CN102282645A - 导电密封环静电吸盘 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种用于衬底处理系统的改进的静电吸盘。所述静电吸盘包括：主体，其具有被构造成支撑衬底的顶表面；电源，其用于向主体施加电压；以及密封环，其位于主体和衬底之间，其中密封环具有导电层。

Description

导电密封环静电吸盘
相关专利申请的交叉引用
本专利申请要求于2009年1月20日提交的、名称为“ConductiveSeal Ring Electrostatic Chuck”的共同拥有的美国临时专利申请No.61/145,871的优先权并且涉及该临时专利申请，这个临时专利申请通过引用结合于此。
技术领域
本发明涉及静电吸盘装置，更具体来讲，涉及用于在半导体制造工艺中在衬底处理腔室内吸住并固定衬底的静电吸盘装置。
背景技术
在半导体工业中，在真空腔室中处理盘状衬底是很普遍的。通常，要求在确保处理衬底的整个面的同时将衬底加热或冷却。确保处理衬底的整个面消除了在衬底的外周处机械夹持的可能性，并且良好地建立了将晶片静电地夹到热源或热沉的原理。基本原理涉及使用电源向电介质支撑内部嵌入的一个或多个电极施加电压，所述电介质支撑继而接触待处理的衬底(一个或多个)。所施加的电压产生电场，在衬底与电介质支撑接触的表面中感应出电荷，所述电荷的极性与电极上的电荷的极性相反。相反电荷由于静电吸引而彼此吸引，并因此衬底被夹持到支撑。当去除电极上的电荷时，其产生的电场减弱并且在衬底上感应出的电荷消失。然后，衬底将与该支撑分离。
尽管构思简单，但是实际上使用静电夹具或吸盘(通常称作ESC)存在许多困难。大量不同的实施例企图解决这些实际困难中的一些。当衬底翘曲时产生一个问题。夹持力与ESC电极和衬底之间距离的平方成比例，并且还与所吸引的衬底的面积成比例：因此，翘曲衬底上的夹持力将低于完全平面衬底上的夹持力。当需要处理翘曲衬底时，要求ESC具有高夹持力。可以通过向ESC电极施加高电压或者通过使用Johnson-Rahbek效应来产生高夹持力。Johnson-Rahbek或J-R ESC并入漏电电介质(其电阻率的范围通常为10E8Ω-cm至10E13Ω-cm)以在与衬底直接接触的ESC的衬底处产生电荷。对于类似施加的电压，J-R ESC比常规“库仑力的”ESC(电阻率＞10E14Ω-cm)产生更大的力。然而，在高的施加电压下，使用J-R ESC或库仑力的ESC以产生高夹持力，通常使得衬底更难以释放。
通常，通过在ESC和衬底之间使用气体来增强它们之间的热耦合。典型地，优选在压力范围为1乇至20乇的情况下，优选的是诸如氦或氩的惰性气体。为了实现这些具有低气流的压力，需要在ESC的外周设置密封环：这种密封环通常采用了凸脊的形式。将另外的特征并入到ESC的表面中，以确保该气体在衬底的整个背部表面均匀分布。
一种共同的表面特征细节是所谓的“MCA”或“最小接触面积”ESC。这里，ESC的表面包括在吸盘表面的剩余部分上方凸起的多个突出部。接触衬底的凸起突出部的面积是总ESC面积中的非常小的部分(典型的～1％)。MCA ESC存在许多优点。当衬底被夹持到ESC时，静电吸引通常使衬底变平，从而造成两个主体之间产生相对运动。这种滑动运动可以产生颗粒，这些颗粒粘附到衬底背面或粘附到ESC的表面。在半导体制造中，这两种结果都是不期望发生的：衬底背面上的颗粒会落到盒中其下方的衬底前侧上，从而使器件产率降低，而ESC的表面上的颗粒会造成夹持困难或气体泄漏。MCA ESC减小了吸盘和衬底之间的接触面积，从而减小了将产生颗粒的可能性。如果产生小颗粒，则这些颗粒最可能落到它们没有损害ESC操作的突出部之间的空隙中。MCA ESC也不太可能出现松开夹持的问题，这是因为吸盘和衬底之间的接触面积有限。
现有技术
