CN102271435A - 镓酸盐发光元件及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种镓酸盐发光元件及其制备方法，该镓酸盐发光元件包括La1-xGaO3:Lnx薄膜和位于所述La1-xGaO3:Lnx发光薄膜表面上的金属层，所述金属层具有金属微纳结构，其中，Ln为Tm、Tb、Eu、Sm中的一种或两种，x的取值范围为0.001≤x≤0.10，制备方法为：在La1-xGaO3:Lnx发光薄膜表面形成金属层，然后将所述La1-xGaO3:Lnx发光薄膜及金属层在真空环境下进行退火处理，使金属层形成金属微纳结构。本发明的镓酸盐发光元件具有较高的发光强度，制备方法具有工艺简单、制备周期短、成本低等特点。
Description
技术领域
本发明涉及发光材料技术领域，尤其涉及一种镓酸盐发光元件及其制备方法。
背景技术
LaGaO3基钙钛矿氧化物是一种低温下具有较高氧离子电导率的材料，并且具有良好的稳定性，稀土离子掺杂的La1-xGaO3:Lnx材料具备良好的发光性能。目前已有多种方法可用于La1-xGaO3:Lnx粉体的制备，但对于器件应用而言，荧光粉由于颗粒之间存在接触电阻，导致粉末屏的电导率不高，且不易控制荧光粉的涂平工艺质量，荧光粉和衬底的粘附性能也不够理想，直接影响La1-xGaO3:Lnx粉体的发光均匀性及使用寿命。因此，如何将La1-xGaO3:Lnx材料制备成为具有良好的均匀性、稳定性和与附底良好的粘附性的薄膜，并进一步增强薄膜的发光强度，一直是材料化学和材料物理学领域中研究的重要内容。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种薄膜型的、具有较高发光强度的镓酸盐发光元件。
本发明进一步要解决的技术问题在于，还提供一种镓酸盐发光元件的制备方法。
为达成上述目的，依据本发明，提供一种镓酸盐发光元件，包括La1-xGaO3:Lnx薄膜和位于所述La1-xGaO3:Lnx发光薄膜表面上的金属层，所述金属层具有金属微纳结构，其中，Ln为Tm、Tb、Eu、Sm中的一种或两种，x的取值范围为0.001≤x≤0.10。
在本发明所述的镓酸盐发光元件中，优选地，所述金属层由银、金、铝、铂、钯、铜或它们中两种或两种以上的合金制成。
在本发明所述的镓酸盐发光元件中，优选地，所述金属层的厚度为1～100nm。
为达成上述目的，依据本发明，还提供一种镓酸盐发光元件的制备方法，在La1-xGaO3:Lnx发光薄膜表面形成金属层，然后将所述La1-xGaO3:Lnx发光薄膜及金属层在真空环境下进行退火处理，使金属层形成金属微纳结构，其中Ln为Tm、Tb、Eu、Sm中的一种或两种，x的取值范围为0.001≤x≤0.10。
在本发明所述的镓酸盐发光元件的制备方法中，优选地，所述金属层由银、金、铝、铂、钯、铜或它们中两种或两种以上的合金制成。
在本发明所述的镓酸盐发光元件的制备方法中，优选地，所述金属层厚度为1～100nm。
在本发明所述的镓酸盐发光元件的制备方法中，优选地，所述La1-xGaO3:Lnx发光薄膜利用溶胶-凝胶法制成。
在本发明所述的镓酸盐发光元件的制备方法中，优选地，所述金属层是将金属溅射或蒸镀到所述Y2O3:Eu发光薄膜表面形成的。
在本发明所述的镓酸盐发光元件的制备方法中，优选地，所述退火处理为在真空度≤1×10-3Pa的真空环境下于100～500℃退火15～180min，然后冷却至室温。
在本发明所述的镓酸盐发光元件的制备方法中，优选地，所述退火处理为在真空度≤1×10-4Pa的真空环境下于200～400℃退火30～150min，然后冷却至室温。
本发明的镓酸盐发光元件通过在La1-xGaO3:Lnx发光薄膜表面形成具有金属微纳结构的金属层，从而在金属层与La1-xGaO3:Lnx发光薄膜之间的界面形成表面等离子体。表面等离子体效应可使La1-xGaO3:Lnx发光薄膜的内量子效率大大提高，即使其自发辐射增强，从而显著增强了La1-xGaO3:Lnx发光薄膜的发光强度。
