CN102244093A - 一种降低对通隔离扩散横向扩散宽度的结构及方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种降低对通隔离扩散横向扩散宽度的结构及方法,其特征在于:包括抑制横向扩散用环形槽、正面对通隔离扩散区和背面对通隔离扩散区,所述正面对通隔离扩散区内侧设有抑制横向扩散用环形槽,所述抑制横向扩散用环形槽一侧设有环形钝化槽。本发明的优点是:采用了抑制横向扩散用环形槽的方式,降低了对通隔离扩散过程中形成的横向扩散宽度,有效降低了横向扩散宽度对VRRM电压特性的影响,提高了击穿电压及产品良率;同时采用正面对通隔离扩散区环宽窄、背面对通隔离扩散区环宽宽的结构,提高了背对通隔离扩散速度,扩散时间比原来减少了15-20h。

Description

一种降低对通隔离扩散横向扩散宽度的结构及方法
技术领域
本发明涉及一种降低对通隔离扩散横向扩散宽度的结构,同时提供一种实现该结构的工艺方法。
背景技术
对通隔离扩散工艺广泛应用于半导体器件的生产,尤其在可控硅等产品的实际生产过程中,对通隔离扩散工艺质量的好坏直接影响到产品的VRRM电压特性,主要原因为对通隔离扩散工艺过程时间长,温度高,造成横向扩散宽度大,从而导致VRRM电压低或击穿软。以目前的可控硅生产工艺为例,4inch硅片,厚度一般在200-240um,对通隔离扩散温度一般在1270℃,时间在140-180h;因扩散越往后越慢,越是片厚,越是扩散时间长,横向扩散宽度也越大,不仅影响产品的VRRM电压特性,而且横向扩散宽度大导致芯片面积的浪费,生产效率低。所以,如何降低隔离扩散横向扩散宽度,同时减少扩散时间,且该方法简单可行,是每个生产厂家均需考虑的问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种降低对通隔离扩散横向扩散宽度的结构。
本发明另一个的目的是提供一种实现上述结构的工艺方法。
本发明采用的技术方案是:
一种降低对通隔离扩散横向扩散宽度的结构, 包括抑制横向扩散用环形槽、正面对通隔离扩散区和背面对通隔离扩散区,所述正面对通隔离扩散区内侧设有抑制横向扩散用环形槽,所述抑制横向扩散用环形槽一侧设有环形钝化槽。
所述背面对通隔离扩散区环宽为120-160um,正面对通隔离扩散区环宽为60-100um,所述抑制横向扩散用环形槽宽度为20-60um,深度为30-40um。
在正面和背面对通隔离扩散的预扩散降温过程中,外加一步低温短时间氧化,再进行光刻抑制横向扩散用环形槽,通过酸液腐蚀,实现抑制横向扩散用环形槽,其步骤包括:
a、N型硅单晶片,电阻率ρ=20-60Ω.cm,经过腐蚀、抛光后硅片厚度为190-230um,经过SPM清洗处理后,按片装舟,进扩散炉进行表面长氧化,氧化温度为1050-1100℃,通湿氧4-6h,得到氧化膜厚≥8000 Å;
b、光刻双面匀胶,双面曝光机刻出对通隔离扩散区,包括正面对通隔离扩散区和背面对通隔离扩散区;
c、双面涂硼源预扩,预扩散温度1110-1130℃,扩散时间为2.5-3.5h,通氮气和氧气合成气体,形成对通隔离扩散的表面杂质浓度,在降温1h至890-910℃时,稳定在890-910℃,时间为2-3h,通纯氧气4~6L/min,形成可使光刻胶黏附性好的氧化层及硼硅玻璃层;
d、正面匀胶,单面光刻机刻出抑制横向扩散用环形槽,使用HF:H2O=1:10的酸液腐蚀二氧化硅层及硼硅玻璃层;
e、采用HF:HNO3=1:10的酸液腐蚀硅,形成宽度为20-60um,深度为30-40um的抑制横向扩散用环形槽;
f、对通隔离扩散,高温1265-1275℃,130-160h的长时间扩散,形成了正面对通隔离扩散区和背面对通隔离扩散区;
g、基区涂硼源扩散,形成P型阳极扩散区、P型短基区;
h、光刻出发射区,经磷源扩散,形成N+型阴极扩散区;
i、光刻出环形玻璃钝化槽;
j、采用HF:HNO3=1:10的酸液腐蚀硅,形成深度为60-90um的环形玻璃钝化槽,经过玻璃钝化,形成环形玻璃钝化膜;
k、光刻出引线孔及金属电极,最终形成产品。
所述背面对通隔离扩散区环宽为120-160um,正面对通隔离扩散区环宽为60-100um。
本发明的优点是:采用了抑制横向扩散用环形槽的方式,降低了对通隔离扩散过程中形成的横向扩散宽度,有效降低了横向扩散宽度对VRRM电压特性的影响,提高了击穿电压及产品良率;同时采用正面对通隔离扩散区环宽窄、背面对通隔离扩散区环宽宽的结构,提高了背对通隔离扩散速度,扩散时间比原来减少了15-20h。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
图1为本发明方式形成的产品正面横向结构示意图。
图2为本发明方式形成的产品背面横向结构示意图。
图3为本发明方式形成的产品纵向结构示意图。
其中:1、环形玻璃钝化槽,2、正面对通隔离扩散区,3、抑制横向扩散用环形槽,4、背面对通隔离扩散区。
具体实施方式
如图1-3所示,本发明的一种降低对通隔离扩散横向扩散宽度的结构,包括抑制横向扩散用环形槽3、正面对通隔离扩散区2和背面对通隔离扩散区4,正面对通隔离扩散区2内侧设有抑制横向扩散用环形槽3,抑制横向扩散用环形槽3一侧设有环形钝化槽1,抑制横向扩散用环形槽3宽度为20-60um,深度为30-40um,背面对通隔离扩散区4环宽为120-160um,正面对通隔离扩散区环宽为60-100um,采用了抑制横向扩散用环形槽的方式,降低了对通隔离扩散过程中形成的横向扩散宽度,有效降低了横向扩散宽度对VRRM电压特性的影响,提高了击穿电压及产品良率;同时采用正面对通隔离扩散区环宽窄、背面对通隔离扩散区环宽宽的结构,提高了背对通隔离扩散速度,扩散时间比原来减少了15-20h。
实施例1
一种降低对通隔离扩散横向扩散宽度的方法,在正面和背面对通隔离扩散的预扩散降温过程中,外加一步低温短时间氧化,再进行光刻抑制横向扩散用环形槽,通过酸液腐蚀,实现抑制横向扩散用环形槽,其步骤包括:
a、N型硅单晶片,电阻率ρ=20Ω.cm,经过腐蚀、抛光后硅片厚度为190um,经过SPM清洗处理后,按片装舟,进扩散炉进行表面长氧化,氧化温度1050℃,通湿氧4h,得到氧化膜厚8200 Å;
b、光刻双面匀胶,双面曝光机刻出对通隔离扩散区,包括正面对通隔离扩散区和背面对通隔离扩散区;
c、双面涂硼源预扩,预扩散温度1110℃,扩散时间为2.5h,通氮气和氧气合成气体,形成对通隔离扩散的表面杂质浓度,在降温1h至890℃时,稳定在890℃,时间为2h,通纯氧气4L/min,形成可使光刻胶黏附性好的氧化层及硼硅玻璃层;
d、正面匀胶,单面光刻机刻出抑制横向扩散用环形槽,使用HF:H2O=1:10的酸液腐蚀二氧化硅层及硼硅玻璃层;
e、采用HF:HNO3=1:10的酸液腐蚀硅,形成宽度为20um,深度为30um的抑制横向扩散用环形槽;
f、对通隔离扩散,高温1265℃,130h的长时间扩散,形成了正面对通隔离扩散区和背面对通隔离扩散区,背面对通隔离扩散区环宽为120um,正面对通隔离扩散区环宽为60um;
g、基区涂硼源扩散,形成P型阳极扩散区、P型短基区;
h、光刻出发射区,经磷源扩散,形成N+型阴极扩散区;
