CN102405530B - 太阳能电池电极用膏组合物 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title abstract description 45
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000006071 cream Substances 0.000 claims description 42
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical group [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 4
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 13
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 12
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 6
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 6
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 3
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000001398 aluminium Chemical class 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- -1 frit Substances 0.000 description 1
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/80—Constructional details
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
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- C03C8/10—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing lead
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
- C03C8/18—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions containing free metals
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
- H01B1/08—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances oxides
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- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
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- H01B1/16—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
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- H01L31/0224—Electrodes
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Abstract
一种太阳能电池电极用膏组合物，是含有导电性粉末、玻璃料和载色剂的太阳能电池电极用膏组合物，其特征在于，所述玻璃料由按氧化物换算含有比例为PbO 46～57摩尔％、B2O31～7摩尔％、SiO238～53摩尔％的范围内的玻璃构成。
Description
技术领域
本发明涉及适合于采用烧成贯通法(fire through method)形成的太阳能电池电极用的膏组合物。
背景技术
例如，一般的硅系太阳能电池具有下述的结构：在作为p型多晶半导体的硅基板的上面隔着n+层具备防反射膜和受光面电极，并且，在其下面隔着p+层具备背面电极(以下，不区别它们时简单称为「电极」)。上述防反射膜是用于保证充分的可见光透射率，并且降低表面反射率的膜，由氮化硅、二氧化钛、二氧化硅等的薄膜构成。
