JPH05306195A - 平坦なｃｖｄダイヤモンド薄膜の製造法 - Google Patents

平坦なｃｖｄダイヤモンド薄膜の製造法

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JPH05306195A
JPH05306195A JP4330830A JP33083092A JPH05306195A JP H05306195 A JPH05306195 A JP H05306195A JP 4330830 A JP4330830 A JP 4330830A JP 33083092 A JP33083092 A JP 33083092A JP H05306195 A JPH05306195 A JP H05306195A
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radius
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Friedel S Knemeyer
フリーデル・シーグフリード・クネメヤー
David E Slutz
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 化学蒸着法によるダイヤモンド薄膜の製造に
おいて、ダイヤモンド被膜を該被膜が蒸着した基材から
取り外すときに生ずる処の、被膜内部の引張り応力解放
に起因する薄膜の反り(bowing)乃至亀裂(cracking)の発
生を回避し、以て、平坦なダイヤモンド薄膜を提供す
る。 【構成】 ダイヤモンド被膜を析出する基材の成膜面
を、基材から取り外して得られるダイヤモンド薄膜中に
予見される内部引張り応力を補償する様な曲率半径を有
する凸形状とする。基材から取り外された薄膜は、基材
の湾曲と反対方向に反ってその内部引張り応力を解放
し、実質的に平坦なものとなる。上記曲率半径は、１イ
ンチあたり50〜250 μｍの範囲であり、基材としてはモ
リブデン等が適当であり、且つ、薄膜の厚さは１乃至
２，０００ミクロンである。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ダイヤモンド薄膜を製
造する化学蒸着法に関し、詳細には、実質的に亀裂（ク
ラック）の無い平坦なダイヤモンド薄膜を製造する方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】ダイヤモンドは、硬度、化学的不活性
さ、赤外線透過性、非常に高い電気抵抗を有し乍ら優れ
た熱伝導性を有する等の、優れた物理的性質を数多く有
している。そのため、ダイヤモンドは、光学機器、半導
体、ヒートシンク、研摩材、工具被覆等、多くの重要な
技術応用分野に用いられる材料となっている。又、高性
能の耐放射線性高温半導体としても用いられ得る。した
がって、これらの多数の、又、多様な応用分野に用うべ
く、更に実用的なダイヤモンド合成法、特にその薄膜形
態の合成法を見出すことが強く求められている。
【０００３】薄膜形態のダイヤモンドの合成製造法は種
々知られている。合成ダイヤモンド析出に関して開発さ
れた方法の一種類として、化学蒸着（ＣＶＤ）法と称す
るダイヤモンドの低圧成長法がある。文献中で好適とさ
れているＣＶＤ技術には、優れたものが３種ある。第１
の技術は、炭化水素ガス、典型的にはメタン、と水素と
の希釈混合物を使用するものである。炭化水素ガスの含
有量は通常、総体積流中で約0.1 ％乃至2.5 ％に亙る。
上記気体は、温度範囲約1,750 ℃乃至2,400 ℃に電気加
熱された高温タングステンフィラメントの直上に配置さ
れた、石英管を通じて導入される。この気体混合物はフ
ィラメント表面上で解離して、高温タングステンフィラ
メント直下に設置されて加熱された基材上に、ダイヤモ
ンドが凝集する。基材は多くの場合モリブデンであり、
これは温度範囲約500 ℃乃至1,100 ℃に加熱される。
【０００４】第２の技術は、前述のフィラメントプロセ
ス時に、プラズマ放電を加えるものである。プラズマ放
電は、核生成密度及び成膜速度の増大に役立ち、ダイヤ
モンド粒子の形成よりもダイヤモンド薄膜の形成を増大
するものと考えられている。基本的なプラズマシステム
として３種のものが利用されている。第１はマイクロ波
プラズマシステム、第２はＲＦ（誘導結合或いは静電容
量結合）プラズマシステム、第３はＤＣプラズマシステ
ムである。ＲＦ及びマイクロ波プラズマシステムでは、
通常、生成プラズマと電気エネルギーとを電気的に結合
する為の複雑な同調(tuning)或いは整合(matching)ネッ
