CN102141698B - 膜厚量测装置及其校正方法 - Google Patents
膜厚量测装置及其校正方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102141698B CN102141698B CN 201110053410 CN201110053410A CN102141698B CN 102141698 B CN102141698 B CN 102141698B CN 201110053410 CN201110053410 CN 201110053410 CN 201110053410 A CN201110053410 A CN 201110053410A CN 102141698 B CN102141698 B CN 102141698B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sign
- base material
- carried
- board
- correction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000012937 correction Methods 0.000 title claims abstract description 97
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 89
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 12
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 44
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B21/00—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant
- G01B21/02—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant for measuring length, width, or thickness
- G01B21/08—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant for measuring length, width, or thickness for measuring thickness
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B21/00—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant
- G01B21/02—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant for measuring length, width, or thickness
- G01B21/04—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant for measuring length, width, or thickness by measuring coordinates of points
- G01B21/042—Calibration or calibration artifacts
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
本发明公开一种膜厚量测装置及其校正方法。所述膜厚量测装置包含至少两位于不同校正位置的固定座、一用于承载基材的承载机台，以及一量测头。所述量测头从承载机台接收当前所承载基材的标识；并从保存的对应关系中获取该标识对应的校正位置的参数，并移动到获取的参数所对应的校正位置上方，进而量测位于该校正位置的固定座上的校正片的膜厚实现校正。本发明针对不同基材而自动切换到对应的校正位置进行校正，可避免手动更换校正片的不便。
Description
【技术领域】
本发明是有关于一种膜厚量测装置，特别是有关于一种可针对不同产品进行校正设定的膜厚量测装置及其校正方法。
【背景技术】
目前薄膜晶体管液晶面板(TFT LCD)的制程主要分为上板制程及下板制程，下板制程是在一素玻璃基材上设置薄膜晶体管阵列(TFT Array)而成一薄膜晶体管阵列基材；而上板制程则是在另一素玻璃基材上涂布光刻胶涂膜(photoresist film)以形成彩色滤光片。光刻胶涂膜膜厚的量测方式是针对素玻璃基材上的光刻胶涂膜进行量测。在量测前，量测头会先对一校正片进行校正动作，然后再针对所要量测的光刻胶涂膜进行膜厚量测。
现有的彩色滤光片制程技术还发展出彩色滤光片阵列制程(COA，Color Filter On Array)，其是将彩色滤光片直接成形在薄膜晶体管阵列基材上。由于薄膜晶体管阵列基材不同于素玻璃基材，一旦涂布光刻胶涂膜后，两者对膜厚测试的影响也不同。故进行膜厚量测时，针对COA制程的玻璃基材的膜厚量测必须从原本为素玻璃基材的校正片，改为薄膜晶体管阵列基材的校正片，以进行新的校正。
请参考图1所示，图1为现有的膜厚量测装置的示意图。现有的膜厚量测装置包含一校正区90、一量测区91以及一位于校正区90与量测区91上方的量测头92。所述校正区90设有一供放置素玻璃基材校正片900的固定座901，而所述量测区91则为待量测玻璃基材910的放置区域。所述量测头92先移动到固定座901上方，通过对素玻璃基材校正片900的量测以进行校 正。然后，量测头92移动到量测区91，量测所述量测区91上整个待量测玻璃基材910上的光刻胶涂膜911的膜厚。当产品变更时，产品的膜厚量测所对应的校正片也必须变更，以获得正确的量测参数。由于现有的膜厚量测装置只有一个供设置校正片的固定座，不同产品所需的校正片必需通过作业员手动更换，然后再手动对量测头进行校正。所得的校正值也必需以手动方式记录。
然而，作业员手动更换校正片容易让校正片的表面产生手纹，且校正片有可能在更换时破损。再者，校正片更换后量测头必须经过一次手动校正，且若遇到交接班或其他因素造成作业员忘记更换校正片，将会造成量测异常，进而影响产能。
故，有必要提供一种膜厚量测装置及其校正方法，以解决现有技术所存在的问题。
【发明内容】
本发明的主要目的在于提供一种膜厚量测装置及其校正方法，可避免手动更换校正片所可能造成的问题。
为达成本发明的前述目的，本发明提供一种膜厚量测装置，所述膜厚量测装置包含：
至少两个固定座，分别位于不同的校正位置，用于承载不同的校正片；
一承载机台，位于所述固定座的一侧，用于承载一待量测的基材，并且储存当前承载的基材的标识；以及
一量测头，位于所述固定座与所述承载机台上方，并从承载机台接收所述基材的标识，并从保存的对应关系中获取该标识对应的校正位置的参数，所述对应关系为标识与校正位置的参数的对应关系，并移动到获取的参数所对应的校正位置上方，量测位于该校正位置的固定座上的校正片的膜厚以实 现校正。
在本发明的一实施例中，所述量测头在校正后移动到所述承载机台的上方，量测当前承载机台所承载的基材的膜厚。
在本发明的一实施例中，所述量测头在从保存的对应关系中获取标识对应的校正位置的参数之前，进一步储存当前承载基材的标识，并且判断当前承载机台所承载的基材的标识与前一次承载机台所承载的基材的标识是否相同，若不相同，则执行所述从保存的对应关系中获取标识对应的校正位置的参数的步骤。
在本发明的一实施例中，所述量测头在判定当前承载机台所承载的基材的标识与前一次承载机台所承载的基材的标识相同后，移动到所述承载机台的上方，量测当前承载机台所承载的基材的膜厚。
在本发明的一实施例中，所述量测头在判定当前承载机台所承载的基材的标识与前一次承载机台所承载的基材的标识相同时，进一步判断自前一次校正开始是否达到预定时间，若未达到，则量测头移动到所述承载机台的上方，量测当前承载机台所承载的基材的膜厚。
在本发明的一实施例中，所述量测头在判定自前一次校正开始达到预定时间时，执行所述从保存的对应关系中获取标识对应的校正位置的参数的步骤。
本发明另提供一种膜厚量测装置的校正方法，所述膜厚量测装置包含至少两个固定座、一承载机台以及一量测头，所述固定座分别位于不同的校正位置，用于承载不同的校正片；所述承载机台位于所述固定座的一侧，用于承载一待量测的基材，并且储存当前承载的基材的标识；所述量测头位于所述固定座与所述承载机台上方，所述校正方法由所述量测头执行，包含下列步骤：
从承载机台接收当前承载基材的标识；
从保存的对应关系中获取该标识对应的校正位置的参数，所述对应关系为标识与校正位置的参数的对应关系；
移动到获取的参数所对应的校正位置上方；以及
量测位于所述校正位置的固定座上的校正片的膜厚以实现校正。
在本发明的一实施例中，在所述从保存的对应关系中获取标识对应的校正位置的参数之前，进一步包含下列步骤：
储存从承载机台所接收到的当前承载基材的标识；
判断当前承载机台所承载的基材的标识与前一次承载机台所承载的基材的标识是否相同，若不相同，则执行所述从保存的对应关系中获取标识对应的校正位置的参数的步骤。
在本发明的一实施例中，所述量测头在判定当前承载机台所承载的基材的标识与前一次承载机台所承载的基材的标识相同后，移动到所述承载机台的上方，量测当前承载机台所承载的基材的膜厚。
在本发明的一实施例中，所述量测头在判定当前承载机台所承载的基材的标识与前一次承载机台所承载的基材的标识相同时，进一步判断自前一次校正开始是否达到预定时间，若未达到，则量测头移动到所述承载机台的上方，量测当前承载机台所承载的基材的膜厚。
与现有技术相比，本发明通过设置至少两位于不同校正位置的固定座，用于承载不同的校正片，量测头接收当前基材的标识，并获取该标识对应的校正位置的参数，再移动到获取的参数所对应的校正位置上方，从而可避免在基材变更时手动更换校正片的不便。
【附图说明】
图1是一现有膜厚量测装置的示意图。
图2是本发明一较佳实施例的膜厚量测装置的第一状态示意图。
图3是图2的膜厚量测装置的第二状态示意图。
图4是本发明一较佳实施例的膜厚量测装置的校正方法的流程图。
图5是本发明另一较佳实施例的膜厚量测装置的校正方法的流程图。
【具体实施方式】
为让本发明上述目的、特征及优点更明显易懂，下文特举本发明较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。再者，本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。
请参考图2和图3所示，图2为本发明一较佳实施例的膜厚量测装置的第一状态示意图，图3是图2的膜厚量测装置的第二状态示意图，所述膜厚量测装置包含一第一固定座11、一第二固定座21、一承载机台3以及一量测头4。
如图2和图3所示，所述第一固定座11及第二固定座21分别位于一第一校正位置10及一第二校正位置20，分别用于承载第一校正片1及第二校正片2。所述第一校正片1及所述第二校正片2可分别为素玻璃基材校正片以及薄膜晶体管阵列基材校正片。
所述承载机台3位于所述第一固定座11及一第二固定座21的一侧；如图2所示，所述承载机台3承载一待量测的第一基材300；如图3所示，所述承载机台3承载一待量测的第二基材301。所述承载机台3可储存当前承载的基材的标识。本发明实施例中，不同种类的基材用不同的标识区分，例如，素玻璃基材的标识为A，对应素玻璃基材校正片；薄膜晶体管阵列基材的标识为B，对应薄膜晶体管阵列基材校正片。
所述量测头4位于所述第一固定座11、第二固定座21与所述承载机台3 的上方。如图2和图3所示，所述量测头4在所述承载机台3承载不同基材时，会对应移动到不同校正位置的上方以进行相关的校正。
有关前述校正的程序的详细描述，请再进一步参考图4所示，图4是本发明一较佳实施例的膜厚量测装置的校正方法的流程图，本发明的校正方法主要由所述量测头执行，包含下列步骤：
步骤S400，量测头从承载机台接收当前承载基材的标识；
步骤S401，量测头从保存的对应关系中获取该标识对应的校正位置的参数，所述对应关系为标识与校正位置的参数的对应关系；
步骤S402，量测头移动到获取的参数所对应的校正位置上方；以及
步骤S403，量测头量测位于所述校正位置的固定座上的校正片的膜厚以实现校正。
以图2的实施例而言，依照上述的校正方法，所述量测头4从所述承载机台3接收所述第一基材300的标识。所述量测头4保存有一对应关系，此对应关系为标识与校正位置的参数的对应关系。量测头4从所述承载机台3接收所述第一基材300的标识之后，从保存的对应关系中获取所述第一基材300的标识所对应的第一校正位置10的参数，再移动到获取的参数所对应的第一校正位置10上方，进而量测位于所述第一校正位置10上的第一固定座11上的第一校正片1的膜厚以实现校正。校正结束后，所述量测头4则移动到所述承载机台3的上方，开始量测当前承载机台3所承载的第一基材300的模厚。
请再进一步参考图5所示，图5是本发明另一较佳实施例的膜厚量测装置的校正方法的流程图，本发明的校正方法主要由所述量测头执行，包含下列步骤：
步骤S500，量测头从承载机台接收当前承载基材的标识；
步骤S501，量测头储存当前承载基材的标识；
步骤S502，量测头判断当前承载机台所承载的基材的标识与前一次承载机台所承载的基材的标识是否相同，若不相同，则执行步骤S503，否则执行步骤S506；
步骤S503，量测头从保存的对应关系中获取当前标识对应的校正位置的参数，其中所述对应关系为标识与校正位置的参数的对应关系；
步骤S504，在步骤S503之后，量测头移动到获取的所述校正位置的参数所对应的校正位置上方；
步骤S505，在步骤S504之后，量测头量测位于所述校正位置的固定座上的校正片的膜厚以实现校正；
步骤S506，量测头判断自前一次校正开始是否达到一预定时间，若未达到，则执行步骤S507；否则执行步骤S508；
步骤S507，量测头移动到所述承载机台的上方，量测当前承载机台所承载的基材的膜厚；
步骤S508，量测头从保存的对应关系中获取当前标识对应的校正位置的参数；
步骤S509，在步骤S508之后，量测头移动到获取的所述校正位置的参数所对应的校正位置上方；以及
步骤S510，在步骤S509之后，量测头量测位于所述校正位置的固定座上的校正片的膜厚以实现校正。
依照图5的实施例的步骤S501，所述量测头在从保存的对应关系中获取所述第一基材300的标识所对应的第一校正位置10的参数之前，可进一步储存所述第一基材300的标识。
进一步参考图3所示，当第一基材300的模厚量测完毕之后，所述承载机台3随后承载另一待量测的第二基材301。所述承载机台3进而储存当前承载的第二基材301的标识。本实施例中，所述第二基材301的标识不同于 所述第一基材300的标识。
依照图5的实施例的步骤S500至步骤S502，所述量测头4在接收当前承载机台3所承载的第二基材301的标识之后，储存所述标识，并且判断当前承载机台3所承载的第二基材301的标识与前一次承载机台3所承载的第一基材300的标识是否相同，若不相同，则执行所述从保存的对应关系中获取标识对应的校正位置的参数的步骤S503，以及步骤S504與步骤S505，以实现校正。相对的，若所述量测头4判定当前承载机台3所承载的第二基材301的标识与前一次承载机台3所承载的第一基材300的标识相同，则执行步骤S507，量测头4移动到所述承载机台3的上方，量测当前承载机台3所承载的第二基材301的膜厚。由于本实施例中所述第一基材300不同于第二基材301，因此所述量测头4判断两者的标识不同而再次执行所述从保存的对应关系中获取标识对应的校正位置的参数的步骤S503。
此外，依照图5的实施例的步骤S506，所述量测头4可在判定当前承载机台3所承载的基材的标识与前一次承载机台3所承载的基材的标识相同时，进一步判断自前一次校正开始是否达到预定时间，若未达到，则执行步骤S507，量测头4移动到所述承载机台3的上方，量测当前承载机台3所承载的基材的膜厚。反之，当所述量测头4在判定自前一次校正开始达到预定时间时，则执行步骤S508至S510，从保存的对应关系中获取标识对应的校正位置的参数，再移动到获取的所述校正位置的参数所对应的校正位置上方，最后量测位于所述校正位置的固定座上的校正片的膜厚以实现校正，进而确保量测的精确度。
综上所述，本发明主要是设置至少两位于不同校正位置的固定座，用于承载不同的校正片，并令一量测头接收一承载机台发送的当前基材的标识。在基材种类更换时，例如从素玻璃基材更换为薄膜晶体管阵列基材，所述量测头将可以根据当前基材的标识从预定的标识与校正位置的参数的对应关系 获取标识对应的校正位置的参数。然后，量测头再移动到获取的参数所对应的校正位置上方，即承载薄膜晶体管阵列基材校正片的固定座上方，而自动进行新的校正，并自动储存校正值。在完成校正之后，再返回到承载基台上方量测薄膜晶体管阵列基材上的膜厚。相较于现有技术，本发明使膜厚量测装置的校正流程自动化，可避免手动更换校正片的不便，还可增进整体工作效率。
本发明已由上述相关实施例加以描述，然而上述实施例仅为实施本发明的范例。需指出的是，已公开的实施例并未限制本发明的范围。相反地，包含于权利要求书的精神及范围的修改及均等设置均包括于本发明的范围内。
Claims (10)
1.一种膜厚量测装置，其特征在于，包括：
至少两个固定座，分别位于不同的校正位置，用于承载不同的校正片；
一承载机台，位于所述固定座的一侧，用于承载一待量测的基材，并且储存当前承载的基材的标识；以及
一量测头，位于所述固定座与所述承载机台上方，并从承载机台接收所述基材的标识，并从保存的对应关系中获取该标识对应的校正位置的参数，所述对应关系为标识与校正位置的参数的对应关系，并移动到获取的参数所对应的校正位置上方，量测位于该校正位置的固定座上的校正片的膜厚以实现校正。
2.如权利要求1所述的膜厚量测装置，其特征在于：所述量测头在校正后移动到所述承载机台的上方，量测当前承载机台所承载的基材的膜厚。
3.如权利要求2所述的膜厚量测装置，其特征在于：所述量测头在从保存的对应关系中获取标识对应的校正位置的参数之前，进一步储存当前承载基材的标识，并且判断当前承载机台所承载的基材的标识与前一次承载机台所承载的基材的标识是否相同，若不相同，则执行所述从保存的对应关系中获取标识对应的校正位置的参数的步骤。
4.如权利要求3所述的膜厚量测装置，其特征在于：所述量测头在判定当前承载机台所承载的基材的标识与前一次承载机台所承载的基材的标识相同后，移动到所述承载机台的上方，量测当前承载机台所承载的基材的膜厚。
5.如权利要求4所述的膜厚量测装置，其特征在于：所述量测头在判定当前承载机台所承载的基材的标识与前一次承载机台所承载的基材的标识相同后，进一步判断自前一次校正开始是否达到预定时间，若未达到，则量测头移动到所述承载机台的上方，量测当前承载机台所承载的基材的膜 厚。
6.一种膜厚量测装置的校正方法，其特征在于：所述膜厚量测装置包含至少两个固定座、一承载机台以及一量测头，所述固定座分别位于不同的校正位置，用于承载不同的校正片；所述承载机台位于所述固定座的一侧，用于承载一待量测的基材，并且储存当前承载的基材的标识；所述量测头位于所述固定座与所述承载机台上方，所述校正方法由所述量测头执行，包含下列步骤：
从承载机台接收当前承载基材的标识；
从保存的对应关系中获取该标识对应的校正位置的参数，所述对应关系为标识与校正位置的参数的对应关系；
移动到获取的参数所对应的校正位置上方；以及
量测位于所述校正位置的固定座上的校正片的膜厚以实现校正。
7.如权利要求6所述的膜厚量测装置的校正方法，其特征在于：在所述从保存的对应关系中获取标识对应的校正位置的参数之前，进一步包含下列步骤：
储存从承载机台所接收到的当前承载基材的标识；
判断当前承载机台所承载的基材的标识与前一次承载机台所承载的基材的标识是否相同，若不相同，则执行所述从保存的对应关系中获取标识对应的校正位置的参数的步骤。
8.如权利要求7所述的膜厚量测装置的校正方法，其特征在于：所述量测头在判定当前承载机台所承载的基材的标识与前一次承载机台所承载的基材的标识相同后，移动到所述承载机台的上方，量测当前承载机台所承载的基材的膜厚。
9.如权利要求7所述的膜厚量测装置的校正方法，其特征在于：所述量测头在判定当前承载机台所承载的基材的标识与前一次承载机台所承载的基 材的标识相同后，进一步判断自前一次校正开始是否达到预定时间，若未达到，则量测头移动到所述承载机台的上方，量测当前承载机台所承载的基材的膜厚。
10.如权利要求9所述的膜厚量测装置的校正方法，其特征在于：所述量测头在判定自前一次校正开始达到预定时间时，执行所述从保存的对应关系中获取标识对应的校正位置的参数的步骤。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201110053410 CN102141698B (zh) | 2011-03-04 | 2011-03-04 | 膜厚量测装置及其校正方法 |
| PCT/CN2011/072147 WO2012119328A1 (zh) | 2011-03-04 | 2011-03-25 | 膜厚量测装置及其校正方法 |
| US13/127,725 US20120222464A1 (en) | 2011-03-04 | 2011-03-25 | Film-thickness measuring device and calibration method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201110053410 CN102141698B (zh) | 2011-03-04 | 2011-03-04 | 膜厚量测装置及其校正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102141698A CN102141698A (zh) | 2011-08-03 |
| CN102141698B true CN102141698B (zh) | 2012-07-11 |
Family
ID=44409330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 201110053410 Expired - Fee Related CN102141698B (zh) | 2011-03-04 | 2011-03-04 | 膜厚量测装置及其校正方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102141698B (zh) |
| WO (1) | WO2012119328A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110044312A (zh) * | 2019-05-16 | 2019-07-23 | 江苏塔菲尔新能源科技股份有限公司 | 一种厚度的测量装置及其测量方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3999866A (en) * | 1975-06-27 | 1976-12-28 | International Business Machines Corporation | Wafer test system with integrated calibration |
| GB2112944A (en) * | 1982-01-05 | 1983-07-27 | James C Taylor | Calibration of thickness gauges |
| EP0460552A2 (en) * | 1990-06-01 | 1991-12-11 | Defelsko Corporation | Coating thickness measurement gauge |
| JP2002267419A (ja) * | 2001-03-14 | 2002-09-18 | Horiba Ltd | 膜厚測定装置 |
| JP2006284273A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Toshiba Ceramics Co Ltd | ウェーハ厚さ測定装置 |
| CN101224470A (zh) * | 2008-01-18 | 2008-07-23 | 西南铝业（集团）有限责任公司 | 板材生产厚度控制方法 |
| CN201166551Y (zh) * | 2008-03-20 | 2008-12-17 | 成都君南机械科技有限公司 | 一种轴瓦壁厚的测量设备 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7402826B2 (en) * | 2005-05-13 | 2008-07-22 | Honeywell International Inc. | System and method for non-destructively determining thickness and uniformity of anti-tamper coatings |
| US7468519B2 (en) * | 2006-12-05 | 2008-12-23 | The Boeing Company | Near infrared light diffuser |
-
2011
- 2011-03-04 CN CN 201110053410 patent/CN102141698B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-03-25 WO PCT/CN2011/072147 patent/WO2012119328A1/zh active Application Filing
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3999866A (en) * | 1975-06-27 | 1976-12-28 | International Business Machines Corporation | Wafer test system with integrated calibration |
| GB2112944A (en) * | 1982-01-05 | 1983-07-27 | James C Taylor | Calibration of thickness gauges |
| EP0460552A2 (en) * | 1990-06-01 | 1991-12-11 | Defelsko Corporation | Coating thickness measurement gauge |
| JP2002267419A (ja) * | 2001-03-14 | 2002-09-18 | Horiba Ltd | 膜厚測定装置 |
| JP2006284273A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Toshiba Ceramics Co Ltd | ウェーハ厚さ測定装置 |
| CN101224470A (zh) * | 2008-01-18 | 2008-07-23 | 西南铝业（集团）有限责任公司 | 板材生产厚度控制方法 |
| CN201166551Y (zh) * | 2008-03-20 | 2008-12-17 | 成都君南机械科技有限公司 | 一种轴瓦壁厚的测量设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2012119328A1 (zh) | 2012-09-13 |
| CN102141698A (zh) | 2011-08-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7225665B2 (en) | Process and apparatus for measuring the shape of an article | |
| CN103292709B (zh) | 测长机日常检测与自动补正方法 | |
| EP2538267B1 (en) | A method and a device for titling | |
| CN102632119B (zh) | 大直径厚壁圆钢管空间弯曲制作方法及其专用检测胎架 | |
| CN102645763A (zh) | 封框胶宽检测的方法、系统和设备 | |
| CN102141698B (zh) | 膜厚量测装置及其校正方法 | |
| US20180304430A1 (en) | Method and apparatus of symmetrically chamfering substrate | |
| CN104979256B (zh) | 一种基板传送装置 | |
| JP2009117301A (ja) | ガラス基板およびガラス基板の反り検査方法 | |
| US7423754B2 (en) | Web planarity gauge and method | |
| CN105068323A (zh) | 一种配向膜印刷补正方法及系统 | |
| CN203084394U (zh) | 一种阵列基板及液晶显示装置 | |
| US10886114B2 (en) | Sputtering gap measurement apparatus and magnetron sputtering device | |
| CN111837072B (zh) | 定量粘合剂是否从偏光板泄漏或粘合剂泄漏程度的方法 | |
| CN109064886A (zh) | 一种绑定机台水平对位系统及方法 | |
| CN111587390B (zh) | 得到用于适当切割偏光板的条件的方法 | |
| US20140352163A1 (en) | Method of measuring flatness of chamfering table | |
| CN106145658B (zh) | 玻璃切割方法 | |
| CN105773303A (zh) | 机床直线升降精度矫正用辅助组件及方法 | |
| US20120222464A1 (en) | Film-thickness measuring device and calibration method thereof | |
| CN208147736U (zh) | 夹套容器筒体间间距定位调节装置 | |
| US10012869B2 (en) | Method and device for detecting rubbing cloth | |
| CN110592537B (zh) | 一种光栅膜层的制备方法 | |
| CN204903132U (zh) | 背光模组的固定治具 | |
| JP2003080152A (ja) | 塗布方法及び装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: Film thickness measuring device and correction method thereof Effective date of registration: 20190426 Granted publication date: 20120711 Pledgee: Bank of Beijing Limited by Share Ltd. Shenzhen branch Pledgor: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY Co.,Ltd. Registration number: 2019440020032 |
|
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right |
Date of cancellation: 20201016 Granted publication date: 20120711 Pledgee: Bank of Beijing Limited by Share Ltd. Shenzhen branch Pledgor: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd. Registration number: 2019440020032 |
|
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20120711 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |