CN102267682A - 银纳米线阵列电极及其制备方法和用途 - Google Patents

银纳米线阵列电极及其制备方法和用途 Download PDF

Info

Publication number
CN102267682A
CN102267682A CN2010102013309A CN201010201330A CN102267682A CN 102267682 A CN102267682 A CN 102267682A CN 2010102013309 A CN2010102013309 A CN 2010102013309A CN 201010201330 A CN201010201330 A CN 201010201330A CN 102267682 A CN102267682 A CN 102267682A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silver
line array
silverskin
array electrode
alumina formwork
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2010102013309A
Other languages
English (en)
Inventor
孙利
许伟
张立德
黄竹林
袁志刚
张俊喜
刘思思
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hefei Institutes of Physical Science of CAS
Original Assignee
Hefei Institutes of Physical Science of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hefei Institutes of Physical Science of CAS filed Critical Hefei Institutes of Physical Science of CAS
Priority to CN2010102013309A priority Critical patent/CN102267682A/zh
Publication of CN102267682A publication Critical patent/CN102267682A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Electrodes For Compound Or Non-Metal Manufacture (AREA)

Abstract

本发明公开了一种银纳米线阵列电极及其制备方法和用途。电极为构成阵列的银纳米线的直径为50～70nm、线长为250～350nm，阵列底部依次为130～170nm的银膜和0.5～1mm的铜膜；方法为先对铝片使用二次阳极氧化法获得孔直径为50～70nm的通孔氧化铝模板，再使用离子溅射法于氧化铝模板的一面蒸镀银膜，接着，先将一面带有银膜的氧化铝模板置于银电解液中，使用电沉积法于0.08～0.12V的恒定电压下电沉积1～5min，再将其置于铜电解液中，使用电沉积法于8～12mA/cm2的电流下电沉积2.5～3.5h，之后，将孔洞中置有银纳米线、一面依次覆有银膜和铜膜的氧化铝模板置于酸溶液或强碱溶液中腐蚀掉氧化铝模板，制得银纳米线阵列电极。阵列电极可作为敏感元件用于痕量检测或还原卤族有机物。

Description

银纳米线阵列电极及其制备方法和用途
技术领域
本发明涉及一种阵列电极及制备方法和用途，尤其是一种银纳米线阵列电极及其制备方法和用途。
背景技术
基于贵金属银的纳米结构对含卤族有机物，如氯丙醇、氯苯、氯苯酚等有很好的吸附催化作用，人们常将其作为敏感元件——电极来检测、还原卤族有机物，如2006年英国电化学学报第51卷第4956～4964页报道了AbdirisakA.Isse等人发表的题为《卤代甲苯在银电极上的电化学还原》(Abdirisak A.Isse，etal，Electrochemical reduction of benzyl halides at a silverelectrode，Electrochimica Acta 51(2006)4956～4964)的文章，该文公开了一种在玻碳电极上沉积银颗粒，并以此作为电极，用电化学方法来检测、还原卤族有机物氯代甲苯、溴代甲苯和碘代甲苯。但是，这种沉积有银颗粒的电极存在着银的比表面积过小的缺陷，从而致使其活性低下、吸附催化的效率较低。现有技术中虽也有比表面积较高的银纳米线阵列，如在2004年6月30日公开的中国发明专利说明书CN 1155980C中提及的一种“场发射阴极及其制造方法和应用”，但其目的却是提供一种场发射性能好、制造成本低、全新的场发射阴极，而且这种作为场发射阴极的银纳米线阵列因其底部银膜的支撑力度不够，而难以有着较大面积的不足，导致其相对的比表面积不高，制约了其检测、还原卤族有机物时的灵敏度和精确度。
发明内容
本发明要解决的技术问题为克服现有技术中的不足之处，提供一种使得银纳米线阵列大面积时不易破碎的银纳米线阵列电极。
本发明要解决的另一个技术问题为提供一种银纳米线阵列电极的制备方法。
本发明要解决的还有一个技术问题为提供一种银纳米线阵列电极的用途。
为解决本发明的技术问题，所采用的技术方案为：银纳米线阵列电极包括银纳米线阵列和其底部的银膜，特别是，
所述构成阵列的银纳米线的线直径为50～70nm、线长度为250～350nm；
所述银纳米线阵列底部的银膜之下覆有铜膜，所述银膜的厚度为130～170nm，所述铜膜的厚度为0.5～1mm。
为解决本发明的另一个技术问题，所采用的另一个技术方案为：银纳米线阵列电极的制备方法包括二次阳极氧化法，特别是完成步骤如下：
步骤1，先对铝片使用二次阳极氧化法获得孔直径为50～70nm的通孔氧化铝模板，再使用离子溅射法于氧化铝模板的一面蒸镀银膜，得到一面带有银膜的氧化铝模板；
步骤2，先将一面带有银膜的氧化铝模板置于银电解液中，使用电沉积法于0.08～0.12V的恒定电压下电沉积1～5min，再将其置于铜电解液中，使用电沉积法于8～12mA/cm2的电流下电沉积2.5～3.5h，得到孔洞中置有银纳米线、一面依次覆有银膜和铜膜的氧化铝模板；
步骤3，将孔洞中置有银纳米线、一面依次覆有银膜和铜膜的氧化铝模板置于酸溶液或强碱溶液中腐蚀掉氧化铝模板，制得银纳米线阵列电极。
作为银纳米线阵列电极的制备方法的进一步改进，所述的通孔氧化铝模板的获得为，先将铝片置于浓度为0.3M的草酸溶液中，于直流电压为40V下阳极氧化5.5～6.5h，再将其置于60℃的6wt％的磷酸和1.8wt％的铬酸混合溶液中浸泡10h，接着，将其再次于同样的工艺条件下进行第二次阳极化9.5～10.5h后，先用氯化铜溶液或氯化锡溶液去除背面未氧化的铝，再用5wt％的磷酸溶液腐蚀掉位于孔底部的氧化铝障碍层；所述的银电解液为10g/L的AgNO3和30g/L的H3BO3的混合液；所述的铜电解液为30g/L的CuSO4和60g/L的H3BO3的混合液；所述的酸溶液为浓度为4～6wt％的磷酸溶液；所述的腐蚀掉氧化铝模板时的温度为38～42℃，时间为3.5～4.5h；所述的强碱溶液为氢氧化钠溶液，或氢氧化钾溶液，或氢氧化锂溶液。
为解决本发明的还有一个技术问题，所采用的还有一个技术方案为：银纳米线阵列电极的用途为，将银纳米线阵列电极作为敏感元件，通过在循环伏安测试中的还原峰的峰电流、峰电位来检测或还原卤族有机物。
作为银纳米线阵列电极的用途的进一步改进，所述的卤族有机物为氯丙醇，或氯苯，或氯苯酚，或溴苯。
相对于现有技术的有益效果是，其一，对制得的产物分别使用扫描电镜和X射线衍射仪进行表征，由其结果可知，产物为其底部依次覆有银膜和铜膜的银纳米线阵列，其中，银纳米线的线直径为50～70nm、线长度为250～350nm，银膜的厚度为130～170nm，铜膜的厚度为0.5～1mm。这种底部依次覆有银膜和铜膜的银纳米线阵列，尤其是较厚的铜膜的存在，既获得了阵列性良好的银纳米线阵列，又为银膜及其上的银纳米线阵列提供了强有力的机械支撑，使得大面积的银纳米线阵列得以稳定地存在而不易破碎，为其在多领域的实际应用打下了牢固的基础，还使其作为电极而极易于进行各种形式的电连接；其二，将制得的产物作为敏感元件——电极，通过在循环伏安测试中的还原峰的峰电流、峰电位来分别对卤族有机物的氯丙醇或氯苯或氯苯酚或溴苯进行多次多批量的检测或还原，当被测物氯丙醇或氯苯或氯苯酚或溴苯的浓度仅为10-5～10-9M时，仍能将其检测或还原出来；其三，制备方法科学、有效，通过在原有银膜的基础上再增加一层电极层，就实现了大面积的银纳米线阵列不易破碎的技术效果。
作为有益效果的进一步体现，一是通孔氧化铝模板的获得优选为先将铝片置于浓度为0.3M的草酸溶液中，于直流电压为40V下阳极氧化5.5～6.5h，再将其置于60℃的6wt％的磷酸和1.8wt％的铬酸混合溶液中浸泡10h，接着，将其再次于同样的工艺条件下进行第二次阳极化9.5～10.5h后，先用氯化铜溶液或氯化锡溶液去除背面未氧化的铝，再用5wt％的磷酸溶液腐蚀掉位于孔底部的氧化铝障碍层，保证了多孔氧化铝模板的适用性和后续工艺的顺利进行；二是银电解液优选为10g/L的AgNO3和30g/L的H3BO3的混合液，铜电解液优选为30g/L的CuSO4和60g/L的H3BO3的混合液，便于银膜和铜膜电沉积的进行；三是酸溶液优选为浓度为4～6wt％的磷酸溶液，腐蚀掉氧化铝模板时的温度优选为38～42℃，时间优选为3.5～4.5h，既利于对多孔氧化铝模板的完全腐蚀，又确保了多孔氧化铝模板在腐蚀的过程中不会破碎，从而出现破碎的模板影响电极性能的充分发挥的难题，还避免了由于部分腐蚀溶解的Al3+易水解成Al(OH)3而难以清洗干净的麻烦；四是强碱溶液优选为氢氧化钠溶液，或氢氧化钾溶液，或氢氧化锂溶液，除使强碱溶液有较大选择的余地之外，也使制备工艺更易实施且灵活；五是卤族有机物优选为氯丙醇，或氯苯，或氯苯酚，或溴苯，不仅其属于常见的卤族有机物，还能确保其浓度仅为10-9M时，仍可精确地将其检测或还原出来。
附图说明
下面结合附图对本发明的优选方式作进一步详细的描述。
图1是分别对获得的通孔氧化铝模板和制得的产物使用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)仪进行表征的结果之一。其中，图1a为通孔氧化铝模板的正面SEM照片；图1b为产物的正面SEM照片；图1c为图1b所示产物局部放大了的SEM照片；图1d为图1b所示产物的XRD谱图，该XRD谱图中的谱线表明，产物中的银纳米线是沿着(110)方向生长的。
图2是分别将银块电极和产物置于含有0.1M的NaCl04支持电解液的0.01mM的氯丙醇溶液中进行循环伏安测试后得到的循环伏安图；其中，测试时的扫描范围均为-1.8V到-0.5V，扫描的速率均为50mV/s。循环伏安图中的虚线为银块电极的循环伏安曲线，实线为产物的循环伏安曲线。由该循环伏安图可看出，产物有着明显的还原峰，而银块电极却没有，这说明了产物有着很好的电化学活性。
图3是将产物置于含有0.1M的NaClO4支持电解液的不同浓度的氯丙醇溶液中进行循环伏安测试后得到的循环伏安图；其中，测试时的扫描范围和速率均同图2。循环伏安图中的虚线为背底溶液(0.1M的NaClO4支持电解液)中不含有氯丙醇时产物的循环伏安曲线，实线依次为背底溶液中含有的氯丙醇的浓度分别为10-9M、10-8M、8×10-6M和10-5M时产物的循环伏安曲线。由该循环伏安图可以看出，产物的还原峰的峰电位基本不变，但峰电流的绝对值是随着氯丙醇的浓度的增加而变大的。
具体实施方式
首先从市场购得或用常规方法制得：
铝片；并对其使用二次阳极氧化法获得如图1a所示孔直径为50～70nm的通孔氧化铝模板；具体的工艺过程为先将铝片置于浓度为0.3M的草酸溶液中，于直流电压为40V下阳极氧化5.5～6.5h，再将其置于60℃的6wt％的磷酸和1.8wt％的铬酸混合溶液中浸泡10h，接着，将其再次于同样的工艺条件下进行第二次阳极化9.5～10.5h后，先用氯化铜溶液或氯化锡溶液去除背面未氧化的铝，再用5wt％的磷酸溶液腐蚀掉位于孔底部的氧化铝障碍层。
银电解液，铜电解液；作为酸溶液的磷酸溶液；作为强碱溶液的氢氧化钠溶液、氢氧化钾溶液和氢氧化锂溶液。
接着，
实施例1
制备的具体步骤为：
步骤1，先对铝片使用二次阳极氧化法获得孔直径为50nm的通孔氧化铝模板，再使用离子溅射法于氧化铝模板的一面蒸镀银膜，得到一面带有银膜的氧化铝模板。
步骤2，先将一面带有银膜的氧化铝模板置于银电解液中，使用电沉积法于0.08V的恒定电压下电沉积5min；其中，银电解液为10g/L的AgNO3和30g/L的H3BO3的混合液。再将其置于铜电解液中，使用电沉积法于8mA/cm2的电流下电沉积3.5h；其中，铜电解液为30g/L的CuSO4和60g/L的H3BO3的混合液。得到孔洞中置有银纳米线、一面依次覆有银膜和铜膜的氧化铝模板。
步骤3，将孔洞中置有银纳米线、一面依次覆有银膜和铜膜的氧化铝模板置于酸(或强碱)溶液中腐蚀掉氧化铝模板；其中，酸溶液为浓度为4wt％的磷酸溶液，腐蚀掉氧化铝模板时的温度为38℃，时间为4.5h。制得近似于图1b～c所示，以及如图1d中的曲线所示的银纳米线阵列电极，其中，银纳米线的线直径为50nm、线长度为350nm，银膜的厚度为130nm，铜膜的厚度为1mm。
实施例2
制备的具体步骤为：
步骤1，先对铝片使用二次阳极氧化法获得孔直径为55nm的通孔氧化铝模板，再使用离子溅射法于氧化铝模板的一面蒸镀银膜，得到一面带有银膜的氧化铝模板。
步骤2，先将一面带有银膜的氧化铝模板置于银电解液中，使用电沉积法于0.09V的恒定电压下电沉积4min；其中，银电解液为10g/L的AgNO3和30g/L的H3BO3的混合液。再将其置于铜电解液中，使用电沉积法于9mA/cm2的电流下电沉积3.3h；其中，铜电解液为30g/L的CuSO4和60g/L的H3BO3的混合液。得到孔洞中置有银纳米线、一面依次覆有银膜和铜膜的氧化铝模板。
步骤3，将孔洞中置有银纳米线、一面依次覆有银膜和铜膜的氧化铝模板置于酸(或强碱)溶液中腐蚀掉氧化铝模板；其中，酸溶液为浓度为4.5wt％的磷酸溶液，腐蚀掉氧化铝模板时的温度为39℃，时间为4.3h。制得近似于图1b～c所示，以及如图1d中的曲线所示的银纳米线阵列电极，其中，银纳米线的线直径为55nm、线长度为330nm，银膜的厚度为140nm，铜膜的厚度为0.9mm。
实施例3
制备的具体步骤为：
步骤1，先对铝片使用二次阳极氧化法获得孔直径为60nm的通孔氧化铝模板，再使用离子溅射法于氧化铝模板的一面蒸镀银膜，得到一面带有银膜的氧化铝模板。
步骤2，先将一面带有银膜的氧化铝模板置于银电解液中，使用电沉积法于0.1V的恒定电压下电沉积3min；其中，银电解液为10g/L的AgNO3和30g/L的H3BO3的混合液。再将其置于铜电解液中，使用电沉积法于10mA/cm2的电流下电沉积3h；其中，铜电解液为30g/L的CuSO4和60g/L的H3BO3的混合液。得到孔洞中置有银纳米线、一面依次覆有银膜和铜膜的氧化铝模板。
步骤3，将孔洞中置有银纳米线、一面依次覆有银膜和铜膜的氧化铝模板置于酸(或强碱)溶液中腐蚀掉氧化铝模板；其中，酸溶液为浓度为5wt％的磷酸溶液，腐蚀掉氧化铝模板时的温度为40℃，时间为4h。制得如图1b～c所示，以及如图1d中的曲线所示的银纳米线阵列电极，其中，银纳米线的线直径为60nm、线长度为300nm，银膜的厚度为150nm，铜膜的厚度为0.8mm。
实施例4
制备的具体步骤为：
步骤1，先对铝片使用二次阳极氧化法获得孔直径为65nm的通孔氧化铝模板，再使用离子溅射法于氧化铝模板的一面蒸镀银膜，得到一面带有银膜的氧化铝模板。
步骤2，先将一面带有银膜的氧化铝模板置于银电解液中，使用电沉积法于0.11V的恒定电压下电沉积2min；其中，银电解液为10g/L的AgNO3和30g/L的H3BO3的混合液。再将其置于铜电解液中，使用电沉积法于11mA/cm2的电流下电沉积2.8h；其中，铜电解液为30g/L的CuSO4和60g/L的H3BO3的混合液。得到孔洞中置有银纳米线、一面依次覆有银膜和铜膜的氧化铝模板。
步骤3，将孔洞中置有银纳米线、一面依次覆有银膜和铜膜的氧化铝模板置于酸(或强碱)溶液中腐蚀掉氧化铝模板；其中，酸溶液为浓度为5.5wt％的磷酸溶液，腐蚀掉氧化铝模板时的温度为41℃，时间为3.8h。制得近似于图1b～c所示，以及如图1d中的曲线所示的银纳米线阵列电极，其中，银纳米线的线直径为65nm、线长度为280nm，银膜的厚度为160nm，铜膜的厚度为0.6mm。
实施例5
制备的具体步骤为：
步骤1，先对铝片使用二次阳极氧化法获得孔直径为70nm的通孔氧化铝模板，再使用离子溅射法于氧化铝模板的一面蒸镀银膜，得到一面带有银膜的氧化铝模板。
步骤2，先将一面带有银膜的氧化铝模板置于银电解液中，使用电沉积法于0.12V的恒定电压下电沉积1min；其中，银电解液为10g/L的AgNO3和30g/L的H3BO3的混合液。再将其置于铜电解液中，使用电沉积法于12mA/cm2的电流下电沉积2.5h；其中，铜电解液为30g/L的CuSO4和60g/L的H3BO3的混合液。得到孔洞中置有银纳米线、一面依次覆有银膜和铜膜的氧化铝模板。
步骤3，将孔洞中置有银纳米线、一面依次覆有银膜和铜膜的氧化铝模板置于酸(或强碱)溶液中腐蚀掉氧化铝模板；其中，酸溶液为浓度为6wt％的磷酸溶液，腐蚀掉氧化铝模板时的温度为42℃，时间为3.5h。制得近似于图1b～c所示，以及如图1d中的曲线所示的银纳米线阵列电极，其中，银纳米线的线直径为70nm、线长度为250nm，银膜的厚度为170nm，铜膜的厚度为0.5mm。
再分别选用作为强碱溶液的氢氧化钠溶液，或氢氧化钾溶液，或氢氧化锂溶液，重复上述实施例1～5，同样制得了如或近似于图1b～c所示，以及如图1d中的曲线所示的银纳米线阵列电极，其中，银纳米线的线直径为50～70nm、线长度为250～350nm，银膜的厚度为130～170nm，铜膜的厚度为0.5～1mm。
银纳米线阵列电极的用途为：
将银纳米线阵列电极作为敏感元件，通过在循环伏安测试中的还原峰的峰电流、峰电位来检测或还原卤族有机物。其中，卤族有机物为氯丙醇，或氯苯，或氯苯酚，或溴苯。
检测或还原卤族有机物的结果如或近似于图2和图3中的实曲线所示。
显然，本领域的技术人员可以对本发明的银纳米线阵列电极及其制备方法和用途进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若对本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种银纳米线阵列电极，包括银纳米线阵列和其底部的银膜，其特征在于：
所述构成阵列的银纳米线的线直径为50～70nm、线长度为250～350nm；
所述银纳米线阵列底部的银膜之下覆有铜膜，所述银膜的厚度为130～170nm，所述铜膜的厚度为0.5～1mm。
2.一种权利要求1所述银纳米线阵列电极的制备方法，包括二次阳极氧化法，其特征在于完成步骤如下：
步骤1，先对铝片使用二次阳极氧化法获得孔直径为50～70nm的通孔氧化铝模板，再使用离子溅射法于氧化铝模板的一面蒸镀银膜，得到一面带有银膜的氧化铝模板；
步骤2，先将一面带有银膜的氧化铝模板置于银电解液中，使用电沉积法于0.08～0.12V的恒定电压下电沉积1～5min，再将其置于铜电解液中，使用电沉积法于8～12mA/cm2的电流下电沉积2.5～3.5h，得到孔洞中置有银纳米线、一面依次覆有银膜和铜膜的氧化铝模板；
步骤3，将孔洞中置有银纳米线、一面依次覆有银膜和铜膜的氧化铝模板置于酸溶液或强碱溶液中腐蚀掉氧化铝模板，制得银纳米线阵列电极。
3.根据权利要求2所述的银纳米线阵列电极的制备方法，其特征是通孔氧化铝模板的获得为，先将铝片置于浓度为0.3M的草酸溶液中，于直流电压为40V下阳极氧化5.5～6.5h，再将其置于60℃的6wt％的磷酸和1.8wt％的铬酸混合溶液中浸泡10h，接着，将其再次于同样的工艺条件下进行第二次阳极化9.5～10.5h后，先用氯化铜溶液或氯化锡溶液去除背面未氧化的铝，再用5wt％的磷酸溶液腐蚀掉位于孔底部的氧化铝障碍层。
4.根据权利要求2所述的银纳米线阵列电极的制备方法，其特征是银电解液为10g/L的AgNO3和30g/L的H3BO3的混合液。
5.根据权利要求2所述的银纳米线阵列电极的制备方法，其特征是铜电解液为30g/L的CuSO4和60g/L的H3BO3的混合液。
6.根据权利要求2所述的银纳米线阵列电极的制备方法，其特征是酸溶液为浓度为4～6wt％的磷酸溶液。
7.根据权利要求6所述的银纳米线阵列电极的制备方法，其特征是腐蚀掉氧化铝模板时的温度为38～42℃，时间为3.5～4.5h。
8.根据权利要求2所述的银纳米线阵列电极的制备方法，其特征是强碱溶液为氢氧化钠溶液，或氢氧化钾溶液，或氢氧化锂溶液。
9.一种权利要求1所述银纳米线阵列电极的用途，其特征在于：
将银纳米线阵列电极作为敏感元件，通过在循环伏安测试中的还原峰的峰电流、峰电位来检测或还原卤族有机物。
10.根据权利要求9所述的银纳米线阵列电极的用途，其特征是卤族有机物为氯丙醇，或氯苯，或氯苯酚，或溴苯。
CN2010102013309A 2010-06-03 2010-06-03 银纳米线阵列电极及其制备方法和用途 Pending CN102267682A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010102013309A CN102267682A (zh) 2010-06-03 2010-06-03 银纳米线阵列电极及其制备方法和用途

