CN102216365A - 发射辐射的器件及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种发射辐射的器件，包括：支承体；设置在支承体上的半导体芯片，其中半导体芯片具有用于产生电磁辐射的有源层和辐射出射面；第一接触结构和第二接触结构，用于电接触半导体芯片；第一接触层和第二接触层，其中半导体芯片通过第一接触层与第一接触结构导电连接，以及通过第二接触层与第二接触结构导电连接；设置在半导体芯片上的钝化层，其中钝化层包括有机聚合物，其具有通式(I)，其中残基R1至R16可以分别彼此独立地为H、CH3、F、Cl或者Br，并且n具有10至500,000的值。
Description
本专利申请要求德国专利申请10 2008 057 350.7的优先权，其公开内容通过引用结合于此。
本发明提出了一种根据权利要求1所述的发射辐射的器件。
发射辐射的器件的一个广泛存在的问题是产生该器件的有效封装。用于封装的材料应当一方面具有对于例如酸、碱、气体和水蒸气非常良好的阻挡作用，然而同时还应当构建非常薄的稳定的层，并且对于器件发射的辐射是透明的。
本发明的实施形式的一个任务在于，提供一种发射辐射的器件，其具有钝化层，所述钝化层具有对于例如酸、碱、气体和水蒸气非常良好的阻挡作用，并且同时对于器件发射的辐射是透明的。
该任务通过根据权利要求1所述的发射辐射的器件来解决。发射辐射的器件的其他实施形式以及用于制造发射辐射的器件的方法是其他权利要求的主题。
本发明的一个实施形式涉及一种发射辐射的器件，包括：支承体；设置在支承体上的半导体芯片，其中半导体芯片具有用于产生电磁辐射的有源层和辐射出射面；第一接触结构和第二接触结构，用于电接触半导体芯片；第一接触层和第二接触层，其中半导体芯片通过第一接触层与第一接触结构导电连接，以及通过第二接触层与第二接触结构导电连接；设置在半导体芯片上的钝化层，其中钝化层包括有机聚合物或者由有机聚合物构成，其具有通式(I)：
其中残基R1至R16可以分别彼此独立地为H、CH3、F、Cl或者Br，并且n具有10至500,000的值。
包括具有上式的有机聚合物的钝化层具有良好的疏水性和耐化学性。钝化层由此具有对于例如酸、碱、气体和水蒸气非常良好的阻挡作用。钝化层此外对于器件发射的辐射是透明的。钝化层的另一优点是，可以构建非常薄并且稳定的层。此外，钝化层具有良好的热稳定性。其也具有对于机械负荷例如摩擦的良好的耐抗性。通过这些特性，发射辐射的器件的用钝化层涂覆的部分被非常良好地保护免受环境影响。
在发射辐射的器件的另一实施形式中，R1、R2、R7、R8、R9、R10、R15和R16分别代表H。
在本发明的另一实施形式中，n具有100到100,000的值。
在本发明的另一实施形式中，一方面为R3至R6并且另一方面为R11至R14的各一个或两个残基为CH3、F、Cl、Br。对于在一个芳香单元上存在两个残基的情况，则其优选是相同的残基。
该式的有机聚合物具有对于环境影响特别好的阻挡作用。同时，可以在器件上构建特别薄的并且稳定的钝化层。
在另一实施形式中，钝化层包括下式的有机聚合物：
包括这种有机聚合物的钝化层具有非常好的介电强度，其中附加地，介电常数与电场的频率无关。此外，可以借助包括这种有机聚合物的钝化层来构建特别稳定的层。借助这种材料，可以特别良好地填充小的空间、间隙和边缘。由于该聚合物的介电常数和小的介电损耗因数，钝化层也特别良好地适于作为绝缘层。
在另一实施形式中，钝化层包括下式的有机聚合物：
包括上述有机聚合物的钝化层具有非常好的电学特性和物理特性。于是，钝化层对于湿气和气体具有非常良好的阻挡作用。与不包括氯原子的相应的有机聚合物相比，包括这种有机聚合物的钝化层更快地附着到该钝化层被施加到其上的表面上。
在发射辐射的器件的另一实施形式中，钝化层包括下式的有机聚合物：
相对于其有机聚合物包括仅仅具有一个氯原子或者没有氯原子的芳香单元的钝化层，包括如下有机聚合物的钝化层具有更高的热稳定性：该有机聚合物的芳香单元具有两个氯原子。
在发射辐射的器件的另一实施形式中，钝化层至少在部分区域中是器件的最外层。
由于钝化层的非常好的阻挡特性，可能的是，借助钝化层将发射辐射的器件向外相对于环境影响例如气体或者水蒸气或者化学侵蚀性介质进行封装。在此，钝化层可以是器件的外层。
外层理解为如下的层：其在例如多个相叠设置的水平层的层序列情况下至少在部分区域中是最上层或者最下层。设置在其他层之间并且仅仅在竖直的侧面上具有至环境的接触的层不能理解为外层。
在发射辐射的器件的另一实施形式中，钝化层设置在辐射出射面上。
在该实施形式中，层厚度可以在100nm至2000nm的范围中，优选在200nm至1000nm的范围中。
由于钝化层的透明度，钝化层可以施加在半导体芯片的辐射出射面上。由此，半导体芯片可以通过钝化层而相对于环境影响被封装。
在所述器件的另一实施形式中，钝化层直接设置在辐射出射面上。
直接设置在辐射面上理解为：至少在钝化层和半导体层之间的部分区域中并不存在其他的中间层。钝化层的非常良好的阻挡特性使得可能省去其他的阻挡层。这与钝化层可以成形为非常薄并且非常稳定的层的特性相结合，使得能够实现非常扁平的器件。
在发射辐射的器件的另一实施形式中，在半导体芯片的辐射出射面上设置有至少一个光学元件。
通过光学元件，可以将半导体芯片所发射的辐射例如在空间上偏转或者在其波长中进行改变。
在发射辐射的器件的另一实施形式中，光学元件包括转换层或者滤光器。
在转换层中，由半导体芯片发射的辐射可以在其波长中进行改变。这例如也可以仅仅在所发射的辐射的确定波长范围中进行。所述改变例如可以通过由转换材料吸收辐射来进行，该转换材料随后又以另一波长发射辐射。滤光器例如可以是角滤光器或者边缘滤光器。
在发射辐射的器件的另一实施形式中，钝化层至少设置在光学元件的背离半导体芯片的表面的部分区域上。
在该实施形式中，不仅半导体芯片，而且设置在半导体芯片上的光学元件也附加地通过钝化层封装。由此，不仅半导体芯片而且光学元件也被保护免受环境影响。其中在半导体芯片和光学元件之间还附加地设置补偿层的实施形式也是可能的。补偿层在此是钝化层的特殊形式，并且由此包括与钝化层相同的物质。补偿层例如可以用于半导体芯片的表面的找平。
在发射辐射的器件的另一实施形式中，钝化层将第一接触结构相对于第二接触结构电绝缘。
由于有机聚合物的良好的电绝缘特性，钝化层也可以用作电绝缘体。在此，例如可以将第一接触结构相对予第二接触结构电绝缘。
在发射辐射的器件的另一实施形式中，钝化层将第二接触层相对于第一接触结构电绝缘。
因为有机聚合物以及由此钝化层不仅具有非常良好的电绝缘特性，而且借助其也可以构建非常薄的并且稳定的层，所以也可能的是，借助钝化层来填充小的间隙。此外也可能的是，接触层坡道式(rampenartig)地在通过钝化层构建的基座上引导。坡道式应当理解为，接触层直接在另外的层上引导，而在接触层和该接触层在其上引导的层之间并不形成间隙。这能够实现特别扁平的器件。在具有这种接触坡道的该实施形式中，无需接触线(所谓的接合线)。
在发射辐射的器件的另一实施形式中，第二接触层框架状地设置在半导体芯片的辐射出射面上。
这能够实现的是，半导体芯片也可以在辐射出射面的侧面上从所有侧面被提供电压。由此，与接触层仅仅设置在辐射出射面的一侧的情况相比，半导体芯片具有更为稳定的电压供给。与仅仅逐点地或者通过边缘地提供电压的半导体芯片相比，由于半导体芯片被更为稳定地提供电压，因此该半导体芯片具有更均匀的发射。通过将第二接触层框架状地设置在半导体芯片的表面上，改进了半导体芯片的电流扩展，由此改进了产生辐射的效率。第二接触层的框架状的接触几何结构特别适于侧面长度在400μm以下的芯片。
在发射辐射的器件的另一实施形式中，第二接触层具有接触接片，其设置在半导体芯片的辐射出射面上。
第二接触层的该布置同样能够实现为半导体芯片均匀地提供电压，这又导致半导体芯片的均匀发射。接触接片在此对于所发射的辐射可以是透明的。在此，第二接触层优选附加地框架状地设置在半导体芯片的表面上，其中在该框架接触部中设置接触接片，这些接触接片优选在半导体芯片的表面上并不相交并且特别优选地彼此平行走向。在此，接触接片在部分区域中与框架接触部直接接触。通过接触接片，改进了半导体芯片的电流扩展，由此更大的芯片尺寸是可能的。这种接触结构对于侧面长度在400μm以上的芯片是特别有利的。
在发射辐射的器件的另一实施形式中，在支承体中存在第一穿通接触部和第二穿通接触部，其中第一穿通接触部与第一接触结构导电连接，并且第二穿通接触部与第二接触结构导电连接。
这能够实现的是，第一接触结构或者第二接触结构于是可以从下侧穿过支承体被电接触。由此，可以实现非常扁平的器件。由于通过穿通接触部接触半导体芯片(所述穿通接触部引导通过支承体)，发射辐射的器件能够可表面安装地构建。可表面安装的器件，或者也称为所谓的SMT器件(SMT：Surface Mount Technology，表面安装技术)，其特征在于其可以借助能够焊接的接触区域直接地例如焊接到电路板上。由此，非常密的装配是可能的，由此减小了位置需求。这允许高的组装密度。
在发射辐射的器件的另一实施形式中，该器件成形为薄膜芯片。
在另一扩展方案中，半导体本体是薄膜发光二极管芯片。特别地，其在背面上具有支承衬底。在一个扩展方案中，第一连接层和第二连接层至少局部地设置在半导体层序列和支承衬底之间。
薄膜发光二极管芯片的特征在于以下典型特征的至少之一：
●在产生辐射的半导体层序列的朝向支承元件、尤其是朝向支承衬底的主面上施加或者构建有反射层，反射层将半导体层序列中产生的电磁辐射的至少一部分向回反射到该半导体层序列中，其中产生辐射的半导体层序列尤其是产生辐射的外延层序列；
●薄膜发光二极管芯片具有支承元件，该支承元件不是其上外延生长了半导体层序列的生长衬底，而是独立的支承元件，其事后被固定在半导体层序列上；
●半导体层序列具有在20μm或者更小范围中的厚度，尤其是10μm或者更小范围中的厚度；
●半导体层序列没有生长衬底。在此，“没有生长衬底”意味着，必要时用于生长的生长衬底被从半导体层序列去除或者至少强烈地薄化。特别地，其被薄化为使得其本身或者单独与外延层序列一同地并不是自由支承的。被强烈薄化的生长衬底的残留物本身尤其是不适于生长衬底的功能；以及
●半导体层序列包含至少一个半导体层，其带有至少一个具有混匀结构的面，该混匀结构在理想情况下导致光在半导体层序列中近似各态历经的分布，即其具有尽可能各态历经的随机散射特性。
薄层发光二极管芯片的基本原理例如在I.Schnitzer等人的出版物Appl.Phys.Lett.63(16)，1993年10月18日，第2174-2176页中予以描述，其就此而言的公开内容通过引用结合于此。薄膜发光二极管芯片的例子在出版物EP 0905797 A2和WO 02/13281A1中进行了描述，其就此而言的公开内容同样通过引用结合于此。
在另一实施形式中，器件表现为全白。通过借助根据本发明的钝化层的非常薄且透明的封装，可以避免由于钝化层改变色彩印象。
借助钝化层，可以封装其接触部构建为中间层的部件例如LED芯片，也可以封装其中用于电接触的接触部位于表面上的部件。
例如对于钝化层设置在芯片边沿的情况，钝化层也可以用作相对于导电的基本体/支承体的电击穿保护。
此外，钝化层也可以例如在半导体芯片中用于针对反射层的钝化。
除了器件本身之外，也要求保护该器件的制造方法。
一种用于制造发射辐射的器件的变形方案包括如下方法步骤：提供具有第一接触结构和第二接触结构的支承体，作为方法步骤A)；通过第一接触层将半导体芯片与第一接触结构机械地并且导电地连接，作为方法步骤B)；通过第二接触层将半导体芯片与第一接触结构机械地并且导电地连接，作为方法步骤C)；在半导体芯片的至少部分区域上施加钝化层，作为方法步骤D)；其中针对钝化层使用包括有机聚合物的材料，该有机聚合物具有通式(I)：
其中残基R1至R16可以分别彼此独立地为H、CH3、F、Cl或者Br，并且n具有10至500,000的值。
在这种方法中，例如可以制造如在权利要求1中所要求保护的发射辐射的器件。借助该方法可以实现如下器件：其非常良好地针对环境影响例如酸、碱、气体和水蒸气被保护。此外，借助该方法可以实现非常扁平的器件。该方法的其他有利的扩展方案类似于发射辐射的器件的有利的扩展方案而得到。
在该方法的另一变形方案中，借助等离子体方法来施加钝化层。
在等离子体方法中，例如相应的聚合物的对应的二聚物用作初始物质。该二聚物例如可以以热学方式分开为单体，由该单体于是形成链，成为聚合物。于是，在低于将二聚物分开所需的温度的温度情况下进行聚合作用。聚合作用可以在0.05mbar至0.5mbar的范围中的压力情况下进行。聚合物的凝聚于是可以直接在要涂覆的表面上进行。
借助等离子体方法，可以施加非常薄的并且非常稳定的层，该层尽管如此仍然具有非常好的阻挡作用。
钝化层的沉积也可以借助化学气相沉积(CVD)或者等离子体增强化学气相沉积(PECVD)来进行。
在下文中要借助附图和实施例来进一步阐述本发明的变形方案。
图1示出了发射辐射的装置的一个实施形式的示意性侧视图，其中第二接触层成形为坡道。
图2示出了发射辐射的器件的一个实施形式的示意性俯视图，其中第二接触层的部分区域成形为接触接片。
图3示出了发射辐射的器件的一个实施形式的示意性俯视图，其中接触接片框架状地连接。
图4示出了发射辐射的器件的另一实施形式的示意性俯视图，该器件具有对称结构。
图5示出了发射辐射的器件的一个实施形式的示意性侧视图，其中除了接触面的整个外表面用钝化层包围。
图6示出了发射辐射的器件的一个实施形式的示意性侧视图，该器件具有转换器形式的光学元件。
图7a示出了发射辐射的器件的一个实施形式的示意性侧视图，该器件具有棱锥滤光器形式的光学元件。
图7b示出了发射辐射的器件随一个实施形式的示意性侧视图，该器件具有无源器件。
系列图8a至8d示出了在不同的方法阶段中的多个发射辐射的器件。
系列图9a至9d在示意性俯视图中示出了在不同的方法阶段中的发射辐射的器件。
图1示出了发射辐射的器件的一个实施形式的示意性侧视图。在支承体1上设置有第一接触结构4a和第二接触结构4b。两个接触结构通过钝化层5彼此电绝缘。半导体芯片2通过第一接触层21与第一接触结构4a机械地并且导电地连接。半导体芯片2具有辐射出射面3。半导体芯片2在辐射出射面3上通过第二接触层6与第二接触结构4b导电连接。第二接触层6在此坡道式地在钝化层5上引导，其中钝化层5在此将第二接触层6相对于第一接触结构4a电绝缘。辐射出射面3的并不与第二接触层6接触的区域以及半导体芯片2的侧面用钝化层5涂覆。由此，半导体芯片2被保护免受环境影响。因为钝化层5对于半导体芯片2发射的辐射是透明的，所以辐射可以通过辐射出射面3穿过钝化层5发出。
由于半导体芯片2的可以无需接合线实现的接触，光学元件可以接近芯片地设置在半导体芯片2上。
支承体1优选包含陶瓷、硅或者氮化铝。可替选地，支承体1可以包括带有设置于其上的电绝缘层(例如电介质)的金属、金属化合物或者金属间陶瓷。
半导体芯片2具有有源层，其可以具有pn结、双异质结构、单量子阱结构(SQW)或者多量子阱结构(MQW)用于产生辐射。
半导体芯片2优选基于氮化物半导体、磷化物半导体或者砷化物半导体。在当前情况中“基于氮化物半导体、磷化物半导体或者砷化物半导体”意味着，有源的外延层序列或者其至少一个层包括III/V半导体材料，尤其是具有组分InxGayAl1-x-yP或者InxGayAl1-x-yN或者InxGayAl1-x-yAs，分别有0≤x≤1，0≤y≤1并且x+y≤1。
发射辐射的器件的半导体芯片2并不具有生长衬底。半导体芯片2由此构建为无衬底的半导体芯片。通过无衬底的半导体芯片2，有利地得到器件的特别低的结构高度。优选的是，半导体芯片2具有100μm以下、特别优选40μm以下的高度。器件的尺寸于是可以几乎处于外延层序列的厚度范围中。
第一接触层21优选不仅用于半导体芯片2的电接触，而且此外可以负责光学反射器的功能。也就是说，第一接触层21将半导体芯片2朝着支承体1的方向发射的辐射优选朝着半导体芯片2的辐射出射面3的方向向回反射。
优选的是，第二接触层6是透明的并且尤其是TCO层(TCO：Transparent Conductive Oxide，透明导电氧化物)。特别优选地，第二接触层包括IZO(铟锌氧化物)、ITO(铟锡氧化物)或者ZnO(氧化锌)。
优选的是，第二接触层6具有在50nm到300nm之间的范围中的厚度，其中包括端值。半导体芯片2优选具有40μm以下的高度。
图2示出了两个发射辐射的器件的示意性俯视图。两个器件结构相同并且设置在相同的支承体1上。在支承体1上分别设置有第一接触结构4a，半导体芯片或者第一接触层21可以通过该第一接触结构来接触，其中第一接触层设置在半导体芯片2和第一接触结构4a之间。半导体芯片2的上侧通过第二接触层6与第二接触结构4a导电连接。第二接触层6在此在辐射出射面3上成形为接触接片61。这些接触接片61使得半导体芯片2能够被更均匀地提供电压，这导致半导体芯片2的更均匀的发射。两个半导体芯片2分别框架状地通过钝化层5包围。第二接触层6在此如图1所示地坡道式地在钝化层5的部分区域上引导至辐射出射面3。
图3示出了发射辐射的器件的另一实施形式的示意性俯视图。在支承体1上设置有第一接触结构4a和第二接触结构4b。半导体芯片2的辐射出射面3通过第二接触层6与第二接触结构4b导电连接。第二接触层6的设置在辐射出射面3上的部分区域在部分区域中成形为接触接片61以及附加地成形为框架，该框架分别将接触接片61的外部端部彼此连接。在该实施形式中，半导体芯片2被均匀地提供电压。半导体芯片2被钝化层5包围。钝化层5也是第二接触层6的基座，该第二接触层从第二接触结构4b朝向辐射出射面3引导。
图4在示意性俯视图中示出了发射辐射的器件的一个实施形式。该实施形式的特征在于，其具有关于虚线的对称结构。第二接触层6在此又作为接触接片61成形在半导体芯片2的辐射出射面3上。该器件的对称结构实现了半导体芯片2的特别均匀的电压供给，这导致半导体芯片的特别均匀的发射特征。
除了在图2、3和4中示出的实施形式，还分别存在如下实施形式：其中辐射出射面3至少在其中不存在接片或者接触层的区域中完全用钝化层5涂覆。出于清楚的原因，这在附图中并未示出。由此，半导体芯片2分别完全地被保护免受环境影响。其中附加地，接触接片61也设置有钝化层5的实施形式也是可能的，使得在辐射出射面3上的整个面都设置有钝化层5。
图5在示意性侧视图中示出了发射辐射的器件的一个实施例。在此，支承体1具有第一穿通接触部8a和第二穿通接触部8b。通过穿通接触部，可以从器件的下侧导电地接触第一接触结构4a或者第二接触结构4b。在该实施形式中，第二接触层6在如下区域中框架状地成形：在该区域中，第二接触层在半导体芯片2的辐射出射面3上延伸。辐射出射面3通过第二接触层与第二接触结构4b导电连接。整个器件，除了两个穿通接触部8a和8b的接触面以及第二接触层6的部分区域之外，完全地用钝化层5包覆。由此，整个器件被保护免受环境影响。
在图5中示出的器件借助第一和第二穿通接触部8a、8b优选构建为可表面安装的器件。
在图6的示意性侧视图中示出的实施形式具有与图5所示的实施形式类似的结构。在图6中所示的实施形式附加地具有光学元件9。在图6所示的实施形式中，光学元件9是转换层。该转换层9例如可以包括转换物质，通过该物质将半导体芯片2发出的辐射或者仅仅是该辐射的波长范围在其波长中进行改变。这例如可以通过如下方式进行：由半导体芯片2发出的辐射被转换材料吸收并且由转换材料发射辐射，该辐射具有不同于被转换材料吸收的辐射的波长。在图6中所示的实施例中，半导体芯片2所发出的全部辐射通过光学元件9。
图7a所示的实施形式具有与图5所示的实施形式类似的结构。然而在图7a中所示的实施形式附加地具有光学元件9。在辐射出射面3上存在补偿层15，光学元件9设置在该补偿层上。补偿层15尤其可以用于将辐射出射面3的表面平面化。光学元件9的上表面、即背离半导体芯片2的面同样设置有钝化层5。在该实施例中，光学元件9是棱锥滤光器。钝化层5在此可以在其中钝化层延伸到棱锥滤光器上的区域中也具有均匀的层厚度。借助该滤光器，可以将半导体芯片2发出的辐射在其空间方向上进行偏转。
