CN102376617A - 基板载置台、在基板载置面形成树脂突起物层的方法以及树脂突起物层复制部件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种在无需加热基板载置台就能够在基板载置面形成树脂突起物层的基板载置面形成树脂突起物层的方法。包括：贴合步骤，将树脂突起物层复制部件(40)的涂布在树脂突起物层(43)的第二粘合剂层(44)向基板载置面(55)按压，将树脂突起物层(43)贴合到基板载置面(55)，其中，树脂突起物层复制部件(40)包括：基体材料片材(41)；隔着第一粘合剂层(42)贴合到基体材料片材(41)的一面的树脂突起物层(43)；和涂布在树脂突起物层(43)的第二粘合剂层(44)，和基体材料片材剥离步骤，将基体材料片材(41)从贴合的树脂突起物层(43)剥离。

Description

基板载置台、在基板载置面形成树脂突起物层的方法以及树脂突起物层复制部件
技术领域
本发明涉及在基板处理装置的处理室内载置基板的基板载置台、在该基板载置台的基板载置面形成树脂突起物层的方法以及适用于该方法的树脂突起物层复制部件。 
背景技术
在以液晶显示装置(LCD)为首的FPD(Flat Panel Display：平板显示器)的制造工序中，公知有对以玻璃基板为首的各种基板进行等离子体处理的基板处理装置。 
在这种基板处理装置中，具有在处理室(以下称为‘腔室’)内对玻璃基板(以下仅称为‘基板’)进行支承的基板载置台；和与该基板载置台隔着处理间隔以相对的方式配置的上部电极，向作为下部电极发挥功能的基板载置台施加等离子体生成用的高频电力(RF)，并且，向处理空间导入处理气体来生成等离子体，使用生成的等离子体对载置在基板载置台的基板载置面的基板进行规定的等离子体处理。 
在基板载置台的基板载置面，通常形成有氧化铝(Al2O3)喷镀膜作为绝缘层。构成氧化铝喷镀膜的氧化铝的硬度是HV1000左右，由于比一般的玻璃基板的硬度即HV640更硬，因此，在将基板载置于基板载置台并通过静电卡盘进行静电吸附时，存在由氧化铝喷镀膜对基板的里面造成损伤的问题。 
另一方面，在将基板载置于平面状的基板载置面时，存在异物容易附着到基板的里面的问题，为了避免这些问题，尝试在基板载置面形成突起物层并通过点抵接对基板进行支承，开发有在基板载置面形成具有多个突起的突起层的技术(例如参照专利文献1)。 
专利文献1：日本特开2008-251574号公报 
发明内容
但是，为了防止尘埃等的异物的附着并且对基板的里面不造成损伤，需要在基板载置面形成由硬度比基板的材质即玻璃更小的材料构成的突起。另外，在基板载置面一次形成多个突起物非常困难。 
但是，作为在基板处理装置的处理室内能够适用的硬度比玻璃小的材料，例如列举有聚四氟乙烯(商品名：特氟龙((Teflon)(注册商标))等的树脂。作为使特氟龙(注册商标)膜或由特氟龙(注册商标)形成的突起物复制到结构部件表面的方法，一般采用通过静电粉末喷涂使由特氟龙(注册商标)形成的粉吸附到被复制面并加热到400℃左右的发热胶着方法，但基板载置台的耐热温度例如是100℃以下，不能采用这样的发热胶着方法。 
本发明的第一课题是提供一种基板载置台，其不对载置于基板载置面的基板的里面造成由于基板载置面的材质引起的损伤。另外，本发明的第二课题是提供一种树脂突起物层复制部件，其能够在基板载置台的基板载置面一次形成多个由树脂突起物形成的树脂突起物层。另外，本发明的第三课题是提供一种在基板载置面形成树脂突起物层的方法，该方法无需加热基板载置台就能在基板载置面形成树脂突起物层。 
为了解决上述第一课题，本发明第1方面记载的基板载置台，是在对矩形的基板实施等离子体处理的基板处理装置的处理室内载置上述基板的基板载置台，其特征在于：在载置有上述基板的基板载置面，形成有隔着粘合剂层贴合在上述基板载置面上的排列有多个树脂突起物的树脂突起物层。 
本发明第2方面记载的基板载置台，其特征在于：在本发明第1方面记载的基板载置台中，上述树脂突起物层由多个截面为Φ0.5～2.0mm、并且高度为30～80μm的圆柱状的树脂突起物以2～10mm的间距排列而成。 
本发明第3方面记载的基板载置台，其特征在于：在本发明第1或第2方面记载的基板载置台中，上述树脂突起物由聚四氟乙烯、环氧树脂、硅树脂、聚酰亚胺树脂、聚醚酰亚胺树脂以及耐热性橡胶中 的任一种形成。 
为了解决上述第二课题，本发明第4方面记载的树脂突起物层复制部件，在对矩形的基板进行等离子体处理的基板处理装置的处理室内载置上述基板的基板载置台的基板载置面，将树脂突起物层进行复制，其特征在于，包括：基体材料片材；涂布在该基体材料片材的一面的第一粘合剂层；贴合在该第一粘合剂层的树脂突起物层；和涂布在该树脂突起物层的第二粘合剂层。 
本发明第5方面记载的树脂突起物层复制部件，其特征在于：在本发明第4方面记载的树脂突起物层复制部件中，上述树脂突起物层，由多个截面为Φ0.5～2.0mm、并且高度为30～80μm的圆柱状的树脂突起物以2～10mm的间距排列而成。 
本发明第6方面记载的树脂突起物层复制部件，其特征在于：在本发明第4或第5方面记载的树脂突起物层复制部件中，上述树脂突起物由聚四氟乙烯、环氧树脂、硅树脂、聚酰亚胺树脂、聚醚酰亚胺树脂以及耐热性橡胶中的任一种形成。 
本发明第7方面记载的树脂突起物层复制部件，其特征在于：在本发明第4至6的任一方面记载的树脂突起物层复制部件中，上述第二粘合剂层与上述基板载置面的粘合力，大于上述第一粘合剂层与上述树脂突起物层的粘合力。 
本发明第8方面记载的树脂突起物层复制部件是本发明第4至7的任一方面记载的树脂突起物层复制部件，其特征在于：在上述第二粘合剂层上贴合有保护片材。 
为解决上述第三课题，本发明第9方面记载的在基板载置面形成树脂突起物层的方法，是在对矩形的基板实施等离子体处理的基板处理装置的处理室内载置上述基板的基板载置台的基板载置面形成树脂突起物层的方法，其特征在于，包括：贴合步骤，其将涂布在树脂突起物层复制部件的上述树脂突起物层的第二粘合剂层按压至上述基板载置面来将上述树脂突起物层贴合至上述基板载置面，其中，上述树脂突起物层复制部件包括：基体材料片材、隔着第一粘合剂层贴合到该基体材料片材的一面的树脂突起物层、和涂布在该树脂突 起物层的第二粘合剂层；和基体材料片材剥离步骤，其将上述基体材料片材从上述贴合的树脂突起物层剥离。 
本发明第10方面记载的是如本发明第9方面记载的在基板载置面形成树脂突起物层的方法，其特征在于：上述树脂突起物层，由多个截面为Φ0.5～2.0mm并且高度为30～80μm的圆柱状的树脂突起物以2～10mm的间距排列而成。 
本发明第11方面记载的是如本发明第9或第10方面记载的在基板载置面形成树脂突起物层的方法，其特征在于：上述树脂突起物由聚四氟乙烯、环氧树脂、硅树脂、聚酰亚胺树脂、聚醚酰亚胺树脂以及耐热性橡胶中的任一种形成。 
本发明第12方面记载的是如本发明第9至11的任一方面记载的在基板载置面形成树脂突起物层的方法，其特征在于：在上述基板载置面形成有氧化铝喷镀膜，上述第二粘合剂层与上述氧化铝喷镀膜的粘合力，大于上述第一粘合剂层与上述树脂突起物层的粘合力。 
本发明第13方面记载的是如本发明第9至12的任一方面记载的在基板载置面形成树脂突起物层的方法，其特征在于：在上述树脂突起物层复制部件的上述第二粘合剂层贴合有保护片材，在上述贴合步骤的前段步骤中，存在对上述保护片材进行剥离的保护片材剥离步骤。 
本发明第14方面记载的是如本发明第9至13的任一方面记载的在基板载置面形成树脂突起物层的方法，其特征在于：在上述基体材料片材剥离步骤的后段步骤中存在涂布步骤，该涂布步骤以覆盖贴合在上述基板载置面的上述树脂突起物层的方式涂布涂层剂。 
根据本发明的基板载置台，不对载置于基板载置面的基板的里面造成由于基板载置面的材质引起的损伤。另外，根据本发明的树脂突起物层复制部件，能够在基板载置台的基板载置面一次形成多个由树脂突起物形成的树脂突起物层。另外，根据本发明的在基板载置面形成树脂突起物层的方法，能够无需加热基板载置台就能在基板载置面形成树脂突起物层。 
附图说明
图1是表示本发明的实施方式涉及的基板载置台适用的基板处理 装置的概略结构的截面图。 
图2是表示本发明的实施方式涉及的树脂突起物层复制部件的概略结构的截面图。
图3是本发明的实施方式涉及的在基板载置面形成树脂突起物层的方法的工序图。 
图4是表示本发明涉及的基板载置台即在基板载置面形成有树脂突起物层的基板载置台的基板载置面的俯视图。 
符号说明 
10基板处理装置 
12基板载置台(基座) 
13基材 
13a基板载置面 
40树脂突起物层复制部件 
41基体材料片材 
42第一粘合剂层 
43树脂突起物层 
43a树脂突起物 
44第二粘合剂层 
具体实施方式
以下，参照附图，针对本发明的实施方式进行详细地说明。 
图1是表示本发明的实施方式涉及的基板载置台适用的基板处理装置的概略结构的截面图。该基板处理装置例如对液晶显示装置(LCD)制造用的玻璃基板进行规定的等离子体处理。 
在图1中，基板处理装置10具有收容例如一边是数米的矩形的玻璃基板G(以下仅称为‘基板’)的处理室(腔室)11，在该腔室11内部的图中下方配置有载置基板G的载置台(基座)12。基座12例如由表面被铝阳极化处理过的铝构成的基材13构成，基材13隔着绝缘部件14被支承于腔室11的底部。基材13呈截面凸型，在上部设置有内置有静电电极板16的静电卡盘54，其上部平面形成载置基板G的 基板载置部13a。 
以包围基板载置面13a的周围的方式，设置有作为屏蔽部件的屏蔽环15，屏蔽环15由例如由氧化铝等的绝缘性的陶瓷构成的长条状物件(长尺寸状物件)即环构成零件的组合体形成。 
静电电极板16与直流电源17连接，在向静电电极板16施加正的直流电压时，在载置于基板载置面13a的基板G的静电电极板16一侧的面(以下称为‘里面’)产生负电位，由此在静电电极板16和基板G的里面之间产生电位差，基板G被由该电位差引起的库仑力或约翰逊-拉别克(Johnson-Rahbek)力吸附并保持于基板载置面13a。 
在基材13的内部设置有用于对基材13和载置于基板载置面13a的基板G的温度进行调节的温度调节机构(省略图示)。该温度调节机构例如循环供给有冷却水或galden(ガルデン：注册商标)等的制冷剂，被该制冷剂冷却的基材13对基板G进行冷却。 
在基材13的周围配置有作为侧密封部件的绝缘环18，其覆盖包含与屏蔽环15和基材13的抵接部的侧面。绝缘环18是绝缘性的陶瓷，例如由氧化铝构成。 
在贯通腔室11的底壁、绝缘部件14以及基材13的贯通孔，可升降地插通有升降销21。升降销21在载置于基板载置面13a的基板G的搬入和搬出时动作，在将基板G搬入到腔室11内时或从腔室11搬出时，上升至基座12的上方的搬送位置，在此之外的情况下，以埋设状态收纳于基板载置面13a内。 
在基板载置面13a，开口有省略图示的多个传热气体供给孔。多个传热气体供给孔与传热气体供给部连接，从传热气体供给部向基板载置面13a和基板G的里面的间隙供给传热气体例如氦气(He)气体。向基板载置面13a和基板G的里面的间隙供给的氦气气体，将基板G的热有效地传导给基座12。 
