CN102270563A - 热处理装置、热处理方法和存储介质 - Google Patents

热处理装置、热处理方法和存储介质 Download PDF

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CN102270563A CN2011101537068A CN201110153706A CN102270563A CN 102270563 A CN102270563 A CN 102270563A CN 2011101537068 A CN2011101537068 A CN 2011101537068A CN 201110153706 A CN201110153706 A CN 201110153706A CN 102270563 A CN102270563 A CN 102270563A
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川口义广
佐竹政纪
八寻俊一
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Abstract

本发明提供热处理装置、热处理方法和存储介质。包括：基板搬送机构(20)；形成对在基板搬送路搬送的被处理基板(G)的热处理空间的第一腔室(8)；能够变更加热或冷却温度的设定温度，能够将上述第一腔室内加热或冷却的第一加热·冷却机构(17、18)；设置于上述第一腔室的前段，对在上述基板搬送路搬送的上述被处理基板进行检测的基板检测机构(45)；和被供给上述基板检测机构的检测信号，并能够进行上述第一加热·冷却机构的控制的控制机构(40)，上述控制机构，在向着上述第一腔室搬送的多个被处理基板中最前头的被处理基板被上述基板检测机构检测到时，将上述第一加热·冷却机构的设定温度从第一温度变更到第二温度。

Description

热处理装置、热处理方法和存储介质
技术领域
本发明涉及一边将被处理基板水平搬送，一边对上述被处理基板实施热处理的热处理装置和热处理方法。
背景技术
例如，在FPD(平板显示器)的制造中，利用所谓光刻工序来形成电路图案。
具体而言，在对玻璃基板等被处理基板形成规定的膜后，涂敷作为处理液的光致抗蚀剂(以下称“抗蚀剂”)来形成抗蚀膜，对应于电路图案将抗蚀膜曝光，并对其进行显影处理。
不过，近年来，在该光刻工序中，出于提高吞吐量的目的，大多采用一边将被处理基板以大致水平姿势的状态搬送，一边对其被处理面实施抗蚀剂的涂敷、干燥、加热、冷却处理等各处理的结构。
例如，在将基板加热，进行抗蚀膜的干燥和显影处理后的干燥的热处理装置中，已普及了如专利文献1所公开的那样，一边将基板在水平方向上水平搬送，一边利用沿着搬送路配置的加热器进行加热处理的结构。
对于具有这种水平搬送结构的热处理装置来说，由于能够一边使多个基板在搬送路上连续地流动一边进行热处理，所以能够期待吞吐量的提高。
以图8(a)～(d)作为一例进行具体说明，图示的热处理装置60具备通过可旋转地铺设多个搬送辊61而得的水平的基板搬送路62，并设置有沿着该基板搬送路62形成热处理空间的腔室65。在腔室65设置有狭缝状的基板搬入口65a和基板搬出口65b。
即，在基板搬送路62上搬送的基板G(G1、G2、G3……)，被连续地从基板搬入口65a搬入到腔室65内实施规定的热处理，然后从基板搬出口65b搬出。
在腔室65内，连续地设置有对基板G(G1、G2、G3……)进行预加热，使基板G升温至规定温度的预加热部63，和用于维持基板温度的进行主加热的主加热部64。
预加热部63具有设置于各搬送辊61之间的下部加热器66和设置于顶部的上部加热器67，主加热部64具有设置于各搬送辊61之间的下部加热器69和设置于顶部的上部加热器70。
在这样构成的热处理装置60中，为了在预加热部63中将基板G加热到规定温度(例如100℃)，下部加热器66和上部加热器67被设为规定的设定温度(例如160℃)。
另一方面，对于主加热部64，为了维持已被预加热部63加热的基板G的温度，高效地进行热处理，下部加热器69和上部加热器70被设为规定的热处理温度(例如100℃)。
然后，如图8(a)～(d)的时序状态所示，多个基板G(G1、G2、G3……)以批次单位连续地从搬入口65a被搬入到预加热部63，各基板G在该处被加热到规定温度(例如100℃)。
在预加热部63中升温的各基板G，被接着搬送到主加热部64，在该处被维持着基板温度实施规定的热处理(例如使抗蚀剂中的溶剂蒸发的处理)，然后被连续地从搬出口65b搬出。
专利文献1：日本特开2007-158088号公报
发明内容
