CN102337512A - 一种使用碳化钽包覆钽丝为催化剂制备硅薄膜的方法 - Google Patents
一种使用碳化钽包覆钽丝为催化剂制备硅薄膜的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102337512A CN102337512A CN2010102386944A CN201010238694A CN102337512A CN 102337512 A CN102337512 A CN 102337512A CN 2010102386944 A CN2010102386944 A CN 2010102386944A CN 201010238694 A CN201010238694 A CN 201010238694A CN 102337512 A CN102337512 A CN 102337512A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wire
- tantalum
- catalyzer
- hot
- silicon film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
本发明涉及一种以碳化钽包覆钽丝为催化剂用于热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法。将此热丝催化剂用于硅薄膜的制备，催化剂表面的碳化钽层得到了很好的保持，没有观测到硅化物的生成，即表现出很好的抗老化性能，具有明显延长热丝催化剂使用寿命的潜力。本催化剂制备方法简单，条件易于控制，适用于热丝化学气相沉积制备各种晶化度的本征、掺杂及化合物硅薄膜。
Description
技术领域
本发明涉及一种以碳化钽包覆钽丝为催化剂用于热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法。在化学气相沉积反应进行一段时间后，催化剂的结构和组成得到了很好的保持，相对于传统的钽丝和钨丝催化剂，具有优异的抗老化性能。
背景技术
硅薄膜作为第二代太阳能电池硅薄膜光伏电池的基体材料，受到越来越多人的关注和重视。热丝化学气相沉积又称催化化学气相沉积，是二十世纪七十年代出现并逐步发展起来的一种新型薄膜制备技术。在热丝化学气相沉积制备硅薄膜的过程中，气态前驱体物质经过高温热丝催化剂发生多相催化裂解反应后，活化生成的中间物种沉积在衬底上，进一步生长形成硅薄膜。相对于当前较为成熟的等离子体化学气相沉积制备硅薄膜技术，热丝化学气相沉积具有设备简单、成本低廉、薄膜沉积速度快、沉积过程不涉及大量带电物种、制备薄膜质量高等特点，使得热丝化学气相沉积成为一种能够制备各种晶化度的本征、掺杂以及多种化合物硅薄膜的新兴技术，有很好的工业化应用前景。
但当前热丝化学气相沉积制备硅薄膜技术的发展也遇到了一些问题，其中热丝催化剂老化是制约其工业化应用的瓶颈之一。利用常规的热丝催化剂钨丝或钽丝进行热丝化学气相沉积制备硅薄膜时，通常在数分钟内金属丝的表面就会生成一层硅化钨或硅化钽，随着反应的进行，硅物种不断向内扩散，进一步发生固相反应，这层硅化物的厚度就不断增加，导致热丝催化剂的表面结构和整体性能发生明显变化，机械强度变差，极易发生断裂，热丝催化剂寿命变短的同时严重影响了硅薄膜的沉积。因此，热丝化学气相沉积制备硅薄膜过程中热丝催化剂的老化问题亟待解决。
近年来，不断有研究人员在热丝催化剂老化问题的研究上取得进展。利用射频交流电替代直流电对钽丝催化剂通电加热时，研究人员发现由于交流电的表面趋附效应，硅在热丝表面的沉积及其内扩散得到了有效的抑制，热丝催化剂的寿命得到延长的同时，沉积过程的重现性也有所提高(Thin Solid Films 501(2006)322-325；Thin Solid Films 517(2009)3370-3377)。利用表面碳化的钨丝作为热丝催化剂，能有效地稳定催化剂温度，抑制硅化钨的生成，在沉积非晶硅薄膜1h后，碳化钨包覆钨丝表面生成的硅化物的厚度仅为单纯钨丝催化剂表面硅化物厚度的一半(Thin Solid Films516(2008)826-828；Journal ofNon-Crystalline Solids 354(2008)2117-2120)。一种简单有效的减少冷端硅化物的生成方法是在热丝催化剂的冷端采用微腔式保护罩，还可以通入保护性气氛，从而起到保护冷端的目的，延长热丝催化剂的寿命(Thin Solid Films 395(2001)55-60；Thin Solid Films 430(2003)58-62；Thin Solid Films 517(2009)3427-3430)。还有文献(Thin Solid Films 516(2008)822-825)报道在每次沉积反应前后将钽丝催化剂在低压氢气中退火处理，可以将其寿命从典型的几个小时大幅提升至上百小时。而将表面生成有20μm Ta5Si3的Ta丝催化剂在2100～2200℃真空退火4h，其中的硅元素发生外扩散和释放，从而基本恢复到原来的新鲜Ta丝状态，实现了Ta丝催化剂的再生(Thin Solid Films 517(2009)3431-3434)。美国专利(US6427622B2)报道了利用石墨棒作为催化剂相对于传统金属丝类催化剂在化学惰性及物理稳定性等方面有明显优势。