尽管在新兴技术(例如，LED制造)中使用诸如SiC、蓝宝石和石英的众多其他衬底，但现今用于半导体制造的最常用的衬底是硅(Si)和砷化镓(GaAs)晶片。就硅而言，许多处理的晶片在接触吸盘的背表面上具有电介质。Si衬底和GaAs衬底都容易被现今市场上可得的许多ESC静电地夹持。然而，通常，当去除所施加的电压时，衬底(尤其是蓝宝石、在背部上具有电介质涂层的半绝缘GaAs和Si)没有快速且干净利索地从ESC释放。在现有技术中，存在解决这个问题的三种主要技术。
第一种最简单的技术使用机械力使衬底离开ESC。这种力可以采用多个在ESC表面上方布置的多个针的形式，当需要松开夹持时这些针被激励。每个针对部分衬底施加很小的力，并且它们的组合力克服将衬底保持到ESC的任何剩余静电吸引。除了用针之外或者在没有用针的情况下，还可以向衬底背面施加气体压力，以克服剩余的夹持力。
第二种方法使用施加到ESC电极的时变电势，以使ESC表面上和衬底背面上的剩余电荷消失。在一种形式下，向ESC电源的输出施加渐消失的正弦波。在另一形式下，施加到ESC的电势被干扰，并且与晶片上剩余夹持力相关的信号(通常是指电容)受到监控。所施加的电势被改变，直到在确定与最小剩余夹持力相对应的值为止，在此时通过将衬底抬离具有针的ESC开始松开夹持操作。
第三种方法旨在通过在夹持期间连续变化所施加的电压来防止在ESC和衬底之间的界面上产生大量电荷。通常，这是通过使用由三个或更多个电极组成的多极吸盘来实现的。通过交流(AC)或通过方波输出来驱动这些电极。一直向至少一个电极施加电势，所以衬底承受某种夹持力。然而，因为所施加电势的符号周期性反转，所以电荷载流子的运动恒定并且大部分剩余电荷没有在ESC或衬底的任何部分上出现。这种技术的变形是还可以具有单极或双极ESC。
专利文献包含以金属或金属涂层在静电夹持期间接触衬底的方式来制造ESC的引用文献。例如，在US专利4,502,094中，Lewin等人描述了其中金属柱和外部金属管状支撑接触衬底的ESC。所述金属组件的目的在于改进了晶片和ESC之间的热接触并且用作热沉。
在US专利5,745,332中，Burkhart等人描述了使用局部金属涂层或多孔板筛以提供与单极ESC的第二电接触，由此在不需要激起等离子体的情况下能够进行静电夹持。
在美国专利7,154,731中，Kueper描述了使用局部金属化的ESC表面来降低ESC和衬底之间的辐射耦合。这里，发明人教导了ESC的金属性区域不应该接触衬底。
现有技术的缺点
使用机械力将衬底从ESC去除存在两个主要缺点。如果衬底牢固地附着于ESC并且施加的力过大，则通过向上推穿过衬底的针或如果衬底跳离ESC而落下并且在着地时裂开，衬底容易破裂。另外，如果不能去除ESC和晶片上的剩余电荷，则会产生一些问题。就ESC而言，剩余电荷会损害下一个处理的晶片的夹持或松开夹持的过程。在其表面上具有剩余电荷的衬底在随后的处理过程中经受误操纵。
如果衬底和工艺保持不变，则使用向ESC电极施加时变电势的解吸(dechuck)操作是非常有效的技术。然而，通常，衬底的类型或工艺配方将发生变化。这常常导致需要开发新的解吸算法。在松开夹持期间的粘着可以相对不频繁且不定时地发生、并且需要通过该设备处理数百或数千的衬底来确定新的解吸算法是否有效，这些都会是成本高且耗时的工艺。另外，有时长期对数千个晶片进行的解吸算法可能开始失效。通常，原因是难以(如果不是不可能的话)确定并且唯一的解决方案是按经验开发新的算法。
防止在处理过程中构建过多的剩余电荷是非常好的方法，但是需要使用复杂且昂贵的多极ESC和电源是其显著的缺点。此外，多极ESC方法的一些实现方式造成当每个极夹持然后释放衬底时晶片以所施加的方波信号的频率振动。这种振动会在衬底背面上产生大量颗粒或者可以使薄衬底损坏和破裂。