在图7b中示出的实施例对应于如图7a中所示的实施例，然而附加地包含无源器件100。该无源器件100设置在第二接触结构上并且同样完全被钝化层5包围。无源器件100例如可以是保护二极管或者电阻。
在系列图8a至8d中示出了分别在不同的方法阶段中的三个发射辐射的器件。在图8a中在支承体1上分别设置有第一接触结构4a以及半导体芯片2，该半导体芯片通过第一接触层21与第一接触结构4a机械地以及导电地连接。整个支承体1以及三个器件分别完全地用钝化层5包围。
在图8b中示出的方法阶段中，在半导体芯片2上以及在如下部分区域中的第一接触结构4a上的钝化层5被除去：在该部分区域上没有设置第一接触层21。钝化层5的去除例如可以借助带有氟化气体(例如NF3、CHF3、CF4或者SF6)的RIE等离子体刻蚀(“反应离子刻蚀”)来进行。
在图8c中所示的方法阶段中，在半导体芯片2上施加光学元件9。在该实施例中，光学元件9是转换层。转换层的施加在此例如可以通过包括转换材料的小板来进行。转换层的厚度例如可以为20μm。然而也可以使用YAG陶瓷，其例如以Ce掺杂。在此，厚度例如为100μm。在施加光学元件9之后，又将钝化层2施加到光学元件9上。
在图8d所示的方法阶段中，在光学元件9上延伸的钝化层5的部分区域又被去除。钝化层的该去除例如可以借助带有氟化气体的RIE等离子体刻蚀(“反应离子刻蚀”)来进行。通过暴露光学元件9，可以减小对所发射的辐射的吸收。
在系列图9a至9d中分别示意性地在俯视图中示出了四个不同的方法阶段中的发射辐射的器件的实施例。
图9a示出了支承体1，在其上分别针对两个发射辐射的器件设置有第一接触结构4a和第二接触结构4b。
图9b示出了一个实施例，其例如可以从图9a中示出的器件产生，在第一接触结构4a的部分区域上分别施加半导体芯片2。半导体芯片2的施加例如可以通过接合、焊接或者粘合来进行。在此，可以在半导体芯片2和第一接触结构4a之间设置第一接触层21。
在图9c中示出的方法阶段例如可以从图9b中所示的方法阶段中产生，其方式是施加钝化层5。钝化层5在此分别包围半导体芯片2。钝化层5例如可以借助化学气相沉积(CVD)、优选借助等离子体增强气相沉积(PECVD)来沉积。
在图9d中示出的方法阶段对应于如图2所示的实施例。其例如可以从图9c中所示的方法阶段中产生，其方式是在每个器件上分别施加第二接触层6。第二接触层6在此在如下部分区域中成形为接触接片61：在这些部分区域中，第二接触层在半导体芯片2上延伸。
在并未作为附图示出的另一方法步骤中，现在可以将暴露的辐射出射面3以及接触接片也借助钝化步骤5来覆盖。由此，于是整个半导体芯片2通过钝化层保护免受环境影响。
本发明并未通过借助实施例的描述而局限于此，而是包括任意新的特征和特征的任意组合，尤其是权利要求中的特征的任意组合，即使该特征或者该组合本身并未明确地在权利要求或者实施例中予以说明。
Claims (15)
1.一种发射辐射的器件，包括：
—支承体(1)；
—设置在支承体(1)上的半导体芯片(2)，其中所述半导体芯片(2)具有用于产生电磁辐射的有源层和辐射出射面(3)；
—第一接触结构和第二接触结构(4a，4b)，用于电接触所述半导体芯片(2)；
—第一接触层(21)和第二接触层(6)，其中所述半导体芯片(2)通过第一接触层(21)与第一接触结构(4a)导电连接，以及通过第二接触层(6)与第二接触结构(4b)导电连接；
—设置在所述半导体芯片(2)上的钝化层(5)，其中钝化层(5)包括有机聚合物，所述有机聚合物具有通式(I)：
其中残基R1至R16能够分别彼此独立地为H、CH3、F、Cl或者Br，并且n具有10至500,000的值。
2.根据权利要求1所述的发射辐射的器件，其中R1、R2、R7、R8、R9、R10、R15和R16分别代表H。
3.根据上述权利要求之一所述的发射辐射的器件，其中钝化层(5)的至少部分区域是所述器件的最外层。
4.根据上述权利要求之一所述的发射辐射的器件，其中钝化层(5)设置在辐射出射面(3)上。
5.根据上述权利要求之一所述的发射辐射的器件，其中在半导体芯片(2)的辐射出射面(3)上设置有至少一个光学元件(9)。
6.根据权利要求5所述的发射辐射的器件，其中所述光学元件(9)包括转换层或者滤光器。
7.根据权利要求5或6所述的发射辐射的器件，其中钝化层(5)至少设置在光学元件(9)的背离半导体芯片(2)的表面的部分区域上。
8.根据上述权利要求之一所述的发射辐射的器件，其中钝化层(5)将第一接触结构(4a)相对于第二接触结构(4b)电绝缘。
9.根据上述权利要求之一所述的发射辐射的器件，其中钝化层(5)将第二接触层(6)相对于第一接触结构(4a)电绝缘。
10.根据上述权利要求之一所述的发射辐射的器件，其中第二接触层(6)框架状地设置在半导体芯片(2)的辐射出射面(3)上。
11.根据上述权利要求之一所述的发射辐射的器件，其中第二接触层(6)具有接触接片(61)，所述接触接片设置在半导体芯片(2)的辐射出射面(3)上。
