CN102415226A - 多层印刷电路板的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种制造多层印刷电路板及由其形成的制品，特别是集成电路基板的方法。本发明的方法在各单独加工步骤中使用无机硅酸盐和有机硅烷粘合混合物来提供铜层和电介质材料层之间的粘结。所述方法能给多层印刷电路板和集成电路基板带来增强的粘结强度、改善的抗机械和热应力以及防潮性能。

Description

多层印刷电路板的制造方法

技术领域

本发明涉及一种形成多层印刷电路板、集成电路(IC)基板、用于高频施加的印刷电路板和柔软基板的方法；可由其获得的多层印刷电路板和集成电路基板，有机硅烷粘合混合物和使用包含至少一种无机硅酸盐的组合物进行的处理方法。多层印刷电路板(PCB)和集成电路基板典型地由如下方式构成：插入成像导电层(例如含铜层)和介质层(例如部分固化的半熔阶段树脂，即半固化片)构成多层夹层体，然后通过施加热和压力将其粘合在一起。由于具有光滑铜表面的导电层不能良好地粘合于半固化片，因此已经使用粗糙铜表面来获得对电介质更好的粘合。因此，部分多层PCB工业运用机械或化学的粗糙化工艺来确保更好的粘合。然而，随着电路图形越来越精细，在该表面处理期间物理损害导体迹线的风险随之上升。另一个工业上用来改善导电层和电介质之间粘合的方法是在镀覆工业广泛使用的各种确保良好界面粘结的铜表面氧化工艺。

在另一个替换的工艺中，使用有机硅烷来提升铜表面和半固化片之间的粘结。所述有机硅烷以薄层沉积在铜表面上，在层压期间，有机硅烷分子粘合于环氧树脂，即半固化片表面。为了提升所述有机硅烷与铜表面间的粘结，使所述铜表面预先涂覆有与有机硅烷反应的金属，例如锡。在适当施加时，有机硅烷处理是很稳定的，并且耐化学腐蚀和层离。该有机硅烷工艺的优点是可以在联机(inline)工艺系统中传送带化。

文献EP 0 431 501 B1公开了一种使用有机硅烷粘合混合物施加于氧化的锡表面来制造多层印刷电路板的方法。所述方法不能制造精细线路的集成电路基板。

专利申请EP 1 978 024 A1公开了各种用于多层印刷电路板制造的有机硅烷和胶态氧化硅颗粒的混合物以及包含碱性硅酸盐和胶态氧化硅的粘合混合物。

日本专利申请JP 2007-10780公开了一种制造多层印刷电路板的方法，其中将有机硅烷粘合剂施加于例如钯层上。

现有技术描述的这些工艺的主要缺点是有机硅烷层无法胜任某些环境以及无法用于制造特征尺寸≤20微米的集成电路基板和使用SAP工艺(半添加工艺)制造的集成电路基板。

发明概述

因此，本发明的目的是提供一种形成多层印刷电路板或集成电路基板，特别是通过SAP工艺制造的具有非常精细电路结构的那些的方法，以及可通过上述方法获得的电路板和集成电路基板。该方法包括如下步骤：

(a)在电介质层支撑体表面上形成导电铜电路，该电路具有至少4微米厚度；

(b)通过向铜电路施加锡在铜电路上形成锡的氧化物、氢氧化物或其组合的层，其中在施加期间或施加之后，所施加的锡在其表面上转化成氧化物、氢氧化物或其组合。优选地，氧化物、氢氧化物或组合的层的厚度不大于40微米；

(c)向在步骤(b)中形成的氧化物、氢氧化物或其组合的表面或要粘合于铜电路的绝缘层施加包含至少一种无机硅酸盐的混合物，该绝缘层包含部分固化的热固性聚合物组合物；

(d)向在步骤(c)中形成的包含至少一种无机硅酸盐的层施加有机硅烷粘合混合物；

(e)重复步骤(a)、(b)、(c)和(d)；

(f)将通过步骤(a)、(b)、(c)、(d)和(e)形成的材料粘合成单个制品，其中有机硅烷涂层在至少一种无机硅酸盐的层和绝缘层之间，其中在粘合期间部分固化的绝缘层被固化；和任选地

