CN102134093A - 一种注射法高温液相制备SnS2纳米六方片的方法 - Google Patents
一种注射法高温液相制备SnS2纳米六方片的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102134093A CN102134093A CN 201110103115 CN201110103115A CN102134093A CN 102134093 A CN102134093 A CN 102134093A CN 201110103115 CN201110103115 CN 201110103115 CN 201110103115 A CN201110103115 A CN 201110103115A CN 102134093 A CN102134093 A CN 102134093A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- nano
- organic solvent
- sns
- temperature liquid
- sns2
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
本发明涉及一种注射法高温液相制备SnS2纳米六方片的方法，包括：将有机溶剂在氮气保护下搅拌升温至120～130℃，并于120～130℃稳定0.5～2h，然后升温到200～360℃，向有机溶剂中注入0.02～1mol/L二乙基二硫代氨基甲酸锡前躯体的有机胺溶液，其中，锡前驱体溶液与有机溶剂体积比为1～5∶3，反应2-60min后，自然冷却至室温，洗涤分离沉淀，即得SnS2纳米六方片。本发明操作简单，无设备要求；所使用的各种溶剂均对环境友好，无高毒性物质产生；所得产物可制成“墨水”，用于印刷太阳能电池，容易规模化，具有良好的应用前景。
Description
技术领域
本发明属于SnS2薄膜太阳能电池材料的制备领域，特别涉及一种注射法高温液相制备SnS2纳米六方片的方法。
背景技术
在目前人类的能源消费结构中，石油、煤炭、天然气等矿物资源占到了人类能源供给量的80％以上。而此类传统的初级能源除了不可再生所造成的有限性外，另一个弊端就是使用后对环境的污染性，这也是人类面临的能源和环境两大难题。因此，能源安全和温室气体减排已经成为全球太阳能光伏发电产业发展背后的根本动力。
目前市场上应用的太阳电池仍以单晶硅/多晶硅电池为主，但薄膜太阳电池因其具有能量回收期短、生产制造成本低、可被制成柔性可卷曲形状、便于大面积连续生产等突出优势，被公认为未来太阳电池发展的主要方向，并已成为国际上研究最多的太阳电池技术之一。
SnS2作为一种n型半导体，宽带能隙大约为2.1eV，较宽的带隙使之具有良好的光学和电学特性；同时，Sn、S两种元素地球含量丰富、无毒，因此SnS2是一种很有前景的薄膜太阳能电池材料。一般地讲，制备半导体薄膜的方法都可以用来制备SnS2薄膜，如：化学气相沉积、电化学沉积、真空蒸发法等。但总体上，SnS2薄膜的制法研究还比较少。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种注射法高温液相制备SnS2纳米六方片的方法，该方法操作简单，无设备要求；所得产物可制成“墨水”，用于印刷太阳能电池。
本发明的一种注射法高温液相制备SnS2纳米六方片的方法，包括：
将有机溶剂在氮气保护下搅拌升温至120～130℃，并于120～130℃稳定0.5～2h，然后升温到200～360℃，向有机溶剂中注入0.02～1mol/L二乙基二硫代氨基甲酸锡前躯体的有机胺溶液，其中，锡前躯体溶液与有机溶剂体积比为1～5∶3，反应2-60min后，自然冷却至室温，洗涤分离沉淀，即得SnS2纳米六方片。
所述有机溶剂为油胺、油酸、十八烯中的一种或几种。
所述有机胺为油胺、十二胺或十六胺。
本发明是以二乙基二硫代氨基甲酸锡的含硫前驱体为金属和硫源，在高沸点有机物中，注入二乙基二硫代氨基甲酸锡的前驱体，注射法高温液相合成SnS2纳米六方片。
有益效果
(1)本发明操作简单，无设备要求；所使用的各种溶剂均对环境友好，无高毒性物质产生；
(2)所得产物可制成“墨水”，用于印刷太阳能电池，容易规模化，具有良好的应用前景。
附图说明
图1为本发明中制备的SnS2纳米六方片的TEM图片；
图2为本发明中制备的SnS2纳米六方片的SEM图片；
图3为本发明中制备的SnS2纳米六方片的XRD图谱，线状图为制备的SnS2的XRD图谱，柱状图为SnS2的XRD标准图谱。
具体实施方式
下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解，在阅读了本发明讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。
实施例1
量取15mL油胺放入圆底烧瓶中，磁力搅拌下缓慢升温至120℃，氮气保护，并在120℃稳定半个小时，除水和溶解氧，然后升温到320℃，向其中注入0.02mol/L二乙基二硫代氨基甲酸锡前躯体的油胺溶液5mL，溶液立即变为黄色。反应30min后，自然冷却至室温。将所得的金黄色SnS2沉淀用过量的乙醇洗涤分离，即得到SnS2纳米六方片。
实施例2
量取15mL油酸放入圆底烧瓶中，磁力搅拌下缓慢升温至120℃，氮气保护，并在120℃稳定半个小时，除水和溶解氧，然后升温到340℃，向其中注入0.05mol/L二乙基二硫代氨基甲酸锡前躯体的油胺溶液10mL，溶液立即变为黄色。反应30min后，自然冷却至室温。将所得的金黄色SnS2沉淀用过量的乙醇洗涤分离，即得到SnS2纳米六方片。
实施例3
量取15mL十八烯放入圆底烧瓶中，磁力搅拌下缓慢升温至120℃，氮气保护，并在120℃稳定半个小时，除水和溶解氧，然后升温到320℃，向其中注入0.07mol/L二乙基二硫代氨基甲酸锡前躯体的油胺溶液12mL，溶液立即变为黄色。反应60min后，自然冷却至室温。将所得的金黄色SnS2沉淀用过量的乙醇洗涤分离，即得到SnS2纳米六方片。
实施例4
量取5mL油胺、5mL油酸、5mL十八烯放入圆底烧瓶中，磁力搅拌下缓慢升温至120℃，氮气保护，并在120℃稳定半个小时，除水和溶解氧，然后升温到360℃，向其中注入0.05mol/L二乙基二硫代氨基甲酸锡前躯体的十二胺溶液25mL，溶液立即变为黄色。反应60min后，自然冷却至室温。将所得的金黄色SnS2沉淀用过量的乙醇洗涤分离，即得到SnS2纳米六方片。
实施例5
量取5mL油胺、5mL油酸、5mL十八烯放入圆底烧瓶中，磁力搅拌下缓慢升温至130℃，氮气保护，并在130℃稳定2个小时，除水和溶解氧，然后升温到200℃，向其中注入1mol/L二乙基二硫代氨基甲酸锡前躯体的十六胺溶液5mL，溶液立即变为黄色。反应2min后，自然冷却至室温。将所得的金黄色SnS2沉淀用过量的乙醇洗涤分离，即得到SnS2纳米六方片。
Claims (3)
1.一种注射法高温液相制备SnS2纳米六方片的方法，包括：
将有机溶剂在氮气保护下搅拌升温至120～130℃，并于120～130℃稳定0.5～2h，然后升温到200～360℃，向有机溶剂中注入0.02～1mol/L二乙基二硫代氨基甲酸锡前躯体的有机胺溶液，其中，锡前躯体溶液与有机溶剂体积比为1～5∶3，反应2-60min后，自然冷却至室温，洗涤分离沉淀，即得SnS2纳米六方片。
2.根据权利要求1所述的一种注射法高温液相制备SnS2纳米六方片的方法，其特征在于：所述有机溶剂为油胺、油酸、十八烯中的一种或几种。
3.根据权利要求1所述的一种注射法高温液相制备SnS2纳米六方片的方法，其特征在于：所述有机胺为油胺、十二胺或十六胺。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201110103115 CN102134093A (zh) | 2011-04-22 | 2011-04-22 | 一种注射法高温液相制备SnS2纳米六方片的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201110103115 CN102134093A (zh) | 2011-04-22 | 2011-04-22 | 一种注射法高温液相制备SnS2纳米六方片的方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102134093A true CN102134093A (zh) | 2011-07-27 |
Family
ID=44294050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 201110103115 Pending CN102134093A (zh) | 2011-04-22 | 2011-04-22 | 一种注射法高温液相制备SnS2纳米六方片的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102134093A (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102412394A (zh) * | 2011-10-20 | 2012-04-11 | 浙江大学 | 锂电池用层状二硫化锡/二氧化硅核壳纳米棒的制备方法 |
| CN102503161A (zh) * | 2011-10-19 | 2012-06-20 | 天津大学 | 一种SnS纳米晶薄膜的制备方法 |
| CN104362000A (zh) * | 2014-10-24 | 2015-02-18 | 南京晓庄学院 | SnS2纳米片制备方法、超薄SnS2纳米片及其应用 |
| CN105016378A (zh) * | 2014-04-21 | 2015-11-04 | 渤海大学 | 硫化锡纳米片的制备方法 |
| CN111644636A (zh) * | 2020-06-12 | 2020-09-11 | 陕西师范大学 | 一种高温液相可控合成锑纳米片的方法 |
| WO2022061981A1 (zh) * | 2020-09-25 | 2022-03-31 | 苏州大学 | 掺杂型金属硫化物及其制备和应用 |
| CN115571906A (zh) * | 2022-09-28 | 2023-01-06 | 上海应用技术大学 | 一种硫化亚锡量子点薄膜及其制备方法和应用 |
-
2011
- 2011-04-22 CN CN 201110103115 patent/CN102134093A/zh active Pending
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 《Chemical Communications》 20110322 Yejun Zhang et al. Ultralarge single crystal SnS rectangular nanosheets 第5226-5228页 1-3 第47卷, * |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102503161A (zh) * | 2011-10-19 | 2012-06-20 | 天津大学 | 一种SnS纳米晶薄膜的制备方法 |
| CN102412394A (zh) * | 2011-10-20 | 2012-04-11 | 浙江大学 | 锂电池用层状二硫化锡/二氧化硅核壳纳米棒的制备方法 |
| CN102412394B (zh) * | 2011-10-20 | 2013-10-09 | 浙江大学 | 锂电池用层状二硫化锡/二氧化硅核壳纳米棒的制备方法 |
| CN105016378A (zh) * | 2014-04-21 | 2015-11-04 | 渤海大学 | 硫化锡纳米片的制备方法 |
| CN104362000A (zh) * | 2014-10-24 | 2015-02-18 | 南京晓庄学院 | SnS2纳米片制备方法、超薄SnS2纳米片及其应用 |
| CN104362000B (zh) * | 2014-10-24 | 2017-02-01 | 南京晓庄学院 | SnS2纳米片制备方法、超薄SnS2纳米片及其应用 |
| CN111644636A (zh) * | 2020-06-12 | 2020-09-11 | 陕西师范大学 | 一种高温液相可控合成锑纳米片的方法 |
| WO2022061981A1 (zh) * | 2020-09-25 | 2022-03-31 | 苏州大学 | 掺杂型金属硫化物及其制备和应用 |
| CN115571906A (zh) * | 2022-09-28 | 2023-01-06 | 上海应用技术大学 | 一种硫化亚锡量子点薄膜及其制备方法和应用 |
| CN115571906B (zh) * | 2022-09-28 | 2024-03-01 | 上海应用技术大学 | 一种硫化亚锡量子点薄膜及其制备方法和应用 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102134093A (zh) | 一种注射法高温液相制备SnS2纳米六方片的方法 | |
| CN105776154A (zh) | 二硒化钨纳米片的制备方法 | |
| CN101891244B (zh) | 一种非注射法高温液相制备Cu2ZnSnS4的方法 | |
| CN101844797B (zh) | 一种水热合成制备太阳能吸收层材料Cu2ZnSnS4的方法 | |
| CN102126743B (zh) | 一种高温液相合成Cu2S八面体纳米晶的方法 | |
| CN105304872B (zh) | 一种镍离子掺杂硫化钴/导电基底复合材料的制备方法 | |
| CN101857382B (zh) | 一种片状碘氧化铋纳米薄膜电极的制备方法 | |
| CN103811189A (zh) | 一种钼酸钴与石墨烯纳米复合材料的制备方法 | |
| CN103441253B (zh) | 一种石墨烯/ZnO/聚苯胺复合材料及其制备方法和应用 | |
| CN104966763A (zh) | 一种提高钙钛矿太阳能电池效率的方法 | |
| CN104810159B (zh) | 一种锡掺杂磷化铟量子点敏化太阳能电池的制备方法 | |
| CN102219192A (zh) | 非注射法高温液相合成太阳能电池材料SnS纳米晶 | |
| Chen et al. | Sodium-ion storage mechanisms and design strategies of molybdenum-based materials: A review | |
| Chen et al. | Morphology selective electrodeposition of Cu2O microcrystals on ZnO nanotube arrays as efficient visible-light-driven photo-electrode | |
| CN102897722B (zh) | 一种α-In2Se3纳米花球溶剂热合成方法 | |
| CN102503161A (zh) | 一种SnS纳米晶薄膜的制备方法 | |
| CN102013327B (zh) | 氟离子掺杂的氧化锌多孔棱柱阵列薄膜及其制备和应用 | |
| CN109926086A (zh) | 氮掺杂碳泡沫@ws2纳米片三维网络复合结构的制备方法 | |
| CN101798108B (zh) | Cu2ZnSnS4纳米晶的制备方法 | |
| CN102856499A (zh) | 一种SnO2与P3HT杂化异质结薄膜太阳能电池的制备方法 | |
| CN111276340B (zh) | 一种Ce-Co-S复合材料及其制备方法和应用 | |
| CN102856539A (zh) | 一种基于CuO的锂离子电池用复合负极材料及其制备方法和应用 | |
| CN105037179A (zh) | 一种新型空穴传输材料及其制备方法和应用 | |
| CN102867918B (zh) | 低温液相法合成CdSe/P3HT超结构杂化纳米晶的方法 | |
| CN109301034A (zh) | 一种异质结薄膜光伏器件的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20110727 |