但是，在图8(a)～图8(d)所示的水平搬送结构的热处理装置中，在以批次单位连续对多个基板G进行加热时，存在最前头的基板G1与后续的基板G(G2、G3……)之间的加热温度(基板面内平均温度)产生偏差，配线图案的线宽变得不均匀的课题。
即，连续处理的多个基板G中，就批次最前头的基板G1而言，由于在该基板G1之前没有基板G被搬入腔室65(预加热部63)内，所以会被搬入到蓄热较多的状态的腔室65。
另一方面，就第二片以后搬入到腔室65内的基板G(G2、G3……)而言，由于腔室65内的气氛热被前一个搬入的基板G吸收，所以在腔室内温度比加热最前头基板G1时低的状态下实施热处理。
因此，相对于最前头的基板G1受到的热量，后续的基板G(G2、G3……)受到的热量变得降低，所以腔室65内的热处理温度产生了差异。其结果是，最前头的基板G1的配线图案的线宽可能比其它基板G形成得宽。
本发明鉴于上述现有技术的问题而实施，提供一种一边将多个被处理基板连续地水平搬送一边实施热处理的热处理装置和热处理方法，其能够抑制基板间的热处理温度的偏差，使基板间的配线图案的线宽更加均匀。
为解决上述课题，本发明的热处理装置，是对水平搬送的基板进行热处理的热处理装置，其特征在于，包括：形成基板搬送路，将上述基板沿着上述基板搬送路水平搬送的基板搬送机构；覆盖上述基板搬送路的规定区间，并形成对在上述基板搬送路搬送的上述基板的热处理空间的第一腔室；能够变更加热或冷却温度的设定温度，能够将上述第一腔室内加热或冷却的第一加热·冷却机构；设置于上述第一腔室的前段，对在上述基板搬送路搬送的基板进行检测的基板检测机构；和被供给上述基板检测机构的检测信号，并对上述第一加热·冷却机构进行控制的控制机构，其中，上述控制机构，在向着上述第一腔室被搬送的基板中最前头的基板被上述基板检测机构检测到时，将上述第一加热·冷却机构的设定温度从第一温度变更到第二温度，搬入到上述第一腔室内的上述最前头的基板，在上述第一温度与上述第二温度之间的气氛温度下被热处理。
此外，还优选包括：沿着上述基板搬送路设置于上述第一腔室的后段，覆盖上述基板搬送路的规定区间，并形成对在上述基板搬送路搬送的上述基板的热处理空间的第二腔室；和能够将上述第二腔室内加热或冷却的第二加热·冷却机构，其中上述控制机构将上述第二加热·冷却机构的设定温度设定为第三温度，从上述第一腔室搬入到上述第二腔室的上述基板，通过设定为上述第三温度的上述第二加热·冷却机构，保持在上述第一腔室内热处理后的基板的温度，并进行热处理。
另外，当上述第一加热·冷却机构将上述第一腔室内加热，对搬入到上述第一腔室内的基板进行加热处理时，上述第一温度优选为比上述第二温度低的温度。而当上述第一加热·冷却机构将上述第一腔室内冷却，对搬入到上述第一腔室内的基板进行冷却处理时，上述第一温度优选为比上述第二温度高的温度。
在这种结构中，在对搬入到上述腔室内的多个被处理基板实施加热处理时，在至少最前头的被处理基板在上述腔室的前段被检测到为止，使加热·冷却机构的设定温度比对后续的多个基板的设定温度低。
另一方面，在对搬入上述腔室内的多个被处理基板实施冷却处理时，在至少最前头的被处理基板在上述腔室的前段被检测到为止，使加热·冷却机构的设定温度比对后续的多个基板的设定温度高。
由此，不存在前一个搬入腔室内的被处理基板的最前头基板的热处理温度，与产生有前一个搬入的被处理基板的热吸收或热散发的后续的基板的热处理温度变得大致相等，能够抑制加热处理后的基板温度的偏差。其结果是，能够使基板间的配线图案的线宽更加均匀。
此外，为解决上述课题，本发明的热处理方法，将基板沿着基板搬送路水平搬送，搬入到将上述基板加热或冷却的第一腔室内，并对搬入到上述第一腔室内的基板进行热处理，该热处理方法的特征在于，包括：在向上述第一腔室搬入前，对在上述基板搬送路搬送的基板中最前头的基板进行检测的步骤；和在检测到上述最前头的基板起经过规定的时间后，将上述第一腔室内的第一加热·冷却机构的设定温度从第一温度变更到第二温度的步骤，对上述最前头的基板，在上述第一腔室内在上述第一温度与第二温度之间的气氛温度下进行热处理。
此外，还优选包括：在沿着上述基板搬送路设置于上述第一腔室的后段的第二腔室，将上述第二腔室内的第二加热·冷却机构的设定温度设定为第三温度的步骤；和将上述基板从上述第一腔室搬入到上述第二腔室，通过设定为上述第三温度的上述第二加热·冷却机构，保持在上述第一腔室内经过热处理的基板的温度，并进行热处理的步骤。
另外，当对搬入到上述第一腔室内的多个被处理基板进行加热处理时，上述第一温度优选为比上述第二温度低的温度。
而当对搬入到上述第一腔室内的多个被处理基板进行冷却处理时，上述第一温度优选是比上述第二温度高的温度。
根据这种方法，在对搬入上述腔室内的多个被处理基板进行加热处理时，在至少最前头的被处理基板在上述腔室的前段被检测到为止，使热处理的设定温度比对后续的多个基板的设定温度低。
