CN102105828A - 活线检测装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种活线检测装置。漏光产生部(3)通过以两根光纤(1、1)的连接部位的折射率分布与光轴方向的其它部位的折射率分布相互不同的方式连接光纤(1、1)而形成于连接部位，使在其中之一光纤(1)(在图示的例子中是右侧的光纤1)的纤芯内传播的光的一部分漏光到另一光纤(1)(在图示的例子中是左侧的光纤1)的包层(12)。受光元件芯片(5)通过由透明的粘结剂形成的透明粘结层(4)而粘结于另一光纤(1)的包层(12)的外周面，检测由漏光产生部(3)漏出的光。

Description

活线检测装置
技术领域
本发明涉及检测将两根光纤的一端彼此连接而形成的光线路是否处于活线状态(hotline state)的活线检测装置。
背景技术
以往，在光纤通信技术领域，已知检测由在局域(station)内、大楼内、户内等处设置的光终端盒(optical termination box)中收纳的光通信用光纤形成的光线路是否处于活线状态的活线检测装置。作为这种活线检测装置，例如提出了无需弯曲光纤即可检测活线状态的活线检测装置(例如，参照专利文献1)。此处，所谓活线状态，是指光线路正常传输光的状态。
在该活线检测装置中，无需弯曲光纤即可检测出活线状态，因此能够防止由于使光纤弯曲而造成光纤折损和由于临时性的传输损失的增加而引起传输错误等情况。
图20表示专利文献1所示的以往的活线检测装置的结构图。如图20所示，以往的活线检测装置包括：保护通过将构成光线路A’的两根光纤1’、1’的一端彼此融接(fused)而形成的融接部2’，泄漏从融接部2’漏出的光的融接加强套管42’；收纳融接加强套管42’并将各光纤1’、1’导出的壳体40’；以及嵌入于壳体40’的开口部，用受光元件(未图示)检测从融接部2’通过融接加强套管42’而漏出的光的光检测部50’。
另外，当将两根光纤1’、1’的一端彼此融接时，通常以该两根光纤1’、1’的光轴的轴偏差以及角度偏差等引起的连接损失为最小的方式融接该两根光纤1’、1’。因此，图20所示的融接部2’的连接损失在波长为1310nm时为0.2dB左右。
但是，在光通信中，在光纤中传播的光的功率范围较广，有时会小至-20dBm左右，在此情况下，从融接部2’漏出的光的功率变小。而且，设置在融接加强套管42’之外的受光元件与融接部2’的距离较远。由于这些原因，到达受光元件的受光面的光的功率降低，其结果受光效率降低，S/N比降低，存在活线检测变得困难的问题。
本发明的目的在于提供一种能够实现更稳定的活线检测的活线检测装置。
专利文献1：日本专利公开公报特开2007-85934号
发明内容
本发明所提供的活线检测装置，用于检测包含两根光纤的光线路的活线状态，包括：漏光产生部，通过以所述两根光纤的连接部位的折射率分布与光轴方向的其它部位的折射率分布不同的方式连接所述两根光纤而形成，使在其中之一光纤的纤芯内传播的光的一部分漏光到另一光纤的包层；以及受光元件，通过透光性粘结层粘结于所述另一光纤的包层的外周面，检测由所述漏光产生部漏出的光。
附图说明
图1表示本发明的实施方式1的活线检测装置的概略结构图。
图2(A)至(D)是作为光纤使用单模光纤时的折射率分布的说明图，其中，(A)是表示光纤的概略结构的图，(B)表示(A)所示的B-B剖面的折射率分布，(C)表示(A)所示的C-C剖面的折射率分布，(D)表示(A)所示的D-D剖面的折射率分布。
图3(A)至(D)是作为光纤使用GI型多模光纤时的折射率分布的说明图，其中，(A)是表示光纤的概略结构的图，(B)表示(A)所示的B-B剖面的折射率分布，(C)表示(A)所示的C-C剖面的折射率分布，(D)表示(A)所示的D-D剖面的折射率分布。
图4(A)、(B)是本发明的实施方式2的活线检测装置的说明图。
图5(A)表示本发明的实施方式3的活线检测装置的概略结构图，(B)表示光纤的B-B剖面的剖视图，(C)表示漏光产生用光纤的C-C剖面的剖视图。
图6(A)、(B)是放大表示图5所示的融接部的图。
图7(A)表示本发明的实施方式4的活线检测装置的概略结构图，(B)表示(A)的B-B剖面的剖视图，(C)表示B-B剖面的折射率分布，(D)表示(A)的D-D剖面的剖视图，(E)表示D-D剖面的折射率分布。
图8(A)表示SI型多模光纤的光路图，(B)表示GI型多模光纤的光路图，(C)表示图7(A)的右侧的融接部附近的光路图，(D)表示图7(A)的左侧的融接部附近的光路图。
图9(A)表示本发明的实施方式5的活线检测装置的概略结构图，(B)表示(A)的B-B剖面的剖视图，(C)表示B-B剖面的折射率分布，(D)表示(A)的D-D剖面的剖视图，(E)表示D-D剖面的折射率分布。
图10表示本发明的实施方式6的活线检测装置的概略结构图。
图11(A)至(D)是作为光纤使用单模光纤时的折射率分布的说明图，其中，(A)是表示光纤的概略结构的图，(B)表示(A)所示的B-B剖面的折射率分布，(C)表示(A)所示的C-C剖面的折射率分布，(D)表示(A)所示的D-D剖面的折射率分布。
图12(A)至(D)是作为光纤使用GI型多模光纤时的折射率分布的说明图，其中，(A)是表示光纤的概略结构的图，(B)表示(A)所示的B-B剖面的折射率分布，(C)表示(A)所示的C-C剖面的折射率分布，(D)表示(A)所示的D-D剖面的折射率分布。
图13表示本发明的实施方式7的活线检测装置的概略结构图。
图14表示本发明的实施方式8的活线检测装置的概略结构图。
图15(A)表示本发明的实施方式9的活线检测装置的概略结构图。(B)表示本发明的实施方式9的活线检测装置的比较例的概略结构图。
图16表示本发明的实施方式10的活线检测装置的概略结构图。
图17(A)表示本发明的实施方式11的活线检测装置的概略结构图。(B)表示本发明的实施方式11的活线检测装置的比较例的概略结构图。
图18(A)表示本发明的实施方式12的活线检测装置的概略结构图。(B)表示本发明的实施方式12的活线检测装置的比较例的概略结构图。
图19表示本发明的实施方式13的活线检测装置的概略结构图。
图20表示以往的活线检测装置的结构图。
具体实施方式
(实施方式1)
图1表示本发明的实施方式1的活线检测装置的概略结构图。如图1所示，本活线检测装置是检测将两根光纤1、1的一端彼此连接而构成的光线路A是否处于活线状态的活线检测装置，包括光纤1、1、漏光产生部3、受光元件芯片5(受光元件的一个例子)、电流-电压转换电路100、判别部200以及显示部300。此外，在图1以外的活线检测装置的结构图中，省略了电流-电压转换电路100、判别部200以及显示部300。
