CN102176360A - Ptc热敏电阻及其应用的基材及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种PTC热敏电阻，其包括一基材、复合于基材两面的两个金属箔状电极，基材由以下重量百分比的组分组成：高分子材料28~55%；导电填料22~32%；辅助填料13~46%；加工助剂1~5%；所述的高分子材料为以下一种或者多种物质混合组成：聚乙烯、聚丙烯、马来酸酐接枝的聚乙烯、乙烯-醋酸乙烯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、聚偏氟乙烯、聚己内酰胺，聚己二酸己二胺、聚癸二酸癸二胺、聚十一酰胺；所述的加工助剂为抗氧剂、偶联剂、交联剂和敏化交联剂中的一种或者多种的混合物；所述敏化交联剂为分解温度较高的多官能团的不饱和化合物其中的一种或几种的混合物。本发明PTC热敏电阻的PTC强度高、耐大电流多次冲击的能力强。
Description
技术领域
本发明涉及一种热敏电阻及其制造方法，特别是涉及一种高分子的正温度系数的热敏电阻的制造方法。
背景技术
高分子正温度系数自恢复热敏电阻即高分子PTC( Positive Temperature Coefficient,正温度系数) 热敏电阻，它是上世纪九十年代发展起来的一种新型的功能材料，主要是由绝缘的高分子聚合物材料和导电填料复合而成，能表现出一种正温度系数（Positive Temperature Coefficient，简称PTC）的特性，即电阻率随着温度的升高而显著增加。室温下，这类电阻具有较低的阻值，当温度上升到高分子聚合物基材的熔点时，电阻率开始迅速上升，电阻值可迅速增加到4个数量级以上。
当电器设备正常工作时，电路中电流相对较小，高分子PTC热敏电阻的温度较低，阻值也较低。而当电路发生故障时，如短路、搭接、感应等情况时，电路中产生较大电流；较大电流通过高分子PTC热敏电阻时，其温度会迅速升高到高分子基材的熔点，导致其阻值迅速增加，电路处于一种近似开路状态，从而有效的保护了电路中的其他重要元器件。而当故障排除后，高分子PTC热敏电阻温度降低，其阻值又恢复到初始的低阻值状态。可反复使用，而无需人工更换。
如今，高分子PTC热敏电阻已经广泛应用于通信设备、手机电池、汽车电子、工业控制、家用电器、计算机等诸多领域中。
现有技术中，经常出现热敏电阻的PTC强度低，多次动作后的阻值升幅高，PTC强度下降，使用过程中电阻变化不一致，耐大电流多次冲击的能力差等缺点，严重时将会影响电器设备的正常工作。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于：克服现有的PTC热敏电阻的PTC强度低、耐大电流多次冲击的能力差等缺点，提供一种PTC强度高、耐大电流多次冲击的能力强的PTC热敏电阻及其应用的基材及其制造方法。
为解决上述问题，本发明提出以下技术方案：一种PTC热敏电阻，其包括一基材、复合于该基材两面的两个金属箔状电极，该基材由以下重量百分比的组分组成：高分子材料28~55%；导电填料 22~32%；辅助填料 13~46%；加工助剂 1~5%；所述的高分子材料为以下一种或者多种物质混合组成：聚乙烯、聚丙烯、马来酸酐接枝的聚乙烯、乙烯-醋酸乙烯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、聚偏氟乙烯、聚己内酰胺，聚己二酸己二胺、聚癸二酸癸二胺、聚十一酰胺；所述的导电填料为以下一种或者多种物质混合组成：碳黑、石墨、碳纤维、镍粉、铜粉、银粉或银粉的氧化物；所述的辅助填料为以下一种或者多种物质混合组成：氧化铝、氧化镁、氧化钙、氧化锌、二氧化硅、蒙脱土、碳酸钙、碳酸镁、氢氧化铝、氢氧化镁、氢氧化钙、三氧化二锑、滑石粉、高岭土、陶土；所述的加工助剂为抗氧剂、偶联剂、交联剂和敏化交联剂中的一种或者多种的混合物；所述抗氧剂是胺类抗氧剂、酚类抗氧剂、酯类抗氧剂三者其中一种或者多种的混合物；所述偶联剂为钛酸酯类、硅烷类或者钛酸酯和硅烷类的混合物；所述交联剂为有机过氧化物、偶氮化合物、联苄交联剂；所述敏化交联剂为分解温度较高的多官能团的不饱和化合物其中的一种或几种的混合物。
优选地，所述敏化交联剂为三羟甲基丙烷三丙烯酸酯，丙氧化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯，三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯，三烯丙基异氰酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯，二季戊四醇六丙烯酸酯、二缩三丙二醇二丙烯酸酯。
为解决上述问题，本发明提出以下技术方案：一种所述的PTC热敏电阻的制造方法，包括以下步骤：步骤1：先将导电填料和辅助填料在70~180℃下进行预热处理2~24小时后，按计量将导电填料、辅助填料和偶联剂在高速搅拌机上混合均匀待用；步骤2：按计量将高分子材料、预混好的导电填料和辅助填料混合物、抗氧化剂、交联剂、敏化交联剂在超过高分子材料熔点以上30~60℃的温度下进行混炼，破碎后在室温下混合均匀后通过双螺杆挤出机进行二次混合后挤出成型；步骤3：通过热压的方式把金属电极复合到片材的上下两个表面上，并进行热处理，在冲床上冲成芯片并经γ射线、电子加速器或钴源进行辐射交联，辐照剂量为70~180KGY；步骤4：步骤3中经热处理后的所述芯片，在其表面焊接上引线电极和在其外表面包封上绝缘层，得到高分子热敏电阻元件成品；或者在所述芯片上、下两个表面通过回流焊焊上金属片状电极，制作成表面贴装式。