基座12的基材13经由匹配器24与用于供给高频电力的高频电源23连接。从高频电源23施加有例如13.56MHz的高频电力(RF)，基座12作为下部电极发挥功能。匹配器24降低来自基座的高频电力的反射并使高频电力对基座12的施加效率最大。 
在基板处理装置10中，由腔室11的内侧壁和基座12的侧面形成 有侧方排气路26。该侧方排气路26经由排气管27与排气装置28连接。作为排气装置28的TMP(Turbo Molecular Pump)以及DP(Dry Pump)(均省略图示)对腔室11内进行抽真空来进行减压。具体而言，DP将腔室11内从大气压减压至中真空状态(例如1.3×10Pa(0.1Torr)以下)，TMP与DP联合将腔室11内减压至比中真空状态更低的压力的高真空状态(例如1.3×10-3Pa(1.0×10-5Torr)以下)。其中，腔室11内的压力由APC阀(省略图示)控制。 
在腔室11的顶部部分，以与基座12相对的方式配置有喷淋头30。喷淋头30具有内部空间31，并且，具有向与基座12之间的处理空间S排出处理气体的多个气体孔32。喷淋头30接地，与作为下部电极发挥功能的基座12一起构成一对平行平板电极。 
喷淋头30经由气体供给管36与处理气体供给源39连接。在气体供给管36设置有开关阀37和质量流量控制器38。另外，在处理腔室11的侧壁设置有基板搬入搬出口34，该基板搬入搬出口34通过门阀35能够打开和关闭。而且，作为处理对象的基板G，经由该门阀35被搬入和搬出。 
在基板处理装置10中，从处理气体供给源39经由处理气体导入管36供给处理气体。被供给的处理气体经由喷淋头30的内部空间31以及气体孔32被导入腔室11的处理空间S。被导入的处理气体，被从高频电源23经由基座12向处理空间S施加的等离子体生成用的高频电力(RF)激发而成为等离子体。等离子体中的离子被引向基板G，对基板G实施规定的等离子体蚀刻处理。 
基板处理装置10的各结构部分的动作，基板处理装置10具备的控制部(省略图示)的CPU按照对应等离子体蚀刻处理的程序进行控制。 
接着，对在图1的基板处理装置10中的基板载置台12的基板载置面13a形成树脂突起物层时适用的树脂突起物层复制部件，进行说明。 
图2是表示本发明的实施方式涉及的树脂突起物层复制部件的概略结构的截面图。 
在图2中，该树脂突起物层复制部件40主要包括：基体材料片 材41；涂布在该基体材料片材41的一面的第一粘合剂层42；涂布在该第一粘合剂层42上的排列有多个树脂突起物43a的树脂突起物层43；和涂布在该树脂突起物层43的各突起物43a的表面的第二粘合剂层44。在第二粘合剂层44的表面，根据需要贴合有保护片材45。由此，能够防止异物附着到树脂突起物层43的表面，确保清洁状态。 
树脂突起物层复制部件40例如按照以下方式制造。 
例如准备由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)形成的厚度为50～100μm的基体材料片材41，在该基体材料片材41的一面，通过涂布机均匀地涂布作为第一粘合剂的丙烯酸类粘合剂，形成第一粘合剂层42。第一粘合剂层42的厚度例如是30～100μm。 
其次，将树脂突起物43a例如浮雕状多个排列的树脂突起物层43贴合至第一粘合剂层42。具体而言，树脂突起物层43例如由使用开有多个孔的冲孔金属状的模板，对特氟龙(注册商标)形成的板状物进行冲孔而形成。将在涂布有第一粘合剂层42的基体材料片材41中的涂布第一粘合剂层42的面按压至形成的浮雕状的树脂突起物层43，对树脂突起物层43进行卷绕。 
在这样形成的树脂突起物层43的表面，即树脂突起物层43的树脂突起物43a中的与第一粘合剂层42抵接的面相反的面，例如通过涂布机涂布作为第二粘合剂的硅系粘合剂来形成第二粘合剂层44，成为树脂突起物复制部件40。第二粘合剂层44的厚度例如是10～30μm。 