漏光产生部3通过以两根光纤1、1的连接部位的折射率分布与光轴方向的其它部位的折射率分布不同的方式连接光纤1、1而形成于连接部位，使在其中一个光纤1(在图示的例子中是右侧的光纤1)的纤芯内传播的光的一部分漏光到另一光纤1(在图示的例子中是左侧的光纤1)的包层12。
受光元件芯片5通过由透明的粘结剂形成的透明粘结层4(透光性粘结层的一个例子)粘结于另一光纤1的包层12的外周面，即由纤芯11和包层12构成的裸线10的外周面，检测由漏光产生部3漏出的光。
此外，光纤1、1通过将一端彼此融接(fused)而被连接，在光纤1、1的连接部位形成融接部2，在该融接部2处形成漏光产生部3。另外，图1中的粗线箭头表示光的传播方向。
电流-电压转换电路100例如包括运算放大器(operational amplifier)，将从受光元件芯片5输出的电流信号转换为电压信号。
判别部200例如包括微型计算机或内置了电阻器、电容以及放大电路等的IC(Integrated Circuit，集成电路)，基于从电流-电压转换电路100输出的电压信号判别光线路A是否处于活线状态，并在显示部300中显示判别结果。显示部300例如包括液晶显示面板或发光二极管，显示判别部200的判别结果。
在本实施方式中，作为光纤1、1使用传播损失、传输带宽(transmissionbandwidth)以及机械强度等耐环境性优异的例如石英玻璃光纤(quartz glass fiber)。另外，在本实施方式中，作为石英玻璃光纤使用单模光纤(single mode fiber)。但是，这仅是一个例子，并不限定于单模光纤，也可以采用阶跃折射率型(Step-Index型：SI型)多模光纤(multi-mode fiber)、渐变折射率型(Grated-Index：GI型)多模光纤、或其它特殊光纤等可形成漏光产生部3的光纤。另外，作为光纤1、1并不限定于石英玻璃光纤，也可以采用多成分玻璃光纤或塑料光纤等。
如图1所示，光纤1、1分别在融接部2侧除去了被覆层13，露出裸线10。并且，受光元件芯片5在裸线10的外周面即包层12的外周面上，以受光面朝向另一光纤1的包层12侧的方式通过透明粘结层4加以粘结。
此处，在光纤1、1中，裸线10的外周面露出的部分的长度为10mm左右，受光元件芯片5在另一光纤1的光轴方向上离漏光产生部3规定长度(例如2至5mm左右)设置。
作为在光纤1中传播的光，例如设想波长为1550nm的光、1310nm的光、850nm的光，透明粘结层4由作为相对于这些波长的光为透明的粘结剂的环氧树脂系列树脂或丙烯系列树脂等形成即可。此外，透明粘结层4不一定必须由折射率比包层12高的材料形成，也可以由具有空气与包层12之间的折射率的材料形成。
另外，作为受光元件芯片5例如可使用光电二极管芯片(photodiode chip)。此处，在光纤1中传播的光即光通信用光的波长为1μm波长区域的波长(例如，1510nm、1310nm)的情况下，采用在1μm波长区域中受光灵敏度高的InGaAs光电二极管芯片即可。
另外，在光纤1中传播的光的波长为0.8μm波长区域的波长(例如，850nm)的情况下，采用在0.8μm波长区域中受光灵敏度高的Si光电二极管芯片即可。
另外，在光纤1中传播的光例如是1μm波长区域的光以及0.8μm波长区域的光的情况下，分别设置在各个波长区域中受光灵敏度高的受光元件芯片5即可。
接着，参照图2(A)至(D)说明光线路A的折射率分布。图2(A)至(D)是作为光纤使用单模光纤时的折射率分布的说明图，其中，(A)是表示光纤1、1的概略结构的图，(B)表示(A)所示的B-B剖面的折射率分布，(C)表示(A)所示的C-C剖面的折射率分布，(D)表示(A)所示的D-D剖面的折射率分布。另外，X方向表示与光轴垂直的方向。
图2(B)、(D)表示融接光纤1、1时未熔融的部位的折射率分布，具有光纤1、1本来的折射率分布的阶梯状的折射率分布。
与此相对，图2(C)的折射率分布随着远离中心而折射率逐渐变小，并且包含折射率低于纤芯11的折射率n1但高于包层12的折射率n2的区域。并且，该区域在x方向的长度大于光纤1、1的纤芯径(直径)。此外，作为光纤1、1采用SI型多模光纤时的折射率分布也是与图2(B)至(D)相同的折射率分布。
图3(A)至(D)是作为光纤1、1使用GI型多模光纤时的折射率分布的说明图，其中，(A)是表示光纤1、1的概略结构的图，(B)表示(A)所示的B-B剖面的折射率分布，(C)表示(A)所示的C-C剖面的折射率分布，(D)表示(A)所示的D-D剖面的折射率分布。
此处，图3(B)、(D)表示融接光纤1、1时未熔融的部位的折射率分布，是光纤1、1本来的折射率分布，具有从中心朝外以平方分布逐渐变小的折射率分布。与此相对，图3(C)的折射率分布随着远离中心而折射率逐渐变小，并且包含折射率低于纤芯11的折射率n1且高于包层12的折射率n2的区域。并且，该区域在x方向的长度大于光纤1、1的纤芯的直径。
此处，如图2(A)及图3(A)所示，漏光产生部3通过以在融接部2附近形成折射率高于包层12的折射率n2并且低于光轴方向的其它部位的纤芯11的折射率n1的中间折射率区域11a的方式融接光纤1、1而形成。
在将光纤1、1的一端彼此融接时，使光纤1、1的一端侧的端面相对齐，通过电弧放电(arc discharge)等进行加热熔融后冷却，据此连接两根光纤1、1即可。
据此，加热熔融时纤芯11及包层12在短时间内从固相变化为液相后混合，形成具有纤芯11的折射率与包层12的折射率之间的中间折射率的区域。并且，通过使融接时的条件(温度、时间等)从连接损失达到最小的条件适当地变化，能够形成所需大小的中间折射率区域11a。
在图1中，用箭头例示了由漏光产生部3产生的泄漏光的光线路径。即，在由漏光产生部3产生的泄漏光中，包层12与空气的分界处的入射补角(supplementary angle ofincidence)大于全反射临界补角(total reflection critical supplementary angle)的光线P1从包层12泄漏到外部，但入射补角小于全反射临界补角的光线P2、P3在包层12与空气的分界处被全反射。
此处，在如本实施方式使用石英玻璃光纤作为光纤1、1的情况下，包层12与空气的折射率差较大，因此由漏光产生部3产生的泄漏光在包层12与空气的分界处进行全反射的比例较高，大部分如光线P2、P3那样传播。