12.根据上述权利要求之一所述的发射辐射的器件，其中通过支承体(1)存在第一穿通接触部和第二穿通接触部(8a，8b)，并且第一穿通接触部(8a)与第一接触结构(4a)导电连接，而第二穿通接触部(8b)与第二接触结构(4b)导电连接。
13.根据上述权利要求之一所述的发射辐射的器件，其中所述器件成形为薄膜芯片。
14.一种用于制造发射辐射的器件的方法，包括如下方法步骤：
A)提供具有第一接触结构和第二接触结构(4a，4b)的支承体(1)；
B)通过第一接触层(21)将半导体芯片(2)与第一接触结构(4a)机械地并且导电地连接；
C)通过第二接触层(6)将半导体芯片(2)与第二接触结构(4b)机械地并且导电地连接；
D)在半导体芯片(2)的至少部分区域上施加钝化层(5)；
其中针对钝化层(5)使用包括有机聚合物的材料，所述有机聚合物具有通式(I)：
其中残基R1至R16能够分别彼此独立地为H、CH3、F、Cl或者Br，并且n具有10至500,000的值。
15.根据权利要求14所述的方法，其中借助等离子体方法来施加钝化层(5)。
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|---|---|---|---|
| DE102008057350A DE102008057350A1 (de) | 2008-11-14 | 2008-11-14 | Strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2009801452234A Active CN102216365B (zh) | 2008-11-14 | 2009-11-05 | 发射辐射的器件及其制造方法 |
Country Status (7)
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|---|---|
| US (1) | US8552459B2 (zh) |
| EP (1) | EP2347455B1 (zh) |
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| WO (1) | WO2010054628A2 (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107978613A (zh) * | 2017-12-15 | 2018-05-01 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 | 半导体感光器件及其感光表面处理方法 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102010031732A1 (de) * | 2010-07-21 | 2012-01-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
| DE102010033963A1 (de) * | 2010-08-11 | 2012-02-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
| US8653542B2 (en) * | 2011-01-13 | 2014-02-18 | Tsmc Solid State Lighting Ltd. | Micro-interconnects for light-emitting diodes |
| DE102011010504A1 (de) * | 2011-02-07 | 2012-08-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektrischer Halbleiterchip |
| DE102011013821B4 (de) | 2011-03-14 | 2024-05-23 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Halbleiterchips |
| DE102011113428A1 (de) * | 2011-09-14 | 2013-03-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
| DE102012209325B4 (de) * | 2012-06-01 | 2021-09-30 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches Modul |
| DE102012109083A1 (de) * | 2012-09-26 | 2014-03-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| EP2830087A1 (en) * | 2013-07-26 | 2015-01-28 | Hamilton Sundstrand Corporation | Method for interconnection of electrical components on a substrate |
