CN102109723A - 画素结构 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 36
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 9
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RQIPKMUHKBASFK-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Zn+2].[Ge+2].[In+3] Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Ge+2].[In+3] RQIPKMUHKBASFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 aluminium tin-oxide Chemical compound 0.000 description 2
- JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Zn+2] JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical group [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133753—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers with different alignment orientations or pretilt angles on a same surface, e.g. for grey scale or improved viewing angle
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133707—Structures for producing distorted electric fields, e.g. bumps, protrusions, recesses, slits in pixel electrodes
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
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Abstract
一种画素结构,包括基板、扫描线、第一数据线、第二数据线、第一主动组件、第二主动组件、第一画素电极与第二画素电极。基板具有第一单元区域与第二单元区域。第一画素电极位于第一单元区域,第一画素电极包括第一主干部与多个第一分支部,第一分支部由第一主干部往第一单元区域边缘延伸。第二画素电极位于第二单元区域,第二画素电极包括第二主干部与多个第二分支部,第二分支部由第二主干部往第二单元区域边缘延伸,其中至少一部分的第一分支部与至少一部分的第二分支部是以非对称的形式排列在第二数据线的两侧。
Description
【技术领域】
本发明是有关于一种画素结构,且特别是有关于一种用于显示面板的画素结构。
【背景技术】
随着显示科技的蓬勃发展,消费大众对于显示器显像品质的要求越来越高。消费大众除了对显示器的分辨率(resolution)、色饱和度(colorsaturation)、反应时间(response time)的规格有所要求外,对显示器的对比(contrast ratio)、的规格要求亦日渐提高。
因此,已有显示器业者开发出一种聚合物稳定配向(Polymer-stabledalignment,PSA)型显示面板,以提升显示面板的对比(contrast ratio)。但,在传统的聚合物稳定配向(Polymer-stabled alignment,PSA)型显示面板中,其画素电极中间处易产生暗线(disclination line),而使得显示面板的对比(contrast ratio)及透光度(transmittance)下降。
另外,为了提升聚合物稳定配向(Polymer-stabled alignment,PSA)型显示面板的透光度(transmittance),亦有人将黑色矩阵(black matrix,BM)整合于画素数组基板上(black matrix on array,BOA)的技术应用在聚合物稳定配向(Polymer-stabled alignment,PSA)型显示面板中。然而,限于黄光制程的能力,相邻两画素电极间的最短距离需大于一制程极限值(例如8微米),而使得相邻两画素电极间的黑色矩阵(例如数据线)的宽度无法进一步地缩减。这样一来,聚合物稳定配向(Polymer-stabled alignment,PSA)型显示面板的透光度(transmittance)便无法再更进一步地提升。承上述,如何开发出一透光度(transmittance)更高的聚合物稳定配向(Polymer-stabled alignment,PSA)型显示面板及改善暗线(disclinationline)问题,实为研发者所欲达成的目标的一。
【发明内容】
本发明提供一种画素结构,具有此画素结构的显示面板,其透光度(transmittance)较高。
本发明提供另一种画素结构,此画素结构可减少显示面板中暗线(disclination line)发生的机率,进而提升显示面板的透光度(transmittance)。
