CN102361031A - 一种用于soi高压集成电路的半导体器件 - Google Patents
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN 201110318010 CN102361031B (zh) | 2011-10-19 | 2011-10-19 | 一种用于soi高压集成电路的半导体器件 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN 201110318010 CN102361031B (zh) | 2011-10-19 | 2011-10-19 | 一种用于soi高压集成电路的半导体器件 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102361031A true CN102361031A (zh) | 2012-02-22 |
CN102361031B CN102361031B (zh) | 2013-07-17 |
Family
ID=45586311
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 201110318010 Expired - Fee Related CN102361031B (zh) | 2011-10-19 | 2011-10-19 | 一种用于soi高压集成电路的半导体器件 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102361031B (zh) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C53 | Correction of patent of invention or patent application | ||
CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Wang Zhuo Inventor after: Qiao Ming Inventor after: Zhou Xin Inventor after: Wen Hengjuan Inventor after: He Yitao Inventor after: Zhang Wentong Inventor after: Xiang Fan Inventor after: Ye Jun Inventor after: Zhang Bo Inventor before: Qiao Ming Inventor before: Zhou Xin Inventor before: Wen Hengjuan Inventor before: He Yitao Inventor before: Zhang Wentong Inventor before: Xiang Fan Inventor before: Ye Jun Inventor before: Zhang Bo |
|
COR | Change of bibliographic data |
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|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |