CN102121106A - 一种多晶硅碳头料分离腐蚀液及分离方法 - Google Patents

一种多晶硅碳头料分离腐蚀液及分离方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102121106A
CN102121106A CN2011100371277A CN201110037127A CN102121106A CN 102121106 A CN102121106 A CN 102121106A CN 2011100371277 A CN2011100371277 A CN 2011100371277A CN 201110037127 A CN201110037127 A CN 201110037127A CN 102121106 A CN102121106 A CN 102121106A
Authority
CN
China
Prior art keywords
carbon head
head material
solution
separation method
separation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2011100371277A
Other languages
English (en)
Inventor
王体虎
蔡延国
姚明辉
阮万魁
施正荣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Asia Silicon Qinghai Co Ltd
Original Assignee
Asia Silicon Qinghai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asia Silicon Qinghai Co Ltd filed Critical Asia Silicon Qinghai Co Ltd
Priority to CN2011100371277A priority Critical patent/CN102121106A/zh
Publication of CN102121106A publication Critical patent/CN102121106A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

一种多晶硅碳头料分离腐蚀液及分离方法。本发明涉及一种多晶硅碳头料的分离腐蚀液及分离方法,应用于处理气相沉积法生产的碳头料的分离方法及分离腐蚀液的制备。分离腐蚀液的特点是在其组分中按重量份含有:高纯硫酸溶液55~97,高锰酸钾2~30,钠盐1~15。分离方法的特点是含有以下步骤:一、将高纯硫酸溶液55~97重量份,高锰酸钾2~30重量份,钠盐1~15重量份混合、搅拌,形成混合液;二、取碳头料投入此混合液中浸泡1.5h~16h;三、取出碳头料、洗净后用重量比为硝酸:氢氟酸=5:1的洗涤液清洗其表面,时间为:1~3min;四、将处理后的料用纯水超声波清洗30min,烘干。

Description

一种多晶硅碳头料分离腐蚀液及分离方法
技术领域
本发明涉及一种石墨与多晶硅料的分离腐蚀液及分离方法。尤其是涉及一种处理气相沉积反应生产的多晶硅材料中硅料与石墨材料的分离腐蚀液的制备及分离方法。
背景技术
随着现代化建设的快速发展,尤其是光伏行业及电子信息产业的迅猛发展,我国生产多晶硅生产企业遍地开花,到2012年全国产能将达到98000吨,但是由于多晶硅在气相沉积反应过程中会有一部分硅料与石墨卡瓣连在一起,难以分离,俗称“碳头料”。由于硅碳面结合非常紧密,不能直接使用,被作为废料处理,形成巨大的资源浪费。目前一般采用人工将碳头料中未与石墨接触的多晶硅料敲下来的方法进行分离。但是由于硅和碳有很多相似的物理、化学性质,即使人工将“碳头料”中未与石墨接触的多晶硅料敲下来使用,其中碳含量仍然较高,严重影响多晶硅的品质;同时处理不妥还会额外带来一些杂质,不能保证硅料表面杂质完全被清除。
发明内容
为克服现有技术的缺点,本发明的目的是提供一种多晶硅材料与石墨材料的分离腐蚀液。本发明的第二目的是提供一种多晶硅材料与石墨材料的分离方法。
本发明的技术方案
多晶硅碳头料分离腐蚀液的特点是:在其组分中按重量份含有:高纯硫酸溶液55~97,高锰酸钾2~30,钠盐1~15。
多晶硅碳头料分离腐蚀液的另一特点是:所述的高纯硫酸溶液质量浓度为95~98%;上述钠盐为乙酸钠、氯化钠、硫酸钠三种之一。
多晶硅“碳头料”分离方法的特点是:含有以下步骤:一、配制分离液,将高纯硫酸溶液55~97重量份,高锰酸钾2~30重量份,钠盐1~15重量份混合并充分搅拌,形成混合液;二、取碳头料投入此混合液中浸泡1.5h~16h;三、取出碳头料、洗净后用重量比为硝酸:氢氟酸 = 5:1的洗涤液清洗其表面酸斑,时间控制为:1~3 min;四、将处理后的料用纯水超声波清洗30min,烘干。
多晶硅碳头料的分离方法的另一特点是:所述的高纯硫酸溶液质量浓度为95~98%,硝酸溶液质量浓度为60~70%,氢氟酸质量浓度为40%。
多晶硅碳头料的分离方法的另一特点是:在步骤一中混合时将高锰酸钾少量、多次加入高纯硫酸中,添加期间需要搅拌;再将钠盐少量多次加入上述所得溶液,并充分搅拌。
本发明具有如下的优点和效果:
1、该分离腐蚀液可将“碳头料”的石墨部分完全腐蚀掉,所以能有效提高多晶硅“碳头料”分离效果,大大提高多晶硅的品质,还能降低工业化生产成本,提高原材料的利用率。
2、该分离腐蚀液不易挥发,稳定,腐蚀效果好,无残留,不会损伤硅材料,废液可循环利用,对环境影响较小且腐蚀液配方原料廉价易得。
3、该分离方法实现了对“碳头料”中硅碳两种物质分离还不损伤到硅料,即:将碳头料上的石墨杂质除去,又通过后续情况处理使其达到太阳能级多晶硅的清洁要求,提高了原料的可利用率。
具体实施方式
实施例1、一、在PP槽内配置分离液:将高纯硫酸溶液(质量浓度98%)87kg,高锰酸钾10kg,氯化钠3kg混合并充分搅拌,形成混合液;二、取碳头料投入此混合液中浸泡2h;三、取出碳头料、用清水洗净后,通过酸洗篮子用重量比为硝酸:氢氟酸 = 5:1的洗涤液清洗其表面酸斑,时间控制为:1~3 min;四、将处理后的料放入超声波纯水清洗机清洗30min,烘干,即可。本例中硝酸溶液质量浓度70%。
实施例2、一、在PP槽内配置分离液:将高纯硫酸溶液(质量浓度97%)55kg,高锰酸钾30kg,乙酸钠15kg混合并充分搅拌,形成混合液;二、取碳头料投入此混合液中浸泡10h;三、取出碳头料、用清水洗净后,通过酸洗篮子用重量比为硝酸:氢氟酸 = 5:1的洗涤液清洗其表面酸斑,时间控制为:1~3 min;四、将处理后的料放入超声波纯水清洗机清洗30min,烘干,即可。本例中硝酸溶液质量浓度65%。
实施例3、一、在PP槽内配置分离液:将高纯硫酸溶液(质量浓度98%)65kg,高锰酸钾20kg,硫酸钠15kg混合并充分搅拌,形成混合液;二、取碳头料投入此混合液中浸泡14h;三、取出碳头料、用清水洗净后,通过酸洗篮子用重量比为硝酸:氢氟酸 = 5:1的洗涤液清洗其表面酸斑,时间控制为:1~3 min;四、将处理后的料放入超声波纯水清洗机清洗30min,烘干,即可。本例中硝酸溶液质量浓度60%。
实施例4、一、在PP槽内配置分离液:将高纯硫酸溶液(质量浓度95%)75kg,高锰酸钾15kg,硫酸钠10kg混合并充分搅拌,形成混合液;二、取碳头料投入此混合液中浸泡8h;三、取出碳头料、用清水洗净后,通过酸洗篮子用重量比为硝酸:氢氟酸 = 5:1的洗涤液清洗其表面酸斑,时间控制为:1~3 min;四、将处理后的料放入超声波纯水清洗机清洗30min,烘干,即可。本例中硝酸溶液质量浓度65%。
实施例5、一、在PP槽内配置分离液:将高纯硫酸溶液(质量浓度97%)90kg,高锰酸钾3kg,乙酸钠7kg混合并充分搅拌,形成混合液;二、取碳头料投入此混合液中浸泡16h;三、取出碳头料、用清水洗净后,通过酸洗篮子用重量比为硝酸:氢氟酸 = 5:1的洗涤液清洗其表面酸斑,时间控制为:1~3 min;四、处理后的料放入超声波纯水清洗机清洗30min,烘干,即可。本例中硝酸溶液质量浓度60%。
实施例6、一、在PP槽内配置分离液:将高纯硫酸溶液(质量浓度95%)97kg,高锰酸钾2kg,氯化钠1kg混合并充分搅拌,形成混合液;二、取碳头料投入此混合液中浸泡4h;三、取出碳头料、用清水洗净后,通过酸洗篮子用重量比为硝酸:氢氟酸 = 5:1的洗涤液清洗其表面酸斑,时间控制为:1~3 min;四、将处理后的料放入超声波纯水清洗机清洗30min,烘干,即可。本例中硝酸溶液质量浓度68%。
上述实施例中,所述的高纯硫酸溶液质量浓度为95~98%,硝酸溶液质量浓度为60~70%,氢氟酸质量浓度为40%。分离液组成为:高纯硫酸溶液55~97重量份,高锰酸钾2~30重量份,钠盐1~15重量份。其作用分别为:高纯硫酸与高锰酸钾反应生成强氧化性的七氧化二锰,钠盐作为提高分离液中有效成分含量的辅剂添加。经该方法处理后,石墨膨胀软化,完全与多晶硅分离;经检测,分离后的多晶硅各项指标符合要求。

Claims (6)

1.一种多晶硅碳头料分离腐蚀液,其特征在于在其组分中按重量份含有:高纯硫酸溶液55~97,高锰酸钾2~30,钠盐1~15。
2.如权利要求1所述的一种多晶硅碳头料分离腐蚀液,其特征在于所述的高纯硫酸溶液质量浓度为95~98%。
3.如权利要求1所述钠盐包括的是乙酸钠、氯化钠、硫酸钠三种之一。
4.一种多晶硅碳头料的分离方法,其特征在于含有以下步骤:一、配制分离液,将高纯硫酸溶液55~97重量份,高锰酸钾2~30重量份,钠盐1~15重量份混合并充分搅拌,形成混合液;二、取碳头料投入此混合液中浸泡1.5h~16h;三、取出碳头料、洗净后用重量比为硝酸:氢氟酸 = 5:1的洗涤液清洗其表面酸斑,时间控制为:1~3 min;四、将处理后的料用纯水超声波清洗30min,烘干。
5.如权利要求4所述的一种多晶硅碳头料的分离方法,其特征在于所述的高纯硫酸溶液质量浓度为95~98%,硝酸溶液质量浓度为60~70%,氢氟酸质量浓度为40%。
6.如权利要求4或5所述的一种多晶硅碳头料的分离方法,其特征在于在步骤一中混合时将高锰酸钾少量、多次加入高纯硫酸中,添加期间需要搅拌;再将钠盐少量多次加入上述所得溶液,并充分搅拌。
CN2011100371277A 2010-11-26 2011-02-14 一种多晶硅碳头料分离腐蚀液及分离方法 Pending CN102121106A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011100371277A CN102121106A (zh) 2010-11-26 2011-02-14 一种多晶硅碳头料分离腐蚀液及分离方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201010560231.X 2010-11-26
CN201010560231 2010-11-26
CN2011100371277A CN102121106A (zh) 2010-11-26 2011-02-14 一种多晶硅碳头料分离腐蚀液及分离方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102121106A true CN102121106A (zh) 2011-07-13

Family

ID=44249767

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2011100371277A Pending CN102121106A (zh) 2010-11-26 2011-02-14 一种多晶硅碳头料分离腐蚀液及分离方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102121106A (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102320609A (zh) * 2011-08-11 2012-01-18 亚洲硅业(青海)有限公司 一种新型多晶硅碳头料的物理分离方法
CN102424973A (zh) * 2011-12-26 2012-04-25 昆山全亚冠环保科技有限公司 一种鎳銅合金金相腐蚀剂
CN102962224A (zh) * 2012-11-06 2013-03-13 安徽日能中天半导体发展有限公司 一种原生多晶碳头料的清洗方法
DE102014201096A1 (de) 2014-01-22 2015-07-23 Wacker Chemie Ag Verfahren zur Herstellung von polykristallinem Silicium
CN109821811A (zh) * 2019-01-31 2019-05-31 内蒙古通威高纯晶硅有限公司 一种多晶硅碳头料的处理溶液及处理方法
CN114014323A (zh) * 2022-01-06 2022-02-08 南通友拓新能源科技有限公司 一种高温高压碳硅分离工艺及装置

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102320609A (zh) * 2011-08-11 2012-01-18 亚洲硅业(青海)有限公司 一种新型多晶硅碳头料的物理分离方法
CN102320609B (zh) * 2011-08-11 2016-01-20 亚洲硅业(青海)有限公司 一种新型多晶硅碳头料的物理分离方法
CN102424973A (zh) * 2011-12-26 2012-04-25 昆山全亚冠环保科技有限公司 一种鎳銅合金金相腐蚀剂
CN102962224A (zh) * 2012-11-06 2013-03-13 安徽日能中天半导体发展有限公司 一种原生多晶碳头料的清洗方法
CN102962224B (zh) * 2012-11-06 2014-11-12 安徽日能中天半导体发展有限公司 一种原生多晶碳头料的清洗方法
DE102014201096A1 (de) 2014-01-22 2015-07-23 Wacker Chemie Ag Verfahren zur Herstellung von polykristallinem Silicium
US10077192B2 (en) 2014-01-22 2018-09-18 Wacker Chemie Ag Method for producing polycrystalline silicon
CN109821811A (zh) * 2019-01-31 2019-05-31 内蒙古通威高纯晶硅有限公司 一种多晶硅碳头料的处理溶液及处理方法
CN114014323A (zh) * 2022-01-06 2022-02-08 南通友拓新能源科技有限公司 一种高温高压碳硅分离工艺及装置
CN114014323B (zh) * 2022-01-06 2022-03-15 南通友拓新能源科技有限公司 一种高温高压碳硅分离工艺及装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102121106A (zh) 一种多晶硅碳头料分离腐蚀液及分离方法
TWI511196B (zh) Method of Polishing Silica Flocking Cleaning Process
CN102634800A (zh) 一种晶体硅太阳能电池较难清洗返工片的清洗方法
CN101406824B (zh) 一种处理变压器废油的吸附剂及其生产方法
CN103111434A (zh) 一种蓝宝石加工最终清洗工艺
CN102403251A (zh) 一种晶体硅片预清洗液及其预清洗工艺
CN104064503A (zh) 石墨舟的清洗工艺
CN102020280B (zh) 一种抑制硅料酸洗时产生黄色烟雾的方法
CN101898769A (zh) 一种高纯氟化氢铵的生产方法
CN107039241A (zh) 一种超薄硅的化学切割方法
CN105441200A (zh) 半导体硅片脱胶清洗液及生产方法
CN104399702A (zh) 一种二极管芯片酸洗工艺
CN102254953A (zh) N型少子寿命大于1000微秒太阳能硅片制造方法
CN104445206A (zh) 一种硅块表面氮化硅的清洗方法
CN101826451A (zh) 一种超薄氧化层生长前清洗工艺
CN107393813A (zh) 一种二极管芯片的酸洗工艺
CN107502899A (zh) 洗白除垢液及其用途以及铝合金的前处理方法
CN104752566A (zh) 多晶硅电池制绒工艺
CN103042009B (zh) 一种多晶硅料生产还原炉用电极保护罩的清洗方法
CN107354513B (zh) 一种高效稳定的锗单晶片腐蚀工艺
CN103628081B (zh) 一种金属铅表面的清洗剂及清洗方法
CN102962224B (zh) 一种原生多晶碳头料的清洗方法
CN101515539A (zh) 重掺杂锑硅片的减薄腐蚀方法
CN107934988A (zh) 一种氟化氢铵的制备方法
CN101937845A (zh) 一种二极管台面处理工艺

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20110713