CN102145977B - 粉末材料、制造通信设备的方法以及通信设备 - Google Patents

粉末材料、制造通信设备的方法以及通信设备 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种粉末材料、制造通信设备的方法以及通信设备。根据本发明实施例的粉末材料包括石英玻璃粉末、钨粉和辅料，其中该石英玻璃粉末的重量比例为5％～90％，该钨粉的重量比例为5％～90％，该辅料的重量比例为0～20％。根据本发明另一实施例的粉末材料包括钛粉、钨粉和铁粉，其中该钛粉的重量比例为4％～80％，该钨粉的重量比例为5％～90％，该铁粉的重量比例为4％～80％。根据本发明再一实施例的粉末材料包括石英玻璃粉末、钛粉和锰粉，其中该石英玻璃粉末的重量比例为5％～90％，所述该的重量比例为4％～80％，该锰粉的重量比例为4％～80％。根据本发明实施例的粉末材料能够获得较低的线膨胀系数，由此能够实现对该粉末材料制造的通信设备进行温度补偿。

Description

粉末材料、制造通信设备的方法以及通信设备
技术领域
本发明涉及通信领域，特别涉及通信领域中粉末材料、制造通信设备的方法以及通信设备。
背景技术
通信技术的快速发展给人们的生活带来便利的同时，也给人们提出了更高的技术要求。对于通信设备而言，频率特性是一项非常重要的性能指标。由于通信设备受材料热膨胀特性的影响，通信设备的频率特性也随温度变化而改变。
特别地，温度对窄带腔体滤波器的滤波特性影响尤为明显。通常，温度的变化使得射频指标产生频带漂移，俗称为“温漂”，由此会造成射频系统功能下降。并且随着移动通信向高频段的发展，这种温漂现象愈发严重，例如对于全球微波互联接入（Worldwide Interoperability for Microwave Access，简称为“WiMAX”）2.6GHz或3.5GHz制式的腔体滤波器而言，温度变化对该腔体滤波器产生的频带漂移现象已经非常严重。
因而一些采用传统的材料制造的通信设备，已经难以满足通信技术的高速发展对频率特性的要求，这已成为阻碍通信技术发展的原因之一。
发明内容
为此，本发明实施例提供了一种粉末材料、制造通信设备的方法和通信设备。本发明实施例的粉末材料能够获得较低的线膨胀系数，由此能够实现对该粉末材料制造的通信设备进行温度补偿。
一方面，本发明实施例提供了一种粉末材料，该粉末材料包括：石英玻璃粉末、钨粉和辅料，其中该石英玻璃粉末的重量比例为5%～90%，该钨粉的重量比例为5%～90%，该辅料的重量比例为0～20%，其中该粉末材料中的粉末颗粒的粒径尺寸具有的重量比例为：粒径尺寸小于50微米的该粉末颗粒具有的重量比例为0～10%；粒径尺寸小于100微米且大于或等于50微米的该粉末颗粒具有的重量比例为70～100%；粒径尺寸小于150微米且大于或等于100微米的该粉末颗粒具有的重量比例为0～20%；粒径尺寸大于150微米的该粉末颗粒具有的重量比例为0～10%。
另一方面，本发明实施例提供了一种粉末材料，该粉末材料包括：钛粉、钨粉和铁粉，其中该钛粉的重量比例为4%～80%，该钨粉的重量比例为5%～90%，该铁粉的重量比例为4%～80%，其中该粉末材料中的粉末颗粒的粒径尺寸具有的重量比例为：粒径尺寸小于50微米的该粉末颗粒具有的重量比例为0～10%；粒径尺寸小于100微米且大于或等于50微米的该粉末颗粒具有的重量比例为70～100%；粒径尺寸小于150微米且大于或等于100微米的该粉末颗粒具有的重量比例为0～20%；粒径尺寸大于150微米的该粉末颗粒具有的重量比例为0～10%。
再一方面，本发明实施例提供了一种粉末材料，该粉末材料包括：石英玻璃粉末、钛粉和锰粉，其中该石英玻璃粉末的重量比例为5%～90%，该钛粉的重量比例为4%～80%，该锰粉的重量比例为4%～80%。
再一方面，本发明实施例提供了一种制造通信设备的方法，该方法包括：对根据本发明实施例的粉末材料进行混合处理，形成均匀的粉末颗粒；对该粉末颗粒进行压制成型处理，形成通信设备毛坯；在保护气氛中对该通信设备毛坯进行烧结处理，形成通信设备半成品；对该通信设备半成品进行电镀处理，形成该通信设备。
再一方面，本发明实施例还提供了一种通信设备，该通信设备根据本发明实施例的制造通信设备的方法进行制成，该方法包括：对根据本发明实施例的粉末材料进行混合处理，形成均匀的粉末颗粒；对该粉末颗粒进行压制成型处理，形成通信设备毛坯；在保护气氛中对该通信设备毛坯进行烧结处理，形成通信设备半成品；对该通信设备半成品进行电镀处理，形成该通信设备。