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010102013309A CN102267682A (zh) 2010-06-03 2010-06-03 银纳米线阵列电极及其制备方法和用途

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102267682A true CN102267682A (zh) 2011-12-07

Family

ID=45050168

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010102013309A Pending CN102267682A (zh) 2010-06-03 2010-06-03 银纳米线阵列电极及其制备方法和用途

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102267682A (zh)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103111621A (zh) * 2013-03-06 2013-05-22 中国科学院合肥物质科学研究院 银纳米颗粒链的制备方法
CN103227240A (zh) * 2013-04-10 2013-07-31 华南师范大学 一种基于龟裂模板法制备多孔金属薄膜透明导电电极的方法
CN103303861A (zh) * 2013-05-14 2013-09-18 中国科学院上海硅酸盐研究所 三维有序贵金属纳米管阵列电极及其制备方法
CN103682369A (zh) * 2013-12-04 2014-03-26 浙江大学 一种锂电池极板
CN103868951A (zh) * 2014-02-24 2014-06-18 北京大学 一种干法制备纳米线阵列气敏元件的方法
CN104018189A (zh) * 2014-06-05 2014-09-03 东北大学 一种新型纳米银线的制备方法
CN104911667A (zh) * 2015-06-04 2015-09-16 中国科学院合肥物质科学研究院 一种新型的具有蜂巢状阵列构造的多层复合贵金属纳米孔阵列sers基底的制备方法
CN106082120A (zh) * 2016-07-11 2016-11-09 西安交通大学 一种基于ZnO纳米管模板制备Ag纳米线的方法
CN108103107A (zh) * 2017-12-27 2018-06-01 章毅 银纳米线阵列制备方法及其在干细胞质粒转化中的应用
CN108977856A (zh) * 2018-09-11 2018-12-11 中国科学院金属研究所 一种通孔电沉积制备锡纳米线的方法
CN109171699A (zh) * 2018-08-27 2019-01-11 厦门大学 一种蚕丝微针电极及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1349240A (zh) * 2001-11-27 2002-05-15 北京大学 一种场发射阴极及其制造方法和应用
CN101559492A (zh) * 2008-04-15 2009-10-21 中国科学院合肥物质科学研究院 尺寸可控的金属纳米线的制备方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1349240A (zh) * 2001-11-27 2002-05-15 北京大学 一种场发射阴极及其制造方法和应用
CN101559492A (zh) * 2008-04-15 2009-10-21 中国科学院合肥物质科学研究院 尺寸可控的金属纳米线的制备方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ABDIRISAK A. ISSE ET AL.: "Electrochemical reduction of benzyl halides at a silver electrode", 《ELECTROCHIMICA ACTA》 *
WEI XU ET AL.: "A comparison of surface enhanced Raman scattering property between silver electrodes and periodical silver nanowire arrays", 《APPLIED SURFACE SCIENCE》 *