另一方面，在对搬入上述腔室内的多个被处理基板进行冷却处理时，在至少最前头的被处理基板在上述腔室的前段被检测到为止，使热处理的设定温度比对后续的多个基板的设定温度高。
由此，不存在前一个搬入腔室内的被处理基板的最前头基板的热处理温度，与产生有前一个搬入的被处理基板的热吸收或热散发的后续的基板的热处理温度变得大致相等，能够抑制加热处理后的基板温度的偏差。其结果是，能够使基板间的配线图案的线宽更加均匀。
根据本发明，能够获得一种一边将多个被处理基板连续地水平搬送一边实施热处理的热处理装置和热处理方法，其能够抑制基板间的热处理温度的偏差，使基板间的配线图案的线宽均匀。
附图说明
图1是表示本发明的一个实施方式的整体概略结构的截面图。
图2是表示本发明的一个实施方式的整体概略结构的俯视图。
图3(a)～(d)是用于说明本发明的热处理装置的动作的第一实施方式的截面图。
图4是表示本发明的热处理装置的动作的第一实施方式的流程图。
图5(a)～(d)是用于说明本发明的热处理装置的动作的第二实施方式的截面图。
图6(a)～(d)是用于说明图示动作的第二之后的动作的截面图。
图7是表示本发明的热处理装置的动作的第二实施方式的流程图。
图8(a)～(d)是用于说明现有的热处理装置的课题的截面图。
图9是表示第一实施方式中从批次最前头的基板到批次最后的基板的温度的图。
图10是表示第三实施方式中从批次最前头的基板到批次最后的基板的温度的图。
图11是表示第四实施方式的整体概略结构的俯视图。
附图标记说明
1    加热处理单元(热处理装置)
2         基板搬送路
8         第一腔室
17a～17c  下部面状加热器(第一加热·冷却机构)
18a～18c  上部面状加热器(第二加热·冷却机构)
20        辊(基板搬送机构)
40        控制部(控制机构)
45        基板检测传感器(基板检测机构)
G         基板(被处理基板)
具体实施方式
以下基于附图对本发明的热处理装置的实施方式进行说明。另外，本实施方式中，以将热处理装置应用于对作为被处理基板的玻璃基板(以下称“基板G”)进行加热处理的加热处理单元的情况为例进行说明。
图1是表示加热处理单元1的整体的概略结构的截面图，图2是加热处理单元1(表示平面方向的截面)的俯视图。
该加热处理单元1如图1、图2所示，具有利用可旋转地铺设的多个辊20将基板G向着X方向搬送的基板搬送路2。沿着该基板搬送路2，从上游侧依次配置(向着X方向)有：基板搬入部3、进行预加热的预加热部4和进行主加热的主加热部5。
基板搬送路2如图2所示，具有多个在Y方向延伸的圆柱状的辊20(基板搬送机构)，这些多个辊20在X方向上隔开规定的间隔，分别可旋转地配置。此外，基板搬入部3的辊20、预加热部4的辊20和主加热部5的辊20各自的驱动系统独立设置。具体而言，基板搬入部3的多个辊20以其旋转轴21的旋转能够在传送带22a的作用下联动的方式设置，一个旋转轴21与电动机等辊驱动装置10a连接。
此外，预加热部4的多个辊20以其旋转轴21的旋转能够在传送带22b的作用下联动的方式设置，一个旋转轴21与电动机等辊驱动装置10b连接。另外，主加热部5的多个辊20以其旋转轴21的旋转能够在传送带22c的作用下联动的方式设置，一个旋转轴21与电动机等辊驱动装置10c连接。
另外，各辊20以其周面与基板G的整个宽度相接的方式设置，并且，外周面部由树脂等热传导率低的材料，例如PEEK(聚醚醚酮)形成，以使被加热后的基板G的热不容易传递。此外，辊20的旋转轴21由铝、不锈钢、陶瓷等高强度且低热传导率的材料形成。
另外，加热处理单元1具有用于形成规定的热处理空间的腔室8。腔室8形成为将基板搬送路2的周围覆盖的薄型的箱状，在该腔室8内，对辊搬送的基板G连续进行预加热部4的预加热和主加热部5的主加热。
另外，在本实施方式中，腔室8包括：形成预加热部4的热处理空间的第一腔室8A；和与该第一腔室8A的后端相连地形成的，形成主加热部5的热处理空间的第二腔室8B。
如图1所示，在腔室8的前部侧壁，设置有在Y方向上延伸的狭缝状的搬入口51。基板搬送路2上的基板G通过该搬入口51，搬入到腔室8内。
此外，在腔室8的后部侧壁，设置有基板搬送路2上的基板G能够通过的在Y方向上延伸的狭缝状的搬出口52。即，基板搬送路2上的基板G通过该搬出口52，从腔室8搬出。
此外，腔室8的上下左右的壁部具有双重壁结构，该双重壁结构包括相互隔开空间设置的内壁12和外壁13，内壁12和外壁13之间的空间14，作为将腔室8内外绝热的空气绝热层发挥作用。此外，在外壁13的内侧面设置有绝热材料15。
另外，如图2所示，在腔室8中，在Y方向上相对的(由上述内壁12和外壁13构成的)侧壁设置有轴承22，通过该轴承22，基板搬送路2的辊20各自被可旋转地支承。
另外，如图1所示，在腔室8中，在搬入口51附近的上壁部设置有排气口25，在下壁部设置有排气口26，分别与排气量可变的排气装置31、32连接。
此外，在腔室8的搬出口52附近的上壁部设置有排气口27，在下壁部设置有排气口28，分别与排气量可变的排气装置33、34连接。
即，通过使上述排气装置31～34运转，来经由排气口25～28进行腔室8内的排气，使腔室内温度更加稳定化。
另外，如图1所示，预加热部4作为第一加热机构，具有沿着基板搬送路2排列在腔室8内的下部面状加热器17a～17c和上部面状加热器18a～18c。这些下部面状加热器17a～17c和上部面状加热器18a～18c分别通过供给驱动电流而发热。
另外，在图1、图2所示的例子中，下部面状加热器17a～17c分别由两根长条状的板构成，各板以从下方加热基板G的方式，铺设在相邻的辊部件20之间。
此外，上部面状加热器18a～18c分别由两根长条状的板构成，如图1所示，以从上方加热基板G的方式，铺设在腔室8的顶部。
此外，通过下部面状加热器17a和上部面状加热器18a加热预加热部4的上游区域(称作区域A)，通过下部面状加热器17b和上部面状加热器18b，加热预加热部4内的中央区域(称作区域B)。另外，通过下部面状加热器17c和上部面状加热器18c，加热预加热部4内的下游区域(称作区域C)。
各区域A～C能够按各区域进行加热控制。即，下部面状加热器17a和上部面状加热器18a分别由加热器电源35a、35b供给驱动电流。另外，下部面状加热器17b和上部面状加热器18b分别由加热器电源36a、36b供给驱动电流，另外，下部面状加热器17c和上部面状加热器18c分别由加热器电源37a、37b供给驱动电流。这些各加热器电源35a、35b、36a、36b、37a、37b分别为由计算机构成的控制部40(控制机构)所控制。
另一方面，主加热部5作为第二加热机构，具有沿着基板搬送路2设置在腔室8内的由长条状的板构成的下部面状加热器23和上部面状加热器24。其中，下部面状加热器23以从基板G的下方进行加热的方式，铺设在相邻的辊部件20之间，上部面状加热器24以从基板G的上方进行加热的方式，铺设在腔室8的顶部。通过加热器电源39a、39b向上述下部面状加热器23和上部面状加热器24供给驱动电流，各加热器电源39a、39b为控制部40所控制。
此外，在该加热处理单元1中，在基板搬入部3的规定位置，设置有用于检测在基板搬送路2上搬送的基板G的基板检测传感器45(基板检测机构)，将其检测信号向控制部40输出。
该基板检测传感器45，例如从腔室8的搬入口51向前方侧空开规定距离设置，在基板G的规定部位(例如前端)通过传感器上经过规定时间后，基板G从搬入口51搬入到腔室8内(预加热部4)。
此外，在腔室8内，在主加热部5的入口附近，设置有对搬入该主加热部5的基板G，例如通过红外线照射来非接触地进行基板温度的检测的基板温度检测传感器46(基板温度检测机构)，将其检测信号向控制部40输出。即，控制部40基于基板温度检测传感器46的输出，取得被预加热部4加热后的基板G的温度。
接着，使用图3和图4对如此构成的加热处理单元1的第一实施方式进行说明。其中，图3是表示加热处理单元1的基板处理状态的截面图，图4是表示对预加热部4的控制动作的流程的流程图。
首先，通过供给来自各加热器电源35a、35b、36a、36b、37a、37b的驱动电流，将预加热部4的下部面状加热器17a～17c和上部面状加热器18a～18c统一设定为第一温度(例如150℃)(图4的步骤S1)。此外，通过供给来自加热器电源39a、39b的驱动电流，将主加热部5的上部面状加热器24和下部面状加热器25的温度，设定为用于维持已被预加热部4加热的基板G的温度的第三温度(例如100℃)。
通过该加热器温度设定，使腔室8内的气氛为，预加热部4为比主加热部5高规定温度的状态。即，基板G通过成为高温(150℃)气氛的预加热部4，由此使其基板温度升温到规定的热处理温度(例如100℃)，在通过主加热部5的期间，基板温度得以维持。
如上所述，当基板搬入前对腔室8内的气氛温度进行调整后，如图3(a)所示，最前头的基板G1以规定的搬送速度(例如50mm/sec)在基板搬入部3的基板搬送路2上搬送。然后，如图3(b)所示，当通过基板检测传感器45检测到基板G1时(图4的步骤S2)，该基板检测信号被供给到控制部40。当被供给了上述基板检测信号后，控制部40基于从传感器检测时起的经过时间和基板搬送速度来取得基板G1的搬送位置。
然后，控制部40控制预加热部4的加热器电源35a、35b、36a、36b、37a、37b，在经过规定时间后，变更(增加)向下部面状加热器17a～17c和上部面状加热器18a～18c供给的电流。