基于上述技术方案，本发明实施例通过采用多种粉末物质形成粉末材料，能够获得较低的线膨胀系数，因而能够实现对该粉末材料制造的通信设备进行温度补偿，从而能够保证通信设备在不同温度下的电性能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面所描述的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是根据本发明实施例的制造通信设备的方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都应属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供了一种粉末材料，该粉末材料包括：石英玻璃粉末、钨粉和辅料，其中该石英玻璃粉末的重量比例为5%～90%，该钨粉的重量比例为5%～90%，该辅料的重量比例为0～20%。
在本发明实施例中，石英玻璃粉末和钨粉都可以具有5%～90%的重量比例，例如，石英玻璃粉末或钨粉可以具有5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%或90%的重量比例，辅料可以具有0～20%的重量比例，例如具有1%、3%、5%、10%、15%或20%的质量比例。例如，该粉末材料具有85%的石英玻璃粉末和15%钨粉，或该粉末材料具有60%的石英玻璃粉末、35%的钨粉和5%的辅料。
在本发明实施例中，石英玻璃粉末的重量比例的最大值可以为75%～90%，该石英玻璃粉末的重量比例的最小值可以为5%～10%，并且钨粉的重量比例的最大值可以为75%～90%，该钨粉的重量比例的最小值可以为5%～10%。例如，粉末材料中的石英玻璃粉末具有10%～90%的重量比例，钨粉具有10%～90%的重量比例，辅料具有0～20%的重量比例。
可选地，在根据本发明实施例的粉末材料中，石英玻璃粉末可以具有10%～80%的重量比例，钨粉可以具有10%～80%的重量比例，辅料可以具有0～20%的重量比例。可选地，在根据本发明实施例的粉末材料中，石英玻璃粉末可以具有5%～75%的重量比例，钨粉可以具有10%～85%的重量比例，辅料可以具有0～20%的重量比例。
在本发明实施例中，石英玻璃粉末的重量比例可以为15%～70%，钨粉的重量比例可以为15%～70%，辅料的重量比例可以为0～20%、或0～15%、或5%～15%、或10%～15%。在该实施例中，该石英玻璃粉末的重量比例的最大值可以为65%～70%，该石英玻璃粉末的重量比例的最小值可以为15%～30%，该钨粉的重量比例的最大值可以为65%～70%，该钨粉的重量比例的最小值可以为15%～30%。
可选地，石英玻璃粉末可以具有15%～65%的重量比例，钨粉可以具有15%～65%的重量比例。可选地，石英玻璃粉末可以具有20%～65%的重量比例，钨粉可以具有15%～70%的重量比例。可选地，石英玻璃粉末可以具有15%～70%的重量比例，钨粉可以具有20%～65%的重量比例；可选地，石英玻璃粉末可以具有20%～70%的重量比例，钨粉可以具有25%～70%的重量比例；可选地，石英玻璃粉末可以具有30%～70%的重量比例，钨粉可以具有30%～70%的重量比例。应理解，辅料的重量比例可以根据石英玻璃粉末和钨粉的重量比例确定，例如，当粉末材料包括重量比例分别为65%和25%的石英玻璃和钨粉时，该辅料的重量比例为10%。
在本发明实施例中，石英玻璃粉末的重量比例可以为35%～60%，钨粉的重量比例可以为35%～60%。在该实施例中，石英玻璃粉末的重量比例的最大值可以为50%～60%，石英玻璃粉末的重量比例的最小值可以为35%～40%，钨粉的重量比例的最大值可以为50%～60%，钨粉的重量比例的最小值可以为35%～40%。
在本发明实施例中，该粉末材料还可以包括锰粉、铁粉、铜粉、锌粉、镍粉、钼粉、钛粉、铬粉、锆粉中的至少一种，该锰粉、铁粉、铜粉、锌粉、镍粉、钼粉、钛粉、铬粉、锆粉中的至少一种的重量比例可以为5%～30%。例如粉末材料可以包括石英玻璃粉末、钨粉、铬粉和辅料，该铬粉的重量比例可以为5%～30%，或该粉末材料可以包括石英玻璃粉末、钨粉、钼粉、锆粉和辅料，该钼粉和锆粉两者的重量比例一共可以为5%～30%。
当然，本领域技术人员应理解，根据本发明实施例的粉末材料还可以包括其他金属材料，并且各成分也可以具有其他重量比例，上述例子仅是示例目的，本发明实施例并不限于此。
在本发明实施例中，粉末材料中的辅料可以包括碳粉、陶瓷粉、硅粉和砷粉中的至少一种。例如辅料包括碳粉，或辅料包括碳粉和砷粉。应理解，辅料的重量比例可以为0～20%，并且辅料的重量比例可以根据粉末材料中的其他成分的重量比例确定。
在本发明实施例中，粉末材料中的粉末颗粒的颗粒度可以在200目以上。可选地，粉末颗粒的粒径尺寸具有的重量比例可以为：粒径尺寸小于50微米的该粉末颗粒具有的重量比例为0～10%；粒径尺寸小于100微米且大于或等于50微米的该粉末颗粒具有的重量比例为70～100%；粒径尺寸小于150微米且大于或等于100微米的该粉末颗粒具有的重量比例为0～20%；粒径尺寸大于150微米的该粉末颗粒具有的重量比例为0～10%。可选地，粉末颗粒的中位粒径为80微米左右。当然，选取的粉末颗粒还可以具有更小的颗粒度。
根据本发明实施例的粉末材料具有的线膨胀系数可以在+3ppm/℃～+9ppm/℃的范围内。例如，该粉末材料的线膨胀系数可以是+4ppm/℃、+5ppm/℃、+6ppm/℃、+7ppm/℃或+8ppm/℃。
由于根据本发明实施例的粉末材料具有较小的线膨胀系数，因而，采用根据本发明实施例的粉末材料制成的通信设备能够实现温度补偿，并且通过对粉末材料的成分进行选择，可以根据实际应用情况对不同的通信设备的线膨胀系数进行调整，由此能够实现对不同频段和尺寸的通信设备进行温度补偿。
本发明实施例还提供了一种粉末材料，该粉末材料包括：钛粉、钨粉和铁粉，其中该钛粉的重量比例为4%～80%，该钨粉的重量比例为5%～90%，该铁粉的重量比例为4%～80%。例如，钛粉或铁粉可以具有5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%或80%的重量比例，钨粉可以具有10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%或90%的重量比例。例如，钛粉的重量比例为15%，钨粉的重量比例为30%，铁粉的重量比例为55%。
例如，钛粉的重量比例为5%～75%，钨粉的重量比例为10%～80%，铁粉的重量比例为5%～80%。例如，钛粉的重量比例为10%～70%，钨粉的重量比例为10%～75%，铁粉的重量比例为10%～75%。例如，钛粉的重量比例为10%～65%，钨粉的重量比例为15%～60%，铁粉的重量比例为15%～70%。
可选地，钛粉的重量比例为15%～60%，钨粉的重量比例为20%～70%，铁粉的重量比例为15%～65%。例如，钛粉的重量比例为15%～60%，钨粉的重量比例为20%～65%，铁粉的重量比例为20%～65%。例如，钛粉的重量比例为20%～60%，钨粉的重量比例为20%～60%，铁粉的重量比例为20%～60%。例如，钛粉的重量比例为20%～55%，钨粉的重量比例为20%～55%，铁粉的重量比例为25%～60%。例如，钛粉的重量比例为20%～40%，钨粉的重量比例为25%～50%，铁粉的重量比例为30%～50%。例如，钛粉的重量比例为30%～35%，钨粉的重量比例为25%～30%，铁粉的重量比例为40%～55%。
可选地，粉末材料还可以包括锰粉、铜粉、锌粉、镍粉、钼粉、铬粉和锆粉中的至少一种。可选地，该锰粉、铜粉、锌粉、镍粉、钼粉、铬粉和锆粉中的至少一种一共可以具有1%～30%的重量比例。例如，该粉末材料还可以包括铜粉，或该粉末材料还可以包括钼粉和锆粉。可选地，粉末材料还可以包括碳粉、陶瓷粉、玻璃粉、硅粉和砷粉中的至少一种。可选地，碳粉、陶瓷粉、玻璃粉、硅粉和砷粉中的至少一种一共可以具有1%～30%的重量比例。
应理解，根据本发明实施例的粉末材料还可以包括其他金属材料和非金属材料，并且各成分也可以具有其他重量比例，上述例子仅是示例目的，本发明实施例并不限于此。
可选地，该粉末材料具有的线膨胀系数在+7ppm/℃～+12ppm/℃的范围内。例如，该粉末材料具有+8ppm/℃、+9ppm/℃、+10ppm/℃或+11ppm/℃的线膨胀系数。
再一方面，本发明实施例提供了一种粉末材料，该粉末材料包括：石英玻璃粉末、钛粉和锰粉，其中该石英玻璃粉末的重量比例为5%～90%，该钛粉的重量比例为4%～80%，该锰粉的重量比例为4%～80%。例如，石英玻璃粉末可以具有5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%或90%的重量比例，钛粉或锰粉可以具有5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%或80%的重量比例。例如，石英玻璃粉末的重量比例为15%，钛粉的重量比例为30%，锰粉的重量比例为55%。
可选地，石英玻璃粉末的重量比例为5%～85%，钛粉的重量比例为10%～80%，锰粉的重量比例为5%～75%。可选地，石英玻璃粉末的重量比例为5%～80%，钛粉的重量比例为15%～80%，锰粉的重量比例为5%～70%。可选地，石英玻璃粉末的重量比例为5%～70%，钛粉的重量比例为20%～65%，锰粉的重量比例为10%～70%。可选地，石英玻璃粉末的重量比例为10%～70%，钛粉的重量比例为20%～80%，锰粉的重量比例为5%～70%。可选地，石英玻璃粉末的重量比例为15%～65%，钛粉的重量比例为30%～70%，锰粉的重量比例为5%～60%。
在本发明实施例中，粉末材料还可以包括铁粉、铜粉、锌粉、镍粉、钼粉、铬粉和锆粉中的至少一种。例如，该粉末材料还可以包括铁粉和铜粉。可选地，铁粉、铜粉、锌粉、镍粉、钼粉、铬粉和锆粉中的至少一种一共可以具有1%～30%的重量比例。可选地，粉末材料还可以包括碳粉、陶瓷粉、硅粉和砷粉中的至少一种。可选地，该碳粉、陶瓷粉、硅粉和砷粉中的至少一种一共可以具有1%～30%的重量比例。可选地，该粉末材料具有的线膨胀系数可以在+0.5ppm/℃～+6ppm/℃的范围内。例如，该粉末材料具有+1ppm/℃、+2ppm/℃、+3ppm/℃、+4ppm/℃或+5ppm/℃的线膨胀系数。
在根据本发明实施例的粉末材料的上述实施例中，粉末材料中的粉末颗粒的颗粒度可以在200目以上。可选地，粉末颗粒的粒径尺寸具有的重量比例可以为：粒径尺寸小于50微米的该粉末颗粒具有的重量比例为0～10%；粒径尺寸小于100微米且大于或等于50微米的该粉末颗粒具有的重量比例为70～100%；粒径尺寸小于150微米且大于或等于100微米的该粉末颗粒具有的重量比例为0～20%；粒径尺寸大于150微米的该粉末颗粒具有的重量比例为0～10%。可选地，粉末颗粒的中位粒径为80微米左右。当然，选取的粉末颗粒还可以具有更小的颗粒度。
由于根据本发明实施例的粉末材料具有较小的线膨胀系数，因而，采用根据本发明实施例的粉末材料制成的通信设备能够实现温度补偿，并且通过对粉末材料的成分进行选择，可以根据实际应用情况对不同的通信设备的线膨胀系数进行调整，由此能够实现对不同频段和尺寸的通信设备进行温度补偿，从而能够保证通信设备在不同温度下的电性能。
本发明实施例还提供了一种制造通信设备的方法，如图1所示，该方法100包括：
S110，对根据本发明实施例的粉末材料进行混合处理，形成均匀的粉末颗粒。可选地，该粉末材料可以包括：重量比例为5%～90%的石英玻璃粉末、重量比例为5%～90%的钨粉和重量比例为0～20%的辅料。可选地，该粉末材料包括：钛粉、钨粉和铁粉，其中该钛粉的重量比例为4%～80%，该钨粉的重量比例为5%～90%，该铁粉的重量比例为4%～80%。可选地，该粉末材料包括：石英玻璃粉末、钛粉和锰粉，其中该石英玻璃粉末的重量比例为5%～90%，该钛粉的重量比例为4%～80%，该锰粉的重量比例为4%～80%。
S120，对该粉末颗粒进行压制成型处理，形成通信设备毛坯；
S130，在保护气氛中对该通信设备毛坯进行烧结处理，形成通信设备半成品；
S140，对该通信设备半成品进行电镀处理，形成该通信设备。
在本发明实施例中，在对粉末材料进行混合处理之后，可以将混合后的粉末材料进行烘干处理，从而形成均匀的粉末颗粒。可选地，在对粉末颗粒进行压制成型处理之前，可以在烘干后的粉末颗粒中加入质量比为0.5%～3%的有机粘合剂，进行造粒过筛处理，形成粘性的粉末颗粒，其中该有机粘合剂可以包括硬脂酸、硬脂酸锌和聚乙烯醇中的至少一种。在本发明实施例中，保护气氛可以包括真空气氛，或氢气和惰性气体中的至少一种。
可选地，在对通信设备半成品进行电镀之前，可以将该通信设备半成品进行整形处理。可选地，在对通信设备半成品进行电镀之前，还可以将整形后的该通信设备半成品进行封孔处理。其中，将整形后的通信设备半成品进行封孔处理包括：将整形后的通信设备半成品放入熔融的硬脂酸锌、白油和硅油中的至少一种中进行浸润；对浸泡后的该通信设备半成品进行烘干处理。在本发明实施例中，对该通信设备半成品进行电镀处理包括：对烘干后的该通信设备半成品进行电镀铜处理，再在电镀的铜层上进行电镀银处理。
本发明实施例的制造通信设备的方法，通过选用具有较小的线膨胀系数的粉末材料，并基于粉末冶金技术制造通信设备，使得通信设备具有较低的线膨胀系数并能够实现温度补偿，另一方面，通过对粉末材料的成分进行选择，从而能够根据实际应用情况对不同的通信设备的线膨胀系数进行调整，由此能够实现对不同频段和尺寸的通信设备进行温度补偿，从而能够保证通信设备在不同温度下的电性能。另外，根据本发明实施例的制造通信设备的方法还具有成本低、生产效率高、一致性好等优点。
本发明实施例还提供了一种通信设备，该通信设备根据本发明实施例的制造通信设备的方法进行制成，该方法包括：对根据本发明实施例的粉末材料进行混合处理，形成均匀的粉末颗粒；对该粉末颗粒进行压制成型处理，形成通信设备毛坯；在保护气氛中对该通信设备毛坯进行烧结处理，形成通信设备半成品；对该通信设备半成品进行电镀处理，形成该通信设备。可选地，该通信设备为射频装置。可选地，该通信设备为微波装置。可选地，该通信设备为谐振管。
本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例中描述的各方法步骤和单元，能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各实施例的步骤及组成。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。本领域普通技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。
结合本文中所公开的实施例描述的方法或步骤，可以用硬件、处理器执行的软件程序，或者二者的结合来实施。软件程序可以置于随机存储器（RAM）、内存、只读存储器（ROM）、电可编程ROM、电可擦除可编程ROM、寄存器、硬盘、可移动磁盘、CD-ROM、或技术领域内所公知的任意其它形式的存储介质中。
尽管通过参考附图并结合优选实施例的方式对本发明进行了详细描述，但本发明并不限于此。在不脱离本发明的精神和实质的前提下，本领域普通技术人员可以对本发明的实施例进行各种等效的修改或替换，而这些修改或替换都应在本发明的涵盖范围内。

Claims (23)

1.一种粉末材料，其特征在于，所述粉末材料包括：石英玻璃粉末、钨粉和辅料，其中所述石英玻璃粉末的重量比例为5%～90%，所述钨粉的重量比例为5%～90%，所述辅料的重量比例为0～20%，
其中，所述粉末材料中的粉末颗粒的粒径尺寸具有的重量比例为：
粒径尺寸小于50微米的所述粉末颗粒具有的重量比例为0～10%；
粒径尺寸小于100微米且大于或等于50微米的所述粉末颗粒具有的重量比例为70～100%；
粒径尺寸小于150微米且大于或等于100微米的所述粉末颗粒具有的重量比例为0～20%；
粒径尺寸大于150微米的所述粉末颗粒具有的重量比例为0～10%。
2.根据权利要求1所述的粉末材料，其特征在于，所述石英玻璃粉末的重量比例的最大值为75%～90%，所述石英玻璃粉末的重量比例的最小值为5%～10%，所述钨粉的重量比例的最大值为75%～90%，所述钨粉的重量比例的最小值为5%～10%。
3.根据权利要求1所述的粉末材料，其特征在于，所述石英玻璃粉末的重量比例为15%～70%，所述钨粉的重量比例为15%～70%。
4.根据权利要求3所述的粉末材料，其特征在于，所述石英玻璃粉末的重量比例的最大值为65%～70%，所述石英玻璃粉末的重量比例的最小值为15%～30%，所述钨粉的重量比例的最大值为65%～70%，所述钨粉的重量比例的最小值为15%～30%。
5.根据权利要求1所述的粉末材料，其特征在于，所述石英玻璃粉末的重量比例为35%～60%，所述钨粉的重量比例为35%～60%。
6.根据权利要求5所述的粉末材料，其特征在于，所述石英玻璃粉末的重量比例的最大值为50%～60%，所述石英玻璃粉末的重量比例的最小值为35%～40%，所述钨粉的重量比例的最大值为50%～60%，所述钨粉的重量比例的最小值为35%～40%。
7.根据权利要求1所述的粉末材料，其特征在于，所述粉末材料还包括锰粉、铁粉、铜粉、锌粉、镍粉、钼粉、钛粉、铬粉、锆粉中的至少一种。
8.根据权利要求7所述的粉末材料，其特征在于，所述锰粉、铁粉、铜粉、锌粉、镍粉、钼粉、钛粉、铬粉、锆粉中的至少一种的重量比例为5%～30%。
