CN102057264A - 检测传感器 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及检测传感器。将用简易的结构高灵敏度地检测外力或者加速度作为目的。外力检测传感器(1)具备:包含具有多个固定梳齿部(12a)的固定电极(10)以及具有多个插入固定梳齿部(12a)之间的可动梳齿部(20a)的可动电极(20)的梳齿电极(2)、为了由相对于固定电极(10)的静电力以规定的共振频率使可动电极(20)振动而被连接于固定电极(10)和可动电极(20)的电源(3)、基于使可动电极(20)振动的时候的固定电极(10)与可动电极(20)之间的电气特性的变化检测外力的检测部(4),关于邻接的固定梳齿部(12a)以及插入其间的可动梳齿部(20a),一个固定梳齿部(12a)和可动梳齿部(20a)的间隔与另一个固定梳齿部(12a)和可动梳齿部(20a)的间隔不同。
Description
技术领域
本发明涉及检测外力或者加速度的检测传感器。
背景技术
作为检测外力或者加速度的传感器,例如可以列举加速度传感器和位移传感器。其中,关于加速度传感器,一般是由容量变化或者电阻应变方式检测可动质量的静态位移的方法。例如,在下述专利文献1中公开了根据静电容量的变化检测位移的加速度传感器。
专利文献
专利文献1:日本特开平10-206457号公报
发明内容
发明所要解决的问题
然而,在由静电致动器(static actuator)检测静电容量变化的情况下,为了提高灵敏度需要下工夫,电阻应变方式容易招致装置的复杂化。
本发明是为了解决上述问题而悉心研究的结果,以提供一种能够用简易的结构高灵敏度地检测外力或者加速度的检测传感器为目的。
解决问题的技术手段
本发明的检测传感器具备:包含具有多个固定梳齿部的固定电极和具有多个插入到固定梳齿部之间的可动梳齿部的可动电极的梳齿电极、为了由相对于固定电极的静电力使可动电极以规定的共振频率振动而被连接于固定电极和可动电极的电源、以及基于使可动电极振动时的固定电极与可动电极之间的电气特性的变化而检测外力或者加速度的检测单元,关于邻接的固定梳齿部以及被插入其间的可动梳齿部,一个固定梳齿部和该可动梳齿部的间隔与另一个固定梳齿部和该可动梳齿部的间隔不同。
根据这样的检测传感器,关于邻接的固定梳齿部与被插入其间的可动梳齿部,因为固定梳齿部与可动梳齿部的间隔在左右不同,所以如果以规定的共振频率的静电力使可动电极振动,那么在施加外力的时候,固定电极与可动电极之间的电气特性会发生较大的变化。因此,通过检测该变化,能够高灵敏度地检测外力或者加速度。另外,装置的结构也变得简单。
在本发明的检测传感器中,优选,电源提供使可动电极在可动梳齿部的排列方向上振动的共振频率的电力。
在此情况下,因为可动电极在可动梳齿部的排列方向上振动,所以能够特别高灵敏度地检测施加于该排列方向上的外力或者加速度。
在本发明的检测传感器中,优选,电源提供使可动电极在可动梳齿部的延伸方向上振动的共振频率的电力。
在此情况下,因为可动电极在可动梳齿部的延伸方向上振动,所以能够特别高灵敏度地检测施加于该延伸方向上的外力或者加速度。
在本发明的检测传感器中,优选,电源通过在使可动电极在可动梳齿部的排列方向上振动的第1共振频率与使可动电极在可动梳齿部的延伸方向上振动的第2共振频率之间切换规定的频率,从而变更可动电极的振动方向,可动电极在第1共振频率下,在可动梳齿部的排列方向上振动,在第2共振频率下,在可动梳齿部的延伸方向上振动。
在此情况下,在可动电极在可动梳齿部的排列方向上振动的情况下,能够特别高灵敏度地检测被施加于该排列方向上的外力或者加速度,并且在可动电极在可动梳齿部的延伸方向上振动的情况下,能够特别高灵敏度地检测被施加于该延伸方向上的外力或者加速度。而且,因为电源通过切换共振频率从而变更可动电极的振动方向,所以对应于所检测的外力或者加速度的方向而仅切换共振频率,从而能够高灵敏度地检测外力或者加速度。
在本发明的检测传感器中,优选,电源产生重叠了使可动电极在可动梳齿部的排列方向上振动的第1共振频率和使可动电极在可动梳齿部的延伸方向上振动的第2共振频率的信号。
在此情况下,在共振频率下使可动电极在可动梳齿部的排列方向上振动,在共振频率下使可动电极在可动梳齿部的延伸方向上振动。在此情况下,在可动梳齿部的排列方向和延伸方向上,因为由外力或者加速度而发生变化的共振频率各不相同,所以即使不进行频率切换,也能够分别高灵敏度地检测各个方向的外力或者加速度。
在本发明的检测传感器中,优选,与固定梳齿部的延伸方向以及排列方向正交的方向上的该固定梳齿部的长度和与可动梳齿部的延伸方向以及排列方向正交的方向上的该可动梳齿部的长度不同,电源提供使可动电极在与可动梳齿部的延伸方向以及排列方向正交的方向上振动的共振频率的电力。
在此情况下,因为与固定梳齿部的延伸方向以及排列方向正交的方向(高度方向)上的该固定梳齿部的长度和与可动梳齿部的延伸方向以及排列方向正交的方向(高度方向)上的该可动梳齿部的长度不同,所以通过取得在以规定的共振频率使可动电极振动的时候的、固定电极与可动电极之间的电气特性,从而即使在高度方向上也能够检测外力或者加速度。
在本发明的检测传感器中,优选,电源与成为共振频率的信号重叠地产生直流偏压信号。
发明的效果
根据这样的检测传感器,通过使固定梳齿部与可动梳齿部的间隔在左右不同,从而能够根据将共振频率的静电力赋予可动电极的时候的固定电极与可动电极之间的电气特性的变化而检测外力或者加速度。其结果,能够用简易的结构高灵敏度地检测外力或者加速度。
附图说明
图1是示意性地表示实施方式所涉及的外力检测传感器的整体结构的立体图。
图2(a)~(c)是表示可动电极的振动的情况的照片。
图3是表示导纳与频率之间的关系的图表。
图4是表示共振频率与直流偏压之间的关系的图表。
图5是表示导纳曲线的解析值与实测值的比较的图表。
图6是表示关于共振频率的直流偏压依赖性的解析值与实测值的比较的图表。
图7是表示共振频率与电压灵敏度之间的关系的图表。
符号的说明
1…外力检测传感器、2…梳齿电极、3…电源、4…检测部(检测单元)、10…固定电极、12a…固定梳齿部、20…可动电极、20a…可动梳齿部。
具体实施方式
以下,参照附图,对本发明的实施方式进行详细的说明。在本实施方式中,将本发明所涉及的检测传感器适用于外力检测传感器。还有,在附图的说明中,将相同的符号标注于相同或者同等的要素上,从而省略重复的说明。
图1是示意性地表示实施方式所涉及的外力检测传感器的整体结构的立体图。图2(a)~(c)是表示可动电极的振动的情况的照片。图3是表示导纳(admittance)与频率的关系的图表。图4是表示共振点与直流偏压的关系的图表。图5是表示导纳曲线的解析值与实测值的比较的图表。图6是表示关于共振点的直流偏压依赖性的解析值与实测值的比较的图表。图7是表示共振点与电压灵敏度的关系的图表。
外力检测传感器1具备梳齿电极2、电源3以及检测部(检测单元)4。梳齿电极2具有固定电极10以及可动电极20。
固定电极10被构成为包含下部硅层11、上部硅层12以及被夹持于这两个上下硅层的绝缘层13。上部硅层12具有多个突出为凸状的固定梳齿部12a。
可动电极20由硅形成,并被弹性支撑部21所支撑。可动电极20具有多个突出为凸状的可动梳齿部20a。可动梳齿部20a以被插入到邻接的固定梳齿部12a之间的方式进行配置。即固定电极10的固定梳齿部12a和可动电极20的可动梳齿部20a以隔开一定的间隙进行咬合的方式进行配置。其结果,固定电极10(上部硅层12)与可动电极20相对。
关于邻接的固定梳齿部12a以及被插入其间的可动梳齿部20a,一个固定梳齿部12a与可动梳齿部20a的间隔(图1中的Y1)和另一个固定梳齿部12a与可动梳齿部20a的间隔(图1中的Y2)不同。
电源3是用于相对于固定电极10使可动电极20振动的装置,被构成为包含交流电源31、直流电源32以及电阻部33。电源3被连接于固定电极10和可动电极20。通过由直流电源32将偏置电压施加于固定电极10与可动电极20之间,并由交流电源31重叠地施加交流电压,从而可动电极20相对于固定电极10发生振动。电源3以规定的共振频率的静电力使可动电极20在规定的方向上振动。
在图2中表示由电源3而引起的可动电极20的振动的情况。图2(a)是可动电极20还未振动的状态的照片。图2(b)是通过赋予某个规定的共振频率(第2频率)从而可动梳齿部20a(可动电极20)在X方向上振动的状态的照片。图2(c)是通过赋予与第2频率不同的规定的共振频率(第1共振频率)从而可动梳齿部20a(可动电极20)在Y方向上振动的状态的照片。在此,所谓X方向,是指固定梳齿部12a以及可动梳齿部20a的延伸方向,所谓Y方向,是指固定梳齿部12a以及可动梳齿部20a的排列方向。这样,电源3通过切换共振频率从而变更可动电极20的振动方向。
电源3也可以在重叠了使可动电极20在Y方向上振动的第1共振频率和使可动电极20在X方向上振动的第2共振频率的信号的静电力下使可动电极20振动。在此情况下,可动电极20在对角线方向上振动。
检测部4是基于在以规定的共振频率使可动电极20振动的时候的固定电极10与可动电极20之间的电气特性的变化而检测外力的部分。还有,在图1中,检测部4与固定电极10以及可动电极20连接,但是,也可以被连接于电阻部33的两端,也可以被连接于电源3的两端。另外,也可以串联连接电源3和检测部4。
在此,对由检测部4检测外力的原理进行说明。在如以上所述决定X方向以及Y方向的情况下,由直流电压E以及交流电压e的施加而发生振动的外力检测传感器1的拉格朗日(Lagrangian)由下述式(1)表示。
[数1]
在此,X,Y是由直流电压E的施加而朝着可动梳齿部20a的X,Y方向的位移量。x,y是由交流电压e的施加而朝着可动梳齿部20a的X,Y方向的位移量。vx,vy分别是朝着X方向、Y方向的移动速度。m是可动电极20的质量。kx,ky是支撑各个可动电极20的弹性支撑部21的X方向、Y方向的弹簧常数。C(x,y)是固定电极10与可动电极20之间的静电容量,Cp是下部硅层11与上部硅层12之间的寄生容量。另外,Qo,q是分别表示由直流电压和交流电压的施加而引起的电荷量的值。
将固定梳齿部12a以及可动梳齿部20a的根数(梳齿的根数)作为n,将各个梳齿部的高度(图1中的上下方向的长度)作为b,此时,静电容量C(x,y)由下述式(2)表示。还有,ε0是真空的介电常数。另外,X0是沿着X方向的固定梳齿部12a和可动梳齿部20a的初始间隔(没有振动时的间隔)。再有,Y1是邻接的固定梳齿部12a以及被插入其间的可动梳齿部20a中的一个固定梳齿部12a与可动梳齿部20a的初始间隔,Y2是另一个固定梳齿部12a与可动梳齿部20a的初始间隔。
[数2]
另外,系统的能量耗散函数F作为电流i以及速度vx,vy的函数并由下述式(3)给出。还有,rf,R分别是机械阻力和电阻。
[数3]
关于机械坐标系(X方向以及Y方向)以及电气坐标系的拉格朗日运动方程式使用上述式(1)、(2)并如以下所示表示。在此,fx,fy分别是外力的X成分和Y成分。
[数4]
[数5]
[数6]
在对上述拉格朗日运动方程式(4)~(6)进行计算后,可以获得表示外力检测传感器1的动作的下述运动方程式(7)~(9)。还有,式(9)中的E0为直流偏压。
[数7]
[数8]
[数9]
在此,如果假设位移x,y以及交流电压e充分小并考虑角频率ω下的稳定状态,那么通过对上述式(7)~(9)进行泰勒展开而得到其一次项,从而获得下述联立方程式(10)
[数10]
在此,C0为e=0时的静电容量,并由下式(11)给出。
[数11]
另外,D,B,G,Cy”分别由下述式(12)~(15)给出。D,B分别是X方向、Y方向的电气机械结合系数,G是X方向-Y方向的机械振动的相互作用系数。
[数12]
[数13]
[数14]
[数15]
如以上所述,式(11)~(15)中的X,Y是由直流电压E的施加而引起的向可动梳齿部20a的X,Y方向的位移量,但是,它能够从作为式(7)~(9)的泰勒展开的零次项而获得的下述联立方程式(16)、(17)导出。
[数16]
[数17]
在图3中表示在上述式(10)中作为fx=fy=0的情况(将外力作为0的情况)下的、从电气系统看时的导纳(admittance)曲线La。图3的图表的纵轴、横轴分别是导纳(S)、频率(Hz)。图3的导纳曲线La是如以下所述设定各个参数的时候的解析结果。
可动电极20的质量m=1.9×10-6(Kg)
X方向弹簧常数kx=111(N/m)
Y方向弹簧常数ky=51(N/m)
梳齿的根数n=1070(根)
X方向上的固定梳齿部12a与可动梳齿部20a的重叠X1=10(μm)
关于邻接的固定梳齿部12a以及被插入其间的可动梳齿部20a的Y方向上的一个固定梳齿部12a与可动梳齿部20a的间隔Y1=2.5(μm)
关于邻接的固定梳齿部12a以及被插入其间的可动梳齿部20a的Y方向上的另一个固定梳齿部12a与可动梳齿部20a的间隔Y2=3.0(μm)
X方向的机械阻力rx=4.0×10-5(Ns/m)
Y方向的机械阻力ry=1.0×10-6(Ns/m)
寄生容量Cp=4.65(pF)
直流偏压E0=3V
如图3所示,梳齿电极2具有两个共振点(共振频率)R1以及R2。在此,R1是可动电极20在Y方向上振动的共振点(第1共振频率,以下也称为“Y方向的共振点”),R2是可动电极20在X方向上振动的共振点(第2共振频率,以下也称为“X方向的共振点”)。在上述式(10)~(14)中,如果Y1=Y2而且Y=0,那么B以及G成为0,并不发生X,Y两方向的机械结合以及Y方向的电气机械结合。由此,通过使Y1与Y2不同,从而激发Y方向的共振的发生。
因此,通过以规定的共振频率使可动电极20在可动梳齿部20a的延伸方向(X方向)上或者在可动梳齿部20a的排列方向(Y方向)上振动,并测量导纳的变化,从而能够检测外力。为此,检测部4具备检测导纳并测定相位的变化的阻抗分析装置、编入有使用上述理论的运算程序的运算装置。检测部4通过将检测到的导纳输入到运算装置中,从而计算出外力的方向,并将计算结果输出至显示装置或者另外的运算装置(均没有图示)。
然而,图3所示的Y方向的共振点依赖于直流偏压E0。在图4中表示该依赖关系。图4的图表的左纵轴、右纵轴以及横轴分别是X方向的共振频率(Hz)、Y方向的共振频率(Hz)以及直流偏压(V)。另外,图表内的虚线Lx表示X方向的共振点的推移,实线Ly表示Y方向的共振点的推移。Y方向的共振点存在随着直流偏压E0的减少而增大的趋势,并渐近于E0=0即Y方向的由弹簧-质量系统决定的自由共振频率。另一方面,在X方向的共振点上看不到显著的直流偏压依赖性。
Y方向的直流偏压依赖性类似于平行平板致动器的特性。在平行平板致动器中,众所周知两个平行平板互相拉的力在平板之间的间隔变小时增大,所以从电气系统看时的导纳的共振频率在增大直流偏压时变小。梳齿电极2的Y方向的共振点也由于与此相同的原理,随着直流偏压的增加而减少。另一方面,X方向的共振点不因直流偏压而发生变化,这是由于固定电极10以及可动电极20的互相拉的力相对于X方向的位移不发生变化。
这样,X方向的共振频率基本上不依赖于直流偏压,但是,Y方向的共振频率依赖于直流偏压。因此,通过使直流偏压发生变化,从而能够在X方向和Y方向上使共振频率一致,并能够对X以及Y方向的共振频率将一方调整为另一方的常数倍。如果使X以及Y方向的共振频率为相同或者常数倍的关系,那么振动的轨道成为椭圆或者利萨佐斯图形状(Lissajous figure)的恒定轨道。以往的利用一维的往复运动的MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)传感器因为是往复运动,所以可动电极的速度成为零并且在外力的检测中产生误差。相对于此,如果采用该实施方式,那么因为可动电极20一直运动,所以速度不会成为零,因此,能够有效地检测外力。该实施方式特别是在将MEMS传感器作为陀螺仪传感器使用的时候是有效的。
图5、6是在由图3、4所表示的解析结果中重叠了在与解析相同的条件下进行的实验结果的图表。关于图5,实线La是与图3相同的导纳曲线,去白色的四角符号Pa是导纳的实测值。另外,关于图6,虚线Lx以及实线Ly与图4相同,表示共振点的推移,涂黑的四角符号Px为X方向的共振点的实测值,去白色的四角符号Py是Y方向的共振点的实测值。如图5、6所示,关于导纳曲线以及X,Y方向的共振点的直流偏压依赖性的实验结果与解析结果非常好地一致。
如以上所说明的那样,根据本实施方式,关于邻接的固定梳齿部12a和被插入其间的可动梳齿部20a,因为固定梳齿部12a与可动梳齿部20a的间隔在左右不同,所以如果以规定的共振频率使可动电极20振动,那么在施加外力的时候,固定电极10与可动电极20之间的电气特性(导纳)会发生较大的变化。因此,通过检测该变化,从而能够高灵敏度地检测外力。另外,外力检测传感器1的结构也变得简单。
另外,外力检测传感器1在可动电极20在可动梳齿部20a的排列方向(Y方向)上振动的情况下,能够特别高灵敏度地检测被施加于该排列方向的外力,并且在可动电极20在可动梳齿部20a的延伸方向(X方向)上振动的情况下,能够特别高灵敏度地检测被施加于该延伸方向的外力。
在图7的图表中表示以上所述的情况。该图表的纵轴以及横轴分别是电压灵敏度(V/N)、频率(Hz)。图表中的菱形符号Mx表示外力被施加于可动梳齿部20a的延伸方向(X方向)的情况下的电压灵敏度(阻抗分析装置的输出电压值),正方形符号My表示外力被施加于可动梳齿部20a的排列方向(Y方向)的情况下的电压灵敏度。由虚线Ax包围的区域表示可动电极20在X方向上振动的共振点(X方向的共振点)附近,由虚线Ay包围的区域表示可动电极20在Y方向上振动的共振点(Y方向的共振点)附近。还有,直流偏压E0为5V。
如由图7而明了的那样,外力检测传感器1在X方向以及Y方向的共振点上,能够高灵敏度地检测X方向以及Y方向的外力。特别是外力检测传感器1能够在Y方向的共振点附近Ay非常高灵敏度地检测被施加于Y方向的外力,并且能够在X方向的共振点附近Ax非常高灵敏度地检测被施加于X方向的外力。因此,通过电源3的共振频率的切换,从而能够高灵敏度地检测所想检测的外力的方向。另外,在以重叠了使可动电极20在Y方向上振动的第1共振频率和使可动电极20在X方向上振动的第2共振频率的静电力使可动电极20振动的情况下,不需要由电源3进行频率切换,能够高灵敏度地检测被施加于X方向或者Y方向的外力。
在X方向和Y方向上使共振频率错开一点而发生X方向的共振运动的情况下,如果有Y方向的位移,那么Y方向的振幅急剧变大。如果利用该点,那么能够实现Y方向的检测灵敏度高的传感器。
以上,基于本发明的实施方式详细地说明了本发明。但是,本发明并不限定于上述实施方式。在不脱离其宗旨的范围内,本发明可以有以下那样的各种各样的变形。
在上述实施方式中,外力检测传感器1检测X方向以及Y方向(二维空间)上的外力,但是,也可以检测X,Y,Z方向(三维空间)上的外力。在此,所谓Z方向,是指与固定梳齿部(或者可动梳齿部)的延伸方向以及排列方向正交的方向。在此情况下,对于邻接的固定梳齿部以及被插入其间的可动梳齿部,在使一个固定梳齿部和可动梳齿部的间隔与另一个固定梳齿部和可动梳齿部的间隔不同的同时,在Z方向上使固定梳齿部和可动梳齿部上的长度不同。然后,通过在与X方向以及Y方向的共振点不同的共振频率(第3共振频率)下使可动电极在Z方向上振动,从而能够高灵敏度地检测X,Y方向的外力,并且能够特别高灵敏度地检测Z方向的外力。
在上述实施方式中,虽然将本发明所涉及的检测传感器适用于外力检测传感器,但是,也可以将本发明适用于检测加速度的传感器中。
也可以将探针附于本发明所涉及的检测传感器的可动电极而实现检测来自探针的外力的接触传感器。这样的接触传感器例如能够作为原子力显微镜(Atomic Force Microscope:AFM)的探针使用。
Claims (7)
1.一种检测传感器,其特征在于,
具备:
梳齿电极,包含具有多个固定梳齿部的固定电极以及具有多个插入所述固定梳齿部之间的可动梳齿部的可动电极;
电源,为了利用相对于所述固定电极的静电力使所述可动电极以规定的共振频率振动而被连接于所述固定电极和所述可动电极;以及
检测单元,基于使所述可动电极振动的时候的所述固定电极与所述可动电极之间的电气特性的变化,检测外力或者加速度,
关于邻接的所述固定梳齿部以及插入其间的所述可动梳齿部,一个固定梳齿部和该可动梳齿部的间隔与另一个固定梳齿部和该可动梳齿部的间隔不同。
2.如权利要求1所述的检测传感器,其特征在于,
所述电源提供使所述可动电极在所述可动梳齿部的排列方向上振动的共振频率的电力。
3.如权利要求1所述的检测传感器,其特征在于,
所述电源提供使所述可动电极在所述可动梳齿部的延伸方向上振动的共振频率的电力。
4.如权利要求1所述的检测传感器,其特征在于,
所述电源通过在使所述可动电极在所述可动梳齿部的排列方向上振动的第1共振频率与使所述可动电极在所述可动梳齿部的延伸方向上振动的第2共振频率之间切换所述规定的频率,从而变更所述可动电极的振动方向,
在所述第1共振频率下,所述可动电极在所述可动梳齿部的排列方向上振动,在所述第2共振频率下,所述可动电极在所述可动梳齿部的延伸方向上振动。
5.如权利要求1所述的检测传感器,其特征在于,
所述电源产生重叠了使所述可动电极在所述可动梳齿部的排列方向上振动的第1共振频率以及使所述可动电极在所述可动梳齿部的延伸方向上振动的第2共振频率的信号。
6.如权利要求1~5中任意一项所述的检测传感器,其特征在于,
与所述固定梳齿部的延伸方向以及排列方向正交的方向上的该固定梳齿部的长度和与所述可动梳齿部的延伸方向以及排列方向正交的方向上的该可动梳齿部的长度不同,
所述电源提供使所述可动电极在与所述可动梳齿部的延伸方向以及排列方向正交的方向上振动的共振频率的电力。
7.如权利要求1~6中任意一项所述的检测传感器,其特征在于,
所述电源与成为所述共振频率的信号重叠地产生直流偏压信号。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114383762A (zh) * | 2022-01-11 | 2022-04-22 | 西安交通大学 | 基于多梳齿阵列的mems电容式微力传感器及去耦合测试方法 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5391579B2 (ja) * | 2008-05-15 | 2014-01-15 | 船井電機株式会社 | 振動素子 |
JP2011185828A (ja) * | 2010-03-10 | 2011-09-22 | Fuji Electric Co Ltd | 加速度センサ |
US20110221312A1 (en) * | 2010-03-12 | 2011-09-15 | Seiko Epson Corporation | Vibrator element, vibrator, sensor, and electronic apparatus |
JP5621654B2 (ja) * | 2011-02-22 | 2014-11-12 | 横河電機株式会社 | 振動式トランスデューサ |
JP6281948B2 (ja) * | 2014-04-22 | 2018-02-21 | 国立大学法人静岡大学 | 静電アクチュエータ及び電位差検出装置 |
DE102017205979A1 (de) * | 2017-04-07 | 2018-10-11 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanischer kapazitiver Sensor |
US11275099B1 (en) * | 2018-07-20 | 2022-03-15 | Hrl Laboratories, Llc | Navigational grade resonant MicroElectroMechanical Systems (mems) accelerometer and method of operation |
CN114422923B (zh) * | 2022-03-29 | 2022-12-02 | 之江实验室 | 谐振式mems麦克风、声学成像仪和光声光谱检测仪 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5209117A (en) * | 1990-10-22 | 1993-05-11 | Motorola, Inc. | Tapered cantilever beam for sensors |
US5606214A (en) * | 1995-08-31 | 1997-02-25 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Smart actuator for active surface control |
JPH0979921A (ja) | 1995-09-11 | 1997-03-28 | Nissan Motor Co Ltd | 力学量センサ |
US5948981A (en) * | 1996-05-21 | 1999-09-07 | Alliedsignal Inc. | Vibrating beam accelerometer |
JPH10153429A (ja) | 1996-11-22 | 1998-06-09 | Murata Mfg Co Ltd | 小型電子部品およびその製造方法 |
JPH10206457A (ja) | 1997-01-22 | 1998-08-07 | Hitachi Ltd | 静電容量式加速度センサ及びその製造方法 |
JP2000131072A (ja) | 1998-10-23 | 2000-05-12 | Toyota Motor Corp | 容量変化検出回路装置 |
JP3606164B2 (ja) * | 2000-06-02 | 2005-01-05 | 株式会社村田製作所 | 静電容量型外力検出装置 |
JP4320934B2 (ja) | 2000-07-26 | 2009-08-26 | 株式会社デンソー | 半導体角速度センサ |
JP2002323323A (ja) * | 2001-04-25 | 2002-11-08 | Mitsubishi Electric Corp | 角速度センサ |
KR20040010746A (ko) * | 2001-06-18 | 2004-01-31 | 허니웰 인터내셔널 인코포레이티드 | 소형의 고 커패시턴스 판독 실리콘 베이스의 미세 가공된전자기계적 센서 가속도 측정장치 |
US6792804B2 (en) * | 2001-10-19 | 2004-09-21 | Kionix, Inc. | Sensor for measuring out-of-plane acceleration |
US7243545B2 (en) * | 2003-03-20 | 2007-07-17 | Denso Corporation | Physical quantity sensor having spring |
CN1273835C (zh) | 2003-08-05 | 2006-09-06 | 北京大学 | 一种高灵敏度谐振加速度计芯片 |
US6874363B1 (en) * | 2003-10-31 | 2005-04-05 | Honeywell International, Inc. | Trapped charge field bias vibrating beam accelerometer |
KR100513346B1 (ko) * | 2003-12-20 | 2005-09-07 | 삼성전기주식회사 | 보정전극을 갖는 정전용량형 가속도계 |
US7556775B2 (en) * | 2004-05-25 | 2009-07-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Microelectro-mechanical chemical sensor |
JP4591000B2 (ja) * | 2004-09-16 | 2010-12-01 | 株式会社デンソー | 半導体力学量センサおよびその製造方法 |
US7559242B2 (en) * | 2005-03-31 | 2009-07-14 | Intel Corporation | Silicon micromachined ultra-sensitive vibration spectrum sensor array (VSSA) |
JP4310325B2 (ja) * | 2006-05-24 | 2009-08-05 | 日立金属株式会社 | 角速度センサ |
US7849745B2 (en) * | 2007-09-26 | 2010-12-14 | Intel Corporation | Ultra-low noise MEMS piezoelectric accelerometers |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114383762A (zh) * | 2022-01-11 | 2022-04-22 | 西安交通大学 | 基于多梳齿阵列的mems电容式微力传感器及去耦合测试方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2009148156A1 (ja) | 2011-11-04 |
US20110138931A1 (en) | 2011-06-16 |
CN102057264B (zh) | 2013-01-16 |
US8770043B2 (en) | 2014-07-08 |
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