CN1536396A - 画素结构 - Google Patents

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Abstract

一种画素结构，包括一扫描配线、一信号配线、一画素电极以及一薄膜晶体管。其中，信号配线对应于扫描配线上方的区域具有多个分岔的分支配线，当扫描配线与信号配线之间发生短路的情况时，可由将部分分支配线切除的方式进行修补。在其他实施例中，信号配线旁配置有一修补配线，此修补配线跨过扫描配线上方，当扫描配线与信号配线之间发生短路情况时，可由修补配线进行激光修补。

Description

画素结构
技术领域
本发明是有关于一种画素结构(pixel structure)，且特别是有关于一种能够改善扫描配线(scan line)与信号配线(data line)之间发生短路现象的画素结构。
背景技术
针对多媒体社会的急速进步，多半受惠于半导体元件或人机显示装置的飞跃性进步。就显示器而言，阴极射线管(Cathode Ray Tube，CRT)因具有优异的显示品质与其经济性，一直独占近年来的显示器市场。然而，对于个人在桌上操作多数终端机/显示器装置的环境，或是以环保的观点切入，若以节省能源的潮流加以预测，阴极射线管因空间利用以及能源消耗上仍存在很多问题，而对于轻、薄、短、小以及低消耗功率的需求无法有效提供解决的道。因此，具有高画质、空间利用效率加、低消耗功率、无辐射等优越特性的薄膜晶体管液晶显示器(Thin FilmTransistor Liquid Crystal Display，TFT LCD)已逐渐成为市场的主流。
图1显示为公知画素结构以激光化学气相沉积方式(Laser CVD)进行修补的示意图。请参照图1，公知画素结构100主要由一扫描配线102、一信号配线104、一薄膜晶体管106以及一画素电极108所构成。其中，薄膜晶体管106具有一闸极106a、一通道层106b以及一源极/汲极106c，且闸极106与扫描配线102电性连接，源极/汲极106c与信号配线104、画素电极108电性连接。
扫描配线102属于第一金属层(metal 1)的一部份，而信号配线104属于第二金属层(metal 2)的一部份，因此扫描配线102与信号配线104之间会以一第一介电层(闸极绝缘层)彼此电性隔绝，而信号配线104上方亦会覆盖一第二介电层(保护层)。然而，扫描配线102与信号配线104交错的区域上常会因介电层的品质不良(如杂质、微粒等污染)而发生短路的现象，此时便必须进行修补的动作。一般常见的修补是先将短路区域两端的信号配线104切断(如虚线所示)，接著再于第二介电层中形成二修补开口110，并以激光化学气相沉积(laser CVD)的方式形成一薄金属层112，此薄金属层112可由修补开口110将切断的信号配线104再度连接起来，进而达到修补的目的。
公知在进行激光修补时，由于薄金属线112必须跨过扫描配线102将切断的信号配线104再度连接起来，故薄金属线112的长度并不短，如此长距离的激光修补动作将耗费相当多的时间与成本。
发明内容
本发明的目的在于提出一种画素结构，当扫描配线与信号配线之间发生短路的问题时，仅需做短距离的激光修补。
本发明的另一目的在于提出一种画素结构，当扫描配线与信号配线之间发生短路的问题时，不需进行激光修补的动作。
为实现上述目的，本发明提出一种画素结构，适于配置在一透明基板上，该画素结构包括：
一第一导体层，配置于该透明基板上，该第一导体层包括一扫描配线以及一闸极，其中该闸极与该扫描配线连接；
一第一介电层，配置于该透明基板上并覆盖住该第一导体层；
一通道层，配置于该闸极上方的该第一介电层上；
一第二导体层，配置于该第一介电层上，该第二导体层包括一信号配线以及一源极/汲极，该闸极、该通道层以及该源极/汲极构成一薄膜晶体管，其中该信号配线对应于该扫描配线上方的区域分岔为复数个分支配线；
一第二介电层，配置于该第一介电层上并覆盖住该第二导体层；以及
一画素电极，配置于该第二介电层上，其中该画素电极、该信号配线系与该源极/汲极电性连接。
其中该扫描配线对应于该信号配线下方区域的宽度小于该扫描配线在其他区域的宽度。
其中该第二介电层中具有一接触开口，且该画素电极由该接触开口与该源极/汲极电性连接。