(g)形成穿过在步骤(f)中形成的粘合制品的多个孔；

(h)将这些通孔的壁进行金属化以从通孔相对开口形成导电通路，从而形成多层电路板。

该方法的特征在于该有机硅烷粘合混合物包含：

(i)至少一种具有结构式I的脲基硅烷

式I

其中A是具有1到8个碳原子的亚烷基，B是具有1到8个碳原子的羟基或烷氧基，n是整数1、2或3，条件是如果n是1或2，各个B不必是相同的；以及

(ii)至少一种交联剂，选自具有结构式I I和结构式III的化合物以及具有式II和式III的化合物的混合物

式II

其中R1、R2、R 3、R4、R5和R6彼此独立地是具有1到8个碳原子的烷基，R表示具有1到8个碳原子的亚烷基，和

Si(OR7)₄  式III

其中R7选自甲基、乙基和丙基，

而且其中，至少一种具有结构式I的脲基硅烷和至少一种交联剂的总浓度在1到50g/l之间。

发明详述

本发明涉及一种形成如权利要求1所限定的多层印刷电路板或集成电路基板的方法。该电路板具有电介质材料的交替层，其支撑通过中间层粘附于绝缘层的铜电路。该电路板具有通孔，所述通孔形成穿过板的整个厚度的电通路。

根据本发明的方法特别适合于具有精细线抗蚀剂(fine lineresist)结构的电路，该结构具有50微米，甚至是25微米或更低的高密度互联(HDI)特征尺寸。

集成电路基板通常通过SAP工艺制造，且具有≤20微米的线和间隔(line and spale)特征尺寸。集成电路基板是集成电路封装的基本部件，它在组装件中与其它电子部件组合，控制电子设备的功能。集成电路封装可以被广泛分成单芯片模块(或SCM)和多芯片模块(或MCM)，前者含有一个集成电路芯片，后者含有多个芯片和其它电子器件。

在多层电路板或集成电路基板的形成中，可以使用几十个导电层和非导电层。而且，为了形成多层电路板或集成电路基板，有必要钻孔，但由于在紧密围绕孔的区域中的层离可产生缺陷。如果在某个层存在缺陷或发生层离，通常整个板或集成电路基板就必须废弃。因此在形成印刷电路板或集成电路基板的每个步骤中的高品质对商业生产是必不可少的。使用该工艺，可以形成各种制品。举例来说，一个制品可以按顺序含有电介质层、具有锡和其下的锡的氧化物、氢氧化物或其组合的层的铜电路、包含至少一种无机硅酸盐的层、有机硅烷粘合混合物的层、绝缘层、第二电介质层、具有锡和其下的锡的氧化物、氢氧化物或其组合的第二层的第二铜电路、包含至少一种无机硅酸盐的第二层、有机硅烷粘合混合物的第二层和第二绝缘层。在上述制品中，(第一)绝缘层可以与第二电介质层直接接触或通过粘结剂层接触。这样的粘结剂是本领域所熟知的，例如高温环氧树脂。在一个替换性制品中，第二电介质层不必与所有的具有相同顺序的其它层存在。在本发明的另一个替换性实施方案中，可以存在电介质层，其在相对表面上具有铜电路。然后在其相对表面施加各种层，包括任选地具有其下的锡的氧化物、氢氧化物或其组合的锡层、无机硅酸盐层、有机硅烷粘合混合物层和绝缘层。

在本发明的方法中，起始原料是在其一个表面或相对表面上含有铜包覆层的电介质层。该铜层的厚度为至少1微米，更优选为15微米，它被用来形成导电电路。可以使用现有技术中熟知的工艺来形成这样的电路，例如通过光敏抗蚀膜的光成像技术，然后对铜的未保护区进行刻蚀。在美国专利US 3,469,982中公开了合适工艺的一个例子。电介质层的组合物并不是决定性的，只要能起到电绝缘体的功能就行。在美国专利US 4,499,152中公开了有用的支撑材料，例如玻璃纤维增强的环氧树脂。优选使用部分固化的热固性聚合物组合物，其在本领域熟知称作半固化片(prepreg)或半熔阶段树脂。

有用的电介质基板或层可以通过用部分固化树脂，通常是环氧树脂(例如双官能团、四官能团和多官能团的环氧树脂)来浸渍玻璃织物增强材料来制备。环氧树脂是特别合适的。本发明的有机硅烷组合物的一个优点是它们在基板材料的玻璃和树脂区域上都呈现了很好的粘结，这往往是现有技术中已知的组合物的一个问题。

有用的树脂的例子包括由甲醛和尿素或甲醛和蜜胺的反应产生的氨基型树脂、聚酯、酚醛树脂、聚硅氧烷、聚酰胺、聚酰亚胺、邻苯二甲酸烯丙酯、苯基硅烷、聚苯并咪唑、二苯基醚、聚四氟乙烯、氰酸酯等等。这些电介质基板往往被称为半固化片。最新一代的环氧基板是Ajinomoto GX-3和GX-13，其含有玻璃珠填料，且可以用根据本发明的方法进行处理。绝缘层和电介质层可以通过使用如上所述的部分固化树脂浸渍玻璃织物增强材料来制备。因此，一个或多个绝缘层可以同样是半固化片。

在多层印刷电路板或集成电路基板的形成中，可以使用多个在至少一个表面上具有导电金属涂层或金属电路的电介质层和多个绝缘层。

在导电电路形成后，通常有必要形成氧化物、氢氧化物或其组合的薄的外层。这个层的厚度不大于1.5微米，更优选不大于1.0微米，它可以通过铜电路的氧化直接形成。

在本发明的一个实施方案中，导电层由锡形成。如下更充分的描述，施加涂层的优选工艺是通过浸渍金属镀覆。金属层的厚度并不是决定性的，可以是例如0.06到0.25微米。在施加锡期间和之后，形成了氧化物、氢氧化物或其组合的薄涂层。因为这涂层是极薄的，优选厚度不大于1.5微米或在某些情况下只是单层的(monolayers)，所以可以使用空气氧化。在这样的情况下，该氧化物/氢氧化物可以在室温下在静置(standing)时形成，其中铜表面与周围的氧和水汽反应。其它的形成氧化物/氢氧化物的工艺包括浸渍在或暴露于氧化性水槽中。

优选的浸渍锡涂覆组合物包含硫脲化合物、锡盐、还原剂、酸和脲化合物。该锡盐优选包含亚锡盐。尽管可以使用无机(矿物)酸或有机酸的亚锡盐(例如甲酸亚锡盐和乙酸亚锡盐)，但该锡盐可以包含矿物酸，例如含硫酸、亚磷酸和氢卤素的亚锡盐，特别是含硫酸，例如硫酸或氨基磺酸的亚锡盐。还可以同时使用碱金属的锡酸盐，例如锡酸钠或锡酸钾和本领域已知的其等效物。在一个实施方案中，使用硫酸亚锡、氨基磺酸亚锡或乙酸亚锡作为锡盐。在沉积锡铅涂层时，可以使用乙酸铅作为铅盐。使用的酸可以是有机酸或是基于硫、磷或卤素的无机酸(矿物酸)，该基于硫的酸优选是例如硫酸、甲磺酸(MSA)或氨基磺酸。可以使用的某些有机酸包括具有最多约6个碳原子的单羧酸或二羧酸，例如甲酸、乙酸、苹果酸和马来酸。如果有可能不使用氢卤素或卤盐，则是优选的，因为卤化物残留物将会产生于沉积的锡涂层中，这些盐会影响锡的电特性而且还可能会在涂层中充当腐蚀物质。在本发明的一个实施方案中，该浸渍锡涂层组合物进一步包含至少一种螯合剂。特别优选的螯合剂包含氨基羧酸和羟基羧酸。可以在这方面使用的一些特定氨基羧酸包括乙二胺四乙酸、羟乙基乙二胺三乙酸、次氮基三乙酸、正-二羟乙基氨基乙酸和乙烯基-双(羟苯基氨基乙酸)。可以使用的羟基羧酸类包括酒石酸、柠檬酸、葡糖酸和5-磺基水杨酸。

可以使用的各种还原剂是本领域所熟知的，通常包含具有最多10个碳原子的，无论饱和还是不饱和，脂族或环状的有机醛。可以在这方面使用的具有最多6个碳原子的低级烷基醛例如为甲醛、乙醛、丙醛、丁醛等等。特别优选的醛包括羟基脂族醛，例如甘油醛；赤藓糖；苏糖；阿拉伯糖及其各种位置异构体，以及葡萄糖及其各种位置异构体。已经发现葡萄糖起到防止金属盐氧化到高氧化态的作用，例如从Sn(II)到Sn(IV)，且还可以作为螯合剂，而且出于这些理由是特别有用的。可以使用的表面活性剂包括任何非离子、阴离子、阳离子或两性表面活性剂。特别优选非离子型表面活性剂。

包含至少一种无机硅酸盐的组合物在步骤(c)中作为涂层施加于氧化锡、氢氧化锡或组合，或者施加到被本领域称为半固化片或半熔化阶段树脂的部分固化的热固性聚合物组合物。与该电介质层相同结构的材料可以用于该层，其称作绝缘层，从而更易于将所述层相互区别。该至少一种无机硅酸盐选自水溶性的无机硅酸盐，其特征是具有通式xM₂O·SiO₂·nH₂O，其中x范围为1到4，优选为1到3，n范围为0到9，M选自Na⁺、K⁺和NH₄ ⁺。该至少一种无机硅酸盐的浓度范围为0.05到50g/l，更优选为0.5到10g/l。任选地，所述混合物还另外包含至少一种水溶性的磷酸盐，其选自磷酸钠、磷酸钾、磷酸铵、磷酸氢二钠、磷酸三钠、磷酸氢二钾、磷酸三钾、磷酸氢二铵、磷酸三铵(ammonium tribasic phssphate)、三聚磷酸钠、三聚磷酸钾和三聚磷酸铵等等。该至少一种水溶性磷酸盐的浓度范围为为0.05到50g/l，更优选为0.5到10g/l。

包含至少一种无机硅酸盐的组合物通过任何传统方法沉积在具有氧化的锡表面的铜层上，例如通过浸没法、喷涂法、刷涂法和浸渍法。该组合物在15到60℃，更优选20到40℃的温度范围下沉积到氧化的锡表面上。

在本发明的一个实施方案中，将基板浸入包含至少一种无机硅酸盐的组合物中5到100秒，优选10到30秒。

在另一个实施方案中，包括至少一种无机硅酸盐的层在沉积有机硅烷粘合混合物之前不进行干燥。

然后，在步骤(d)中将根据本发明的有机硅烷粘合混合物作为涂层施加于包括至少一种无机硅酸盐的层。转向可用于本发明的有机硅烷粘合混合物，需要该有机硅烷粘合混合物形成粘附中间层，该粘附中间层粘合于包含至少一种无机硅酸盐的层和部分固化并变成完全固化的绝缘层。这要求包含至少一种无机硅酸盐和有机硅烷粘合混合物的层用于防止层离(与在此规定的热应力测试一致)。在一个优选模式中，具有完全固化绝缘层的多层电路板符合MIL-P-55110D的所有规范。

据认为，在缩合反应中，脲基硅烷与硅烷醇(SIGH)-有机硅烷基团形成氢桥键和/或形成共价金属-O-Si键。该有机硅烷被认为能通过官能取代的有机基团提供范德瓦尔斯力作用、强极性力氢桥相互作用，或与电介质树脂形成的共价键来影响相邻层。据认为，该交联剂与脲基硅烷形成网状结构，从而减少所得到的粘附的有机硅烷层的湿度灵敏性。本发明的防潮的、粘附的有机硅烷层由有机硅烷粘合混合物制得，该有机硅烷粘合混合物具有如下物质作为其主要成分：