トワークを必要とする比較的複雑で高価な装置を利用し
ている。加えて、これら２種のシステムにより提供され
るダイヤモンド成膜速度はかなり緩慢である。
【０００５】第３の方法として用いられているのは、炭
化水素に富んだ酸素−アセチレン火炎の如きアセチレン
からの直接析出法である。この技術は大気圧に於て行わ
れ、火炎の特定部分が基材上に噴射されて、この基材上
に100 ミクロン／時よりも大きい高速度でダイヤモンド
が凝集する。Ｙ．マツイ(Y.Matsui)らの「日本応用物理
誌(Japan Journal of Applied Physics)」第28巻、第17
8 頁（1989年）を参照されたい。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ダイヤモンド被膜は、
成長欠陥(growth defect) の故に張力を有しつつ成長
し、又、この被膜中の「内在ひずみ(intrinsic strai
n)」は被膜厚さ及び析出速度に比例する。斯かる内在ひ
ずみにより、硬質基材から取り外したときにダイヤモン
ド薄膜の反り(bowing)及び／或いは亀裂(cracking)が生
じる。これは、ダイヤモンド薄膜が、湾曲した形状に反
ったり亀裂を生じたりすることにより、自身内部の引張
り応力を解放するからである。
【０００７】モリブデンの基材は、ＣＶＤダイヤモンド
がこの物質上に容易に核発生するので、薄いダイヤモン
ド膜製造に好適であるとされてきた。しかし、厚いダイ
ヤモンド膜をモリブデン基材から取り外す場合には、強
いカーバイド結合による問題点が生じた。即ち、このカ
ーバイド結合の為に、冷却に際して亀裂が形成乃至は発
生したり、自立型(self-supporting) 薄膜を得る為には
基材を溶解する必要があるという問題点である。又、剥
離剤を使用すると結果的には基材から薄膜を取り外し易
くなるが、一旦取り外すと薄膜はやはりこの内在ひずみ
に応じて反りを生じてしまう。
【０００８】今のところ、この反り問題を解決する満足
の行く方法は開発されていない。反り問題の殆どは、反
りが現われない様に小面積で薄膜を成長させることによ
り対処されてきている。平坦で、実質的に亀裂が無く、
析出した処の基材から容易に取り外すことが出来ると共
に、析出中に尚早に剥離しないＣＶＤダイヤモンド薄膜
を製造することが望まれる。
【０００９】本発明の課題は、硬質基材上における改良
されたＣＶＤダイヤモンド被膜製造法を提供することで
あり、成膜基材から取り外されて得られるダイヤモンド
薄膜が平坦で亀裂の無いものとなる様な製造法を提供す
ることである。本発明の別の課題は、平坦で亀裂の無い
ダイヤモンド薄膜を製造する為の凸状の基材及びＣＶＤ
反応器であって、ＣＶＤダイヤモンド被膜中の引張り応
力の解放に起因する歪みを補償すべく当該凸状の基材の
曲率半径によって上記ダイヤモンド被膜を形作る様な、
基材及び反応器を提供することである。
【００１０】本発明の更なる課題は、実質的に亀裂の無
い平坦なＣＶＤダイヤモンド薄膜を提供することであ
る。本明細書及び添付された請求項に更に検討を加える
ことによって、本発明の更なる課題及び利点は当業者に
は明らかになろう。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、実質的に亀裂
の無い平坦なダイヤモンド薄膜を製造する為の改良され
た化学蒸着法を提供する。当該方法に於ては、ダイヤモ
ンド被膜の成長を促進する様な圧力、温度、気体濃度の
諸条件の下、加熱された基材表面と水素及び炭化水素の
励起気体混合物とが接触され、基材から取り外したとき
に平坦となるダイヤモンド薄膜が提供される。この方法
に於ては、上記基材は、生成するダイヤモンド被膜中の
引張り応力に相応した曲率半径を持つ凸状の成膜面を有
しており、これにより、基材から取り外した際に実質的
に亀裂の無い平坦な自立型のダイヤモンド薄膜を提供し
得る。
【００１２】又、本発明は、化学蒸着法によりダイヤモ
ンド被膜を成長させる為の凸状の成膜面を有する基材も
提供する。凸状の成膜面の曲率半径は、該成膜面上に生
成するダイヤモンド被膜中の引張り応力に相応してお
り、故に、該表面から取り外した際に平坦で自立型とな
るダイヤモンド薄膜を提供することが出来る。本発明は
更に、化学蒸着反応器を備えて成り、該反応器が反応室
を有していてその室内部に上述の如き基材が備えられて
いる、ダイヤモンド薄膜析出用の装置も提供する。
【００１３】本発明に依れば、実質的に亀裂の無い平坦
なＣＶＤダイヤモンド薄膜も提供される。
【００１４】
