CN102194709B - 发光二极管封装元件的制造方法 - Google Patents

发光二极管封装元件的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明揭示一种发光二极管封装元件及其制造方法。在一基底上方的多个LED芯片上覆盖一透光性密封体，以形成多个LED封装元件半成品。将LED封装元件半成品贴附于一可挠性背胶片的一侧后，在不切断可挠性背胶片的状态下，以一既定尺寸来切割LED封装元件半成品。将一可挠性保护膜贴附至已切割的LED封装元件半成品的与可挠性背胶片相对的一侧后，将其浸入一浆料中，使浆料覆盖LED封装元件半成品中未被可挠性保护膜与可挠性背胶片贴附之处。自浆料中移出LED封装元件半成品后，对其进行干燥处理。本发明亦揭示由上述制造方法所制造的LED封装元件。

Description

发光二极管封装元件的制造方法
技术领域
本发明是关于一种发光二极管封装元件及其制造方法，特别是关于一种在表面黏着型发光二极管元件的半成品侧壁表面，形成低厚度壁部（wall part）的方法。
背景技术
近年来，数字相机、照相手机或移动通讯装置等可携式电子产品，为了携带便利性以及环保意识的逐渐抬头，已开始采用发光二极管（LED）作为背光元件或是闪光灯等发光元件。由于，相机及手机的体积必须越做越小，因此内部的部件也随之缩小因此发光二极管的小型化也成为必然的趋势。
先前技术提出如图4所示的一种发光二极管封装元件400。安装在发光二极管封装元件400中的基底410上的LED芯片412是以打金线的方式进行电性连接。当发光二极管封装元件400须以混光方式发光时，则在由模制部份414（molded part）所形成的空腔414a中填入掺有荧光粉的树脂溶液416、且使其固化，藉此，利用芯片412所发出的光线来激发荧光粉，而发出其它颜色的光，例如，利用蓝光芯片所发出的蓝光激发黄色荧光粉，则会产生白色光。
在图5中，先前技术即揭露此种发光二极管封装元件的制造方法的示意图。首先，将LED芯片412置放于事先准备好的平板基底410上，再将具有空腔414a的模制部份414黏附到平板基底410上。接着，将掺有荧光粉的树脂溶液416充填至空腔414a内，使其固化后，将该结构进行切割。此种制造方式，因需要另行将模制部份414黏附到已载置有LED芯片412的平板基底410上，故而不仅须要求黏着技术、更要求精密的定位技术，进而造成生产率的降低。再加上在进行切割时，容易发生切割刀具的挤压、剪切力，造成发光二极管的模制部份414变形、甚至是破裂的不良情况，更加使其良品率降低。
为了避免模制部份414在切割期间与掺有荧光粉的树脂溶液的光涂布层发生剥离，要求其壁厚至少需为0.3mm。
除此之外，在上述限制因素下，无法在相同尺寸的模制部份414中置入相对较大尺寸（例如，面积）的LED芯片，而使LED装置的亮度提升受限。
另一种发光二极管封装元件的制造方法是将LED芯片置放于事先准备好的平板基底上。先涂覆上掺有荧光粉的树脂后使其固化，再置放一压模（未图标）以灌入浆料、制成模制部份，之后再实施切割作业以形成LED芯片封装元件。
但此种制作方式，由于压模难以平整且均匀的覆盖在固化的荧光材料层上，因此很容易在灌入浆料的阶段中产生灌入浆料溢料而覆盖于荧光材料层上表面，造成LED出光效率降低的问题，严重者，还需要另外实施其它加工作业来去除覆盖于荧光材料层上表面的溢料。因此，有必要寻求一种新的发光二极管封装元件的制造方法，其能够在解决上述问题的同时，提升LED装置的亮度。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的是提供一种发光二极管封装元件及其制造方法，可避免在灌入浆料的阶段中产生灌入浆料溢料而覆盖于荧光材料层上表面的问题，进而维持LED装置的亮度。
