CN102341209B - 在工件上形成图案的方法、定形用于所述方法的电磁辐射束的方法、以及用于定形电磁辐射束的孔 - Google Patents

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Abstract

一种在工件(1260)上形成图案(700)的方法包括在工件上放置图案掩模(1210),在图案掩模上放置孔(100,500,600,1220),并且将所述工件放置在电磁辐射的束(1240)中。该孔包括三个相邻的部分。第一部分(310)具有第一侧(311)、第二侧(312)、以及第一长度(313)。第二部分(320)具有与第二侧相邻的第三侧(321)、第四侧(322)、第二长度(323)、以及第一宽度(324)。第三部分(330)具有与第四侧相邻的第五侧(331)、第六侧(332)、以及第三长度(333)。第一和第三长度基本上相等。第一和第三部分是互补的形状,如这里所定义的。

Description

在工件上形成图案的方法、定形用于所述方法的电磁辐射束的方法、以及用于定形电磁辐射束的孔
技术领域
所公开的本发明的实施例总地涉及在微电子器件中形成特征图案(feature pattern),并且更具体地涉及在工件图案形成中的图案接合(stitching)。
背景技术
微电子器件依靠导电迹线和其它特征的复杂图案来实现适当的性能。典型地,产生此类图案包含在介电材料内形成沟槽(稍后被填充)。可以例如通过被称作激光烧蚀图案化的过程来形成此类沟槽,在所述过程中,激光束用于在介电材料中烧蚀期望的图案。
激光投射图案化(LPP)是一种版本的激光烧蚀图案化。在LPP中,同步的扫描烧蚀技术是优选于逐步的烧蚀技术的。在同步的扫描方案中,激光束照射图案掩模,并且通过具有特定的放大或者缩小比的投射光学器件投射到工件上。掩模和工件典型地被安装在分开的运动平台上,并且在相反的方向上移动。在它们移动时,矩形的激光束扫过掩模和工件,以形成长度等于矩形束的长度的图案带。
需要相对较高的能量密度,以便成功地烧蚀介电材料并且形成图案,由此将激光束尺寸限制到以下程度:在不将多个子图案接合在一起的情况下,大面积的图案化是不可能的。封装基板的不断缩小的特征尺寸要求用于图案接合的极高的定位精确度。
附图说明
结合附图阅读以下的详细描述,所公开的实施例将被更好地理解,附图中:
图1是根据本发明的实施例的模板(template)内的孔的平面图;
图2是图1的孔和模板的横截面视图;
图3和图4是根据本发明的实施例的图1的孔的平面图;
图5和图6是根据本发明的其它实施例的孔的平面图;
图7是可以根据本发明的实施例形成的示例迹线图案的平面图;
图8a-c是在使用传统的激光束时图案接合的可能结果的横截面图;
图9a-c是根据本发明的实施例的通过孔由激光烧蚀产生的示例沟槽的横截面图;
图10是图示根据本发明的实施例的定形电磁辐射的束的方法的流程图;
图11是图示根据本发明的实施例的在工件上形成图案的方法的流程图;以及
图12是根据本发明的实施例的烧蚀设置的示意表示。
为了图示的简单性和清楚性,附图图示构造的一般方式,并且可以省略公知的特征和技术的描述和细节以避免不必要地混淆本发明的所描述的实施例的讨论。另外,附图中元件不一定按比例绘制。例如,附图中的某些元件的尺寸可能相对于其它元件被夸大,以帮助改进对本发明的实施例的理解。不同图中的相同的附图标记表示相同的元件,而相似的附图标记可以、但不一定表示相似的元件。
说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等等(如果有的话)用于在相似的元件之间进行区分并且不一定用于描述特定的顺序或者时间次序。应当理解:这样使用的术语在适当的情况下是可互换的,从而这里描述的本发明的实施例例如能够以这里图示或者以其他方式描述的顺序之外的顺序操作。相似地,如果这里将方法描述为包括一系列步骤,如这里给出的这种步骤的次序不一定是可以执行此类步骤的唯一次序,并且所述步骤中某些可以可能地被省略,和/或这里未描述的某些其他步骤可以可能地被添加到该方法。此外,术语“包括”、“包含”、“具有”以及其任何变型意在覆盖非排他性的包含,从而包括一系列元素的过程、方法、物件或装置不一定限于这些元素,而是可以包括未明确列出的或者这种过程、方法、物件或装置固有的其它元素。