【実施例】本発明に斯かるダイヤモンド薄膜は、平坦な
ものである。即ち、方向に関わり無く、これらの薄膜
は、１インチ当り「最高部から最低部」まで約100 μｍ
未満、好適には10μ未満、最適には３μ未満しか反らな
い。「最高部から最低部まで」の寸法は、薄膜の凹状面
の最高点を通る仮想平面から薄膜の凹状面の最低点まで
の距離である。
【００１５】本発明の薄膜の厚さは、約１乃至約2,000
ミクロン、好適には約150 乃至約1,000 ミクロンであ
る。表面積は、例えば約0.1 平方インチ乃至2,500 平方
インチといった様に、如何なる寸法にも製造され得る。
薄膜は典型的には約１平方インチ乃至10平方インチの表
面積を有する。本発明の化学蒸着法は、凸状の成膜面を
有する基材を利用しつつ、上記の如く平坦なダイヤモン
ド薄膜を製造する。凸状の成膜面の曲率半径は、その上
に析出したダイヤモンド薄膜に結果的に生じる湾曲によ
り当該ダイヤモンド薄膜に予見される内部引張り応力が
補償される如きものとする。形成されるダイヤモンド薄
膜中の内部引張り応力を予見すると共にこの応力の解放
に起因する歪みを補償することによって、亀裂の無い平
坦なダイヤモンド薄膜を製造し得る。
【００１６】驚くべきことに、次の事が判明した。即
ち、ダイヤモンド被膜中の引張り応力の解放により生ず
る歪み（反り）を補償するには、凸状の成膜面上でダイ
ヤモンド被膜を成長させ、ダイヤモンド被膜が基材から
取り外された際に該ダイヤモンド被膜が亀裂や破砕を生
じずに平坦な形状へと反ることによって被膜中の内部引
張り応力を解放する様にすればよいということが判明し
たのである。これを達成する為には、上記基材上で、所
望のＣＶＤ条件にて成長したＣＶＤダイヤモンド薄膜の
内部引張り応力を予見することが必要である。ダイヤモ
ンド成膜速度が速いほど薄膜中の応力も大きい。他の成
膜条件及びプロセスの可変部分もまた、生成する薄膜中
の引張り応力に影響を与えることがある。本発明では、
ダイヤモンド被膜は、基材から取り外された際に生ずべ
き応力解放変形(stress-relievingdeformation)の方向
とは逆の方向に湾曲した形で基材上に成長する。基材の
曲率を、ＣＶＤダイヤモンド薄膜が成長するときにその
中に生ずる引張り応力と相応させることにより、基材か
ら取り外した際に応力解放変形により薄膜は平坦とな
る。
【００１７】習用の平坦な基材上での習用の成膜条件で
は、薄膜は亀裂が生じない場合は１インチの距離につき
最高部から最低部までが約150 〜190 μｍだけ反った状
態で生成する。従って、１インチにつき最高部から最低
部までが50〜250 μｍの反りとなる曲率半径を有する基
材を利用すれば、必要な曲率範囲の最初の見積もりとし
ては好ましい。しかし、形成されるダイヤモンド薄膜中
の応力は、用いられる装置及び諸条件に応じて変化す
る。故に、用いられる条件及び装置に対する最初の見積
もりの代替案として、平坦基材上で得られる薄膜の反り
の測定が挙げられる。尚、基材の曲率半径の微調整は必
要に応じて為され得る。
【００１８】本発明で利用される基材は、習用の厚さ・
幅・長さを有するものでよい。好適には厚さは(1/8)"よ
り厚くし、更に好適には厚さ約(1/2)"とする。基材が厚
い方が往々にして亀裂は少ない。基材は一般にはＣＶＤ
ダイヤモンド基材に習用される長さ或いは幅なら如何な
るものでもよいが、表面積が略々１〜10平方インチとす
る。１平方インチの基材を多数縦横に繋いだ配列とする
こともよくある。典型的な配列は幅８″、長さ９″のも
ので、１平方インチの基材を約42枚含んでいる。配列上
に生成する薄膜中の引張り応力の程度は配列のどの位置
で成長が起こるかに応じて変化し得る。配列中の基材全
体の曲率は、「最高部から最低部まで」の値の変化が10
〜100 μｍの間となるように変化させる。
【００１９】基材を成す材料は、ＣＶＤダイヤモンド析
出に習用される材料であれば如何なるものでも良く、例
えば、炭化ケイ素、炭化タングステン、モリブデン、ホ
ウ素、窒化ホウ素、ニオブ、黒鉛、銅、窒化アルミニウ
ム、銀、鉄、ニッケル、ケイ素、アルミナ、シリカ、及
び、これらの組み合わせ、等が挙げられる。モリブデン
は好適な基材材料の一つである。と言うのは、モリブデ
ンは、ダイヤモンドの塵により粗面となったり或いは摩
耗を受けたりせずに、高密度のダイヤモンド核を生成す
るからである。これに加えて、モリブデンの熱膨張係数
であるα＝5.1×10-6／℃なる値は、モリブデンのデバ
イ温度152 ℃よりも高温では比較的一定であると共に、
ダイヤモンドの熱膨張係数である、124 ℃に於てα＝1.
5 ×10-6／℃、930 ℃に於てα＝4.8 ×10-6／℃なる値
よりも大きい。成膜時の温度範囲に於ては、ダイヤモン
ドの熱膨張係数は急激に変化する。というのは、ＣＶＤ
ダイヤモンド成膜時の温度範囲よりもダイヤモンドのデ
バイ温度の方が遥かに高いからである。又、ニオブは、
ダイヤモンド薄膜をこの基材から更に容易に取り外すこ
とが出来るので好適である。
【００２０】モリブデンは、析出時の基材温度と室温と
の間ではその熱膨張係数がダイヤモンド薄膜の平均熱膨
張係数よりも30％大きいので、析出完了後に基材が冷却
する際に、ダイヤモンド薄膜は圧縮状態下に置かれる。
ダイヤモンド薄膜中のこの圧縮応力、及び、基材中の引
張り応力は、まず最初にダイヤモンド薄膜及び基材中の
弾性ひずみにより吸収される。この弾性ひずみエネルギ
ーは、モリブデンとダイヤモンドとの間の結合が断たれ
て薄膜が取り外される際に解放される。蓄積された弾性
エネルギーが大き過ぎると、ダイヤモンド薄膜は基材か
ら激しく分離して、多数のダイヤモンド小片へと亀裂す
るか破砕するかしてしまう。凸状の成膜面を用いればダ
イヤモンド薄膜中のひずみがあまり増加せず、亀裂のな
い平坦なダイヤモンド薄膜を得ることが出来る。
【００２１】好適には、ダイヤモンド薄膜は冷却にあた
り基材から離反する。これが起こらない場合は、薄膜を
回収すべく、基材は典型的には酸により食刻除去され
る。本発明の装置は、気密性で減圧を保持出来る習用の
反応室を含む。この反応室には、反応物である炭化水素
及び水素の気体混合物用の少なくとも１個の給気口と排
気手段（排気口）とが備えられている。反応室領域に存
在する装置部分は全て、約2,000 ℃程度のフィラメント
温度、及び、約1,100 ℃までの基材温度に耐える必要が
あるので、適切な耐熱材料により構築する。この目的に
沿う非導電性で耐熱性の材料の例は、石英である。
【００２２】この装置は、基材の成膜面を500 ℃〜1,10
0 ℃に加熱する為の手段をも含み、該手段は、好適に
は、習用の構造及び回路構成の導電性フィラメント或い
は導線を１個以上含む。これを本明細書では以降、包括
的に「フィラメント」と称する。斯かるフィラメントを
構成する材料は重要ではなく、当技術分野でこの目的に
沿った公知の材料なら何でもよい。例えば、金属タング
ステン、タンタル、モリブデン、レニウムが挙げられる
が、これらの内では比較的低コストであると共に適合性
の高いタングステンが好適である。フィラメント直径
は、典型的には約0.2 〜1.0mm であり、特に、約0.3mm
が好適である。
【００２３】好適には、フィラメントは基材に平行に設
置される。フィラメントから基材までの距離は約５〜10
mm程度である。フィラメント及び関連構造部は１個或い
は複数個存在することもあるが、本明細書中では以降、
１個のものだけに言及する。本発明に関してこの総数が
重要でないことは理解される。又、この装置は、反応室
に流入する反応物である炭化水素及び水素の気体混合物
を励起する為の手段、及び、この励起気体混合物と基材
とを接触させる為の手段をも含む。上述したフィラメン
トは、給気口から基材上に導かれた反応気体混合物を励
起することが出来る。励起気体混合物と基材とを接触さ
せる為の手段としては、給気口を通じて反応室に入って
くる気体混合物の経路上に基材が適切に設置されている
ならば、他の要素は何も必要とされない。
【００２４】用いられる基材の成膜面は、製造しようと
するダイヤモンド薄膜中に企図される固有の引張り応力
に相応するだけの曲率半径を有する凸状とされる。ダイ
ヤモンド被膜を成長させる際、習用の出発物質及びプロ
セス条件が適切である。例えば、炭化水素源は、アルカ
ン系気体、例えば、メタン、エタン、プロパン；不飽和
炭化水素、例えば、エチレン、アセチレン、シクロヘキ
セン；芳香族、例えば、ベンゼン；等を含み得る。但
し、メタンが好適である。炭化水素の水素に対するモル
比は約１：10乃至約１：1,000 といったように広範であ
るが、好適には約１：100 乃至３：100 とする。この気
体混合物を、選択によっては、アルゴンの如き不活性気
体で希釈してもよい。
【００２５】高温フィラメントは、典型的には温度1,75
0 ℃乃至2,400 ℃に加熱される。１時間あたりのエネル
ギ必要量が僅か約650 ワットで、１時間あたり約0.1 乃
至10ミクロン程度の成膜速度が容易に得られている。但
し、より高いエネルギーコストを覚悟すれば、１時間あ
たり10ミクロンより大きな成膜速度も可能である。ダイ
ヤモンドの成長に用いられる基材温度は、典型的には約
500 ℃乃至1,100℃の範囲であり、好適には850 ℃乃至9
50 ℃の範囲である。基材温度を約900 〜1,000 ℃の範
囲に保持すると、気体混合物中に存在する水素と炭化水
素から生成される元素状炭素との間で最小限の反応しか
起こらないので、非常に望ましい。斯くして、基材上に
高速の成膜速度を以て元素状炭素がダイヤモンドとして
析出し得る状態になる。尚、基材温度を独立に制御する
為の設備が全く無かったとすれば、反応器の温度はしば
しば1,000 ℃を超えてしまい、ダイヤモンド成膜速度は
相当に小さくなってしまうだろう。気体混合物の圧力範
囲は一般には約0.01乃至1,000Torr 、好適には約１乃至
800Torr 、典型的には10Torr程度である。本発明での使
用に適した習用のプロセス条件の詳細は、アンガス(Ang
us) らの“ダイヤモンド及びダイヤモンド状相の低圧準
安定成長”「サイエンス(Science) 」第241 巻、第913
〜921 頁（1988年８月19日）、及び、バッハマン(Bachm
ann)らの“ダイヤモンド薄膜”「化学工学新報(Chemica
l Engineering News) 第24〜39頁（1989年５月15日）に
も見出される。米国特許第4,707,384 号では習用のＣＶ
Ｄ条件及び本発明の使用に適した技術に関する更なる詳
細が提示されている。
【００２６】これ以上念を入れなくとも、当業者は上記
の記載内容を用いて、本発明を最大限に利用することが
出来ると考えられる。したがって、以下の特定的な好適
具体例は単に例示的なものであり、如何なる意味でも何
ら開示内容の他の部分を制限するものではないと解釈さ
れるべきである。上記の記載内容及び以下の実施例に於
て、温度は全てセルシウス度にて修正せずに表されてお
り、又、特に記載の無い場合は全ての部及び百分率は重
量による。
【００２７】上記及び下記に引用された出願、特許、刊
行物は全て、その開示内容の全体を援用する。
【００２８】
【具体例】前述した習用のＣＶＤ反応器、及び、表面積
約３ｃｍ2 の平坦（１インチ当り３μｍ未満の反り）で
研摩されたモリブデン基材を用いて、２枚のダイヤモン
ド薄膜を製作した。約0.1barで水素中に約１〜２％のメ
タンを含む気体を、抵抗加熱されて明るく白熱したタン
グステン導線上に流した。数日後、炭化水素の供給を停
止し、系を冷却して、薄膜を基材から取り外した。薄膜
は両方とも１インチ当り150 〜190 μｍの反りを有して
いた。
【００２９】上記と同一の条件を用いて同一の反応器を
用いるとすると、100 μｍ未満の曲率半径を以て反った
平坦なダイヤモンド薄膜を提供する為には、１インチ当
り最高部から最低部までが200 μの曲率半径を以て湾曲
した凸状の成膜面を有するモリブデン基材を用いること
になる。上述の実施例に於て用いられた反応物及び／或
いは操作条件を、包括的或いは特定的に前述した本発明
のものと置き換えることによって、上述の実施例を同様
の成功裡に繰り返すことが出来る。
【００３０】前述の記載内容から、当業者は容易に本発
明の本質的な特性を確かめることが出来るし、本発明の
意図及び範囲から逸脱することなくこれに種々の変更及
び調整を施して種々の利用法及び条件に適合させること
が出来る。
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/205

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 当該基材の凸状の成膜面上へのダイヤモ
    ンド被膜の成長を促進する圧力、温度及び気体濃度の下
    で、加熱された基材を、水素及び炭化水素の励起気体状
    混合物に接触させる段階と、 上記凸状の成膜面の曲率半径は、形成されるダイヤモン
    ド被膜中の引張り応力に相応しており、 上記基材の上記凸状の成膜面から上記ダイヤモンド被膜
    を分離し、平坦なダイヤモンド薄膜を提供する段階とか
    ら成る、平坦なダイヤモンド薄膜製造法。
  2. 【請求項２】 前記基材の前記凸状の成膜面が、全方向
    に於て１インチ当り最高部から最低部までが50〜250 μ
    ｍの範囲の曲率半径を有する、請求項１のダイヤモンド
    薄膜製造法。
  3. 【請求項３】 前記基材がモリブデンである、請求項１
    のダイヤモンド薄膜製造法。
  4. 【請求項４】 提供される前記ダイヤモンド薄膜が、実
    質的に無亀裂であると共に、厚さ１乃至2,000 μｍの範
    囲内である、請求項１のダイヤモンド薄膜製造法。
  5. 【請求項５】 前記基材は、凸状の成膜面を有する複数
    の基材の配列の中にあり、該複数の基材の上記凸状の成
    膜面の曲率半径は、該配列の全体に亙って変化する、請
    求項１のダイヤモンド薄膜製造法。
  6. 【請求項６】 当該基材の表面上に化学蒸着によりダイ
    ヤモンド被膜を成長させる為の基材であって、該基材の
    凸状の成膜面の曲率半径が50〜250 μｍの範囲である基
    材。
  7. 【請求項７】 少なくとも２枚以上の基材から成る配列
    中にある、請求項６の基材。
  8. 【請求項８】 請求項６の基材を２枚以上含み、各基材
    が独立の曲率半径を有する配列。
  9. 【請求項９】 化学蒸着により製造される、平坦で自立
    型のダイヤモンド薄膜であって、全方向に於て１インチ
    当り最高部から最低部までが100 μｍ未満の曲率半径を
    有するダイヤモンド薄膜。
  10. 【請求項１０】 曲率半径が50μｍ未満である、請求項
    ９のダイヤモンド薄膜。
  11. 【請求項１１】 厚さが約150 〜1,000 ミクロンであ
    る、請求項９のダイヤモンド薄膜。
  12. 【請求項１２】 表面積が0.1 平方インチ乃至2,500 平
    方インチである、請求項９のダイヤモンド薄膜。
  13. 【請求項１３】 減圧を保持し得ると共に、反応物であ
    る炭化水素及び水素の気体混合物用の少なくとも１箇所
    の給気口と、少なくとも１個の排気手段とを有する、反
    応室と、 該反応室中に設置されるとともに、全方向に於て１イン
    チ当り最高部から最低部までが50〜250 μｍの範囲の曲
    率半径を持つ凸状の成膜面を有する基材と、 該基材の上記凸状の成膜面を500 ℃〜1,100 ℃の温度に
    加熱する為の手段と、 上記反応室に流入する上記反応物である炭化水素及び水
    素の気体混合物を励起する為の手段と、 上記基材を、上記励起反応物である水素及び炭化水素の
    気体混合物に接触させる手段と、 とを備えて成る化学蒸着装置。
JP4330830A 1991-12-13 1992-12-11 平坦なｃｖｄダイヤモンド薄膜の製造法 Withdrawn JPH05306195A (ja)

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