i、光刻出环形玻璃钝化槽;
j、采用HF:HNO3=1:10的酸液腐蚀硅,形成深度为60um的环形玻璃钝化槽,经过玻璃钝化,形成环形玻璃钝化膜;
k、光刻出引线孔及金属电极,最终形成产品。
实施例2
一种降低对通隔离扩散横向扩散宽度的方法,在正面和背面对通隔离扩散的预扩散降温过程中,外加一步低温短时间氧化,再进行光刻抑制横向扩散用环形槽,通过酸液腐蚀,实现抑制横向扩散用环形槽,其步骤包括:
a、N型硅单晶片,电阻率ρ=30Ω.cm,经过腐蚀、抛光后硅片厚度为200um,经过SPM清洗处理后,按片装舟,进扩散炉进行表面长氧化,氧化温度1080℃,通湿氧5h,得到氧化膜厚9000 Å;
b、光刻双面匀胶,双面曝光机刻出对通隔离扩散区,包括正面对通隔离扩散区和背面对通隔离扩散区;
c、双面涂硼源预扩,预扩散温度1120℃,扩散时间为3h,通氮气和氧气合成气体,形成对通隔离扩散的表面杂质浓度,在降温1h至900℃时,稳定在900℃,时间为3h,通纯氧气5L/min,形成可使光刻胶黏附性好的氧化层及硼硅玻璃层;
d、正面匀胶,单面光刻机刻出抑制横向扩散用环形槽,使用HF:H2O=1:10的酸液腐蚀二氧化硅层及硼硅玻璃层;
e、采用HF:HNO3=1:10的酸液腐蚀硅,形成宽度为40um,深度为35um的抑制横向扩散用环形槽;
f、对通隔离扩散,高温1270℃,145h的长时间扩散,形成了正面对通隔离扩散区和背面对通隔离扩散区,背面对通隔离扩散区环宽为140um,正面对通隔离扩散区环宽为80um;
g、基区涂硼源扩散,形成P型阳极扩散区、P型短基区;
h、光刻出发射区,经磷源扩散,形成N+型阴极扩散区;
i、光刻出环形玻璃钝化槽;
j、采用HF:HNO3=1:10的酸液腐蚀硅,形成深度为70um的环形玻璃钝化槽,经过玻璃钝化,形成环形玻璃钝化膜;
k、光刻出引线孔及金属电极,最终形成产品。
实施例3
一种降低对通隔离扩散横向扩散宽度的方法,在正面和背面对通隔离扩散的预扩散降温过程中,外加一步低温短时间氧化,再进行光刻抑制横向扩散用环形槽,通过酸液腐蚀,实现抑制横向扩散用环形槽,其步骤包括:
a、N型硅单晶片,电阻率ρ=60Ω.cm,经过腐蚀、抛光后硅片厚度为230um,经过SPM清洗处理后,按片装舟,进扩散炉进行表面长氧化,氧化温度1100℃,通湿氧6h,得到氧化膜厚10000 Å;
b、光刻双面匀胶,双面曝光机刻出对通隔离扩散区,包括正面对通隔离扩散区和背面对通隔离扩散区;
c、双面涂硼源预扩,预扩散温度1130℃,扩散时间为3.5h,通氮气和氧气合成气体,形成对通隔离扩散的表面杂质浓度,在降温1h至910℃时,稳定在910℃,时间为4h,通纯氧气6L/min,形成可使光刻胶黏附性好的氧化层及硼硅玻璃层;
d、正面匀胶,单面光刻机刻出抑制横向扩散用环形槽,使用HF:H2O=1:10的酸液腐蚀二氧化硅层及硼硅玻璃层;
e、采用HF:HNO3=1:10的酸液腐蚀硅,形成宽度为60um,深度为40um的抑制横向扩散用环形槽;
f、对通隔离扩散,高温1275℃,160h的长时间扩散,形成了正面对通隔离扩散区和背面对通隔离扩散区,背面对通隔离扩散区环宽为160um,正面对通隔离扩散区环宽为100um;
g、基区涂硼源扩散,形成P型阳极扩散区、P型短基区;
h、光刻出发射区,经磷源扩散,形成N+型阴极扩散区;
i、光刻出环形玻璃钝化槽;
j、采用HF:HNO3=1:10的酸液腐蚀硅,形成深度为90um的环形玻璃钝化槽,经过玻璃钝化,形成环形玻璃钝化膜;
k、光刻出引线孔及金属电极,最终形成产品。