上述的太阳能电池的受光面电极采用例如被称为烧成贯通的方法形成。在该电极形成方法中，例如在n+层上的整个面设置上述防反射膜后，采用例如丝网印刷法在该防反射膜上以适当的形状涂布导电性膏，并实施烧成处理。根据该方法，与部分地除去防反射膜并在该除去部分形成电极的情况相比，工序变得简单，也不产生除去部分与电极形成位置的位置偏差的问题。上述导电性膏例如是以银粉末、玻璃料(将玻璃原料熔融并急冷后，根据需要粉碎了的鳞片(flake)状或者粉末状的玻璃的碎片)、有机质载色剂和有机溶剂为主成分的膏，在烧成过程中，该导电性膏中的玻璃成分破坏防反射膜，因此通过导电性膏中的导体成分和n+层形成欧姆接触(例如，参照专利文献1)。
在这样的太阳能电池的受光面电极形成中，出于提高烧成贯通性改善欧姆接触，进而提高曲线因子(FF)和能量转换效率等的目的，一直以来提出了各种的方案。例如，有通过对导电性膏添加磷等的5族元素，来促进玻璃和银的对于防反射膜的氧化还原作用，提高烧成贯通性的方案(例 如，参照上述专利文献1)。另外，有通过对导电性膏添加氯化物、溴化物或者氟化物，使这些添加物辅助玻璃和银破坏防反射膜的作用以改善欧姆接触的方案(例如，参照专利文献2)。
另外，曾提出了在含有85～99重量％的银和1～15重量％的玻璃的含银膏中，将该玻璃的组成设为含有15～75摩尔％的PbO和5～50摩尔％的SiO2，且不含B2O3的组成的方案(例如，参照专利文献4)。该含银膏是用于太阳能电池的电极形成的膏，通过使用上述组成的玻璃来改善欧姆接触。
另外，曾提出了将银粉末、含锌添加剂和软化点在300～600℃的范围内的玻璃料分散于有机溶剂中的厚膜导电性组合物(例如，参照专利文献5)。该厚膜导电性组合物是用于形成太阳能电池的受光面电极的组合物，通过添加锌来改善导电性和焊料接合性。
另外，曾提出了含有氧化锌为40～70重量％、氧化铅为1～10重量％的范围内的玻璃料和银等的导电性材料的太阳能电池元件用导电性膏(例如，参照专利文献6)。根据这种膏，无需利用焊料等被覆电极表面即可确保接合强度，因此能够以高生产率制作可靠性高的电极层。
现有技术文献
专利文献1：日本特公平03-046985号公报
专利文献2：日本专利第3707715号公报
专利文献3：日本特开平11-329072号公报
专利文献4：日本特表2008-520094号公报
专利文献5：日本特开2006-302890号公报
专利文献6：日本特开2007-281023号公报
发明内容
但是，在利用了上述那样的烧成贯通法的太阳能电池制造中，烧成温度对太阳能电池输出功率有大的影响。如果烧成温度曲线从用于由电极用膏生成受光面电极的最佳烧成温度偏离，则玻璃和银破坏防反射膜的作用 降低，进而受光面电极和n+层的欧姆接触变差，因此太阳能电池输出功率降低。但是，在以往的电极用膏中，最佳烧成温度的范围为例如10℃以下左右，较小，因此难以确实地得到高输出功率的太阳能电池。这在如上述那样的用于改善欧姆接触的各种的提案中也是同样的。再者，在此，最佳烧成温度是得到曲线因子的最大值的温度。
还有，在现有的硅系太阳能电池的制造中，硅基板、防反射膜、n+层的各自的厚度尺寸等、每一片基板都有偏差，因此各自的最佳烧成条件由此出现偏差。虽然在各个基板中，曲线因子的最大值在足够宽的温度范围获得，但是由制造批次内的各个基板的最佳烧成温度范围的重叠范围确定的每个批次的最佳烧成温度范围起因于上述的偏差而变窄。再者，太阳能电池制造工序的生产节拍时间(tact time)是一片3秒左右，为极短的时间，因此考虑每一片的偏差来将烧成条件最佳化是不可能的。
本发明是将以上的情况为背景完成的，其目的在于提供一种太阳能电池制造的烧成工序中的最佳烧成温度范围宽的太阳能电池电极用膏组合物。
为了达到该目的，本发明的要旨在于，是含有导电性粉末、玻璃料和载色剂的太阳能电池电极用膏组合物，(a)上述玻璃料由以氧化物换算含有比例范围为PbO 46～57摩尔％、B2O31～7摩尔％、SiO238～53摩尔％的玻璃构成。
这样，太阳能电池电极用膏组合物，由于构成该组合物的玻璃料由含有比例范围为PbO 46～57摩尔％、B2O31～7摩尔％、SiO238～53摩尔％的玻璃构成，所以使用该组合物形成受光面电极的太阳能电池的最佳烧成温度范围变宽。例如，每制造批次的最佳烧成温度范围扩宽至30～40℃左右。因此，烧成贯通性提高，欧姆接触被改善，所以每制造批次的平均输出功率提高。
再者，在上述玻璃料组成中，PbO是使玻璃的软化点降低的成分，是为了可以进行低温烧成所必需的。在本发明中，为了获得良好的烧成贯通性，需要PbO为46摩尔％～57摩尔％。PbO量进一步优选为49摩尔％以 上，并进一步优选为54摩尔％以下。即，进一步优选为49～54摩尔％的范围。