(I)至少一种具有根据式I的结构的脲基硅烷

式I

其中A是具有1到8个碳原子的亚烷基，B是具有1到8个碳原子的羟基或烷氧基，n是整数1、2或3，条件是如果n是2或3，各个B不必是相同的；和(II)至少一种交联剂，选自具有根据式II的结构的化合物和具有根据式III的结构的化合物以及具有式II和式III的化合物的混合物，

式II

其中R1、R2、R3、R4、R5和R6彼此独立地是具有1到8个碳原子的烷基，R表示具有1到8个碳原子的亚烷基，

Si(OR7)₄式III

其中R7选自甲基、乙基和丙基。

在式I中，如果存在多于一个的B基团，优选每个B基团是相同的。还优选R1、R2、R3、R4、R5和R6是相同的。在该脲基硅烷中，亚烷基A优选是二价的亚乙基或亚丙基，且烷氧基B优选是甲氧基或乙氧基。一个特别优选的脲基硅烷是γ-脲基丙基-三乙氧基硅烷。在根据式II的交联剂中，烷基优选是甲基或乙基，且亚烷基R优选是二价的亚乙基或亚丙基。一个特别优选的根据式II的交联剂是六甲氧基二甲硅烷基乙烷。该硅烷粘合混合物的组分浓度可广泛改变以满足特定应用的需要。因此该脲基硅烷与交联剂的重量比可以在99∶1到1∶99之间。优选该脲基硅烷与交联剂的重量比在10∶1到1∶1之间。典型地，单个脲基硅烷与单个交联剂使用，然而，在硅烷粘合混合物中使用，在两种或更多种所定义的脲基硅烷和/或两种或更多种所定义的交联剂中使用也在本发明的范围之内。在本发明的实践中，该有机硅烷粘合混合物可以以液体溶液的形式施加到包含至少一种无机硅酸盐的层或绝缘层的表面。在这个情况下，该有机硅烷粘合混合物含有用于脲基硅烷和交联剂的互溶剂。有机硅烷的总浓度在1到50g/l之间，更优选在2到10g/l之间。该溶液通过任何传统方法施加，例如通过浸没法、喷涂法、刷涂法和浸渍法。

根据如上所述制备的多层印刷电路板或集成电路基板可以承受在层压压力板材之间的常规层压温度和压力。在这个方式下，层压操作通常包括1.72-5.17MPa的压力，130-约350℃的温度和30分钟到2小时的层压周期。作为替代，使用真空层压法用于集成电路中的累积(Build-up)膜。该叠层位于铜表面上，在100℃下层压并以3kg/cm²的压制30秒。

根据本发明的方法的优点包括增强的粘结性、增强的抗氧化性和增强的防潮性，特别是用于高密度互联和集成电路基板。

实施例

用作试验的测试样品是：

(i)由0.8mm厚的标准FR4材料层构成的全铜板面板，其铜层厚度为35微米，尺寸为310×500mm

(ii)具有1.6mm厚FR4单侧结构侧的结构板面板，其铜厚度为35微米，尺寸为200×150mm

(iii)32微米厚的ABF膜(Ajinomoto GX13)

将测试样品(i)和(ii)的铜表面进行化学清洁，在联机喷涂系统中，用浸渍锡组合物和有机硅烷粘合混合物进行处理，以及任选地在用有机硅烷粘合混合物处理之前用包含无机硅酸盐的组合物进行处理，然后相对于在EP 0 431 501 B1的实施例1中所描述的样品A(即在有机硅烷粘合混合物沉积之前没有用无机硅酸盐进行处理)进行评价。

