CN102120927A - 半导体器件用粘结剂组合物和包括该组合物的芯片贴装膜 - Google Patents

半导体器件用粘结剂组合物和包括该组合物的芯片贴装膜 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种用于半导体器件的粘结剂组合物。所述粘结剂组合物包括弹性体树脂、环氧树脂、可固化树脂和填料。所述环氧树脂包括双官能团环氧树脂和多种多官能团环氧树脂。基于100重量份的环氧树脂的总量，双官能团环氧树脂以20～60重量份的量存在。由于存在所述双官能团环氧树脂，所述粘结剂组合物在125℃半固化后，在170℃下具有1.5×106泊～2.30×106泊的剪切粘度。本发明进一步公开了包括所述粘结剂组合物的用于半导体器件的芯片贴装膜。

Description

半导体器件用粘结剂组合物和包括该组合物的芯片贴装膜
技术领域
本发明涉及半导体封装技术。更具体地，本发明涉及能抑制空隙形成的用于半导体器件的粘结剂组合物，以及包括该粘结剂组合物的芯片贴装膜。
背景技术
为了跟上更小并高度集成的半导体器件的发展趋势，已引入了芯片贴装膜(DAF)，用于在切割工艺中使半导体芯片相互层压或使半导体芯片粘贴到衬底上。对于半导体组装，芯片贴装膜用于在锯切工艺中支撑晶圆以将晶圆切成单个晶片，在拾取工艺中拾取晶片，以及在切割工艺中固定晶片。将被拾取的晶片中的一个以粘结剂层粘结到其下表面上的状态固定在封装衬底上或固定在另一个晶片上。粘结剂层用于保持封装衬底和上覆芯片之间或芯片之间的接合。
当半导体晶圆被粘贴到芯片贴装膜的粘结剂层上时，在晶圆或半导体芯片表面与粘结剂层之间会产生间隙，导致形成空隙。此外，空隙还会在芯片贴装之后以使粘结剂层半固化的半固化工艺中形成。一旦形成空隙，它们应在随后的用环氧塑封料(EMC)的塑封期间去除。用EMC塑封的封装体中未去除的空隙成为导致封装体中形成裂缝的因素，从而在封装体中产生缺陷。提高粘结剂层中可固化组分的含量是一种抑制空隙形成的方法。然而，这种方法会产生芯片贴装膜的低抗张强度，从而导致切割工艺中膜切断或导致拾取工艺失败。因此，需要开发能减少空隙形成的改进的粘结剂组合物。
发明内容
本发明的一个方面提供一种包括粘结剂组合物的用于半导体器件的粘结剂膜，所述粘结剂组合物包括：50～80重量份的弹性体树脂；10～20重量份的环氧树脂，所述环氧树脂包括双官能团环氧树脂和多种多官能团环氧树脂，相对于100重量份的所述环氧树脂总量，所述双官能团环氧树脂以20～60重量份的量存在；1～10重量份的可固化树脂；0.01～10重量份的固化促进剂；0.01～10重量份的硅烷偶联剂；和5～10重量份的填料，其中由于存在所述双官能团环氧树脂，所述粘结剂组合物在125℃半固化后，在170℃下具有1.5×106泊～2.30×106泊的剪切粘度。
本发明的另一方面提供一种用于半导体器件的粘结剂组合物，包括：50～80重量份的弹性体树脂；10～20重量份的环氧树脂，所述环氧树脂包括双官能团环氧树脂和多种多官能团环氧树脂，相对于100重量份的所述环氧树脂总量，所述双官能团环氧树脂以20～60重量份的量存在；1～10重量份的可固化树脂；0.01～10重量份的固化促进剂；0.01～10重量份的硅烷偶联剂；和5～10重量份的填料。
本发明的又一方面提供一种用于半导体器件的芯片贴装膜，包括：包括上述粘结剂组合物的粘结剂层；和用于支撑所述粘结剂层的基层。
本发明的又一方面提供一种用于半导体器件的芯片贴装膜，用于使半导体晶片相互粘贴，或者使半导体晶片粘贴到衬底上，所述芯片贴装膜包括：弹性体树脂；双官能团环氧树脂；多种多官能团环氧树脂；和填料，其中由于存在所述双官能团环氧树脂，所述芯片贴装膜在125℃半固化后，在170℃下具有1.5×106泊～2.30×106泊的剪切粘度。
附图说明
图1是说明根据本发明实施方式的用于半导体器件的芯片贴装膜的视图；且
图2和图3说明芯片封装体的视图，每个芯片封装体包括由根据本发明实施方式的半导体器件用粘结剂组合物形成的粘结剂层。
具体实施方式
本发明提供一种在用环氧塑封料(EMC)塑封期间能有效除去在芯片贴装工艺中形成的空隙的半导体器件用粘结剂组合物。由该粘结剂组合物引起的空隙有效去除提升了半导体封装体的可靠性。本发明还提供一种包括该粘结剂组合物的芯片贴装膜。
本发明的实施方式提供用于半导体器件的粘结剂组合物，该粘结剂组合物用于芯片贴装膜(DAF)和包括该粘结剂组合物的芯片贴装膜。此粘结剂组合物包括双官能团环氧树脂和多种多官能团环氧树脂作为树脂组分以使其在固化之后EMC塑封之前也保持较低的剪切粘度。基于100重量份的环氧树脂总量，双官能团环氧树脂可以30～50重量份的量存在。
粘结剂组合物在125℃的烘箱中进行60分钟两次半固化后，在170℃下用ARES流变仪测定，具有1.5×106泊～2.30×106泊的剪切粘度。大于2.30×106泊，粘结剂组合物去除空隙的能力显著降低。低于1.5×106泊，在回流后证实粘结剂组合物的芯片剪切强度大幅度降低。由该粘结剂组合物形成的粘结剂层在随后的170℃的EMC塑封期间促进了空隙的有效去除，以防止在EMC塑封之后残留空隙。而且，在芯片贴装过程中产生的界面空隙通过在EMC塑封期间施压而外逸或消散在粘结剂层。
图1表示根据本发明实施方式的用于半导体器件的芯片贴装膜。
参照图1，粘结剂层120形成在基膜100上。粘结剂层120由包括双官能团环氧树脂和多种多官能团环氧树脂作为环氧树脂的粘结剂组合物形成。基膜100可为聚乙烯基化合物、聚烯烃或聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜。作为覆盖膜的PET膜可附着到粘结剂层120上。
以下将解释粘结剂组合物的各组分。
有机溶剂
有机溶剂用于降低粘结剂组合物的粘度，以促进成膜组分混合。膜中残留的有机溶剂量限制为小于2％，因为残留有机溶剂会负面影响膜的物理性能。
作为有机溶剂，可使用例如苯、丙酮、甲乙酮、四氢呋喃、二甲基甲酰胺、环己烷、丙二醇单甲醚乙酸酯或环己酮。有机溶剂使得粘结剂组合物均匀以减少加工过程中可能形成的空隙数量。而且，少量残留有机溶剂用于软化膜。
弹性体树脂
弹性体树脂可为丙烯酸类聚合物树脂。弹性体树脂为可含有羟基、羧基或环氧基的橡胶组分。丙烯酸类聚合物树脂的玻璃化转变温度和分子量通过选择用于聚合的适宜单体而易于控制。特别有利的是容易向丙烯酸类聚合物树脂的侧链引入官能团。用于通过共聚反应制备丙烯酸类聚合物树脂的适宜单体包括丙烯腈、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸丁酯、丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸、(甲基)丙烯酸-2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸甲酯、苯乙烯单体、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、丙烯酸异辛酯和甲基丙烯酸硬脂酸酯。
丙烯酸类聚合物树脂可基于它们的环氧当量、玻璃化转变温度和分子量进行分类。例如，环氧当量不大于10000的SG-P3系列产品(Nagase Chemtex)可用作丙烯酸类聚合物树脂。基于100重量份的粘结剂组合物，丙烯酸类聚合物树脂可以50～80重量份(wt％)的量存在。丙烯酸类聚合物树脂以小于50重量份的量存在会妨碍膜的形成。同时，丙烯酸类聚合物树脂以大于80重量份的量存在会导致可靠性劣化。
环氧树脂
环氧树脂可为那些具有足以呈现强固化和粘结功能的高交联密度的环氧树脂。环氧树脂的交联密度通过混合双官能团环氧树脂和多种多官能团环氧树脂来控制，以使粘结剂组合物在固化后也具有低剪切粘度。基于100重量份的环氧树脂总量，双官能团环氧树脂可以20～60重量份(wt％)的量存在。
