CN102320670A - 一种镍酸镧导电金属氧化物薄膜材料的制备方法 - Google Patents

一种镍酸镧导电金属氧化物薄膜材料的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102320670A
CN102320670A CN201110140209A CN201110140209A CN102320670A CN 102320670 A CN102320670 A CN 102320670A CN 201110140209 A CN201110140209 A CN 201110140209A CN 201110140209 A CN201110140209 A CN 201110140209A CN 102320670 A CN102320670 A CN 102320670A
Authority
CN
China
Prior art keywords
lanthanum
film material
metal oxide
minutes
oxide film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201110140209A
Other languages
English (en)
Inventor
沈育德
李亚巍
褚君浩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
East China Normal University
Original Assignee
East China Normal University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by East China Normal University filed Critical East China Normal University
Priority to CN201110140209A priority Critical patent/CN102320670A/zh
Publication of CN102320670A publication Critical patent/CN102320670A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

本发明公开了一种镍酸镧导电薄膜材料的制备方法,该方法是按镧∶镍为1∶1的摩尔比,称量硝酸镧和醋酸镧后,以乙醇为溶剂,充分搅拌后得到绿色澄清溶液。接着将所得溶液置于衬底上旋涂成膜,在快速退火炉中退火,退火过程:在180-220℃下保温3分钟,再在380-400℃下热解5分钟,最后在650℃-700℃下高温退火3~5分钟;重复上述过程数次,得到所需厚度的镍酸镧薄膜材料。该材料在功能薄膜材料信息材料等领域具有广阔的应用前景。

Description

一种镍酸镧导电金属氧化物薄膜材料的制备方法
技术领域
本发明涉及一种导电氧化物薄膜材料,具体地说是一种LaNiO3成分的导电金属氧化物薄膜材料的制备方法。 
背景技术
近来人们发现某些钙钛矿结构的金属氧化物,如钌酸锶(SrRuO3)、镧锶钴氧(La0.5Sr0.5CoO3)、镍酸镧(LaNiO3)具有良好的导电性,可以作为钙钛矿结构铁电薄膜底电极使用。其中镍酸镧(LaNiO3)由于其优良的导电性、低廉的成本,并且其晶格常数与钙钛矿结构铁电薄膜非常接近,使之不仅可以作为铁电薄膜底电极使用,而且还可以作为钙钛矿结构铁电薄膜的籽晶层,从而获得了广泛的关注。人们已经利用各种物理、化学方法(溶胶-凝胶法,分子束外延,脉冲激光沉积等)在硅衬底上制备出择优取向的镍酸镧薄膜。化学溶液沉积方法制备薄膜材料具有工艺简单、成本低廉、组分均匀、可大面积均匀成膜等很多优点。到目前为止,已经有化学溶液沉积法在硅衬底上制备出具有择优取向的镍酸镧薄膜的报道,如在2002年8月7日公开的中国发明专利申请公开说明书CN1362749A所披露的“镍酸镧导电金属氧化物薄膜材料的制备方法”。该方法采用醋酸、去离子水为溶剂、添加剂甲酰胺、硝酸镧和醋酸镍为溶质,混合得到前驱体溶液,通过旋涂、分段退火得到镍酸镧导电薄膜。但该方法存在不足之处,原料中采用了醋酸、甲酰胺,均为有毒的液体,且制备工艺较为复杂,增加了生产成本和难度。在2010年10月20日公开的中国发明专利申请公开说明书CN101863679A披露的另外一种制备镍酸镧的化学溶液沉积方法,对前一专利进行了一些改进,但仍然存在类似的不足:原料中的溶剂丙酸、乙醇胺依然是对人体有害的化学试剂,溶液制备仍然步骤复杂。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供一种更为环保、安全、操作更加简单的镍酸镧薄膜材料制备方法。
实现本发明目的具体技术方案是:
一种镍酸镧导电金属氧化物薄膜材料的制备方法,包括以下具体步骤:
a)配制溶液
溶剂为乙醇,溶质为硝酸镧及醋酸镍,按照La∶Ni的摩尔比为1∶1称量硝酸镧和醋酸镍后,以0.2~0.3M的浓度标准加入乙醇(分析纯),然后在室温下进行搅拌,搅拌至硝酸镧及醋酸镍全部溶解为止,得到绿色透明溶液;
b)制备薄膜材料
将步骤a)配制好的溶液滴到高速旋转的基片上,基片转速为3500~4500转/分,旋转20~30秒,得到原料膜;然后将原料膜置于退火炉中进行热处理,退火步骤依次为:在180~220℃下保温3分钟,再在380~400℃下热解5分钟,最后在650℃~700℃下退火3~5分钟;得到镍酸镧导电金属氧化物薄膜材料。
所述基片为经抛光处理的(100)取向硅片。
重复步骤b),可得到不同厚度的镍酸镧薄膜材料。
本发明本发明的突出特点是:
(1)以无毒的乙醇为溶剂,使得配置溶液的操作十分安全。
(2)配置的溶液性能稳定,可长期存放。
(3)设备简单,一般实验室设备都能达到要求。
(4)不需要非常困难的操作,方法非常的简单。
(5)成本低,重复性好,适合大批量的制备。
(6)本发明制备的镍酸镧薄膜呈现(100)择优取向,并显示出金属性导电性,同时作为籽晶层,在其上可制备出高质量的钙钛矿铁电薄膜,并可作为铁电薄膜的底电极。
附图说明
图1为本发明制得镍酸镧薄膜的X射线衍射图;
图2为本发明制得镍酸镧薄膜的断面SEM图;
图3为本发明制得镍酸镧薄膜的表面AFM图。
具体实施方式
a、制备溶液
称取0.01摩尔的硝酸镧、0.01摩尔的醋酸镍,倒入100ml烧瓶中,再加入50ml乙醇(分析纯),搅拌使之溶解,得到浓度为0.2M的绿色透明溶液。
b、制备薄膜材料
(1)将配制好的溶液滴到高速旋转的硅片上,硅片转速在4000转/分,旋转25秒,得到原料膜;
(2)分段退火:在200℃下保温3分钟,再在380℃下热解5分钟,最后在680℃下高温退火4分钟;
(3)重复上述过程6次,制得厚度为240nm的镍酸镧薄膜材料。