本发明提出一种画素结构,此画素结构包括基板、扫描线、第一数据线、第二数据线、第一主动组件、第二主动组件、第一画素电极以及第二画素电极。基板具有第一单元区域以及第二单元区域。扫描线、第一数据线以及第二数据线位于基板上。第一主动组件与扫描线以及第一数据线电性连接。第二主动组件与扫描线以及第二数据线电性连接。第一画素电极位于第一单元区域内且与第一主动组件电性连接,其中第一画素电极包括第一主干部以及多个第一分支部,第一分支部由第一主干部往第一单元区域的边缘延伸。第二画素电极位于第二单元区域内且与第二主动组件电性连接,其中第二画素电极包括第二主干部以及多个第二分支部,第二分支部由第二主干部往第二单元区域的边缘延伸,其中至少一部分的第一分支部与至少一部分的第二分支部是以非对称的形式排列在第二数据线的两侧。
本发明提出一种画素结构,此画素结构包括基板、扫描线、数据线、主动组件以及画素电极。基板具有单元区域。扫描线以及数据线位于基板上。主动组件与扫描线以及数据线电性连接。画素电极位于单元区域内且与主动组件电性连接,其中画素电极包括主干部以及多个分支部。画素电极的分支部由主干部往单元区域的边缘延伸,其中至少一部分的分支部是以非对称的形式排列于主干部的两侧。
基于上述,本发明的一画素结构将第一分支部与第二分支部以非对称的形式排列在第二数据线两侧,使得第一分支部与第二分支部可更为靠近。如此一来,第二数据线的宽度便得以缩窄,而使得具有此画素结构的显示面板的透光度(transmittance)可进一步地提高。
此外,本发明的另一画素结构将分支部以非对称的形式排列于主干部的两侧,而使得主干部附近发生暗线(disclination line)的机率降低。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附图式作详细说明如下。
【附图说明】
图1A为本发明第一实施例的画素结构上视示意图。
图1B为本发明第一实施例的画素电极上视示意图。
图1C为对应图1A的区域R所绘示的放大图。
图2A为本发明第二实施例的画素结构上视示意图。
图2B为本发明第二实施例的画素电极上视示意图。
图3A为本发明第三实施例的画素结构上视示意图。
图3B为本发明第三实施例的画素电极上视示意图。
【主要组件符号说明】
100、100A、100B:画素结构
102:基板
SL:扫描线
DL1、DL2:数据线
T1、T2:主动组件
PE1、PE2:画素电极
U1、U2:单元区域
G1、G2:栅极
CH1、CH2:信道
S1、S2:源极
D1、D2:漏极
B1、B2:分支部
M1、M2:主干部
M1-a、M2-a:水平部
M1-b、M2-b:垂直部
K1、K2:狭缝
R:区域
θ、γ、θ1、θ2、θ3、θ4:夹角
CL:共同电极线
D:制程极限值
W:宽度
SM:遮光图案
x、y、K1、K2、K3、K4:方向
【具体实施方式】
【第一实施例】
图1A为本发明一实施例的画素结构100上视示意图。图1B为图1A的第一画素电极PE1以及第二画素电极PE2上视示意图。请同时参照图1A及图1B,画素结构100包括基板102、扫描线SL、第一数据线DL1、第二数据线DL2、第一主动组件T1、第二主动组件T2、第一画素电极PE1以及第二画素电极PE2。
基板102具有第一单元区域U1以及第二单元区域U2。在本实施例中,基板102的材质可为玻璃、石英、有机聚合物、或是不透光/反射材料(例如:导电材料、晶圆、陶瓷、或其它可适用的材料)、或是其它可适用的材料。
扫描线SL、第一数据线DL1以及第二数据线DL2位于基板102上。在本实施例中,扫描线SL与第一数据线DL1以及第二数据线DL2彼此交错设置。换言之,第一数据线DL1以及第二数据线DL2的延伸方向与扫描线SL的延伸方向不平行,较佳的是,第一数据线DL1以及第二数据线DL2的延伸方向与扫描线SL的延伸方向垂直。另外,第一数据线DL1与第二数据线DL2属同一膜层,扫描线SL与第一数据线DL1以及第二数据线DL2属于不同的膜层。基于导电性的考量,扫描线SL与第一数据线DL1以及第二数据线DL2一般是使用金属材料。然,本发明不限于此,根据其它实施例,扫描线SL与第一数据线DL1以及第二数据线DL2也可以使用其它导电材料。例如:合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或是金属材料与其它导材料的堆栈层。
第一主动组件T1与扫描线SL以及第一数据线DL1电性连接。详细而言,第一主动组件T1可包括栅极G1、信道CH1、源极S1以及漏极D1。在本实施例中,扫描线SL的部份区域是作为栅极G1。信道CH1位于栅极G1的上方。数据线DL1的部份延伸区域是作为源极S1。源极S1以及漏极D1位于信道CH1的上方。上述的第一主动组件T1是以底部栅极型薄膜晶体管为例来说明,但本发明不限于此。根据其它实施例,上述的第一主动组件T1也可是以顶部栅极型薄膜晶体管。根据本实施例,第一主动组件T1的栅极G1上方更覆盖有绝缘层(未绘示),其又可称为栅极绝缘层。另外,在第一主动组件T1的上方更可覆盖有另一绝缘层(未绘示),其又可称为保护层。上述两绝缘层的材料可为无机材料(例如:氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或上述至少二种材料的堆栈层)、有机材料或上述的组合。
第二主动组件T2与扫描线SL以及第二数据线DL2电性连接。第二主动组件T2包括栅极G2、信道CH2、源极S2以及漏极D2。在本实施例中,扫描线SL的部份区域是作为栅极G2。信道CH2位于栅极G2的上方。数据线DL2的部份延伸区域是作为源极S2。源极S2以及漏极D2位于信道CH2的上方。类似地,上述的第二主动组件T2是以底部栅极型薄膜晶体管为例来说明,但本发明不限于此。根据其它实施例,上述的第二主动组件T2也可是以顶部栅极型薄膜晶体管。此外,第二主动组件T2的栅极G2上方更覆盖有绝缘层(未绘示),其又可称为栅极绝缘层。在第二主动组件T2的上方更可覆盖有另一绝缘层(未绘示),其又可称为保护层。