适宜的双官能团环氧树脂包括双酚F、双酚A和双酚AD环氧树脂。例如，双酚F环氧树脂，例如可从Kukdo Chemical有限公司商购的YSLV-80XY可用作双官能团环氧树脂。加入双官能团环氧树脂以在半固化后也保持粘结剂组合物的低粘度。双官能团环氧树脂的其他实例包括可从Yuka Shell Epoxy有限公司商购的Epicoat 807、Epicoat 827和Epicoat 828；可从陶氏化学品商购的D.E.R 330、D.E.R.331和D.E.R.361；和可从Tohto Kasei有限公司商购的YD 128和YDF 170。
多种多官能团环氧树脂混合物的使用促使粘结剂组合物以更稳定的方式固化。多官能团环氧树脂的实例包括邻甲酚醛型环氧树脂，例如可从KukdoChemical有限公司商购的YDCN-500-90P，和线型酚醛型环氧树脂，例如可从Nippon Kayaku有限公司商购的EPPN-501H。
基于100重量份的环氧树脂总量，多种多官能团环氧树脂可以至少40重量份的量存在。多种多官能团环氧树脂以少于40重量份的量存在会降低粘结剂组合物的交联密度。此交联密度可导致最终结构的内部键合强度的降低，从而导致可靠性方面的问题。有效的是将多种多官能团环氧树脂与双官能团环氧树脂以1∶1.1～1∶0.2的比例混合。更有效的是将多种多官能团环氧树脂与双官能团环氧树脂以3.09∶0.78～2.23∶1.46的比例混合。多种多官能团环氧树脂中的每一种可为甲酚醛型环氧树脂和线型酚醛型环氧树脂的混合物。此时，甲酚醛型环氧树脂与线型酚醛型环氧树脂的混合比在1∶0.8～1∶1.7的范围内，有效地为1.92∶1.03～1.51∶1.58。
基于100重量份的粘结剂组合物，环氧树脂可以5～50重量份的量存在，例如10～20重量份。环氧树脂以少于5重量份的量存在会阻止完全固化，导致可靠性恶化。同时，环氧树脂以超过50重量份的量存在会使膜的相容性劣化。
环氧树脂可具有100～1500g/eq的环氧当量，有效地为150～800g/eq，更有效地为150～400g/eq。如果环氧树脂的环氧当量低于100g/eq，固化后膜的粘附性趋于变差。同时，如果环氧树脂的环氧当量高于1500g/eq，粘结剂组合物趋于具有低玻璃化转变温度和较差的耐热性。
可固化的酚醛树脂
可固化的酚醛树脂单个分子中具有两个或更多个酚羟基。适宜的可固化的酚醛树脂包括双酚A、双酚F和双酚S树脂、线型酚醛树脂、双酚A酚醛清漆树脂、甲酚醛树脂、新酚树脂和联苯树脂，这些树脂中吸湿时都高度耐电解腐蚀。可固化的酚醛树脂可为具有单一酚醛结构的酚醛树脂，例如，可从Meiwa Kasei有限公司得到的HF-1M。
可固化的酚醛树脂具有100～600g/eq的羟基当量，且有效地为170～300g/eq。具有小于100g/eq的羟基当量的可固化的酚醛树脂呈现出吸湿性高和耐回流性差。同时，具有大于600g/eq的羟基当量的可固化的酚醛树脂呈现出低玻璃化转变温度和耐热性差。
基于100重量份的粘结剂组合物，可固化的酚醛树脂可以1～10重量份的量存在，有效地为3～6重量份。
可固化的酚醛树脂可与可固化的氨基树脂组合使用。例如，可固化的氨基树脂可为从Wako Chemical有限公司得到的DDS。基于100重量份的粘结剂组合物，可固化的氨基树脂可以1～10重量份，例如1～3重量份的量存在。可固化的酚醛树脂和可固化的氨基树脂可以约1∶0.2～约1∶0.6的比例添加。
固化促进剂
添加固化促进剂以控制粘结剂组合物的固化速率。适宜的固化促进剂包括膦类固化促进剂、硼类固化促进剂和咪唑类固化促进剂。例如，固化促进剂可为从Hokko Chemical Industry有限公司得到的TPP-K。基于100重量份的粘结剂组合物，固化促进剂可以0.01～10重量份，例如0.12～0.3重量份的量存在。
硅烷偶联剂
添加硅烷偶联剂以增强无机材料(例如氧化硅)表面和芯片贴装膜的树脂组分之间的附着力。硅烷偶联剂可为本领域常用的任何一种。硅烷偶联剂可为可从Shin-Etsu Chemical有限公司商购的KBM-303。基于100重量份的粘结剂组合物，硅烷偶联剂可以0.01～10wt％的量存在，且有效地为1～3wt％。
填料
添加填料以调节粘结剂组合物的熔融粘度。需要时，填料可使用无机或有机填料。用于制备粘结剂组合物的适宜无机填料的实例包括：金属组分，例如金、银、铜和镍粉；和非金属组分，例如矾土、氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、硅酸钙、硅酸镁、氧化钙、氧化镁、氧化铝、氮化铝、氧化硅、氮化硼、二氧化钛、玻璃、氧化铁和陶瓷。适宜的有机填料实例包括碳、橡胶填料和聚合物填料。对填料的形状和大小没有特别限制。例如，填料可为球状氧化硅。填料可具有500nm～5μm的粒径。例如，粘结剂组合物可包括从德固萨商购的R-972作为填料。基于100重量份的粘结剂组合物，填料可以1～40重量份，例如5～10重量份的量使用。
粘结剂组合物通过将弹性体树脂、环氧树脂、可固化的酚醛树脂、可选择的可固化的氨基树脂、固化促进剂、硅烷偶联剂和填料溶解在有机溶剂如甲乙酮或环己酮中来制备。粘结剂组合物用球磨机捏合，用涂料器涂布到离型处理过的PET膜，并在烘箱中于80～120℃，有效地在100℃下干燥10～30分钟以形成粘结剂层，完成图1中所示的芯片贴装膜的制作。粘结剂层(由图1中标记120表示)可形成为5μm～200μm的厚度，有效地为5～100μm的厚度。如果粘结剂层比5μm薄，难以得到充分的粘结强度。同时，粘结剂形成厚于200μm，经济上不利。
图2和图3示出了根据本发明实施方式的使用芯片贴装膜的半导体封装体。
参照图2和图1，固定晶圆，使其与形成在基层100上的粘结剂层120接触，并通过锯切切割成单个芯片201。拾取芯片201中的一个并固定在封装衬底300上，使得粘结剂层120直接粘贴到封装衬底300上。将另一个芯片201固定在前述芯片201上以构成多层芯片封装体，例如四芯片封装体(QDP)或二芯片封装体(DDP)。随后，将包括固定在其中的芯片201的芯片封装体在125℃下半固化60分钟。半固化是用于使粘结剂层半固化的工艺。如果需要，半固化可重复二到六次。
芯片贴装和/或固化会留下空隙，该空隙由下层粘结剂层120与封装衬底300之间界面处不均匀的间隙产生，或者由粘结剂层120和芯片201之间的界面处不均匀的间隙产生。空隙会因封装衬底、粘结剂层和芯片的粗糙表面而形成。
参照图3，塑封层400通过用环氧塑封料(EMC)塑封芯片封装体形成。例如，EMC可为从第一毛织株式会社得到SG-8500B。塑封在170℃下进行60秒钟。由于粘结剂层120相对较低的剪切粘度，空隙在塑封期间从下层粘结剂层120和封装衬底300之间界面和其他界面外逸或消散在粘结剂层120。也就是说，粘结剂层120相对较低的剪切粘度能使空隙从芯片封装体中除去。粘结剂层120的粘度太高使得实质上难以迁移或去除空隙，导致塑封后仍留有空隙的危险。在本发明的实施方式中，粘结剂层120的剪切粘度在固化后仍保持很低，从而有利于去除空隙。因此，能有效抑制由空隙产生的缺陷，例如裂缝或断裂。
对于粘结剂层形成的其他实施方式的具体细节包括在以下说明和附图中。由下文详细说明的下列实施方式，本发明的优点和特征及用于实现它们的方法将变得更为显而易见。然而，本发明不限于已说明的实施方式，并可以多种不同形式实施。相反，提供公开的实施方式，使得本发明的公开彻底且完整，并将本发明的范围完整地传递给本发明所述领域的技术人员。本发明的范围由以上权利要求书限定。
实施例
实施例1～3和对比例1：粘结剂组合物的制备
如表1所示，将各组分溶解在作为有机溶剂的环己酮中以制得粘结剂组合物。
表1
Figure BSA00000403905300091
注：
(1)弹性体树脂：SG-P3，Nagase Chemtex
(2)环氧树脂：YDCN-500-90P，Kukdo Chemical
(3)环氧树脂：YSLV-80XY，Kukdo Chemical
(4)环氧树脂：EPPN-501H，Nippon Kayaku
(5)可固化的酚醛树脂：HF-1M，Meiwa Kasei
(6)可固化的氨基树脂：DDS，Wako chemical
(7)硅烷偶联剂：KBM-403，Shinetsu
(8)固化促进剂：TPP-K，HOKKO
(9)填料：R-972，德固萨
*将环己酮用作有机溶剂
粘结剂层的形成
每种组合物用球磨机捏合，并用涂料器涂布到作为基层的离型处理过的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜上，并在烘箱中于100℃下干燥30分钟以形成100μm厚的粘结剂层，完成用于半导体组装的芯片贴装膜的制作。
评价芯片贴装膜的物理性能，且其结果示于表2中。
表2
Figure BSA00000403905300101
注：在烘箱中于125℃下半固化60分钟定义为一次。
芯片贴装膜的物理性能评价
通过以下方法评价实施例1～3和对比例1中制得的芯片贴装膜的物理性能。
(1)用差示扫描量热法(DSC)(加热速率＝10℃/min，扫描范围＝0～300℃)测定每种粘结剂组合物的固化期间放出的热量。
(2)固化残留比：将每种粘结剂组合物在烘箱中于125℃下半固化60分钟，这被定义为一次。在进行两次半固化之后，测量放热量。固化残留比通过将两次半固化后的放热量除以初始固化期间放出的热量来计算。
(3)通过塑封去除空隙：将各个膜固定在涂有氧化硅(SiO2)的100μm厚的晶圆上，并切成具有8mm×8mm和10mm×10mm大小的片。将这些片粘贴到QDP封装体上以形成双层结构，随后进行两次半固化。将固化后的芯片封装体用EMC(SG-8500B，第一毛织株式会社)在170℃下塑封60秒。用超声波断层扫描法(SAT)确定芯片封装体中是否存在空隙。当空隙占据面积不大于10％时判断为“去除”，且当空隙占据面积超过10％时判断为“未去除”。
(4)芯片剪切强度：将涂有二氧化物膜的530μm厚的晶圆切成具有5mm×5mm大小的芯片。在60℃下将这些芯片与各芯片贴装膜层压。将该层压体切成只留下贴装部分。下层晶片位于合金42引线框(10mm×10mm)上。将所得结构在120℃的热板上、1kgf的负荷下受压1秒，以使芯片粘贴到引线框上，然后在170～175℃下固化2小时。使测试片在85℃和85RH％下吸湿168小时，并在260℃的最高温度下进行三次回流。在250℃下测定测试片的芯片剪切力。
(5)塑封前的剪切粘度：将每种粘结剂组合物在烘箱中于125℃下半固化60分钟，这被定义为一次。两次半固化后，用ARES流变仪在170℃下测定粘结剂组合物的剪切粘度。此时，考虑到模具压力，施加1kgf的压力。
由表2中的结果可看出，实施例1～3的粘结剂组合物表现出高固化残留比(≥50％)并判断空隙为“去除”。相比之下，对比例1的粘结剂组合物被判判为空隙“未去除”。此外，与对比例1的粘结剂组合物相比，实施例1～3的粘结剂组合物具有非常低的剪切粘度。这些结果证实了空隙有效地消散在实施例1～3的粘结剂层中。
由前述说明显而易见的是，本发明的实施方式可用于半导体器件用芯片贴装膜以在随后的EMC塑封过程中有效去除在芯片贴装和/或固化期间可形成的空隙，从而实现封装处理的高可靠性。处理过程中产生的空隙应通过EMC塑封去除。根据现有技术，由于粘结剂层的高模量而不能充分去除空隙。相比之下，本发明的粘结剂组合物中的双官能团环氧树脂的使用能在芯片贴装和两次半固化之后仍保持低的膜剪切粘度。
粘结剂层的低粘度实现了EMC塑封期间空隙的顺利迁移以促使空隙有效去除。此外，用于调节固化密度的双官能团环氧树脂的添加能在芯片贴装和半固化期间保持粘结剂层的低剪切粘度。实现较高的界面粘结强度。因此，该粘结剂组合物能赋予半导体晶片和封装衬底之间的界面或半导体晶片之间的界面以更高的粘结强度，以抑制空隙的形成，并防止空隙残留在封装体中，从而提高封装体的可靠性。

Claims (13)

1.一种用于半导体器件的粘结剂组合物，包括：
50～80重量份的弹性体树脂；
10～20重量份的环氧树脂，所述环氧树脂包括双官能团环氧树脂和多种多官能团环氧树脂，相对于100重量份的所述环氧树脂总量，所述双官能团环氧树脂以20～60重量份的量存在；
1～10重量份的可固化树脂；
0.01～10重量份的固化促进剂；
0.01～10重量份的硅烷偶联剂；和
5～10重量份的填料。
2.如权利要求1所述的用于半导体器件的粘结剂组合物，其中所述多种多官能团环氧树脂与所述双官能团环氧树脂以1∶1.1～1∶0.2的重量比(w/w)混合。
3.如权利要求1所述的用于半导体器件的粘结剂组合物，其中所述多种多官能团环氧树脂与所述双官能团环氧树脂以3.09∶0.78～2.23∶1.46的重量比(w/w)混合。
4.如权利要求1所述的用于半导体器件的粘结剂组合物，其中所述双官能团环氧树脂为双酚F、双酚A或双酚AD环氧树脂。
5.如权利要求1所述的用于半导体器件的粘结剂组合物，其中所述多种多官能团环氧树脂中的每一种为1∶0.8～1∶1.7重量比(w/w)的甲酚醛型环氧树脂和线型酚醛型环氧树脂的混合物。
6.如权利要求1所述的用于半导体器件的粘结剂组合物，其中所述多种多官能团环氧树脂中的每一种为1.92∶1.03～1.51∶1.58重量比(W/W)的甲酚醛型环氧树脂和线型酚醛型环氧树脂的混合物。
7.如权利要求1所述的用于半导体器件的粘结剂组合物，其中由于存在所述双官能团环氧树脂，所述粘结剂组合物在125℃半固化后，在170℃下具有1.50×106泊～2.30×106泊的剪切粘度。
8.如权利要求1所述的用于半导体器件的粘结剂组合物，其中由于存在所述双官能团环氧树脂，所述粘结剂组合物在125℃半固化后，在170℃下具有1.79×106泊～2.26×106泊的剪切粘度。
9.一种用于半导体器件的芯片贴装膜，包括：
包括权利要求1～5中任何一项所述的粘结剂组合物的粘结剂层；和
用于支撑所述粘结剂层的基层。
10.一种用于半导体器件的芯片贴装膜，包括粘结剂组合物，所述粘结剂组合物包括：
50～80重量份的弹性体树脂；
10～20重量份的环氧树脂，所述环氧树脂包括双官能团环氧树脂和多种多官能团环氧树脂，相对于100重量份的所述环氧树脂总量，所述双官能团环氧树脂以20～60重量份的量存在；
1～10重量份的可固化树脂；
0.01～10重量份的固化促进剂；
0.01～10重量份的硅烷偶联剂；和5～10重量份的填料，
其中由于存在所述双官能团环氧树脂，所述粘结剂组合物在125℃半固化后，在170℃下具有1.5×106泊～2.30×106泊的剪切粘度。
11.如权利要求10所述的用于半导体器件的芯片贴装膜，其中由于存在所述双官能团环氧树脂，所述粘结剂组合物在125℃半固化后，在170℃下具有1.79×106泊～2.26×106泊的剪切粘度。
12.一种用于半导体器件的芯片贴装膜，用于使半导体晶片相互粘贴，或者使半导体晶片粘贴到衬底上，所述芯片贴装膜包括：
弹性体树脂；
双官能团环氧树脂；
多种多官能团环氧树脂；和
填料，
其中由于存在所述双官能团环氧树脂，所述芯片贴装膜在125℃半固化后，在170℃下具有1.5×106泊～2.30×106泊的剪切粘度。
13.如权利要求12所述的用于半导体器件的芯片贴装膜，进一步包括：
1～10重量份的可固化树脂；
0.01～10重量份的固化促进剂；和
0.01～10重量份的硅烷偶联剂，
其中所述芯片贴装膜包括50～80重量份的弹性体树脂和10～20重量份的环氧树脂，所述环氧树脂包括双官能团环氧树脂和多种多官能团环氧树脂，相对于100重量份的所述环氧树脂总量，所述双官能团环氧树脂以20～60重量份的量存在。
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