Claims (2)

1.一种镍酸镧导电金属氧化物薄膜材料的制备方法,其特征在于该方法包括以下具体步骤:
a)配制溶液
溶剂为乙醇,溶质为硝酸镧及醋酸镍,按照La∶Ni的摩尔比为1∶1称量硝酸镧和醋酸镍后,以0.2~0.3M的浓度标准加入乙醇,乙醇浓度为分析纯,然后在室温下进行搅拌,搅拌至硝酸镧及醋酸镍全部溶解为止,得到绿色透明溶液;
b)制备薄膜材料
将步骤a)配制好的溶液滴到高速旋转的硅片上,硅片转速为3500~4500转/分,旋转20~30秒,得到原料膜;然后将原料膜置于退火炉中进行热处理,退火步骤依次为:在180~220℃下保温3分钟,再在380~400℃下热解5分钟,最后在650℃~700℃下退火3~5分钟;得到镍酸镧导电金属氧化物薄膜材料。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于所述基片为经抛光处理的(100)取向硅片。
CN201110140209A 2011-05-27 2011-05-27 一种镍酸镧导电金属氧化物薄膜材料的制备方法 Pending CN102320670A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201110140209A CN102320670A (zh) 2011-05-27 2011-05-27 一种镍酸镧导电金属氧化物薄膜材料的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201110140209A CN102320670A (zh) 2011-05-27 2011-05-27 一种镍酸镧导电金属氧化物薄膜材料的制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102320670A true CN102320670A (zh) 2012-01-18

Family

ID=45448550

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110140209A Pending CN102320670A (zh) 2011-05-27 2011-05-27 一种镍酸镧导电金属氧化物薄膜材料的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102320670A (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103833416A (zh) * 2014-01-17 2014-06-04 高俊萍 一种镍酸镧导电薄膜的化学溶液沉积制备方法
CN104084699A (zh) * 2014-06-26 2014-10-08 天津大学 一种柔性衬底上制备均匀有机无机钙钛矿晶体薄膜的方法
CN105531798A (zh) * 2013-10-15 2016-04-27 三菱综合材料株式会社 LaNiO3薄膜形成用组合物以及使用该组合物的LaNiO3薄膜的形成方法
CN108417847A (zh) * 2018-01-31 2018-08-17 浩发环保科技(深圳)有限公司 一种钛基镍酸镧电极及其制备方法
CN108928856A (zh) * 2018-09-12 2018-12-04 北京科技大学 一种热力学亚稳态稀土镍基氧化物材料的非真空合成方法
CN109056116A (zh) * 2018-07-05 2018-12-21 合肥萃励新材料科技有限公司 一种镍酸镧负载氧化镍纤维的合成方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1362749A (zh) * 2001-12-07 2002-08-07 中国科学院上海技术物理研究所 镍酸镧导电金属氧化物薄膜材料的制备方法
US20070269683A1 (en) * 2005-11-30 2007-11-22 The Trustees Of The University Of Pennyslvani Non-volatile resistance-switching oxide thin film devices

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1362749A (zh) * 2001-12-07 2002-08-07 中国科学院上海技术物理研究所 镍酸镧导电金属氧化物薄膜材料的制备方法
US20070269683A1 (en) * 2005-11-30 2007-11-22 The Trustees Of The University Of Pennyslvani Non-volatile resistance-switching oxide thin film devices

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
H. SUZUKI等: "化学溶液沉积法制备PZT/LNO电容器的晶向匹配和电学性能", 《JOURNAL OF THE EUROPEAN CERAMIC SOCIETY》 *
P. BRIOIS等: "Structural and electrical characterisation of lanthanum nickelate reactively sputter-deposited thin films", 《THIN SOLID FILMS》 *

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105531798A (zh) * 2013-10-15 2016-04-27 三菱综合材料株式会社 LaNiO3薄膜形成用组合物以及使用该组合物的LaNiO3薄膜的形成方法
EP3041032A4 (en) * 2013-10-15 2017-07-05 Mitsubishi Materials Corporation Lanio3 thin-film-forming composition, and method for forming lanio3 thin-film in which said composition is used
CN103833416A (zh) * 2014-01-17 2014-06-04 高俊萍 一种镍酸镧导电薄膜的化学溶液沉积制备方法
CN103833416B (zh) * 2014-01-17 2017-08-25 高俊萍 一种镍酸镧导电薄膜的化学溶液沉积制备方法
CN104084699A (zh) * 2014-06-26 2014-10-08 天津大学 一种柔性衬底上制备均匀有机无机钙钛矿晶体薄膜的方法
CN104084699B (zh) * 2014-06-26 2016-01-06 天津大学 一种柔性衬底上制备均匀有机无机钙钛矿晶体薄膜的方法
CN108417847A (zh) * 2018-01-31 2018-08-17 浩发环保科技(深圳)有限公司 一种钛基镍酸镧电极及其制备方法
CN108417847B (zh) * 2018-01-31 2021-04-09 浩发环保科技(深圳)有限公司 一种钛基镍酸镧电极及其制备方法
CN109056116A (zh) * 2018-07-05 2018-12-21 合肥萃励新材料科技有限公司 一种镍酸镧负载氧化镍纤维的合成方法
CN108928856A (zh) * 2018-09-12 2018-12-04 北京科技大学 一种热力学亚稳态稀土镍基氧化物材料的非真空合成方法
CN108928856B (zh) * 2018-09-12 2020-06-26 北京科技大学 一种热力学亚稳态稀土镍基氧化物材料的非真空合成方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102320670A (zh) 一种镍酸镧导电金属氧化物薄膜材料的制备方法
CN106803601B (zh) 一种固态电解质锂镧钛氧化合物薄膜的制备方法
CN100587910C (zh) 石英/镍酸镧/铁酸铋-钛酸铅三层结构铁电材料的制备方法
CN104193316B (zh) 一种钇铁石榴石薄膜及其制备方法
CN103360107B (zh) 一种金-镍酸镧复合导电薄膜材料及其制备方法
CN101805181B (zh) 一种钛酸铋钠基铁电薄膜的制备方法
CN108892503B (zh) 一种高电卡效应薄膜材料及其制备方法
CN103073064A (zh) 溶胶凝胶法制备Gd和Co共掺杂的高剩余极化强度的BiFeO3薄膜的方法
CN104071854A (zh) LiCoO2膜形成用前驱体溶液及利用该溶液的LiCoO2膜的形成方法
CN109627043A (zh) 具有高度择优取向的纯相铁酸铋薄膜的制备方法
CN102731083B (zh) 一种制备钇钡铜氧高温超导膜的方法
CN101100381A (zh) 一种低温制备Bi3TiNbO9微纳米压电铁电粉体的方法
CN103833416B (zh) 一种镍酸镧导电薄膜的化学溶液沉积制备方法
CN103746108B (zh) 空心镍锰酸锂结构掺杂锂离子电池正极材料的制备方法
CN105399339A (zh) 一种含掺杂元素的铁酸铋基薄膜及其制备方法
CN101178954A (zh) 一种导电型阻隔层LaNiO3的制备方法
CN104446434A (zh) 一种制备钇钡铜氧高温超导膜的方法
CN108929111A (zh) 一种超高放电储能密度的介质薄膜及其制备方法
CN103060887A (zh) 溶胶凝胶法制备(110)晶面择优生长的高剩余极化强度的BiFeO3 薄膜的方法
CN102515763B (zh) 一种钙钛矿结构陶瓷溶胶的制备方法
CN103708739A (zh) 一种锌掺杂的钛酸铋钠薄膜及其低温制备方法
CN102863019B (zh) 尖晶石结构薄膜型钛酸锂负极材料的制备方法
CN105932088B (zh) 一种具有钙钛矿结构的异质结薄膜光电器件及其制备方法
CN100537084C (zh) 一种Mn掺杂SnO2室温稀磁半导体纳米粉的制备方法
CN101333684B (zh) 铈钇共掺钛酸锶钡纳米材料及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20120118