光线P2表示一边反复进行全反射一边在裸线10内传播的光线。由于包层12与透明粘结层4的折射率差小于包层12与空气的折射率差，所以在包层12与透明粘结层4的分界处进行全反射的光的比例较少，到达包层12与透明粘结层4的分界的光的大部分到达受光元件芯片5的受光面。
光线P3表示在包层12与空气的分界处进行一次全反射后，穿过包层12与透明粘结层4的界面到达受光元件芯片5的受光面的光线。此外，在图1中，作为光线P3，示意了进行一次全反射的例子，但并不限定于此，也可以在包层12与空气的分界处进行多次全反射后，穿过包层12与透明粘结层4的界面到达受光元件芯片5的受光面。
如上所述，本实施方式的活线检测装置中包括漏光产生部3，该漏光产生部3通过以两根光纤1、1的连接部位的折射率分布与光轴方向的其它部位的折射率分布不同的方式连接光纤1、1而形成于连接部位，使在其中一个光纤1的纤芯内传播的光的一部分漏光到另一光纤1的包层12。
因此，与如图20所示的以往例子那样以连接损失达到最小的方式融接光纤1’、1’的情况相比，能够增加泄漏光的绝对光量。另外，在本实施方式的活线检测装置中，受光元件芯片5通过透明粘结层4粘结于另一光纤1的包层12的外周面。因此，与如图20所示的以往例子那样中间隔着融接增强套筒42’等的情况相比，能够缩短受光元件芯片5与包层12的外周面的距离，能够提高泄漏光向受光元件芯片5的到达效率。
此外，由于受光元件芯片5与另一光纤1的包层12的外周面之间不存在空气，所以能够使较多的泄漏光从包层12射入折射率大于空气的透明粘结层4，能够提高泄漏光向受光元件芯片5的到达效率。
其结果，能够不受在光线路A中传播的光的功率大小影响而进行活线检测。即，不用说在光线路A中传播的光的功率较大时能够进行检测，而且在光的功率较小的情况下也能进行活线检测，能够实现更稳定的活线检测。
此外，当受光元件芯片5与漏光产生部3的距离过近时，来自漏光产生部3的泄漏光的光强度分布直接对来自受光元件芯片5的输出电流产生影响，来自受光元件芯片5的输出电流有可能发生偏差。
但是，在本实施方式中，如上所述，受光元件芯片5在光轴方向上离漏光产生部3规定长度(例如2至5mm左右)而配置。因此，由漏光产生部3产生的泄漏光通过反复全反射使光强度分布平均化，能够抑制受光元件芯片5的输出电流发生偏差，能够得到受光元件芯片5的稳定的输出。
另外，在本实施方式的活线检测装置中，漏光产生部3通过以形成中间折射率区域11a的方式融接光纤1、1而形成。因此，在光的传播方向上折射率分布局部地发生变化，光通过融接部2时光强度分布也发生变化，能够使一部分光作为来自漏光产生部3的泄漏光而从纤芯11泄漏至包层12。
据此，在融接光纤1、1时调节中间折射率区域11a的大小以控制折射率分布，据此能够得到活线检测所必需的泄漏光。即，在本实施方式的活线检测装置中，无需增加漏光产生用的其它部件，就能够将泄漏光引导至受光元件芯片5。
(实施方式2)
图4(A)、(B)是本发明的实施方式2的活线检测装置的说明图。本实施方式的活线检测装置的基本结构与实施方式1大致相同。区别点如以下所述。首先，在融接两根光纤1、1之前，如图4(A)所示将各自的一端分别熔融，使连接部位的折射率分布与其它部位不同，且与光纤1、1本来的折射率分布不同。然后，如图4(B)所示，将光纤1、1的一端彼此融接以形成融接部2，由此形成漏光产生部3。此外，其它结构与实施方式1相同，因此适当省略图示及说明。
另外，如在实施方式1进行的说明，将两根光纤1、1的一端彼此融接时，伴随着光纤1、1的熔融，纤芯11、11与包层12、12混合并形成中间折射率区域11a，但仅仅使融接的条件发生变化，无法使中间折射率区域11a变得足够大。
与此相对，在本实施方式中，在将两根光纤1、1的一端彼此融接之前，如图4(A)所示使各光纤1的一端变形为直径大于裸线10的直径的球状，使各光纤1的纤芯径沿上述光轴方向连续变化。
因此，根据本实施方式的活线检测装置，能够更可靠地形成漏光产生部3，并且能够使与光轴方向垂直的剖面上的漏光产生部3的形成区域的范围更广，能够进一步增多活线检测所必需的泄漏光的光量。
(实施方式3)
实施方式3的活线检测装置的基本结构与实施方式1大致相同，区别点在于，如图5所示，漏光产生部3通过将光纤1、1的一端夹着纤芯径与光纤1、1不同的漏光产生用光纤6而彼此连接而形成。此外，其它结构与实施方式1相同，因此适当省略图示及说明。
图5(A)表示本发明的实施方式3的活线检测装置的概略结构图，(B)表示光纤1的B-B剖面的剖视图，(C)表示漏光产生用光纤6的C-C剖面的剖视图。
图6(A)、(B)是放大表示图5所示的融接部2的图。漏光产生用光纤6与光纤1、1相同，由石英玻璃光纤构成。此处，漏光产生用光纤6的包层62的外径与光纤1、1的包层12、12的外径相同。即，漏光产生用光纤6的裸线60的外径与光纤1、1的裸线10、10的外径相同。
另外，漏光产生用光纤6的纤芯61的纤芯径(直径)大于光纤1、1的纤芯11、11的纤芯径。并且，漏光产生用光纤6以光轴与光纤1、1的光轴一致的方式将两端连接于光纤1、1的各自的一端。
此处，漏光产生用光纤6的两端与光纤1、1的各自一端融接，形成了融接部2、2。在光纤1、1的光轴方向上，以其中一个光纤1(图5的右侧的光纤1)与漏光产生用光纤6的融接部2(图5的右侧的融接部2)为分界，纤芯径由小变大，因此几乎不产生连接损失，不形成漏光产生部3。
但是，在光纤1、1的光轴方向上，在漏光产生用光纤6与另一光纤1(图5的左侧的光纤1)的融接部2(图5的左侧的融接部2)处，以该融接部2为分界，纤芯径由大变小，因此在该融接部2处形成漏光产生部3。
此处，在漏光产生用光纤6以及另一光纤1为单模光纤的情况下，根据基于与漏光产生用光纤6的光轴方向垂直的剖面的折射率分布决定的光分布状态(固有模式)与基于与另一光纤1的光轴方向垂直的剖面的折射率分布决定的光分布状态之差，漏光产生部3的泄漏光的光量发生变化。
另外，在漏光产生用光纤6以及另一光纤1为多模光纤的情况下，根据漏光产生用光纤6的纤芯61的截面积与另一光纤1的纤芯11的截面积的面积差，泄漏光的光量发生变化。因此，作为漏光产生用光纤6以及另一光纤1，无论采用单模光纤以及多模光纤中的哪一个，均为纤芯11的面积差越大，泄漏光的光量越多。
因此，在本实施方式的活线检测装置中，适当选择夹在两根光纤1、1的上述一端之间的漏光产生用光纤6的纤芯径，并将该漏光产生用光纤6的两端分别与两根光纤1、1的一端融接，就能够形成漏光产生部3。因此，能够更可靠地确保活线检测所必需的泄漏光的光量，并且能够在不改变融接条件的情况下形成漏光产生部3。