在遍及所有实施例中使用的化学清洁和用浸渍锡组合物进行的处理概括于表1中：

在实施例1到5中应用的处理步骤(c)到(d)概括于表2中：

在所有实验中，在施加无机硅酸盐和有机硅烷粘合混合物后，将类型(i)或(ii)的面板与ABF膜一起层压。在层压前，将面板在65℃下预热5分钟。使用热辊层压机在100℃的辊温下以1m/min的层压速度进行层压。两个面板侧的层压需要两个层压步骤。然后将PET覆箔去除。

在层压后将叠层放在炉中用空气环流在180℃下固化30分钟。

然后将所有的面板用去污工艺处理两次，之后施加镀覆通孔工艺，其中铜通过无电镀铜工艺沉积并用10微米的电镀铜增强。

在铜电镀后施加热退火。实行三级退火处理：1^st在180℃下退火60分钟，2^nd在200℃下退火60分钟和3^rd在200℃下退火60分钟。

然后通过对样品的光学检验计算起泡个数。观察到两种类型的起泡：由于ABF膜从锡层的局部层离引起的类型一(即粘结促进剂层的失效)，由于镀覆铜层从FR4基础材料的层离引起的另一类型。在实施例1到5中仅考虑类型一的起泡。

实施例1(对比例)

在本实施例中，将与在EP 0431 501 B1的实施例1中所描述的样品A相同的有机硅烷粘合混合物沉积在氧化的锡表面上，该有机硅烷粘合混合物包含1.0wt％的3-[三(乙氧基/甲氧基)甲硅烷基]丙基]脲和0.2wt％的2-双(三乙氧基甲硅烷基)乙烷。没有进行步骤(c)的处理。

观察到起泡。

实施例2(对比例)

用在步骤(d)中的有机硅烷粘合混合物对面板进行处理，该有机硅烷粘合混合物包含1.0wt％的3-[三(乙氧基/甲氧基)甲硅烷基]丙基]脲和1.0wt％的2-双(三乙氧基甲硅烷基)乙烷。没有进行根据步骤(c)的处理。

观察到起泡。

实施例3

施加与实施例1中所使用的相同的有机硅烷粘合混合物。在施加所述的有机硅烷粘合混合物之前，根据如2-3页所述的工艺程序的步骤(c)，用包含2g/l硅酸钠(×＝1)的组合物对面板进行处理。

没有观察到起泡。

实施例4

根据步骤(c)，用包含2g/l硅酸钠(×＝1)的组合物对面板进行处理，并且使用在如2-3页所述的工艺程序的步骤(d)中的有机硅烷粘合混合物对面板进行处理，该有机硅烷粘合混合物包含1.0wt％的3-[三(乙氧基/甲氧基)甲硅烷基]丙基]脲和1.0wt％的2-双(三乙氧基甲硅烷基)乙烷。

没有观察到起泡。

实施例5

本实施例展示了如果在有机硅烷粘合混合物的沉积之前在所述氧化的锌表面上沉积无机硅酸盐层，则该氧化的锌表面的可润湿性是如何因有机硅烷混合物而升高的。

根据表1概括的工艺，将具有铜表面的FR4基材进行处理。然后将包含2g/l硅酸钠(×＝1)的组合物沉积到氧化的锌表面上(在T＝35℃，t＝30s下沉积)，冲洗并干燥。通过用甘油作为测试液的停滴测试法对清洁的铜表面、氧化的锡表面和硅酸钠涂覆的氧化锌表面进行比较。

在100秒之后，它们相对于甘油的接触角分别是85°(清洁的铜表面)、50°(氧化的锡表面)和35°(用包含硅酸钠的组合物涂覆的氧化的锡表面)。

所得到的相对于甘油的接触角越低，该表面对有机硅烷粘合混合物的可润湿性就越好。

实施例6

由本发明的方法制备的叠层的增强的抗潮性通过测试在施加压力蒸煮测试之前和之后在具有铜表面的FR4基础基板与ABF膜之间的界面剥离强度进行证明。

对比样品根据表1和2制备，但没有施加无机硅酸盐的涂层。根据表1和2中描述的方法制备根据本发明方法的样品。

然后将两种样品根据Jedec标准JESD22-A102-C进行压力蒸煮测试(121℃，100％RH，205kPa下24小时)。根据IPC-TM-650No.2.4.8测试其剥离强度。