本发明的镓酸盐发光元件的制备方法，利用成本低廉的溶胶-凝胶法制备La1-xGaO3:Lnx发光薄膜，然后在La1-xGaO3:Lnx发光薄膜上制备具有金属微纳结构的金属层，故具有工艺简单、制备周期短、成本较低等特点，制备的镓酸盐发光元件具有较高的发光强度。
附图说明
下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中：
图1是本发明的镓酸盐发光元件的结构示意图；
图2是本发明的镓酸盐发光元件的制备方法的流程图；
图3是本发明实施例1的镓酸盐发光元件与镓酸盐发光薄膜的发光光谱对比图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例对本发明进行进一步的详细说明。
表面等离子体(Surface Plasmon，SP)是一种沿金属和介质之间的界面传播的波，其振幅随离开界面的距离而呈现出指数衰减。当金属表面结构改变时，表面等离子体激元(Surface plasmon polaritons，SPPs)的性质、色散关系、激发模式、耦合效应等都会发生很大的变化。SPPs引发的电磁场不仅能够限制光波在亚波长尺寸结构中的传播，而且能够产生和操控从光频到微波波段的电磁辐射，实现对光传播的主动操控，增大发光材料的光学态密度和增强其自发辐射速率。表面等离子体的耦合效应还可以大大提高发光材料的内量子效率，从而提高发光材料的发光强度。
本发明的镓酸盐发光元件，通过在金属层与La1-xGaO3:Lnx发光薄膜之间的界面形成的表面等离子体效应，提高了La1-xGaO3:Lnx发光薄膜的内量子效率，进而增强了La1-xGaO3:Lnx发光薄膜的发光强度。
本发明中使用溶胶-凝胶法制备La1-xGaO3:Lnx发光薄膜，使用的原料主要有：La2O3、Ga2O3、Tm2O3、Eu2O3、Sm2O3、Tb4O7等金属氧化物原料；LaCl3、GaCl3、TmCl3、TbCl3、EuCl3、SmCl3等盐酸盐原料；La(NO3)3、Ga(NO3)3、Tm(NO3)3、Tb(NO3)3、Eu(NO3)3、Sm(NO3)3等硝酸盐原料；能够提供La3+、Ga3+、Tm3+、Eu3+、Tb3+或Sm3+的碳酸盐原料；能够提供La3+、Ga3+、Tm3+、Eu3+、Tb3+或Sm3+的草酸盐原料；分析纯的盐酸或硝酸(HCl：36～37％，浓度为11.7mol/L；HNO3：65％～68％，浓度为14.4～15.2mol/L)，用于溶解金属氧化物、碳酸盐或草酸盐；溶剂为去离子水或者无水乙醇；络合剂为优级纯的柠檬酸；表面活性剂为分析纯的聚乙二醇，其分子量为6000、8000、10000或20000；
溶胶-凝胶法的具体步骤如下：
在15℃～100℃加热条件下，将金属氧化物、草酸盐或碳酸盐原料按化学式La1-xGaO3:Lnx(其中，Ln为Tm、Tb、Eu、Sm中的一种或者两种，x的取值范围为0.001≤x≤0.10)的化学计量比称取原料，用分析纯的盐酸或硝酸溶解于容器中；或者选用硝酸盐类或盐酸盐原料按化学式La1-xGaO3:Lnx(其中，Ln为Tm、Tb、Eu、Sm中的一种或者两种，x的取值范围为0.001≤x≤0.10)的化学计量比称取原料置于容器中，然后加入到水和乙醇的混合溶液，其中水与乙醇体积比为1∶3～8，再加入柠檬酸和聚乙二醇，使柠檬酸与原料中金属离子之和的摩尔比为1～5∶1，使聚乙二醇的浓度为0.05～0.20g/mL，在60～80℃水浴加热条件下搅拌2～6h，然后在70～150℃加热20～48h挥发溶剂得到La1-xGaO3:Lnx胶体。
将得到的La1-xGaO3:Lnx胶体进行镀膜，旋转涂敷3～10次，每次涂敷完后将薄膜置于100～150℃烘箱中烘干5～30min，将旋涂成型的薄膜置于程序升温炉中以1℃～5℃/min的升温速度烧结至700～1200℃并保温1～3h，得到薄膜厚度为100nm～2μm的La1-xGaO3:Lnx发光薄膜。
图1是本发明的镓酸盐发光元件的结构示意图，如图1所示，本发明的发光元件包括发光薄膜2以及设于发光薄膜2表面的金属层3。进一步地，本发明的发光元件还包括透光基底1，发光薄膜2制备于透光基底之上，发光薄膜2上设有金属层3。透光基底1可以是石英基片、蓝宝石基片或氧化镁基片等透明或半透明的基片。电子束4直接打在金属层3上，并穿透金属层3，进而激发发光薄膜2发光。
图2是本发明的镓酸盐发光元件的制备方法的流程图。首先，在透光基底1上制备发光薄膜2，或通过购买等其他途径准备发光薄膜2，然后在发光薄膜2表面形成金属层3，最后进行退火处理，得到镓酸盐发光元件。
实施例1
室温下，准确称取6.4286g La(NO3)3·6H2O和6.4556g含Ga元素16.2％的Ga(NO3)3·XH2O置于容器中，加入50mL体积比为3∶1的乙醇和水的混合溶液，于60℃水浴搅拌条件下加入1.5mL浓度为0.1mol/L的Tm3+溶液、11.5284g柠檬酸和5g聚乙二醇10000，再搅拌4h可得到均匀透明的前驱体溶液。将制备的前驱体溶液置于70℃烘箱中陈化48h，得到La0.99GaO3:Tm0.01凝胶并进行旋转涂敷6次，每次涂敷完后将薄膜置于120℃烘箱中烘干15min。将旋涂成型的薄膜置于程序升温炉中以3℃/min的升温速度烧结至1000℃并保温3h，得到厚度为1μm的La0.99GaO3:Tm0.01发光薄膜。
利用磁控溅射设备在La0.99GaO3:Tm0.01发光薄膜表面沉积厚度为2nm的金属银层，然后将其置于真空度为1×10-3Pa的真空环境下，在300℃的温度下退火处理30min，然后冷却至室温，得到表面形成具有金属微纳结构的银层的镓酸盐发光元件。
图3是本实施例的镓酸盐发光元件与镓酸盐发光薄膜的发光光谱对比图，测试条件为：电子束激发加速电压为3KV。如图3所示，曲线a为本实施例的镓酸盐发光元件的发光光谱，曲线b为La0.99GaO3:Tm0.01镓酸盐发光薄膜的发光光谱，由图可以看出，由于具有金属微纳结构的银层与发光薄膜之间的表面等离子体效应，与La0.99GaO3:Tm0.01镓酸盐发光薄膜相比，本实施例的镓酸盐发光元件的发光强度显著提高。
实施例2
室温下，准确称取0.8064g La2O3和0.4686g Ga2O3并润湿后，用4.1mL盐酸和1mL去离子水在15℃搅拌条件下溶解于容器中，冷却后加入50mL体积比为3∶1的乙醇和水的混合溶液，在60℃水浴搅拌条件下加入0.5mL浓度为0.1mol/L的Tm3+溶液、4.8035g柠檬酸和5g聚乙二醇6000，再搅拌4h可得到均匀透明的前驱体溶液。将制备的前驱体溶液置于150℃烘箱中陈化20h，得到La0.99GaO3:Tm0.01凝胶并进行旋转涂敷6次，每次涂敷完后将薄膜置于100℃烘箱中烘干30min。将旋涂成型的薄膜置于程序升温炉中以5℃/min的升温速度烧结至1200℃并保温2h，得到厚度为1μm的La0.99GaO3:Tm0.01发光薄膜。
利用磁控溅射设备在La0.99GaO3:Tm0.01发光薄膜表面沉积厚度为25nm的金属铂层，然后将其置于真空度为1×10-4Pa的真空环境下，在400℃的温度下退火处理30min，然后冷却至室温，得到表面形成具有金属微纳结构的铂层的镓酸盐发光元件。
实施例3
室温下，准确称取2.1537g La(NO3)3·6H2O和2.1519g含Ga元素16.2％的Ga(NO3)3·XH2O置于容器中，而后加入50mL体积比为8∶1的乙醇和水的混合溶液，于70℃水浴搅拌条件下加入0.25mL浓度为0.1mol/L的Tb3+溶液、0.9607g柠檬酸和5g聚乙二醇8000，再搅拌4h可得到均匀透明的前驱体溶液。将制备的前驱体溶液置于70℃烘箱中陈化48h，得到La0.995GaO3:Tb0.005凝胶并进行旋转涂敷3次，每次涂敷完后将薄膜置于150℃烘箱中烘干5min。将旋涂成型的薄膜置于程序升温炉中以1℃/min的升温速度烧结至700℃并保温3h，得到厚度为100nm的La0.995GaO3:Tb0.005发光薄膜。