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103111621B (zh) * 2013-03-06 2014-08-27 中国科学院合肥物质科学研究院 银纳米颗粒链的制备方法
CN103111621A (zh) * 2013-03-06 2013-05-22 中国科学院合肥物质科学研究院 银纳米颗粒链的制备方法
CN103227240A (zh) * 2013-04-10 2013-07-31 华南师范大学 一种基于龟裂模板法制备多孔金属薄膜透明导电电极的方法
CN103227240B (zh) * 2013-04-10 2015-05-06 华南师范大学 一种基于龟裂模板法制备多孔金属薄膜透明导电电极的方法
CN103303861A (zh) * 2013-05-14 2013-09-18 中国科学院上海硅酸盐研究所 三维有序贵金属纳米管阵列电极及其制备方法
CN103303861B (zh) * 2013-05-14 2017-04-12 中国科学院上海硅酸盐研究所 三维有序贵金属纳米管阵列电极及其制备方法
CN103682369B (zh) * 2013-12-04 2016-05-11 浙江大学 一种锂电池极板
CN103682369A (zh) * 2013-12-04 2014-03-26 浙江大学 一种锂电池极板
CN103868951B (zh) * 2014-02-24 2016-12-07 北京大学 一种干法制备纳米线阵列气敏元件的方法
CN103868951A (zh) * 2014-02-24 2014-06-18 北京大学 一种干法制备纳米线阵列气敏元件的方法
CN104018189B (zh) * 2014-06-05 2016-05-25 东北大学 一种纳米银线的制备方法
CN104018189A (zh) * 2014-06-05 2014-09-03 东北大学 一种新型纳米银线的制备方法
CN104911667A (zh) * 2015-06-04 2015-09-16 中国科学院合肥物质科学研究院 一种新型的具有蜂巢状阵列构造的多层复合贵金属纳米孔阵列sers基底的制备方法
CN104911667B (zh) * 2015-06-04 2018-06-08 中国科学院合肥物质科学研究院 一种新型的具有蜂巢状阵列构造的多层复合贵金属纳米孔阵列sers基底的制备方法
CN106082120A (zh) * 2016-07-11 2016-11-09 西安交通大学 一种基于ZnO纳米管模板制备Ag纳米线的方法
CN108103107A (zh) * 2017-12-27 2018-06-01 章毅 银纳米线阵列制备方法及其在干细胞质粒转化中的应用
CN109171699A (zh) * 2018-08-27 2019-01-11 厦门大学 一种蚕丝微针电极及其制备方法
CN109171699B (zh) * 2018-08-27 2020-06-23 厦门大学 一种蚕丝微针电极及其制备方法
CN108977856A (zh) * 2018-09-11 2018-12-11 中国科学院金属研究所 一种通孔电沉积制备锡纳米线的方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102267682A (zh) 银纳米线阵列电极及其制备方法和用途
Yang et al. Conductive diamond: synthesis, properties, and electrochemical applications
Ueda et al. Performance characteristics of a new type of lead dioxide-coated titanium anode
Castro et al. Oxygen evolution on electrodeposited cobalt oxides
US10738387B2 (en) Electrochemical cell containing a graphene coated electrode
Cai et al. Fabrication of three-dimensional nanoporous nickel films with tunable nanoporosity and their excellent electrocatalytic activities for hydrogen evolution reaction
jiang Yang et al. Electrochemical behavior of PbO2 nanowires array anodes in a zinc electrowinning solution
US8343690B2 (en) Fabrication of mesoporous metal electrodes in non-liquid-crystalline phase and its application
Zhen et al. Influence of nano-CeO2 on coating structure and properties of electrodeposited Al/α-PbO2/β-PbO2
Juodkazis et al. Anodic dissolution of palladium in sulfuric acid: An electrochemical quartz crystal microbalance study
EP2652822A2 (en) Hydrogen oxidation and generation over carbon films
Bi et al. Physicochemical characterisation of electrosynthesized lead dioxide coatings on Ti/SnO2-Sb substrates
Maizelis et al. Electrochemical Formation of Multilayer SnO 2-Sb x O y Coating in Complex Electrolyte
Kumar et al. Graphene nanoclusters embedded nickel cobaltite nanofibers as multifunctional electrocatalyst for glucose sensing and water-splitting applications
Romann et al. Electrochemical properties of porous bismuth electrodes
Duan et al. Novel composition graded Ti/Ru–Sb–SnO2 electrode synthesized by selective electrodeposition and its application for electrocatalytic decolorization of dyes
WO2014165912A1 (en) Coated composite anodes
Juodkazytė et al. Evaluation of electrochemically active surface area of photosensitive copper oxide nanostructures with extremely high surface roughness
Xu et al. Effect of multi-walled carbon nanotubes addition on MnO x/Ti electrode prepared by spraying–calcination method for electro-catalytic oxidation of Acid Red B
JPS5983352A (ja) 燃料電池用電極の製造方法
Adzic et al. Adsorption and alloy formation of zinc layers on silver
CN102331448A (zh) 直接电沉积CdS修饰玻碳电化学发光电极的制备方法
Zhang et al. Electrochemical liquid-liquid-solid deposition of Ge at Hg microdroplet ultramicroelectrodes
CN101736402B (zh) 竹节状三维分叉纳米线的制备方法
Chen et al. Electrosynthesis and physicochemical properties of α–PbO2–CeO2–TiO2 composite electrodes

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20111207