另外，在本实施方式的活线检测装置中，漏光产生用光纤6的纤芯61的折射率与另一光纤1的纤芯11的折射率相同，如图6(A)中粗线箭头所示，光的一部分从漏光产生用光纤6的纤芯61向另一光纤1的包层12泄漏。
但是，如果使漏光产生用光纤6的纤芯61的折射率与另一光纤1的纤芯11的折射率不同，则能够增加由漏光产生部3产生的泄漏光的光量，能够更可靠地进行活线检测。
例如，作为光纤1、1及漏光产生用光纤6采用SI型多模光纤的情况下，当使纤芯径较小的另一光纤1的折射率低于纤芯径较大的漏光产生用光纤6的折射率，则在漏光产生用光纤6与另一光纤1的融接部2处发生折射。因此，如图6(B)所示，另一光纤1的裸线10内的光的扩散变大，在另一光纤1的纤芯11与包层12的分界处的入射补角大于全反射临界补角的光发生折射并进入另一光纤1的包层12，因此泄漏光的光量增加。
此外，在本实施方式中，漏光产生用光纤6的纤芯径大于光纤1、1的纤芯径，但并不限定于此。即，作为漏光产生用光纤6也可以使用比光纤1、1纤芯径小的光纤，在此情况下，在其中一个光纤1与漏光产生用光纤6的融接部2处形成漏光产生部3，在漏光产生用光纤6与另一光纤1的融接部2处不形成漏光产生部3。
(实施方式4)
图7(A)表示本发明的实施方式4的活线检测装置的概略结构图，(B)表示(A)的B-B剖面的剖视图，(C)表示B-B剖面的折射率分布，(D)表示(A)的D-D剖面的剖视图，(E)表示D-D剖面的折射率分布。
本实施方式的活线检测装置的基本结构与实施方式3大致相同。区别点在于，如图7所示，漏光产生部3通过将光纤1、1的一端夹着纤芯径与光纤1、1相同、且纤芯71的折射率与光纤1、1的纤芯11不同的漏光产生用光纤7连接而形成。此外，其它结构与实施方式1相同，因此适当省略图示及说明。
漏光产生用光纤7与光纤1、1相同，由石英玻璃光纤构成。此处，漏光产生用光纤7的包层72的外径与光纤1、1的包层12、12的外径相同。即，漏光产生用光纤7的裸线70的外径与光纤1、1的裸线10、10的外径相同。另外，漏光产生用光纤7的纤芯71的纤芯径也与光纤1、1的纤芯11、11的纤芯径相同。并且，漏光产生用光纤7的光轴方向的两端与光纤1、1对齐光轴并与光纤1、1的各个一端融接。此处，在本实施方式中，作为光纤1、1例如使用SI型多模光纤，作为漏光产生用光纤7例如使用与光纤1、1的数值孔径(Numerical Aperture：NA)相同的GI型多模光纤。
漏光产生用光纤7的两端与光纤1、1的一端分别融接而形成融接部2、2，在光纤1、1的光轴方向上，以其中一个光纤1(图7(A)的右侧的光纤1)与漏光产生用光纤7的融接部2(图7(A)的右侧的融接部2)为分界，由SI型多模光纤向GI型多模光纤变化。据此，在右侧的融接部2处形成漏光产生部3。
另一方面，在光纤1、1的光轴方向上，在漏光产生用光纤7与另一光纤1(图7(A)的左侧的光纤1)的融接部2(图7(A)的左侧的融接部2)的分界处，从GI型多模光纤向SI型多模光纤变化，因此不形成漏光产生部3。参照图8(A)至(D)说明这一点。
图8(A)表示SI型多模光纤的光路图，图8(B)表示GI型多模光纤的光路图，图8(C)表示图7(A)的右侧的融接部2附近的光路图，图8(D)表示图7(A)的左侧的融接部2附近的光路图。
在SI型多模光纤中，如图7(C)所示，具有纤芯11的部分较高、包层12的部分较低的阶梯状的折射率分布，因此如图8(A)的粗线箭头所示，在光纤1的直径方向(x方向)的任一位置处均存在入射补角最大的光。
另一方面，在GI型多模光纤中，如图7(E)所示，纤芯11的折射率分布以折射率n1为峰值描绘出向上凸的曲线而变化，因此如图8(B)的粗线箭头所示，光的入射补角根据光纤7的直径方向(x方向)的位置发生变化。
即，在由GI型多模光纤形成的漏光产生用光纤7中，在纤芯71内，在接近纤芯71的中心的部分处存在入射补角较大的光，但在接近包层72的周缘部仅存在入射补角较小的光，因此光线的轨迹以正弦波状弯曲。
因此，如图8(C)所示，从由SI型多模光纤形成的其中一个光纤1到由GI型多模光纤形成的漏光产生用光纤7的纤芯71处，当入射补角较大的光射入接近包层72的周缘部时，不会留在纤芯71内，而是向包层72泄漏。
另一方面，如图8(D)所示，当光从由GI型多模光纤形成的漏光产生用光纤7射入由SI型多模光纤形成的另一光纤1时，不产生损失。
如上述说明，根据本实施方式的活线检测装置，由SI型多模光纤形成的光纤1、1夹住由GI型多模光纤形成的漏光产生用光纤7，因此能够更可靠地确保活线检测所必需的泄漏光的光量，并且能够在不改变融接条件的情况下形成漏光产生部3。
此外，在本实施方式中，作为光纤1、1使用SI型多模光纤，作为漏光产生用光纤7使用与光纤1、1的NA相同的GI型多模光纤，但并不限定于此。
即，也可以作为光纤1、1使用SI型多模光纤，作为漏光产生用光纤7使用纤芯径与光纤1、1相同、且NA与光纤1、1不同(较小)的SI型多模光纤。
另外，也可以作为光纤1、1使用GI型多模光纤，作为漏光产生用光纤7使用与光纤1、1的纤芯径及NA均相同的SI型多模光纤。
在此情况下，在从SI型多模光纤变化为GI型多模光纤的另一光纤1与漏光产生用光纤7的融接部2处形成漏光产生部3，在上述其中一光纤1与漏光产生用光纤7的融接部2处形成(应为不形成)漏光产生部3。
(实施方式5)
图9(A)表示本发明的实施方式5的活线检测装置的概略结构图，(B)表示(A)的B-B剖面的剖视图，(C)表示B-B剖面的折射率分布，(D)表示(A)的D-D剖面的剖视图，(E)表示D-D剖面的折射率分布。
本实施方式的活线检测装置的基本结构与实施方式1大致相同，区别点在于，如图9(A)所示，漏光产生部3通过将光纤1、1的一端相互夹着光纤8连接而形成，其中，光纤8采用与光纤1、1的包层12、12相同的材料(石英玻璃)，且折射率一样(uniform)。
此处，光纤8的折射率被设定为与光纤1、1的包层12、12的折射率相同的值。此外，其它结构与实施方式1相同，因此适当省略图示及说明。
在本实施方式的活线检测装置中，光纤8的两端与光纤1、1的一端分别融接而形成融接部2、2，从其中一个光纤1的纤芯11向光纤8中扩散射出的光中，到达另一光纤1的纤芯11的光之外的光为泄漏光。
如上所述，根据本实施方式的活线检测装置，由光纤1、1夹住由与光纤1、1的包层12、12相同的材料形成、且折射率一样的光纤8而形成漏光产生部3。
因此，能够更可靠地确保必需的泄漏光的光量，并且能够在不改变融接条件的情况下形成漏光产生部3。