另外，B2O3是玻璃形成氧化物(即制作玻璃的骨架的成分)，是为了降低玻璃的软化点所必需的成分。在本发明中，为了获得良好的烧成贯通性，需要B2O3为1摩尔％～7摩尔％。B2O3量进一步优选为3摩尔％以上，并进一步优选为5摩尔％以下。即，进一步优选为3～5摩尔％的范围。
另外，SiO2是玻璃形成氧化物，是为了提高玻璃的耐化学性所必需的成分。在本发明中，为了获得良好的烧成贯通性，需要SiO2为38摩尔％～53摩尔％。SiO2量进一步优选为43摩尔％以上，并进一步优选为48摩尔％以下。即，进一步优选为43～48摩尔％的范围。
再者，上述各成分难以一定特定在玻璃中以何种形态含有，但它们的比例全都是经氧化物换算的值。
另外，构成本发明的电极用膏的上述玻璃，在不损害其特性的范围可以含有其他各种的玻璃构成成分和/或添加物。例如，含有Al、Zr、Na、Li、Ca、Zn、Mg、K、Ti、Ba、Sr等也无妨。它们可以在例如合计10摩尔％以下的范围含有。
还有，上述专利文献3记载了由含有Bi2O320摩尔％以上、B2O350摩尔％以下、SiO260摩尔％以下的范围内的玻璃构成了玻璃料的导电性膏。该导电性膏是以对下述情况进行改善为目的的膏：在使用无铅焊料安装导线端子等的情况下，对于铅系玻璃而言，润湿性差，得不到连接可靠性。这样，虽然以往就提出了与本申请发明同样地着眼于构成导电性膏的玻璃料的组成的提案，但是上述导电性膏与本申请发明的电极用膏在目的和组成上都不同。
在此，优选的是，上述玻璃料的平均粒径在0.5～3μm的范围内。如果这样，则可得到印刷性进一步良好且获得进一步高的FF值的太阳能电池电极用膏组合物。平均粒径若为0.5μm以上，则膏调配时的分散性进一步优异，进而可获得良好的印刷性。另一方面，玻璃料的平均粒径越大则玻璃越难以熔融，有FF值降低的倾向，因此为了获得充分高的FF值，优选 平均粒径为3μm以下。
另外，优选的是，上述太阳能电池电极用膏组合物，是相对于膏整体以7～35体积％的范围内的比例含有上述玻璃料的组合物。如果这样，则通过膏中的玻璃料，防反射膜可以良好地被熔化，因此可获得进一步良好的欧姆接触，进而FF值进一步提高。如果玻璃料含有7体积％以上，则防反射膜的熔化性变得极高，因此最佳烧成温度范围进一步变宽。另外，若为35体积％以下则难以形成绝缘层，因此可确保电极和基板之间的高导电性。
另外，优选的是，上述导电性粉末为银粉末。作为导电性粉末也可以使用铜粉末和镍粉末等，但是银粉末可获得高的导电性因此最优选。
另外，优选的是，上述太阳能电池电极用膏组合物是含有64～90重量份的上述银粉末、5～20重量份的范围内的比例的上述载色剂的组合物。如果这样，则可得到印刷性良好，导电性高，可以制作焊料润湿良好的电极的导电性组合物。银粉末过少则得不到高的导电性，过量则流动性变低、印刷性变差。另外，玻璃料过少则与基板的粘附力不足，过量则在烧成后玻璃浮在电极表面，焊料润湿性变差。
再者，上述银粉末没有特别限定，在使用球状和鳞片状等的任何形状的粉末的情况都可以享受最佳烧成温度范围扩大这样的本发明的基本效果。但是，在使用了例如形成球状的银粉末的情况下，印刷性优异，并且涂布膜中的银粉末的填充率变高，因此与使用导电性高的银相辅相成，与使用鳞片状等的其他的形状的银粉末的情况相比，由其涂布膜生成的电极的导电率变高。因此，可以在确保必要的导电性的状态下进一步使线宽变细。因此，如果将该导电性组合物应用于受光面电极并使线宽变细，则可以进一步扩大能够吸收太阳能的受光面积，因此可以得到转换效率进一步高的太阳能电池。
另外，本申请发明的导电性组合物，是如上述那样可以合适地控制因烧成贯通引起的电极形成时的银的扩散的组合物，因此能够合适地用于受光面电极。但是，并不限于受光面电极，也可以作为背面电极使用。例如， 背面电极由覆盖整个面的铝膜和重叠于该铝膜的带状等的电极构成，但作为该带状电极的构成材料也合适。
另外，上述玻璃料可以在上述组成范围由可以玻璃化的各种原料合成，例如，可举出氧化物、碳酸盐、硝酸盐等，例如，作为Si源可以使用二氧化硅SiO2，作为B源可以使用氧化硼B2O3，作为Pb源可以使用铅丹Pb3O4。
另外，在为除了主要成分Si、B、Pb以外，还含有Al、Zr等的其他成分的组成的情况下，使用例如它们的氧化物、氢氧化物、碳酸盐、硝酸盐等即可。
附图说明
图1是表示本发明的一实施例的电极用膏组合物被应用于受光面电极的形成的太阳能电池的截面结构的模式图。
图2是表示图1的太阳能电池的受光面电极图案的一例的图。
图3是在三元状态图中表示在实施例和比较例中使用的玻璃料的主成分组成的图。
图4是在图3的三元状态图中，放大地表示实施例和比较例分布的区域的图。