根据本实施方式，在基体材料片材41的一面隔着第一粘合剂层42贴合由多个树脂突起物43a形成的树脂突起物层43，在其表面涂布有第二粘合剂层44，因此，对作为复制树脂突起物层43的复制材的基板载置面，按压第二粘合剂层44，然后通过将基体材料片材41剥离，在基板载置面能够一次形成由多个树脂突起物43a形成的树脂突起物层43。 
在本实施方式中，作为基体材料片材41，除了PET之外，还能够使用PP、聚酯等。另外，作为形成第一粘合剂层42的第一粘合剂，除了丙烯酸系之外，还能过使用硅系、橡胶系粘合剂。作为形成第二粘合剂层44的第二粘合剂，除了硅系之外，例如还能够使用丙烯酸系粘 合剂等。另外，作为保护片材45例如适合使用PET、PP等。 
其次，对本发明的实施方式涉及的在基板载置面形成树脂突起物层的方法进行说明。 
图3是本发明的实施方式涉及的在基板载置面形成树脂突起物层的方法的工序图。 
当在基板载置台的基板载置面形成树脂突起物层时，优选：在基板载置面的周围设置台阶部，其仅高出与在基板载置面形成的树脂突起物层的厚度相同的高度。由此，能够避免在基板载置面形成的树脂突起物层的剥离、损伤等，并将供给至载置面上的热传导气体密闭，能够提高热传导效率。 
以下，针对使用图2的树脂突起物复制部件40，在基板载置面的周围具有台阶部的基板载置台的基板载置面形成树脂突起物层的方法进行说明。 
首先，准备在基板载置面的周围具有台阶部的基板载置台(图3(A))。该基板载置台12主要包括：由表面被铝阳极化处理过的铝形成的基材13和设置在该基材13的凸状部的上部平面的静电卡盘54。静电卡盘54包括绝缘性的氧化铝(Al2O3)层52和内置在该氧化铝层52的静电电极板16，在氧化铝层52的上部平面的周围具有与在基板载置面形成的树脂突起物层相同高度的台阶部56。 
接着，这样的基板载置台12中的静电卡盘54的基板载置面13a，与涂布在图2的树脂突起物层复制部件40的树脂突起物层43的第二粘合剂44抵接。具体而言，将树脂突起物层复制部件40的保护片材45剥离(保护片材剥离步骤)，由此，使浮雕状地排列有多个树脂突起物43a的树脂突起物层43露出，在该状态下，树脂突起物层43上的第二粘合剂层44与基板载置面13a抵接，使树脂突起物层43贴合(图3(B))。 
接着，将在基板载置面13a贴合有树脂突起物层43的状态的树脂突起物层复制部件40的基体材料片材41的一个面朝向基板载置面13a均匀地按压，使树脂突起物层43可靠地贴合到基板载置面13a。这样，在将树脂突起物层43贴合之后，缓慢地剥离基体材料片材41。由此，在基板载置面13a得到复制、形成有树脂突起物层43的基板载置台(图 3(C))。 
接着，根据需要，以覆盖形成有浮雕状的树脂突起物层43的基板载置面的树脂突起物层43的方式形成涂层。作为涂层剂，例如适合使用硅树脂。由此，能够提高形成在基板载置面13a的浮雕状的树脂突起物层43的粘合力并能够确保强度。 
图4是表示在基板载置面13a形成有树脂突起物层43的基板载置台的基板载置面13a的俯视图。 
在图4中，在基板载置台12的基板载置面13a形成有浮雕状地排列有多个树脂突起物43a的树脂突起物层43。 
根据本实施方式，使用粘合剂将树脂突起物层43复制至基板载置面13a并贴合，因此，不需要加热基板载置台12就能够在基板载置面13a形成树脂突起物层43。因此，也能够充分适用于耐热温度例如100℃以下和较低的基板载置台。 
另外，不需要特殊的加工装置或夹具，因此即使在现场也能够通过简单的方法，较容易地进行树脂突起物层43的设置以及更换。 