本发明提供一种发光二极管封装元件的制造方法，包含有下述步骤，即：提供一基底，其中基底上设置有多个发光二极管芯片；在发光二极管芯片上覆盖一透光性密封体，以形成发光二极管封装元件半成品；将发光二极管封装元件半成品贴附于一可挠性背胶片的一侧；在不切断可挠性背胶片的状态下，以一既定尺寸来切割发光二极管封装元件半成品；将一可挠性保护膜贴附至已切割的发光二极管封装元件半成品的与可挠性背胶片相对的一侧；将具有可挠性保护膜与可挠性背胶片的发光二极管封装元件半成品浸入一浆料中，使浆料覆盖发光二极管封装元件半成品中未被可挠性保护膜与可挠性背胶片贴附的处；自浆料中移出发光二极管封装元件半成品；以及对发光二极管封装元件半成品进行干燥处理，以在每一发光二极管封装元件半成品的侧壁形成一壁部。
上述透光性密封体中亦可包括荧光材料。
在切割发光二极管封装元件半成品后，还包括将已切割的发光二极管封装元件半成品卷绕且贴附于柱形工装用具的步骤。
上述干燥处理包括将柱形工装用具沿其中心轴倾斜一角度并转动该柱形工装用具。亦可在转动该柱形工装用具期间，对柱形工装用具的圆周表面进行吹气。倾斜角度可在6°至30°的范围内。
上述可挠性保护膜或可挠性背胶片材料，可由聚酰亚胺形成薄膜状来构成。
上述浆料包括溶剂、扩散剂、以及硅胶，且浆料的黏度控制在低于1500cp。
本发明又提供一种发光二极管封装元件，其包括下列构造，即：一基底，其中基底形成有至少一电极；至少一发光二极管芯片，其中发光二极管芯片与电极电性接触；一透光性密封体，覆盖发光二极管芯片；一壁部，围绕透光性密封体，且其厚度小于0.3mm。
本发明的有益技术效果是：无需进行额外切割工序以切割壁部，进而排除透光性密封体与壁部发生剥离的问题；由浸渍法所制作的壁部可控制低于0.3mm以下，因此，可在相同尺寸的封装体中置入相对较大尺寸的发光二极管芯片，除可增加发光二极管元件的发光亮度，且色偏（color shift）现象亦可进一步获得改善；由于借助浸渍法制作壁部期间透光性密封体受到保护膜的保护，因此可排除现有压模法中发生溢胶的问题，进而维持LED装置的亮度。
附图说明
图1A至图1I是绘示出根据本发明实施例的发光二极管封装元件的制造方法剖面示意图。
图2A是绘示出根据本发明实施例的发光二极管封装元件立体概略图。
图2B是绘示出图2A中发光二极管封装元件的俯视图。
图2C是绘示出图2A中发光二极管封装元件的仰视图。
图3是绘示出图1A至图1I及图2A中发光二极管封装元件的制造方法流程图。
图4是绘示出现有的发光二极管封装元件的剖面示意图。
图5是绘示出现有的发光二极管封装元件的制造示意图。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的较佳实施例。然而，可轻易了解本发明实施例提供许多合适的发明概念而可实施于广泛的各种特定背景。所揭示的特定实施例仅仅用于说明以特定方法制作及使用本发明，并非用以局限本发明的范围。
请参照图1A至图1I，其绘示出根据本发明一实施例的发光二极管封装元件的制造方法剖面示意图。请参照图1A，提供一封装基底102，该封装基底具有良好的散热性，可为陶瓷基底或是其它具较佳散热性的材料。之后，通过现有的固晶（diebonding）工序将多个发光二极管芯片104以既定间距置于封装基底102上，再通过金线打线（wire bonding）工序，使发光二极管芯片104与封装基底102的电极（未绘示）电性连接。
在本实施例中，发光二极管芯片104可依设计需求采用水平式或垂直式的发光二极管，当使用覆晶式（flip chip）发光二极管芯片104时，则无需上述金线打线工序。
接着，请参照图1B，在发光二极管芯片104的上表面涂覆透光性密封体106，在本实施例中，前述发光二极管芯片104为使用蓝光芯片，故而在上述透光性密封体106中掺有黄色荧光粉，藉此发出白光。接着进行烘烤（baking）工序以固化所涂覆的透光性密封体106，形成多个发光二极管封装元件的半成品。