| KR102311791B1 (ko) * | 2015-10-16 | 2021-10-08 | 한국전기연구원 | 아민계 폴리머를 포함한 다이오드 제조방법 |
| DE102017112223A1 (de) | 2017-06-02 | 2018-12-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterlaser-Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlaser-Bauteils |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1718534A (zh) * | 2005-07-07 | 2006-01-11 | 上海交通大学 | 反应离子深刻蚀加工微结构的侧壁钝化方法 |
| WO2007076842A2 (de) * | 2005-12-30 | 2007-07-12 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer halbleiterchip und optoelektronisches bauelement mit solch einem halbleiterchip |
| US20070231963A1 (en) * | 2005-01-11 | 2007-10-04 | Doan Trung T | Method for handling a semiconductor wafer assembly |
| DE102006045702A1 (de) * | 2006-09-27 | 2008-04-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauteil |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB9018698D0 (en) * | 1990-08-24 | 1990-10-10 | Lynxvale Ltd | Semiconductive copolymers for use in electroluminescent devices |
| US5973337A (en) * | 1997-08-25 | 1999-10-26 | Motorola, Inc. | Ball grid device with optically transmissive coating |
| EP2169733B1 (de) | 1997-09-29 | 2017-07-19 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Halbleiterlichtquelle |
| JP3641122B2 (ja) * | 1997-12-26 | 2005-04-20 | ローム株式会社 | 半導体発光素子、半導体発光モジュール、およびこれらの製造方法 |
| US20020017652A1 (en) | 2000-08-08 | 2002-02-14 | Stefan Illek | Semiconductor chip for optoelectronics |
| US6740906B2 (en) * | 2001-07-23 | 2004-05-25 | Cree, Inc. | Light emitting diodes including modifications for submount bonding |
| JP2003133589A (ja) * | 2001-10-23 | 2003-05-09 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | ＧａＮ系半導体発光ダイオード |
| DE102004029412A1 (de) * | 2004-02-27 | 2005-10-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierender Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterchips |
| EP1774598B1 (en) * | 2004-06-30 | 2011-09-14 | Cree, Inc. | Chip-scale methods for packaging light emitting devices and chip-scale packaged light emitting devices |
| JP4457826B2 (ja) * | 2004-09-22 | 2010-04-28 | 三菱化学株式会社 | 窒化物半導体を用いた発光ダイオード |