在本实施方式中，树脂突起物层43的树脂突起物43a的大小，例如是截面为Φ0.5～2.0mm，高度例如是30～80μm的圆柱状。树脂突起物层43a的间距例如是5mm。因此在基板载置面55形成有数万个的树脂突起物43a。树脂突起物层43a的间距优选2～10mm，更加优选4～7mm。当间距过小时，难以形成突起物层，当间距过大时，具有突起物的强度不足的问题。 
在本实施方式中，作为树脂突起物43a的形成材料，例如能够适用聚四氟乙烯(特氟龙(注册商标))、环氧树脂、硅树脂、聚酰亚胺树脂、聚醚酰亚胺树脂、以氟橡胶为首的耐热性橡胶等，特别适合使用特氟龙(注册商标)。 
作为树脂突起物43a的形成材料，通过使用特氟龙(注册商标)，能够得到以下的效果。 
特氟龙(注册商标)具有耐腐蚀性，对适用于等离子体处理的各种处理气体具有耐性。另外，特氟龙(注册商标)与氧化铝相比热传导率小，因此作为突起物的材料，在使用特氟龙(注册商标)时和使用氧化铝时，向基板载置面13a和在该基板载置面13a载置的基板G 的里面的间隙经由供给的传热用的氦气气体的热的传导方法和经由突起物的热的传导方法的差，在使用特氟龙为突起物(注册商标)时较小，能够抑制由于基板G的里面的热分布导致的蚀刻斑的产生。另外，特氟龙(注册商标)的介电常数较小，在与氦气气体一起形成的电场强度分布中没有产生极端的峰值等的特异点，因此，能够抑制由于基板G的里面的电场分布导致的蚀刻斑的产生。并且，特氟龙(注册商标)的滑动性良好，磨耗较少，因此例如能够通过擦拭较容易地进行清洁等。 
在本实施方式中，适用于树脂突起物层复制部件40的第二粘合剂层的粘合力优选大于第一粘合剂层的粘合力，更加具体而言，例如优选：以构成由氧化铝喷镀膜52形成的基板载置面13a的氧化铝与涂布于树脂突起物层43的表面的第二粘合剂层的粘合力A，大于涂布于基体材料片材41的第一粘合剂层与树脂突起物层43的粘合力B的方式，形成各粘合剂层。由此，在使树脂突起物层复制部件40的树脂突起物层43贴合到基板载置面13a之后，将基体材料片材41剥离时，树脂突起物层43贴到基体材料片材41而不从基板载置面13a剥离，因此能够可靠地将树脂突起物层复制部件40的树脂突起物层43复制到基板载置面13a。另一方面，为了防止在将保护片材45剥离时，树脂突起物层43从基体材料片材41剥离，所以需要以保护片材45与第二粘合剂层的粘合力C弱于上述粘合力B的方式选择保护片材的材料，对保护片材进行非粘合处理。 
根据本实施方式涉及的基板载置台，即在载置有基板的基板载置面形成有排列有多个树脂突起物43a的树脂突起物层43，不存在对载置于基板载置面13a的基板G的里面造成损伤的问题。另外，能够通过点抵接对基板进行支承，因此能够减低反应副生成物等的沉积附着到基板的里面的机会。 
在上述的各实施方式中，基板不仅仅是液晶显示器(LCD)用的玻璃基板，也可以是以有机电致发光(Electro Luminescence：EL)显示器、等离子体显示器面板(PDP)等为首的FPD(Flat Panel Display)使用的各种基板。 

Claims (14)

1.一种基板载置台，其在对矩形的基板实施等离子体处理的基板处理装置的处理室内载置所述基板，该基板载置台的特征在于：
在载置有所述基板的基板载置面，形成有隔着粘合剂层贴合在所述基板载置面上的排列有多个树脂突起物的树脂突起物层。
2.如权利要求1所述的基板载置台，其特征在于：
所述树脂突起物层，由多个截面为Φ0.5～2.0mm、高度为30～80μm的圆柱状的树脂突起物以2～10mm的间距排列而成。
3.如权利要求1或2所述的基板载置台，其特征在于：
所述树脂突起物由聚四氟乙烯、环氧树脂、硅树脂、聚酰亚胺树脂、聚醚酰亚胺树脂和耐热性橡胶中的任一种形成。
4.一种树脂突起物层复制部件，其在对矩形的基板实施等离子体处理的基板处理装置的处理室内，将树脂突起物层复制到载置所述基板的基板载置台的基板载置面，该树脂突起物层复制部件的特征在于，包括：
基体材料片材；
涂布于该基体材料片材的一面的第一粘合剂层；
贴合于该第一粘合剂层的树脂突起物层；和
涂布于该树脂突起物层的第二粘合剂层。
5.如权利要求4所述的树脂突起物层复制部件，其特征在于：
所述树脂突起物层，由多个截面为Φ0.5～2.0mm、高度为30～80μm的圆柱状的树脂突起物以2～10mm的间距排列而成。
6.如权利要求4或5所述的树脂突起物层复制部件，其特征在于：
所述树脂突起物由聚四氟乙烯、环氧树脂、硅树脂、聚酰亚胺树脂、聚醚酰亚胺树脂和耐热性橡胶中的任一种形成。
7.如权利要求4或5所述的树脂突起物层复制部件，其特征在于：
所述第二粘合剂层与所述基板载置面的粘合力，大于所述第一粘合剂层与所述树脂突起物层的粘合力。
8.如权利要求4或5所述的树脂突起物层复制部件，其特征在于：
在所述第二粘合剂层上贴合有保护片材。
9.一种在基板载置面形成树脂突起物层的方法，其在对矩形的基板实施等离子体处理的基板处理装置的处理室内，在载置所述基板的基板载置台的基板载置面形成树脂突起物层，该在基板载置面形成树脂突起物层的方法的特征在于，包括：
贴合步骤，其将涂布在所述树脂突起物层复制部件的所述树脂突起物层的第二粘合剂层向所述基板载置面按压来将所述树脂突起物层贴合到所述基板载置面，其中，所述树脂突起物层复制部件包括：基体材料片材；隔着第一粘合剂层贴合到该基体材料片材的一面的树脂突起物层；和涂布在该树脂突起物层的第二粘合剂层，和
基体材料片材剥离步骤，其将所述基体材料片材从贴合的所述树脂突起物层剥离。
10.如权利要求9所述的在基板载置面形成树脂突起物层的方法，其特征在于：
所述树脂突起物层，由多个截面为Φ0.5～2.0mm、高度为30～80μm的圆柱状的树脂突起物以2～10mm的间距排列而成。
11.如权利要求9或10所述的在基板载置面形成树脂突起物层的方法，其特征在于：
所述树脂突起物由聚四氟乙烯、环氧树脂、硅树脂、聚酰亚胺树脂、聚醚酰亚胺树脂和耐热性橡胶中的任一种形成。
12.如权利要求9或10所述的在基板载置面形成树脂突起物层的方法，其特征在于：
在所述基板载置面形成有氧化铝喷镀膜，所述第二粘合剂层与所述氧化铝喷镀膜的粘合力，大于所述第一粘合剂层与所述树脂突起物层的粘合力。
13.如权利要求9或10所述的在基板载置面形成树脂突起物层的方法，其特征在于：
在所述树脂突起物层复制部件的所述第二粘合剂层贴合有保护片材，在所述贴合步骤的前段步骤中，具有对所述保护片材进行剥离的保护片材剥离步骤。
14.如权利要求9或10所述的在基板载置面形成树脂突起物层的方法，其特征在于：
在所述基体材料片材剥离步骤的下段步骤中具有涂布步骤，以覆盖贴合在所述基板载置面的所述树脂突起物层的方式涂布涂层剂。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103605267A (zh) * 2013-10-23 2014-02-26 上海华力微电子有限公司 远程射频等离子体源的隔离结构
CN103811332A (zh) * 2014-02-14 2014-05-21 北京京东方显示技术有限公司 一种干法刻蚀设备的下部电极基台和干法刻蚀设备
CN111383986A (zh) * 2018-12-27 2020-07-07 东京毅力科创株式会社 基板载置台及基板处理装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7343314B2 (ja) * 2018-07-12 2023-09-12 住友化学株式会社 ステージ、物性測定装置および測定方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101261952A (zh) * 2007-03-06 2008-09-10 东京毅力科创株式会社 基板载置台以及基板处理装置