从最早Wiesmann(US4237150)利用钨和石墨薄片来分解硅烷等前驱体制备硅薄膜以来，利用热丝化学气相沉积制备硅薄膜的研究不断取得进展(US5397737；US6124186)，而随着所制备的硅薄膜在太阳能电池领域有越来越多的应用(US6124545；CN1314134C；CN101699633A)，热丝化学气相沉积过程中热丝催化剂的研究的重要性就愈加明显。
碳化钽包覆钽丝是热丝化学气相沉积制备金刚石薄膜过程中，甲烷和钽丝催化剂作用的产物，故在金刚石薄膜的沉积过程中常将钽丝进行碳化预处理，利用碳化钽包覆钽丝作为热丝催化剂来替代单纯的钽丝催化剂起到了较好的效果(Surface and Coatings Technology47(1991)585-599；Thin Solid Films317(1998)371-375；Journal of Materials Science 25(1990)4472-4476)。而利用此碳化钽包覆钽丝催化剂进行热丝化学气相沉积制备硅薄膜的研究尚未见报道，我们发现碳化钽包覆钽丝作为一种热丝化学气相沉积制备硅薄膜的催化剂有明显的优点。
发明内容
本发明的目的在于提供一种使用碳化钽包覆钽丝为催化剂制备硅薄膜的方法，其特征在于，采用热丝化学气相沉积装置，以碳化钽包覆钽丝为催化剂，通过热丝化学气相沉积过程制备硅薄膜。
为实现上述目的，本发明所述的热丝催化剂，其结构组成为碳化钽包覆钽丝。
所述的催化剂，其中热丝催化剂表面成分为TaC，核心成分主要为Ta，热丝表面TaC和核心金属Ta之间有Ta4C3和/或Ta2C中间层。
本发明所涉及的制备上述热丝催化剂的方法是：将钽丝固定在热丝化学气相沉积设备的两个电极上，对沉积系统抽真空至背景压力，一般小于8×10-4Pa；向腔体中通入以H2气为稀释气体的体积浓度为0.5％～15％CH4气体，至系统压力1KPa～6KPa，保持进气流速2sccm～100sccm，调节抽气系统稳定气压；对钽丝通电至1600℃～2600℃，开始碳化，碳化时间5min～5h，得到碳化钽包覆钽丝的热丝催化剂(Surface and Coatings Technology 47(1991)585-599；Journal ofMaterials Science 25(1990)4472-4476；Diamond and Related Materials 5(1996)350-353)。
为实现上述目的，本发明所述的热丝化学气相沉积具体过程为：于热丝化学气相沉积设备的沉积腔体中放入衬底，将碳化钽包覆钽丝固定在热丝化学气相沉积设备的两个电极上，热丝催化剂到衬底间距离1cm～8cm；对沉积系统抽真空至背景压力小于8*10-4Pa；对碳化钽包覆钽丝通电加热至反应温度1400℃～2000℃，将衬底加热至温度50℃～500℃；向沉积腔体中通入以H2气为稀释气体的体积浓度为1％～50％的SiH4气体，调节系统压力1Pa-100Pa，开始热丝化学气相沉积制备硅薄膜。
所述的热丝化学气相沉积过程，其中衬底为硅片，石英，玻璃，不锈钢和/或陶瓷；向沉积腔体中通入气体的流速为2sccm～100sccm；热丝化学气相沉积时间1min～5h。
与公知技术相比，本发明具有如下优点：
本发明中的催化剂制备方法简单，条件容易控制，催化剂在热丝化学气相沉积设备中制备后可直接用于硅薄膜的制备。本发明中的催化剂结构为碳化钽包覆钽丝结构，核心的钽丝主要起结构支撑、导电发热作用，表层的碳化钽具有高熔点的特性，主要起催化裂解作用，整个热丝催化剂机械性能良好。利用本发明中的催化剂进行热丝催化化学气相沉积制备硅薄膜时，表面碳化钽层的稳定性非常好，在反应一定时间后没有观测到硅化物的生成，相对于传统制备硅薄膜的钨丝和钽丝等催化剂有优异的抗老化性能。本发明中的催化剂可用来制备各种晶化度的本征、掺杂及化合物硅薄膜。
附图说明
图1是碳化钽包覆钽丝催化剂进行热丝化学气相沉积反应之后热丝催化剂的XRD谱图。反应过程中热丝催化剂的温度范围1450℃～1750℃，XRD表征结果均为TaC，没有任何硅化物的生成，表明此碳化钽包覆钽丝在反应后保持了初始表层的TaC结构，相对于单纯的钽丝或钨丝等热丝催化剂有明显的抗老化性能，有延长热丝催化剂使用寿命的潜力。
图2作为对比例的结果，是利用单纯钽丝催化剂进行热丝化学气相沉积反应之后的XRD谱图。在1450℃和1550℃反应之后，钽丝催化剂表层均变为Ta5Si3，在1600℃反应后主要以Ta5Si3结构存在的同时有Ta2Si的衍射峰出现，而1650℃时Ta2Si的衍射强度和Ta5Si3相当，1750℃时的结构主要以Ta2Si为主Ta5Si3为次，热丝催化剂表面生成的硅化物层是导致制备硅薄膜过程中催化剂老化的原因，随着硅化物层的不断变厚，催化剂的寿命就受到严重影响。
