CN102187468A - 光半导体装置及使用其的光拾取装置以及电子设备 - Google Patents

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伊势浩二
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Abstract

本发明提供一种光半导体装置及使用其的光拾取装置以及电子设备。半导体基板(101)和玻璃板(102)在半导体基板(101)的周边部通过粘结层(103)粘结，在由半导体基板(101)、玻璃板(102)及粘结层(103)包围的部分形成中空区域(105)。在中空区域(105)的与在半导体基板(101)的背面等间隔地配置的凸点(106)分别对应的位置上形成有加强用粘结层(104)。通过加强用粘结层(104)使半导体基板(101)具有经得起检查用探头(200)的载荷的强度。

Description

光半导体装置及使用其的光拾取装置以及电子设备
技术领域
本发明涉及使用了芯片尺寸封装的光半导体装置，详细来说，涉及缓和检查时施加到凸点部分的物理应力而减少应力破损的光半导体装置及使用此种光半导体装置的光拾取装置、以及电子设备。
背景技术
近年来，伴随着半导体集成电路装置的高集成化、高功能化，电路的大规模化不断发展，因而使得半导体芯片的大型化，甚至半导体封装体的大型化。另一方面，由于电子设备越发小型化，因此半导体封装体相对于电子设备的尺寸成为课题。
光拾取装置用的受光放大电路由多通道的放大器构成，该放大器通过多个受光元件接受向CD(Compact Disc)、DVD(Digital Versatile Disc)以及BD(Blu-ray Disc)等光盘介质照射激光而产生的反射光，并将光电流转换成电压而进行输出。
另外，对CD使用红外激光元件作为光源，对DVD使用红色激光元件作为光源，对BD使用蓝紫激光元件光源作为光源。近年来，将红外和红色这两种波长的激光元件形成在单片(monolithic)上的单片双波长激光元件逐渐普及。在此种单片双波长激光元件中，由于各自的发光位置以确定的间隔配置且光轴成为双系统，因此受光侧也需要将与各个波长相对应的专用的受光元件及放大电路形成在同一半导体基板上，因而放大器的通道数增加。而且，由于还需要应对BD，因此放大器的通道数越发增多，半导体芯片增大，使其模块化的封装体以至此为止的尺寸已无法容许。而且尤其是在应对BD时，由于使用波长为容易引起化学变化的405nm左右的蓝紫光，因此对于在封装体内部使用的部件也需要充分的注意。
因此，近年来，提出了芯片尺寸封装(以下，简称为CSP)作为减小封装体尺寸的结构。具体而言，出现了一种光半导体芯片，其形成从半导体基板的表面向背面贯通的电极，并在该半导体基板的背面侧形成再配线和作为电极端子的凸点(参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开2006-228837号公报
然而，在检查CSP结构的光半导体装置的电特性时，将检查用探头同时按压到在半导体基板的背面配置的全部的凸点上，获得凸点与检查用探头的电接触，因而检查用探头的载荷施加给各凸点。该载荷也施加给半导体基板，而仅通过该半导体基板来吸收检查用探头的载荷。其结果是，半导体基板经不住检查用探头的载荷，而半导体基板的凸点的周边产生裂纹，最坏的情况是半导体基板发生破损。而且，即使不是像凸点端子那样从基板表面突出的端子，在使用探头的检查中，也会发生因探头载荷使基板发生破损的情况。
今后，由于为了实现CSP的进一步小型化而减薄CSP结构的厚度，因此需要实现小型、薄型化及坚固性的CSP结构。
另外，伴随封装体的小型化，在成套安装时难以取得封装体的方向识别，因此还存在反方向安装封装体的课题。
发明内容
因此，本发明鉴于上述课题，目的在于提供一种在CSP的检查中，不会因检查用探头的载荷使半导体基板发生破损的可靠性高且容易取得封装体的方向识别的光半导体装置、使用该光半导体装置的光拾取装置、以及电子设备。
为了实现上述目的，本发明的光半导体装置的特征在于，具备：在第一主面上形成有有源元件的半导体基板；在所述半导体基板的另一主面上形成的多个电极端子；以与所述有源元件对置的方式隔开间隔地设置在所述第一主面上的透光性部件；在所述第一主面上的周边部上形成的密封部；在所述第一主面上的所述有源元件、所述透光性部件及所述密封部之间形成的中空区域；在所述中空区域内形成至少一处以上的缓冲部。