说明书和权利要求书中的术语“左”、“右”、“前”、“后”、“顶部”、“底部”、“上面”、“下面”等(如果有的话)是用于描述目的,并且不一定用于描述永久的相对位置。应理解:这样使用的术语在适当的情况下是可交换的,从而这里描述的本发明的实施例例如能够以这里图示或者以其他方式描述的那些定向之外的其他定向操作。如这里使用的术语“耦合”被定义为以电气或者非电气方式直接或间接连接。这里描述为彼此“相邻”的对象可以彼此物理接触、彼此紧邻、或者彼此在同一总的地区或区域中,如对于其中使用该短语的上下文所合适的。本文中短语“在一个实施例中”的出现不一定全都指相同的实施例。
具体实施方式
在本发明的一个实施例中,在工件上形成图案的方法包括在工件上放置图案掩模,在图案掩模上放置孔,并且将孔、图案掩模、以及工件放置在电磁辐射的束中。所述孔包括三个相邻的部分。第一部分具有第一侧、相对的第二侧、以及第一长度。第二部分具有与第二侧相邻的第三侧、相对的第四侧、第二长度、以及第一宽度。第三部分具有与第四侧相邻的第五侧、相对的第六侧、以及第三长度。第一长度和第三长度基本上彼此相等。第一部分和第三部分是互补的形状,如这里所定义的。
如上面提到的,微电子器件的不断缩小的特征尺寸要求用于图案接合的极高水平的精确度。传统的接合非常复杂,并且要求使用昂贵的精密运动系统。由于本发明的实施例从本质上容忍定位不精确,因此对运动系统精度的要求明显放松。所需要的运动系统的复杂度和成本也明显减少。
如在下面将详细描述的,本发明的实施例使用特定的束形状以及受控制的重叠接合区域,以便实现无缝地将多个子图案接合成期望的较大的特征图案。由此使得可以使用激光烧蚀图案化来对任何尺寸的工件进行图案化,而不受激光能量预算的限制。在特定的实施例中,如将被解释的,特殊的束形状允许通过互补的加性的激光烧蚀来在重叠区域中进行无缝的图案化。
现在参照附图,图1是根据本发明的实施例的模板101内的孔100的平面图,以及图2是其横截面图。作为示例,孔100适于定形电磁辐射的束。如图1和2中所图示,孔100包含在模板101内,模板101包括透明材料210和金属叠层(overlay)120。作为示例,透明材料210可以是玻璃等的层,其部分地由金属叠层120覆盖。金属叠层120中的开口121在透明材料210中形成窗口,并且此窗口是孔100。金属叠层120可以由铬、铝、金、或任何其它适当的金属制成。
图3和图4是根据本发明的实施例的孔100的平面图,并且现在将参照图3和图4两者来陈述孔100的更详细的描述。为了加强图示的清楚性,在图3中出现的一些附图标记在图4中省略,反之亦然。如所图示的,孔100包括部分310,其具有侧311、相对侧312、以及作为侧311与侧312之间的最短距离的长度313。注意:在所图示的实施例中,部分310是在侧311处具有顶点317的三角形,但是其它配置也是可能的,如将在下面描述的。孔100还包括部分320,其具有侧321、相对侧322、作为侧321与侧322之间的最短距离的长度323、以及沿着全部长度323基本上不变的宽度324(这意味着,至少对于所图示的实施例,部分320具有矩形形状)。如所示的,部分320的侧321与部分310的侧312相邻(这里意味着共线)。孔100另外还包括部分330,其具有侧331、相对侧332、以及作为侧331与侧332之间的最短距离的长度333。长度333与长度313基本上彼此相等。部分330的侧331与部分320的侧322相邻(再次,这里意味着共线)。注意:在所图示的实施例中,像部分310那样,部分330是在侧332处具有顶点337的三角形。
如在图中清楚的,部分310和330的宽度沿着它们的长度变化。这可能在图4中最好地图示,其中示出:部分310在相对于侧311(参见图3)偏移量j1的点处具有宽度W1,并且在相对于侧311偏移量j2的点处具有(更大的)宽度W2。更一般地,在距侧311的距离J处,部分310具有宽度Wj。类似地,部分330在相对于侧331(参见图3)偏移量k1的点处具有宽度W3,并且在相对于侧331偏移量k2的点处具有(更小的)宽度W4。更一般地,在距侧331的距离K处,部分330具有宽度Wk。可以看到:偏移量J和K在零与长度313的大小之间变化。(从上文回忆:长度333基本上等于长度313)。孔100的条件是:对于J=K,Wj+Wk等于宽度324。换言之,部分310在相对于侧311偏移第一偏移量的点处的宽度加上部分330在相对于侧331偏移相同偏移量的点处的宽度,对于第一偏移量的所有值,都等于部分320的宽度(即,宽度324)。这里使用词语“互补”来标识上述条件对于其为真的部分或者形状。
孔100是包括这种互补部分的孔的一个示例。分别在图5和图6中描绘的孔500和600图示包括互补部分的其它孔。(孔500和600每个具有三个(未标记的)部分,其对应于孔100的部分310、320和330,并且每个部分的侧、长度、以及其它特征类似于孔100中的对应部分的对应特征)。图5和图6两者中描绘了代表偏移j1处的孔的宽度的线W1和代表偏移k1处的孔的宽度的线W2
图3(或图4)与图5的比较将示出:部分310以及孔500的对应部分都是在线311(或者图5中的对应线)上具有顶点的三角形,并且部分330和孔500的对应部分两者也都是在线332(或者图5中的对应线)上具有顶点的三角形。部分310和330是互补部分,并且它们在孔500中的相应部分也是如此。据此,可以推知:部分310和330将是互补的形状,无论顶点317和顶点337的位置如何,只要顶点317和337分别位于沿着侧311和331的同一点。换言之,任意两个具有相等的底边以及相等的高度的三角形形状将在上述意义上互补。(为了确保上面的术语是清楚的,应当说明:部分310的底边是线312,部分330的底边是线331,部分310的高度是长度313,以及部分330的高度是长度333。还应当说明:在不是三角形的情况下,各部分可以是互补的,此事实例如在图6中示出。)。
根据本发明的实施例,可以使用诸如图1-6中描绘的孔之类的孔,以在微电子和其它器件中产生特征图案。为此,可以利用激光束或者具有足以烧蚀下层的材料的强度的电磁辐射的另一束来照射所述孔。在一个实施例中,工件处大约每平方厘米1焦耳的强度可以是足够的。在穿过孔之后具有与孔相同的形状的激光束产生具有与激光束垂直扫描相同的轮廓的锥形侧壁。激光能量分布在整个横截面区域上是均匀的。烧蚀深度与激光停留时间成比例,该激光停留时间继而与沿着束的长度的束宽度成比例。更具体地,对应于孔的第二部分(320)的烧蚀深度等于目标烧蚀深度,在一个实施例中其的范围是10-30微米(在下文中称为“微米”或“μm”),而烧蚀深度随着其远离部分320移动而在两侧部分(310和330)不断减小。烧蚀深度从侧部分的底边(部分210的312和部分310的331)到顶点(部分210的313和部分330的332),从全烧蚀深度变化为零,从而在束的两侧处形成斜坡(slope)。给出典型的1:20的斜坡作为示例,并且大约10-30μm的目标烧蚀深度,侧部分的高度(对应于长度313和333)在该实施例中可以是大约200-600μm。
上面提到了要在微电子器件的基板上形成的迹线图案和其它特征图案通常如此大,以致于所述图案不可以在激光束的单次通过中形成。这在图7中描绘,图7是可以根据本发明的实施例形成的示例迹线图案700的平面图。为了产生图案,在一个实施例中,通过使得激光束在箭头701的方向上跨迹线图案700移动来烧蚀工件材料的适当区域。(可替代地,可以使得迹线图案700在激光束的下面在相反方向上移动)。当此发生时,激光束切出沟槽,其具有在各处都与激光停留时间成比例的深度,该激光停留时间继而与沿着束的长度的束宽度成比例,如上面所提到的。
图7中孔100的外形指示迹线图案700太大而不能在激光束的单次通过中产生。迹线图案700因此必须使用多个激光束扫描来产生,其中由于下面将要解释的原因,每个扫描沿着工件的与孔100的总长度一样宽的带或区域来烧蚀适当的材料。这些区域必须被接合在一起,意味着特定区域的后沿必须精确地与前面的区域的前沿对齐,以便产生无缝图案。如上面讨论的,微电子器件的特征尺寸使得要求用于图案接合的极高的精度水平。仍然参照图7,包括迹线图案700的位于线710左侧的区段的第一区域将需要接合到第二区域,该第二区域包括迹线图案700的位于线710的右侧的区段。
在实践中,使用传统的形成具有基本上直的侧壁的烧蚀图案的矩形激光束,几乎不可能实现所要求的精度。难度在图8a、图8b、以及图8c中进行了图示。在图8a中,在激光束的两个连续的扫描中形成两个区域(矩形1234和1’2’3’4’)。这里,图案接合已经通过使线1’-2’与线3-4完全对齐来实现。因而,图8a图示了理想情况。
更典型地,利用矩形束来进行图案接合导致诸如图8b和图8c中所示的情况之类的情况,其中连续的扫描不完全对齐。在图8b中,两个扫描被源于x维度中的正定位误差的柱802分开。柱802的出现意味着:两个区域彼此分开。任何这种分开,即使非常小,也将导致对于跨两个区域的所有特征(即,在两个区域中具有部分的所有特征)的电开路。在图8c中,两个扫描插入有源于x维度中的负定位误差的重叠803。(注意:x和z维度处于不同的标度(scale))。在重叠803的边界内,工件将被烧蚀所期望的两倍那样多,从而留下比目标明显更深的特征810。这可以导致层到层的电短路、早期可靠性故障等等。
上面的接合困难和定位误差可以通过使用由根据本发明的实施例的孔定形的电磁辐射的束来克服。一个这种实施例在图9a-9c中图示,它们是根据本发明的实施例的、通过诸如在这里描述的孔之类的孔由激光烧蚀产生的示例沟槽900的横截面图。(注意:对于图9a-c,如同图8a-c那样,x维度和z维度处于不同的标度。)。
具有诸如这里所公开的孔之类的孔的形状的激光束(即,由所述孔定形的激光束)产生锥形侧壁而不是垂直侧壁。锥形侧壁通过允许与传统的矩形束相比明显更高的对于定位不精确的容忍来使图案接合期间定位误差的副作用明显地最小化或者甚至消除。
图9a描绘了理想情况,其中沟槽900再次在激光束的两个分开的扫描中被图案化,而没有定位误差。在图9a的上下文中,这意味着:在第二扫描中,顶点A’与线C-E对齐。如所示的,这对应于针对连续的束扫描的偏移p。在此理想情况下,由部分ABF产生的侧壁与由形状CDE产生的侧壁精确对齐。反向锥形轮廓合计达等于部分BCEF的深度的均匀烧蚀深度。注意:p等于部分ABF的长度加上部分BCEF的长度。在图3的语言中,p=长度313+长度323。
在第一扫描期间,激光束切出形状1234,其形成沟槽900的一部分。注意:从3处的整个深度到4处的基本上没有深度的呈锥形的对角线3-4。这是这里讨论的锥形侧壁的示例。3处出现全深度,这是因为孔在线C-E处具有其全宽度,并且因此激光的停留时间在那里处于最大值。然而,在线C-E的右侧,孔开始变窄,直到其在顶点D处终止,在顶点D处,孔的宽度以及因而激光的停留时间处于最小值。这导致4处的最小(或零)深度。在第二扫描期间,激光束切出邻接的形状1’2’3’4’。这里注意:对角线1’-2’与对角线3-4相反,以使得在区域1’32’4中,第二扫描烧蚀在第一扫描期间剩下未烧蚀的部分。应当理解:这发生是因为ABF和CDE在上面讨论的意义上是互补的形状。
应当理解:在上面的段落中提到的第一扫描不是工件所经历的初始扫描。如果其是的话,那么如图9a的检查将表明的,形状1234的左手边的锥形侧壁将保持仅一半被烧蚀,因为初始束扫描是曾经触碰该区域的唯一一个,该区域在工件的最左侧。对于工件的最右侧也是这样,其也仅由一个束扫描来扫描。为了计及这些问题,在由图案掩模遮挡部分ABF以及部分BCEF的小的邻接区段(再次参照图9a)的情况下执行给定工件的初始束扫描。类似地,在由图案掩模遮挡部分CDE以及部分BCEF的小的邻接区段(再次参照图9a)的情况下执行给定工件的最后的束扫描。另一方面,对于由图9a描绘的第一扫描(再次,其不是初始扫描),将理解:部分1234的左手边的锥形侧壁已经在前面的束扫描中被部分烧蚀。
烧蚀不足(under-ablation)将在束偏移略大于p的情况下发生。这在图9b中图示,其中偏移是p+δ。如上面所提到的,诸如此之类的定位误差非常常见。然而,任何所产生的不利影响将是最小的,或者不存在,因为孔的逐渐变细的侧壁使得烧蚀误差最小化。现有的运动系统可以容易地将定位误差δ维持在几微米之下,这比侧锥形的宽度小得多。由图8b图示的分开的严重问题在使用诸如这里所公开的孔之类的孔时被完全消除。
过烧蚀(over-ablation)将在束偏移略短于p时发生。这在图9c中图示,其中偏移是p-δ。这些种类的定位误差也是非常常见的。然而,再次,由于缓慢变细的侧壁,任何所产生的不利影响将是最小的,或者不存在,并且图8c所图示的层到层的电短路等的可能性被完全消除。
图10是图示根据本发明的实施例的定形电磁辐射的束的方法1000的流程图。作为示例,方法1000可以导致适于形成类似于图9a-c中所示的沟槽900的沟槽的束的形成。
方法1000的步骤1010是提供一种孔,其具有第一部分、第二部分、以及与第一部分互补的第三部分。作为示例,孔可以类似于孔100(首次在图1中示出的)、500(图5中示出的)、600(图6中示出的)、或者这里所公开的另一个孔。相应地,步骤1010是提供一种孔,其包括:第一部分,其具有第一侧、相对的第二侧、以及第一长度;第二部分,其具有与第一部分的第二侧相邻的第三侧、相对的第四侧、第二长度、以及第一宽度;以及第三部分,其具有与第二部分的第四侧相邻的第五侧、相对的第六侧、以及第三长度(其基本上等于第一宽度)。作为示例,第一部分、第一侧、第二侧、第一长度、第二部分、第三侧、第四侧、第二长度、第一宽度、第三部分、第五侧、第六侧、以及第三长度可以分别类似于全都在图3中示出的部分310、侧311、侧312、长度313、部分320、侧321、侧322、长度323、宽度324、部分330、侧331、侧332、以及长度333。
为了清楚,并且为了方便读者,这里重申:为了使第一和第三部分是互补部分,第一部分在相对于第一侧偏移第一偏移量(该偏移量在零到第一长度的大小之间变化)的点处的宽度加上第三部分在相对于第五侧偏移第一偏移量的点处的宽度,对于第一偏移量的所有值都等于第一宽度。
方法1000的步骤1020是使得电磁辐射的束穿过孔。如已经解释的,这使得束呈现孔的形状,由此实现这里讨论的烧蚀和图案接合优点。
图11是图示根据本发明的实施例的在工件上形成图案的方法1100的流程图。作为示例,方法1100可以在微电子器件的基板上形成迹线图案或者另一特征图案。作为另一个示例,迹线图案可以类似于图7中所示的迹线图案700。
方法1100的步骤1110是在工件上放置包含要形成的图案的图案掩模。如在本领域中已知的,图案掩模充当用于形成图案的模板。作为示例,如果要形成图7的迹线图案700,则图7将是图案掩模自身将如何出现的良好的表示。作为另一示例,图案掩模可以类似于图12中示意性地示出的图案掩模1210,图12是根据本发明的实施例的烧蚀设置1200的示意表示。
方法1100的步骤1120是在图案掩模上放置孔,其具有第一部分、第二部分、以及与第一部分互补的第三部分。作为示例,该孔可以类似于首次在图1中示出的孔100、图5中示出的孔500、或者图6中示出的孔600。作为另一示例,该孔可以类似于图12中示出的孔1220。也在图12中图示的是模板1230,其包含孔1220,并且进一步包括透明材料1231和金属叠层1232。作为示例,模板1230、透明材料1231以及金属叠层1232可以分别类似于全都在图2中示出的模板101、透明材料210、以及金属叠层120。
方法1100的步骤1130是将孔、图案掩模、以及工件放置在电磁辐射的束中。其示例在图12中示出,其中将模板1230(包含孔1220)以及图案掩模1210放置在电磁辐射的束1240中。作为示例,束1240可以是激光束等等。在穿过孔1220和图案掩模1210后,束1240穿过投射光学器件1250,所述投射光学器件1250将掩模1210的图案成像在工件1260上,其中束1240执行期望的烧蚀并且形成期望的图案。
在一个实施例中,图案由多个区域组成,每个区域具有基本上等于第一长度和第二长度的和的长度。在同一个或者另一个实施例中,步骤1130包括定位孔、图案掩模、以及工件,以使得在第一烧蚀事件中仅工件的第一区段穿过激光束,并且在第二烧蚀事件中仅工件的第二区段穿过激光束。作为示例,第一烧蚀事件可以是激光束的第一扫描—经过工件的第一带的扫描,以及第二烧蚀事件可以是经过工件的相邻的第二带的激光束的第二扫描。这里,可以参考图7,其中第一烧蚀事件可以包括产生(或部分产生)迹线图案700中位于线710的左侧的区段的激光束扫描,并且第二烧蚀事件可以包括产生(或部分产生)迹线图案700中位于线710的右侧的区段的激光束扫描。
在前面的段落中讨论的实施例中,或者在另一个实施例中,工件的第一区段包括组成图案的多个区域中的第一区域的全部以及多个图案区域中第二区域的部分。这可以通过参照例如图9a-c以及伴随的讨论来理解,其中证实了:烧蚀图案的特定部分部分地在第一激光束扫描(这里称为烧蚀事件)中形成并且在第二烧蚀事件中完成。因此,例如,多个区域中的第二区域的部分由穿过孔的第一部分的激光束在第一扫描或者烧蚀事件中部分形成,并且由穿过孔的互补的第二部分的激光束在第二扫描或者烧蚀事件中完成。如同样结合图9a-c讨论的,多个区域中的第二区域的部分具有等于第一长度加上偏移(图9b和9c中称为δ)的长度。该偏移可以在诸如电开路以及层到层电短路之类的问题变为问题之前变化直到第一长度。由于第一长度可以在几百微米的范围内,同时现有的定位装置的精度在几微米内,在使用根据本发明的实施例的孔时,这些问题出现的可能性相当低。
尽管已经参照特定实施例描述了本发明,但是本领域技术人员将理解:可以在不偏离本发明的精神或范围的情况下做出各种改变。相应地,本发明的实施例的公开意在例示本发明的范围,而不意在限制。意图是本发明的范围应仅限于所附的权利要求要求的程度。例如,对于本领域普通技术人员而言,将容易显而易见的是:这里讨论的用于定形电磁辐射的束的孔以及相关的结构和方法可以在各种实施例中实现,并且前面的这些实施例中特定实施例的讨论不一定表示所有可能的实施例的完整描述。
另外,已经关于特定实施例描述了益处、其它优点以及问题的解决方案。然而,所述益处、优点、问题的解决方案、以及可以导致任何益处、优点或解决方案出现或者变得更明显的任何一个或多个元素不应被解释为任意或者全部权利要求的关键的、所需的、或者必须的特征或元素。
另外,如果实施例和/或限制(1)未在权利要求书中明确请求保护;以及(2)在等效物的原则下是或者潜在是权利要求中明确的元素和/或限制的等效物的话,则这里公开的实施例和限制在贡献原则下不贡献于公众。

Claims (20)

1.一种用于定形电磁辐射的束的孔,所述孔包括:
第一部分,其具有第一侧、相对的第二侧、以及第一长度,所述第一长度是所述第一侧与所述第二侧之间的最短距离;
第二部分,其具有第三侧、相对的第四侧、第二长度、以及第一宽度,所述第二长度是所述第三侧与所述第四侧之间的最短距离,所述第一宽度沿着整个第二长度基本上不变,以及所述第三侧与所述第一部分的第二侧相邻;以及
第三部分,其具有第五侧、相对的第六侧、以及第三长度,所述第三长度是所述第五侧与所述第六侧之间的最短距离,所述第五侧与所述第二部分的第四侧相邻,
其中:
所述第一长度和所述第三长度基本上彼此相等;
所述第一部分在相对于所述第一侧偏移第一偏移量的第一点处的宽度是第二宽度;
所述第一偏移量在零到所述第一长度之间变化;
所述第三部分在相对于所述第五侧偏移所述第一偏移量的第二点处的宽度是第三宽度;
在所述第二宽度与所述第三宽度的和等于所述第一宽度的情况下,第一条件为真;并且
对于所述第一偏移量的所有值,所述第一条件都为真。
2.如权利要求1所述的孔,其中:
电磁辐射的束是激光束。
3.如权利要求1所述的孔,其中:
所述第一部分是在所述第一侧具有第一顶点的第一三角形;并且
所述第三部分是在所述第六侧具有第二顶点的第二三角形。
4.如权利要求1所述的孔,其中:
金属叠层在玻璃的下层中形成窗口;并且
所述窗口是所述孔。
5.如权利要求4所述的孔,其中:
金属叠层包括铬、铝和金之一。
6.如权利要求1所述的孔,其中:
所述第一长度不大于1mm。
7.一种定形电磁辐射的束的方法,所述方法包括:
提供孔;以及
使得所述电磁辐射的束通过所述孔,
其中:
所述孔包括:
第一部分,其具有第一侧、相对的第二侧、以及第一长度,所述第一长度是所述第一侧与所述第二侧之间的最短距离;
第二部分,其具有第三侧、相对的第四侧、第二长度、以及第一宽度,所述第二长度是所述第三侧与所述第四侧之间的最短距离,所述第一宽度沿着整个第二长度基本上不变,以及所述第三侧与所述第一部分的第二侧相邻;以及
第三部分,其具有第五侧、相对的第六侧、以及第三长度,所述第三长度是所述第五侧与所述第六侧之间的最短距离,所述第五侧与所述第二部分的第四侧相邻,
所述第一长度和所述第三长度基本上彼此相等;
所述第一部分在相对于所述第一侧偏移第一偏移量的第一点处的宽度是第二宽度;
所述第一偏移量在零到所述第一长度之间变化;
所述第三部分在相对于所述第五侧偏移所述第一偏移量的第二点处的宽度是第三宽度;
在所述第二宽度与所述第三宽度的和等于所述第一宽度的情况下,第一条件为真;并且
对于所述第一偏移量的所有值,所述第一条件都为真。
8.如权利要求7所述的方法,其中:
电磁辐射的束是激光束。
9.如权利要求8所述的方法,其中:
所述第一部分是在所述第一侧具有第一顶点的第一三角形;并且
所述第三部分是在所述第六侧具有第二顶点的第二三角形。
10.如权利要求7所述的方法,其中:
所述第一长度不大于1mm。
11.如权利要求8所述的方法,其中:
提供所述孔包括提供覆盖玻璃层的金属层;
所述金属层中的开口在玻璃层中露出窗口;并且
所述窗口是所述孔。
12.如权利要求11所述的方法,其中:
提供所述金属层包括提供包括铬、铝和金之一的层。
13.一种在工件上形成图案的方法,所述方法包括:
在所述工件上放置图案掩模,所述图案掩模包含要形成的图案;
在所述图案掩模上放置孔;以及
将所述孔、所述图案掩模、以及所述工件放置在电磁辐射的束中,
其中:
所述孔包括:
第一部分,其具有第一侧、相对的第二侧、以及第一长度,所述第一长度是所述第一侧与所述第二侧之间的最短距离;
第二部分,其具有第三侧、相对的第四侧、第二长度、以及第一宽度,所述第二长度是所述第三侧与所述第四侧之间的最短距离,所述第一宽度沿着整个第二长度基本上不变,以及所述第三侧与所述第一部分的第二侧相邻;以及
第三部分,其具有第五侧、相对的第六侧、以及第三长度,所述第三长度是所述第五侧与所述第六侧之间的最短距离,所述第五侧与所述第二部分的第四侧相邻,
所述第一长度和所述第三长度基本上彼此相等;
所述第一部分在相对于所述第一侧偏移第一偏移量的第一点处的宽度是第二宽度;
所述第一偏移量在零到所述第一长度之间变化;
所述第三部分在相对于所述第五侧偏移所述第一偏移量的第二点处的宽度是第三宽度;
在所述第二宽度与所述第三宽度的和等于所述第一宽度的情况下,第一条件为真;并且
对于所述第一偏移量的所有值,所述第一条件都为真。
14.如权利要求13所述的方法,其中:
将所述孔、所述图案掩模、以及所述工件放置在电磁辐射的束中包括使所述孔、所述图案掩模、以及所述工件暴露于激光束。
15.如权利要求14所述的方法,其中:
所述图案由多个区域组成,每个区域具有基本上等于所述第一长度与所述第二长度的和的长度;
使所述孔、所述图案掩模、以及所述工件暴露于激光束包括定位所述孔、所述图案掩模、以及所述工件,以使得在第一烧蚀事件中所述工件的仅第一区段穿过所述激光束,并且在第二烧蚀事件中所述工件的仅第二区段穿过所述激光束;
所述工件的第一区段包括所述多个区域中的第一区域的全部以及所述多个区域中第二区域的部分;
所述多个区域的第二区域的部分具有等于第一长度加上偏移的长度;并且
所述偏移在零到所述第一长度之间变化。
16.如权利要求15所述的方法,其中:
所述第一部分是在所述第一侧具有第一顶点的第一三角形;并且
所述第三部分是在所述第六侧具有第二顶点的第二三角形。
17.如权利要求16所述的方法,其中:
所述第一长度不大于1mm。
18.如权利要求17所述的方法,其中:
所述工件处激光束的强度大约为1 J/cm2
19.如权利要求15所述的方法,其中:
放置所述孔包括:
将金属层附接到玻璃层,其中所述金属层包括开口,其在所述玻璃层中露出窗口,所述窗口是所述孔。
20.如权利要求19所述的方法,其中:
附接所述金属层包括附接包括铬、铝和金之一的层。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8183496B2 (en) 2008-12-30 2012-05-22 Intel Corporation Method of forming a pattern on a work piece, method of shaping a beam of electromagnetic radiation for use in said method, and aperture for shaping a beam of electromagnetic radiation
KR101914886B1 (ko) * 2014-07-30 2018-11-02 디더블유에스 에스.알.엘. 스테레오리소그라피 기계에 속한 적어도 두 개의 광 조사 소스의 동작을 제어하기 위한 개선된 방법
US20160074968A1 (en) * 2014-09-11 2016-03-17 Suss Microtec Photonic Systems Inc. Laser etching system including mask reticle for multi-depth etching

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02169193A (ja) * 1988-12-22 1990-06-29 Nippon Steel Corp ファインセラミックスの加工方法及びこの加工方法によって得られた放射線透過試験用の透過度計
JPH1177344A (ja) * 1997-09-04 1999-03-23 Mitsubishi Electric Corp 光加工装置
JPH11104876A (ja) * 1997-09-30 1999-04-20 Komatsu Ltd 光ビーム加工機及びそのビーム照射方法
JPH11179583A (ja) * 1997-12-18 1999-07-06 Hitachi Ltd レーザ加工用マスク
CN1646988A (zh) * 2002-02-08 2005-07-27 索尼株式会社 曝光掩模图形的形成方法,曝光掩模图形,以及半导体器件的制作方法
JP2008244361A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Hitachi Via Mechanics Ltd プリント基板のレーザ加工方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL7909089A (nl) 1979-12-17 1981-07-16 Stork Screens Bv Werkwijze voor de vervaardiging van een matrijs.
US4396285A (en) 1980-08-25 1983-08-02 Coherent, Inc. Laser system and its method of use
JPS58184146A (ja) * 1982-04-21 1983-10-27 Oki Electric Ind Co Ltd マスク基板の製造方法
NL9002036A (nl) 1990-09-17 1992-04-16 Philips Nv Inrichting en werkwijze voor het met elektromagnetisch straling aanbrengen van merktekens op een voorwerp, en een voorwerp voorzien van merktekens.
DE59907044D1 (de) 1998-10-07 2003-10-23 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur materialbearbeitung mit plasma induzierender hochenergiestrahlung
JP2003007613A (ja) 2001-04-16 2003-01-10 Toshiba Corp 露光パラメータの取得方法および評価方法、ならびに荷電ビーム露光方法および露光装置
KR100558678B1 (ko) * 2001-06-01 2006-03-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 폴리실리콘 결정화방법
KR100646160B1 (ko) * 2002-12-31 2006-11-14 엘지.필립스 엘시디 주식회사 순차측면결정화를 위한 마스크 및 이를 이용한 실리콘결정화 방법
JP2004268055A (ja) * 2003-03-05 2004-09-30 Nitto Denko Corp 凹部形成方法、光学フィルムの製造方法及び液晶表示装置
WO2005029546A2 (en) * 2003-09-16 2005-03-31 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Method and system for providing a continuous motion sequential lateral solidification for reducing or eliminating artifacts, and a mask for facilitating such artifact reduction/elimination
KR100698056B1 (ko) * 2003-12-26 2007-03-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 레이저 빔 패턴 마스크 및 이를 이용한 결정화 방법
KR101066478B1 (ko) * 2004-06-04 2011-09-21 엘지디스플레이 주식회사 레이저 빔 패턴 마스크 및 이를 이용한 결정화 방법
US7855046B2 (en) * 2005-04-07 2010-12-21 The University Of North Carolina At Charlotte Method and apparatus for fabricating shaped structures and shaped structures including one- , two- or three-dimensional patterns incorporated therein
US20070000884A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 Salama Islam A Pattern ablation using laser patterning
TW200713423A (en) * 2005-08-16 2007-04-01 Univ Columbia Systems and methods for uniform sequential lateral solidification of thin films using high frequency lasers
TWI299431B (en) * 2005-08-23 2008-08-01 Au Optronics Corp A mask for sequential lateral solidification (sls) process and a method thereof
KR20070109127A (ko) * 2006-05-09 2007-11-15 삼성전자주식회사 순차적 측면 고상화용 마스크 및 이를 이용한 순차적 측면고상화 방법
JP2008012916A (ja) * 2006-06-08 2008-01-24 Hitachi Via Mechanics Ltd 複合シート、複合シートの加工方法、及びレーザ加工装置
US8183496B2 (en) 2008-12-30 2012-05-22 Intel Corporation Method of forming a pattern on a work piece, method of shaping a beam of electromagnetic radiation for use in said method, and aperture for shaping a beam of electromagnetic radiation

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02169193A (ja) * 1988-12-22 1990-06-29 Nippon Steel Corp ファインセラミックスの加工方法及びこの加工方法によって得られた放射線透過試験用の透過度計
JPH1177344A (ja) * 1997-09-04 1999-03-23 Mitsubishi Electric Corp 光加工装置
JPH11104876A (ja) * 1997-09-30 1999-04-20 Komatsu Ltd 光ビーム加工機及びそのビーム照射方法
JPH11179583A (ja) * 1997-12-18 1999-07-06 Hitachi Ltd レーザ加工用マスク
CN1646988A (zh) * 2002-02-08 2005-07-27 索尼株式会社 曝光掩模图形的形成方法,曝光掩模图形,以及半导体器件的制作方法
JP2008244361A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Hitachi Via Mechanics Ltd プリント基板のレーザ加工方法

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