接收到使能信号时，控制器将使能信号提供到第一开关单元的控制电极，以使第一开关单元导通，从而使第一功率晶体管导通，

当控制器接收到使能信号时，启动触发器将使能信号延迟预定的时间，并将经延迟的使能信号提供到第二开关单元的控制电极，以使第二开关单元导通，从而使第二功率晶体管在所述电流控制电路的输出端的电压电平等于预定输出电压的电平时导通并在饱和区域运行，

其中，所述预定的时间大于或等于从第一功率晶体管导通的时刻至所述电流控制电路的输出端的电压电平等于预定输出电压的电平的时刻的时间。

4.如权利要求1所述的电流控制电路，其特征在于所述电流控制电路还包括：

误差放大器，包括正向输入端、负向输入端、信号输出端；

反馈电阻网络，连接在所述电流控制电路的输出端和第二电源之间，反馈电阻网络响应于所述电流控制电路的输出电流来产生反馈信号，并将反馈信号提供到误差放大器的正向输入端；

基准电压源，用于将基准电压提供到误差放大器的负向输入端；

第一驱动缓冲器和第二驱动缓冲器，第一驱动缓冲器连接在误差放大器的信号输出端和第一功率晶体管的控制电极之间，第二驱动缓冲器连接在误差放大器的信号输出端和第二功率晶体管的控制电极之间，第一驱动缓冲器输出的驱动电流小于第二驱动缓冲器输出的驱动电流，

其中，误差放大器比较反馈信号的电压电平和基准电压的电平，当反馈信号的电压电平超过基准电压的电平时，误差放大器控制第一功率晶体管和第二功率晶体管以减小所述电流控制电路的输出电流。

5.如权利要求4所述的电流控制电路，其特征在于控制器包括启动触发器，

当接收到使能信号时，控制器将使能信号提供到误差放大器、基准电压源和第一驱动缓冲器，以使误差放大器、基准电压源和第一驱动缓冲器运行，

当接收到使能信号时，启动触发器将使能信号延迟预定的时间，并将经延迟的使能信号提供到第二驱动缓冲器，以使第二驱动缓冲器运行，

6.如权利要求4所述的电流控制电路，其特征在于基准电压源为带隙基准电压源，误差放大器为两级差分运算放大器。

7.如权利要求1所述的电流控制电路，其特征在于第一功率晶体管和第二功率晶体管为PMOS场效应晶体管、NMOS场效应晶体管、双极结晶体管中的一种。

8.如权利要求1所述的电流控制电路，其特征在于根据连接到所述电流控制电路的输出端的外部电路的额定电流来选择第一功率晶体管的宽长比，以使得在第一功率晶体管导通时产生并通过所述电流控制电路的输出端传输到外部电路的涌入电流小于或等于外部电路的额定电流。

9.如权利要求8所述的电流控制电路，其特征在于根据连接到所述电流控制电路的输出端的外部电路的额定电流和第一功率晶体管的长宽比来选择第二功率晶体管的宽长比，以使得在第二功率晶体管导通时通过所述电流控制电路的输出端传输到外部电路的电流大于或等于外部电路的额定电流。

10.如权利要求1所述的电流控制电路，其特征在于通过第一电源提供使能信号。