第一画素电极PE1位于第一单元区域U1内且与第一主动组件T1电性连接,其中第一画素电极PE1包括第一主干部M1以及多个第一分支部B1,第一分支部B1由第一主干部M1往第一单元区域U1的边缘延伸。详细而言,第一分支部B1与第一主干部M1互相连接,而第一分支部B1是由第一主干部M1分别沿着四个方向K1、K2、K3、K4往第一单元区域U1的边缘延伸。更进一步地说,若扫描线SL的延伸方向为x方向,第一数据线DL1(或第二数据线DL2)的延伸方向为y方向,则x方向与方向K1的夹角可为θ1,其中θ1可为30度60度,x方向与方向K2的夹角可为θ2,其中θ2可为120度150度,x方向与方向K3的夹角可为θ3,其中θ3可为210度240度,x方向与方向K4的夹角可为θ4,其中θ4可为300度330度。
值得一提的是,在此种画素电极设计下,可使第一画素电极PE1上的显示介质(例如液晶)朝四个不同的方向排列,进而使采用此画素电极设计的显示面板的视角(viewing angle)特性更佳。此外,第一主干部M1两侧的第一分支部B1的延伸方向K1、K2(或K3、K4)交错,延伸方向K1、K2(或K3、K4)呈一夹角γ,此夹角γ较佳的是介于60~120度之间。在本实施例中,第一画素电极PE1例如是透明导电层,其包括金属氧化物,例如是铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、或其它合适的氧化物、或者是上述至少二者的堆栈层。
在本实施例中,第一画素电极PE1的第一主干部M1可包括第一水平部M1-a与第一垂直部M1-b。较佳的是,第一水平部M1-a的延伸方向平行于扫描线SL,第一垂直部M1-b的延伸方向平行于第一及第二数据线DL1、DL2。此外,相邻的两个第一分支部B1之间可具有第一狭缝K1,第一狭缝K1又可称为配向狭缝,其可对狭缝上的显示介质(例如液晶)产生配向作用。
值得特别注意的是,第一分支部B1是非对称地排列于第一主干部M1的第一水平部M1-a的两侧,且第一分支部B1亦非对称地排列于第一主干部M1的第一垂直部M1-b的两侧。换言之,第一分支部B1是交错地排列于第一主干部M1的第一水平部M1-a的两侧,且第一分支部B1亦是交错地排列于第一主干部M1的第一垂直部M1-b的两侧。如此,可使第一主干部M1的第一水平部M1-a以及第一垂直部M1-b分别具有一折线形式图案。需特别说明的是,此种画素电极设计可使位于第一水平部M1-a以及第一垂直部M1-b附近的显示介质(例如液晶)的倾倒方向较为一致,而减少第一主干部M1附近发生暗线(disclination line)的机率。
第二画素电极PE2位于第二单元区域U2内且与第二主动组件T2电性连接,其中第二画素电极PE2包括第二主干部M2以及多个第二分支部B2,第二分支部B2由第二主干部M2往第二单元区域U2的边缘延伸。详细而言,第二分支部B2与第二主干部M2互相连接,而第二分支部B2是由第二主干部M2沿着四个方向往第二单元区域U2的边缘延伸。在此种画素电极设计下,可使第二画素电极PE2上的显示介质(例如液晶)朝四个不同的方向排列,进而使采用此画素电极设计的显示面板的视角(viewing angle)特性更佳。此外,第二主干部M2两侧的第二分支部B2的延伸方向K1、K2(或K3、K4)交错,延伸方向K1、K2(或K3、K4)呈一夹角γ,此夹角γ较佳的是介于60~120度之间。在本实施例中,第二画素电极PE2例如是透明导电层,其包括金属氧化物,例如是铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、或其它合适的氧化物、或者是上述至少二者的堆栈层。
在本实施例中,第二画素电极PE2的第二主干部M2可包括第二水平部M2-a与第二垂直部M2-b。较佳的是,第二水平部M2-a的延伸方向平行于扫描线SL,第二垂直部M2-b的延伸方向平行于第一及第二数据线DL1、DL2。另外,相邻的两个第二分支部B2之间可具有第二狭缝K2,第二狭缝K2亦可称为配向狭缝,其可对狭缝上的显示介质(例如液晶)产生配向作用。
类似地,第二分支部B2是非对称地排列于第二主干部M2的第二水平部M2-a的两侧,且第二分支部B2亦非对称地排列于第二主干部M2的第二垂直部M2-b的两侧。如此,可使第二主干部M2的第二水平部M2-a以及第二垂直部M2-b分别具有一折线形式图案。同样地,此种画素电极设计亦可使位于第二水平部M2-a以及第二垂直部M2-b附近的显示介质(例如液晶)的倾倒方向较为一致,而减少第二主干部M2附近发生暗线(disclination line)的机率。
另外,根据本实施例,在上述第一画素电极PE1以及第二画素电极PE2中,第一分支部B1与第二分支部B2是以非对称的形式排列在第二数据线DL2的两侧。也就是说,第一画素电极PE1中,第一分支部B1的一端系连接于第一主干部M1,且实质上呈非对称排列,即交错排列,而第一分支部B1的另一端其并未与第一主干部M1连接,系实质上呈非对称排列,即交错排列。第二画素电极PE2中,第二分支部B2的一端系连接于第二主干部M2,且实质上呈非对称排列,即交错排列,第二分支部B2的另一端其未与第二主干部M2连接,系实质上系呈非对称排列,即交错排列。因此,位于第二数据线DL2两侧的未与第一主干部M1连接的第一分支部B1的另一端以及未与第二主干部M2连接的第二分支部B2的另一端实质上系呈非对称排列。更详细来说,如图1C所示,其为图1A的第一分支部B1与第二分支部B2交界区R的放大图,由图1C可知,位于第二数据线DL2两侧的第一分支部B1与第二分支部B2并非对称排列,而是彼此错开地以非对称形式排列于第二数据线DL2两侧。当第一分支部B1与第二分支部B2间的最短距离固定为一制程极限值D时,通过第一分支部B1与第二分支部B2以非对称的形式排列在第二数据线DL2两侧的配置方式,可使位于第一分支部B1与第二分支部B2间的第二数据线DL2的宽度W可被有效地缩短。换句话说,不透光的第二数据线DL2的面积可被有效地缩小。这样一来,本实施例的画素结构100的开口率(aperture ratio)即可被提高,进而使得具有此画素结构100的显示面板的透光度(transmittance)可进一步地提升。