(实施方式6)
图10表示本发明的实施方式6的活线检测装置的概略结构图。如图10所示，本实施方式的活线检测装置以设置能够分别检测出波长范围不同的多个(此处是两个)光的多个受光元件芯片51、52为特征。
此外，在实施方式中，与实施方式1至5相同的结构标注同一符号，并省略其说明。另外，作为光纤1、1采用与实施方式1相同的光纤。另外，在光纤1、1中，裸线10的外周面露出的部分的长度与实施方式1相同，为10mm左右。另外，与实施方式1相同，受光元件芯片5在另一光纤1的光轴方向上离漏光产生部3规定长度(例如2至5mm左右)而配置。
作为在光纤1、1中传播的光，设想波长范围不同的两个光，例如波长为1550nm的光和波长为850nm的光。另外，作为波长范围不同的两个光并不限定于这些，例如还可以采用波长为1310nm的光和波长为850nm的光。在图10中，表示了采用波长为1550nm的光和波长为850nm的光的情况。
透明粘结层4由作为相对于这些波长的光为透明的粘结剂的环氧树脂系列树脂或丙烯系列树脂等形成。
另外，可以使用晶体材料互不相同的光电二极管芯片作为各受光元件芯片51、52。此处，在本实施方式中，作为在光纤1中传播的光即光通信用光，设想波长为1550nm的光和波长为850nm的光。因此，作为受光元件芯片51采用在1.5μm的波长区域中受光灵敏度较高的InGaAs光电二极管芯片。
另外，作为受光元件芯片52采用在0.8μm的波长区域中受光灵敏度较高的Si光电二极管芯片。此外，Si光电二极管对1μm的光没有受光灵敏度。另外，InGaAs光电二极管对1.3μm、1.5μm的光具有受光灵敏度，对0.8μm的光的受光灵敏度非常小。
此处，参照图11(A)至(D)说明上述光线路A的折射率分布。图11的(A)至(D)是作为光纤使用单模光纤时的折射率分布的说明图，其中，(A)是表示光纤1、1的概略结构的图，(B)表示(A)所示的B-B剖面的折射率分布，(C)表示(A)所示的C-C剖面的折射率分布，(D)表示(A)所示的D-D剖面的折射率分布。
此外，在图11(A)至(D)中，作为光纤1、1使用单模光纤。图11(B)至图11(D)的折射率分布与图2(B)至(D)的折射率分布相同，因此省略说明。
图12(A)至(D)是作为光纤1、1使用GI型多模光纤时的折射率分布的说明图，其中，(A)是光纤1、1的概略结构图，(B)表示(A)所示的B-B剖面的折射率分布，(C)表示(A)所示的C-C剖面的折射率分布，(D)表示(A)所示的D-D剖面的折射率分布。
图12(B)至(D)的折射率分布与图3(B)至(D)的折射率分布相同，因此省略说明。
在漏光产生部3产生的泄漏光的大部分一边反复进行全反射一边在裸线10内传播，穿过包层12和透明粘结层4、4的界面到达受光元件芯片51、52的受光面。在图10中，在漏光产生部3产生的泄漏光中波长为1310nm的光的光线P1的行进线路用点划线箭头例示，波长为850nm的光的光线P2的行进线路用实线箭头例示。
根据如上说明的本实施方式的活线检测装置，设置能够分别检测波长范围不同的多个光的多个受光元件芯片51、52。因此，不仅能够得到实施方式1的效果，而且对于传播波长范围不同的多个光的光线路A，能够容易地对多个光分别进行活线检测。
另外，受光元件芯片51、52的检测灵敏度由四个要素(1)至(4)综合决定：(1)受光元件芯片51、52对检测对象波长的受光灵敏度；(2)漏光产生部3处的各检测对象波长的泄漏光的光量；(3)对各受光元件芯片51、52的检测对象波长的泄漏光的到达效率；(4)受光元件芯片51、52的受光面的面积。
此处，在本实施方式的活线检测装置中，各受光元件芯片51、52的检测对象波长不同，且晶体材料不同，因此受光灵敏度(1)以及受光面的面积(4)为不同的值。另外，漏光产生部3处的各检测对象波长的泄漏光的光量(2)没有多大差异，因此在受光灵敏度(1)以及受光面的面积(4)分别存在差异的情况下，活线过调整到达效率(3)能够使各受光元件芯片51、52的检测灵敏度成为大致相同的值。
另外，根据本实施方式的活线检测装置，关于多个受光元件芯片51、52的配置，较为理想的是，检测灵敏度越低的受光元件芯片51配置在越接近漏光产生部3一侧。据此，减小受光元件芯片51、52的检测灵敏度之差，能够使受光元件芯片51、52的检测灵敏度成为大致相同的值，能够更可靠地对各光分别进行活线检测。
(实施方式7)
图13表示本发明的实施方式7的活线检测装置的概略结构图。本实施方式的活线检测装置的基本结构与实施方式6大致相同。区别点在于，如图13所示，以受光元件芯片51、52距漏光产生部3的距离(实施方式1中说明的规定长度)相同的方式配置受光元件芯片51、52。此处，受光元件芯片51与受光元件芯片52夹着另一光纤1相对配置。此外，对与实施方式1至6相同的结构标注同一符号，并省略其说明。
另外，在实施方式6的活线检测装置中，多个受光元件芯片51、52沿另一光纤1的光轴方向配置。因此，配置在下游侧(图10的左侧)的受光元件芯片52要检测的检测对象波长的光的一部分射入配置在上游侧的受光元件芯片51。据此，存在到达受光元件芯片52的检测对象波长的泄漏光减少，对受光元件芯片52的泄漏光的到达效率降低，输出电流降低的问题。
对此，在本实施方式的活线检测装置中，多个受光元件芯片51、52配置为距漏光产生部3的距离相同。因此，能够使对各个受光元件芯片51、52的泄漏光的到达效率大致相同。
此外，在图13中，不仅检测对象波长的光的光线P1，而且受光元件芯片52的检测对象波长的光线P2也射入受光元件芯片51，但是，通过到达受光元件芯片51的光线路径的光线P2是原本不会到达受光元件芯片52的光线P2，不会导致对受光元件芯片52的泄漏光的到达效率的减少。
此外，认为当受光元件芯片51、52与漏光产生部3的距离过近时，来自漏光产生部3的泄漏光的光强度分布直接对来自受光元件芯片51、52的输出电流产生影响，受光元件芯片51、52的输出电流会发生偏差。因此，较为理想的是，将上述规定长度设定为使在漏光产生部3产生的光至少进行一次全反射后到达受光元件芯片51、52。据此，光强度分布得到平均化，能够抑制受光元件芯片51、52的输出电流发生偏差，能够得到受光元件芯片51、52的稳定的输出。
(实施方式8)
图14表示本发明的实施方式8的活线检测装置的概略结构图。本实施方式的活线检测装置的基本结构与实施方式6大致相同。区别点在于，光线路A是双向通信用光线路，另外，如图14所示，受光元件芯片51、52与受光元件芯片51、52在光轴方向上隔着漏光产生部3而配置于两侧。此外，在本实施方式中，对与实施方式1至7相同的结构标注同一符号，并省略其说明。