图5是将图3的三元状态图的实施例分布的区域进一步放大，显示特别优选的范围的图。
具体实施方式
以下，参照附图详细地说明本发明的一实施例。再者，在以下的实施例中，图加以适当简化或者变形，各部分的尺寸比和形状等未必准确地被描绘。
图1模式地表示应用了本发明的一实施例的导电性组合物的硅系太阳能电池10的截面结构的图。在图1中，太阳能电池10具备例如作为p型多晶半导体的硅基板12、分别形成于其上下面的n+层14和p+层16、形成于该n+层14上的防反射膜18以及受光面电极20、和形成于该p+层16上 的背面电极22。
上述的n+层14和p+层16是通过在硅基板12的上下面形成杂质浓度高的层来设置的，该高浓度层的厚度尺寸、即层14、16的厚度尺寸例如分别为0.5μm左右。n+层14所含有的杂质为例如作为n型的掺杂物的磷(P)，p+层16所含有的杂质为例如作为p型的掺杂物的硼(B)。
另外，上述的防反射膜18是由例如氮化硅Si3N4等构成的薄膜，通过以例如可见光波长的1/4左右的光学厚度设置，被构成为10％以下、例如2％左右的极低的反射率。
另外，上述的受光面电极20是由例如一样的厚度尺寸的厚膜导体形成的，如图2所示，在受光面24的大致整个面，以构成具有多条的细线部的梳状的平面形状设置。上述的厚膜导体是由含有67～98重量％左右的Ag和2～33重量％左右的玻璃的厚膜银形成的，该玻璃是经氧化物换算的值，是分别含有46～57摩尔％的PbO、1～7摩尔％的B2O3、38～53摩尔％的范围内的比例的SiO2的铅玻璃。另外，上述的导体层的厚度尺寸在例如15～20μm的范围内、例如17μm左右，细线部的各自的宽度尺寸在例如80～130μm的范围内、例如100μm左右，具备足够高的导电性。
另外，上述的背面电极22，由整面电极26和带状电极28构成，该整面电极26在p+层16上大致整个面地涂布以铝为导体成分的厚膜材料而形成，该带状电极28由在该整面电极26上涂布成带状而形成的厚膜银形成。该带状电极28是为了能够在背面电极22上钎焊导线等而设置的。
如以上那样地构成的太阳能电池10，如上述那样，受光面电极20由含有2～33重量％的范围的上述的组成的铅玻璃的厚膜银构成，因此与自以往使用的应用了各种玻璃的太阳能电池相比，具有烧成余量大的优点。
如上述那样的受光面电极20是使用由例如导体粉末、玻璃料、载色剂和溶剂构成的电极用膏，采用众所周知的烧成贯通法形成的。将包括该受光面电极形成的太阳能电池10的制造方法的一例与比较例的导电性组合物的制造方法一起在以下进行说明。
首先，制作上述玻璃料。分别准备二氧化硅SiO2作为Si源，氧化硼 B2O3作为B源，铅丹Pb3O4作为Pb源，氧化铝Al2O3作为Al源，氧化锆ZrO2作为Zr源，氧化钠Na2O作为Na源，氧化锂Li2O作为Li源，氧化钙CaO作为Ca源，氧化锌ZnO作为Zn源，氧化镁MgO作为Mg源，进行称量并调配使得成为表1所示的组成。将其投入坩埚并在相应于组成的900～1100℃的范围内的温度下熔融30分钟～1小时左右以使其玻璃化。使用罐磨机等的适当的粉碎装置将得到的玻璃粉碎，得到了平均粒径为0.4μm、0.6μm、1.5μm、3.0μm、4.0μm的粉末。
表1
另外，作为上述导体粉末，准备例如平均粒径在1～3μm的范围内，例如2μm左右的市售的球状的银粉末。通过使用这样的平均粒径充分小的银粉末，可以提高涂布膜中的银粉末的填充率，进而提高导体的导电率。另外，上述载色剂是在有机溶剂中溶解有机粘合剂调制成的，作为有机溶剂，可使用例如丁基卡必醇乙酸酯(butyl carbitol acetate)，作为有机粘合剂，可使用例如乙基纤维素。载色剂中的乙基纤维素的比例为例如15重量％左右。另外，与载色剂区分开地添加的溶剂，例如为丁基卡必醇乙酸酯。即， 虽然并不限定于此，但可以是与用于载色剂中的溶剂相同的溶剂。该溶剂出于调整膏的粘度的目的而被添加。
分别准备以上的膏原料，称量例如64～82重量％的导体粉末、2～20重量％的玻璃料、13重量％的载色剂，3重量％的比例的溶剂，使用搅拌机等混合后，利用例如三辊磨机进行分散处理。由此，得到上述电极用膏。再者，在本实施例中将导体粉末和玻璃料的合计量设为84重量％，载色剂和溶剂的合计量设为16重量％。再者，上述表1归纳了各实施例和比较例中的玻璃料的组成和其粒径、添加量，以及评价了使用各个玻璃料形成了上述受光面电极20时的太阳能电池10的特性的结果。再者，在该表1中，玻璃料量以相对于膏整体的容积表示。
如上述那样地调制电极用膏，另一方面，在适当的硅基板上采用例如热扩散法和离子注入(ion implantation)等的众所周知的方法扩散或注入杂质来形成上述n+层14和p+层16，由此制作上述硅基板12。接着，在其上采用例如旋涂等的适当的方法形成氮化硅薄膜，从而设置上述防反射膜18。