此外,在本实施例中,位于第二数据线DL2的一侧的的第一分支部B1与位于第二数据线DL2的另一侧的至少一部分的第二狭缝K2对称排列,且位于第二数据线DL2的一侧至少一部分的第一狭缝K1与位于第二数据线DL2的另一侧至少一部分的第二分支部B2对称排列,如图1B所示。另外,在第二数据线DL2的两侧的第一分支部B1的延伸方向K1与第二分支部B2的延伸方向K2之间具有一夹角θ,此夹角θ较佳的是介于60~120度之间。
值得注意的是,在本实施例中,第一分支部B1与第二分支部B2在其主干部之处以及在第二数据线DL2的两侧之处,都是全面地以非对称的形式排列,但本发明不限于此。根据其它实施例,也可以是只有一部分的第一分支部B1与一部分的第二分支部B2在其主干部之处以及在第二数据线DL2的两侧之处是以非对称的形式排列。换句话说,可以有一部分的第一分支部B1与一部分的第二分支部B2是以对称的形式排列,而其余的第一分支部B1与第二分支部B2是以非对称的形式排列。
本实施例的画素结构100可进一步包括遮光图案SM,此遮光图案SM位于第一主干部M1以及第二主干部M2的下方。详细而言,此遮光图案SM可含盖第一主干部M1(第二主干部M2)的第一水平部M1-a(第二水平部M2-a)以及第一垂直部M1-b(第二垂直部M2-b),换句话说,此遮光图案SM可大致为双十字型图样。在本实施例中,遮光图案SM可与第一数据线DL1及第二数据线DL2位于同一膜层或不同膜层。然,本发明并不以此为限,在其它实施例中,遮光图案SM亦可与扫描线SL位于同一膜层或不同膜层。
值得一提的是,遮光图案SM主要的作用使位于遮光图案SM上方的显示介质(例如液晶)的倾倒而产生的显示现象不会被人眼看到。因此,设计遮光图案SM可以使显示面板具有较佳的显示品质,但本发明不限制一定要使用遮光图案SM。换言之,在其它的实施例中,亦可以省略遮光图案SM的制作。此外,位于第一主干部M1(第二主干部M2)的第一水平部M1-a(第二水平部M2-a)的部分遮光图案SM亦可做为储存电容的其中丨电极。
画素结构100更可包括共同电极线CL。在本实施例中,共同电极线CL的延伸方向可与扫描线SL平行,且共同电极线CL与扫描线SL位于同一膜层或不同膜层。根据本实施例,共同电极线CL是电性连接至共同电压。此外,分别通过共同电极线CL与第一水平部M1-a及第二水平部M2-a间的电性耦合关系,便可以将第一及第二画素电极PE1、PE2的电荷储存于此处,如此便可构成二储存电容。
【第二实施例】
图2A为本实施例的画素结构100A的上视示意图。图2B为图2A的第一画素电极PE1以及第二画素电极PE2上视示意图。请同时参照图2A及图2B,本实施例的画素结构100A与图1A的画素结构100类似,因此与图1A相同的组件以相同的符号表示。以下就两者相异之处做说明,相同之处就不再重述。
在本实施例中,第一主干部M1的第一水平部M1-a与第二水平部M2-a以及第二主干部M2的第一垂直部M1-b与第二垂直部M2-b分别为直线形式图案。换句话说,本实施例的第一主干部M1与第二主干部M2大致上分别为十字型图案。此外,在本实施例中,第一分支部B1是对称地排列于第一主干部M1的第一水平部M1-a以及第一垂直部M1-b的两侧。第二分支部B2亦是对称地排列于第二主干部M2的第二水平部M2-a以及第二垂直部M2-b的两侧。值得一提的是,第一主干部M1(第二主干部M2)两侧的第一分支部B1(第二分支部B2)的延伸方向K1、K2(或K3、K4)交错,延伸方向K1、K2(或K3、K4)呈一夹角γ,此夹角γ较佳的亦是介于60~120度之间。
在本实施例的第一画素电极PE1以及第二画素电极PE2中,第一分支部B1与第二分支部B2是以非对称的形式排列在第二数据线DL2的两侧。换言之,第一分支部B1与第二分支部B2是交错地排列于第二数据线DL2的两侧。根据本实施例,位于第二数据线DL2的一侧的第一分支部B1与位于第二数据线DL2的另一侧的至少一部分的第二狭缝K2对称排列,且位于第二数据线DL2的一侧至少一部分的第一狭缝K1与位于第二数据线DL2的另一侧至少一部分的第二分支部B2对称排列。也就是说,第一画素电极PE1中,第一分支部B1的一端系连接于第一主干部M1,且实质上呈对称排列,第一分支部B1的另一端其未与第一主干部M1连接,系实质上呈非对称排列,即交错排列。第二画素电极PE2中,第二分支部B2的一端系连接于第二主干部M2,且实质上呈对称排列,而未与第二主干部M2连接的第二分支部B2的另一端,系实质上呈非对称排列,即交错排列。因此,位于第二数据线DL2两侧的未与第一主干部M1连接的第一分支部B1的另一端以及未与第二主干部M2连接的第二分支部B2的另一端实质上系呈非对称排列。另外,在第二数据线DL2的两侧的第一分支部B1的延伸方向K1与第二分支部B2的延伸方向K2交错,延伸方向K1、K2呈一夹角θ,此夹角0较佳的是介于60~120度之间。