其中该画素电极材质包括铟锡氧化物与铟锌氧化物其中之一。
本发明还提出一种画素结构，适于配置在一透明基板上，该画素结构包括：
一第一导体层，配置于该透明基板上，该第一导体层包括一扫描配线以及一闸极，其中该闸极与该扫描配线连接；
一第一介电层，配置于该透明基板上并覆盖住该第一导体层；
一通道层，配置于该闸极上方的该第一介电层上；
一第二导体层，配置于该第一介电层上，该第二导体层包括一信号配线、一修补配线与一源极/汲极，该闸极、该通道层与该源极/汲极构成一薄膜晶体管，其中该修补配线位于该信号配线旁，并跨过该扫描配线上方；
一第二介电层，配置于该第一介电层上并覆盖住该第二导体层；以及
一画素电极，配置于该第二介电层上，其中该画素电极、该信号配线与该源极/汲极电性连接。
其中该修补配线具有一第一端与一对应的第二端，该修补配线的该第一端与该信号配线连接，而该修补配线的该第二端则未与该信号配线连接。
其中该修补配线具有一第一端与一对应的第二端，该修补配线的该第一端与该第二端皆未与该信号配线连接。
其中该第二介电层中具有一接触开口，且该画素电极由该接触开口与该源极/汲极电性连接。
其中该画素电极材质包括铟锡氧化物与铟锌氧化物其中之一。
本发明又提出一种画素结构，包括一扫描配线、一信号配线、一画素电极以及一薄膜晶体管，其中该薄膜晶体管具有一闸极、一通道层以及一源极/汲极，且该闸极与该扫描配线电性连接，该源极/汲极与该信号配线、该画素电极电性连接，其特征在于：该信号配线对应于该扫描配线上方的区域分岔为复数个分支配线。
其中该扫描配线对应于该信号配线下方区域的宽度小于该扫描配线在其他区域的宽度。
本发明的一种画素结构，包括一扫描配线、一信号配线、一画素电极以及一薄膜晶体管，其中该薄膜晶体管具有一闸极、一通道层以及一源极/汲极，且该闸极与该扫描配线电性连接，该源极/汲极与该信号配线、该画素电极电性连接，该信号配线旁配置有一修补配线，且该修补配线位于该信号配线旁，并跨过该扫描配线上方。
其中该修补配线具有一第一端与一对应的第二端，该修补配线的该第一端与该信号配线连接，而该修补配线的该第二端则未与该信号配线连接。
其中该修补配线具有一第一端与一对应的第二端，该修补配线的该第一端与该第二端皆未与该信号配线连接。
附图说明
为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下：
图1显示为公知画素结构以激光化学气相沈积方式进行修补的示意图；
图2A至图2D显示为依照本发明第一实施例画素结构的制作流程示意图；
图3A至图3D显示为图2A至图2D中沿著I-I剖面线的剖面示意图；
图4与图5显示为依照本发明第一实施例画素结构进行激光修补的示意图；
图6显示为依照本发明第二实施例画素结构的示意图；以及
图7与图8显示为依照本发明第二实施例画素结构进行激光修补的示意图。
具体实施方式
第一实施例
图2A至图2D显示为依照本发明第一实施例画素结构的制作流程示意图，而图3A至图3D显示为图2A至图2D中沿著I-I剖面线的剖面示意图。请同时参照图2A与图3A，首先提供一透明基板200，此透明基板200例如为玻璃基板或是塑胶基板。接著于透明基板200上形成一第一导体层M1，此第一导体层M1包含扫描配线202以及闸极204两部份，且闸极204与扫描配线202相连。而在第一导体层M1形成后，再形成一第一介电层206于透明基板200上，以覆盖住扫描配线202以及闸极204。
接著请同时参照图2B与图3B，在第一介电层206形成后，接著形成一通道层208于第一介电层206上，此通道层208位于闸极204的上方。
接著请同时参照图2C与图3C，在通道层208形成后，接著形成一第二导体层M2，此第二导体层M2包含了信号配线210以及源极/汲极212两部份，其中源极/汲极212位于通道层208的两侧，且源极/汲极212的其中一端与信号配线210连接。此外，信号配线210对应于扫描配线202上方的区域例如是分岔为多条分支配线210a、210b。上述的闸极204、通道层208以及源极/汲极212的堆叠结构构成一薄膜晶体管T。在第二导体层M2形成后，接著形成一第二介电层214以覆盖住上述的扫描配线202、信号配线210以及整个薄膜晶体管T。
接著请同时参照图2D与图3D，接著于第二介电层214中形成一接触开口214a，并于第二介电层214上形成一画素电极216，使得画素电极216得由第二介电层214中的接触开口214a与源极/汲极212的另一端电性连接。
同样请参照图2D与图3D，综上所述，本实施例的画素结构主要由一第一导体层M1、一第一介电层206、一通道层208、一第二导体层M2、一第二介电层214以及一画素电极216所构成。其中，第一导体层M1包含一扫描配线202以及一闸极204，且闸极204与扫描配线202连接；第一介电层206配置于透明基板200上并覆盖住第一导体层M1；通道层208配置于闸极204上方的第一介电层206上；第二导体层M2配置于第一介电层206上，此第二导体层M2包含一信号配线210以及一源极/汲极212，信号配线210对应于扫描配线202上方的区域例如是分岔为多条分支配线210a、210b，且闸极204、通道层208以及源极/汲极212构成一薄膜晶体管T；第二介电层214配置于第一介电层206上并覆盖住第二导体层M2；而画素电极216则配置于第二介电层214上，且画素电极216、信号配线210与源极/汲极212电性连接。此外，画素电极216的材质例如为铟锡氧化物(ITO)与铟锌氧化物(IZO)。
图4与图5显示为依照本发明第一实施例画素结构进行激光修补的示意图。请参照图4，本实施例中，信号配线210对应于扫描配线202上方的区域例如分岔为多条分支配线210a、210b，本图中仅显示出两条举例说明，但并非限定分支配线的数目。当分支配线210b与扫描配线202之间若因为杂质、微粒等因素而发现短路的现象时，可将短路的分支配线210b沿著虚线切断，接著再于第二介电层(未绘示)中形成二修补开口218，并以激光化学气相沉积(laser CVD)的方式形成一薄金属层220，此薄金属层220可由修补开口218将切断的分支配线210b再度连接起来，进而达到修补的目的。
然而，熟习该项技术者应知，在分支配线210b沿著虚线切断后，甚至可以不需要由薄金属层220将分支配线210b再度连接起来，信号配线210由分支配线210a同样可以维持不断线的状态。
接著请参照图5，当分支配线的数量越多时，其与扫描配线202之间重叠(overlap)的面积将不可避免的会有所增加，为了防范重叠面积过大所导致寄生电容过大的问题，本实施例针对扫描配线202的图案做一些变化，使得扫描配线202对应于分支配线210a、210b下方区域的宽度小于扫描配线202在其他区域的宽度，如此即可避免寄生电容过大的问题。
第二实施例
图6显示为依照本发明第二实施例画素结构的示意图。请参照图6，本实施例的画素结构与第一实施例相类似，其差异之处在于本实施例于信号配线210旁制作一修补配线300，此修补配线300的功能与第二实施例中的分支配线功能相近，故于此仅针对差异的处进行描述。
图7与图8显示为依照本发明第二实施例画素结构进行激光修补的示意图。请同时参照图7与图8，修补配线300的第一端300a例如与信号配线210连接，而修补配线300的第二端300b则未与信号配线210连接(如图7所显示)，当扫描配线202与信号配线210之间发生短路的现象时，可先将短路区域两端的信号配线210沿著虚线切断，接著再于修补配线300的第二端300b上形成一修补开口302，并以例如激光化学气相沉积(laser CVD)的方式形成一薄金属层304，此薄金属层304可由修补开口302将修补配线300的第二端300b与信号配线210连接起来，进而达到修补的目的。
此外，修补配线300亦可以是第一端300a与第二端300b皆未与信号配线210连接的状态(如图8所显示)，当扫描配线202与信号配线210的间发生短路的现象时，可先将短路区域两端的信号配线210沿著虚线切断，接著再于修补配线300的第一端300a与第二端300b上形成二修补开口302，并以例如激光化学气相沉积(laser CVD)的方式形成二对应的薄金属层304，这些薄金属层304可由上述的修补开口302将修补配线300的两端300a、300b与信号配线210连接起来，进而达到修补的目的。
综上所述，本发明的画素结构至少具有下列优点：
1、本发明的画素结构中，由于位于扫描配线上方的信号配线具有多条分支配线，因此，当扫描配线与其中一条分支配线短路时，可直接将此分支配线切断以解决上述问题。
2、本发明的画素结构中，由于激光修补仅需将修补配线的两端或其中一端与切断后的信号配线连接，激光修补的距离较短，故修补配线可以使得激光修补进行的更为快速。
虽然本发明已以一较佳实施例描述如上，然其并非用以限定本发明，任何熟习此技术人士，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视申请专利范围所界定的为准。

Claims (14)

1、一种画素结构，适于配置在一透明基板上，该画素结构包括：
一第一导体层，配置于该透明基板上，该第一导体层包括一扫描配线以及一闸极，其中该闸极与该扫描配线连接；
一第一介电层，配置于该透明基板上并覆盖住该第一导体层；
一通道层，配置于该闸极上方的该第一介电层上；
一第二导体层，配置于该第一介电层上，该第二导体层包括一信号配线以及一源极/汲极，该闸极、该通道层以及该源极/汲极构成一薄膜晶体管，其中该信号配线对应于该扫描配线上方的区域分岔为复数个分支配线；
一第二介电层，配置于该第一介电层上并覆盖住该第二导体层；以及
一画素电极，配置于该第二介电层上，其中该画素电极、该信号配线系与该源极/汲极电性连接。
2、如权利要求1所述的画素结构，其特征在于，其中该扫描配线对应于该信号配线下方区域的宽度小于该扫描配线在其他区域的宽度。
3、如权利要求1所述的画素结构，其特征在于，其中该第二介电层中具有一接触开口，且该画素电极由该接触开口与该源极/汲极电性连接。
4、如权利要求1所述的画素结构，其特征在于，其中该画素电极材质包括铟锡氧化物与铟锌氧化物其中之一。
5、一种画素结构，适于配置在一透明基板上，该画素结构包括：
一第一导体层，配置于该透明基板上，该第一导体层包括一扫描配线以及一闸极，其中该闸极与该扫描配线连接；
一第一介电层，配置于该透明基板上并覆盖住该第一导体层；
一通道层，配置于该闸极上方的该第一介电层上；
一第二导体层，配置于该第一介电层上，该第二导体层包括一信号配线、一修补配线与一源极/汲极，该闸极、该通道层与该源极/汲极构成一薄膜晶体管，其中该修补配线位于该信号配线旁，并跨过该扫描配线上方；
一第二介电层，配置于该第一介电层上并覆盖住该第二导体层；以及
一画素电极，配置于该第二介电层上，其中该画素电极、该信号配线与该源极/汲极电性连接。
6、如权利要求5所述的画素结构，其特征在于，其中该修补配线具有一第一端与一对应的第二端，该修补配线的该第一端与该信号配线连接，而该修补配线的该第二端则未与该信号配线连接。
7、如权利要求5所述的画素结构，其特征在于，其中该修补配线具有一第一端与一对应的第二端，该修补配线的该第一端与该第二端皆未与该信号配线连接。
8、如权利要求5所述的画素结构，其特征在于，其中该第二介电层中具有一接触开口，且该画素电极由该接触开口与该源极/汲极电性连接。
9、如权利要求5所述的画素结构，其特征在于，其中该画素电极材质包括铟锡氧化物与铟锌氧化物其中之一。
10、一种画素结构，包括一扫描配线、一信号配线、一画素电极以及一薄膜晶体管，其中该薄膜晶体管具有一闸极、一通道层以及一源极/汲极，且该闸极与该扫描配线电性连接，该源极/汲极与该信号配线、该画素电极电性连接，其特征在于：该信号配线对应于该扫描配线上方的区域分岔为复数个分支配线。
11、如权利要求10所述的画素结构，其特征在于，其中该扫描配线对应于该信号配线下方区域的宽度小于该扫描配线在其他区域的宽度。
12、一种画素结构，包括一扫描配线、一信号配线、一画素电极以及一薄膜晶体管，其中该薄膜晶体管具有一闸极、一通道层以及一源极/汲极，且该闸极与该扫描配线电性连接，该源极/汲极与该信号配线、该画素电极电性连接，其特征在于：该信号配线旁配置有一修补配线，且该修补配线位于该信号配线旁，并跨过该扫描配线上方。
13、如权利要求12所述的画素结构，其特征在于，其中该修补配线具有一第一端与一对应的第二端，该修补配线的该第一端与该信号配线连接，而该修补配线的该第二端则未与该信号配线连接。
14、如权利要求12所述的画素结构，其特征在于，其中该修补配线具有一第一端与一对应的第二端，该修补配线的该第一端与该第二端皆未与该信号配线连接。
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