接着，在上述的防反射膜18上以上述图2所示的图案将上述电极用膏进行丝网印刷。在例如150℃下将其干燥，而且，在近红外炉中在760～900℃的范围内的温度实施烧成处理。由此，在该烧成过程中电极用膏中的玻璃成分将防反射膜18熔化，该电极用膏破坏防反射膜18，因此得到电极用膏中的导体成分即银和n+层14的电连接，如上述图1所示，得到硅基板12和受光面电极20的欧姆接触。受光面电极20被这样地形成。
再者，上述背面电极22可以在上述工序之后形成，但也可以与受光面电极20同时地烧成来形成。在形成背面电极22时，在上述硅基板12的背面整个面采用丝网印刷法等涂布例如铝膏，并实施烧成处理，由此形成由铝厚膜构成的上述整面电极26。进而，在该整面电极26的表面采用丝网印刷法等将上述电极用膏涂布成带状并实施烧成处理，由此形成上述带状电极28。由此，形成由覆盖背面整个面的整面电极26和在其表面的一部分呈带状地设置的带状电极28构成的背面电极22，得到上述的太阳能电 池10。在上述工序中，通过同时烧成来制造的情况下，在受光面电极20的烧成前实施印刷处理。
上述的表1的右端两栏所示的特性，是在这样得到的太阳能电池10中，对于将玻璃的组成、粒径和添加量进行了各种变更的实施例和比较例的各个，使烧成温度在上述范围内变化来形成受光面电极20，测定得到的太阳能电池10的输出功率，评价了曲线因子FF的最大值、和得到比该最大值仅低1％的值以上的FF值的温度范围即烧成余量的结果。再者，太阳能电池10的输出功率使用市售的太阳能模拟器进行了测定。
在太阳能电池中，只要得到70以上的FF值就可以使用，但是当然FF值越高越好。在表1的实施例1～23中，得到了74～75的FF值，得到了充分高的输出功率。另外，在实施例1～23中，得到了30～40℃的充分宽的烧成余量。
即，根据表1所示的评价结果，如果在PbO为46～57摩尔％、B2O3为1～7摩尔％、SiO2为38～53摩尔％的范围内，则FF值充分高，并且烧成余量变得充分宽。另外，根据实施例11～18，即使在上述主要成分以外，还含有3摩尔％以下的Al2O3、5摩尔％以下的ZrO2、3摩尔％以下的Na2O、7摩尔％以下的Li2O、2摩尔％以下的CaO、1摩尔％以下的ZnO、5摩尔％以下的范围的MgO，也能够获得同样的特性。另外，根据实施例4、21～23，如果玻璃料的粒径在0.6～3.0μm的范围内，则可与粒径无关地获得高特性。另外，根据实施例10、19、20，如果为7～35体积％的范围内的添加量，则可与添加量无关地获得高特性。再者，上述玻璃量相对于膏整体相当于3～15重量％。
上述烧成余量在本实施例中，是考虑了制造批次内的基板厚度的偏差对最佳烧成温度的影响的值。即，即使考虑厚度的偏差，得到「FF最大值-1％」的温度范围也充分扩宽为30～40℃。
与此相对，在比较例1～11中，PbO、B2O3、SiO2的至少一个从上述优选范围偏离，因此成为得不到烧成余量，或者FF值低的结果。再者，对于比较例2、3等的FF最大值低于70的例子，作为太阳能电池不具有 充分的功能，因此未评价烧成余量。
另外，比较例12～15是玻璃组成包含在本发明的范围内的例子，与实施例1～22相比，停留在稍低的特性，但可以用于太阳能电池用途。因此，虽然它们也可以加在实施例中，但是在此分类成为比较例。比较例12、13的组成与实施例10相同，但是玻璃料的添加量过少(5体积％)或者过量(47体积％)，因此FF值停留在稍低的70～71。但是，该值满足作为太阳能电池用途的最低限的要求，烧成余量为30℃，充分宽，因此这样的构成也包含在本申请发明中。另外，比较例14、15的组成与实施例4相同，但是玻璃料的粒径过小(0.4μm)或者过大(4.0μm)，因此FF最大值低为71～72，烧成余量也停留在15～20℃的狭窄范围。但是，可以说该FF值满足作为太阳能电池用途的最低限的要求，烧成余量与10℃以下的比较例1～11相比也得以改善，因此这样的构成也包含在本申请发明中。
根据上述的实施例和比较例，如果构成玻璃料的玻璃组成在PbO为46～57摩尔％、B2O3为1～7摩尔％(优选为3摩尔％以上)、SiO2为38～53摩尔％的范围内，则可得到具有70以上的FF值和15℃以上的烧成余量的电极用膏。另外，如果玻璃料的添加量在7～35体积％的范围内，则可以得到比该范围外的情况高的FF值。另外，如果将玻璃料的粒径设在0.5～3.0μm(优选为0.6～3.0μm)的范围内，则可以将烧成余量扩宽到30℃以上。
图3是将在上述表1所示的实施例1～10和比较例1～11中分别使用的玻璃粉的主成分Pb、B、Si的构成比表示在三元状态图上的图，图4放大地表示将比较例11除外的其他的实施例、比较例的组成分布的区域。再者，上述的其他的实施例和比较例，比较例11是显著不同的组成，其他例子是含有其他的成分或者组成相同且粒径或添加量不同的例子，因此省略记载。