JP2008251737A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Tomoegawa Paper Co Ltd 静電チャック装置用電極部材ならびにそれを用いた静電チャック装置および静電吸着解除方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2519528B2 (ja) * 1989-02-09 1996-07-31 ハニー化成株式会社 透明導電層を有する可塑化軟質合成樹脂製品および透明導電層形成用転写部材
JP2823883B2 (ja) * 1989-04-10 1998-11-11 リンテック株式会社 ウエハ貼着用粘着シート
JP4387563B2 (ja) * 2000-06-05 2009-12-16 住友大阪セメント株式会社 サセプタ及びサセプタの製造方法
JP3626933B2 (ja) * 2001-02-08 2005-03-09 東京エレクトロン株式会社 基板載置台の製造方法
JP2006206787A (ja) * 2005-01-31 2006-08-10 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム及びそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置。
JP2008028297A (ja) * 2006-07-25 2008-02-07 Zaiken:Kk 静電チャック
JP2010088153A (ja) * 2008-09-29 2010-04-15 Tdk-Lambda Corp 電子機器

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101261952A (zh) * 2007-03-06 2008-09-10 东京毅力科创株式会社 基板载置台以及基板处理装置
JP2008251737A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Tomoegawa Paper Co Ltd 静電チャック装置用電極部材ならびにそれを用いた静電チャック装置および静電吸着解除方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103605267A (zh) * 2013-10-23 2014-02-26 上海华力微电子有限公司 远程射频等离子体源的隔离结构
CN103605267B (zh) * 2013-10-23 2017-04-12 上海华力微电子有限公司 远程射频等离子体源的隔离结构
CN103811332A (zh) * 2014-02-14 2014-05-21 北京京东方显示技术有限公司 一种干法刻蚀设备的下部电极基台和干法刻蚀设备
CN103811332B (zh) * 2014-02-14 2016-05-25 北京京东方显示技术有限公司 一种干法刻蚀设备的下部电极基台和干法刻蚀设备
CN111383986A (zh) * 2018-12-27 2020-07-07 东京毅力科创株式会社 基板载置台及基板处理装置

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