两种样品在层压后的剥离强度是13.33N/cm，对比样品在压力蒸煮测试后的剥离强度是10.75N/cm，根据本发明的方法制备的样品的剥离强度是11.96N/cm。

Claims (9)

1.一种制造多层印刷电路板的方法，该多层印刷电路板包含穿过若干绝缘层到达一系列导电层的导电通孔，所述通孔构成电连接体，该方法包括如下步骤：

(a)在电介质层支撑体表面上形成导电铜电路，该电路具有至少4微米厚度；

(b)通过向铜电路上施加锡在铜电路上形成锡的氧化物、氢氧化物或其组合的层，其中在施加期间或施加之后，所施加的锡在其表面上转化成氧化锡、氢氧化锡或其组合，条件是氧化锡、氢氧化锡或组合的层厚度不大于40微米；

(c)向在步骤(b)中形成的氧化物、氢氧化物或其组合的表面或要粘合于铜电路的绝缘层施加包含至少一种无机硅酸盐的混合物，该绝缘层包含部分固化的热固性聚合物组合物；

(d)向在步骤(c)中形成的氧化物、氢氧化物或其组合的表面施加有机硅烷粘合混合物；

(e)重复步骤(a)、(b)、(c)和(d)至少一次；

(f)将通过步骤(a)、(b)、(c)、(d)和(e)形成的材料粘合成单个制品，其中，有机硅烷涂层在氧化物、氢氧化物或组合层和绝缘层之间，其中，在粘合期间部分固化的绝缘层被固化；

该方法的特征在于该硅烷粘合混合物基本上由以下物质组成：

(I)至少一种具有结构式I的脲基硅烷

式I

其中A是具有1到8个碳原子的亚烷基，B是具有1到8个碳原子的羟基或烷氧基，n是整数1、2或3，条件是如果n是1或2，各个B不必是相同的；以及

(II)至少一种交联剂，选自具有结构式II和结构式III的化合物以及具有结构式II和结构式III的化合物的混合物，

式II

其中R1、R2、R3、R4、R5和R6彼此独立地是具有1到8个碳原子的烷基，R表示具有1到8个碳原子的亚烷基，

Si(OR7)₄式III

其中R7选自甲基、乙基和丙基。

2.根据权利要求1的方法，其中具有结构式I的脲基硅烷和具有结构式II和结构式III的交联剂的总浓度在1到50g/l之间。

3.根据权利要求1的方法，其中在步骤(c)中使用的至少一种无机硅酸盐选自具有通式xM₂O·SiO₂·nH₂O的组，其中x范围为1到4，n范围为0到9，M选自Na⁺、K⁺和NH₄ ⁺。

4.根据上述任一权利要求的方法，其中在步骤(c)中使用的组合物进一步包含至少一种水溶性的磷酸盐化合物。

5.根据权利要求4的方法，其中至少一种水溶性的磷酸盐化合物选自磷酸钠、磷酸钾、磷酸铵、磷酸氢二钠、磷酸三钠、磷酸氢二钾、磷酸三钾、磷酸氢二铵、磷酸三铵、三聚磷酸钠、三聚磷酸钾和三聚磷酸铵。

6.根据上述任一权利要求的方法，其中至少一种脲基硅烷和至少一种交联剂的重量比范围为10∶1到1∶1。

7.根据权利要求5的方法，其中脲基硅烷是3-[三(乙氧基/甲氧基)甲硅烷基]丙基]脲。

8.根据权利要求6的方法，其中交联剂是2-双(三乙氧基甲硅烷基)乙烷。

9.根据上述任一权利要求的方法，其中该方法在步骤(f)后进一步包括如下步骤：

(g)形成穿过在步骤(f)中形成的粘合制品的多个孔；

(h)将这些通孔的壁进行金属化以从通孔相反开口形成导电通路，从而形成多层电路板。