在图4中，由点划线包围且施加了斜线的范围是本发明的主成分的组成范围。比较例1～10的组成被选择使得分布在其周边。位于实施例的组成范围的较附近的比较例1、5～8，FF最大值充分高，但烧成余量变窄，为5～10℃。另外，从实施例的组成范围偏离较大的比较例2～4、9、10，FF最大值显著变小为低于70。此外，偏离大的比较例11也是同样。
从上述的图示结果判明，如果从实施例的组成范围偏离，则首先烧成余量变窄，如果进一步偏离则FF最大值变小，都不能够实现本申请发明的目的。
图5是将在图4中由点划线包围地示出的实施例的范围内和其附近的区域进一步放大地表示的图。如上述表1所示，在本实施例的范围内使用任意的组成的玻璃料的情况下，都得到74％以上的FF值和30℃以上的烧成余量。但是，如果使用在图5中由双点划线包围地显示的范围内的组成的玻璃料，则得到FF值为75％、烧成余量为40℃的进一步优选的结果。即，根据表1所示的评价结果，最优选使用PbO为49～54摩尔％、B2O3为3～5摩尔％、SiO2为43～48摩尔％的范围内的玻璃料。
总之，根据本实施例，太阳能电池10的电极用膏，构成该膏的玻璃料由PbO为49～57摩尔％、B2O3为1～7摩尔％、SiO2为38～53摩尔％的范围内的玻璃构成，因此使用该膏形成受光面电极20的太阳能电池10的最佳烧成温度范围变宽。例如，每个制造批次的最佳烧成温度范围扩宽至30～40℃左右。因此，烧成贯通性提高，欧姆接触被改善，所以每个制造批次的平均输出功率提高。
以上，参照附图详细地说明了本发明，但本发明也可以进一步以别的形态实施，在不脱离其主旨的范围可以加以各种变更。
例如，在上述实施例中，防反射膜18是由氮化硅膜构成的，但其构成材料并不特别限定，可以同样地使用由一般在太阳能电池中所使用的二氧化钛TiO2等的其他的各种的材料构成的防反射膜。
另外，在实施例中，对于本发明应用于硅系太阳能电池10的情况进行了说明，但本发明只要是可以采用烧成贯通法形成受光面电极的太阳能电池，则应用对象的基板材料没有特别的限定。
附图标记说明
10：太阳能电池、12：硅基板、14：n+层、16：p+层、18：防反射膜、20：受光面电极、22：背面电极、24：受光面、26：整面电极、28：带状电极。
Claims (3)
1.一种太阳能电池电极用膏组合物，是含有导电性粉末、玻璃料和载色剂的太阳能电池电极用膏组合物，其特征在于，
所述玻璃料由按氧化物换算含有比例范围为PbO46～57摩尔%、B2O31～7摩尔%、SiO238～53摩尔%的玻璃构成，
所述导电性粉末为银粉末。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池电极用膏组合物，其中，所述玻璃料的平均粒径在0.5～3μm的范围内。
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池电极用膏组合物，其中，相对于膏整体以7～35体积%的范围内的比例含有所述玻璃料。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009-043154 | 2009-02-25 | ||
| JP2009043154A JP5059042B2 (ja) | 2009-02-25 | 2009-02-25 | 太陽電池電極用ペースト組成物 |
| PCT/JP2010/051174 WO2010098167A1 (ja) | 2009-02-25 | 2010-01-28 | 太陽電池電極用ペースト組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102405530A CN102405530A (zh) | 2012-04-04 |
| CN102405530B true CN102405530B (zh) | 2014-08-27 |
Family
ID=42665377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201080017522.2A Expired - Fee Related CN102405530B (zh) | 2009-02-25 | 2010-01-28 | 太阳能电池电极用膏组合物 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8512601B2 (zh) |
| JP (1) | JP5059042B2 (zh) |