即，在从检测到上述基板起经过规定时间后(例如基板G1即将从腔室8的搬入口51搬入前)，将预加热部4的加热器设定温度从上述第一温度变更为第二温度(例如160℃)(图4的步骤S4)。
此处，当最前头的基板G1搬入预加热部4时，在该时刻，预加热部4内的气氛温度未达到上述第二温度(160℃)。因此，基板G1被第一温度(150℃)和第二温度(160℃)之间的气氛温度加热。通过该预加热部4的加热处理，基板G1升温至规定温度(100℃附近)，接着被搬入到主加热部5。
然后，在主加热部5中搬送的基板G1，通过下部面状加热器23和上部面状加热器24的加热，维持基板温度，并被实施规定的热处理(例如抗蚀剂中的溶剂的蒸发)，从搬出口52搬出。
此外，如图3(c)所示，在最前头的基板G1之后，多个基板G(G2、G3、G4……)被连续地搬入腔室8内。
此处，预加热部4的下部面状加热器17a～17c和上部面状加热器18a～18c的设定温度，在步骤S4中为第二温度(160℃)。但是，在基板G1的后续的基板G(G2、G3……)的加热处理时，预加热部4内的气氛热被各自的前一个搬送的基板G吸收，气氛温度降低。因此，继基板G1之后的多个基板G，各自在第一温度(150℃)与第二温度(160℃)之间的气氛温度下加热。
其结果是，预加热部4中对最前头的基板G1加热的加热温度与对后续的多个基板G加热的加热温度大致相等，基板间的热处理温度的偏差被抑制得较小。
此外，在预加热部4中升温至规定温度(100℃)的多个基板G(G2、G3……)，与最前头的基板G1同样地被搬入主加热部5，并在此处实施规定的热处理，从搬出口52搬出。
此外，如上所述，进行多个基板G的热处理(图4的步骤S5)，当批次最后的基板Gn被基板搬入部3的基板检测传感器45检测到时(图4的步骤S6)，控制部40在经过规定时间后对加热器电源35a、35b、36a、36b、37a、37b进行控制。
具体而言，在最后的基板Gn通过预加热部4后以减少向下部面状加热器17a～17c和上部面状加热器18a～18c供给的电流，使其加热器温度恢复第一温度(150℃)的方式进行控制(图4的步骤S7)。
由此，完成在加热处理单元1中进行下一批次的多个基板G的加热处理的准备。
如上所述，根据第一实施方式，当对搬入到腔室8内的多个基板G实施热处理时，在至少最前头的基板G1在上述腔室8的前段被检测到为止，使预加热部4的加热器设定温度为比针对后续的多个基板G的设定温度(第二温度)低的第一温度。然后，在基板G1被搬入到预加热部4的时刻，将加热器设定温度变更为第二温度。
通过该控制，在预加热部4中，不存在之前搬入的基板G的最前头基板G1对应的气氛温度，与存在前一个搬入的基板G的热吸收(气氛温度降低)的后续的多个基板G对应的气氛温度大致相等，能够抑制加热处理温度的偏差。其结果是，能够使基板间的配线图案的线宽更加均匀。
接着，对加热处理单元1的热处理工序的第二实施方式，使用图1、图2和图5～图7进行说明。其中，图5、图6是表示加热处理单元1的基板处理状态的截面图，图7是表示对预加热部4的控制动作的流程的流程图。
该第二实施方式中，仅预加热部4的加热器设定温度的控制方法与上述第一实施方式不同。
即，上述第一实施方式中，使预加热部4的下部面状加热器17a～17c和上部面状加热器18a～18c的加热器设定温度，统一地在同一时刻在第一温度(150℃)和第二温度(160℃)间切换。而该第二实施方式中，按预加热部4内的区域(区域A～C)在不同的时刻切换加热器设定温度。
具体来说，如图5(a)所示，在批次最前头的基板G1搬入预加热部4之前，使预加热部4的加热器设定温度为第一温度(150℃)，使主加热部5的加热器设定温度为第三温度(100℃)(图7的步骤St1)。
由此，腔室8内在预加热部4和主加热部5中分别为与加热器设定温度大致接近的温度的气氛。
如图5(a)所示，批次最前头的基板G1以规定的搬送速度(例如50mm/sec)搬送，当由基板检测传感器45检测到时，将检测信号向控制部40供给(图7的步骤St2)。
控制部40基于从传感器检测时起的经过时间和基板搬送速度，开始取得(检测)基板G1的搬送位置。
然后，如图5(b)所示，控制部40在检测到批次的最前头的基板G1的前端即将搬入预加热部4时(图7的步骤St3)，将设置于区域A的下部面状加热器17a和上部面状加热器18a的设定温度变更为第二设定温度(160℃)(图7的步骤St4)。
此外，如图5(c)所示，控制部40在检测到基板G1的前端即将搬入作为预加热部4的中央区域的区域B时(图7的步骤St5)，将设置于区域B的下部面状加热器17b和上部面状加热器18b的设定温度变更为第二设定温度(160℃)(图7的步骤St6)。
然后，如图5(d)所示，控制部40在检测到基板G1的前端即将搬入作为预加热部4的下游区域的区域C时(图7的步骤St7)，将设置于区域C的下部面状加热器17c和上部面状加热器18c的设定温度变更为第二设定温度(160℃)(图7的步骤St8)。
如此，在第二实施方式中，在最前头的基板G1在预加热部4中搬送的期间，在基板G1通过区域A～C的各区域的时刻，将加热器设定温度从第一温度(150℃)切换到第二温度(160℃)。
因此，在最前头的基板G1通过预加热部4内的期间，预加热部4的气氛温度尚未到达上述第二温度(160℃)，基板G1在第一温度(150℃)和第二温度(160℃)之间的气氛温度下进行加热处理。通过该预加热部4中的加热处理，基板G1升温至规定温度(100℃附近)，接着被搬入主加热部5。
然后，在主加热部5中，基板G1的基板温度在下部面状加热器23和上部面状加热器24的加热的作用下得以维持，在实施规定的热处理(例如抗蚀剂中的溶剂的蒸发)后被从搬出口52搬出。
此外，与上述第一实施方式相同地，继最前头基板G1后，多个基板G被连续地搬入到腔室8内。此处，预加热部4的下部面状加热器17a～17c和上部面状加热器18a～18c的设定温度，在步骤St8中已全部为第二温度(160℃)。但是，在基板G1的后续基板G(G2、G3……)的加热处理时，预加热部4内的气氛热被各自的前一个搬送的基板G吸收，气氛温度降低。因此，继基板G1之后的多个基板G，分别在第一温度(150℃)和第二温度(160℃)之间的气氛温度下加热(图7的步骤St9)。
其结果是，预加热部4中对最前头的基板G1加热的加热温度与对继基板G1后连续搬入的多个基板G加热的加热温度变得大致相等，基板间的热处理温度的偏差被抑制得较小。
此外，在预加热部4中升温至规定温度(100℃)的多个基板G，与最前头的基板G1同样地被搬入到主加热部5，并在此处实施规定的热处理，被从搬出口52搬出。
另外，进行多个基板G的连续处理，如图6(a)所示，当批次最后的基板Gn被基板检测传感器45检测到时，将检测信号供给到控制部40(图7的步骤St10)。
控制部40基于从传感器检测时起的经过时间和基板搬送速度，开始取得(检测)基板Gn的搬送位置。
然后，如图6(b)所示，控制部40在检测到批次最后的基板Gn搬入到预加热部4，整个基板通过了上游侧的区域A时，将设置于区域A的下部面状加热器17a和上部面状加热器18a的设定温度变更为第一设定温度(150℃)。
此外，如图6(c)所示，控制部40在检测到整个基板Gn通过了作为预加热部4的中央区域的区域B时，将设置于区域B的下部面状加热器17b和上部面状加热器18b的设定温度变更为第一设定温度(150℃)。
然后，如图6(d)所示，控制部40在检测到整个基板Gn通过了作为预加热部4的下游区域的区域C时(即整个基板Gn通过了预加热部4时)，将设置于区域C的下部面状加热器17c和上部面状加热器18c的设定温度变更为第一设定温度(150℃)。
像这样，批次最后的基板Gn通过后的区域A、B、C各区域，其加热器温度设定立即变更为第一温度，为下一批次的热处理作好准备。
如上所述，根据第二实施方式，与上述第一实施方式同样地，能够使预加热部4中对最前头基板G1加热的加热温度与对继基板G1后连续搬入的后续的多个基板G加热的加热温度大致相等，能够将基板间的热处理温度的偏差抑制得较小。
此外，在最前头基板G1通过预加热部4的期间，在基板G1每次通过区域A～C各区域时使加热器设定温度变更(上升)，所以预加热部4的气氛温度的急剧变化得以缓和。因此，能够进一步减少基板间和基板内的热处理温度的偏差。
此外，批次最后的基板Gn通过后的区域A～C各区域，其加热器温度设定立即恢复为第一温度(150℃)，所以能够更迅速地将预加热部4内的气氛温度降低到第一温度附近。因此，能够缩短处理下一批次前的待机时间，能够提高生产率。
另外，在上述第二实施方式中，在批次最前头的基板G1的前端即将到达区域A～C各区域前的时刻，变更各区域的加热器设定温度。
但是并不限定于此，也可以在基板G1的任意部位(例如中央部或后端)到达区域A～C各区域的时刻，进行变更该区域的加热器设定温度的控制。
此外，这时也可以基于由基板温度检测传感器46检测到的在预加热部4中进行加热处理后的基板温度，来确定上述加热器设定温度的变更时刻。
另外，在上述第一、第二实施方式中，以预加热部4的加热器设定温度能够切换到第一温度(150℃)和第二温度(160℃)这二个等级的结构为例。但是，本发明的热处理装置不限于此，也可以例如在第一温度和第二温度之间，更多等级地(更细地)设置加热器设定温度。在这种情况下，例如可以考虑进行如下控制，即，就连续搬入腔室8内的批次最前头侧的多片基板而言，按每个连续处理的基板G，使加热器设定温度阶梯性地缓缓上升，在达到规定片数时，使加热器设定温度到达第二温度。
在进行这种控制的情况下，连续处理的基板间的加热温度之差变小，能够进一步抑制其偏差。
此外，在上述第一、第二实施方式中，上述第一温度和第二温度是预先决定的固定的温度，但也可以例如控制部40基于基板温度检测传感器46的输出(由预加热部4加热后的基板温度)，按每个基板G来每次决定第二温度。
更具体地说，在由设定为例如160℃的第二温度加热后，基板温度检测传感器46检测到的基板温度没有达到期望的温度(例如100℃)的情况下，在下一基板加热时优选将第二温度设定为更高的温度。
另一方面，在由设定为例如160℃的第二温度加热后，基板温度检测传感器46检测到的基板温度高于期望的温度(例如100℃)的情况下，在下一基板加热时优选将第二温度设定为更低的温度。
接着说明第三实施方式。此处对与第一或第二实施方式相同的部分省略说明。在第三实施方式中，除了第一温度(150℃)、第二温度(160℃)外，还设有例如第四温度(162℃)和第五温度(164℃)。然后，在预加热部4的加热器设定温度从第一温度变更到第二温度为止，与第一实施方式相同。然后，在经过从最前头的基板G1起规定片数后(例如第四片基板G4)的基板被基板检测传感器45检测到的规定时间后，将预加热部4的设定温度变更为第四温度(162℃)。然后，在从最前头的基板G1起规定片数后(例如第八片基板G8)的基板被基板检测传感器45检测到并经过规定时间后，将预加热部4的设定温度变更为第五温度(164℃)。然后，在批次最后的基板Gn被基板检测传感器45检测到并经过规定时间后，具体而言在最后的基板Gn通过预加热部4后，将预加热部4的设定温度变更为第一温度(150℃)。
在此，将第一实施方式中从批次最前头到批次最后的基板的温度的偏差作图表示在图9中，与第三实施方式进行比较。在第一实施方式中，如图9所示，基板G的温度，批次最前头的基板G1最高，从接下来的基板G2起温度依次降低，在例如第十二片基板以后，稳定在大致一定的温度。在图9中，从批次最前头到批次最后的基板的温度的偏差为约4.0℃，这在能够允许的范围内。接着将第四实施方式中从批次最前头到批次最后的基板的温度的偏差作图表示在图10中。图10中从批次最前头到批次最后的基板的温度的偏差为约1.4℃。像这样，通过像第三实施方式这样控制预加热部4的加热器设定温度，能够使从批次最前头到批次最后的基板G的温度的偏差进一步缩小，能够进一步提高产品的成品率。
接着说明第四实施方式。如图11所述，在第四实施方式中，下部面状加热器17a～17c和上部面状加热器18a～18c各自在与基板的搬送方向正交的方向(Y方向)上被分割成多个。而且，各个分割后的加热器能够各自进行温度控制。另外，在与基板的搬送方向正交的方向上，且在与分割后的加热器分别对应的位置，配置有多个未图示的基板温度检测传感器46。
而且，除了第一～第三实施方式说明的之外，各个基板温度检测传感器46对基板G的温度进行检测，基于该检测结果对对应的分割后的加热器的温度进行控制。通过如此控制下部面状加热器17a～17c和上部面状加热器18a～18c，能够使从批次最前头到批次最后的基板的温度的偏差进一步缩小，能够进一步提高产品的成品率。
此外，第一～第四实施方式中说明的加热器(下部面状加热器17a～17c和上部面状加热器18a～18c等)的控制，作为控制热处理装置的程序，分别存储于未图示的存储部。此外，也可以使用存储有这些程序的存储介质来控制热处理装置的控制部。
此外，在上述实施方式中，将本发明的热处理装置应用于对被处理基板G实施加热处理的加热处理单元1，但并不限定于此，也可以应用于对基板G实施冷却处理的基板冷却装置。此时，作为冷却机构，例如能够使用由珀尔帖元件冷却的板。
另外，在这种情况下，通过将上述第一温度设定成比第二温度高规定温度的温度，能够使最前头的被处理基板与后续的被处理基板的热处理空间的气氛大致相等，能够抑制热处理(冷却)温度的偏差。

Claims (14)

1.一种热处理装置，对水平搬送的基板进行热处理，该热处理装置的特征在于，包括：
形成基板搬送路，将所述基板沿着所述基板搬送路水平搬送的基板搬送机构；
覆盖所述基板搬送路的规定区间，并形成对在所述基板搬送路搬送的所述基板的热处理空间的第一腔室；
能够变更加热或冷却温度的设定温度，能够将所述第一腔室内加热或冷却的第一加热·冷却机构；
设置于所述第一腔室的前段，对在所述基板搬送路搬送的基板进行检测的基板检测机构；和
被供给所述基板检测机构的检测信号，并对所述第一加热·冷却机构进行控制的控制机构，其中，
所述控制机构，在向着所述第一腔室被搬送的基板中最前头的基板被所述基板检测机构检测到时，将所述第一加热·冷却机构的设定温度从第一温度变更到第二温度，
搬入到所述第一腔室内的所述最前头的基板，在所述第一温度与所述第二温度之间的气氛温度下被热处理。
2.如权利要求1所述的热处理装置，其特征在于，包括：
沿着所述基板搬送路设置于所述第一腔室的后段，覆盖所述基板搬送路的规定区间，并形成对在所述基板搬送路搬送的所述基板的热处理空间的第二腔室；和
能够将所述第二腔室内加热或冷却的第二加热·冷却机构，其中
所述控制机构将所述第二加热·冷却机构的设定温度设定为第三温度，
从所述第一腔室搬入到所述第二腔室的所述基板，通过设定为所述第三温度的所述第二加热·冷却机构，保持在所述第一腔室内热处理后的基板的温度，并进行热处理。
3.如权利要求2所述的热处理装置，其特征在于：
所述第一温度是比所述第二温度低的温度，
所述第一加热·冷却机构将所述第一腔室内加热，对搬入到所述第一腔室内的基板进行加热处理。
4.如权利要求2所述的热处理装置，其特征在于：
所述第一温度是比所述第二温度高的温度，
所述第一加热·冷却机构将所述第一腔室内冷却，对搬入到所述第一腔室内的基板进行冷却处理。
5.如权利要求1～4中任一项所述的热处理装置，其特征在于：
所述控制机构，在向着所述第一腔室搬送的基板中最后的基板被所述基板检测机构检测到，所述最后的基板的热处理完成时，将所述第一加热·冷却机构的所述设定温度从所述第二温度变更到第一温度。
6.如权利要求1～4中任一项所述的热处理装置，其特征在于：
所述第一加热·冷却机构，能够对在所述第一腔室内沿着基板搬送路被分割成多个的区域的每个设定加热温度或冷却温度，
所述控制机构，在最前头的基板或最后的基板通过所述被分割而成的各区域的时刻，变更该区域的所述加热·冷却机构的设定温度。
7.如权利要求1～4中任一项所述的热处理装置，其特征在于，包括：
对在所述第一腔室内经过热处理的基板的温度进行检测，将检测结果向所述控制机构供给的基板温度检测机构，
所述控制机构，基于所述检测结果来设定所述第二温度的值。
8.如权利要求1～4中任一项所述的热处理装置，其特征在于：
所述控制机构进行控制，使得：对于搬入到所述第一腔室内的基板中最前头侧的规定片数，所述第一加热·冷却机构的设定温度按连续处理的每个基板阶梯性地上升或下降，并且在所述规定片数的加热处理后，所述设定温度到达所述第二温度。
9.一种热处理方法，将基板沿着基板搬送路水平搬送，搬入到将所述基板加热或冷却的第一腔室内，并对搬入到所述第一腔室内的基板进行热处理，该热处理方法的特征在于，包括：
在向所述第一腔室搬入前，对在所述基板搬送路搬送的基板中最前头的基板进行检测的步骤；和
在检测到所述最前头的基板起经过规定的时间后，将所述第一腔室内的第一加热·冷却机构的设定温度从第一温度变更到第二温度的步骤，
对所述最前头的基板，在所述第一腔室内在所述第一温度与第二温度之间的气氛温度下进行热处理。
10.如权利要求9所述的热处理方法，其特征在于，包括：
在沿着所述基板搬送路设置于所述第一腔室的后段的第二腔室，将所述第二腔室内的第二加热·冷却机构的设定温度设定为第三温度的步骤；和
将所述基板从所述第一腔室搬入到所述第二腔室，通过设定为所述第三温度的所述第二加热·冷却机构，保持在所述第一腔室内经过热处理的基板的温度，并进行热处理的步骤。
11.如权利要求10所述的热处理方法，其特征在于：
所述第一温度是比所述第二温度低的温度，
对搬入到所述第一腔室内的多个被处理基板进行加热处理。
12.如权利要求10所述的热处理方法，其特征在于：
所述第一温度是比所述第二温度高的温度，
对搬入到所述第一腔室内的多个被处理基板进行冷却处理。
13.如权利要求9～12中任一项所述的热处理方法，其特征在于，包括：
在向所述第一腔室搬入前，对在所述基板搬送路搬送的基板中最后的基板进行检测的步骤；和
在检测到所述最后的基板起经过规定的时间后，将所述第一腔室内的热处理的设定温度从第二温度变更到第一温度的步骤。
14.一种存储介质，其特征在于：
配置在对基板进行热处理的热处理装置中，所述热处理装置包括：
形成基板搬送路，将所述基板沿着所述基板搬送路水平搬送的基板搬送机构；
覆盖所述基板搬送路的规定区间，并形成对在所述基板搬送路搬送的所述基板的热处理空间的第一腔室；
能够变更加热或冷却温度的设定温度，能够将所述第一腔室内加热或冷却的第一加热·冷却机构；
设置于所述第一腔室的前段，对在所述基板搬送路搬送的基板进行检测的基板检测机构；和
被供给所述基板检测机构的检测信号，对所述第一加热·冷却机构进行控制的控制机构，
所述存储介质中存储有控制所述控制机构的程序，其对所述控制机构进行控制，使得：
所述控制机构，在向着所述第一腔室搬送的基板中最前头的基板被所述基板检测机构检测到时，将所述第一加热·冷却机构的设定温度从第一温度变更到第二温度，
对搬入到所述第一腔室内的所述最前头的基板，在所述第一温度与所述第二温度之间的气氛温度下进行热处理。
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