CN102211935B - 一种以废旧耐火材料为原料生产高纯铝硅碳粉体的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种铝硅碳粉体的制备方法。该方法包括下述步骤:1)称量下述质量百分比的原料:刚玉砖49~60%,硅砖14~18%和炭块26%-33%,将所述原料混合,得混合料,2)将所述混合料在1大气压CO保护性气氛中,于2300~2800℃加热4~6小时,冷却后,除去产物表面杂质层,即得到铝硅碳粉体。本发明的方法以废旧耐火材料为原料,既降低了生产成本同时又实现了资源的循环利用;且该方法简便易行、所得产品的产率、纯度均较高,适于规模化生产。

Description

一种以废旧耐火材料为原料生产高纯铝硅碳粉体的方法
技术领域
本发明涉及一种属于陶瓷材料领域,具体涉及一种以废旧耐火材料为原料生产高纯铝硅碳粉体的方法。
背景技术
Barczak于1961年首先报道了铝硅碳(Al4SiC4)的存在。铝硅碳热导率大(80W·m-1·K-1),高温弯曲强度比室温弯曲强度高50%,高温氧化后在表面生成致密抗高温保护膜(刚玉和莫来石)以阻止铝硅碳内部进一步的氧化,在氧化气氛中于1800℃仍可以稳定的使用,从而适合于作为高温陶瓷材料。铝硅碳电阻率随温度的升高而下降(100℃和1000℃的电阻率分别为1.14×104Ω·cm和1.71×10-1Ω·cm),适合于制作高温发热体。且铝硅碳具有和碳化硅相近的抗酸碱腐蚀性能。
Yamaguchi等报道了铝硅碳的几种合成方法,以金属(Al+Si)和石墨为原料(Journalofthe Ceramic Society of Japan,1995,103(1):20~24),或以碳化物(Al4C3+SiC)为原料(Ceramic Engineering and Science Proceedings,2005,26(3):181~188),在氩气或真空的气氛中,加热合成铝硅碳。
但现有的铝硅碳合成方法均以金属或碳化物为原料,原料成本高造成合成的铝硅碳价格高,无法大规模工业应用。
发明内容
本发明的目的是提供一种低成本制备铝硅碳粉体的方法。该方法以废旧耐火砖为原料,具有成本低、工艺简单的特点,利于大规模工业生产和应用。
本发明所提供的铝硅碳粉体的制备方法,包括下述步骤:
1)称量下述质量百分比的原料:刚玉砖49~60%,硅砖14~18%和炭块26%-33%,将所述原料混合,得混合料;
2)将所述混合料在1大气压CO保护性气氛中,于2300~2800℃加热4~6小时,冷却后,除去产物表面杂质层,即得到铝硅碳粉体。
其中,所述原料中刚玉砖的粒度可为0.01-0.5mm;硅砖的粒度可为0.01-0.5mm;炭块的粒度可为0.01-0.5mm。
上述步骤1)中所述混合可在球磨罐中进行。
本发明中所述刚玉砖可选自下述至少一种:白刚玉砖和电熔刚玉砖。为了降低生产成本可选择除去黏附杂质的废旧刚玉砖。所述刚玉砖中Al2O3的质量百分含量≥99%。
本发明中所述硅砖可选自下述至少一种:焦炉用硅砖、热风炉用硅砖和玻璃窑用硅砖。为了节约生产成本也可选择除去黏附杂质的废旧硅砖。所述硅砖中SiO2的质量百分含量≥95%。
本发明中所述炭块可选自下述至少一种:高炉用自焙炭块、高炉用焙烧炭块和电炉用炭块。为了节约生产成本也可选择除去黏附杂质的废旧炭块。所述炭块中碳的质量百分含量≥97%。
本发明以废旧耐火材料(刚玉砖、硅砖、炭块)为原料,在1大气压CO保护性气氛中,2300~2800℃加热,合成粒度为长宽50-150μm,厚度5-8μm的高纯铝硅碳粉体(Al4SiC4质量百分含量大于99%)。该铝硅碳粉体可直接作为生产陶瓷制品的原料使用。本发明的方法以废旧耐火材料为原料,既降低了生产成本同时又实现了资源的循环利用;且该方法简便易行、所得产品的产率、纯度均较高,适于规模化生产。
附图说明
图1为实施例1合成的铝硅碳粉体的XRD图片。
图2为实施例1合成的铝硅碳粉体的SEM照片。
具体实施方式
下面通过具体实施例对本发明的方法进行说明,但本发明并不局限于此。
下述实施例中原料的规格均满足下述条件:刚玉砖中Al2O3的质量百分含量≥99%;硅砖中SiO2的质量百分含量≥95%;炭块中碳的质量百分含量≥97%。
下述实施例中所述实验方法,如无特殊说明,均为常规方法;所述试剂和材料,如无特殊说明,均可从商业途径获得。
下述实施例中Al4SiC4含量测定均按照下述方法进行:合成物先进行元素分析,确定无氧元素存在;合成物在氧化气氛中700℃加热除去游离碳;对除去游离碳的合成物进行元素分析,根据Al、Si、C三种元素的含量和Al4SiC4、SiC、Al4C3的分子组成,计算得到Al4SiC4、SiC、Al4C3的含量。
实施例1、合成铝硅碳粉体
选用配方为:白刚玉砖(平均粒度0.2mm)∶焦炉硅砖(平均粒度0.2mm)∶高炉用自焙炭块(平均粒度0.2mm)=58∶15∶27(质量比),进行称量配料,在球磨罐中干式混合得到混合料。将混合料装入石墨坩埚中,石墨坩埚放入电炉中,在1大气压CO保护性气氛中,2700℃保温5小时加热,冷却后,除去上表面杂质富集层,即得到铝硅碳粉体。所得到的铝硅碳粉体的粒度为长宽50-150μm,厚度5-8μm,铝硅碳粉体中Al4SiC4含量为99.3%。该铝硅碳粉体的扫描电镜照片如图2所示。
所合成的铝硅碳粉体的XRD图谱见图1。将该XRD谱线与铝硅碳的特征谱线进行比对,两者完全吻合,因此可以确定合成物主要成分为铝硅碳。
实施例2、合成铝硅碳粉体
选用配方为:电熔刚玉砖(平均粒度0.1mm)∶热风炉硅砖(平均粒度0.1mm)∶高炉用焙烧炭块(平均粒度0.1mm)=49∶18∶33(质量比),进行称量配料,在球磨罐中干式混合得到混合料。将混合料装入石墨坩埚中,石墨坩埚放入电炉中,在1大气压CO保护性气氛中,2500℃保温4小时加热,冷却后,除去上表面杂质富集层,即得到铝硅碳粉体。所得到的铝硅碳粉体的粒度为长宽50-150μm,厚度5-8μm,铝硅碳粉体中Al4SiC4含量为99.1%。
实施例3、合成铝硅碳粉体
选用配方为:白刚玉砖(平均粒度0.01mm)∶玻璃窑硅砖(平均粒度0.01mm)∶电炉用炭块(平均粒度0.01mm)=54∶16∶30(质量比),进行称量配料,在球磨罐中干式混合得到混合料。将混合料装入石墨坩埚中,石墨坩埚放入电炉中,在1大气压CO保护性气氛中,2300℃保温6小时加热,冷却后,除去上表面杂质富集层,即得到铝硅碳粉体。所得到的铝硅碳粉体的平均粒度为长宽50-150μm,厚度5-8μm,铝硅碳粉体中Al4SiC4含量为99.1%。
实施例4、合成铝硅碳粉体
选用配方为:电熔刚玉砖(平均粒度0.5mm)∶焦炉硅砖(平均粒度0.5mm)∶高炉用自焙炭块(平均粒度0.5mm)=60∶14∶26,进行称量配料,在球磨罐中干式混合得到混合料。将混合料装入石墨坩埚中,石墨坩埚放入电炉中,在1大气压CO保护性气氛中,2800℃保温4小时加热,冷却后,除去上表面杂质富集层,即得到铝硅碳粉体。所得到的铝硅碳粉体的粒度为长宽50-150μm,厚度5-8μm,铝硅碳粉体中Al4SiC4含量为99.3%。