值得注意的是,在本实施例中,第一分支部B1与第二分支部B2在第二数据线DL2的两侧是全面地以非对称的形式排列,但本发明不限于此。根据其它实施例,也可以是只有一部分的第一分支部B1与一部分的第二分支部B2在第二数据线DL2的两侧是以非对称的形式排列。换句话说,可以有一部分的第一分支部B1与一部分的第二分支部B2是以对称的形式排列在第二数据线DL2的两侧,而其余的第一分支部B1与第二分支部B2是以非对称的形式排列在第二数据线DL2的两侧。
【第三实施例】
图3A为本实施例的画素结构100B的上视示意图。图3B为图3A的第一画素电极PE1以及第二画素电极PE2上视示意图。请同时参照图3A及图3B,本实施例的画素结构100B与图1A的画素结构100类似,因此与图1A相同的组件以相同的符号表示。以下就两者相异之处做说明,相同之处就不再重述。
在本实施例中,第一分支部B1是非对称地排列于第一主干部M1的第一水平部M1-a的两侧,且第一分支部B1亦非对称地排列于第一主干部M1的第一垂直部M1-b的两侧。如此,可使第一主干部M1的第一水平部M1-a以及第一垂直部M1-b分别具有一折线形式图案。类似地,第二分支部B2是非对称地排列于第二主干部M2的第二水平部M2-a的两侧,且第二分支部B2亦非对称地排列于第二主干部M2的第二垂直部M2-b的两侧。如此,可使第二主干部M2的第二水平部M2-a以及第二垂直部M2-b分别具有一折线形式图案。另外,于第一主干部M1两侧的第一分支部B1的延伸方向K1、K2(或K3、K4)交错,延伸方向K1、K2(或K3、K4)呈一夹角γ,此夹角γ较佳的是介于60~120度之间。于第二主干部M2两侧的第二分支部B2的延伸方向K1、K2(或K3、K4)交错,延伸方向K1、K2(或K3、K4)呈一夹角γ,此夹角γ较佳的是介于60~120度之间。
而在上述第一画素电极PE1以及第二画素电极PE2中,第一分支部B1与第二分支部B2是以对称的形式排列在第二数据线DL2的两侧。换言之,第一画素电极PE1的第一分支部B1与第二画素电极PE2的第二分支部B2是彼此对齐地排列在第二数据线DL2的两侧。也就是说,第一画素电极PE1中,第一分支部B1的一端系连接于第一主干部M1,且实质上系呈非对称排列,即交错排列,而未与第一主干部M1连接的第一分支部B1的另一端,其实质上呈对称排列。第二画素电极PE2中,第二分支部B2的一端系连接于第二主干部M2,且实质上非对称排列,即交错排列,而未与第二主干部M2连接的第二分支部B2的另一端,系实质上呈对称排列。因此,位于第二数据线DL2两侧的未与第一主干部M1连接的第一分支部B1的另一端以及未与第二主干部M2连接的第二分支部B2的另一端系实质上呈对称排列。另外,在第二数据线DL2的两侧的第一分支部B1的延伸方向K1与第二分支部B2的延伸方向K2交错,延伸方向K1、K2呈一夹角θ,此夹角θ较佳的是介于60~120度之间。
类似地,在本实施例中,第一分支部B1以及第二分支部B2分别是全面地以非对称的形式排列于其主干部之处,但本发明不限于此。根据其它实施例,也可以是只有一部分的第一分支部B1与一部分的第二分支部B2是以非对称的形式排列于其主干部之处。换句话说,可以有一部分的第一分支部B1与一部分的第二分支部B2是以对称的形式排列在其主干部之处,而其余的第一分支部B1与第二分支部B2是以非对称的形式排列在其主干部之处。
综上所述,本发明的画素结构将第一分支部与第二分支部以非对称的形式排列在第二数据线的两侧,而使得位于第一分支部与第二分支部间的第二数据线的宽度可有效地缩短。换句话说,第二数据线的面积可被有效地减少,这样一来,画素结构的开口率(aperture ratio)便可提高,进而使得具有此画素结构100的显示面板的透光度(transmittance)可进一步地提升。
此外,本发明的另一画素结构将分支部以非对称的形式排列于主干部的两侧,而使得主干部附近发生暗线(disclination line)的机率可有效降低。
Claims (25)
1.一种画素结构,包括:
一基板,其具有一第一单元区域以及一第二单元区域;
一扫描线,位于该基板上;
一第一数据线以及一第二数据线,位于该基板上;
一第一主动组件,其与该扫描线以及该第一数据线电性连接;
一第二主动组件,其与该扫描线以及该第二数据线电性连接;
一第一画素电极,位于该第一单元区域内且与该第一主动组件电性连接,其中该第一画素电极包括一第一主干部以及多个第一分支部,所述第一分支部由第一主干部往该第一单元区域的边缘延伸;以及
一第二画素电极,位于该第二单元区域内且与该第二主动组件电性连接,其中该第二画素电极包括一第二主干部以及多个第二分支部,所述第二分支部由该第二主干部往该第二单元区域的边缘延伸,
其中至少一部分的所述第一分支部与至少一部分的所述第二分支部是以非对称的形式排列在该第二数据线的两侧。
2.根据权利要求1所述的画素结构,其特征在于,排列在该第二数据线的两侧的所述第一分支部的延伸方向与所述第二分支部的延伸方向交错且呈一夹角,该夹角介于60~120度。
3.根据权利要求1所述的画素结构,其特征在于,相邻的两个第一分支部之间具有一第一狭缝,且相邻的两第个二分支部之间具有一第二狭缝。
4.根据权利要求3所述的画素结构,其特征在于,位于该第二数据线的一侧的至少一部分的所述第一分支部与位于该第二数据线的另一侧的至少一部分的所述第二狭缝对称排列,且位于该第二数据线的一侧至少一部分的所述第一狭缝与位于该第二数据线的另一侧至少一部分的所述第二分支部对称排列。
5.根据权利要求1所述的画素结构,其特征在于,该第一画素电极的该第一主干部包括:
一第一水平部,其延伸方向平行于该扫描线;以及
一第一垂直部,其延伸方向平行于该第一及该第二数据线。
6.根据权利要求5所述的画素结构,其特征在于,所述第一分支部是对称地排列于该第一主干部的该第一水平部的两侧以及该第一垂直部的两侧。
