CN102057482A - 配线基板和液晶显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供配线基板和液晶显示装置。该配线基板中,在多列配置的衬垫中的引向衬垫的金属配线长度长的第一列衬垫和金属配线长度比第一列衬垫的第一金属配线(10a)短的第二列衬垫(30b)中,第一金属配线(10a)不设置在相邻的第二列衬垫(30b)之间的区域中,而是在第二列衬垫(30b)的下层区域中,以与第二列衬垫(30b)之间至少隔着第一绝缘层(20a)的方式设置,当使第二列衬垫(30b)的下层区域中的第一金属配线(10a)的线宽为W1,第二列衬垫(30b)的宽度为W2时,0.8≤W1/W2≤1。
Description
技术领域
本发明涉及配线基板,特别是设置有多列衬垫的配线基板和具有上述配线基板的液晶显示装置。
背景技术
目前,为了进行窄间距的安装,配置有所谓多列的衬垫的配线基板被广泛使用。
而且,随着对使用上述配线基板的电子设备进一步提出小型轻量化的要求,这些电子设备装载的电子部件逐渐高密度化。随之对安装电子部件的基板即配线基板也相应地要求更小的间距。
(专利文献1)
针对这样的要求,提出了各种技术方案。例如专利文献1中记载了如下技术:在设置有多列配置的衬垫的配线基板,衬垫和通过相邻的衬垫之间的金属配线设置在不同的层,进而使衬垫为双重构造。下面用图23和图24加以说明。这里,图23是表示上述专利文献1中记载的配线基板的构造的图,图24是图23的X-X线截面图。此外,图23中的“第一列”和“第二列”分别表示多列配置的衬垫105的列名。
在该专利文献1中记载的配线基板100,如图23所示,多列配置的衬垫105中,在第二列的衬垫105之间,设置有与第一列的衬垫105连接的金属配线101。而且,该金属配线101如图24所示设置在与第二列的衬垫105不同的层。即,衬垫105在上述金属配线101的上层隔着层间绝缘层102,设置在与金属配线101不同的层。
此外,第一列和第二列的衬垫105与设置在与上述衬垫105不同的层的金属配线101利用通孔103连接(参照图23)。在上述衬垫105的上层隔着层间绝缘层106,设置有面积比上述衬垫105大的衬垫109,上述衬垫105与上述衬垫109利用衬垫通孔107连接(参照图23)。即,以金属配线101在第一层,衬垫105在第二层,以及衬垫109在第三层的方式分别形成在不同的层。
如上所述,在上述专利文献1中记载的配线基板100,位于第二列的衬垫105之间的金属配线101设置在与上述衬垫105、109不同的层(在金属配线101的上层设置有层间绝缘层102)。因此,能够使相邻的第二列的衬垫109的间隔一定程度地变窄。
(专利文献2)
接着,以用于安装电子部件的基板即上述配线基板作为显示装置用基板使用为例,基于专利文献2加以说明。
专利文献2中记载了上述多列配置的衬垫在液晶面板中形成的结构。下面用图25~27加以说明。这里,图25是表示上述专利文献2中记载的液晶面板的构造的图,图26是表示图25所示的驱动IC(Integrated Circuit:集成电路)的底面的构造的图,图27是表示安装了图26所示的驱动IC的液晶面板的图。
如图25所示,专利文献2中记载的液晶面板300中,直接安装有对液晶面板300进行驱动的驱动IC400(COG(Chip On Glass:玻璃载芯片)安装)。这里如图26所示,在被COG安装在液晶面板300中的上述驱动IC400的底面配置有多列凸点410。而且,在安装了上述驱动IC400的区域中,如图27所示形成有在上述驱动IC400的底面上形成的与凸点410对应的电极衬垫320。上述电极衬垫320与引向衬垫的连接配线即输入线310连接。
专利文献1:日本公开专利公报“特开平5-29377号公报”(公开日:1993年2月5日)
专利文献2:日本公开专利公报“特开2004-252466号公报(公开日:2004年9月9日)”
发明内容
(漏泄不良)
但是,上述专利文献1中记载的结构中,存在当安装了驱动IC等电子部件时衬垫109与金属配线101之间容易产生漏泄不良的问题。下面基于图28加以说明。图28是表示电子部件被安装在配线基板上的状态的示意图。
如图28所示,将设置在驱动IC上的凸点120隔着各向异性导电膜(ACF:Anisotropic Conductive Film)130安装到配线基板100上时,会对配线基板100施加压入压力(图28的箭头)。而且,由于该压入压力也在衬垫109与金属配线101之间起作用,因此衬垫109与金属配线101接触,其结果存在产生漏泄不良的情况。该衬垫109与金属配线101的接触易产生在该间隔更窄的区域(图28的短路区域RS1)中。
另外,如图28所示,特别是安装时因驱动IC的位置偏移而导致上述凸点120与衬垫109之间产生位置偏移时,更易产生上述漏泄不良。
如上所述,作为产生漏泄不良的一个情况,存在因衬垫与在相邻的衬垫之间形成的连接配线的角部接触而造成的漏泄不良。
(窄间距化)
另外,为了抑制上述情况中的漏泄不良的产生,可以考虑扩展衬垫与连接配线之间的距离。具体而言,可以考虑例如以下的结构:在上述图28所示的配线基板中,扩展衬垫109与金属配线101之间的平面方向的间隔(扩展图28所示的短路区域RS1中的衬垫109与金属配线101之间的平面方向的间隔)。
在这样的结构中,因为衬垫109与金属配线101分离,所以能够抑制上述区域RS1中的漏泄不良的产生。
但是,由于金属配线101形成在相邻的衬垫109之间,如果扩展金属配线101与衬垫109的间隔,则其结果相邻的衬垫109之间的间隔扩展。
因此,这种结构虽然能够抑制上述情况中的漏泄不良,但是相反地会产生妨碍衬垫109的窄间距化的问题。
本发明是鉴于上述问题而完成的,其目的在于提供一种不易产生漏泄不良、而且能够实现衬垫的窄间距化的配线基板和液晶显示装置。
为了解决上述课题,本发明的配线基板,其特征在于:该配线基板包括:基板;和在基板上形成的衬垫以及与衬垫连接的连接配线,所述衬垫被配置成多列,其中,在上述多列配置的衬垫中的引向衬垫的连接配线的长度长的第一列衬垫和连接配线的长度比上述第一列衬垫的连接配线短的第二列衬垫中,与上述第一列衬垫连接的连接配线,不设置在相邻的上述第二列衬垫之间的区域中,而是以与上述第二列衬垫之间至少隔着绝缘层的方式设置在上述第二列衬垫的下层区域中,当使上述第二列衬垫的下层区域中与上述第一列衬垫连接的连接配线的线宽为W1,上述第二列衬垫的宽度为W2时,0.8≤W1/W2≤1。
为了解决上述课题,本发明的配线基板,其特征在于:该配线基板包括:基板;和在基板上形成的衬垫以及与衬垫连接的连接配线,所述衬垫被配置成多列,在上述多列配置的衬垫中,第一列衬垫具有的连接配线不通过相邻的第二列衬垫之间的区域,而是通过上述第二列衬垫的下层区域、并且与上述第一列衬垫连接,在与上述第一列衬垫连接的连接配线和上述第二列衬垫之间至少设置有绝缘层,当使上述第二列衬垫的下层区域中与上述第一列衬垫连接的连接配线的线宽为W1,上述第二列衬垫的上述线宽方向上的宽度为W2时,0.8≤W1/W2≤1。
根据上述的结构,在多列配置的衬垫中,在相邻的第二列衬垫之间不设置引向第一列衬垫的连接配线,而连接配线与上述第一列衬垫连接。
以配线基板作为形成有金属配线等的液晶显示装置用玻璃基板的情况为例进行如下说明。即,例如在需要将形成在液晶显示装置用玻璃基板的中心部分的TFT(Thin Film Transistor:薄膜晶体管)和驱动IC等连接的情况下,当上述IC的凸点配置为多列时,被搭载驱动IC的衬垫中,第一列衬垫和来自上述TFT的引出线以在第二列衬垫与相邻的第二列衬垫之间不设置连接配线的方式连接。
其结果,在本发明的配线基板中能够抑制由于衬垫与连接配线接触而导致的漏泄不良的产生。
即,衬垫与连接配线的接触,在连接配线形成在相邻的衬垫之间、并且为了实现衬垫的窄间距化而使衬垫与连接配线之间的间隔狭小时,在该间隔狭小的地方易产生。此外,这种接触在将电子部件等安装在衬垫上时,特别是安装时电子部件的位置产生偏移时,由于对基板作用有压入的力而易产生。
对于这一点,在本发明的配线基板中,连接配线不形成在相邻的衬垫之间。因此,不容易产生由上述衬垫与连接配线的接触造成的漏泄不良。
另外,根据上述结构,还能够抑制在俯视时衬垫与连接配线重叠地形成时由上述衬垫与连接配线的接触造成的漏泄不良。下面加以说明。
即,将电子部件等安装在衬垫上时,从上述电子部件的凸点等连接端子对上述衬垫施加有压入的力。该压入的力起作用,使得隔着绝缘层设置在该衬垫的下层区域中的连接配线与上述衬垫接触。而且,在上述压入的力较强的情况下,存在衬垫与其下层的接触配线接触而产生漏泄不良的时候。
这里,本发明人发现:上述衬垫与连接配线的接触在衬垫的宽度相对于其下层的连接配线的线宽而言充分大时,更容易产生这样的接触。
这是指,在衬垫的宽度与连接配线相比充分大时,由于来自上述连接端子的压入的力,该衬垫变得易变形,通过衬垫的变形,衬垫与连接配线变得容易接触。
具体而言,上述衬垫在上述力的作用下以覆盖下层的连接配线的产生弯曲成凹状,由此使该弯曲的衬垫与连接配线的两端角部容易接触,漏泄不良也易产生。
对于这一点,在上述的结构中,当使第二列衬垫的下层区域中的连接配线的线宽为W1、第二列衬垫的宽度为W2时,0.8≤W1/W2≤1。
即,连接配线的线宽或与衬垫的宽度相等,或至少大于等于衬垫宽度的80%。
此外,如上所述,由于连接配线的线宽相对于衬垫的宽度来说充分大,换言之由于衬垫的宽度与连接配线的线宽相比不充分大,所以不容易产生由上述力导致的衬垫的变形。
其结果,能够抑制由于上述衬垫与形成在其下层区域中的连接配线接触而导致的漏泄不良的产生。
(窄间距化)
此外,在本发明的配线基板中能够实现衬垫的窄间距化。
即,在上述的结构中,由于连接配线被设置在衬垫的下层区域中,所以无需在第二列衬垫与第二列衬垫之间设置上述连接配线。因此,即使缩小第二列衬垫与相邻的第二列衬垫之间的间隔,第二列衬垫与连接配线也不容易接触,于是能够实现窄间距化。
根据以上说明,在上述结构的配线基板中不容易产生漏泄不良,而且能够实现衬垫的窄间距化。
此外,本发明的配线基板,当使上述第二列衬垫的下层区域中与第一列衬垫连接的连接配线的线宽方向的端部,和与该端部对应的上述第二列衬垫的宽度方向的端部之间俯视时的距离为D时,0μm≤D≤1μm。
通过上述结构,能够将在衬垫与形成在其下层区域中的连接配线中,俯视时衬垫端部从连接配线突出的宽度抑制在1μm以下。
因此,能够降低由上述安装时的压入的力所造成的衬垫的弯曲。
由此,能够更容易地抑制衬垫与其下层的连接配线之间的漏泄不良的产生。
此外,本发明的配线基板优选上述连接配线的线宽W1与上述第二列衬垫的宽度W2相等。
此外,本发明的配线基板优选上述第二列衬垫的下层区域中上述连接配线的线宽方向的两端部与上述第二列衬垫的宽度方向的两端部在俯视时一致。
根据上述结构,衬垫与形成在其下层区域的连接配线的宽度相等,其宽度方向的两边在俯视时一致。
因此,能够降低由上述安装时的压入的力所造成的衬垫的弯曲。
由此,能够可靠地抑制衬垫与其下层的连接配线之间的漏泄不良的产生。
此外,本发明的配线基板中,上述第二列衬垫能够通过将引向该第二列衬垫的上述连接配线的线宽扩展来形成。
根据上述结构,由于第二列衬垫是通过扩展连接配线的线宽而形成的,所以能够用简便的方法在与连接于上述第一列衬垫的连接配线重叠的区域中形成第二列衬垫。
此外,本发明的配线基板中,上述第二列衬垫优选比与上述第一列衬垫连接的上述连接配线更柔软。
此外,本发明的配线基板中,上述第二列衬垫由铝形成,与上述第一列衬垫连接的上述连接配线由钛、氮化钛、钛和氮化钛的合金、钽、氮化钽、钽和氮化钽的合金中的任一种形成。
另外,本发明的配线基板中,上述第二列衬垫可以由铝或钛形成,与上述第一列衬垫连接的上述连接配线可以由镍形成。
根据上述结构,在衬垫与连接配线重叠的区域中,由于位于上层的衬垫比位于下层的连接配线更柔软,所以能够抑制由上述衬垫与连接配线的接触造成的漏泄不良的产生。
即,上述重叠的衬垫与连接配线的接触例如在将驱动IC等电子部件安装在衬垫上时,由于从上述衬垫向重叠的连接配线施加向基板的方向(与基板垂直的方向即从衬垫向基板的方向)的压入的力等而产生。
对于这一点,根据上述结构,由于上层的衬垫比下层的连接配线更柔软,因此在上层的衬垫上述力被缓和(应力缓和),上述重叠的衬垫与连接配线的接触变得不容易产生。
因此,能够抑制由于上述重叠的衬垫与连接配线接触而造成的漏泄不良的产生。
此外,在本发明的配线基板中上述基板作是显示装置用基板。
此外,在本发明的配线基板中上述显示装置用基板是液晶显示装置用玻璃基板。
根据上述结构,能够将具有上述衬垫和连接配线的配线基板,作为诸如EL(Electro Luminescence:电致发光)显示装置和液晶显示装置等的显示装置用基板使用。
因此,能够缩小显示装置用基板的连接区域,能够实现显示装置用基板的窄边框化等、以及显示装置用基板的小型化等。
此外,在本发明的配线基板中上述基板是印刷配线用基板。
根据上述结构,通过将上述配线基板用作印刷配线基板,能够实现印刷配线基板的小型化等。
为了解决上述课题,本发明的液晶显示装置的特征在于,包括:配线基板,其具备:基板;和在基板上形成的衬垫以及与衬垫连接的连接配线,所述衬垫被配置成多列;和安装在上述配线基板的上述衬垫上的电子部件,其中,上述配线基板是液晶显示装置用玻璃基板,上述多列配置的衬垫中的引向衬垫的连接配线的长度长的第一列衬垫和连接配线的长度比上述第一列衬垫的连接配线短的第二列衬垫中,与上述第一列衬垫连接的连接配线,不设置在相邻的上述第二列衬垫之间的区域中,而是以与上述第二列衬垫之间至少隔着绝缘层的方式设置在上述第二列衬垫的下层区域中,当使上述第二列衬垫的下层区域中与上述第一列衬垫连接的连接配线的线宽为W1,上述第二列衬垫的宽度为W2时,0.8≤W1/W2≤1。
为了解决上述课题,本发明的液晶显示装置的特征在于,包括:配线基板,其具备:基板;和在基板上形成的衬垫以及与衬垫连接的连接配线,所述衬垫被配置成多列;和安装在上述配线基板的上述衬垫上的电子部件,其中,上述配线基板是液晶显示装置用玻璃基板,在上述多列配置的衬垫中,第一列衬垫具有的连接配线不通过在相邻的第二列衬垫之间的区域,而是通过上述第二列衬垫的下层区域、并且与上述第一列衬垫连接,在与上述第一列衬垫连接的连接配线和上述第二列衬垫之间至少设置有绝缘层,当使上述第二列衬垫的下层区域中与上述第一列衬垫连接的连接配线的线宽为W1,上述第二列衬垫的上述线宽方向上的宽度为W2时,0.8≤W1/W2≤1。
根据上述结构,能够使设置在液晶显示装置用玻璃基板上的衬垫窄间距化。因此,在液晶显示装置用玻璃基板上直接安装(COG(Chip On Glass:玻璃载芯片)安装)了电子部件的液晶显示装置等中能够实现窄边框化、轻薄化等。
此外,由于在安装电子部件等时不容易产生漏泄不良,因此能够以更高的成品率制造液晶显示装置。此外,还能提高所制造的液晶显示装置的可靠性。
发明效果
本发明的配线基板和液晶显示装置如上所述,在多列配置的衬垫中的、引向衬垫的连接配线的长度较长的第一列衬垫和连接配线的长度比上述第一列衬垫的连接配线短的第二列衬垫中,与上述第一列衬垫连接的连接配线,不是在相邻的上述第二列衬垫之间的区域中,而是在上述第二列衬垫的下层区域中,以与上述第二列衬垫之间至少隔着绝缘层的方式设置,当使上述第二列衬垫的下层区域中与上述第一列衬垫连接的连接配线的线宽为W1,上述第二列衬垫的宽度为W2时,0.8≤W1/W2≤1。
此外,本发明的配线基板和液晶显示装置如上所述,在上述多列配置的衬垫中,第一列衬垫具有的连接配线不通过相邻的第二列衬垫之间的区域,而是通过上述第二列衬垫的下层区域、并且与上述第一列衬垫连接,在与上述第一列衬垫连接的连接配线和上述第二列衬垫之间至少设置有绝缘层,当使上述第二列衬垫的下层区域中与上述第一列衬垫连接的连接配线的线宽为W1,上述第二列衬垫的上述线宽方向上的宽度为W2时,0.8≤W1/W2≤1。
因此,能够起到实现不容易产生漏泄不良而且使衬垫窄间距化的配线基板和液晶显示装置的效果。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式的配线基板上的配线的图。
图2是表示图1的A-A线截面的示意图。
图3是表示图1的B-B线截面的示意图。
图4是表示图1的C-C线截面的示意图。
图5是表示本发明的实施方式的其他结构的图,(a)相当于图1的A-A线截面,(b)相当于图1的B-B线截面。
图6是表示图1的D-D线截面的示意图。
图7是表示本发明的实施方式的其他结构的图,相当于图1的D-D线截面。
图8是表示本发明的其他实施方式中图1的D-D线截面的图。
图9是表示图1的E-E线截面的示意图。
图10是表示图1的F-F线截面的示意图,(a)表示第一列衬垫的截面,(b)表示第一列衬垫的其他结构的截面。
图11是表示衬垫呈锯齿排列状设置的配线基板上的配线的状态的图。
图12是表示图11的G-G线截面的示意图。
图13是表示配线基板上安装了电子部件的状态的图。
图14是其他结构中相当于11的G-G线截面的图。
图15是表示本发明的其他实施方式的配线基板上的配线的图。
图16是表示本发明的其他实施方式中图1的F-F线截面的示意图。
图17是表示本发明的实施方式的液晶显示装置的概略结构的图。
图18是表示现有技术中配线基板上的配线的图。
图19是表示图18的L-L线截面的示意图。
图20是表示图18的M-M线截面的示意图。
图21是表示图18的N-N线截面的示意图。
图22是表示图18的O-O线截面的示意图。
图23是表示专利文献1中记载的配线基板的结构的图。
图24是图23的X-X线截面图。
图25是表示专利文献2中记载的液晶面板的结构的图。
图26是表示图25所示的驱动IC的底面的结构的图。
图27是表示安装了图26所示的驱动IC的液晶显示面板的图。
图28是表示IC以错位的状态安装在配线基板上的情况的图。
附图标记说明
1 配线基板
5 基板
10 金属配线(连接配线)
10a 第一金属配线(第一列衬垫的连接配线)
10b 第二金属配线(第二列衬垫的连接配线)
20a 第一绝缘层(绝缘层)
20b 第二绝缘层(绝缘层)
25 绝缘层
30 衬垫
30a 第一列衬垫
30b 第二列衬垫
具体实施方式
以下,基于附图对本发明的一个实施方式进行说明。另外,为了揭示本发明的特征,以与现有技术的配线基板对比的方式加以说明。
这里,图1是表示本实施方式的配线基板1上的配线的图。此外,图18是表示现有技术中设置了与上述配线基板1相同数量的衬垫30的配线基板2上的配线的图。
(整体结构)
如图1所示,本实施方式的配线基板1,在基板5上设置有作为与IC(Integrated Circuit:集成电路)等电子部件连接的电接点的衬垫30、作为与上述衬垫30连接的连接配线的金属配线10和用于使上述衬垫30和金属配线10绝缘的绝缘层(未图示)。
此外,在上述衬垫30,为了与电子部件进行电连接,没有设置上述绝缘层的部分、即绝缘层的一部分开口的部分成为衬垫开口部35。
(衬垫)
此外,在上述配线基板1,上述衬垫30设置为多列,更详细而言呈锯齿排列状设置。即,基板5上设置了两列衬垫30(图1所示的“第一列”和“第二列”),并且上述各列衬垫30(作为第一列的第一列衬垫30a和作为第二列的第二列衬垫30b)的衬垫间距相同。各列衬垫30a、30b以该衬垫间距的1/2错位配置。
如上所述的衬垫30的配置,与图18所示的现有的配线基板2中的配置一样。即,如图18所示,在现有的配线基板2上衬垫30也被分成第一列和第二列,并且呈相互错位配置而成的锯齿排列状。
(配线)
下面,对引向上述衬垫30的配线进行说明。
如图18所示,在现有的配线基板2上引向第一列衬垫30a的配线穿过上述第二列衬垫30b之间。
与此相对,在本实施方式的配线基板1,如图1所示,引向第一列衬垫30a的配线按照作为该连接配线的金属配线10(第一金属配线10a)通过上述第二列衬垫30b的下层区域的方式构成。换句话说,引向第一列衬垫30a的配线(第一金属配线10a)不穿过上述第二列衬垫30b之间。
更详细而言,在本实施方式的配线基板1,上述第一金属配线10a在与第二列衬垫30b重叠的区域中,在上述第二列衬垫30b与基板5之间的层形成,并且上述第一金属配线10a的线宽在上述区域中与重叠的第二列衬垫30b的宽度相同。
下面,利用配线基板1和配线基板2的截面图,对具体的配线方法进行说明。
(现有结构)
在现有的配线基板2,如图18所示,与第一列衬垫30a连接的第一金属配线10a和与上述第二列衬垫30b连接的第二金属配线10b,从引出区域(图18所示的引出区域X)到各衬垫30(图18所示的第一列衬垫区域PD1的第一列衬垫30a和第二列衬垫区域PD2的第二列衬垫30b),在与基板5相同的层上设置。而且,除与其他部件连接的区域等不需要绝缘的区域外,被相同的绝缘层(未图示)覆盖。
以下,基于表示上述引出区域X中的第一金属配线10a的截面(图18的L-L线截面)的图19,和表示上述引出区域X中的第二金属配线10b的截面(图18的M-M线截面)的图20进行说明。
即,如图19和图20所示,在现有的配线基板2,第一金属配线10a和第二金属配线10b均以相同的材料设置在基板5上的相同的层,并且被同一绝缘层25覆盖。
(本实施方式)
与此相对,在本实施方式的配线基板1,与第一列衬垫30a连接的第一金属配线10a和与上述第二列衬垫30b连接的第二金属配线10b,在引出区域(图1所示的区域X)中,在基板5上不重合(重叠),而在与上述第二列衬垫30b连接的区域即第二连接区域(图1所示的区域Y)中相互重合。下面,根据附图进行说明。
(引出区域X)
图2是表示上述引出区域X中的第一金属配线10a的截面(图1的A-A线截面)的图,图3是表示上述引出区域X中的第二金属配线10b的截面(图1的B-B线截面)的图。
如上述图1所示,在引出区域X中,第一金属配线10a和第二金属配线10b在基板5平面上的不同位置,以俯视时不重合的方式形成。
此外,如上述图2所示,上述第一金属配线10a被第一绝缘层20a和第二绝缘层20b覆盖。
另一方面,如上述图3所示,第二金属配线10b被第二绝缘层20b覆盖。此外,在上述第二金属配线10b与上述基板5之间设置有上述第一绝缘层20a。
这是由于,在上述基板5上形成上述各配线和各绝缘层时,是按照第一金属配线10a、第一绝缘层20a、第二金属配线10b、第二绝缘层20b的顺序形成的。
在后面将进行详细说明,而上述第一金属配线10a和第二金属配线10b彼此由不同的材料形成。
(第二连接区域Y)
接着,说明图1所示的第二连接区域Y。
在该第二连接区域Y中,上述第一金属配线10a和第二金属配线10b,在第二金属配线10b与第二列衬垫30b连接之前,在基板5的厚度方向、即基板5垂直的方向上重合。
以下,基于表示第二连接区域Y中第一金属配线10a和第二金属配线10b的截面(图1的C-C线截面)的图4进行说明。
如上述图4所示,上述第二连接区域Y中,在第一金属配线10a的上层设置有第二金属配线10b。更具体而言,在基板5上设置有第一金属配线10a和覆盖第一金属配线10a的第一绝缘层20a,并且,在它们的上层设置有第二金属配线10b和覆盖第二金属配线10b的第二绝缘层20b。
(其他结构)
另外,上述引出区域X和第二连接区域Y中的金属配线的结构不限于上述结构,也可以是以下所示的结构。
即,在本实施方式的其他结构中,对于配线基板1,在引出区域X中能够将与第一列衬垫30a连接的第一金属配线10a和与上述第二列衬垫30b连接的第二金属配线10b设置在基板5上的相同的层中。
此外,在与上述第二列衬垫30b连接的区域即第二连接区域Y中,将第一金属配线10a和第二金属配线10b彼此配置在不同的层。下面根据附图进行说明。
图5(a)和图5(b)均是表示本实施方式的其他结构的配线基板1的截面的图,图5(a)相当于图1的A-A线截面,图5(b)相当于图1的B-B线截面。
如上述图5(a)和图5(b)所示,在引出区域X中,第一金属配线10a和第二金属配线10b,设置在基板5上的相同的层中,而材料如后面说明的那样彼此不同。此外,上述第一金属配线10a和第二金属配线10b分别被第一绝缘层20a和第二绝缘层20b覆盖。
此外,上述第一金属配线10a和第二金属配线10b,在第二金属配线10b与第二列衬垫30b连接之前,在上述第二连接区域Y中如基于上述图4所说明的,在基板5的厚度方向、即基板5的垂直方向上重合。
(第二列衬垫区域PD2)
下面,对图1所示的形成有第二列衬垫30(第二列衬垫30b)的区域即第二列衬垫区域PD2中的衬垫30进行说明。
首先,在本实施方式的配线基板1,上述第二列中的衬垫30即第二列衬垫30b通过扩展上述第二金属配线10b的宽度、并且使第二绝缘层20b开口而形成。
图6是与上述图1的D-D线截面相当的表示上述第二列衬垫30b的截面的图。
如图6所示,第二列衬垫30b通过扩展上述图4所示的第二连接区域Y的层结构中的第二金属配线10b的线宽而形成。
进而,使图4中覆盖第二金属配线10b的第二绝缘层20b的一部分开口,在上述第二列衬垫30b的上层形成有衬垫开口部35。
即,本实施方式的第二列衬垫30b设置在第二金属配线10b的延长线上,为了实现与电子部件等的电连接,而扩展宽度并除去表层的绝缘层。
而且,在本实施方式的配线基板1,在上述第二列衬垫区域PD2中,上述第一金属配线10a也与上述第二金属配线10b同样扩展了线宽。
详细而言,如上述图6所示,在该第二列衬垫区域PD2中,第一金属配线10a的线宽扩展到与上述第二列衬垫30b相同的宽度。
换句话说,在上述第二列衬垫区域PD2中,上述第二列衬垫30b与上述第一金属配线10a重叠,并且俯视时上述第二列衬垫30b的宽度方向的两端部与上述第一金属配线10a的线宽方向的两端部一致。
(其他结构)
另外,上述第一金属配线10a的线宽方向的端部和上述第二列衬垫30b的端部无需在俯视时一致,第一金属配线10a的线宽也可以略小于上述第二列衬垫30b的宽度。下面用图进行说明。
图7是表示本发明的实施方式的其他结构的图,与图1的D-D线截面相当,表示上述第二列衬垫30b的截面。
图7中,W1表示第二列衬垫30b的下层区域中的第一金属配线10a的线宽,W2表示第二列衬垫30b的宽度。
另外,D1和D2表示俯视时(平面视图中)上述第二列衬垫30b的端部与第一金属配线10a的端部之间的偏离宽度(俯视下端部之间的距离D)。
而且,在上述图6所示的结构中,W1(第一金属配线10a的线宽)=W2(第二列衬垫30b的宽度),此外,D1=0μm,D2=0μm。
在本实施方式的配线基板1,无需W1=W2,例如也可以使W1/W2为0.8≤W1/W2≤1。
此外,同样地,也无需D1=0μm、D2=0μm,例如也可以是0μm≤D1≤1μm,或者0μm≤D2≤1μm。
上述图7中,作为本实施方式的其他结构的一例,示出了如下结构:第一金属配线10a的线宽W1=13μm,第二列衬垫30b的宽度W2=15μm,俯视时第一金属配线10a和第二列衬垫30b的端面的偏离宽度(间距)D1=1μm,同样D2=1μm,第一金属配线10a的线宽W1与第二列衬垫30b的宽度W2的比为W1/W2=0.87。
第一金属配线10a的线宽优选在上述范围内的理由在后面说明。
(电极衬垫)
另外,上述第二列中的衬垫30的结构并不限定于上述结构,也可以另外设置衬垫电极32。
图8是表示第二列中的衬垫30的其他结构的截面图。
具体而言,如上述图8所示,也可以在扩展第二金属配线10b的宽度而形成的衬垫30b的上层,设置例如由ITO(Indium Tin Oxide:氧化铟锡)构成的衬垫电极32。
上述结构中,例如通过用与上述第二金属配线10b不同的金属材料形成上述衬垫电极32,能够提高电子部件的连接稳定性等。
(现有结构)
相对于上述本实施方式的结构,在上述现有的配线基板2,如图18的N-N线截面图即图21所示,扩展第二金属配线10b的线宽地设置第二列衬垫30b,并且使绝缘层25开口,形成衬垫开口部35。此外,根据需要可以在上述第二列衬垫30b的上层设置由ITO构成的衬垫电极32。
(第一连接区域Z)
下面对第一金属配线10a和第一列衬垫30a进行说明。
在本实施方式的配线基板1,第一金属配线10a从第二列衬垫30b的下层,被引出至第一金属配线10a与第一列衬垫30a连接之前的区域即第一连接区域(图1所示的Z区域)。
即,在第二列衬垫30b之间不设置配线地,进行上述引出区域X与第一连接区域Z之间的连接。
此时,在第二列衬垫区域PD2中,上述第一金属配线10a从被扩展到与第二列衬垫30b的宽度相同宽度的线宽缩窄为扩展之前的线宽、即与第二连接区域Y中的线宽相同的线宽。
此外,被缩窄线宽的引出到第一连接区域Z中的上述第一金属配线10a,以能够与通过锯齿排列而与第二列衬垫30b位置偏离(错位)的第一列衬垫30a连接的方式设置有折曲,然后与第一列衬垫30a连接。
图9是表示第一连接区域Z中的第一金属配线10a的截面(图1的E-E线截面)的图,如上述图9所示,在上述第一连接区域Z中,第一金属配线10a的线宽缩窄为与此前基于图4进行了说明的第二连接区域Y中的线宽相同的线宽。
此外,在第一连接区域Z中,在第一金属配线10a的上层不设置第二金属配线10b。这是由于,第二金属配线10b在与第二列衬垫30b连接之后不再延伸。
另外,在图9所示的结构中,第一金属配线10a仅由第一绝缘层20a覆盖,不过,也可以例如如上述图2所示,第一金属配线10a由第一绝缘层20a和第二绝缘层20b覆盖。
(第一列衬垫区域PD1)
接着,对图1所示的形成有第一列的衬垫30(第一列衬垫30a)的区域即第一列衬垫区域PD1中的衬垫30进行说明。
图10(a)是表示第一列衬垫30a的截面(图1的F-F线截面)的图,图10(b)是表示第一列的衬垫30的其他结构的截面图。
如上述图10(a)所示,在第一列衬垫区域PD1中,通过再次扩展上述第一金属配线10a的线宽,形成第一列衬垫30a。
然后,通过在上述第一列衬垫30a的上层使上述第一绝缘层20a的一部分开口,形成衬垫开口部35。
此外,在第一列衬垫30a的其他结构中,如上述图10(b)所示,也可以在上述第一列衬垫30a的上层形成由ITO等构成的衬垫电极32。上述各个结构与此前说明的第二列衬垫30b相同。
(现有结构)
上述本实施方式的第一列衬垫30a的结构,与现有的配线基板2的结构大致相同。
图22是表示现有的配线基板2中的第一列衬垫30a的截面(图18的O-O截面)的图。
如上述图22所示,现有的配线基板2中的第一列衬垫30a,也与上述本实施方式的第一列衬垫30a一样,扩展第一金属配线10a的宽度,并且设置上层的绝缘层25的开口部分。此外,根据需要在上述第一列衬垫30a的上层形成衬垫电极32。
(漏泄不良:情况1)
如上所述,在本实施方式的配线基板1,第一金属配线10a以其线宽方向的中心位于第二列衬垫30b的下层区域的方式形成,而不是在相邻的第二列衬垫30b之间形成。
因此,在本实施方式的配线基板1,即使安装时在例如电子部件与衬垫之间产生位置偏移,特别是安装时施加于衬垫的力较强的情况下,也难以产生漏泄不良,而且能够实现衬垫的窄间距化。下面说明其理由。
即,在本实施方式的配线基板1,上述第一金属配线10a就其线宽方向而言,不是形成在相邻的第二列衬垫30b之间,而是位于上述第二列衬垫30b的下层区域。
因此,能够抑制由于第二列衬垫30b与设置在相邻的第二列衬垫30b之间的第一金属配线10a的角部接近而容易接触的情况。
即,第二列衬垫30b和第一金属配线10a的接触在如此前基于图28所说明的情况下容易产生,即,第一金属配线10a在相邻的第二列衬垫30b之间形成,并且为实现第二列衬垫30b的窄间距化而缩小了第二列衬垫30b与第一金属配线10a之间的间隔。
对于这一点,在本实施方式的配线基板1,由于第一金属配线10a设置在第二列衬垫30b的下层区域中,因此能够抑制由第二列衬垫30b与第一金属配线10a的角部接触而造成的漏泄不良。
(窄间距化)
另外,本实施方式中,着眼于第一金属配线10a的线宽方向时,第一金属配线10a以收纳于第二列衬垫30b的下层区域中的方式形成,在相邻的第二列衬垫30b彼此之间不设置第一金属配线10a。
因此,无需如现有技术那样为了抑制第二列衬垫30b、设置在相邻的第二列衬垫30b之间的第一列衬垫30a的连接配线即第一金属配线10a和上述第二列衬垫30b的接触而扩展相邻的第二列衬垫30b的距离。
由此,在本实施方式的配线基板1中,容易实现衬垫的窄间距化。
如上所述,在本实施方式的配线基板1中不容易产生上述的漏泄不良(情况1),而且能够实现衬垫的窄间距化。
(其他结构)
另外,作为不妨碍窄间距化、并抑制此前基于图28说明的漏泄不良(情况1)的产生的结构,可以考虑图11所示的结构。
图11是表示两列衬垫呈锯齿排列状设置的配线基板中的配线的状态的图。
在图11所示的结构中,与上述图1所示的配线基板1一样,第一金属配线10a设置在上述第二列衬垫30b与基板5之间,而不设置在俯视时相邻的第二列衬垫30b之间。
因此,如此前说明的那样,上述图11所示的结构也能够使第二列衬垫30b窄间距化,以及能够抑制上述情况1的漏泄不良的产生。
(漏泄不良:情况2)
但是,上述图11所示的结构可能导致其他的漏泄不良(情况2)。以下加以详细说明。
图12是表示图11的G-G线截面的示意图。如该图12所示,在图11所示的配线基板1,在叠层有第一金属配线10a和第二列衬垫30b的第二列衬垫区域PD2中,上述第一金属配线10a的线宽与上述第二列衬垫30b的宽度相比充分小。
这是因为,在图11和图12所示的结构中,第二列衬垫区域PD2中的第一金属配线10a的线宽与第一连接区域Z、第二连接区域Y中的线宽相等,在第二衬垫区域PD2中线宽没有特别增大。
在该图11和图12所示的结构中,基于第二列衬垫30b下沉等原因,存在产生漏泄不良(情况2)的情况。下面基于上述图12和图13进行说明。
在上述第二列衬垫30b安装如上所述的驱动IC等电子部件。具体而言,通过电子部件的凸点(bump)120沿着图12的箭头所示的方向与第二列衬垫30b(详细而言就是形成在第二列衬垫30b上的衬垫电极32)压接等,能够实现上述电子部件与第二列衬垫30b的导通。
这里,当安装上述电子部件时,在从上述电子部件的凸点120作用于第二列衬垫30b的将第二列衬垫30b向基板5的方向压入的力(参照上述箭头)较强等情况下,存在由于该力而使第二列衬垫30b变形的情况。
图13是表示在配线基板上安装了电子部件的状态的图,更详细而言,是表示由于受到来自电子部件的凸点120的力,第二列衬垫30b产生变形的状态的截面图。
如图13所示,安装电子部件时,在电子部件的凸点120压入第二列衬垫30b的力特别强等情况下,第二列衬垫30b的两端部可能以接近基板5的方式弯曲成凹状。此外,当上述弯曲变大时,可能导致隔开第二列衬垫30b与上述第一金属配线10a的第一绝缘层20a断裂,第二列衬垫30b与第一金属配线10a接触,由此造成漏泄不良产生的情况。该第二列衬垫30b与第一金属配线10a的接触,容易产生在第一金属配线10a的两端角部附近区域(图13所示的短路区域RS2)。
如上所述,作为情况1以外的漏泄不良,存在由衬垫与形成在衬垫的正下方区域的连接配线的角部之间接触造成的漏泄不良(情况2)。
此外,如上所述,在图11所示的结构中,能够不妨碍窄间距化地抑制此前基于图28说明的情况1中的漏泄不良的产生,但是在安装时从电子部件施加于衬垫的力特别强等情况下,可能导致基于图13说明的情况2中的漏泄不良的产生。
另外,在上述说明中,对于情况2中的漏泄不良,基于图13以在使第二金属配线10b的宽度扩展而形成的第二列衬垫30b的上层设置有衬垫电极32的结构为例加以说明。这里,情况2的漏泄不良在不设置图14所示的衬垫电极32的结构中也同样会产生。图14是其他结构的相当于图11的G-G线截面的图。
(本实施方式)
对于这一点,此前图1所示的本实施方式的配线基板1不仅能够抑制上述情况1中的漏泄不良,还能够抑制情况2中的漏泄不良。下面说明其理由。
在本实施方式的配线基板1,在第二列衬垫区域PD2中,第一金属配线10a的线宽W1与第二列衬垫30b的宽度W2相等,此外其各自的宽度方向的两端部俯视时一致。
即,在第二列衬垫区域PD2中,上述第一金属配线10a的线宽被扩展到比第一连接区域Z、第二连接区域Y中的线宽更大,俯视时是不从上述第二列衬垫30b突出的范围内的最大宽度。
因此,在配线基板1上安装电子部件时,即使从上述电子部件的凸点120等对第二列衬垫30b施加的将第二列衬垫30b朝向基板5的方向压入的力起作用,第二列衬垫30b与形成在其下层的第一金属配线10a的也难以接触,结果是情况2中的漏泄不良不容易产生。
即,如此前基于图13所说明的,上述情况2中的漏泄不良是由于如下原因而容易产生的:由于作用于上述第二列衬垫30b的力,第二列衬垫30b产生变形,第二列衬垫30b与上述第一金属配线10a接触。
此外,由该第二列衬垫30b的变形引起的与第一金属配线10a的接触是由于如下原因而容易产生的:在第二列衬垫30b的宽度与形成在其下层的第一金属配线10a的宽度相比充分大的情况下(第一金属配线10a的宽度与第二列衬垫的宽度30b相比充分小),由于上述力的作用上述第二列衬垫30b容易向基板5的方向凹状地弯曲,其结果弯曲的第二列衬垫30b与第一金属配线10a的两端角部相接触。
与此相对,在本实施方式的结构中,例如如上述图6或图8所示,上述第一金属配线10a的宽度与位于其上层的第二列衬垫30b的宽度相同。换言之,第二列衬垫30b的整体形成在第一金属配线10a之上。
因此,在安装电子部件时,即使对第二列衬垫30b作用有向基板5的方向压入的较强的力,第二列衬垫30b也难以产生例如朝向基板5的方向凹状地弯曲等变形。因此,第二列衬垫30b的下层的绝缘层即第一绝缘层20a变得不容易破裂。于是,第二列衬垫30b与形成在其下层区域的第一金属配线10a的两端角部的接触(电短路)变得难以产生,此前基于图13说明的情况2中的漏泄不良也变得难以产生。
如上所述,在本实施方式的配线基板1中,能够抑制上述情况1中的漏泄不良,并且也能够抑制由于上述第二列衬垫30b变形而与下层的第一金属配线10a接触所导致的情况2中的漏泄不良的产生。
因此,本发明的配线基板1即使在安装时产生位置偏移的情况下,特别是安装时向衬垫施加较强的力的情况下,也不容易产生漏泄不良,而且能够实现衬垫的窄间距化。
(其他结构)
另外,上述说明中对于图6所示的结构,即,第一金属配线10a的线宽W1和第二列衬垫30b的宽度W2相等,此外其各自的宽度方向的两端部俯视时一致(对齐)的结构进行了说明。
但是,能够抑制上述情况2中的漏泄不良的结构,不限定于上述的结构,例如此前基于图7说明的结构亦可。
即,上述第一金属配线10a的宽度方向的端部和上述第二列衬垫30b的端部,无需在俯视时一致,即使是第一金属配线10a的线宽比上述第二列衬垫30b的宽度略小的结构,也能够抑制上述情况2中的漏泄不良。
具体而言,例如包括此前基于图7说明的结构例,上述W1/W2在0.8≤W1/W2≤1的范围内的结构,也能够抑制上述情况2中的漏泄不良。
此外同样地,也无需D1=0μm、D2=0μm,例如0μm≤D1≤1μm或0μm≤D2≤1μm的结构也可以取得同样的效果。
这是由于在上述结构中,第二列衬垫30b的宽度与形成在其下层的第一金属配线10a的宽度相比不充分大的情况下,即使在上述安装时作用有压入的力,也能够抑制第二列衬垫30b的变形。
(COG)
上述的抑制各漏泄不良的产生的效果在本实施方式的配线基板1用于与玻璃载芯片连接时很显著。这里,玻璃载芯片(COG:Chip On Glass)连接是指,在玻璃基板上直接安装半导体芯片等部件的连接。
具体而言,例如液晶显示装置用玻璃基板适合上述配线基板1,在该液晶显示装置用玻璃基板上直接安装驱动IC等芯片部件等情况是适当的。
通过该玻璃载芯片连接将芯片部件直接安装在设置于玻璃基板的衬垫上,所以层间的应力不容易缓和,上述绝缘层易破裂。因此,例如特别是安装时产生位置偏移等情况下,在衬垫与连接配线之间易产生漏泄不良。
对于这一点,在本实施方式的配线基板1中,如上所述第一金属配线10a形成在第二列衬垫30b的下层,并且上述第一金属配线10a的线宽方向的两端部与上述第二列衬垫30b的宽度方向的两端部俯视时一致。
换言之,在本实施方式的配线基板1中,由于第一金属配线10a与第二列衬垫30b的两端部一致,第一金属配线10a不从第二列衬垫30b突出,所以能够抑制上述漏泄不良的产生。
即,由于第二列衬垫30b之间不设置配线,所以例如即使在将驱动IC安装于配线基板1时产生位置偏移,也不容易产生第二列衬垫30b与第一金属配线10a之间的电短路。其结果,能够抑制漏泄不良的产生。
(衬垫的其他结构)
另外,第一列衬垫30a和第二列衬垫30b可以分别通过扩展第一金属配线10a和第二金属配线10b的宽度来形成,也可以例如以与第一金属配线10a和第二金属配线10b不同的材料形成,或形成在不同的层。
(金属材料)
接着,对用于形成上述金属配线(第一金属配线10a、第二金属配线10b)和衬垫(第一列衬垫30a、第二列衬垫30b)的金属材料进行说明。
在本实施方式的配线基板1,如基于图6说明的那样,在第二列衬垫30b的下层配置有第一金属配线10a。
此外,在本实施方式中,优选第二列衬垫30b和上述第一金属配线10a由不同的材料形成。
另外,在本实施方式中,由于第二列衬垫30b是在第二金属配线10b的延长线上通过扩展其线宽而形成的,所以第二列衬垫30b与第二金属配线10b由相同的金属材料形成。
[表1]
组合1 | 组合2 | 组合3 | 组合4 | |
第二列衬垫 | Al | Al | Al | Ti |
第一金属配线 | Ti/TiN | Ta/TaN | Ni | Ni |
第一/第二绝缘层 | SiN、SiO2 | SiN、SiO2 | SiN、SiO2 | SiN、SiO2 |
表1列出了第二列衬垫30b和第一金属配线10a的材料,以及第一绝缘层20a和第二绝缘层20b的材料。
如表1所示,在本实施方式的配线基板1中,将第二列衬垫30b的材料与第一金属配线10a的材料相比较,则第二列衬垫30b的材料比第一金属配线10a的材料更柔软。
即,通常金属的硬度(莫氏硬度)满足Ni>Ti>Al的顺序,在例如表1中的组合1的情况即第二列衬垫30b由Al(铝)形成、而第一金属配线10a由Ti(钛)和TiN(氮化钛)的合金形成的情况下,第二列衬垫30b的材料比第一金属配线10a的材料更柔软。
此外,如上所述的第二列衬垫30b的材料比第一金属配线10a的材料更柔软的这种关系,在其他组合(组合2、组合3、组合4)中同样也能够实现。
根据这种结构,安装时由于位于上层的第二列衬垫30b的材料比下层的第一金属配线10a的材料更柔软,所以不容易产生因第二列衬垫30b与下层的第一金属配线10a接触造成的漏泄不良。
即,在将IC等安装在上述第二列衬垫30b上时,例如从IC的凸点对上述第二列衬垫30b与第一金属配线10a的叠层体作用有向基板5的方向压入的力。
可以预测在该力的作用下上层的第二列衬垫30b与下层的第一金属配线10a会接触。对于这一点,根据上述结构,由于上层的第二列衬垫30b比下层的第一金属配线10a更柔软,所以在上层的第二列衬垫30b上述力被缓和(应力缓和),其结果,不容易产生第二列衬垫30b与第一金属配线的接触。
(衬垫的配置)
另外,本发明的配线基板1的结构不限定于上述结构。例如作为本发明的其他的实施方式,还包括变更第一列衬垫30a和第二列衬垫30b的配置而成的结构。
即,在上述实施方式中,对如图1所示锯齿排列状地设置有第一列衬垫30a和第二列衬垫30b的配线基板1进行了说明,但是本发明的配线基板1不限定于上述结构。
图15是表示本发明的其他结构的配线基板1的配线在俯视时的状态的图。
如图15所示,例如第一列衬垫30a与第二列衬垫30b不配置成锯齿排列状,而是配置成直线状亦可。
此外,关于第一金属配线10a从第二列衬垫区域PD2的引出,在上述图1中示出了如下结构:以与第二连接区域Y中的第一金属配线10a的线宽相同的线宽,将第一金属配线10a从第二列衬垫30b的下层区域引出到第一连接区域Z。
即,在上述结构中,上述第一金属配线10a的线宽在第二连接区域Y和第一连接区域Z中相等,仅在第二列衬垫区域PD2中扩展了宽度而与第二列衬垫30b相同。
与此相对,在上述图15所示的结构中,在从第二列衬垫区域PD2向第一连接区域Z的上述第一金属配线10a的引出部分,第一金属配线10a经由与第二列衬垫30b相同宽度的部分10a1,缩窄为与上述第二连接区域Y中的线宽相同的线宽。即,在第一连接区域Z中,第一金属配线10a的线宽也具有与第二列衬垫30b相同的部分。
此外,在从第二连接区域Y到第二列衬垫区域PD2的连接部分也能够采用相同的结构。即,如图15所示,在第二连接区域Y与第二列衬垫区域PD2的边界区域处设置有根据第二列衬垫30b的形状将第一金属配线10a的线宽扩展到与第二列衬垫30b的宽度相同的宽度而成的部分10a2。
根据以上结构,能够可靠地抑制此前说明的情况2中的漏泄不良。
此外,对于配置成多列的衬垫,在上述实施方式中为了简化说明而基于列数为2列的结构进行了说明,但是本发明的配线基板中的衬垫的列数不限定于2列。作为上述列数,例如也可以是3列、4列等更多的列数。
此外,在上述说明中,对于第一列的衬垫30的结构,基于图10(a)和图10(b)对通过扩展第一金属配线10a的宽度或进一步设置衬垫电极32来形成第一列衬垫30a的结构进行了说明,但是本发明的第一列的衬垫30的结构并不限定于这种结构。
例如,还能够如图16所示,在扩展第一金属配线10a的宽度而形成的第一列衬垫30a的上层,形成由与上述第二金属配线10b相同的材料等构成的连接金属部40。此外,还能够根据需要在上述连接金属部40的上层形成此前说明的衬垫电极32。
根据这种结构,由于能够缩小第一列的衬垫30与第二列的衬垫30之间的高度差,所以能够更加可靠地进行安装。
另外,本发明的配线基板能够用于各种电子设备,例如也能够适用于液晶显示装置。图17示出了使用本发明的配线基板的液晶显示装置200的概略结构。
如图17所示,上述液晶显示装置200包括框架210、液晶面板220、上述液晶面板220所具备的电子部件230和背光源单元240,例如能够使构成上述液晶面板220的液晶显示装置用玻璃基板采用本发明的配线基板的结构。
另外,本发明不限定于上述的实施方式,能够在权利要求所示的范围内进行种种变更。即,将在权利要求所示的范围内适当变化后的技术手段组合而得到的实施方式也包含在本发明的技术范围中。
产业上的可利用性
本发明的配线基板能够实现衬垫的窄间距化,所以能够适用于要求高密度的安装的用途。
Claims (14)
1.一种配线基板,其特征在于:
该配线基板包括:基板;和在基板上形成的衬垫以及与衬垫连接的连接配线,所述衬垫被配置成多列,其中
在所述多列配置的衬垫中的引向衬垫的连接配线的长度长的第一列衬垫和连接配线的长度比所述第一列衬垫的连接配线短的第二列衬垫中,与所述第一列衬垫连接的连接配线,不设置在相邻的所述第二列衬垫之间的区域中,而是以与所述第二列衬垫之间至少隔着绝缘层的方式设置在所述第二列衬垫的下层区域中,
当使所述第二列衬垫的下层区域中与所述第一列衬垫连接的连接配线的线宽为W1,所述第二列衬垫的宽度为W2时,
0.8≤W1/W2≤1。
2.如权利要求1所述的配线基板,其特征在于:
当使所述第二列衬垫的下层区域中与第一列衬垫连接的连接配线的线宽方向的端部,和与该端部对应的所述第二列衬垫的宽度方向的端部之间俯视时的距离为D时,
0μm≤D≤1μm。
3.如权利要求1或2所述的配线基板,其特征在于:
所述连接配线的线宽W1与所述第二列衬垫的宽度W2相等。
4.如从权利要求1~3中任一项所述的配线基板,其特征在于:
所述第二列衬垫的下层区域中的所述连接配线的线宽方向的两端部与所述第二列衬垫的宽度方向的两端部在俯视时一致。
5.如权利要求1~4中任一项所述的配线基板,其特征在于:
所述第二列衬垫是通过将引向该第二列衬垫的所述连接配线的线宽扩展而形成的。
6.如权利要求1~5中任一项所述的配线基板,其特征在于:
所述第二列衬垫比与所述第一列衬垫连接的所述连接配线更柔软。
7.如权利要求6所述的配线基板,其特征在于:
所述第二列衬垫由铝形成,与所述第一列衬垫连接的所述连接配线由钛、氮化钛、钛和氮化钛的合金、钽、氮化钽、钽和氮化钽的合金中的任一种形成。
8.如权利要求6所述的配线基板,其特征在于:
所述第二列衬垫由铝或钛形成,与所述第一列衬垫连接的所述连接配线由镍形成。
9.如权利要求1~8中任一项所述的配线基板,其特征在于:
所述基板是显示装置用基板。
10.如权利要求9所述的配线基板,其特征在于:
所述显示装置用基板是液晶显示装置用玻璃基板。
11.如权利要求1~8中任一项所述的配线基板,其特征在于:
所述基板是印刷配线用基板。
12.一种液晶显示装置,其特征在于,包括:
配线基板,其具备:基板;和在基板上形成的衬垫以及与衬垫连接的连接配线,所述衬垫被配置成多列;和
安装在所述配线基板的所述衬垫上的电子部件,其中
所述配线基板是液晶显示装置用玻璃基板,
在所述多列配置的衬垫中的引向衬垫的连接配线的长度长的第一列衬垫和连接配线的长度比所述第一列衬垫的连接配线短的第二列衬垫中,与所述第一列衬垫连接的连接配线,不设置在相邻的所述第二列衬垫之间的区域中,而是以与所述第二列衬垫之间至少隔着绝缘层的方式设置在所述第二列衬垫的下层区域中,
当使所述第二列衬垫的下层区域中与所述第一列衬垫连接的连接配线的线宽为W1,所述第二列衬垫的宽度为W2时,
0.8≤W1/W2≤1。
13.一种配线基板,其特征在于:
该配线基板包括:基板;和在基板上形成的衬垫以及与衬垫连接的连接配线,所述衬垫被配置成多列,
在所述多列配置的衬垫中,
第一列衬垫具有连接配线,该连接配线不通过相邻的第二列衬垫之间的区域,而是通过所述第二列衬垫的下层区域、并且与所述第一列衬垫连接,
在与所述第一列衬垫连接的连接配线和所述第二列衬垫之间至少设置有绝缘层,
当使所述第二列衬垫的下层区域中与所述第一列衬垫连接的连接配线的线宽为W1,所述第二列衬垫在所述线宽方向上的宽度为W2时,
0.8≤W1/W2≤1。
14.一种液晶显示装置,其特征在于,包括:
配线基板,其具备:基板;和在基板上形成的衬垫以及与衬垫连接的连接配线,所述衬垫被配置成多列;和
安装在所述配线基板的所述衬垫上的电子部件,其中
所述配线基板是液晶显示装置用玻璃基板,
在所述多列配置的衬垫中,
第一列衬垫具有连接配线,该连接配线不通过相邻的第二列衬垫之间的区域,而是通过所述第二列衬垫的下层区域、并且与所述第一列衬垫连接,
在与所述第一列衬垫连接的连接配线和所述第二列衬垫之间至少设置有绝缘层,
当使所述第二列衬垫的下层区域中与所述第一列衬垫连接的连接配线的线宽为W1,所述第二列衬垫在所述线宽方向上的宽度为W2时,
0.8≤W1/W2≤1。
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