为解决上述问题，本发明提出以下技术方案：一种所述的PTC热敏电阻的制造方法，包括以下步骤：步骤1：将导电填料和辅助填料在70~180℃下进行预热处理2~24小时待用；步骤2：将一种高分子材料、辅助填料、抗氧化剂预先混合制成母料，与另一种高分子材料在室温下混合均匀后，和导电填料、偶联剂、交联剂、敏化交联剂在超过高分子材料熔点以上30~60℃的温度下进行混炼后经单螺杆挤出机挤出成型或热压成型；步骤3：通过热压的方式把金属电极复合到片材的上下两个表面上，并进行热处理，在冲床上冲成芯片并经γ射线、电子加速器或钴源进行辐射交联，辐照剂量为70~200KGY；步骤4：步骤3中经热处理后的所述芯片，在其表面焊接上引线电极和在其外表面包封上绝缘层，得到高分子热敏电阻元件成品；或者在所述芯片上下两个表面通过回流焊焊上金属片状电极，制作成表面贴装式。
为解决上述问题，本发明提出以下技术方案：一种PTC热敏电阻应用的基材，该基材由以下重量百分比的组分组成：高分子材料28~55%；导电填料 22~32%；辅助填料 13~46%；加工助剂 1~5%；所述的高分子材料为以下一种或者多种物质混合组成：聚乙烯、聚丙烯、马来酸酐接枝的聚乙烯、乙烯-醋酸乙烯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、聚偏氟乙烯、聚己内酰胺，聚己二酸己二胺、聚癸二酸癸二胺、聚十一酰胺；所述的导电填料为以下一种或者多种物质混合组成：碳黑、石墨、碳纤维、镍粉、铜粉、银粉或银粉的氧化物；所述的辅助填料为以下一种或者多种物质混合组成：氧化铝、氧化镁、氧化钙、氧化锌、二氧化硅、蒙脱土、碳酸钙、碳酸镁、氢氧化铝、氢氧化镁、氢氧化钙、三氧化二锑、滑石粉、高岭土、陶土；所述的加工助剂为抗氧剂、偶联剂、交联剂和敏化交联剂中的一种或者多种的混合物；所述抗氧剂是胺类抗氧剂、酚类抗氧剂、酯类抗氧剂三者其中一种或者多种的混合物；所述偶联剂为钛酸酯类、硅烷类或者钛酸酯和硅烷类的混合物；所述交联剂为有机过氧化物、偶氮化合物、联苄交联剂；所述敏化交联剂为分解温度较高的多官能团的不饱和化合物其中的一种或几种的混合物。
优选地，所述敏化交联剂为三羟甲基丙烷三丙烯酸酯，丙氧化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯，三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯，三烯丙基异氰酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯，二季戊四醇六丙烯酸酯、二缩三丙二醇二丙烯酸酯。
为解决上述问题，本发明提出以下技术方案：一种所述的PTC热敏电阻应用的基材的制造方法，其包括以下步骤：步骤1：先将导电填料和辅助填料在70~180℃下进行预热处理2~24小时后，按计量将导电填料、辅助填料和偶联剂在高速搅拌机上混合均匀待用；步骤2：按计量将高分子材料、预混好的导电填料和辅助填料混合物、抗氧化剂、交联剂、敏化交联剂在超过高分子材料熔点以上30~60℃的温度下进行混炼，破碎后在室温下混合均匀后通过双螺杆挤出机进行二次混合后挤出成型。
为解决上述问题，本发明提出以下技术方案：一种所述的PTC热敏电阻应用的基材的制造方法，其包括以下步骤：步骤1：将导电填料和辅助填料在70~180℃下进行预热处理2~24小时待用；步骤2：将一种高分子材料、辅助填料、抗氧化剂预先混合制成母料，与另一种高分子材料在室温下混合均匀后，和导电填料、偶联剂、交联剂、敏化交联剂在超过高分子材料熔点以上30~60℃的温度下进行混炼后经单螺杆挤出机挤出成型或热压成型。
本发明具有以下有益效果：
1、本发明采用了多官能团丙烯酸酯反应单体作为敏化交联剂，将其均匀的分散在体系中，在和交联剂联合作用以及在辐照过程中，多官能团丙烯酸酯参与交联，更有利于电子束的吸收，使体系的交联结构更加均匀，交联密度更高，有效抑制了导电填料在基体中的附聚，提高PTC强度，可达105以上，还改善了多次动作后的阻值升幅；
2、采用二次共混的方法，使导电填料和辅助填料在体系中分散的更均匀，再加上多官能团丙烯酸酯的作用，产品的微观结构更均一、更稳定，使得最终产品多次大电流冲击后阻值更低，耐大电流多次冲击的能力更好；
3、室温下产品的阻值集中度更高，由于产品的微观结构更均一，提高了产品的PTC强度，阻值合格率达90%以上；
4、制作方法简单，易于控制，对环境无污染，适于工业化生产。
附图说明
图1是本发明PTC热敏电阻的立体图。
具体实施方式
本发明提出一种PTC热敏电阻，其包括一基材、复合于该基材两面的两个金属箔状电极、焊接于该金属箔状电极表面的引线状电极以及包封在外表面的绝缘层。
如图1所示，本发明提出另一种PTC热敏电阻，其包括一基材21、复合于该基材21两面的两个金属箔状电极22、通过回流焊工艺在该金属箔状电极2的上、下表面焊接的一上金属引脚23和一下金属引脚24。这种结构是表面贴装式的结构。
上述两种PTC热敏电阻的基材都由以下重量百分比的组分组成：
高分子材料 ：28~55%；导电填料： 22~32%；辅助填料 ：13~46%；
加工助剂 ：1~5%。
所述的高分子材料为以下一种或者多种物质混合组成：聚乙烯、聚丙烯、马来酸酐接枝的聚乙烯、乙烯-醋酸乙烯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、聚偏氟乙烯、尼龙6（聚己内酰胺），尼龙66（聚己二酸己二胺）、尼龙1010(聚癸二酸癸二胺）、尼龙11（聚十一酰胺）。
所述的导电填料为以下一种或者多种物质混合组成：碳黑、石墨、碳纤维、镍粉、铜粉、银粉或银粉的氧化物。
所述的辅助填料为以下一种或者多种物质混合组成：氧化铝、氧化镁、氧化钙、氧化锌、二氧化硅、蒙脱土、碳酸钙、碳酸镁、氢氧化铝、氢氧化镁、氢氧化钙、三氧化二锑、滑石粉、高岭土、陶土。
所述的加工助剂为抗氧剂、偶联剂、交联剂和敏化交联剂中的一种或者多种的混合物。
所述抗氧剂是胺类抗氧剂、酚类抗氧剂、酯类抗氧剂三者其中一种或者多种的混合物。
所述偶联剂为钛酸酯类、硅烷类或者钛酸酯和硅烷类的混合物。偶联剂对导电填料和辅助填料的表面进行处理，有助于提高导电填料和辅助填料与树脂的相容性。
所述交联剂为有机过氧化物、偶氮化合物、联苄交联剂等，如DCP（过氧化二异丙苯）。
所述敏化交联剂为分解温度较高的多官能团的不饱和化合物其中的一种或几种的混合物，如三羟甲基丙烷三丙烯酸酯，丙氧化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯，三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯，三烯丙基异氰酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯，二季戊四醇六丙烯酸酯、二缩三丙二醇二丙烯酸酯等。
敏化交联剂加入后均匀的分散在基材材料中，在经过电子束辐照过程中，高分子材料内部形成一个交联网状结构，使分散的导电粒子更稳定，不易团聚，提高了多次动作后基材材料的内部微观结构的稳定。
本发明PTC热敏电阻的第一种制造方法，包括以下步骤：
步骤1：先将导电填料和辅助填料在70~180℃下进行预热处理2~24小时后，按计量将导电填料、辅助填料和偶联剂在高速搅拌机上混合均匀待用；
步骤2：按计量将高分子材料、预混好的导电填料和辅助填料混合物、抗氧化剂、交联剂、敏化交联剂在超过高分子材料熔点以上30~60℃的温度下进行混炼，破碎后在室温下混合均匀后通过双螺杆挤出机进行二次混合后挤出成型；
步骤3：通过热压的方式把金属电极复合到片材的上下两个表面上，并进行热处理，在冲床上冲成芯片并经γ射线、电子加速器或钴源进行辐射交联，辐照剂量为70~180KGY；
步骤4：该芯片经热处理后可直接作为高分子热敏电阻元件使用，或者在其表面焊接上引线电极和在其外表面包封上绝缘层，得到高分子热敏电阻元件成品，或者在芯片上下两个表面通过回流焊焊上金属片状电极，制作成表面贴装式。
上述制造方法的步骤1和步骤2就是上述基材的制造方法。
本发明还提出所述的热敏电阻的第二种制备方法，其包括以下步骤：
步骤1：将导电填料和辅助填料在70~180℃下进行预热处理2~24小时待用；
步骤2：将一种高分子材料、辅助填料、抗氧化剂预先混合制成母料，与另一种高分子材料在室温下混合均匀后，和导电填料、偶联剂、交联剂、敏化交联剂在超过高分子材料熔点以上30~60℃的温度下进行混炼后经单螺杆挤出机挤出成型或热压成型；
步骤3：通过热压的方式把金属电极复合到片材的上下两个表面上，并进行热处理，在冲床上冲成芯片并经γ射线、电子加速器或钴源（Co60）进行辐射交联，辐照剂量为70~200KGY；
步骤4：该芯片经热处理后可直接作为高分子热敏电阻元件使用，或者在其表面焊接上引线电极和在其外表面包封上绝缘层，得到高分子热敏电阻元件成品，或者在芯片上下两个表面通过回流焊焊上金属片状电极，制作成表面贴装式。
上述制造方法的步骤1和步骤2就是上述基材的制造方法。
以下通过具体的实施方式阐述本发明的技术方案
实施例1
先将导电填料和辅助填料在110度烘箱中进行预热处理4小时后，再将
导电填料：碳黑（美国卡博特公司产VXC200型号） 660g，
辅助填料：氢氧化镁 600g，
偶联剂：乙烯基三乙氧基硅烷24g
在高速搅拌机中混合均匀，将上述混合物与
高分子材料：高密度聚乙烯 1000g，
交联剂：DCP（过氧化二异丙苯） 3.6g，
敏化交联剂：三羟甲基丙烷三丙烯酸酯 30g，
抗氧化剂：四[甲基-β-（3，5-二叔丁基-4-羟基苯基）丙酸酯]季戊四醇酯(抗氧剂1010) 4g，和亚磷酸三（2，4 -二叔丁基苯基）酯（抗氧化剂168） 12g，加入到密炼机中在180℃进行混炼，混炼时间10分钟后出料破碎，在室温下将上述破碎物均匀混合后在双螺杆挤出机进行混炼，挤出机各段的温度分别设定为170℃ 180℃ 190℃ 200℃，挤出拉片成厚度1.6mm的片材；
通过平板硫化机将已单面糙化处理过的镍箔复合在上述片材的上下两个表面，压力为8MPa，温度为180℃；
然后将复合好镍箔的片材冲压成φ7.0的小片，经过150℃,2个小时的热处理后，用电子束或者钴源（Co60）进行辐照，剂量为150KGY；
芯片辐照后，然后在其两面焊接上φ0.6mm的镀锡铜线，外面再包覆绝缘层。
经换算，本实施例中，高分子材料占43%，导电填料占28%，辅助填料占26%，加工助剂占3%，以上均为重量百分比。
制得的高分子PTC热敏电阻的平均零功率阻值为1.67Ω，电阻值在0.8-2.2Ω范围内的百分比为96%，在130℃时的电阻值与25℃时的电阻值比值即PTC强度为5.11×105，耐220V，6A的反复电流冲击达1000次不烧片，阻值变化率为32%。
实施例2
先将导电填料和辅助填料在110度烘箱中进行预热处理4小时后，再将
导电填料：碳黑（美国卡博特公司产VXC605型号） 460g，
辅助填料：氧化铝800g，
在室温下混合均匀，再将上述混合物与
高分子材料：高密度聚乙烯800g，
敏化交联剂：三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯 20g，
加入到密炼机中在180℃进行混炼，混炼时间10分钟后出料破碎，在室温下将上述破碎物均匀混合后在双螺杆挤出机进行混炼，挤出机各段的温度分别设定为170℃ 180℃ 190℃ 200℃，挤出拉片成厚度1.6mm的片材；
通过平板硫化机将已单面糙化处理过的镍箔复合在上述片材的上下两个表面，压力为8MPa，温度为180℃；
然后将复合好镍箔的片材冲压成φ7.0的小片，经过150℃,2个小时的热处理后，用电子束或者钴源（Co60）进行辐照，剂量为150KGY；
芯片辐照后，在其两面焊接上φ0.6mm的镀锡铜线，外面再包覆绝缘层。
经换算，本实施例中，高分子材料占38.5%，导电填料占22%，辅助填料占38.5%，加工助剂占1%，以上均为重量百分比。
制得的高分子PTC的平均零功率阻值为1.65Ω，电阻值在0.8-2.2Ω范围内的百分比为99%，在130℃时的电阻值与25℃时的电阻值比值即PTC强度为6.47×105，耐220V，6A的反复电流冲击达1000次不烧片，阻值变化率为37%。
实施例3
先将导电填料和辅助填料在110度烘箱中进行预热处理4小时后，再将
导电填料：碳黑（美国卡博特公司产VXC200型号）550g，
辅助填料：氢氧化铝 1100g，
偶联剂： 乙烯基三乙氧基硅烷20g，
在高速搅拌机中混合均匀，将上述混合物与
高分子材料：高密度聚乙烯 680g，
交联剂：DCP（过氧化二异丙苯） 3.0g，
敏化交联剂：三羟甲基丙烷三丙烯酸酯 40g，
抗氧化剂：四[甲基-β-（3，5-二叔丁基-4-羟基苯基）丙酸酯]季戊四醇酯(抗氧剂1010) 3g，和亚磷酸三（2，4 -二叔丁基苯基）酯（抗氧化剂168） 9g，
加入到密炼机中在180℃进行混炼，混炼时间8分钟后出料破碎，在室温下将上述破碎物均匀混合后在双螺杆挤出机进行混炼，挤出机各段的温度分别设定为170℃ 180℃ 190℃ 200℃，挤出拉片成厚度1.6mm的片材；
通过平板硫化机将已单面糙化处理过的镍箔复合在上述片材的上下两个表面，压力为8MPa，温度为180℃；
然后将复合好镍箔的片材冲压成φ7.0的小片，经过150℃,2个小时的热处理后，用电子束或者钴源（Co60）进行辐照，剂量为150KGY；
芯片辐照后，在其两面焊接上φ0.6mm的镀锡铜线，外面再包覆绝缘层。
经换算，本实施例中，高分子材料占28%，导电填料占23%，辅助填料占46%，加工助剂占3%，以上均为重量百分比。
制得的高分子PTC的平均零功率阻值为1.68Ω，电阻值在0.8-2.2Ω范围内的百分比为95%，在130℃时的电阻值与25℃时的电阻值比值即PTC强度达到1.36×106，耐220V，6A的反复电流冲击达1000次不烧片，阻值变化率为29%。
实施例4
先将导电填料和辅助填料在110度烘箱中预热4小时，再将
导电填料：碳黑（美国卡博特公司产VXC68型号） 530g，
辅助填料：乙烯基硅烷表面处理的氢氧化镁240g，
在室温下混合均匀，再将上述混合物与
高分子材料：高密度聚乙烯1000g，
敏化交联剂：三烯丙基异三聚氰酸酯50g，
加入到密炼机中在180℃进行混炼，混炼时间10分钟后出料破碎，在室温下将上述破碎物均匀混合后在双螺杆挤出机进行混炼，挤出机各段的温度分别设定为170℃ 180℃ 190℃ 200℃，挤出拉片成厚度1.6mm的片材；
通过平板硫化机将已单面糙化处理过的镍箔复合在上述片材的上下两个表面，压力为8MPa，温度为180℃；
然后将复合好镍箔的片材冲压成φ7.0的小片，经过150℃,2个小时的热处理后，用电子束或者钴源（Co60）进行辐照，剂量为150KGY；
芯片辐照后，在其两面焊接上φ0.6mm的镀锡铜线，外面再包覆绝缘层。
经换算，本实施例中，高分子材料占55%，导电填料占 29%，辅助填料占13%，加工助剂占3%，以上均为重量百分比。
制得的高分子PTC的平均零功率阻值为1.81Ω，电阻值在0.8-2.2Ω范围内的百分比为91%，在130℃时的电阻值与25℃时的电阻值比值即PTC强度为5.12×105，耐220V，6A的反复电流冲击达800次不烧片，阻值变化率为42%。
实施例5
先将导电填料和辅助填料在110度烘箱中预热4小时，再将
导电填料：碳黑（美国卡博特公司产VXC68型号） 680g，
辅助填料：氢氧化镁400g，
偶联剂： 乙烯基三乙氧基硅烷30g，
在高速搅拌机中混合均匀，将上述混合物与
高分子材料：高密度聚乙烯950g，
交联剂：DCP（过氧化二异丙苯） 6.0g，
敏化交联剂：三烯丙基异三聚氰酸酯50g，
抗氧化剂：四[甲基-β-（3，5-二叔丁基-4-羟基苯基）丙酸酯]季戊四醇酯(抗氧剂1010)5g，和亚磷酸三（2，4 -二叔丁基苯基）酯（抗氧化剂168） 15g，
加入到密炼机中在180℃进行混炼，混炼时间10分钟后出料破碎，在室温下将上述破碎物均匀混合后在双螺杆挤出机进行混炼，挤出机各段的温度分别设定为170℃ 180℃ 190℃ 200℃，挤出拉片成厚度1.6mm的片材；
通过平板硫化机将已单面糙化处理过的镍箔复合在上述片材的上下两个表面，压力为8MPa，温度为180℃；
然后将复合好镍箔的片材冲压成φ7.0的小片，经过150℃,2个小时的热处理后，用电子束或者钴源（Co60）进行辐照，剂量为150KGY；
芯片辐照后，在其两面焊接上φ0.6mm的镀锡铜线，外面再包覆绝缘层。
经换算，本实施例中，高分子材料占44%，导电填料占32%，辅助填料占19%，加工助剂占5%，以上均为重量百分比。
制得的高分子PTC的平均零功率阻值为1.78Ω，电阻值在0.8—2.2Ω范围内的百分比为91%，在130℃时的电阻值与25℃时的电阻值比值即PTC强度为3.32×105，耐220V，6A的反复电流冲击达800次不烧片，阻值变化率为34%。
实施例6
先将导电填料和辅助填料在110度烘箱中进行预热处理4小时后待用，然后称取
高分子材料1：高密度聚乙烯900g，
辅助填料：氨基硅烷表面处理的氢氧化镁400g，
抗氧化剂：四[甲基-β-（3，5-二叔丁基-4-羟基苯基）丙酸酯]季戊四醇酯(抗氧剂1010) 5g，和抗氧化剂DLTP（硫代二丙酸二月桂酯）15g，
将上述组分加入到密炼机中在180℃进行混炼，混炼时间8min，出料破碎，在室温下将上述破碎物与
高分子材料2：马来酸酐接枝的高密度聚乙烯50g,
导电填料：碳黑（美国卡博特公司产VXC305型号） 680g，
偶联剂：乙烯基三乙氧基硅烷30g，
交联剂：DCP（过氧化二异丙苯） 6g，
敏化交联剂：三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯 50g，
在室温下均匀混合后在双螺杆挤出机进行混炼，挤出机各段的温度分别设定为170℃ 180℃ 190℃ 200℃，挤出造粒后经单螺杆挤出机挤出成厚度1.6mm的片材；
通过平板硫化机将已单面糙化处理过的镍箔复合在上述片材的上下两个表面，压力为8MPa，温度为180℃；
然后将复合好镍箔的片材冲压成φ7.0的小片，经过150℃,2个小时的热处理后，用电子束或者钴源（Co60）进行辐照，剂量为150KGY；
芯片辐照后，然后在其两面焊接上φ0.6mm的镀锡铜线，外面再包覆绝缘层。
经换算，本实施例中，高分子材料占44%，导电填料占32%，辅助填料占19%，加工助剂占5%，以上均为重量百分比。
制得的高分子PTC的平均零功率阻值为1.73Ω，电阻值在0.8-2.2Ω范围内的百分比为95%，130℃时的电阻值与25℃时的电阻值比值即PTC强度为6.79×105，耐220V，6A的反复电流冲击达1000次不烧片，阻值变化率为32%。
实施例7
先将导电填料和辅助填料在110度的烘箱中进行预热处理4小时后待用，称取高分子材料：高密度聚乙烯900g，
辅助填料：氢氧化铝240g，
加入到密炼机中在180℃进行混炼，混炼时间8min，出料破碎，在室温下将上述破碎物与
高分子材料：乙烯-醋酸乙烯共聚物100g，
导电填料：碳黑（美国卡博特公司产VXC68型号）530g，
敏化交联剂：三烯丙基异氰酸酯 50g，
在室温下混合均匀后经双螺杆挤出机进行混炼，挤出机各段的温度分别设定为170℃ 180℃ 190℃ 200℃，挤出造粒后经单螺杆挤出机挤出成厚度1.6mm的片材；
通过平板硫化机将已单面糙化处理过的镍箔复合在上述片材的上下两个表面，压力为8MPa，温度为180℃；
然后将复合好镍箔的片材冲压成φ7.0的小片，经过150℃,2个小时的热处理后，用电子束或者钴源（Co60）进行辐照，剂量为150KGY；
芯片辐照后，然后在其两面焊接上φ0.6mm的镀锡铜线，外面再包覆绝缘层。
经换算，本实施例中，高分子材料占55%，导电填料占29%，辅助填料占13%，加工助剂占3%，以上均为重量百分比。
制得的高分子PTC的零功率阻值为1.79Ω，电阻值在0.8-2.2Ω范围内的百分比为91%，在130℃时的电阻值与25℃时的电阻值比值即PTC强度为2.79×105，耐220V，6A的反复电流冲击达600次不烧片，阻值变化率为41%。
实施例8
先将导电填料和辅助填料在110度的烘箱中进行预热处理4小时后待用，然后称取高分子材料：高密度聚乙烯610g，
辅助填料：氢氧化镁1100g，
抗氧化剂：四[甲基-β-（3，5-二叔丁基-4-羟基苯基）丙酸酯]季戊四醇酯(抗氧剂1010) 3g，和抗氧化剂DLTP（硫代二丙酸二月桂酯）9g，
将上述组分加入到密炼机中在180℃进行混炼，混炼时间8min，出料破碎，在室温下将上述破碎物与
高分子材料：乙烯-丙烯酸共聚物70g，
导电填料：碳黑（美国卡博特公司产VXC68型号） 550g，
偶联剂：钛酸酯偶联剂NDZ-101 20g，
交联剂：DCP（过氧化二异丙苯）3.0g，
敏化交联剂：三羟甲基丙烷三丙烯酸酯40g，
在室温下均匀混合后在双螺杆挤出机进行混炼，挤出机各段的温度分别设定为170℃ 180℃ 190℃ 200℃，挤出造粒后经单螺杆挤出机挤出成厚度1.6mm的片材；
通过平板硫化机将已单面糙化处理过的镍箔复合在上述片材的上下两个表面，压力为8MPa，温度为180℃；
然后将复合好镍箔的片材冲压成φ7.0的小片，经过150℃,2个小时的热处理后，用电子束或者钴源（Co60）进行辐照，剂量为150KGY；
芯片辐照后，在其上下两面通过回流焊工艺焊接上下两个金属片状电极制作成表面贴装式的产品，然后经过120℃，1小时的热处理，
经换算，本实施例中，高分子材料占28%，导电填料占23%，辅助填料占46%，加工助剂占3%，以上均为重量百分比。
制得的高分子PTC的平均零功率阻值为1.76Ω，电阻值在0.8—2.2Ω范围内的百分比为92%，在130℃时的电阻值与25℃时的电阻值比值即PTC强度达到1.68×105，耐220V，6A的反复电流冲击达1000次不烧片，耐220V，6A，阻值变化率为39%。
实施例9
先将导电填料和辅助填料在110度的烘箱中进行预热处理4小时后待用，然后称取高分子材料：高密度聚乙烯720g，
辅助填料：氢氧化镁800g，
将上述组分加入到密炼机中在180℃进行混炼，混炼时间8min，出料破碎，在室温下将上述破碎物与
高分子材料：乙烯-丙烯酸共聚物80g，
导电填料：碳黑（美国卡博特公司产VXC68型号） 465g，
敏化交联剂：三羟甲基丙烷三丙烯酸酯20g，
在室温下均匀混合后在双螺杆挤出机进行混炼，挤出机各段的温度分别设定为170℃ 180℃ 190℃ 200℃，挤出造粒后经单螺杆挤出机挤出成厚度1.6mm的片材；
通过平板硫化机将已单面糙化处理过的镍箔复合在上述片材的上下两个表面，压力为8MPa，温度为180℃；
然后将复合好镍箔的片材冲压成φ7.0的小片，经过150℃,2个小时的热处理后，用电子束或者钴源（Co60）进行辐照，剂量为150KGY；
芯片辐照后，在其上下两面通过回流焊工艺焊接上下两个金属片状电极制作成表面贴装式的产品，然后经过120℃，1小时的热处理，
经换算，本实施例中，高分子材料占38.5%，导电填料占22%，辅助填料占38.5%，加工助剂占1%，以上均为重量百分比。
制得的高分子PTC的平均零功率阻值为1.78Ω，电阻值在0.8—2.2Ω范围内的百分比为91%，在130℃时的电阻值与25℃时的电阻值比值即PTC强度达到1.01×105，耐220V，6A的反复电流冲击达800次不烧片，阻值变化率为45%。
Claims (8)
1.一种PTC热敏电阻，其包括一基材、复合于该基材两面的两个金属箔状电极，该基材由以下重量百分比的组分组成：
高分子材料 ：28~55%；导电填料： 22~32%；辅助填料 ： 13~46%；
加工助剂 ： 1~5%；
所述的高分子材料为以下一种或者多种物质混合组成：聚乙烯、聚丙烯、马来酸酐接枝的聚乙烯、乙烯-醋酸乙烯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、聚偏氟乙烯、聚己内酰胺，聚己二酸己二胺、聚癸二酸癸二胺、聚十一酰胺；
所述的导电填料为以下一种或者多种物质混合组成：碳黑、石墨、碳纤维、镍粉、铜粉、银粉或银粉的氧化物；
所述的辅助填料为以下一种或者多种物质混合组成：氧化铝、氧化镁、氧化钙、氧化锌、二氧化硅、蒙脱土、碳酸钙、碳酸镁、氢氧化铝、氢氧化镁、氢氧化钙、三氧化二锑、滑石粉、高岭土、陶土；
所述的加工助剂为抗氧剂、偶联剂、交联剂和敏化交联剂中的一种或者多种的混合物；所述抗氧剂是胺类抗氧剂、酚类抗氧剂、酯类抗氧剂三者其中一种或者多种的混合物；所述偶联剂为钛酸酯或硅烷类的混合物；所述交联剂为有机过氧化物、偶氮化合物、联苄交联剂；所述敏化交联剂为分解温度较高的多官能团的不饱和化合物其中的一种或几种的混合物。
2.根据权利要求1所述的PTC热敏电阻，其特征在于：所述敏化交联剂为三羟甲基丙烷三丙烯酸酯，丙氧化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯，三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯，三烯丙基异氰酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯，二季戊四醇六丙烯酸酯、二缩三丙二醇二丙烯酸酯。
3.一种制造如权利要求1所述的PTC热敏电阻的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1：先将导电填料和辅助填料在70~180℃下进行预热处理2~24小时后，按计量将导电填料、辅助填料和偶联剂在高速搅拌机上混合均匀待用；
步骤2：按计量将高分子材料、预混好的导电填料和辅助填料混合物、抗氧化剂、交联剂、敏化交联剂在超过高分子材料熔点以上30~60℃的温度下进行混炼，破碎后在室温下混合均匀后通过双螺杆挤出机进行二次混合后挤出成型；
步骤3：通过热压的方式把金属电极复合到片材的上下两个表面上，并进行热处理，在冲床上冲成芯片并经γ射线、电子加速器或钴源进行辐射交联，辐照剂量为70~180KGY；
步骤4：步骤3中经热处理后的所述芯片，在其表面焊接上引线电极和在其外表面包封上绝缘层，得到高分子热敏电阻元件成品；或者在所述芯片上、下两个表面通过回流焊焊上金属片状电极，制作成表面贴装式。
4.一种制造如权利要求1所述的PTC热敏电阻的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1：将导电填料和辅助填料在70~180℃下进行预热处理2~24小时待用；
步骤2：将一种高分子材料、辅助填料、抗氧化剂预先混合制成母料，与另一种高分子材料在室温下混合均匀后，和导电填料、偶联剂、交联剂、敏化交联剂在超过高分子材料熔点以上30~60℃的温度下进行混炼后经单螺杆挤出机挤出成型或热压成型；
步骤3：通过热压的方式把金属电极复合到片材的上下两个表面上，并进行热处理，在冲床上冲成芯片并经γ射线、电子加速器或钴源（Co60）进行辐射交联，辐照剂量为70~200KGY；
步骤4：步骤3中经热处理后的所述芯片，在其表面焊接上引线电极和在其外表面包封上绝缘层，得到高分子热敏电阻元件成品；或者在所述芯片上下两个表面通过回流焊焊上金属片状电极，制作成表面贴装式。
5.一种PTC热敏电阻应用的基材，该基材由以下重量百分比的组分组成：
高分子材料 ：28~55%；导电填料 ： 22~32%；辅助填料 ：13~46%；
加工助剂 ：1~5%；
所述的高分子材料为以下一种或者多种物质混合组成：聚乙烯、聚丙烯、马来酸酐接枝的聚乙烯、乙烯-醋酸乙烯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、聚偏氟乙烯、聚己内酰胺，聚己二酸己二胺、聚癸二酸癸二胺、聚十一酰胺；
所述的导电填料为以下一种或者多种物质混合组成：碳黑、石墨、碳纤维、镍粉、铜粉、银粉或银粉的氧化物；
所述的辅助填料为以下一种或者多种物质混合组成：氧化铝、氧化镁、氧化钙、氧化锌、二氧化硅、蒙脱土、碳酸钙、碳酸镁、氢氧化铝、氢氧化镁、氢氧化钙、三氧化二锑、滑石粉、高岭土、陶土；
所述的加工助剂为抗氧剂、偶联剂、交联剂和敏化交联剂中的一种或者多种的混合物；所述抗氧剂是胺类抗氧剂、酚类抗氧剂、酯类抗氧剂三者其中一种或者多种的混合物；所述偶联剂为钛酸酯或硅烷类的混合物；所述交联剂为有机过氧化物、偶氮化合物、联苄交联剂；所述敏化交联剂为分解温度较高的多官能团的不饱和化合物其中的一种或几种的混合物。
6.根据权利要求5所述的PTC热敏电阻应用的基材，其特征在于：所述敏化交联剂为三羟甲基丙烷三丙烯酸酯，丙氧化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯，三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯，三烯丙基异氰酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯，二季戊四醇六丙烯酸酯、二缩三丙二醇二丙烯酸酯。
7.一种制造如权利要求5所述的PTC热敏电阻应用的基材的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1：先将导电填料和辅助填料在70~180℃下进行预热处理2~24小时后，按计量将导电填料、辅助填料和偶联剂在高速搅拌机上混合均匀待用；
步骤2：按计量将高分子材料、预混好的导电填料和辅助填料混合物、抗氧化剂、交联剂、敏化交联剂在超过高分子材料熔点以上30~60℃的温度下进行混炼，破碎后在室温下混合均匀后通过双螺杆挤出机进行二次混合后挤出成型。
8.一种制造如权利要求5所述的PTC热敏电阻应用的基材的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1：将导电填料和辅助填料在70~180℃下进行预热处理2~24小时待用；
步骤2：将一种高分子材料、辅助填料、抗氧化剂预先混合制成母料，与另一种高分子材料在室温下混合均匀后，和导电填料、偶联剂、交联剂、敏化交联剂在超过高分子材料熔点以上30~60℃的温度下进行混炼后经单螺杆挤出机挤出成型或热压成型。
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|---|---|
| CN (1) | CN102176360B (zh) |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102522171A (zh) * | 2011-12-31 | 2012-06-27 | 上海长园维安电子线路保护股份有限公司 | 一种圆环ptc的制造方法 |
| JP2015131910A (ja) * | 2014-01-14 | 2015-07-23 | 大日本印刷株式会社 | 樹脂組成物、リフレクター、リフレクター付きリードフレーム、及び半導体発光装置 |
| CN106046528A (zh) * | 2016-08-09 | 2016-10-26 | 安徽省宁国天成电工有限公司 | 一种高分子ptc热敏电阻器导热材料及其应用 |
| CN106084800A (zh) * | 2016-08-11 | 2016-11-09 | 安徽省宁国天成电工有限公司 | 一种基于活性炭纳米管的ptc热敏电阻器材料及其制备方法 |
| CN106169343A (zh) * | 2016-08-09 | 2016-11-30 | 安徽省宁国天成电工有限公司 | 一种应用于电加热器的ptc热敏电阻器芯材 |
| CN106189219A (zh) * | 2016-07-22 | 2016-12-07 | 上海长园维安电子线路保护有限公司 | 一种聚合物基导电复合材料及电路保护元件 |
| CN106947248A (zh) * | 2017-05-08 | 2017-07-14 | 句容市博远电子有限公司 | 一种高分子ptc热敏电阻及其制备方法 |
| CN107141778A (zh) * | 2017-05-08 | 2017-09-08 | 句容市博远电子有限公司 | 一种正温度系数热敏电阻及其制备方法 |
| CN107286538A (zh) * | 2017-08-03 | 2017-10-24 | 合肥欧仕嘉机电设备有限公司 | 一种高灵敏耐高温热敏电阻复合材料及其制备方法 |
| CN107556669A (zh) * | 2017-09-26 | 2018-01-09 | 苏州南尔材料科技有限公司 | 一种碳掺杂热敏电阻的制备方法 |
| CN108485034A (zh) * | 2018-04-23 | 2018-09-04 | 合肥羿振电力设备有限公司 | 一种热敏电阻复合材料及其制备方法 |
| CN109755464A (zh) * | 2017-11-08 | 2019-05-14 | 宁德时代新能源科技股份有限公司 | 一种电极极片、电化学装置及安全涂层 |
| CN109755467A (zh) * | 2017-11-08 | 2019-05-14 | 宁德时代新能源科技股份有限公司 | 一种电极极片、电化学装置及安全涂层 |
| CN109755670A (zh) * | 2017-11-08 | 2019-05-14 | 宁德时代新能源科技股份有限公司 | 一种电极极片、电化学装置及安全涂层 |
| CN109755468A (zh) * | 2017-11-08 | 2019-05-14 | 宁德时代新能源科技股份有限公司 | 一种电极极片、电化学装置及安全涂层 |
| CN109755462A (zh) * | 2017-11-08 | 2019-05-14 | 宁德时代新能源科技股份有限公司 | 一种正极极片、电化学装置及安全涂层 |
| CN111200101A (zh) * | 2018-11-16 | 2020-05-26 | 宁德时代新能源科技股份有限公司 | 一种正极极片及电化学装置 |
| CN111199833A (zh) * | 2018-11-16 | 2020-05-26 | 宁德时代新能源科技股份有限公司 | 一种电化学装置 |
| CN111303621A (zh) * | 2020-02-21 | 2020-06-19 | 肇庆学院 | 一种ptc热敏电阻及其制备方法 |
| EP3787070A4 (en) * | 2018-11-16 | 2021-07-21 | Contemporary Amperex Technology Co., Limited | POSITIVE ELECTRODE PART AND ELECTROCHEMICAL DEVICE |
| EP3787069A4 (en) * | 2018-11-16 | 2021-07-21 | Contemporary Amperex Technology Co., Limited | POSITIVE POLAR PIECE AND ELECTROCHEMICAL DEVICE |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN2206529Y (zh) * | 1995-01-03 | 1995-08-30 | 李锦源 | 正温度系数热敏电阻加热器 |
| CN1218065A (zh) * | 1997-11-10 | 1999-06-02 | 中国科学院近代物理研究所 | 耐热冲击型电阻率正温度系数聚合物复合材料及其加工工艺 |
| CN1256499A (zh) * | 1999-12-06 | 2000-06-14 | 上海维安热电材料有限公司 | 一种热敏电阻器及其制造方法 |
| CN1555066A (zh) * | 2003-12-23 | 2004-12-15 | 上海维安热电材料股份有限公司 | 一种热敏电阻器及其制造方法 |
| CN1996513A (zh) * | 2006-12-27 | 2007-07-11 | 上海维安热电材料股份有限公司 | 一种热固性ptc热敏电阻器及其制造方法 |
| CN101354937A (zh) * | 2007-07-26 | 2009-01-28 | 保险丝公司 | 集成的热敏电阻和金属元件器件以及方法 |
-
2011
- 2011-02-22 CN CN201110042469A patent/CN102176360B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN2206529Y (zh) * | 1995-01-03 | 1995-08-30 | 李锦源 | 正温度系数热敏电阻加热器 |
| CN1218065A (zh) * | 1997-11-10 | 1999-06-02 | 中国科学院近代物理研究所 | 耐热冲击型电阻率正温度系数聚合物复合材料及其加工工艺 |
| CN1256499A (zh) * | 1999-12-06 | 2000-06-14 | 上海维安热电材料有限公司 | 一种热敏电阻器及其制造方法 |
| CN1555066A (zh) * | 2003-12-23 | 2004-12-15 | 上海维安热电材料股份有限公司 | 一种热敏电阻器及其制造方法 |
| CN1996513A (zh) * | 2006-12-27 | 2007-07-11 | 上海维安热电材料股份有限公司 | 一种热固性ptc热敏电阻器及其制造方法 |
| CN101354937A (zh) * | 2007-07-26 | 2009-01-28 | 保险丝公司 | 集成的热敏电阻和金属元件器件以及方法 |
Cited By (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102522171A (zh) * | 2011-12-31 | 2012-06-27 | 上海长园维安电子线路保护股份有限公司 | 一种圆环ptc的制造方法 |
| JP2015131910A (ja) * | 2014-01-14 | 2015-07-23 | 大日本印刷株式会社 | 樹脂組成物、リフレクター、リフレクター付きリードフレーム、及び半導体発光装置 |
| US10454008B2 (en) | 2014-01-14 | 2019-10-22 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Resin composition, reflector, lead frame with reflector, and semiconductor light-emitting device |
| CN106189219A (zh) * | 2016-07-22 | 2016-12-07 | 上海长园维安电子线路保护有限公司 | 一种聚合物基导电复合材料及电路保护元件 |
| CN106046528A (zh) * | 2016-08-09 | 2016-10-26 | 安徽省宁国天成电工有限公司 | 一种高分子ptc热敏电阻器导热材料及其应用 |
| CN106169343A (zh) * | 2016-08-09 | 2016-11-30 | 安徽省宁国天成电工有限公司 | 一种应用于电加热器的ptc热敏电阻器芯材 |
| CN106084800A (zh) * | 2016-08-11 | 2016-11-09 | 安徽省宁国天成电工有限公司 | 一种基于活性炭纳米管的ptc热敏电阻器材料及其制备方法 |
| CN106947248A (zh) * | 2017-05-08 | 2017-07-14 | 句容市博远电子有限公司 | 一种高分子ptc热敏电阻及其制备方法 |
| CN107141778A (zh) * | 2017-05-08 | 2017-09-08 | 句容市博远电子有限公司 | 一种正温度系数热敏电阻及其制备方法 |
| CN107286538A (zh) * | 2017-08-03 | 2017-10-24 | 合肥欧仕嘉机电设备有限公司 | 一种高灵敏耐高温热敏电阻复合材料及其制备方法 |
| CN107556669A (zh) * | 2017-09-26 | 2018-01-09 | 苏州南尔材料科技有限公司 | 一种碳掺杂热敏电阻的制备方法 |
| CN109755468A (zh) * | 2017-11-08 | 2019-05-14 | 宁德时代新能源科技股份有限公司 | 一种电极极片、电化学装置及安全涂层 |
| US11189833B2 (en) | 2017-11-08 | 2021-11-30 | Contemporary Amperex Technology Co., Limited | Electrode plate, electrochemical device and safety coating |
| CN109755670A (zh) * | 2017-11-08 | 2019-05-14 | 宁德时代新能源科技股份有限公司 | 一种电极极片、电化学装置及安全涂层 |
| CN109755464A (zh) * | 2017-11-08 | 2019-05-14 | 宁德时代新能源科技股份有限公司 | 一种电极极片、电化学装置及安全涂层 |
| CN109755462A (zh) * | 2017-11-08 | 2019-05-14 | 宁德时代新能源科技股份有限公司 | 一种正极极片、电化学装置及安全涂层 |
| US11349126B2 (en) | 2017-11-08 | 2022-05-31 | Contemporary Amperex Technology Co., Limited | Positive electrode plate, electrochemical device and safety coating |
| CN109755467A (zh) * | 2017-11-08 | 2019-05-14 | 宁德时代新能源科技股份有限公司 | 一种电极极片、电化学装置及安全涂层 |
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