图3是利用所述碳化钽包覆钽丝催化剂所制备出的硅薄膜的Raman谱图。在1450℃和1550℃制备出非晶硅薄膜，480cm-1处包峰是非晶硅的特征峰，热丝催化剂1600℃时所制备的薄膜在520cm-1处附近已有较尖峰出现，所制备的薄膜为晶化度较低的微晶硅薄膜，随着热丝催化剂温度升高，薄膜的晶化度就越来越高，所对应的520cm-1附近的晶体硅的峰变强，半高宽变窄。
具体实施方式
为了进一步说明本发明，列举以下实施实例，但它并不限制各附加权利要求所定义的发明范围。
实施例1
碳化钽包覆钽丝催化剂的制备方法是：将钽丝固定在热丝化学气相沉积设备的两个电极上，对沉积系统抽真空至背景压力，一般小于8×10-4Pa；向腔体中通入以H2气为稀释气体的体积浓度为5％CH4气体，至系统压力约4KPa，保持进气流量10sccm，调节抽气系统稳定气压；对钽丝通电至1900℃，开始碳化，碳化1h结束，得到黄色的碳化钽包覆钽丝催化剂。
利用上述热丝催化剂进行热丝化学气相沉积制备硅薄膜，主要步骤为：于热丝化学气相沉积设备的沉积腔体中放入玻璃衬底，将碳化钽包覆钽丝固定在热丝化学气相沉积设备的两个电极上，热丝催化剂到衬底间距离3cm；对沉积系统抽真空至背景压力小于8*10-4Pa；对碳化钽包覆钽丝通电加热至反应温度1450℃，将衬底加热至温度150℃；向沉积腔体中通入以H2气为稀释气体的体积浓度为5％的SiH4气体，气体的流速为10sccm；调节系统压力50Pa，开始热丝化学气相沉积制备硅薄膜，沉积时间为1h，得到硅薄膜。
反应后热丝催化剂XRD表征为TaC，结果列于图1(a)中，此催化剂目测为黄色，近似于原碳化钽包覆钽丝催化剂；所制备硅薄膜为非晶硅薄膜，Raman谱图列于图3(a)中。
对比例1
以钽丝作为热丝催化剂进行热丝化学气相沉积制备硅薄膜，该催化剂不属于本发明实施例，仅作为对照比较。热丝化学气相沉积条件同实施例1，反应后热丝催化剂XRD表征为Ta5Si3，结果列于图2(a)中。
实施例2
同实施例1，只是热丝化学气相沉积过程催化剂温度变为1550℃，反应后热丝催化剂XRD表征为TaC，结果列于图1(b)中，此催化剂目测为黄色，近似于原碳化钽包覆钽丝催化剂；所制备硅薄膜为非晶硅薄膜，Raman谱图列于图3(b)中。
对比例2
以钽丝作为热丝催化剂进行热丝化学气相沉积制备硅薄膜，该催化剂不属于本发明实施例，仅作为对照比较。热丝化学气相沉积条件同实施例2，反应后热丝催化剂XRD表征为Ta5Si3，结果列于图2(b)中。
实施例3
同实施例1，只是热丝化学气相沉积过程催化剂温度变为1600℃，反应后热丝催化剂XRD表征为TaC，结果列于图1(c)中，此催化剂目测为黄色，近似于原碳化钽包覆钽丝催化剂；所制备硅薄膜为微晶硅薄膜，Raman谱图列于图3(c)中。
对比例3
以钽丝作为热丝催化剂进行热丝化学气相沉积制备硅薄膜，该催化剂不属于本发明实施例，仅作为对照比较。热丝化学气相沉积条件同实施例3，反应后热丝催化剂的XRD表征为Ta5Si3和Ta2Si，结果列于图2(c)中。
实施例4
同实施例1，只是热丝化学气相沉积过程催化剂温度变为1650℃，反应后热丝催化剂XRD表征为TaC，结果列于图1(d)中，此催化剂目测为黄色，近似于原碳化钽包覆钽丝催化剂；所制备硅薄膜为微晶硅薄膜，Raman谱图列于图3(d)中。
对比例4
以钽丝作为热丝催化剂进行热丝化学气相沉积制备硅薄膜，该催化剂不属于本发明实施例，仅作为对照比较。热丝化学气相沉积条件同实施例4，反应后热丝催化剂的XRD表征为Ta5Si3和Ta2Si，结果列于图2(d)中。
实施例5
同实施例1，只是热丝化学气相沉积过程催化剂温度变为1750℃，反应后热丝催化剂XRD表征为TaC，结果列于图1(e)中，此催化剂目测为黄色，近似于原碳化钽包覆钽丝催化剂；所制备硅薄膜为微晶硅薄膜，Raman谱图列于图3(e)中。
对比例5
以钽丝作为热丝催化剂进行热丝化学气相沉积制备硅薄膜，该催化剂不属于本发明实施例，仅作为对照比较。热丝化学气相沉积条件同实施例5，反应后热丝催化剂的XRD表征为Te2Si和Ta5Si3，结果列于图2(e)中。
实施例6
同实施例1，只是热丝化学气相沉积过程催化剂温度变为1400℃，反应后热丝催化剂目测为黄色，近似于原碳化钽包覆钽丝催化剂；得到硅薄膜。
实施例7
同实施例1，只是热丝化学气相沉积过程催化剂温度变为2000℃，反应后热丝催化剂目测为黄色，近似于原碳化钽包覆钽丝催化剂；得到硅薄膜。
实施例8
同实施例1，只是热丝催化剂到衬底间距离变为1cm，反应后热丝催化剂目测为黄色，近似于原碳化钽包覆钽丝催化剂；得到硅薄膜。
实施例9
同实施例5，只是热丝催化剂到衬底间距离变为8cm，反应后热丝催化剂目测为黄色，近似于原碳化钽包覆钽丝催化剂；得到硅薄膜。
实施例10
同实施例1，只是热丝化学气相沉积过程衬底温度变为50℃，反应后热丝催化剂目测为黄色，近似于原碳化钽包覆钽丝催化剂；得到硅薄膜。
实施例11