接着，请参照图1C，将一可挠性背胶片（tape）100的上表面贴附于封装基底102的底部以作为一暂时性的承载基底。在其它实施例中，可挠性背胶片100的贴附亦可在涂覆透光性密封体106之前进行。接着，将如图1B所示的发光二极管封装元件半成品，以指定的尺寸、且不切断可挠性背胶片100的状态下进行切割。被切割的发光二极管封装元件半成品之间则因切割而产生间隙G，用以在后续工序中提供壁部制作之用。
接着如图1D所示，将上述图1C的发光二极管封装元件半成品卷绕至柱形工装用具10，在此，发光二极管芯片因过于细小，且非本发明的技术特征，故省略表示。接着，如图1E所示，将卷绕至柱形工装用具10的发光二极管封装元件半成品上贴附一可挠性保护膜108，例如由聚酰亚胺（polyimide，PI）膜所形成，因此可密接于发光二极管封装元件半成品的顶面。
如图1F所示，将柱形工装用具10连同背胶片100上的发光二极管封装元件半成品及可挠性保护膜108浸入一浆料（slurry）20中，使浆料20可经由间隙G而覆盖每一发光二极管封装元件半成品的侧壁。由于透光性密封体106的上表面（即，发光面）受到可挠性保护膜108的保护，故可防止浆料20污染发光面。在本实施例中，浆料20为制作壁部的原料，其包括：溶剂、扩散剂（dispersion agent）、以及硅胶（silicone）。基于浆料20流动性的考量，在一实施例中，浆料20的黏度较佳为低于1500cp。
如图1G所示，待浆料20通过间隙G而完全覆盖每一发光二极管封装元件半成品的侧壁时，自浆料20中移出柱形工装用具10及发光二极管封装元件半成品、保护膜108。
接着如图1H所示，对发光二极管封装元件半成品进行干燥处理，以在每一发光二极管封装元件半成品的侧壁形成由浆料20所构成的壁部（图中未示）。举例而言，可将柱形工装用具10，沿其中心轴10a倾斜一角度θ，并且依顺时针或逆时针旋转方向（如箭号30所示）转动，利于使浆料20可均匀的涂覆在发光二极管封装元件半成品的侧壁。在一实施例中，较佳的倾斜角度θ在6°至30°的范围。另外，可在转动柱形工装用具10期间，对柱形工装用具10的圆周表面进行吹气（blowing）处理（如箭号40所示），以促进浆料20中溶剂的挥发以及控制壁部厚度。
接着如图1I所示，在完成干燥处理之后，自柱形工装用具10取下发光二极管封装元件半成品。每一发光二极管封装元件半成品的侧壁被由浆料20构成的壁部110所覆盖。
接着如图2A所示，移除贴附于发光二极管封装元件半成品两侧的可挠性保护膜108与可挠背胶片100，以形成多个发光二极管封装元件。在此，为简化图示，仅绘示出单一发光二极管封装元件。
通过本发明的制造方法所形成的发光二极管封装元件，其壁部110的厚度可小于0.3mm。在一实施例中，壁部110的厚度可达0.1mm（请参照图2B的壁部110），其厚度远低于现有技术中，壁部至少须为0.3mm以上壁部厚度。接着如图2C所示，其绘示出图2A中发光二极管封装元件的仰视图，发光二极管封装元件可通过形成于封装基底102的电极102a及102b而与外部电路（未绘示）作电性连接。
图3则以流程图方式，揭示上述发光二极管封装元件的制造。
根据上述实施例，由于壁部是由浸渍法所制作而成，因此无需进行额外切割工序以切割壁部，进而排除透光性密封体与壁部发生剥离的问题。同时，壁部的厚度无须受限于0.3mm。换句话说，由浸渍法所制作的壁部可控制低于0.3mm以下，因此，可在相同尺寸的封装体中置入相对较大尺寸（例如，面积）的发光二极管芯片，除可增加发光二极管元件的发光亮度，且色偏现象亦可进一步获得改善。另外，由于通过浸渍法制作壁部期间透光性密封体受到保护膜的保护，因此可排除现有的压模法中发生溢胶的问题，进而维持LED装置的亮度。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作出种种等同的改变或替换，因此本发明的保护范围当视后附的本申请权利要求范围所界定的为准。

Claims (10)

1.一种发光二极管封装元件的制造方法，其特征在于，包括：
提供一基底，其中该基底上设置有多个发光二极管芯片；
在这些发光二极管芯片上覆盖一透光性密封体，以形成多个发光二极管封装元件半成品；
将这些发光二极管封装元件半成品贴附于一可挠性背胶片的一侧；
在不切断该可挠性背胶片的状态下，以一既定尺寸来切割这些发光二极管封装元件半成品；
将一可挠性保护膜贴附至已切割的这些发光二极管封装元件半成品的与该可挠性背胶片相对的一侧；
将具有该可挠性保护膜与该可挠性背胶片的这些发光二极管封装元件半成品浸入一浆料中，使该浆料覆盖这些发光二极管封装元件半成品中未被该可挠性保护膜与该可挠性背胶片贴附之处；
自该浆料中移出这些发光二极管封装元件半成品；以及
对这些发光二极管封装元件半成品进行干燥处理，以在每一发光二极管封装元件半成品的侧壁形成一壁部。
2.根据权利要求1所述的发光二极管封装元件的制造方法，其特征在于，该透光性密封体包括一荧光材料。
3.根据权利要求1所述的发光二极管封装元件的制造方法，其特征在于，在切割这些发光二极管封装元件半成品后，还包括将已切割的这些发光二极管封装元件半成品卷绕且贴附于一柱形工装用具的步骤。
4.根据权利要求3所述的发光二极管封装元件的制造方法，其特征在于，该干燥处理包括：
将该柱形工装用具沿其中心轴倾斜一角度并转动该柱形工装用具。
5.根据权利要求4所述的发光二极管封装元件的制造方法，其特征在于，在转动该柱形工装用具期间，对该柱形工装用具的圆周表面进行吹气。
6.根据权利要求4所述的发光二极管封装元件的制造方法，其特征在于，该角度在6°至30°的范围。
7.根据权利要求1所述的发光二极管封装元件的制造方法，其特征在于，该可挠性保护膜是一聚酰亚胺膜。
8.根据权利要求1所述的发光二极管封装元件的制造方法，其特征在于，该可挠性背胶片是一聚酰亚胺膜。
9.根据权利要求1所述的发光二极管封装元件的制造方法，其特征在于，该浆料包括：溶剂、扩散剂、以及硅胶。
10.根据权利要求9所述的发光二极管封装元件的制造方法，其特征在于，该浆料的黏度低于1500cp。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105161606A (zh) * 2015-07-27 2015-12-16 苏州日月新半导体有限公司 一种led封装方法
CN105826449A (zh) * 2016-03-11 2016-08-03 导装光电科技（深圳）有限公司 白光芯片的成型制备方法和系统

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101465300A (zh) * 2007-12-18 2009-06-24 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管光条及其制造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7829980B2 (en) * 2007-04-24 2010-11-09 Everspin Technologies, Inc. Magnetoresistive device and method of packaging same
TWI488329B (zh) * 2008-05-15 2015-06-11 Everlight Electronics Co Ltd 線路基板與發光二極體封裝

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101465300A (zh) * 2007-12-18 2009-06-24 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管光条及其制造方法

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