在本实施方式中，如图14所示，从右侧向左侧传播的波长范围相互不同的多个(此处是两个)光与从左侧向右侧传播的波长范围相互不同的多个(此处是两个)在光纤1、1中传播。并且，前者的多个光的光线路径用实线箭头统一表示，后者的多个光的光线路径用虚线箭头统一表示。
并且，根据本实施方式的活线检测装置，配置在右侧的受光元件芯片51、52对波状线(应为虚线)所示的光线路径，即从左侧向右侧传播的光的泄漏光进行受光，配置在左侧的受光元件芯片51、52对实线所示的光线路径，即从右侧向左侧传播的光的泄漏光进行受光。
因此，在各个受光元件芯片51、52、51、52，能够防止传播方向与检测对象的光相反的光到达。
此外，在图14中，较为理想的是，左侧的受光元件芯片51、52与右侧的受光元件芯片51、52相对于包含融接部2的剖面左右对称而配置。另外，在本实施方式中，采用光线路A在双向传输多个波长范围的光的方式，但没有必要在两个方向上传输相同数目的波长范围的光，可以在两个方向上传输不同数目的波长范围的光。另外，也可以采用在两个方向上均只传输一个波长范围的光的方式。
此外，上述实施方式6至7中的漏光产生部3的形成方法并不限定于实施方式1中所说明的形成方法，例如也可以使用实施方式2的方法形成漏光产生部3。
另外，也可以如实施方式3所示，通过将光纤1、1的一端夹住纤芯径与光纤1、1不同的漏光产生用光纤6连接而形成漏光产生部3。
另外，也可以如实施方式4所示，通过将光纤1、1的一端夹住纤芯径与光纤1、1相同、折射率与光纤1、1的纤芯11不同的漏光产生用光纤7连接而形成漏光产生部3。
另外，也可以如实施方式5所示，通过将光纤1、1的一端夹住由与光纤1、1的包层12、12相同的材料(石英玻璃)形成、且折射率相同的光纤连接而形成漏光产生部3。
(实施方式9)
图15(A)表示本发明的实施方式9的活线检测装置的概略结构图。图15(B)表示本发明的实施方式9的活线检测装置的比较例的概略结构图。此外，在本实施方式中，对与实施方式1至8相同的结构标注同一符号，并省略其说明。
本实施方式的活线检测装置的基本结构与实施方式1的活线检测装置相同。区别点在于，透明粘结层4与另一光纤1的包层12接触的区域受到限制，使得在受光元件芯片5与漏光产生部3之间，来自漏光产生部3的泄漏光不会通过透明粘结层4而泄漏到空气中。
如图15(B)所示，在比较例中，透明粘结层4在光纤1、1的光轴方向上向漏光产生部3侧较大范围地扩展。因此，在受光元件芯片5与漏光产生部3之间，来自漏光产生部3的泄漏光的一部分通过透明粘结层4泄漏到外部(空气中)。据此，受光元件芯片5的泄漏光的到达效率降低。
另一方面，如图15(A)所示，在本实施方式的活线检测装置中，另一光纤1的包层12与透明粘结层4接触的区域受到限制，使得在受光元件芯片5与漏光产生部3之间，来自漏光产生部3的泄漏光不会通过透明粘结层4而泄漏到空气中。
具体而言，如图15(A)所示，另一光纤1的包层12与透明粘结层4接触的区域的大小与图15(B)所示的相同区域的大小相比较小。
为了实现这一结构，适当设定作为透明粘结层4的粘结剂的涂敷量以及与受光元件芯片5粘结时的负荷等即可。此外，在本实施方式中，将透明粘结层4与包层12接触的区域的大小设定为比受光元件芯片5的大小稍大，但并不限定于此。即，也可以将透明粘结层4与包层12接触的区域形成为与受光元件芯片5的受光面相同的大小。此外，在本实施方式中，受光元件芯片5的受光面的大小与受光元件芯片5的大小大致相同。
如上述说明，根据本实施方式的活线检测装置，不仅能够得到实施方式1的效果，而且由于透明粘结层4与包层12接触的区域的大小受到限制，因此能够进一步提高泄漏光射向受光元件芯片5的到达效率。
(实施方式10)
图16表示本发明的实施方式10的活线检测装置的概略结构图。本实施方式的活线检测装置的基本结构与实施方式1大致相同。区别点在于，如图16所示，受光元件芯片5的受光面的一部分是可认为受光灵敏度均匀的有效受光区域5a，透明粘结层4与包层12接触的区域的大小被设定为小于受光元件芯片5的大小并且大于有效受光区域5a。其它结构与实施方式9相同，因此省略说明。
通过以这种方式构成，能够降低形成粘结剂层4的粘结剂的使用量，并且提高对受光元件芯片5的光的到达效率。
(实施方式11)
图17(A)表示本发明的实施方式11的活线检测装置的概略结构图。图17(B)表示本发明的实施方式11的活线检测装置的比较例的概略结构图。此外，在本实施方式中，对与实施方式1至10相同的结构标注同一符号，并省略其说明。
本实施方式的活线检测装置的基本结构与实施方式9大致相同。区别点在于，如图17(A)所示，在受光元件芯片5与漏光产生部3之间的光纤1的外周面上涂敷有反射部6x，该反射部6x由反射漏光产生部3产生的泄漏光的金属膜形成、且用于限制透明粘结层4与包层12接触的区域的漏光产生部3一侧的大小。
此处，反射部6x被沿包层12的整个圆周方向涂敷。即，反射部6x呈与包层12同心的圆状。
作为构成反射部6x的金属膜的材料，采用相对于在光纤1中传播的光反射率较高的金属材料即可。光通信中使用的光通常是波长为850nm、1310nm、1550nm等的近红外光。因此，作为金属材料采用例如Au、Ag、Al、Cu等为宜，其中采用耐氧化性优异的Au尤为适合。
如上所述，在本实施方式的活线检测装置中，能够利用由金属膜形成的反射部6x反射在漏光产生部3产生的泄漏光。因此，与如图17(B)所示的比较例那样透明粘结层4与包层12接触的区域向漏光产生部3一侧较大范围地扩展的结构相比，能够进一步提高对受光元件芯片5的泄漏光的到达效率。另外，即使在制造时粘结剂向漏光产生部3侧扩展，透明粘结层4与包层12接触的区域也会受到反射部6x的限制，因此能够防止对受光元件芯片5的泄漏光的到达效率的降低。
(实施方式12)
图18(A)表示本发明的实施方式12的活线检测装置的概略结构图。图18(B)表示本发明的实施方式12的活线检测装置的比较例的概略结构图。此外，在本实施方式中，对与实施方式1至11相同的结构标注同一符号，并省略其说明。
本实施方式的活线检测装置的基本结构与实施方式9大致相同。区别点在于，如图18(A)所示，在受光元件芯片5与漏光产生部3之间的光纤1的外周面上，涂敷有反射部7x，该反射部7x由使漏光产生部3产生的泄漏光全反射的多孔质玻璃膜形成、且用于限制透明粘结层4与包层12接触的区域的漏光产生部3一侧的大小。
此处，反射部7x被沿包层12的整个圆周方向涂敷。即，反射部7x与包层12同心。
作为构成上述反射部7x的多孔质玻璃膜，可以采用平均折射率(等效折射率(equivalent refractive index))为1.01至1.05左右，接近空气的折射率1的值的材料。即，作为多孔质玻璃膜，可以采用与透明粘结层4的折射率以及包层12的折射率相比折射率足够小的材料。
此处，作为多孔质玻璃膜的材料，例如可以采用二氧化硅气凝胶(silica aerogel)。
如上所述，在本实施方式的活线检测装置中，能够利用反射部7x全反射在漏光产生部3产生的泄漏光。因此，与如图18(B)所示的比较例那样透明粘结层4与包层12接触的区域向漏光产生部3一侧较大范围地扩展的结构相比，能够进一步提高向受光元件芯片5的泄漏光的到达效率。另外，即使在制造时粘结剂向漏光产生部3侧扩展，透明粘结层4与包层12接触的区域也会受到反射部7x的限制，因此能够防止向受光元件芯片5的泄漏光的到达效率的降低。
(实施方式13)
图19表示本发明的实施方式13的活线检测装置的概略结构图。此外，在本实施方式中，对与实施方式1至12相同的结构标注同一符号，并省略其说明。
本实施方式的活线检测装置的基本结构与实施方式11大致相同。区别点在于，如图19所示，反射部6x跨越光纤1、1而形成。此处，在本实施方式中，反射部6x跨越光纤1、1而形成，但只要在光纤1、1的光轴方向上，至少形成在透明粘结层4与漏光产生部3之间的大致整个区域即可。
另外，在实施方式11说明的图17(A)的活线检测装置中，在反射部6x与漏光产生部3之间存在光纤1的包层12露出的部位。因此，根据使用环境不同，有时在包层12、12表面会结露。此处，由于水的折射率为1.3左右，因此在这种结露的情况下，包层12与水的折射率差小于包层12与空气的折射率差，在漏光产生部3产生的泄漏光的一部分通过水滴而泄漏到空气中，存在向受光元件芯片5的泄漏光的到达效率降低的问题。
对此，在本实施方式的活线检测装置中，反射部6x形成在透明粘结层4与漏光产生部3之间的整个部分。因此，能够防止在透明粘结层4与漏光产生部3之间的光纤1的包层12的表面上结露。因此，能够防止在漏光产生部3产生的泄漏光通过水滴而泄漏到空气中的情况，能够防止向受光元件芯片5的泄漏光的到达效率的降低。
此外，代替本实施方式的反射部6x，采用实施方式12中说明的反射部7x也能得到相同的效果。
上述活线检测装置的技术特征可以总结如下。
(1)本发明所涉及的活线检测装置，用于检测包含两根光纤的光线路是否处于活线状态，包括：漏光产生部，通过以所述两根光纤的连接部位的折射率分布与光轴方向的其它部位的折射率分布相互不同的方式连接所述两根光纤而形成，使在其中之一光纤的纤芯内传播的光的一部分漏光到另一光纤的包层；以及受光元件，通过透光性粘结层粘结于所述另一光纤的包层的外周面，检测由所述漏光产生部漏出的光。
根据该结构，设置了使在其中一个光纤的纤芯内传播的光的一部分漏光到另一光纤的包层的漏光产生部。因此，与以连接损失达到最小的方式融接两根光纤的结构相比，能够增加泄漏光的绝对光量。
另外，受光元件芯片通过透光性粘结层粘结于另一光纤的包层的外周面。因此，能够缩短受光元件芯片与另一光纤的包层的外周面的距离。由此，能够提高泄漏光向受光元件的到达效率。
另外，与受光元件芯片与另一光纤的包层的外周面之间存在空气的结构相比，使较多的泄漏光从包层射入折射率大于空气的透光性粘结层，能够提高泄漏光向受光元件的到达效率。其结果能够实现更稳定的活线检测。
(2)另外，在上述活线检测装置中，较为理想的是，所述漏光产生部，通过融接所述两根光纤来形成中间折射率区域，所述中间折射率区域的折射率高于所述其它部位的包层的折射率但低于所述其它部位的纤芯的折射率。
根据该结构，能够在不增加漏光产生用的其它部件的情况下形成漏光产生部。
(3)另外，在上述活线检测装置中，较为理想的是，所述漏光产生部以如下方式形成：在融接所述两根光纤之前，先分别将所述其中之一光纤的一端和所述另一光纤的一端各自熔融，使得各光纤一端的折射率分布与所述其它部位的折射率分布相互不同，然后再将所述光纤的各一端融接。
根据该结构，能够更可靠地形成漏光产生部，并且能够使与光轴方向垂直的剖面上的漏光产生部的形成区域范围更广，能够进一步增加活线检测所必需的泄漏光的光量。
(4)另外，在上述活线检测装置中，较为理想的是，所述漏光产生部，通过将所述两根光纤夹着纤芯直径与该两根光纤不同的漏光产生用光纤连接而形成。
根据该结构，通过适当选择在两根光纤之间夹住的漏光产生用光纤的纤芯直径，能够形成漏光产生部。因此，能够更可靠地确保活线检测所必需的泄漏光的光量，并且能够在不改变融接条件的情况下形成漏光产生部。
(5)另外，在上述活线检测装置中，较为理想的是，所述漏光产生用光纤的纤芯的折射率与所述两根光纤各自的纤芯的折射率不同。
根据该结构，能够通过适当选择折射率与两根光纤的纤芯的折射率不同的光纤作为漏光产生用光纤，从而构成漏光产生部。
(6)另外，在上述活线检测装置中，较为理想的是，所述漏光产生部，通过将所述两根光纤夹着纤芯直径与所述两根光纤的纤芯直径相同但纤芯的折射率不同的漏光产生用光纤连接而形成。
根据该结构，能够通过适当选择纤芯直径与两根光纤相同，纤芯的折射率与两根光纤的纤芯的折射率不同的光纤作为漏光产生用光纤，从而构成漏光产生部。因此，能够更可靠地确保活线检测所必需的泄漏光的光量，并且能够在不改变融接条件的情况下形成漏光产生部。
(7)另外，在上述活线检测装置中，较为理想的是，所述漏光产生部，通过将所述两根光纤夹着由与该两根光纤的包层相同的材料构成且折射率同样的光纤连接而形成。
根据该结构，用两根光纤夹住由与两根光纤的包层相同的材料构成、且折射率相同的光纤，由此形成漏光产生部。因此，能够更可靠地确保活线检测所必需的泄漏光的光量，并且能够在不改变融接条件的情况下形成漏光产生部。
(8)另外，在上述活线检测装置中，较为理想的是，所述受光元件是能够分别检测出波长范围以及传输方向中的至少其中之一为不同的多个光的多个受光元件。
根据该结构，设置能够分别检测波长范围和传输方向中的至少其中之一不同的多个光的多个受光元件。因此，能够分别进行波长范围和传输方向中的至少其中之一不同的多个光的活线检测。
(9)另外，在上述活线检测装置中，较为理想的是，所述多个受光元件被配置成距所述漏光产生部的距离相同。
根据该结构，能够使对各受光元件的泄漏光的到达效率大致相同。
(10)另外，在上述活线检测装置中，较为理想的是，所述多个受光元件被配置成，检测灵敏度越低的受光元件越接近所述漏光产生部一侧。