同实施例5，只是热丝化学气相沉积过程衬底温度变为500℃，反应后热丝催化剂目测为黄色，近似于原碳化钽包覆钽丝催化剂；得到硅薄膜。
实施例12
同实施例1，只是向沉积腔体中通入以H2气为稀释气体的SiH4气体的体积浓度变为1％，反应后热丝催化剂目测为黄色，近似于原碳化钽包覆钽丝催化剂；得到硅薄膜。
实施例13
同实施例5，只是向沉积腔体中通入以H2气为稀释气体的SiH4气体的体积浓度变为50％，反应后热丝催化剂目测为黄色，近似于原碳化钽包覆钽丝催化剂；得到硅薄膜。
实施例14
同实施例1，只是沉积过程气压变为1Pa，反应后热丝催化剂目测为黄色，近似于原碳化钽包覆钽丝催化剂；得到硅薄膜。
实施例15
同实施例5，只是沉积过程气压变为100Pa，反应后热丝催化剂目测为黄色，近似于原碳化钽包覆钽丝催化剂；得到硅薄膜。
实施例16
同实施例1，只是将玻璃衬底更换为硅片和不锈钢片，反应后热丝催化剂目测为黄色，近似于原碳化钽包覆钽丝催化剂；得到硅薄膜。
实施例17
同实施例5，只是将玻璃衬底更换为石英和陶瓷片，反应后热丝催化剂目测为黄色，近似于原碳化钽包覆钽丝催化剂；得到硅薄膜。
实施例18
同实施例1，只是向沉积腔体中通入气体的流速变为2sccm，反应后热丝催化剂目测为黄色，近似于原碳化钽包覆钽丝催化剂；得到硅薄膜。
实施例19
同实施例5，只是向沉积腔体中通入气体的流速变为100sccm，反应后热丝催化剂目测为黄色，近似于原碳化钽包覆钽丝催化剂；得到硅薄膜。
实施例20
同实施例1，只是热丝化学气相沉积时间变为1min，反应后热丝催化剂目测为黄色，近似于原碳化钽包覆钽丝催化剂；得到硅薄膜。
实施例21
同实施例5，只是热丝化学气相沉积时间变为5h，反应后热丝催化剂目测为黄色，近似于原碳化钽包覆钽丝催化剂；得到硅薄膜。
综上可以看出，碳化钽包覆钽丝作为催化剂在热丝化学气相沉积反应前后保持原热丝催化剂表层的碳化钽结构不变，而单纯钽丝等热丝催化剂会生成各种硅化物而逐渐老化，故碳化钽包覆钽丝作为一种热丝化学气相沉积制备硅薄膜的新型催化剂具有非常明显优势，有延长催化剂寿命，解决热丝化学气相沉积制备硅薄膜过程中常规催化剂老化问题的潜力。
Claims (4)
1.一种使用碳化钽包覆钽丝为催化剂制备硅薄膜的方法，其特征在于，采用热丝化学气相沉积装置，以碳化钽包覆钽丝为催化剂，通过热丝化学气相沉积过程制备硅薄膜。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，热丝化学气相沉积具体过程为：于热丝化学气相沉积设备的沉积腔体中放入衬底，将碳化钽包覆钽丝固定在热丝化学气相沉积设备的两个电极上，热丝催化剂到衬底间距离1cm～8cm；对沉积系统抽真空至背景压力小于8×10-4pa；对碳化钽包覆钽丝通电加热至反应温度1400℃～2000℃，将衬底加热至温度50℃～500℃；向沉积腔体中通入以H2气为稀释气体的体积浓度为1％～50％的SiH4气体，调节系统压力1Pa～100Pa，开始热丝化学气相沉积制备硅薄膜。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述衬底为硅片，石英，玻璃，不锈钢和/或陶瓷；向沉积腔体中通入气体的流速为2sccm～100sccm；热丝化学气相沉积时间1min～5h。
4.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述碳化钽包覆钽丝催化剂表面成分为TaC，核心成分主要为Ta，热丝表面TaC和核心金属Ta之间有Ta4C3和/或Ta2C中间过渡层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010102386944A CN102337512A (zh) | 2010-07-28 | 2010-07-28 | 一种使用碳化钽包覆钽丝为催化剂制备硅薄膜的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010102386944A CN102337512A (zh) | 2010-07-28 | 2010-07-28 | 一种使用碳化钽包覆钽丝为催化剂制备硅薄膜的方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102337512A true CN102337512A (zh) | 2012-02-01 |
Family
ID=45513455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2010102386944A Pending CN102337512A (zh) | 2010-07-28 | 2010-07-28 | 一种使用碳化钽包覆钽丝为催化剂制备硅薄膜的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102337512A (zh) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102751383A (zh) * | 2012-07-07 | 2012-10-24 | 蚌埠玻璃工业设计研究院 | 一种硅基异质结太阳能电池用外延硅薄膜的制备方法 |