Claims (4)

1.一种降低对通隔离扩散横向扩散宽度的结构,其特征在于:包括抑制横向扩散用环形槽、正面对通隔离扩散区和背面对通隔离扩散区,所述正面对通隔离扩散区内侧设有抑制横向扩散用环形槽,所述抑制横向扩散用环形槽一侧设有环形钝化槽。
2. 根据权利要求1所述的一种降低对通隔离扩散横向扩散宽度的结构,其特征在于:所述背面对通隔离扩散区环宽为120-160um,正面对通隔离扩散区环宽为60-100um,所述抑制横向扩散用环形槽宽度为20-60um,深度为30-40um。
3. 一种降低对通隔离扩散横向扩散宽度的方法,其特征在于:在正面和背面对通隔离扩散的预扩散降温过程中,外加一步低温短时间氧化,再进行光刻抑制横向扩散用环形槽,通过酸液腐蚀,实现抑制横向扩散用环形槽,其步骤包括:
a、N型硅单晶片,电阻率ρ=20-60Ω.cm,经过腐蚀、抛光后硅片厚度为190-230um,经过SPM清洗处理后,按片装舟,进扩散炉进行表面长氧化,氧化温度为1050-1100℃,通湿氧4-6h,得到氧化膜厚≥8000 Å;
b、光刻双面匀胶,双面曝光机刻出对通隔离扩散区,包括正面对通隔离扩散区和背面对通隔离扩散区;
c、双面涂硼源预扩,预扩散温度1110-1130℃,扩散时间为2.5-3.5h,通氮气和氧气合成气体,形成对通隔离扩散的表面杂质浓度,在降温1h至890-910℃时,稳定在890-910℃,时间为2-3h,通纯氧气4~6L/min,形成可使光刻胶黏附性好的氧化层及硼硅玻璃层;
d、正面匀胶,单面光刻机刻出抑制横向扩散用环形槽,使用HF:H2O=1:10的酸液腐蚀二氧化硅层及硼硅玻璃层;
e、采用HF:HNO3=1:10的酸液腐蚀硅,形成宽度为20-60um,深度为30-40um的抑制横向扩散用环形槽;
f、对通隔离扩散,高温1265-1275℃,130-160h的长时间扩散,形成了正面对通隔离扩散区和背面对通隔离扩散区;
g、基区涂硼源扩散,形成P型阳极扩散区、P型短基区;
h、光刻出发射区,经磷源扩散,形成N+型阴极扩散区;
i、光刻出环形玻璃钝化槽;
j、采用HF:HNO3=1:10的酸液腐蚀硅,形成深度为60-90um的环形玻璃钝化槽,经过玻璃钝化,形成环形玻璃钝化膜;
k、光刻出引线孔及金属电极,最终形成产品。
4. 根据权利要求3所述的一种降低对通隔离扩散横向扩散宽度的方法,其特征在于:所述背面对通隔离扩散区环宽为120-160um,正面对通隔离扩散区环宽为60-100um。
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C53 Correction of patent of invention or patent application
CB02 Change of applicant information

Address after: 226200, 8, Xinglong Road, Qidong science and Technology Pioneer Park, Jiangsu

Applicant after: Jiangsu Jiejie Microelectronics Co., Ltd.

Address before: 226200, No. 8, Xinglong Road, Chengbei Industrial Zone, Qidong Economic Development Zone, Jiangsu, Nantong

Applicant before: Jiangsu Jiejie Microelectronics Co., Ltd.

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CP02 Change in the address of a patent holder

Address after: No.3000 Qiantangjiang Road, Qidong Economic Development Zone, Nantong City, Jiangsu Province

Patentee after: JIANGSU JIEJIE MICROELECTRONICS Co.,Ltd.

Address before: 226200, 8, Xinglong Road, Qidong science and Technology Pioneer Park, Jiangsu

Patentee before: JIANGSU JIEJIE MICROELECTRONICS Co.,Ltd.

CP02 Change in the address of a patent holder