利用电子束蒸发设备在La0.995GaO3:Tb0.005发光薄膜表面沉积厚度为1nm的金属钯层，然后将其置于真空度为1×10-5Pa的真空环境下，在200℃的温度下退火处理180min，然后冷却至室温，得到表面形成具有金属微纳结构的钯层的镓酸盐发光元件。
实施例4
室温下，准确称取2.3213g La2O3和1.4058g Ga2O3并润湿后，用3.1mL浓硝酸和3mL去离子水在100℃加热搅拌条件下溶解于容器中，冷却后加入50mL体积比为3∶1的乙醇和水的混合溶液，于65℃水浴搅拌条件下加入0.75mL浓度为1mol/L的Tb3+溶液、5.7642g柠檬酸和10g聚乙二醇10000，再搅拌4h可得到均匀透明的前驱体溶液。将制备的前驱体溶液置于60℃烘箱中陈化40h，得到La0.95GaO3:Tb0.05凝胶并进行旋转涂敷10次，每次涂敷完后将薄膜置于120℃烘箱中烘干15min。将旋涂成型的薄膜置于程序升温炉中以4℃/min的升温速度烧结至1200℃并保温1h，得到厚度为2μm的La0.95GaO3:Tb0.05发光薄膜。
利用磁控溅射设备在La0.95GaO3:Tb0.05发光薄膜表面沉积厚度为25nm的金属铂层，然后将其置于真空度为1×10-6Pa的真空环境下，在500℃的温度下退火处理15min，然后冷却至室温，得到表面形成具有金属微纳结构的铂层的镓酸盐发光元件。
实施例5
室温下，准确称取7.9481g LaCl3·6H2O和4.4081g GaCl3置于容器中，而后加入50mL体积比为4∶1的乙醇和水的混合溶液，于60℃水浴搅拌条件下加入2.5mL浓度为1mol/L的Tb3+溶液、5.7642g柠檬酸和2.5g聚乙二醇10000，再搅拌6h可得到均匀透明的前驱体溶液。将制备的前驱体溶液置于70℃烘箱中陈化40h，得到La0.90GaO3:Tb0.10凝胶并进行旋转涂敷6次，每次涂敷完后将薄膜置于100℃烘箱中烘干20min。将旋涂成型的薄膜置于程序升温炉中以3℃/min的升温速度烧结至1000℃并保温2h，得到厚度为1nm的La0.90GaO3:Tb0.10发光薄膜。
利用磁控溅射设备在La0.90GaO3:Tb0.10发光薄膜表面沉积厚度为50nm的金属铝层，然后将其置于真空度为0.5×10-3Pa的真空环境下，在400℃的温度下退火处理60min，然后冷却至室温，得到表面形成具有金属微纳结构的铝层的镓酸盐发光元件。
实施例6
室温下，准确称取6.4610g La(NO3)3·6H2O和6.4556g含Ga元素16.2％的Ga(NO3)3·XH2O置于容器中，而后加入到50mL体积比为4∶1的乙醇和水的混合溶液，于70℃水浴搅拌条件下加入0.75mL浓度为0.1mol/L的Sm3+溶液、5.7642g柠檬酸和5g聚乙二醇20000，再搅拌3h可得到均匀透明的前驱体溶液。将制备的前驱体溶液置于70℃烘箱中陈化42h，得到La0.995GaO3:Sm0.005凝胶并进行旋转涂敷10次，每次涂敷完后将薄膜置于120℃烘箱中烘干15min。将旋涂成型的薄膜置于程序升温炉中以5℃/min的升温速度烧结至1000℃并保温2h，得到厚度为2μm的La0.995GaO3:Sm0.005发光薄膜。
利用电子束蒸发设备在La0.995GaO3:Sm0.005发光薄膜表面沉积厚度为75nm的金属铜层，然后将其置于真空度为0.5×10-4Pa的真空环境下，在100℃的温度下退火处理120min，然后冷却至室温，得到表面形成具有金属微纳结构的铜层的镓酸盐发光元件。
实施例7
室温下，准确称取0.8137g La2O3和0.4686g Ga2O3并润湿后，用1.1mL浓硝酸和1mL去离子水在50℃加热搅拌条件下溶解于容器中，冷却后加入到50mL体积比为3∶1的乙醇和水的混合溶液，于70℃水浴搅拌条件下加入0.5mL浓度为0.01mol/L的Sm3+溶液、5.7642g柠檬酸和5g聚乙二醇8000，再搅拌4h可得到均匀透明的前驱体溶液。将制备的前驱体溶液置于60℃烘箱中陈化48h，得到La0.999GaO3:Sm0.001凝胶并进行旋转涂敷4次，每次涂敷完后将薄膜置于120℃烘箱中烘干15min。将旋涂成型的薄膜置于程序升温炉中以4℃/min的升温速度烧结至1000℃并保温3h，得到厚度为800nm的La0.999GaO3:Sm0.001发光薄膜。
利用磁控溅射设备在La0.999GaO3:Sm0.001发光薄膜表面沉积厚度为100nm的金属金层，然后将其置于真空度为0.5×10-5Pa的真空环境下，在350℃的温度下退火处理90min，然后冷却至室温，得到表面形成具有金属微纳结构的金层的镓酸盐发光元件。
实施例8
室温下，准确称取8.1270g LaCl3·6H2O和4.4018g GaCl3置于容器中，而后加入到50mL体积比为4∶1的乙醇和水的混合溶液，于70℃水浴搅拌条件下加入2mL浓度为1mol/L的Eu3+溶液、5.7642g柠檬酸和5g聚乙二醇10000，再搅拌4h可得到均匀透明的前驱体溶液。将制备的前驱体溶液置于70℃烘箱中陈化48h，得到La0.92GaO3:Eu0.08凝胶并进行旋转涂敷8次，每次涂敷完后将薄膜置于120℃烘箱中烘干20min。将旋涂成型的薄膜置于程序升温炉中以5℃/min的升温速度烧结至1000℃并保温2h，得到厚度为1.5μm的薄膜。
利用电子束蒸发设备在La0.92GaO3:Eu0.08发光薄膜表面沉积厚度为1nm的金属钯层，然后将其置于真空度为0.5×10-5Pa的真空环境下，在200℃的温度下退火处理180min，然后冷却至室温，得到表面形成具有金属微纳结构的钯层的镓酸盐发光元件。
实施例9
室温下，准确称取5.8456g La(NO3)3·6H2O和6.4556g含Ga元素16.2％的Ga(NO3)3·XH2O置于容器中，而后加入到50mL体积比为4∶1的乙醇和水的混合溶液，于80℃水浴搅拌条件下加入0.75mL浓度为1mol/L的Tb3+溶液、0.75mL浓度为1mol/L的Eu3+溶液、5.7642g柠檬酸和5g聚乙二醇20000，再搅拌2h可得到均匀透明的前驱体溶液。将制备的前驱体溶液置于60℃烘箱中陈化36h，得到La0.9GaO3:Tb0.05，Eu0.05凝胶并进行旋转涂敷6次，每次涂敷完后将薄膜置于120℃烘箱中烘干15min。将旋涂成型的薄膜置于程序升温炉中以3℃/min的升温速度烧结至1000℃并保温3h，得到厚度为1μm的La0.9GaO3:Tb0.05，Eu0.05发光薄膜。
利用电子束蒸发设备在La0.9GaO3:Tb0.05，Eu0.05发光薄膜表面沉积厚度为1nm的金属钯层，然后将其置于真空度为0.5×10-4Pa的真空环境下，在200℃的温度下退火处理180min，然后冷却至室温，得到表面形成具有金属微纳结构的钯层的镓酸盐发光元件。
实施例10
室温下，准确称取1.5964g La2O3和0.9372g Ga2O3并润湿后，用2mL浓硝酸和2mL去离子水在80℃加热搅拌条件下溶解于容器中，冷却后加入到50mL体积比为3∶1的乙醇和水的混合溶液，于60℃水浴搅拌条件下加入1mL浓度为0.1mol/L的Tb3+溶液、1mL浓度为0.1mol/L的Sm3+溶液、5.7642g柠檬酸和5g聚乙二醇10000，再搅拌6h可得到均匀透明的前驱体溶液。将制备的前驱体溶液置于70℃烘箱中陈化48h，得到La0.98GaO3:Tb0.01，Sm0.01凝胶并进行旋转涂敷8次，每次涂敷完后将薄膜置于120℃烘箱中烘干15min。将旋涂成型的薄膜置于程序升温炉中以3℃/min的升温速度烧结至1200℃并保温1h，得到厚度为1.5μm的La0.98GaO3:Tb0.01，Sm0.01发光薄膜。
利用磁控溅射设备在La0.98GaO3:Tb0.01，Sm0.01发光薄膜表面沉积厚度为25nm的金属铂层，然后将其置于真空度为1×10-5Pa的真空环境下，在400℃的温度下退火处理30min，然后冷却至室温，得到表面形成具有金属微纳结构的铂层的镓酸盐发光元件。
实施例11
室温下，准确称取2.3213g La2O3和1.4058g Ga2O3，用3.1mL浓硝酸和3mL去离子水在15℃搅拌条件下溶解于容器中，冷却后加入50mL体积比为3∶1的乙醇和水的混合溶液，于65℃水浴搅拌条件下加入0.675mL浓度为1mol/L的Tb3+溶液、0.75mL浓度为0.1mol/L的Sm3+溶液、5.7642g柠檬酸和10g聚乙二醇10000，再搅拌4h可得到均匀透明的前驱体溶液。将制备的前驱体溶液置于70℃烘箱中陈化40h，得到La0.95GaO3:Tb0.045，Sm0.005凝胶并进行旋转涂敷4次，每次涂敷完后将薄膜置于120℃烘箱中烘干15min。将旋涂成型的薄膜置于程序升温炉中以5℃/min的升温速度烧结至1000℃并保温1h，得到厚度为800nm的La0.95GaO3:Tb0.045，Sm0.005发光薄膜。
利用磁控溅射设备在La0.95GaO3:Tb0.045，Sm0.005发光薄膜表面沉积厚度为25nm的金属铂层，然后将其置于真空度为1×10-4Pa的真空环境下，在400℃的温度下退火处理30min，然后冷却至室温，得到表面形成具有金属微纳结构铂层的镓酸盐发光元件。
以上所述仅为本发明的具有代表性的实施例，不以任何方式限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换或改进等，例如，本发明的镓酸盐发光元件中，制成具有金属微纳结构的金属层的金属除了可以是上述银、金、铝、钯、铜等金属之外，也可以是它们中两种或两种以上的合金，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种镓酸盐发光元件，其特征在于，包括La1-xGaO3:Lnx薄膜和位于所述La1-xGaO3:Lnx发光薄膜表面上的金属层，所述金属层具有金属微纳结构，其中，Ln为Tm、Tb、Eu、Sm中的一种或两种，x的取值范围为0.001≤x≤0.10。
2.根据权利要求1所述的镓酸盐发光元件，其特征在于，所述金属层由银、金、铝、铂、钯、铜或它们中两种或两种以上的合金制成。
3.根据权利要求1所述的镓酸盐发光元件，其特征在于，所述金属层的厚度为1～100nm。
4.一种镓酸盐发光元件的制备方法，其特征在于，在La1-xGaO3:Lnx发光薄膜表面形成金属层，然后将所述La1-xGaO3:Lnx发光薄膜及金属层在真空环境下进行退火处理，使金属层形成金属微纳结构，其中Ln为Tm、Tb、Eu、Sm中的一种或两种，x的取值范围为0.001≤x≤0.10。
5.根据权利要求4所述的镓酸盐发光元件的制备方法，其特征在于，所述金属层由银、金、铝、铂、钯、铜或它们中两种或两种以上的合金制成。
6.根据权利要求4所述的镓酸盐发光元件的制备方法，其特征在于，所述金属层厚度为1～100nm。
7.根据权利要求4～6任一项所述的镓酸盐发光元件的制备方法，其特征在于，所述La1-xGaO3:Lnx发光薄膜利用溶胶-凝胶法制成。
8.根据权利要求4～6任一项所述的镓酸盐发光元件的制备方法，其特征在于，所述金属层是将金属溅射或蒸镀到所述Y2O3:Eu发光薄膜表面形成的。
9.根据权利要求4～6任一项所述的镓酸盐发光元件的制备方法，其特征在于，所述退火处理为在真空度≤1×10-3Pa的真空环境下于100～500℃退火15～180min，然后冷却至室温。
10.根据权利要求9所述的镓酸盐发光元件的制备方法，其特征在于，所述退火处理为在真空度≤1×10-4Pa的真空环境下于200～400℃退火30～150min，然后冷却至室温。
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| CN104140815A (zh) * | 2013-05-06 | 2014-11-12 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 钐掺杂稀土镓酸盐发光材料、制备方法及其应用 |
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