9.根据权利要求1所述的粉末材料，其特征在于，所述辅料包括碳粉、陶瓷粉、硅粉和砷粉中的至少一种。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的粉末材料，其特征在于，所述粉末材料具有的线膨胀系数在+3ppm/℃～+9ppm/℃的范围内。
11.一种粉末材料，其特征在于，所述粉末材料包括：钛粉、钨粉和铁粉，其中所述钛粉的重量比例为4%～80%，所述钨粉的重量比例为5%～90%，所述铁粉的重量比例为4%～80%，
其中，所述粉末材料中的粉末颗粒的粒径尺寸具有的重量比例为：
粒径尺寸小于50微米的所述粉末颗粒具有的重量比例为0～10%；
粒径尺寸小于100微米且大于或等于50微米的所述粉末颗粒具有的重量比例为70～100%；
粒径尺寸小于150微米且大于或等于100微米的所述粉末颗粒具有的重量比例为0～20%；
粒径尺寸大于150微米的所述粉末颗粒具有的重量比例为0～10%。
12.根据权利要求11所述的粉末材料，其特征在于，所述钛粉的重量比例为15%～60%，所述钨粉的重量比例为20%～70%，所述铁粉的重量比例为15%～65%。
13.根据权利要求11所述的粉末材料，其特征在于，所述粉末材料还包括锰粉、铜粉、锌粉、镍粉、钼粉、铬粉和锆粉中的至少一种。
14.根据权利要求11所述的粉末材料，其特征在于，所述粉末材料还包括碳粉、陶瓷粉、玻璃粉、硅粉和砷粉中的至少一种。
15.根据权利要求11至14中任一项所述的粉末材料，其特征在于，所述粉末材料具有的线膨胀系数在+7ppm/℃～+12ppm/℃的范围内。
16.一种粉末材料，其特征在于，所述粉末材料包括：石英玻璃粉末、钛粉和锰粉，其中所述石英玻璃粉末的重量比例为5%～90%，所述钛粉的重量比例为4%～80%，所述锰粉的重量比例为4%～80%。
17.根据权利要求16所述的粉末材料，其特征在于，所述石英玻璃粉末的重量比例为10%～70%，所述钛粉的重量比例为20%～80%，所述锰粉的重量比例为5%～70%。
18.根据权利要求16所述的粉末材料，其特征在于，所述粉末材料还包括铁粉、铜粉、锌粉、镍粉、钼粉、铬粉和锆粉中的至少一种。
19.根据权利要求16所述的粉末材料，其特征在于，所述粉末材料还包括碳粉、陶瓷粉、硅粉和砷粉中的至少一种。
20.根据权利要求16至19中任一项所述的粉末材料，其特征在于，所述粉末材料中的粉末颗粒的粒径尺寸具有的重量比例为：
粒径尺寸小于50微米的所述粉末颗粒具有的重量比例为0～10%；
粒径尺寸小于100微米且大于或等于50微米的所述粉末颗粒具有的重量比例为70～100%；
粒径尺寸小于150微米且大于或等于100微米的所述粉末颗粒具有的重量比例为0～20%；
粒径尺寸大于150微米的所述粉末颗粒具有的重量比例为0～10%。
21.根据权利要求16至19中任一项所述的粉末材料，其特征在于，所述粉末材料具有的线膨胀系数在+0.5ppm/℃～+6ppm/℃的范围内。
22.一种制造通信设备的方法，其特征在于，包括：
对根据权利要求1至21中任一项所述的粉末材料进行混合处理，形成均匀的粉末颗粒；
对所述粉末颗粒进行压制成型处理，形成通信设备毛坯；
在保护气氛中对所述通信设备毛坯进行烧结处理，形成通信设备半成品；
对所述通信设备半成品进行电镀处理，形成所述通信设备。
23.一种通信设备，其特征在于，所述通信设备根据权利要求22所述的方法进行制造。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101912967B (zh) * 2010-06-02 2013-03-13 深圳市大富科技股份有限公司 谐振管制造方法
CN102145977B (zh) 2011-03-16 2013-09-11 华为技术有限公司 粉末材料、制造通信设备的方法以及通信设备
CN102214852B (zh) 2011-03-16 2014-06-04 华为技术有限公司 制造谐振管的方法、谐振管和滤波器
CN103928731A (zh) * 2014-04-30 2014-07-16 华为技术有限公司 Tem模介质滤波器和制造方法
CN107623765B (zh) * 2017-08-21 2020-10-23 东莞华晶粉末冶金有限公司 一种具有无线充电功能的电子产品陶瓷后盖及制造方法