| DE102004050371A1 (de) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement mit einer drahtlosen Kontaktierung |
| JP4692053B2 (ja) * | 2005-04-15 | 2011-06-01 | セイコーエプソン株式会社 | 画像登録装置、画像確認方法、および画像プレビュープログラム |
| KR101047683B1 (ko) * | 2005-05-17 | 2011-07-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 와이어 본딩이 불필요한 발광소자 패키징 방법 |
| JP4203087B2 (ja) * | 2006-07-25 | 2008-12-24 | 株式会社沖データ | 半導体複合装置、ｌｅｄプリントヘッド及び画像形成装置 |
| WO2008016110A1 (fr) * | 2006-08-04 | 2008-02-07 | Mitsubishi Chemical Corporation | Couche isolante, dispositif électronique, transistor à effet de champ, et polyvinylthiophénol |
| JP4846506B2 (ja) * | 2006-10-10 | 2011-12-28 | 株式会社フジクラ | 発光装置およびその製造方法 |
| WO2008156121A1 (ja) * | 2007-06-21 | 2008-12-24 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜発光トランジスタ |
-
2008
- 2008-11-14 DE DE102008057350A patent/DE102008057350A1/de not_active Withdrawn
-
2009
- 2009-11-05 KR KR1020117013636A patent/KR101609012B1/ko active IP Right Grant
- 2009-11-05 WO PCT/DE2009/001571 patent/WO2010054628A2/de active Application Filing
- 2009-11-05 US US13/129,018 patent/US8552459B2/en active Active
- 2009-11-05 JP JP2011535870A patent/JP5538416B2/ja active Active
- 2009-11-05 CN CN2009801452234A patent/CN102216365B/zh active Active
- 2009-11-05 EP EP09771686A patent/EP2347455B1/de active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070231963A1 (en) * | 2005-01-11 | 2007-10-04 | Doan Trung T | Method for handling a semiconductor wafer assembly |
| CN1718534A (zh) * | 2005-07-07 | 2006-01-11 | 上海交通大学 | 反应离子深刻蚀加工微结构的侧壁钝化方法 |
| WO2007076842A2 (de) * | 2005-12-30 | 2007-07-12 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer halbleiterchip und optoelektronisches bauelement mit solch einem halbleiterchip |
| DE102006045702A1 (de) * | 2006-09-27 | 2008-04-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauteil |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107978613A (zh) * | 2017-12-15 | 2018-05-01 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 | 半导体感光器件及其感光表面处理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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