CN103515368B - 发光二极管封装方法 - Google Patents

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Abstract

一种发光二极管封装方法，包括步骤：提供一具有多个通孔的板材，所述通孔贯穿板材的上、下表面；在板材的下表面设置蓝膜，使蓝膜覆盖各通孔在板材下表面一侧的开口，以使蓝膜与通孔内壁共同形成朝向板材上表面开口的凹槽；从板材的上表面一侧向凹槽内注入混有荧光物质的胶体；使胶体中的荧光物质沉淀至凹槽底部的蓝膜上；向每个凹槽内嵌设发光二极管晶粒并使该发光二极管晶粒位于凹槽内的顶部位置。该种方法制作的封装结构通过将荧光物质沉淀至凹槽底部、并在凹槽内的顶部位置嵌设发光二极管晶粒，使得荧光物质与发光二极管晶粒相互隔离，如此能够避免使用过程中因高温发光二极管晶粒将热量直接传给荧光物质而对封装结构可靠性造成的不利影响。

Description

发光二极管封装方法
技术领域
本发明涉及一种半导体的制造方法，尤其涉及一种发光二极管封装方法。
背景技术
相比于传统的发光源，发光二极管（Light Emitting Diode，LED）具有重量轻、体积小、污染低、寿命长等优点，其作为一种新型的发光源，已经被越来越多地应用到各领域当中，如路灯、交通灯、信号灯、射灯及装饰灯等。
现有的发光二极管封装结构通常包括基板、位于基板上的电极、承载于基板上并与电极电性连接的发光二极管芯片以及设置在发光二极管芯片上的的荧光层及封装胶。
现有的发光二极管封装方法通常先将发光二极管晶粒设置在基板上，然后采用注胶(injection)或者转注成形(transfer molding)的方式在发光二极管晶粒上形成包含有荧光物质的荧光层。但是该种封装方法使得荧光物质直接与发光二极管晶粒接触，在使用过程中，发光二极管晶粒的高温会使荧光物质受热过多而造成整个封装结构可靠性降低的影响。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种能够确保封装结构可靠性的发光二极管封装方法。
一种发光二极管封装方法，包括步骤：提供一具有多个通孔的板材，所述通孔贯穿板材的上、下表面；在板材的下表面设置蓝膜，使蓝膜覆盖各通孔在板材下表面一侧的开口，以使蓝膜与通孔内壁共同形成朝向板材上表面开口的凹槽；从板材的上表面一侧向凹槽内注入混有荧光物质的胶体；使胶体中的荧光物质沉淀至凹槽底部的蓝膜上；向每个凹槽内嵌设发光二极管晶粒并使该发光二极管晶粒位于凹槽内的顶部位置。
该种发光二极管封装方法将荧光物质沉淀至凹槽底部、并在凹槽内的顶部位置嵌设发光二极管晶粒，从而使得荧光物质与发光二极管晶粒相互隔离，避免使用过程中因高温发光二极管晶粒将热量直接传给荧光物质而对封装结构可靠性造成的不利影响。此外，该封装方法被用于封装白光发光二极管时，其荧光物质的设置方式还能够增进白光发光二极管的光输出。
下面参照附图，结合具体实施方式对本发明作进一步的描述。
附图说明
图1~图12为本发明实施方式提供的发光二极管封装方法的各步骤示意图。
主要元件符号说明
发光二极管封装体 10
板材 11
上表面 110
下表面 112
通孔 12
开口 120、122
蓝膜 13
凹槽 14
胶体 15
荧光物质 150
发光二极管晶粒 16
透明胶体 17
基板 18
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
本发明实施方式提供的发光二极管封装方法包括以下步骤。
第一步，请参见图1及图2，提供一具有多个通孔12的板材11，所述通孔12贯穿板材11的上、下表面110、112，如图1及图2所示。
该通孔12在板材11的上表面110处形成开口120，并在板材11的下表面112处形成开口122。所述开口120、122的形状可为圆形、方形或椭圆形等。本实施例中，该通孔12的内壁设置成为倾斜状，也即，该通孔12的口径自下表面112向上表面110逐渐缩小。进一步的，本实施例中，各通孔12在板材11上、下表面110、112处分别形成椭圆形开口。
第二步，请一并参见图3，在板材11的下表面112设置蓝膜13，使蓝膜13覆盖各通孔12在板材11下表面112一侧的开口122，以使蓝膜13与通孔12内壁共同形成朝向板材11上表面110开口的凹槽14。
第三步，参见图4，从板材11的上表面110一侧向凹槽14内注入混有荧光物质150的胶体15。
所述胶体15经由开口120注入凹槽14中，并覆盖于凹槽14底部的蓝膜13上。本实施例中，胶体15的高度低于凹槽14的深度。
第四步，参见图5，使胶体15中的荧光物质150沉淀至凹槽14底部的蓝膜13上。
在此，可采用重力沉降或离心沉降的方法使胶体15中的荧光物质150沉淀至凹槽14底部的蓝膜13上。
第五步，向每个凹槽14内嵌设发光二极管晶粒16并使该发光二极管晶粒16位于凹槽14内的顶部位置。
该步骤中，首先用透明胶体17填满凹槽14内未被混有荧光物质150的胶体15填满的空间，如图6所示；然后，提供事先设置在一具有电路结构的基板18上、并电连接至基板18的电路结构的发光二极管晶粒16，如图7所示；接着，再将发光二极管晶粒16从板材11的上表面110一侧嵌入所述透明胶体17内，如图8及图9所示。从而，发光二极管晶粒16被封装在位于凹槽14顶部位置的透明胶体17内，而荧光物质150位于凹槽14底部位置的蓝膜13上。
第六步，去除蓝膜13并切割板材11以得到多个分离的发光二极管封装体10。
参见图10，待胶体15以及透明胶体17固化后去除蓝膜13，并沿图11所示虚线切割板材11，以得到多个分离的、如图12所示的发光二极管封装体10。
该种发光二极管封装方法将荧光物质150沉淀至凹槽14底部、并在凹槽14内的顶部位置嵌设发光二极管晶粒16，从而使得荧光物质150与发光二极管晶粒16相互隔离，避免使用过程中因高温发光二极管晶粒16将热量直接传给荧光物质150而对封装结构可靠性造成的不利影响。此外，该封装方法被用于封装白光发光二极管时，其荧光物质的设置方式还能够增进白光发光二极管的光输出。
需要说明的是，所述板材11的材质可为塑胶或金属等，当板材11由塑胶制成时，为使通孔12的内壁具有反光特性，在第一步与第二部之间、或在第二步与第三步之间还可包括“在通孔12内壁上形成反射层”的步骤。当然，该板材11也可由具有反光性能的金属制成，从而使得通孔12的内壁无需额外形成反射层即可具有反光的功效，因此可相应的省略“在通孔12内壁上形成反射层”的步骤。
此外，上述第三步中注入的胶体15量以覆盖住凹槽14底部的蓝膜、并不溢出凹槽14为准。换句话说，胶体15并不局限于上述实施例中所述的“高度低于凹槽14的深度”，只要该胶体能够覆盖住凹槽14底部的蓝膜、并不溢出凹槽14即可。例如，该胶体15可以完全填满整个凹槽14，待沉降荧光物质150之后，则无需再填充透明胶体17，直接将发光二极管晶粒16嵌入位于荧光物质150上方的胶体15中即可。
可以理解的是，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术构思做出其它各种相应的改变与变形，而所有这些改变与变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (3)