7.根据权利要求6所述的画素结构,其特征在于,该第一水平部以及该第一垂直部分别具有一直线形式图案。
8.根据权利要求5所述的画素结构,其特征在于,所述第一分支部是非对称地排列于该第一主干部的该第一水平部的两侧以及该第一垂直部的两侧。
9.根据权利要求8所述的画素结构,其特征在于,该第一水平部以及该第一垂直部分别具有一折线形式图案。
10.根据权利要求1所述的画素结构,其特征在于,该第二画素电极的该第二主干部包括:
一第二水平部,其延伸方向平行于该扫描线;以及
一第二垂直部,其延伸方向平行于该第一及该第二数据线。
11.根据权利要求10所述的画素结构,其特征在于,所述第二分支部是对称地排列于该第二主干部的该第二水平部的两侧与该第二垂直部的两侧。
12.根据权利要求11所述的画素结构,其特征在于,该第二水平部以及该第二垂直部分别具有一直线形式图案。
13.根据权利要求10所述的画素结构,其特征在于,所述第二分支部是非对称地排列于该第二主干部的该第二水平部的两侧与该第二垂直部的两侧。
14.根据权利要求13所述的画素结构,其特征在于,该第二水平部以及该第二垂直部分别具有一折线形式图案。
15.根据权利要求1所述的画素结构,其特征在于,更包括一遮光图案,位于该第一主干部以及该第二主干部的下方。
16.根据权利要求1所述的画素结构,其特征在于,所述第一分支部是由该第一主干部沿着四个方向往该第一单元区域的边缘延伸,且所述第二分支部是由该第二主干部沿着四个方向往该第二单元区域的边缘延伸。
17.根据权利要求16所述的画素结构,其特征在于,所述四个方向与该扫描线延伸方向的夹角分别为夹角θ1、夹角θ2、夹角θ3、夹角θ1,其中30°≤θ1≤60°,120°≤θ2≤150°,210°≤θ3≤240°,300°≤θ4≤330°。
18.根据权利要求1所述的画素结构,其特征在于,所述第一分支部与该第一主干互相连接,且所述第二分支部与该第二主干部互相连接。
19.一种画素结构,包括:
一基板,其具有一单元区域;
一扫描线以及一数据线,位于该基板上;
一主动组件,其与该扫描线以及该数据线电性连接;
一画素电极,位于该单元区域内且与该主动组件电性连接,其中该画素电极包括:
一主干部;以及
多个分支部,所述分支部由主干部往该单元区域的边缘延伸,其中至少一部分的所述分支部是以非对称的形式排列于该主干部的两侧。
20.根据权利要求19所述的画素结构,其特征在于,所述分支部与该主干互相连接。
21.根据权利要求19所述的画素结构,其特征在于,该主干部包括:
一水平部,其延伸方向平行于该扫描线;以及
一垂直部,其延伸方向平行于该数据线。
22.根据权利要求19所述的画素结构,其特征在于,该主干部的该水平部与该垂直部各自具有一折线形式图案。
23.根据权利要求19所述的画素结构,其特征在于,所述分支部是由该主干部沿着四个方向往该单元区域的边缘延伸。
24.根据权利要求19所述的画素结构,其特征在于,位于该主干部两侧的所述分支部的延伸方向具有一夹角,该夹角介于60~120度。
25.根据权利要求19所述的画素结构,其特征在于,更包括一遮光图案,位于该主干部的下方。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW099142587A TWI432856B (zh) | 2010-12-07 | 2010-12-07 | 畫素結構 |
TW099142587 | 2010-12-07 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102109723A true CN102109723A (zh) | 2011-06-29 |
CN102109723B CN102109723B (zh) | 2012-08-29 |
Family
ID=44173920
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201110031058.9A Active CN102109723B (zh) | 2010-12-07 | 2011-01-21 | 用于显示面板的像素结构 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8724061B2 (zh) |
CN (1) | CN102109723B (zh) |
TW (1) | TWI432856B (zh) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103093702A (zh) * | 2011-10-28 | 2013-05-08 | 索尼公司 | 显示面板、显示单元和电子单元 |
CN103439842A (zh) * | 2013-05-06 | 2013-12-11 | 友达光电股份有限公司 | 像素结构及具有此像素结构的液晶显示面板 |
CN104375340A (zh) * | 2014-11-14 | 2015-02-25 | 友达光电股份有限公司 | 像素结构 |
CN104932158A (zh) * | 2015-06-25 | 2015-09-23 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 像素电极及液晶显示面板 |
CN105785671A (zh) * | 2014-12-25 | 2016-07-20 | 群创光电股份有限公司 | 显示设备 |
CN108732809A (zh) * | 2018-07-25 | 2018-11-02 | 惠科股份有限公司 | 画素结构及显示装置 |