US专利5,745,332和US专利7,154,731中的这些发明没有明显的缺点，但是发明人正解决与本文解决的粘着问题明显不同的问题。US专利5,745,332将其权利要求限制于单极ESC，而US专利7,154,731教导了金属涂层应该涂布于没有接触衬底的区域。另外，在一个优选的实施例中，US专利7,154,731描述了一种通过额外的电介质覆盖物来保护金属表面的方法。这种方法与本文教导的方法相反。
本发明的目的
基于现有技术的限制，需要一种改进的静电吸盘，其减小了将衬底从静电吸盘去除的机械力并且降低了在静电吸盘的操作过程中衬底上的过多剩余电荷的构建。
现有技术中没有内容提供了本发明附带的权益。
因此，本发明的目的在于提供一种改进方法，其克服现有技术装置的不足并且对于使用静电吸盘处理半导体衬底的改进而言是有显著贡献的。
本发明的另一个目的在于提供一种用于衬底处理系统的改进的静电吸盘。该静电吸盘包括主体、电源和密封环，所述主体具有构造成用于支撑衬底的顶表面，所述电源用于向主体施加电压，所述密封环设置在主体和衬底之间，其中密封环具有导电层。
本发明的又一目的在于提供用于衬底处理系统的一种改进的静电吸盘。该静电吸盘包括主体、电源和密封环，所述主体具有构造成用于支撑衬底的顶表面，所述电源用于向主体施加电压，所述密封环设置在主体和衬底之间，其中密封环是导电的。
本发明的又一目的在于提供一种制造在衬底处理系统中使用的静电吸盘的导电密封环的方法，所述方法包括提供密封环，将离子注入密封环并且将注入后的密封环退火。
本发明的另一目的在于提供一种制造在衬底处理系统中的静电吸盘的导电密封环的方法，所述方法包括提供密封环并且向密封环涂布导电涂层，根据选自由溅射、蒸发、化学气相沉积、脉冲激光沉积、电镀、热喷涂、等离子体喷涂、丝网印刷、涂敷和摩擦组成的组中的方法来执行涂层的涂布。
以上已经列出本发明的一些相关目的。这些目的应该被理解为只是所需发明的更突出特征和应用的一些的例证。通过以不同方式应用所公开的发明或者在本公开的范围内修改本发明，可以获得许多其他有益的结果。因此，除了结合附图、由权利要求限定的本发明范围之外，通过参照本发明的发明内容和优选实施例的具体实施方式，可以更全面理解本发明和其他目的。
发明内容
当前发明描述了一种具有标准电源40的静电吸盘结构10及其制造方法。采用与本领域教导的方式类似的方式来构造吸盘10。然而，在吸盘10构造期间，导电涂层涂布到静电吸盘10的顶表面30的密封环50(参见图1A)。选择导电涂层的电阻率和厚度以提供薄膜电阻小于或大致等于1000Ω/□(欧姆每平方)的涂层。例如，通过沉积～10nm至100nm厚的薄的连续金属性膜，可以实现这个电阻。相比之下，用于构造J-R型和库仑力型静电吸盘的电介质材料的常规电阻率分别为～10E8Ω-cm和～10E14Ω-cm。这些表面具有比1000Ω/□大很多数量级的薄膜电阻。通过将这种导电涂层涂布到密封环表面，得到确保如下效果：在解吸期间快速释放衬底的同时保持有效密封以将晶片和吸盘之间的气体泄漏保持到最低水平。
本发明的导电涂层可以由多种技术来涂布，包括溅射、蒸发、化学气相沉积、脉冲激光沉积、电镀、热喷涂、等离子体喷涂、丝网印刷、涂敷等。优选的涂层是与工艺气体相适应的涂层。对于使用反应气体的干法蚀刻应用，诸如Pt、Rh、Ir和Pd及其合金的贵金属是优选的，这是因为它们耐含氟和氯的等离子体，并且没有形成能够捕获继而可能导致粘着的剩余电荷的表面氧化物。至于除了Si之外的夹持材料，Au也是合适的候选材料。然而，出于经济方面的考虑，Ni及其合金可能是更实际的。石墨也表现出是有效的。其他常用的导电涂层，诸如金属(例如，Al、Ti、Ru、Ag等)、金属合金、导电金属氧化物(例如，ITO、SnO、RuO2等)、导电金属氮化物(例如，TiN、CrN、ZrNx、NbNx、TaNx、MoNx、WNx、VNx等)、导电金属碳化物(例如，TiC、CrCx、ZrCx、NbCx、TaCx、MoCx、WCx、VCx等)、导电金属硼化物、导电金属硅化物、非晶碳、类金刚石碳、碳纳米管等可能适于一些应用。
改进解吸期间的释放特性而危及密封的另一种方式在于用离子注入密封环，所述离子已知用于增大静电吸盘所用电介质的传导性。例如，就氧化铝ESC而言，已知将诸如Ti的掺杂物并入到氧化铝晶格以增大传导率。
本发明的一般原理允许ESC的局部金属化或ESC部分的离子注入，以在释放期间使粘着最小化。只要有足够的电极面积保持未筛选过以确保足够的夹持力，吸盘表面中的与衬底直接接触的大部分可以被金属化，以防止粘着并且改进释放时间。
以上已相当广义地略述了本发明的更相关且重要的特征，使得可以更好地理解随后的本发明的具体实施方式，以便可以更全面理解本发明对本领域的贡献。下文中，将描述形成本发明权利要求主题的本发明的额外特征。本领域的技术人员应该理解，所公开的构思和特定实施例可以容易地用作修改或设计其他结构来执行本发明相同目的的基础。本领域的技术人员还应该认识到，这种等价的结构没有脱离如所附权利要求所阐述的本发明的精神和保护范围。
附图说明
图1A是静电吸盘的顶视图；
图1B是静电吸盘的侧视图；
图2是根据本发明的一个实施例的静电吸盘的横截面图；以及
图3是根据本发明的一个实施例的静电吸盘的横截面图。
在众多附图中，类似的附图标记表示类似的部件。
具体实施方式
在处理和观察许多晶片的过程中，已经认识到，在晶片外边缘处出现松开夹持的期间最粘着，在所述边缘处，晶片与密封环紧密接触。在一些ESC设计中，密封环包括吸盘和晶片接触的最大的连续区域。由于静电夹持力成比例于与晶片连通的电极区域，因此在该密封环处在ESC和晶片之间将出现大的夹持力。这种夹持力会造成在从ESC去除所施加的电势之后该区域处出现大的剩余电荷，这将会解释观察到的结果。
密封环的主要目的不在于产生高的夹持力，而是提供气体密封，使得通常范围在1乇至20乇的压力可以施加在晶片和ESC之间以改进热耦合。事实上，面积减小或接触面积最小化的吸盘的整个构思取决于如下事实：即使大部分晶片保持距离ESC表面上方大致10微米时，在ESC和晶片之间也产生充足的静电夹持力。本发明旨在降低密封环附近ESC和晶片上构建的电荷的累积同时仍然保持密封环作为气体密封表面。这是通过将导电涂层涂布于ESC的密封环来实现的。这个涂层可以通过溅射、蒸发、化学气相沉积、脉冲激光沉积、电镀、热喷涂、等离子体喷涂、丝网印刷或甚至涂敷来涂布的。为了证实可行性，将来自软铅笔的石墨涂层涂布于密封环。
导电涂层用作两个目的：第一，其用于通过下面的ESC电极产生的静电场筛选晶片并因此减小局部静电夹持力。第二，其防止电荷累积在ESC的金属化表面上。为此，不容易形成电绝缘氧化物的贵金属(例如，Au、Pt、Rh)是优选的，这是由于金属表面上的任何自然氧化物将会允许电荷累积在金属-氧化物界面上。Au、Pt和类似的贵金属还提供对于半导体处理过程中使用的反应气体中的一些气体的耐化学性。出于经济方面的原因，Ni和其合金可以用作成本较低的贵金属替代物。
带涂层的密封环不需要由单个导电层来构成。例如，可以顺序沉积两个或更多个层。可以选择第一层以提供与ESC密封环的电介质表面的良好附着(为此目的，已知Ti是非常适合的)。接触衬底的材料应该对于处理条件是呈惰性的，尤其是如果它们包含等离子体。如果需要的话，中间势垒层可以用于防止这两个层的混合。
带涂层的密封环是与裸露的ESC电介质一样有效的密封表面。因此，没有损失ESC外围的气体密封。然而，应该强调，吸盘中的被导电涂覆的区域不再对由于ESC施加到衬底的整体静电夹持力有贡献。
用于防止密封环粘着的可替选的策略是可能的。在不向密封环涂布导电涂层的情况下，密封环的该区域中的ESC电介质的传导性可以增大。这可以通过密封环的离子注入和随后的退火来进行。通过增大密封环处的电介质的至少一些部分的传导性，当从ESC电极去除所施加的电势时，密封环附近的ESC表面上的电荷将更快速地消失。例如，减小密封环处的ESC电介质的电阻率(增大传导性)10倍(即，减小至～10E7Ω-cm)可以与将J-R型ESC的温度升高100℃具有类似的效果，观察到这在缩短松开夹持时间并且使衬底粘着的倾向减小的方面是有效的。
在松开夹持期间，导电密封环和传导性增强的密封环用于减少晶片粘着的功效可以进一步通过省略密封环正下方的ESC电极表面来改进。为了使之有效，电极的边缘与密封环应该分开的距离大于上ESC电介质层厚度。这通常是0.1mm至0.3mm的数量级，所以大约0.5mm或更大的分开是足够的。然而，这个额外特征的潜在的缺点在于，在RF偏置通过ESC的金属电极耦合到晶片的情况下，其中没有电极结构的局部RF耦合将降低。在大多数实际情况下，这种缺陷将非常小或者不太容易注意到。然而，在本发明的一个实施例中，可以将电接触附着到密封环上的导电涂层。这种接触可以用于连续或间断地：
(i)将导电涂层电接地(这能够用于确保在松开夹持的步骤期间在密封环上没有电荷)；
(ii)使用DC电源，将DC偏置施加到导电涂层(这能够用于在松开夹持期间有助于衬底释放或者用于在处理期间控制晶片偏置)；以及
(iii)使用AC电源，将交流电流(AC)偏置施加到导电涂层(所施加的频率范围可以从可用于协助松开夹持操作的非常低的频率至高射频以及50kHz至10GHz范围内的微波)；RF和微波频率将会优选地用于连接到衬底以进行处理；如果与这些频率通过ESC的电介质耦合的情况相比，通过导电涂层施加的这些频率将会更有效率地耦合到衬底。
注意的是，在缺少与地或外部电源的电接触的情况下，导电涂层将会有效地与ESC电介质电绝缘(即，将会电浮置)。
为了证实导电密封环方法的可行性，观察到在Johnson-RahbekESC上处理的GaAs晶片将在解吸期间粘着到ESC边缘处的密封环。这是非常一致的现象并且观察到在所用的工艺条件下每个晶片穿过工艺腔室。然后，对工艺腔室进行排气并且使用#8B“无木石墨”绘图铅笔(General Pencil Company，Inc.，Jersey City，NJ)将柔性石墨应用到密封环，然后利用无尘布擦拭。这在密封环上局部提供导电表面。在这种修改之后，使用与之前实验相同的条件将相同的GaAs晶片穿过工艺腔室。所有晶片都没有表现出任何粘着的迹象。此外，所测得的密封环上的背面气体的泄漏与没有石墨的情况一样。最后，通过将ESC暴露于氧气等离子体60分钟，从密封环去除石墨。然后，使用与之前相同的条件，将相同的GaAs晶片穿过工艺腔室。在这种情况下，确认了存在石墨的、在解吸期间粘着到密封环的100％的晶片仅对改进的解吸性能负责。
如图2和图3中所示，许多静电吸盘10由接触衬底的凸起区域60来构造。吸盘10的大部分表面距离表面几微米远并且紧邻电极70。因此，可料想到的是构造ESC 10，其中与衬底的所有接触点60都是导电的(不只是密封环50)。由于防止电荷在ESC 10接触衬底的表面上累积电荷，所以大大地降低了在松开夹持期间衬底将粘着的可能性。如果衬底的表面是绝缘或半绝缘的材料，则这会是非常有益的，尤其是当工艺时间长并因此夹持时间长时。这种方法可以用于将诸如在平板显示器和薄膜太阳能工业中使用的大玻璃板的夹持和松开夹持，目前，在平板显示器和薄膜太阳能工业中，必须按机械方式松开夹持。如果确实需要，则这些凸起的金属化区域60可以通过薄导电迹线电连接到导电密封环50。在导电密封环50连接到地或外部电压源的实施例中，这将会允许这些区域以类似方式电接地、DC或AC偏置。