根据该结构，能够减小各受光元件的检测灵敏度之差，分别对于波长范围及传输方向中的至少其中之一不同的多个光，能够更可靠地进行活线检测。
(11)另外，在上述活线检测装置中，较为理想的是，所述光线路是双向通信用光线路，所述多个受光元件夹着所述漏光产生部而配置于所述光轴方向的两侧。
根据该结构，能够防止传输方向与各个受光元件作为检测对象的光相反的光到达各个受光元件。
(12)另外，在上述活线检测装置中，较为理想的是，所述透光性粘结层与所述另一光纤的包层接触的区域受到限制，使得在所述受光元件与所述漏光产生部之间，来自所述漏光产生部的泄漏光不会通过所述透光性粘结层而泄漏到空气中。
根据该结构，透光性粘结层与另一光纤的包层接触的区域受到限制。因此，能够防止在受光元件与漏光产生部之间来自漏光产生部的泄漏光通过透光性粘结层而泄漏到空气中。其结果，能够进一步提高泄漏光向受光元件芯片的到达效率，能够实现更稳定的活线检测。
(13)另外，在上述活线检测装置中，较为理想的是，还包括位于所述受光元件与所述漏光产生部之间，并被配置在所述另一光纤的外周面上以限制所述区域的反射部，且所述反射部由反射所述漏光产生部产生的泄漏光的金属膜构成。
根据该结构，透光性粘结层与另一光纤的包层接触的区域的大小受到由金属膜构成的反射部的限制，因此能够防止光从另一光纤通过粘结剂层而泄漏到空气中，能够进一步提高向受光元件的泄漏光的到达效率。另外，即使在制造时粘结剂向漏光产生部侧扩展，通过反射部，粘结剂层与另一光纤接触的区域的大小也会受到限制，因此能够防止向受光元件的泄漏光的到达效率的降低。
(14)另外，在上述活线检测装置中，较为理想的是，还包括位于所述受光元件与所述漏光产生部之间，并被配置在所述另一光纤的外周面上以限制所述区域的反射部，且所述反射部由全反射所述漏光产生部产生的泄漏光的多孔质玻璃膜构成。
根据该结构，透光性粘结层与另一光纤的包层接触的区域的大小受到由多孔质玻璃膜构成的反射部的限制，因此能够防止光从另一光纤通过粘结剂层而泄漏到空气中，能够进一步提高向受光元件的泄漏光的到达效率。另外，即使在制造时粘结剂向漏光产生部侧扩展，通过反射部，粘结剂层与另一光纤接触的区域的大小也会受到限制，因此能够防止向受光元件的泄漏光的到达效率的降低。
(15)另外，在上述活线检测装置中，较为理想的是，所述反射部以覆盖所述另一光纤的包层的外周的方式被形成在所述透光性粘结层与所述漏光产生部之间。
根据该结构，能够防止在透光性粘结层与漏光产生部之间另一光纤的包层表面上结露。另外，能够防止该包层与结露的水滴直接接触，因此能够防止在漏光产生部产生的泄漏光通过水滴而泄漏到空气中。其结果，能够防止向受光元件的泄漏光的到达效率的降低。

Claims (15)

1.一种活线检测装置，用于检测包含两根光纤的光线路是否处于活线状态，其特征在于包括：
漏光产生部，通过以所述两根光纤的连接部位的折射率分布与光轴方向的其它部位的折射率分布相互不同的方式连接所述两根光纤而形成，使在其中之一光纤的纤芯内传播的光的一部分漏光到另一光纤的包层；以及
受光元件，通过透光性粘结层粘结于所述另一光纤的包层的外周面，检测由所述漏光产生部漏出的光。
2.根据权利要求1所述的活线检测装置，其特征在于：
所述漏光产生部，通过融接所述两根光纤来形成中间折射率区域，所述中间折射率区域的折射率高于所述其它部位的包层的折射率但低于所述其它部位的纤芯的折射率。
3.根据权利要求2所述的活线检测装置，其特征在于，所述漏光产生部以如下方式形成：
在融接所述两根光纤之前，先分别将所述其中之一光纤的一端和所述另一光纤的一端各自熔融，使得各光纤一端的折射率分布与所述其它部位的折射率分布相互不同，然后再将所述光纤的各一端融接。
4.根据权利要求1所述的活线检测装置，其特征在于：
所述漏光产生部，通过将所述两根光纤夹着纤芯直径与该两根光纤不同的漏光产生用光纤连接而形成。
5.根据权利要求4所述的活线检测装置，其特征在于：
所述漏光产生用光纤的纤芯的折射率与所述两根光纤各自的纤芯的折射率不同。
6.根据权利要求1所述的活线检测装置，其特征在于：
所述漏光产生部，通过将所述两根光纤夹着纤芯直径与所述两根光纤的纤芯直径相同但纤芯的折射率不同的漏光产生用光纤连接而形成。
7.根据权利要求1所述的活线检测装置，其特征在于：
所述漏光产生部，通过将所述两根光纤夹着由与该两根光纤的包层相同的材料构成且折射率一样的光纤连接而形成。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的活线检测装置，其特征在于：
所述受光元件是能够分别检测出波长范围以及传输方向中的至少其中之一为不同的多个光的多个受光元件。
9.根据权利要求8所述的活线检测装置，其特征在于：
所述多个受光元件被配置成距所述漏光产生部的距离相同。
10.根据权利要求8所述的活线检测装置，其特征在于：
所述多个受光元件被配置成，检测灵敏度越低的受光元件越接近所述漏光产生部一侧。
11.根据权利要求9或10所述的活线检测装置，其特征在于：
所述光线路是双向通信用光线路，
所述多个受光元件夹着所述漏光产生部而配置于所述光轴方向的两侧。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的活线检测装置，其特征在于：
所述透光性粘结层与所述另一光纤的包层接触的区域受到限制，使得在所述受光元件与所述漏光产生部之间，来自所述漏光产生部的泄漏光不会通过所述透光性粘结层而泄漏到空气中。
13.根据权利要求12所述的活线检测装置，其特征在于，还包括位于所述受光元件与所述漏光产生部之间，并被配置在所述另一光纤的外周面上以限制所述区域的反射部，且所述反射部由反射所述漏光产生部产生的泄漏光的金属膜构成。
14.根据权利要求12所述的活线检测装置，其特征在于，还包括位于所述受光元件与所述漏光产生部之间，并被配置在所述另一光纤的外周面上以限制所述区域的反射部，且所述反射部由全反射所述漏光产生部产生的泄漏光的多孔质玻璃膜构成。
15.根据权利要求13或14所述的活线检测装置，其特征在于：
所述反射部以覆盖所述另一光纤的包层的外周的方式被形成在所述透光性粘结层与所述漏光产生部之间。
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WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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