1.一种发光二极管封装方法，包括以下步骤：
步骤一，提供一具有多个通孔的板材，所述通孔贯穿板材的上、下表面；
步骤二，在板材的下表面设置蓝膜，使蓝膜覆盖各通孔在板材下表面一侧的开口，以使蓝膜与通孔内壁共同形成朝向板材上表面开口的凹槽；
步骤三，从板材的上表面一侧向凹槽内注入混有荧光物质的胶体；
步骤四，使胶体中的荧光物质沉淀至凹槽底部的蓝膜上；以及
步骤五，向每个凹槽内嵌设发光二极管晶粒并使该发光二极管晶粒位于凹槽内的顶部位置；
步骤六，去除蓝膜并切割板材以得到多个分离的发光二极管封装体。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装方法，其特征在于，所述步骤一提供的板材的各通孔在板材上、下表面处分别形成椭圆形开口，所述通孔的口径自下表面向上表面逐渐缩小。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装方法，其特征在于，所述步骤一和步骤二之间还包括步骤：在通孔内壁上形成反光层。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008205149A (ja) * 2007-02-20 2008-09-04 Towa Corp 発光体の形成方法及び金型
CN102244179A (zh) * 2010-05-13 2011-11-16 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
CN102386289A (zh) * 2011-10-27 2012-03-21 宁波瑞昀光电照明科技有限公司 集成发光二极管封装方法
CN102456813A (zh) * 2010-10-29 2012-05-16 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管及制造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008205149A (ja) * 2007-02-20 2008-09-04 Towa Corp 発光体の形成方法及び金型
CN102244179A (zh) * 2010-05-13 2011-11-16 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
CN102456813A (zh) * 2010-10-29 2012-05-16 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管及制造方法
CN102386289A (zh) * 2011-10-27 2012-03-21 宁波瑞昀光电照明科技有限公司 集成发光二极管封装方法

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