当为了通过绝缘载体夹持绝缘衬底或导电衬底而必须将高电压施加到ESC时，如在例如Oerlikon的多晶片载体中一样，必须注意在ESC的金属涂层区域和超过吸盘电介质的电介质强度的吸盘电极之间不会产生电场。在这种情况下，电介质会损坏并且吸盘受损。具有局部带金属涂层的吸盘防止“穿通”的良好方式在于在ESC的导电表面与电极之间提供～0.5mm的横向分开。这显著减小了由于吸盘电介质造成的电场。
本公开包括所附权利要求书中包括的内容以及上述描述中的内容。虽然已经以本发明的优选形式按某种程度的特定性描述了本发明，但是应理解，优选形式的本公开只是以实例的方式进行并且可以采取构造以及部件的组合和布置的细节的众多变化而不脱离本发明的精神和保护范围。
现在既已描述了本发明。

Claims (24)

1.一种衬底处理系统中的静电吸盘，包括：
主体，所述主体具有被构造成支撑所述衬底的顶表面；
电源，所述电源用于向所述主体施加电压；以及
密封环，所述密封环位于所述主体和所述衬底之间，所述密封环具有导电层。
2.根据权利要求1所述的静电吸盘，其中，所述导电层是耐等离子体的。
3.根据权利要求1所述的静电吸盘，其中，所述导电层具有小于或等于约1000欧姆每平方的薄膜电阻。
4.根据权利要求1所述的静电吸盘，其中，所述导电层包含金属。
5.根据权利要求4所述的静电吸盘，其中，所述金属选自由Pt、Pd、Rh和Ni组成的组。
6.根据权利要求1所述的静电吸盘，其中，所述导电层是导电的氧化物。
7.根据权利要求6所述的静电吸盘，其中，所述导电氧化物选自由ITO和SnO组成的组。
8.根据权利要求1所述的静电吸盘，其中，所述导电层包含碳。
9.根据权利要求8所述的静电吸盘，其中，所述导电层包含纳米管。
10.根据权利要求1所述的静电吸盘，其中，所述电源还包括一个或多个电极。
11.一种衬底处理系统中的静电吸盘，包括：
主体，所述主体具有被构造成支撑所述衬底的顶表面；
电源，所述电源用于向所述主体施加电压；以及
密封环，所述密封环位于所述主体和所述衬底之间，所述密封环是导电的。
12.根据权利要求11所述的静电吸盘，其中，利用离子对所述密封环进行注入。
13.根据权利要求11所述的静电吸盘，其中，所述密封环具有小于或等于约1000欧姆每平方的薄膜电阻。
14.一种用于制造在衬底处理系统中使用的静电吸盘的导电密封环的方法，所述方法包括：
提供所述密封环；
将离子注入到所述密封环中；以及
对经注入的密封环进行退火。
15.一种用于制造在衬底处理系统中使用的静电吸盘的导电密封环的方法，所述方法包括：
提供所述密封环；以及
向所述密封环涂布导电涂层，根据由溅射、蒸发、化学气相沉积、脉冲激光沉积、电镀、热喷涂、等离子体喷涂、丝网印刷、涂敷和摩擦组成的组，来执行所述涂层的所述涂布。
16.根据权利要求15所述的制造导电密封环的方法，其中，所述导电涂层的所述涂布还包括：
向所述密封环涂布初始粘附层；
向所述初始粘附层涂布中间阻挡层；以及
向所述中间阻挡层涂布导电层。
17.根据权利要求15所述的制造导电密封环的方法，其中，所述导电涂层是耐等离子体的。
18.根据权利要求15所述的制造导电密封环的方法，其中，所述导电涂层具有小于或等于约1000欧姆每平方的薄膜电阻。
19.根据权利要求15所述的制造导电密封环的方法，其中，所述导电涂层包含金属。
20.根据权利要求19所述的制造导电密封环的方法，其中，所述金属选自由Pt、Pd、Rh和Ni组成的组。
21.根据权利要求15所述的制造导电密封环的方法，其中，所述导电涂层是导电氧化物。
22.根据权利要求21所述的制造导电密封环的方法，其中，所述导电氧化物选自由ITO和SnO组成的组。
23.根据权利要求15所述的制造导电密封环的方法，其中，所述导电涂层包含碳。
24.根据权利要求23所述的制造导电密封环的方法，其中，所述导电涂层包括纳米管。
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