CN107699808B (zh) * 2017-09-15 2020-03-27 安徽信息工程学院 一种铁铜基陶瓷耐磨复合材料及其制备方法
CN111910112B (zh) * 2020-07-01 2022-02-11 昆山家锐电子科技有限公司 一种钨铜合金材料及其制备方法、应用

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2977225A (en) * 1959-02-25 1961-03-28 Union Carbide Corp High-temperature alloys
US3676730A (en) * 1969-12-29 1972-07-11 Sylvania Electric Prod Seal arrangements for lamps
US3725091A (en) * 1971-04-12 1973-04-03 Corning Glass Works Glass-ceramic metal cermets and method
US3742283A (en) * 1971-10-28 1973-06-26 Gte Sylvania Inc Press seal for lamp having fused silica envelope
US3894169A (en) * 1972-02-18 1975-07-08 Rockwell International Corp Acoustical damping structure and method of preparation
US4112398A (en) * 1976-08-05 1978-09-05 Hughes Aircraft Company Temperature compensated microwave filter
DE2656613C2 (de) 1976-12-14 1978-10-12 Standard Elektrik Lorenz Ag, 7000 Stuttgart Länglicher piezoelektrischer Resonator
JP3666020B2 (ja) * 1992-09-24 2005-06-29 東陶機器株式会社 傾斜機能材料及びその製造方法
FR2727131B1 (fr) 1994-11-23 1996-12-13 Imphy Sa Alliage fer-nickel a faible coefficient de dilatation
JPH10190325A (ja) 1996-12-27 1998-07-21 Tokin Corp 誘電体共振器及びその製造方法
KR100512947B1 (ko) 2003-01-16 2005-09-07 삼성전자주식회사 출력신호제어가 가능한 콤비네이션 시스템 및 그의 제어방법
ATE454705T1 (de) * 2003-03-27 2010-01-15 Panasonic Corp Verfahren zur herstellung einer hochdruckentladungslampe, durch ein solches verfahren hergestellte hochdruckentladungslampe, lampeneinheit und bildanzeige
CN1298007C (zh) * 2003-04-17 2007-01-31 中国科学院电子学研究所 基于纳米材料二氧化硅的浸渍钡钨阴极及制备方法
US7456711B1 (en) 2005-11-09 2008-11-25 Memtronics Corporation Tunable cavity filters using electronically connectable pieces
KR101037884B1 (ko) 2006-02-15 2011-05-30 제이에프이 스틸 가부시키가이샤 Ｃｒ-Ｃｕ 합금, 그 제조 방법, 반도체용 방열판 및 반도체용 방열 부품
EP2150317B1 (en) 2007-05-14 2016-12-28 HSD Holding Smart Device S.r.l. Nasal cavity filter
ES2424441T3 (es) 2007-07-17 2013-10-02 Höganäs Ab (Publ) Combinación de polvo a base de hierro y procedimiento para producirla
US7847658B2 (en) * 2008-06-04 2010-12-07 Alcatel-Lucent Usa Inc. Light-weight low-thermal-expansion polymer foam for radiofrequency filtering applications
CN101638735B (zh) 2008-08-01 2011-08-31 重庆华浩冶炼有限公司 黄铜复合粉及其制备方法
US20100037451A1 (en) 2008-08-12 2010-02-18 Chang-Mao Cheng Method of material selection and forming to solve aging of one inductor's iron core
CN101820002B (zh) * 2009-02-27 2013-05-29 比亚迪股份有限公司 太阳能电池用导电浆料及其制备方法
CN201417811Y (zh) 2009-06-10 2010-03-03 大富（深圳）科技有限公司 谐振管及使用该谐振管的腔体滤波器
CN101656341B (zh) 2009-10-10 2012-10-17 深圳市大富科技股份有限公司 谐振管
CN101708549B (zh) 2009-11-27 2012-04-04 安徽省芜湖市信达粉末冶金零部件有限公司 一种用于粉末冶金的铁基粉末及其工艺流程
CN101912967B (zh) 2010-06-02 2013-03-13 深圳市大富科技股份有限公司 谐振管制造方法
CN101857943A (zh) 2010-06-03 2010-10-13 华南理工大学 一种粉末冶金弹簧钢复合材料及其制备方法
CN101867077B (zh) 2010-06-22 2013-01-02 成都八九九科技有限公司 一种同轴中功率负载吸收体及其制备方法
CN101886192B (zh) * 2010-06-23 2012-07-11 北京科技大学 一种采用粉末冶金工艺制备高性能铁镍系软磁合金的方法
CN101882703A (zh) 2010-07-02 2010-11-10 深圳市大富科技股份有限公司 通信设备、腔体滤波器、谐振管及其制造方法
CN101877427B (zh) 2010-07-02 2014-01-08 深圳市大富科技股份有限公司 通信设备、腔体滤波器、滤波器的谐振管及其制造方法
CN102145977B (zh) * 2011-03-16 2013-09-11 华为技术有限公司 粉末材料、制造通信设备的方法以及通信设备
CN102214852B (zh) 2011-03-16 2014-06-04 华为技术有限公司 制造谐振管的方法、谐振管和滤波器

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Free format text: FORMER OWNER: HUAWEI TECHNOLOGY CO., LTD.

Effective date: 20141104

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Patentee after: Beijing Weiben Intellectual Property Management Co. Ltd.

Address before: 518129 Bantian HUAWEI headquarters office building, Longgang District, Guangdong, Shenzhen

Patentee before: Huawei Technologies Co., Ltd.

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
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Granted publication date: 20130911

Termination date: 20160316