根据该结构，不仅在半导体基板的周边部，而且在中空区域也配置能够分散检查用探头的载荷的缓冲部，因此能够减少因检查用探头的载荷引起的半导体基板的破损。
另外，为了提高封装体的方向识别，使所述缓冲部中的接近半导体基板的角部的至少一处的缓冲部的形状与其他缓冲部的形状不同，或在所述缓冲部中的接近半导体基板的角部的至少一处的缓冲部的配置位置上不配置缓冲部即可。
发明效果
根据本发明，起到提供一种在CSP的检查中，不会因检查用探头的载荷使半导体基板发生破损的可靠性高且容易取得封装体的方向识别的光半导体装置、及使用该光半导体装置的光拾取装置、以及电子设备的效果。
附图说明
图1是表示本发明的第一实施方式的光半导体装置的结构的俯视图。
图2是图1的II-II剖视图。
图3是表示本发明的第一实施方式的另一光半导体装置的结构的剖视图。
图4是表示本发明的第二实施方式的光半导体装置的结构的俯视图。
图5是表示本发明的第三实施方式的光半导体装置的结构的俯视图。
图6是表示本发明的第三实施方式的另一光半导体装置的结构的俯视图。
图7是表示本发明的第三实施方式的又一光半导体装置的结构的俯视图。
图8是表示本发明的第三实施方式的再一光半导体装置的结构的俯视图。
图9是表示本发明的第四实施方式的光半导体装置的结构的俯视图。
图10是图9的X-X剖视图。
图11是表示本发明的第五实施方式的光拾取装置的结构的图。
具体实施方式
以下，参照附图详细说明本发明的实施方式。
《第一实施方式》
图1是表示本发明的第一实施方式的光半导体装置的俯视图。另外图2是表示本第一实施方式的光半导体装置及在该光半导体装置的检查时使用的检查用探头的剖视图。如图1及图2所示，光半导体装置100包括半导体基板101、保护用的玻璃板(透光性部件)102、作为密封部的粘结层103、作为缓冲部的加强用粘结层104、作为电极端子的凸点106。需要说明的是，半导体基板101例如由硅形成，具有100μm左右的厚度。
在半导体基板101的表面(第一主面)上形成有受光区域107和信号处理电路108，对光信号进行受光且产生光电流的多个受光元件107a配置在受光区域107中。半导体基板101和玻璃板102在半导体基板101的周边部通过粘结层103粘结，在由半导体基板101、玻璃板102及粘结层103包围的部分形成中空区域105。
若在受光区域107上粘结粘结层103，则由于粘结层103的光特性而使光的透过率降低，或者在照射波长为405nm左右的蓝紫激光时，尤其是粘结层103的物性发生变化，引起变色或变形，因此，不优选在受光区域107上形成粘结层103。而且，若在信号处理电路108上粘结粘结层103，则在粘结层103的硬化产生的应力的作用下，作为无源元件的电阻或容量的值发生变动且作为有源元件的晶体管或二极管的特性发生变动，因此也不优选在信号处理电路108上形成粘结层103。因此，为了防止上述的特性劣化，而在受光区域107及信号处理电路108上不粘结粘结层103，形成中空区域105。
另外，在该中空区域105中的与等间隔配置的凸点106分别对应的位置上形成有加强用粘结层104，加强用粘结层104与半导体基板101的粘结面积大于凸点106与半导体基板101的接合面积。即，配置在半导体基板101的背面(另一主面)上的凸点106的位置处于半导体基板101的表面的中空区域105的范围内时，在与凸点106的位置相同的位置的半导体基板101的表面上形成加强用粘结层104。但是，优选在受光区域107的正下方不配置凸点106a。
在检查具备中空区域105的CSP结构的光半导体装置100时，将检查用探头200按压到在光半导体装置100的背面配置的凸点106上，获得凸点106与检查用探头200的电接触，因而检查用探头200的载荷(例如，每1探头为50g)施加给凸点106。
在图1中，由于在中空区域105中存在8个凸点106，因此在中空区域105中的半导体基板101上总共施加有50g×8个＝400g的载荷。当施加有该400g的载荷的中空区域105仅由在半导体基板101的周边部形成的粘结层103支承时，可能因半导体基板101的强度不足而产生裂纹，最坏的情况是发生破损。为了防止因检查用探头200的载荷引起的破损，在8个凸点106的正上方形成有用于支承半导体基板101的加强用粘结层104。
通过该加强用粘结层104，能够使半导体基板101具有经得起检查用探头200的载荷的强度。而且，为了即使在由于掩模对合偏差而导致加强用粘结层104的位置相对于凸点106的位置从凸点106的正上方偏离的情况下也确保半导体基板101的强度，优选将加强用粘结层104的尺寸设定成大于凸点106的尺寸。
而且，根据本第一实施方式，由于具有加强用粘结层104，因此即使减小粘结层103的面积，半导体基板101与玻璃板102的粘结强度也不会发生问题。因此，能够减小芯片尺寸。
需要说明的是，在本第一实施方式中，在密封部及缓冲部分别使用了粘结层103及加强用粘结层104，但如图3的光半导体装置140所示，例如使用以作为绝缘体的陶瓷为支承体且在上下具有粘结层的结构体来作为密封部103及缓冲部104，也能够起到同样的效果。但是，密封部103和缓冲部104优选能够通过同一制造工序形成。这是为了实现工序的简化及低成本化。
另外，作为CSP背面端子说明了从基板突出的凸点106，但即使在仅是平坦的端子的情况下，从探头检查中的防止基板破损的观点出发，也能够起到同样的效果。
《第二实施方式》
图4是表示本发明的第二实施方式的光半导体装置150的俯视图。与第一实施方式相比，缓冲部的配置及伴随于此的信号处理电路108的配置的方面不同。而且，在本第二实施方式中，使用通过镀敷或蒸镀而形成在基板上的金属层作为缓冲部。金属层的厚度为在密封部使用的粘结层的厚度以下。如上所述，缓冲部设置的目的在于使检查探头的载荷分散，因此无需同与半导体基板对置的玻璃板粘结，而只要能抑制因载荷产生的半导体基板的变形就没有问题。
作为金属层的镀金层109在中空区域105中由辅助线110所示的对角线上，以距中空区域105的中心相同的距离呈放射状地在检查用探头的总载荷被均匀分散的位置上形成4处。
需要说明的是，对缓冲部为镀金层109进行了说明，但只要能抑制因载荷产生的半导体基板的变形即可，并不局限于镀金层109而可以为任何材质。例如，即使为陶瓷或玻璃板也能实现本发明的目的。
另外，若为该结构，则可以不基于凸点106的数目或位置而配置镀金层109，能够有效使用信号处理电路108的区域，因此电路布局的自由度也提高，芯片尺寸的小型化、甚至封装体尺寸的进一步小型化也变得可能。而且，由于缓冲部不含有作为有机材料的粘结剂，因此能够抑制相对于BD用的蓝紫激光的封装体内部的变质。
另外，在上述的说明中，在半导体基板101上的密封部及缓冲部的设置区域未配置无源元件及有源元件，但通过研究电路布局，也可以在密封部及缓冲部的设置区域配置特性相对于应力不变动的元件、即使特性发生变动也不影响光半导体装置150的整体的特性的元件及铝配线是不言而喻的。
另外，缓冲部(镀金层109)只要是配置在半导体基板101相对于检查用探头200的载荷不发生破损的位置即可，在中空区域105的任何位置配置几处均可。此外，缓冲部也可以配置在与密封部接触的位置或一部分重叠了的位置。
《第三实施方式》
图5、图6、图7及图8是表示本发明的第三实施方式的光半导体装置的俯视图。与第一实施方式相比，一部分的缓冲部或一部分的密封部的形状不同。
图5的光半导体装置160所示的缓冲部104a的尺寸比其他缓冲部104的尺寸小，其他缓冲部104为圆形而缓冲部104a为四边形。而且，图6的光半导体装置170所示的缓冲部104b除去了缓冲部自身。所述两个缓冲部的形状及配置都与其他缓冲部104不同，因此从表面观察光半导体装置160及170时，能够容易识别位置，例如，通过在接近1号端子的部分上配置上述缓冲部104a、104b，能起到容易识别光半导体装置160、170的封装体方向的效果。
另外，图7所示的光半导体装置180的密封部103a为与密封部103的其他3处角部不同的形状，因此与上述缓冲部的配置同样地，从表面观察光半导体装置180时，能够容易识别位置，例如，通过在接近1号端子的部分上配置上述密封部103a，能起到容易识别光半导体装置180的封装体方向的效果。
此外，如图8所示，通过利用激光标记器等在密封部103加入标记300，从而标记300形成在由半导体基板和玻璃板夹持的位置，因此标记不会由于清洗或回流等的损害而变浅或剥落，总是能清楚地看见标记，在从表面观察光半导体装置190时，利用标记的位置而起到容易识别光半导体装置190的封装体方向的效果。此外，通过将图形、文字、数字组合形成标记300，而能够在各个光半导体装置上形成识别号码，例如起到能够在各个半导体装置上形成产品型号、制造年月日等个别信息的效果。
《第四实施方式》
图9及图10是表示本发明的第四实施方式的光半导体装置的图。与第一实施方式相比，在取代缓冲部而在光半导体装置的表面配置弹性体部的方面不同。
例如，在图像传感器等中，由于受光区域宽扩，因此无法如第一实施方式那样在中空区域配置缓冲部。这种情况下，需要取代缓冲部而在光半导体装置上设置冲击吸收部。
如图9及图10所示，光半导体装置350包括：半导体基板101、玻璃板(透光性部件)102、作为密封部的粘结层103、作为冲击吸收部的橡胶状的弹性体部351、作为电极端子的凸点106。
在半导体基板101的表面(第一主面)上形成有受光区域107和信号处理电路108，接受光信号且产生光电流的多个受光元件107a配置在受光区域107中。半导体基板101与玻璃板102在半导体基板101的周边部通过粘结层103粘结，在由半导体基板101、玻璃板102及粘结层103包围的部分形成中空区域105。
若在受光区域107上粘结粘结层103，则由于粘结层103的光特性而使光的透过率降低，或者在照射波长为405nm左右的蓝紫激光时，尤其是粘结层103的物性发生变化，引起变色或变形，因此，不优选在受光区域107上形成粘结层103。而且，若在信号处理电路108上粘结粘结层103，则在粘结层103的硬化产生的应力的作用下，作为无源元件的电阻或容量的值发生变动且作为有源元件的晶体管或二极管的特性发生变动，因此也不优选在信号处理电路108上形成粘结层103。因此，为了防止上述的特性劣化，不在受光区域107及信号处理电路108上粘结粘结层103，形成中空区域105。
另外，在玻璃板102的表面上配置有在受光区域107的上方且与受光区域107大致相同的位置上具备开口部352的弹性体部351。在受光区域107的上方设置开口部352是因为，与上述粘结层同样地因弹性体部351的光特性而使光的透过率降低，或者当照射波长为405nm左右的蓝紫激光时，尤其是弹性体部351的物性发生变化，引起变色或变形，因此，不优选在受光区域107上形成弹性体部351。
在检查具备中空区域105的CSP结构的光半导体装置350时，将检查用探头200按压到在光半导体装置350的背面配置的凸点106上，获得凸点106与检查用探头200的电接触，因而检查用探头200的载荷(例如，每1探头为50g)施加给凸点106。
在图9中，由于在中空区域105中存在8个凸点106，因此在中空区域105中的半导体基板101上总共施加有50g×8个＝400g的载荷。在施加有该400g的载荷的中空区域105仅由半导体基板101的周边部形成的粘结层103支承时，可能因半导体基板101的强度不足而产生裂纹，最坏的情况是发生破损。为了防止因检查用探头200的载荷引起的破损，在玻璃板102的表面配置橡胶状的弹性体部351，通过光半导体装置350的整体来缓和检查用探头200的载荷。即，通过橡胶状的弹性体部351，能够使半导体基板101具有经得起检查用探头200的载荷的强度。
另外，对于弹性体开口部352的位置，由于玻璃板102的表面露出，因此存在因废物等异物损伤玻璃板102的表面的可能性，所以弹性体部351的厚度比制造工序中附着的尘埃尺寸(几十μm)厚，优选为50μm以上。若弹性体部351的厚度为50μm以上，则即使废物附着于弹性体开口部352的玻璃板102表面，也能消除因光半导体装置350的表面与制造装置或托架等相接而损伤玻璃板102的表面的情况。
另外，弹性体开口部352优选在即将将光半导体装置350切割成单个片之前形成。即，在将半导体基板101和玻璃板102粘合后，在玻璃板102的表面涂覆弹性体材料，在该状态下从贯通电极(未图示)的形成进行到凸点形成，最后在切割前进行掩蔽、曝光而形成弹性体开口部352，从而在弹性体材料涂覆后到凸点形成期间，玻璃板表面由弹性体材料保护，因此能够防止废物等向弹性体开口部352的玻璃板表面的附着，在弹性体开口部352的形成后的清洗工序中也能将附着于其他部分的废物清洗。
另外，弹性体部351的表面优选进行粗面处理。将光半导体装置350组装成套(set)的情况下，进而在光半导体装置350上覆盖支架时，由于利用粘结剂将光半导体装置350的表面(弹性体部351的表面)和支架粘结，因此光半导体装置350的表面为粗面比为镜面粘结力更高。
此外，由于在与受光区域107相对应的玻璃板102表面以外的部分配置弹性体部351，因此弹性体部351还具有作为遮光膜的功能，因此能够防止杂散光等引起无用光照射到受光区域107以外的部分，从而能够防止无用光引起的电路的误动作、尤其是粘结层103的物性发生变化而发生变色或变形的情况。这种情况下，优选预先在弹性体材料中混合有颜料等使光难以透过的颜色。
另外，图9所示的弹性体角部351a形成为与弹性体部351的其他3处的角部不同的形状，因此与上述第三实施方式中的密封部的配置同样地，在从表面观察光半导体装置350时，能够容易识别位置，例如，通过在接近1号端子的部分上配置上述弹性体角部351a，能起到容易识别光半导体装置350的封装体方向的效果。
此外，通过利用激光标记器等在弹性体部351加入标记400，而在从表面观察光半导体装置350时，利用标记的位置起到容易识别光半导体装置350的封装体方向的效果。此外，通过将图形、文字、数字组合而形成标记400，能够在各个光半导体装置上形成识别号码，从而起到能够在各个半导体装置上形成例如产品型号、制造年月日等个别信息的效果。
需要说明的是，作为CSP背面端子，说明了从基板突出的凸点106，但在仅是平坦的端子的情况下，从探头检查中的防止基板破损的观点出发，也能够起到同样的效果。
《第五实施方式》
图11是表示本发明的第五实施方式的光拾取装置的结构的图。如图11所示，光拾取装置50是利用激光进行来自DVD及CD的光盘介质58的信息的读出及向光盘介质58的信息的写入的装置。
光拾取装置50包括：作为对CD使用的光源的红外激光元件51；作为对DVD使用的光源的红色激光元件52；三束光栅53；光束分离器54a；光束分离器54b；准直透镜55；反射镜56；物镜57a、57b；受光用IC59。
在光拾取装置50中，当光盘介质58为CD时，从红外激光元件51射出的激光被三束光栅53分割成三束后，依次通过光束分离器54a、准直透镜55及光束分离器54b，被反射镜56反射而向物镜57a入射。然后，由物镜57a集光后的光入射到光盘介质58(CD)后，发生反射，反射光依次通过物镜57a、反射镜56及光束分离器54b返回。来自光盘介质58的反射光的方向因光束分离器54b而发生弯曲，通过物镜57b而照射到受光用IC59的受光面上。受光用IC59将光盘介质58的信息作为电信号输出。
在此，受光用IC59是将具有未图示的受光部的受光元件、及将受光元件产生的光电流放大的信号处理电路形成在同一硅基板上的IC，是第一～第四实施方式中说明的光半导体装置。
在来自光盘介质58的反射光中包含光盘介质58的面上的凹坑信息等，通过对受光元件产生的光电流进行运算处理，能得到光盘介质58的信息信号、聚焦误差信号及循迹误差信号等。所述信号使用于光盘介质58的信息的读取或光拾取装置50的位置控制等。
因此，通过第一～第四实施方式的光半导体装置，能够实现光拾取装置50的高可靠性化及小型化。
另外，在光拾取装置50中，当光盘介质58为DVD时，从红色激光元件52射出的激光依次通过光束分离器54a、准直透镜55及光束分离器54b，由反射镜56反射而向物镜57a入射。然后，由物镜57a集光后的光入射到光盘介质58(DVD)后，发生反射，反射光依次通过物镜57a、反射镜56及光束分离器54b返回。来自光盘介质58的反射光的方向因光束分离器54b而发生弯曲，通过物镜57b照射到受光用IC59的受光面上。受光用IC59将光盘介质58的信息作为电信号输出。
因来自光盘介质58的反射光而产生的电信号使用于光盘介质58的信息的读取或光拾取装置50的位置控制等的方面与所述CD的情况相同，但在光盘介质58为CD时，激光被分割为三束，相对于此，在光盘介质58为DVD时，激光为一束，因此来自CD的反射光和来自DVD的反射光照射到受光部上的不同位置上。由此，在受光用IC59中，用于得到来自CD的信息的受光部和用于得到来自DVD的信息的受光部局部不同。
在光拾取装置50中，从红外激光元件51射出的激光及从红色激光元件52射出的激光分别被调整为在从光束分离器54a到光盘介质58的光路及从光盘介质58到受光用IC59的光路中光轴大致相同。由此，无论光盘介质58是CD还是DVD都能够使用同一光学元件及同一光学系统，从而容易进行光拾取装置50的小型化及组装时的调整等。
如上所述，根据本第五实施方式的光拾取装置50，使用第一～第四实施方式的光半导体装置。由此，能够实现高可靠性的小型的光拾取装置。
需要说明的是，在所述光拾取装置50中，激光、受光用IC等的结构及各构件的配置关系等也可以根据设计适当变更。
以上，基于实施方式对使用了本发明的光半导体装置的光拾取装置进行了说明，但本发明并不局限于该实施方式。例如，本发明的光半导体装置也适合使用于光拾取装置以外的各种电子设备。由此，能够实现高可靠性的小型的电子设备。在不脱离本发明的主要内容的范围内，本领域技术人员能想到的各种变形也包含在本发明的范围内。
另外，本发明说明了使用透光性部件作为光半导体装置的情况，但使用作为层叠半导体基板的中介层时等，不必为透光性部件，只要在不脱离本发明的主要内容的范围内，即使是硅基板、陶瓷基板或印制基板，也包含在本发明的范围内。
工业上的可利用性
本发明能够利用于光半导体装置及使用该光半导体装置的光拾取装置、以及电子设备，尤其是能够利用于进行光盘介质的信息读取的光半导体装置及使用该光半导体装置的光拾取装置等。
符号说明：
50光拾取装置
51红外激光元件
52红色激光元件
53三束光栅
54a、54b光束分离器
55准直透镜
56反射镜
57a、57b物镜
58光盘介质
59受光用IC
100、140、150、160、170、180、190、350光半导体装置
101半导体基板
102玻璃板
103粘结层
103a密封部的缺口图案
104、104a、104b加强用粘结层
105中空区域
106凸点
106a凸点的缺少位置
107受光区域
107a受光元件
108信号处理电路
109镀金层
110辅助线
200检查用探头
300、400标记
351弹性体部
352弹性体开口部

Claims (18)

1.一种光半导体装置，其特征在于，具备：
在第一主面上形成有有源元件的半导体基板；
在所述半导体基板的另一主面上形成的多个电极端子；
以与所述有源元件对置的方式隔开间隔地设置在所述第一主面上的透光性部件；
在所述第一主面上的周边部上形成的密封部；
在所述第一主面上的所述有源元件、所述透光性部件及所述密封部之间形成的中空区域；
在所述中空区域内形成至少一处以上的缓冲部。
2.根据权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，
在所述半导体基板的第一主面上的所述密封部的设置区域未形成有源元件及无源元件。
3.根据权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，
在所述半导体基板的第一主面上的所述缓冲部的设置区域未形成有源元件及无源元件。
4.根据权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，
所述缓冲部等间隔地配置在所述中空区域内。
5.根据权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，
所述缓冲部形成在所述半导体基板的第一主面上的、与在所述半导体基板的另一主面上配置的至少一个以上的电极端子对置的位置。
6.根据权利要求5所述的光半导体装置，其特征在于，
所述半导体基板的第一主面上的所述缓冲部的设置面积大于与所述缓冲部分别对应的电极端子的与所述半导体基板的另一主面相接的面积。
7.根据权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，
在所述半导体基板上形成的有源元件中的至少一个是根据入射光量而输出光电流的受光元件，在相对于形成有该受光元件的位置位于隔着所述半导体基板的正下方的位置未形成电极端子。
8.根据权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，
所述密封部由粘结层形成。
9.根据权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，
所述密封部是在支承体的上下具有粘结层的结构。
10.根据权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，
所述缓冲部由粘结层形成。
11.根据权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，
所述缓冲部是在支承体的上下具有粘结层的结构。
12.根据权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，
所述缓冲部中的接近所述半导体基板的角部的至少一处所述缓冲部的形状与其他所述缓冲部的形状不同。
13.根据权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，
在所述缓冲部中的接近所述半导体基板角部的至少一处所述缓冲部的配置位置上未配置所述缓冲部。
14.根据权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，
在所述密封部中，接近所述半导体基板的角部的至少一处所述密封部的形状与其他所述密封部的形状不同。
15.根据权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，
在所述密封部上形成有标记。
16.根据权利要求15所述的光半导体装置，其特征在于，
所述标记是将图形、文字及数字的任一种或任两种以上组合的标记。
17.一种光拾取装置，其特征在于，
具备权利要求1所述的光半导体装置。
18.一种电子设备，其特征在于，
具备权利要求1所述的光半导体装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104756225A (zh) * 2012-09-20 2015-07-01 斯莱戈科技公司 极薄封装

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5010661B2 (ja) 2009-09-30 2012-08-29 株式会社東芝 電子機器および電子機器の製造方法
CN104765481B (zh) * 2014-01-06 2019-05-28 宸鸿科技(厦门)有限公司 触控面板及其制作方法
US20210325683A1 (en) * 2020-09-02 2021-10-21 Facebook Technologies, Llc Virtual reality systems and methods

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002231920A (ja) * 2001-02-06 2002-08-16 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像装置及びその製造方法
JP5030360B2 (ja) * 2002-12-25 2012-09-19 オリンパス株式会社 固体撮像装置の製造方法
JP2005116762A (ja) * 2003-10-07 2005-04-28 Fujitsu Ltd 半導体装置の保護方法及び半導体装置用カバー及び半導体装置ユニット及び半導体装置の梱包構造
JP2005203695A (ja) * 2004-01-19 2005-07-28 Casio Micronics Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP4198072B2 (ja) * 2004-01-23 2008-12-17 シャープ株式会社 半導体装置、光学装置用モジュール及び半導体装置の製造方法
JP2006228837A (ja) * 2005-02-15 2006-08-31 Sharp Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2008270520A (ja) * 2007-04-20 2008-11-06 Sharp Corp 青色レーザ対応受光素子およびその製造方法、光ピックアップ装置並びに電子機器

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104756225A (zh) * 2012-09-20 2015-07-01 斯莱戈科技公司 极薄封装

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WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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