| CN103668104A (zh) * | 2012-09-24 | 2014-03-26 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 用离子液体作衬底的热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法 |
| CN107429394A (zh) * | 2015-02-18 | 2017-12-01 | 麒麟株式会社 | 发热体及其制造方法 |
| JP2020164932A (ja) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | 株式会社アルバック | 通電加熱線、通電加熱線の製造方法および真空処理装置 |
| CN113755787A (zh) * | 2020-06-01 | 2021-12-07 | 株式会社爱发科 | 通电加热丝的制造方法以及制造装置 |
| CN113755786A (zh) * | 2020-06-01 | 2021-12-07 | 株式会社爱发科 | 电热丝的制造方法及制造装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020104477A1 (en) * | 2000-08-30 | 2002-08-08 | Hisayoshi Yamoto | Method of growing a polycrystalline silicon layer. method of growing a single crystal silicon layer and catalytic CVD apparatus |
| CN1588649A (zh) * | 2004-07-15 | 2005-03-02 | 上海交通大学 | 硅薄膜异质结太阳电池的制备方法 |
-
2010
- 2010-07-28 CN CN2010102386944A patent/CN102337512A/zh active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020104477A1 (en) * | 2000-08-30 | 2002-08-08 | Hisayoshi Yamoto | Method of growing a polycrystalline silicon layer. method of growing a single crystal silicon layer and catalytic CVD apparatus |
| CN1588649A (zh) * | 2004-07-15 | 2005-03-02 | 上海交通大学 | 硅薄膜异质结太阳电池的制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 罗志强等: "硅薄膜的热丝法淀积", 《稀有金属》 * |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102751383A (zh) * | 2012-07-07 | 2012-10-24 | 蚌埠玻璃工业设计研究院 | 一种硅基异质结太阳能电池用外延硅薄膜的制备方法 |
| CN102751383B (zh) * | 2012-07-07 | 2016-03-30 | 蚌埠玻璃工业设计研究院 | 一种硅基异质结太阳能电池用外延硅薄膜的制备方法 |
| CN103668104A (zh) * | 2012-09-24 | 2014-03-26 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 用离子液体作衬底的热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法 |
| CN103668104B (zh) * | 2012-09-24 | 2016-05-25 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 用离子液体作衬底的热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法 |
| CN107429394A (zh) * | 2015-02-18 | 2017-12-01 | 麒麟株式会社 | 发热体及其制造方法 |
| JP2020164932A (ja) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | 株式会社アルバック | 通電加熱線、通電加熱線の製造方法および真空処理装置 |
| CN111748793A (zh) * | 2019-03-29 | 2020-10-09 | 株式会社爱发科 | 电热丝、电热丝的制造方法以及真空处理装置 |
| CN111748793B (zh) * | 2019-03-29 | 2022-08-09 | 株式会社爱发科 | 电热丝、电热丝的制造方法以及真空处理装置 |
| CN113755787A (zh) * | 2020-06-01 | 2021-12-07 | 株式会社爱发科 | 通电加热丝的制造方法以及制造装置 |
| CN113755786A (zh) * | 2020-06-01 | 2021-12-07 | 株式会社爱发科 | 电热丝的制造方法及制造装置 |
| CN113755786B (zh) * | 2020-06-01 | 2024-03-22 | 株式会社爱发科 | 电热丝的制造方法及制造装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102337512A (zh) | 一种使用碳化钽包覆钽丝为催化剂制备硅薄膜的方法 | |
| US9284640B2 (en) | Method of producing graphene from liquid metal | |
| CN100439554C (zh) | 式Mn+1AXn化合物的合成方法,该化合物的膜及其用途 | |
| JPH05306195A (ja) | 平坦なｃｖｄダイヤモンド薄膜の製造法 | |
| CN107075728B (zh) | 碳化硅的外延生长方法 | |
| CN104412362A (zh) | 碳化硅外延晶片及其制备方法 | |
| KR101252669B1 (ko) | 다이아몬드 고속성장방법 및 장치 | |
| CN105755448A (zh) | 一种纳米金刚石薄膜及其制备方法 | |
| CN110699749A (zh) | 一种制备大面积连续单层单晶石墨烯薄膜的方法 | |
| Guo et al. | Synthesis and characterization of carbon-poor SiC nanowires via vapor-liquid-solid growth mechanism | |
| EP2865646A1 (en) | Method of producing graphene from liquid metal | |
| CN2820878Y (zh) | 等离子增强热丝化学气相沉积薄膜装置 | |
| US20110318490A1 (en) | Method for depositing a coating | |
| Cho et al. | Study of Y2O3 thin film prepared by plasma enhanced atomic layer deposition | |
| Yan et al. | New MOCVD precursor for iridium thin films deposition | |
| WO2000047795A1 (en) | Method of hot-filament chemical vapor deposition of diamond | |
| CN109487229A (zh) | 一种制备石墨烯薄膜的化学气相沉积设备及方法 | |
| JPS62119B2 (zh) | ||
| JP2018511708A (ja) | ＣＶＤ−ＳｉＣ材の製造方法 | |
| CN112176314A (zh) | 一种制备金刚石包覆粉体的方法 | |
| US20200102647A1 (en) | Multilayer stack for the growth of carbon nanotubes by chemical vapor deposition | |
| US20130266742A1 (en) | Chemical vapor deposition apparatus for synthesizing diamond film and method for synthesizing diamond film using the same | |
| Kulkarni et al. | Compositionally graded mullite-based chemical vapor deposited coatings | |
| EP4190748A1 (en) | Method of manufacturing high-purity sic crystal | |
| CN102543302B (zh) | 绝缘电线的制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20120201 |