| KR (1) | KR101674233B1 (zh) |
| CN (1) | CN102405530B (zh) |
| DE (1) | DE112010000891T5 (zh) |
| TW (1) | TWI492245B (zh) |
| WO (1) | WO2010098167A1 (zh) |
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| JP2012142422A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Noritake Co Ltd | 太陽電池用導電性ペースト用ガラス |
| WO2013018408A1 (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 太陽電池用導電性ペースト組成物 |
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| JP2013243279A (ja) | 2012-05-22 | 2013-12-05 | Namics Corp | 太陽電池の電極形成用導電性ペースト |
| KR101600652B1 (ko) | 2012-11-12 | 2016-03-07 | 제일모직주식회사 | 태양전지 전극용 페이스트 및 이로부터 제조된 전극 |
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2009
- 2009-02-25 JP JP2009043154A patent/JP5059042B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-01-07 TW TW099100252A patent/TWI492245B/zh not_active IP Right Cessation
- 2010-01-28 DE DE112010000891T patent/DE112010000891T5/de not_active Withdrawn
- 2010-01-28 WO PCT/JP2010/051174 patent/WO2010098167A1/ja active Application Filing
- 2010-01-28 KR KR1020117022303A patent/KR101674233B1/ko active IP Right Grant
- 2010-01-28 US US13/203,359 patent/US8512601B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-01-28 CN CN201080017522.2A patent/CN102405530B/zh not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI492245B (zh) | 2015-07-11 |
| JP5059042B2 (ja) | 2012-10-24 |
| JP2010199334A (ja) | 2010-09-09 |
| DE112010000891T5 (de) | 2012-06-14 |
| TW201035993A (en) | 2010-10-01 |
| KR101674233B1 (ko) | 2016-11-08 |
| US8512601B2 (en) | 2013-08-20 |
| CN102405530A (zh) | 2012-04-04 |
| WO2010098167A1 (ja) | 2010-09-02 |
| US20110309312A1 (en) | 2011-12-22 |
| KR20110115620A (ko) | 2011-10-21 |
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|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
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| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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|
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