CN102386289A - 集成发光二极管封装方法 - Google Patents
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Abstract
一种集成发光二极管封装方法，包括下列步骤：固晶，将数个发光二极管晶粒芯片固定在支架上；第一次烘烤，固定各发光二极管晶粒芯片的支架送至烤箱烘烤；打线，烘烤后的支架移至打线设备；灌荧光粉与硅胶，打线完成的支架灌注荧光粉与硅胶；第二次烘烤，荧光粉沉淀后的支架依据选用的硅胶制程固化参数条件化进行第二次烘烤时间及温度设定；分光测试，第二次烘烤后的支架送入分光测试设备；切削表面，分光测试后的支架送至旋转切削加工装置的承载盘上，依据分光测试所得光学数据决定荧光粉层切削厚度；完成切削表面的成品进行分类包装。本发明能有效调整集成发光二极管荧光粉层厚度，提高集成发光二极管出光效率、产品色温稳定性以及色温集中率。
Description
技术领域
本发明涉及一种集成发光二极管封装方法，其能有效调整集成发光二极管其荧光粉层厚度，提升出光效率以及降低色温偏移量。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diodes；LED)是目前的新型光源，可借由改变所采用的半导体材料的化学组成成份，以发出各种不同颜色的光源。由于发光二极管具有高效率、寿命长、不易破损等优于传统光源的特性，因此传统光源渐渐被发光二极管取代于生活上各种光源的应用，且发光二极管在较低光源下有较佳效率(省电)特性，因此更广泛被应用于光度要求较低的道路、隧道、室内照明或者野外活动的灯具。
目前集成发光二极管的封装，主要是将两颗或多颗发光二极管晶粒芯片固定在支架上面，固定好芯片的支架送入烤箱，依据所选用的银胶或绝缘胶制程固化参数条件进行固化，烤好的支架送入打线设备进行芯片与支架的间的金线连接，打完线后的支架灌注荧光粉与硅胶，依据所选用的硅胶制程固化参数条件进行固化，烤好的支架送入分光测试备进行产品分类，产品分类后进行包装。
传统集成发光二极管其封装方法，将支架上已经灌好的荧光粉与硅胶的支架直接送入烤箱进行硅胶固化动作，但是因为每片支架其点胶时间的先后不同，造成不同程度的荧光粉沉淀浓度不同，所以会产生产品符合率以及产品良率不堪理想状况。到目前为止制程工艺方法很难控制集成发光二极管封装后的光色度集中率，都是依据所灌注荧光粉与硅胶自然溢流厚度决定其产品的光色度分布情况，且自然流溢后的荧光粉层厚度分布不均，以致出光效率变差，色温偏移量过大。
有鉴于此，本发明人以累积该项产业领域多年的实务与经验，进行制程上的研究与开发，而终于发明了一种「集成发光二极管封装方法」，解决以往荧光粉沉淀浓度不同所带来的产品缺陷。
发明内容
本发明所要解决的主要技术问题在于，克服现有技术存在的上述缺陷，而提供一种集成发光二极管封装方法，其荧光粉层均匀厚度，可以提高集成发光二极管出光效率、产品色温稳定性以及色温集中率，不会造成自然流溢后的荧光粉层厚度分布不均。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：
一种集成发光二极管封装方法包括有下列步骤；
(1)固晶，将数个发光二极管晶粒芯片固定在支架上；
(2)第一次烘烤，固定各发光二极管晶粒芯片的支架送至烤箱烘烤；
(3)打线，烘烤后的支架移至打线设备，将各发光二极管晶粒芯片与支架的间以金线打线连接；
(4)灌荧光粉与硅胶，打线完成的支架灌注荧光粉与硅胶；
(5)第二次烘烤，荧光粉沉淀后的支架依据选用的硅胶制程固化参数条件化进行第二次烘烤时间及温度设定；
(6)分光测试，第二次烘烤后的支架送入分光测试设备，依据所测得光学数据进行分类；
(7)切削表面，分光测试后的支架送至旋转切削加工装置的承载盘上，并依据分光测试所得光学数据决定荧光粉层切削厚度，进行集成发光二极管表面平整化切削动作，使得各发光二极管晶粒芯片上方形成均匀厚度荧光粉层；
(8)包装，完成上述切削表面的成品进行分类包装。
本发明「集成发光二极管封装方法」进一步包括有下列技术特征；
1.该发光二极管晶粒芯片以银胶或绝缘胶固定在支架上。
2.在第一次烘烤时，其依据选用的银胶或绝缘胶制程固化参数条件进行第一次烘烤时间及温度设定。
3.在第二次烘烤时，其依据选用的银胶或绝缘胶制程固化参数条件进行第二次烘烤时间及温度设定。
4.依据分光测试所得光学数据决定荧光粉层切削厚度，设定承载盘旋转速度、夹刀移动机构移动范围及夹刀移动机构切削量。
5.在切削表面时，对于集成发光二极管其荧光粉层表面为凸形型态，其切削方式是由中心点向外围切割。
6.在切削表面时，对于集成发光二极管其荧光粉层表面为凹形型态，其切削方式是由外围向内中心点方向进行切割。
本发明的有益效果是，其荧光粉层均匀厚度，可以提高集成发光二极管出光效率、产品色温稳定性以及色温集中率，不会造成自然流溢后的荧光粉层厚度分布不均。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是本发明流程图。
图2是本发明集成发光二极管其荧光粉层表面为凸形型态示意图。
图3是本发明集成发光二极管置放于旋转切削加工装置的承载盘上，并以夹刀移动机构对集成发光二极管进行切削表面示意图。
图4是本发明以集成发光二极管其荧光粉层表面为凸形型态加工流程示意图。
图5是本发明集成发光二极管其荧光粉层表面为凹形型态示意图。
图6是本发明以集成发光二极管其荧光粉层表面为凹形型态加工流程示意图。
图中标号说明：
1支架 2发光二极管晶粒芯片
3金线 4荧光粉
5硅胶 6旋转切削加工装置
61承载盘 62马达
7夹刀移动机构
具体实施方式
为了达到上述集成发光二极管荧光粉层均匀厚度，而可以提高集成发光二极管出光效率、产品色温稳定性以及色温集中率，不会造成自然流溢后的荧光粉层厚度分布不均。本发明于下列举一实施例，并请配合参阅图1及图2所示，图1显示本发明集成发光二极管封装方法的流程图，而图2是以集成发光二极管其荧光粉层表面为凸形型态为例；该方法包括有下列步骤所完成；
(1)固晶，将数个发光二极管晶粒芯片2固定在支架1上；各发光二极管晶粒芯片2以银胶或绝缘胶固定在支架1上，在本实施例以银胶为例；
(2)第一次烘烤，固定好各发光二极管晶粒芯片2的支架1送至烤箱烘烤；在第一次烘烤时，其依据选用的银胶或绝缘胶制程固化参数条件进行第一次烘烤时间及温度设定；
(3)打线，烘烤后的支架1移至打线设备，进行各发光二极管晶粒芯片2与支架1的间以金线3打线连接；
(4)灌荧光粉与硅胶，打线完成的支架1灌注荧光粉4与硅胶5；此时荧光粉4与硅胶5于支架1上呈混料状态；
(5)第二次烘烤，荧光粉4沉淀后的支架1依据选用的硅胶制程固化参数条件化进行第二次烘烤时间及温度设定；在第二次烘烤时，其依据选用的银胶或绝缘胶制程固化参数条件进行第二次烘烤时间及温度设定
(6)分光测试，第二次烘烤后的支架1送入分光测试设备，依据所测得光学数据进行分类；
(7)切削表面，分光测试后的支架1送至旋转切削加工装置6的承载盘61上，并依据分光测试所得光学数据决定荧光粉层切削厚度，同时设定承载盘61旋转速度(在此以马达62驱动承载盘61旋转)、夹刀移动机构7移动范围及夹刀移动机构7切削量，进行集成发光二极管表面平整化切削动作，而在此集成发光二极管其荧光粉层表面为凸形型态为例，因此其切削方式是由中心点向外围切割，如图3与图4所示；使得各发光二极管晶粒芯片2上方形成均匀厚度荧光粉层；
(8)包装，完成上述切削表面的成品进行分类包装。
经由上述说明后可明白，本发明利用在切削表面时，依据分光测试所得光学数据决定荧光粉层切削厚度，进行集成发光二极管表面平整化切削动作，而得以让集成发光二极管荧光粉层有均匀厚度，而可以提高集成发光二极管出光效率、产品色温稳定性以及色温集中率，不会造成自然流溢后的荧光粉层厚度分布不均，据此达成本发明的目的与功效。而且本发明运用于白光的发光二极管能提升产品良率，及产品符合率，同时更能提高白光发光二极管的光强度与光效能。
此外，本发明另外亦可适用于集成发光二极管其荧光粉层表面为凹形型态如图5与图6所示，其切削方式是由外围向内中心点方向进行切割。
Claims (7)
1.一种集成发光二极管封装方法，其特征在于，包括下列步骤；
固晶，将数个发光二极管晶粒芯片固定在支架上；
第一次烘烤，固定各发光二极管晶粒芯片的支架送至烤箱烘烤；
打线，烘烤后的支架移至打线设备，将各发光二极管晶粒芯片与支架之间以金线打线连接；
灌荧光粉与硅胶，打线完成的支架灌注荧光粉与硅胶；
第二次烘烤，荧光粉沉淀后的支架依据选用的硅胶制程固化参数条件化进行第二次烘烤时间及温度设定；
分光测试，第二次烘烤后的支架送入分光测试设备，依据所测得光学数据进行分类；
切削表面，分光测试后的支架送至旋转切削加工装置的承载盘上，并依据分光测试所得光学数据决定荧光粉层切削厚度，进行集成发光二极管表面平整化切削动作，使得各发光二极管晶粒芯片上方形成均匀厚度荧光粉层；
包装，完成上述切削表面的成品进行分类包装。
2.根据权利要求1所述的集成发光二极管封装方法，其特征在于，各所述发光二极管晶粒芯片以银胶或绝缘胶固定在支架上。
3.根据权利要求2所述的集成发光二极管封装方法，其特征在于，在第一次烘烤时，其依据选用的银胶或绝缘胶制程固化参数条件进行第一次烘烤时间及温度设定。
4.根据权利要求2所述的集成发光二极管封装方法，其特征在于，在第二次烘烤时，其依据选用的银胶或绝缘胶制程固化参数条件进行第二次烘烤时间及温度设定。
5.根据权利要求1所述的集成发光二极管封装方法，其特征在于，在切削表面时，其依据分光测试所得光学数据决定荧光粉层切削厚度，设定承载盘旋转速度、夹刀移动机构移动范围及夹刀移动机构切削量。
6.根据权利要求1所述的集成发光二极管封装方法，其特征在于，在削表面时，对于集成发光二极管其荧光粉层表面为凸形型态，其切削方式是由中心点向外围切割。
7.根据权利要求1所述的集成发光二极管封装方法，其特征在于，在切削表面时，对于集成发光二极管其荧光粉层表面为凹形型态，其切削方式是由外围向内中心点方向进行切割。
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