Claims (2)

1.一种铝硅碳粉体的制备方法,包括下述步骤:
1)称量下述质量百分比的原料:刚玉砖49~60%,硅砖 14~18% 和炭块26%-33%,将所述原料混合,得混合料;
2)将所述混合料在1大气压CO保护性气氛中,于2300~2800℃加热4~6小时,冷却后,除去产物表面杂质层,即得到铝硅碳粉体;
所述刚玉砖中Al2O3的质量百分含量≥99%;所述硅砖中SiO2的质量百分含量≥95%;所述炭块中碳的质量百分含量≥97%;
所述刚玉砖选自下述至少一种:白刚玉砖和电熔刚玉砖,所述刚玉砖为除去黏附杂质的废旧刚玉砖;
所述硅砖选自下述至少一种:焦炉用硅砖、热风炉用硅砖和玻璃窑用硅砖,所述硅砖为除去黏附杂质的废旧硅砖;
所述炭块选自下述至少一种:高炉用自焙炭块、高炉用焙烧炭块、电炉用炭块,所述炭块为除去黏附杂质的废旧炭块;
所述刚玉砖的粒度为0.01-0.5mm;所述硅砖的粒度为0.01-0.5mm;所述炭块的粒度为0.01-0.5mm。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤1)中所述混合在球磨罐中进行。
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CN101659554A (zh) * 2009-09-02 2010-03-03 中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司 一种抗氧化剂复合粉体的制备工艺

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JianliZhaoetal..SynthesisofAl4SiC4fromAlumina Silica and Graphite.《Journal of the Ceramic Society of Japan》.2007
Synthesis of Al4SiC4 from Alumina,Silica and Graphite;Jianli Zhao et al.;《Journal of the Ceramic Society of Japan》;20071231;第115卷(第11期);第761-762页 *

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