CN110716354A (zh) * | 2019-10-30 | 2020-01-21 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示器 |
CN111538189A (zh) * | 2020-05-25 | 2020-08-14 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种像素电极及液晶显示面板 |
WO2020164164A1 (zh) * | 2019-02-12 | 2020-08-20 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 显示面板及显示模组、显示装置 |
CN112750853A (zh) * | 2021-02-09 | 2021-05-04 | 南昌广恒电子中心(有限合伙) | 像素结构、显示基板和显示装置 |
WO2021109221A1 (zh) * | 2019-12-04 | 2021-06-10 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 像素电极结构及液晶显示面板 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI559062B (zh) * | 2013-12-09 | 2016-11-21 | 友達光電股份有限公司 | 主動元件陣列基板 |
JP2015191232A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-02 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置 |
TWI548923B (zh) * | 2015-06-16 | 2016-09-11 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板及其畫素陣列 |
KR102445305B1 (ko) * | 2016-02-23 | 2022-09-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
CN207780441U (zh) * | 2018-01-15 | 2018-08-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素结构、阵列基板和显示装置 |
TWI820924B (zh) * | 2022-09-22 | 2023-11-01 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1536396A (zh) * | 2003-04-07 | 2004-10-13 | 友达光电股份有限公司 | 画素结构 |
CN101145568A (zh) * | 2007-10-26 | 2008-03-19 | 友达光电股份有限公司 | 像素结构及具有此像素结构的液晶显示面板的制造方法 |
CN101236337A (zh) * | 2007-02-01 | 2008-08-06 | 中华映管股份有限公司 | 像素结构 |
US20080259256A1 (en) * | 2007-04-17 | 2008-10-23 | Beijing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Liquid crystal display panel |
CN101320184A (zh) * | 2002-06-28 | 2008-12-10 | 三星电子株式会社 | 液晶显示器及其薄膜晶体管阵列面板 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100209531B1 (ko) * | 1996-06-22 | 1999-07-15 | 구자홍 | 액정표시장치 |
JP4049589B2 (ja) * | 2002-01-18 | 2008-02-20 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法 |
TWI338183B (en) * | 2006-07-06 | 2011-03-01 | Au Optronics Corp | Thin film transistor substrate and liquid crystal display device using the same |
US7697093B2 (en) * | 2006-08-08 | 2010-04-13 | Au Optronics Corp. | Array panel |
TWI339769B (en) | 2006-09-25 | 2011-04-01 | Chimei Innolux Corp | Liquid crystal display apparatus |
TWI362528B (en) * | 2008-01-02 | 2012-04-21 | Au Optronics Corp | Pixel structure and liquid crystal display having the same |
-
2010
- 2010-12-07 TW TW099142587A patent/TWI432856B/zh active
-
2011
- 2011-01-21 CN CN201110031058.9A patent/CN102109723B/zh active Active
- 2011-02-24 US US13/034,680 patent/US8724061B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101320184A (zh) * | 2002-06-28 | 2008-12-10 | 三星电子株式会社 | 液晶显示器及其薄膜晶体管阵列面板 |
CN1536396A (zh) * | 2003-04-07 | 2004-10-13 | 友达光电股份有限公司 | 画素结构 |
CN101236337A (zh) * | 2007-02-01 | 2008-08-06 | 中华映管股份有限公司 | 像素结构 |
US20080259256A1 (en) * | 2007-04-17 | 2008-10-23 | Beijing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Liquid crystal display panel |
CN101145568A (zh) * | 2007-10-26 | 2008-03-19 | 友达光电股份有限公司 | 像素结构及具有此像素结构的液晶显示面板的制造方法 |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103093702A (zh) * | 2011-10-28 | 2013-05-08 | 索尼公司 | 显示面板、显示单元和电子单元 |
CN103093702B (zh) * | 2011-10-28 | 2016-12-21 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 显示面板、显示单元和电子单元 |
CN103439842A (zh) * | 2013-05-06 | 2013-12-11 | 友达光电股份有限公司 | 像素结构及具有此像素结构的液晶显示面板 |
CN103439842B (zh) * | 2013-05-06 | 2016-04-13 | 友达光电股份有限公司 | 像素结构及具有此像素结构的液晶显示面板 |
CN104375340A (zh) * | 2014-11-14 | 2015-02-25 | 友达光电股份有限公司 | 像素结构 |
CN105785671B (zh) * | 2014-12-25 | 2019-12-06 | 群创光电股份有限公司 | 显示设备 |
CN105785671A (zh) * | 2014-12-25 | 2016-07-20 | 群创光电股份有限公司 | 显示设备 |
CN104932158B (zh) * | 2015-06-25 | 2018-11-23 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 像素电极及液晶显示面板 |
CN104932158A (zh) * | 2015-06-25 | 2015-09-23 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 像素电极及液晶显示面板 |
CN108732809A (zh) * | 2018-07-25 | 2018-11-02 | 惠科股份有限公司 | 画素结构及显示装置 |
WO2020019603A1 (zh) * | 2018-07-25 | 2020-01-30 | 惠科股份有限公司 | 画素结构及显示装置 |
WO2020164164A1 (zh) * | 2019-02-12 | 2020-08-20 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 显示面板及显示模组、显示装置 |
US11506943B2 (en) | 2019-02-12 | 2022-11-22 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Display panel, display module, and display device |
CN110716354A (zh) * | 2019-10-30 | 2020-01-21 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示器 |
WO2021109221A1 (zh) * | 2019-12-04 | 2021-06-10 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 像素电极结构及液晶显示面板 |
CN111538189A (zh) * | 2020-05-25 | 2020-08-14 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种像素电极及液晶显示面板 |
CN112750853A (zh) * | 2021-02-09 | 2021-05-04 | 南昌广恒电子中心(有限合伙) | 像素结构、显示基板和显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8724061B2 (en) | 2014-05-13 |
TW201224612A (en) | 2012-06-16 |
CN102109723B (zh) | 2012-08-29 |
US20120138963A1 (en) | 2012-06-07 |
TWI432856B (zh) | 2014-04-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |