CN102044411A - 基板冷却装置、基板冷却方法及存储介质 - Google Patents

基板冷却装置、基板冷却方法及存储介质 Download PDF

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Abstract

本发明提供基板冷却装置、基板冷却方法及存储介质。该基板冷却装置能够均匀性较高地冷却基板。基板冷却装置包括：载置台，其包括用于载置基板的载置面；突起，其设置于上述载置面，用于支承上述基板的背面；制冷剂流路，其为了冷却上述载置面而设置于上述载置台，供制冷剂流通；气体喷出口，其在上述载置面的周缘部沿着周向设有多个，喷出用于冷却基板的冷却气体；气体吸引口，其设置在上述载置面的中央部，用于吸引上述冷却气体；槽，其设置于上述载置面，用于使冷却气体朝向基板的周向扩散。通过这种结构，能够均匀性较高地对载置于上述载置面的基板进行冷却。

Description

基板冷却装置、基板冷却方法及存储介质
技术领域
本发明涉及基板冷却装置、基板冷却方法及存储介质。
背景技术
在形成抗蚀图案的涂敷、显影装置中设有对加热处理后的半导体晶圆(以下称作晶圆)进行冷却的被称作冷却板的晶圆冷却装置。该晶圆冷却装置例如在形成抗蚀层等涂敷膜之前对晶圆进行冷却(温度调节)，使晶圆为规定的温度。通过在该冷却之后进行涂敷膜形成处理，能够均匀性较高地对每个晶圆进行成膜。另外，通过在显影处理之前也由该晶圆冷却装置冷却晶圆，能够提高图案的线宽度的均匀性。
晶圆冷却装置包括用于载置晶圆的载置台，载置台表面利用所谓的冷机(chiller)来控制其温度。详细地说明，在各载置台上设有供利用共用的制冷机控制温度后的冷却水流通的循环通路，利用该冷却水来冷却载置台表面。由此，能够将载置于载置台的晶圆冷却。
但是，正谋求提高涂敷、显影装置的生产率，因此，对提高上述晶圆冷却装置的冷却速度进行了研究。但是，上述冷却水为了将载置于各载置台的晶圆冷却到冷却目标温度、例如23℃，其需要控制为与该目标温度相对应的温度。即，冷却水的冷却温度受上述冷却目标温度限制。因而，在涂敷、显影装置中设有多个晶圆冷却装置的情况下，即使载置于各载置台的晶圆的温度不同，也必须供给相同温度的冷却水，因此，存在难以急剧冷却晶圆的情况。还考虑了为了能够针对每个晶圆冷却装置独立地控制冷却水的温度而设置多个制冷机，分别对冷却水进行温度控制来提高生产率，但成本升高。
因此，除利用冷却水进行冷却之外，还研究了向载置台与载置的晶圆的背面之间供给冷却气体来冷却该晶圆，例如在专利文献1中公开了一种这样构成的基板冷却装置。但是，在这样同时使用冷却气体进行冷却的情况下，存在难以控制气体的流动而难以均匀性较高地冷却晶圆这样的问题。冷却气流的控制不充分，结果在晶圆的面内温度不均匀的状态下供给形成抗蚀层、各种膜的药液时，有可能导致在该晶圆的面内膜厚不均匀。另外，在该状态下供给显影液时，有可能导致在该晶圆的面内抗蚀图案的线宽度不同。
例如，在上述专利文献1中，在载置台上沿着基板的周向以线状形成突起，能够防止气流在基板的下表面偏向。但是，在这样设置突起的情况下，一般认为实际上气流被突起遮挡，冷却气体难以遍及该突起的内侧，难以均匀性较高地进行冷却。在专利文献2中还记载有向基板供给低于目标温度的冷却气体、之后使冷却气体成为目标温度而急速冷却基板的方法，但并未记载均匀性较高地冷却基板的方法。
专利文献1：日本特开平11-195599(段落0093，图19、图22)
专利文献2：日本特开平7-153749(段落0033，图5)
发明内容
本发明即是在这种情况下做成的，其目的在于提供能够均匀性较高地冷却基板的基板冷却装置、基板冷却方法以及包括实施该冷却方法的计算机程序的存储介质。
本发明的基板冷却装置的特征在于，包括：载置台，其包括用于载置基板的载置面；突起，其设置于上述载置面，用于支承上述基板的背面；制冷剂流路，其为了冷却上述载置面而设置于上述载置台，供制冷剂流通；气体喷出口，其在上述载置面的周缘部沿着周向设有多个，喷出用于冷却基板的冷却气体；气体吸引口，其设置在上述载置面的中央部，用于吸引上述冷却气体；槽，其设置于上述载置面，用于使冷却气体朝向基板的周向扩散。上述气体吸引口例如设有多个。
也可以在上述载置面的周缘部的周向上，替代设置多个上述气体喷出口而设置有多个气体吸引口，在上述载置面的中央部，替代设置上述气体吸引口而设置气体喷出口。上述槽例如呈以上述载置面的中心为中心的同心圆状设有多个。也可以是供给到上述制冷剂流路的制冷剂的温度被控制成低于供给到气体喷出口的冷却气体的温度，例如自上述气体喷出口供给到基板的冷却气体的流量小于由上述气体吸引口吸引的气体的流量。另外，也可以构成为，上述载置台构成基板输送机构的一部分，该载置台利用移动部件能够自由移动，也可以包括在上述载置面的周缘部凸起且用于支承基板的周缘部的台阶。
本发明的基板冷却方法的特征在于，包括以下工序：将基板载置在载置台的载置面上；将上述基板支承在设置于上述载置面的突起上；为了冷却上述载置面，使制冷剂在设置于上述载置台的制冷剂流路中流通；从在上述载置面的周缘部沿着周向设置的多个气体喷出口喷出用于冷却基板的冷却气体；自设置于上述载置面的中央部的气体吸引口吸引上述冷却气体；利用设置于上述载置面的槽，使冷却气体朝向基板的周向扩散。
也可以替代进行从在上述载置面的周缘部沿着周向设置的多个气体喷出口喷出上述冷却气体的工序，而进行从设置在上述载置面的中央部的气体喷出口喷出上述冷却气体的工序，也可以替代进行自设置于上述载置面的中央部的气体吸引口吸引上述冷却气体的工序，而进行从沿着上述载置面的周缘部的周向设置的多个气体吸引口吸引上述冷却气体的工序。另外，也可以将供给到上述制冷剂流路的制冷剂的温度控制成低于供给到气体喷出口的冷却气体的温度。也可以将从气体喷出口供给到基板的冷却气体的流量控制成低于由气体吸引口吸引的气体的流量。
本发明的存储介质存储有基板冷却装置所使用的计算机程序，其特征在于，上述计算机程序用于实施上述基板冷却方法。
采用本发明，基板冷却装置包括用于冷却基板的载置面的制冷剂流路、在上述载置面的周缘部沿着周向设置的多个冷却气体的气体喷出口、设置在上述载置面的中央部的气体吸引口、以及设置于上述载置面的、用于使冷却气体朝向基板的周向扩散的槽。利用该构造，能够均匀性较高地冷却基板。
附图说明
图1是本发明的晶圆冷却装置的立体图。
图2是上述晶圆冷却装置的纵剖侧视图。
图3的(a)～(c)是利用上述晶圆冷却装置冷却晶圆的工序图。
图4是表示上述晶圆的温度变化和供给冷却气体的时机的曲线图。
图5是表示冷却气体在上述晶圆冷却装置的载置台表面上的流动的说明图。
图6是表示其他的供给气体的时机的曲线图。
图7的(a)～(b)是表示形成于上述载置台表面的槽的另一例子的说明图。
图8的(a)～(c)是表示形成于上述载置台表面的槽的又一例子的说明图。
图9是装入有上述冷却装置的加热装置的立体图。
图10是设置于上述冷却装置的冷却臂的俯视图。
图11是上述冷却臂的纵剖侧视图。
具体实施方式
第1实施方式
分别参照作为其立体图、纵剖侧视图的图1、图2说明本发明的基板冷却装置的晶圆冷却装置1。晶圆冷却装置1是冷却作为基板的晶圆W的装置，包括扁平的圆形的载置台11。载置台11包括构成该载置台11的表面的圆板2以及用于支承该圆板2的支承部3。上述晶圆W利用未图示的输送机构被输送到该冷却装置1。
在圆板2的周缘部，沿着该圆板2的周向隔开间隔地形成有许多个空气喷出口21。另外，在圆板2的中央部，沿着该圆板2的周向隔开间隔地形成有许多个空气吸引口22。这些空气喷出口21及空气吸引口22沿铅垂方向开口。另外，3个孔23以被空气吸引口22包围的方式开口。后述的升降销33通过这些孔23升降。
在圆板2表面上的空气喷出口21与空气吸引口22之间形成有多个大小互不相同的环状的槽24。槽24以圆板2的中心为中心而排列成同心圆状，如后所述，其具有使从空气喷出口21朝向空气吸引口22的冷却空气(冷却气体)朝向晶圆W的周向扩散的作用。各槽24的宽度例如为1mm～2mm，各槽24的深度例如为0.2mm～1mm。
在圆板2的表面还分散配置有许多个支承销25。支承销25支承晶圆W的背面，支承于支承销25的晶圆W如后所述那样被在圆板2及晶圆W的背面流动的冷却空气冷却，该圆板2被冷却水冷却。为了高效地冷却该晶圆W，如图2中H所示的支承销25的高度例如被设定为40μm～100μm。
在圆板2中，沿着其径向还埋设有3台温度传感器26a、26b、26c。温度传感器26a用于检测圆板2的中心部的表面温度，温度传感器26b、26c用于检测圆板2的周缘部的表面温度，这些温度传感器26根据检测出的温度，向后述的控制部100发送输出信号。在该例子中，在载置于载置台11时，晶圆W与圆板2接近，因此，视为圆板2的表面温度与晶圆W的温度大致相同。而且，根据各温度传感器26a～26c的检测结果，控制冷却空气的供给，管理该晶圆W的温度。
接着，说明支承部3。在支承部3中设有下游侧连接于上述空气喷出口21的空气供给通路31，在空气供给通路31的上游侧连接有空气供给管41的一端。空气供给管41的另一端按顺序借助于空气冷却部42、流量控制部43连接于积存有空气的供给源44。流量控制部43由阀、质量流量控制器等构成，接收自后述的控制部100输出的控制信号，控制向上述空气喷出口21供给或断供空气。
空气冷却部42包括使制冷剂循环的流路和设置于空气供给管41中的空气流路。在该空气冷却部42中，根据自控制部100输出的控制信号来控制上述制冷剂的流通量，由此，控制在上述流路中流动的空气与该制冷剂的交换热量。而且，通过该空气与制冷剂的热交换，供给到该空气冷却部42的空气被冷却到规定温度，并被供给到晶圆W的背面。
在支承部3中还设有上游侧连接于空气吸引口22的空气吸引通路32，在空气吸引通路32的上游侧连接有空气吸引管45的一端。空气吸引管45的另一端借助于排气量调整部46连接于由真空泵等构成的排气部件47。上述排气量调整部46由阀、质量流量控制器等构成，接收自后述的控制部100输出的控制信号，调整来自空气吸引口22的排气量。
支承部3包括用于在未图示的输送部件与载置台11之间交接晶圆W的升降销33、以及使该升降销33升降的驱动机构34。升降销33能够通过上述孔23在圆板2中突出或没入。
另外，在支承部3中，以不干涉空气供给通路31、空气吸引通路32及升降销33的方式，例如沿着支承部3的周向以环状形成有冷却水的流路35。在流路35上连接有冷却水供给管36及冷却水回收管37的各一端，冷却水供给管36及冷却水回收管37的各另一端连接于水冷却部38。流路35、冷却水供给管36及冷却水回收管37构成冷却水的循环通路。另外，用于使冷却水在该循环通路中循环的泵39设置在冷却水回收管37上。
水冷却部38包括使制冷剂循环的制冷剂的流路、以及连接于冷却水供给管36及冷却水回收管37的冷却水的流路。根据自控制部100输出的控制信号来控制上述制冷剂的流通量，由此，控制在上述流路中流动的冷却水与该制冷剂的交换热量。冷却水回收管37的水利用泵39被供给到水冷却部38，被调整为由该水冷却部38设定的温度而经由冷却水供给管36供给到支承部3的冷却水流路35。
在该晶圆冷却装置1中例如设有由计算机构成的控制部100。控制部100包括由程序、存储器、CPU构成的数据处理部等，在上述程序中编入有命令(各步骤)，从而自控制部100向晶圆冷却装置1的各部发送控制信号，进行上述各处理工序。例如，存储器还包括写入有冷却水的温度、冷却空气的供给流量以及电力值等处理参数的值的区域。CPU在执行程序的各命令时读取这些处理参数，将基于该参数值的控制信号发送到该晶圆冷却装置1的各部位。该程序(也包含与处理参数的输入操作、显示相关的程序)容纳在计算机存储介质、例如软盘、光盘、硬盘、MO(光磁盘)存储卡等存储介质中而安装于控制部100。
接着，参照图3的载置台11的侧视图和图4的表示晶圆W的温度变化及冷却空气的供给或断供的时间图说明利用该晶圆冷却装置1冷却晶圆W的情形。如上所述，各晶圆W的各部温度与由温度传感器26a～26c测定的圆板2的各部温度相对应。另外，在图4中，实线表示由晶圆冷却装置1使晶圆W产生的温度变化，但为了进行比较，用虚线表示利用以往的晶圆冷却装置冷却的晶圆W的温度变化。在此，以往的晶圆冷却装置是指不采用冷却空气、而仅利用在载置台11中流动的冷却水冷却晶圆W的装置。
输送到该晶圆冷却装置1的晶圆W例如被设置在该晶圆冷却装置1的前面的晶圆加热装置加热到150℃左右。然后，在该晶圆冷却装置1中，预先利用水冷却部38将温度控制为23℃的冷却水，经由冷却水供给管36被供给到载置台11的冷却水流路35中，从而能够将上述晶圆W冷却到作为冷却目标温度的23℃。供给到冷却水流路35的冷却水经由冷却水回收管37被回收到水冷却部38，其温度被控制为23℃而反复被供给到冷却水流路35。通过使冷却水这样循环，载置台11的表面温度保持为23℃。并且，预先通过空气吸引口22进行排气(图3的(a))。另外，温度传感器26a～26c检测圆板2中的该温度传感器26的周围的各部的温度，将与该检测值对应的信号输出到控制部100。
然后，在利用未图示的晶圆输送部件将上述晶圆W输送到载置台11上时，升降销33上升，在支承晶圆W的背面之后使其下降。然后，晶圆W被交接到支承销25上，晶圆W的热量导致载置台11的表面温度上升。在晶圆W刚刚被交接到载置台11之后，立即向空气供给管41供给空气(图4中时刻t0)。
控制部100开始判断3台温度传感器26a～26c检测的温度是否全部在23℃以下。然后，利用冷却水的循环使载置台11的表面冷却，在载置台11的表面与该晶圆W之间发生热交换，晶圆W的表面温度降低。
供给到空气供给管41的空气被空气冷却部42冷却到低于晶圆W的冷却目标温度(23℃)的20℃，自圆板2的空气喷出口21被喷出到晶圆W的背面(图3的(b))。为了不使晶圆W自载置台11浮起，自各空气喷出口21喷出的空气供给流量的总数被控制为小于自各空气吸引口22吸引的空气流量的总数。如图5中箭头所示，自空气喷出口21喷出的冷却空气与晶圆冷却装置1的周围空气一起被吸引到空气吸引口22，自圆板2表面的周缘部朝向中央部侧而流入到槽24中。然后，冷却空气沿着该槽24在圆板2的周向上被引导的同时，在该圆板2上进一步向其中央部行进，流入到空气吸引口22而被排出。
这样，这些载置台11的表面及晶圆W暴露在形成于载置台11的表面与晶圆W的背面之间的冷却空气中，被急剧地冷却。然后，通过吸引晶圆W的中央部，如图3的(b)所示，在搬入到晶圆冷却装置1时，晶圆W翘曲为其中央部高于其周缘部的情况下，如图3的(c)所示那样翘曲被消除。
继续冷却晶圆W，3台温度传感器26a～26c的检测温度为23℃以下时，控制部100向流量控制部43发送控制信号，停止自空气供给源44供给空气(图4中时刻t1)。在停止供给冷却空气之后，也利用残留在晶圆W与圆板2之间的冷却空气，在少许的期间内继续降低晶圆W的温度。之后，由于冷却水的温度为23℃，因此，晶圆W表面的温度上升到23℃而保持在23℃。即，如图4所示，晶圆W的温度变化的曲线图成为在暂时小于23℃之后稳定在23℃的、所谓的过冲(overshoot)。在这样冷却之后，升降销33顶起冷却后的晶圆W，该晶圆W被交接到未图示的输送部件，自晶圆冷却装置1被搬出。
采用该晶圆冷却装置1，自空气喷出口21朝向空气吸引口22的冷却空气利用载置台11表面的槽24向晶圆W的周向扩散。结果，每当冷却晶圆W时，都能够抑制在晶圆W的面内温度不均匀。另外，在晶圆冷却装置1中，由于利用冷却空气和被冷却水冷却后的载置台11来冷却晶圆W，因此，与上述仅利用载置台11冷却晶圆W的情况相比，能够缩短晶圆W的冷却时间。并且，在该例子中，由于向晶圆W供给温度低于晶圆W的冷却目标温度的冷却空气，因此，在晶圆冷却装置1中，特别能够提高晶圆刚刚开始冷却之后的降温性能。由此，如图4所示，能够缩短每1枚晶圆W的冷却时间，因此，能够提高生产率。
上述冷却空气在支承于支承部3上的晶圆的背面与载置台11的表面之间的微小间隙中流通，因此，例如与利用喷嘴从晶圆W的上方供给冷却空气的情况相比，能够均匀性较高地在晶圆W的面内扩散。因此，能够均匀性较高地冷却晶圆W。另外，在晶圆冷却装置1中，分散地设有多个空气吸引口22。在空气吸引口22仅设置于一处时，该空气吸引口22的周围压力过低，晶圆被按压于载置台11，有可能与支承销25摩擦而产生微粒。因而，优选这样地分散设置多个空气吸引口22。
另外，在上述例子中，沿着圆板2的周缘部设置多个空气喷出口21，而在圆板2的中央部设置空气吸引口22，但是也可以与其相反地沿着圆板2的周缘部设置多个空气吸引口22，而在圆板2的中央部设置空气喷出口21。但是，像上述例子那样在圆板2的周缘部形成空气喷出口21、在圆板2的中央部形成空气吸引口22的方式能够抑制晶圆冷却装置1的周围的空气的吸引量。因而，在将该晶圆冷却装置1装入到涂敷、显影装置等处理装置时，能够抑制对冷却装置1周围的气流产生影响。结果，能够抑制对上述处理装置的处理产生影响，因此较为有利。
另外，冷却空气的温度及供给的时机并不限定于上述例子，例如也可以将冷却空气的温度设定为与冷却水相同的23℃，如图6所示那样在晶圆W的温度接近作为目标的温度23℃的时刻t2停止供给冷却空气。另外，也可以不设置温度传感器26a～26c，预先通过实验求得从开始供给冷却空气到晶圆W的温度成为目标温度为止的时间，以该时间供给空气。
另外，作为形成于圆板2的槽24，只要能够在晶圆W的周向上引导冷却空气即可，因此，并不限定于上述形状、条数。图7及图8表示圆板2的另一结构例。在这些图7及图8中，为了区分空气喷出口21和空气吸引口22，将空气吸引口22涂黑来表示，而且，省略支承销25。在各例子中，支承销25的配置场所是任意的。
为了如上所述那样在周向上引导冷却空气，例如从空气喷出口21看来，与将该空气喷出口21和配置在最近位置的空气吸引口22连结起来的假想直线交叉地形成上述槽24。例如，也可以将槽24如图7的(a)所示那样形成为漩涡状、或者如图7的(b)所示那样形成为方形的环状。另外，既可以如图8的(a)所示那样形成为纵横状，也可以如图8的(b)所示那样形成为弧状。另外，也可以如图8的(c)所示那样从圆板2的周缘部朝向中央部按顺序分别在周向上排列空气喷出口21、空气吸引口22、空气喷出口21、空气吸引口22，以将各喷出口21与吸引口22之间分隔的方式形成槽24。另外，在各图中，用虚线40表示上述假想直线。
第2实施方式
作为第2实施方式，说明装入到晶圆冷却装置中的晶圆冷却装置。图9是晶圆加热装置5的立体图，该晶圆加热装置5包括底座51、设置在该底座51上的冷却臂6、以及热板52。热板52在其内部具有加热器，以规定温度加热被载置在该热板52上的晶圆W。另外，热板52与晶圆冷却装置1同样地具有孔23，升降销33通过该孔23在热板52上突出或没入。图中附图标记53是用于防止被载置于热板52上的晶圆W横向打滑的引导销。
冷却臂6与上述晶圆冷却装置1相对应，将利用热板52加热处理后的晶圆W冷却。对于共同设置于晶圆冷却装置1及冷却臂6的结构部分，使用与晶圆冷却装置1所采用的附图标记相同的附图标记来表示，省略详细的说明。
冷却臂6包括构成为大致圆形的晶圆载置部61、以及将晶圆载置部61支承于底座51的支承部62。晶圆载置部61与上述载置台11相对应。利用设置于底座51的未图示的移动部件，上述支承部62伴随着晶圆载置部61移动，晶圆载置部61在图9所示的待机位置与热板52上的交接位置之间移动。这样，冷却臂6兼用作基板的冷却机构和基板的输送机构。
图10、图11分别是冷却臂6的俯视图、纵剖侧视图。如图10所示，在冷却臂6的晶圆载置部61上，自冷却臂6的一端朝向中心部地形成有2条狭缝状的缺口63，上述升降销33通过这些缺口63突出到冷却臂6之上。在冷却臂6上，沿着周向还形成有4个缺口64。为了在冷却臂6与图10所示的晶圆W的输送部件60之间交接晶圆W，缺口64与该输送部件60的形状对应地形成。
在晶圆载置部61上形成有沿着该晶圆载置部61的外形凸起的台阶部65，在该台阶部65的内侧，沿着晶圆载置部61的周向形成有许多个空气喷出口21。与晶圆冷却装置1同样，在晶圆载置部61的中央部，沿着上述周向还形成有许多个空气吸引口22。在空气吸引口22与空气喷出口21之间形成有槽24。
在晶圆载置部61的内部形成有分别与上述空气喷出口21、空气吸引口22连接的气体供给通路31及气体吸引通路32。而且，与晶圆冷却装置1同样，利用控制部100来控制来自空气喷出口21的冷却空气的喷出量及来自空气吸引口22的冷却空气的吸引量。在晶圆载置部61的内部还形成有与流路35相当的冷却水的流路66，由流路66、与该流路66连接的冷却水供给管36及冷却水回收管37形成冷却水的循环通路。冷却水在该循环通路中循环，而且，控制部100向水冷却部38及泵39输出控制信号，使得供给到流路66的冷却水成为规定温度。利用该冷却水的循环将晶圆载置部61的表面冷却。
接着，说明晶圆加热装置5的动作。与晶圆冷却装置1同样，预先自空气吸引口22吸引空气、利用水冷却部38将冷却水的温度控制为例如23℃、并使冷却水在上述循环通路中循环。然后，晶圆W的输送部件60在保持晶圆W的状态下，在位于处于图9中的待机位置的冷却臂6上之后下降。
如图11所示，晶圆W的周缘部被台阶部65及支承销25支承，该晶圆W被交接到晶圆载置部61。由此，被晶圆载置部61的表面和台阶部65包围的空间67成为密闭空间，通过自空气吸引口22吸引空气而成为负压，晶圆W吸附保持于晶圆载置部61。晶圆W利用其与晶圆载置部61表面的热交换来调节温度，从而接近该载置部61的表面温度23℃。
在上述输送部件60自冷却臂6的周边退避之后，冷却臂6移动到热板52上的交接位置时，热板52的升降销33上升，自晶圆载置部61顶起晶圆W。冷却臂6返回到待机位置，升降销33下降，晶圆W载置于热板52上而被加热。
自晶圆W被载置于热板52上经过规定时间之后，升降销33上升而顶起晶圆W，并且冷却臂6移动到热板上。然后，升降销33下降，晶圆W再次吸附保持于晶圆载置部61而被冷却。之后，自空气喷出口21喷出被冷却到例如20℃的空气。自各空气喷出口21喷出的空气流量的总数被控制为小于自各吸引口22吸引的流量的总数。由此，空间67继续维持为负压，并且，晶圆W吸附保持于晶圆载置部61。
然后，与晶圆冷却装置1同样，喷出的冷却空气一边利用槽24沿着晶圆W的周向扩散，一边自晶圆载置部61的周缘部朝向中央部流动，利用冷却水及冷却空气将晶圆W急剧冷却。冷却臂6一边这样冷却晶圆W，一边移动到待机位置，输送部件60利用与向冷却臂6交接晶圆W时相反的动作接受晶圆W。之后，停止供给冷却空气。
在该晶圆加热装置5中，由于也能够向加热后的晶圆W均匀性较高地供给冷却空气，因此，能够均匀性较高地冷却晶圆W。另外，在晶圆加热装置5中设有台阶部65，在冷却晶圆W时，能够抑制外部空气流入到晶圆W与晶圆载置部61之间的空间67中。因而，由于晶圆W相对于晶圆载置部61的吸引力增强，因此，即使为了向输送部件60交接晶圆W而使冷却臂6高速地运动，也能够防止晶圆W自冷却臂6滑落而无法与输送部件60进行交接。
另外，在该例子中，由于在晶圆载置部61的周缘部、中央部分别设有空气喷出口21、空气吸引口22，因此，利用该构造也能够抑制外部空气流入到晶圆W与晶圆载置部61之间。另外，在该晶圆加热装置5中，也能够应用晶圆冷却装置1中说明的构造。例如，作为槽24的形状，能够应用上述各例子，也可以设置温度传感器26a～26c，根据其检测结果来控制向输送部件60交接晶圆W的时机。另外，为了防止晶圆W错位，也可以在晶圆冷却装置1设置台阶部65。

Claims (13)

1.一种基板冷却装置，其特征在于，
包括：
载置台，其包括用于载置基板的载置面；
突起，其设置于上述载置面，用于支承上述基板的背面；
制冷剂流路，其为了冷却上述载置面而设置于上述载置台，供制冷剂流通；
气体喷出口，其在上述载置面的周缘部沿着周向设有多个，喷出用于冷却基板的冷却气体；
气体吸引口，其设置在上述载置面的中央部，用于吸引上述冷却气体；
槽，其设置于上述载置面，用于使冷却气体朝向基板的周向扩散。
2.根据权利要求1所述的基板冷却装置，其特征在于，
在上述载置面的周缘部的周向上，替代设置多个上述气体喷出口而设置有多个气体吸引口；
在上述载置面的中央部，替代设置上述气体吸引口而设置有气体喷出口。
3.根据权利要求1所述的基板冷却装置，其特征在于，
设有多个上述气体吸引口。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的基板冷却装置，其特征在于，
上述槽呈以上述载置面的中心为中心的同心圆状设有多个。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的基板冷却装置，其特征在于，
供给到上述制冷剂流路的制冷剂的温度被控制成低于供给到气体喷出口的冷却气体的温度。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的基板冷却装置，其特征在于，
自上述气体喷出口供给到基板的冷却气体的流量小于由上述气体吸引口吸引的气体的流量。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的基板冷却装置，其特征在于，
上述载置台构成基板输送机构的一部分，该载置台能够利用移动部件自由移动。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的基板冷却装置，其特征在于，
该基板冷却装置包括在上述载置面的周缘部凸起且用于支承基板的周缘部的台阶。
9.一种基板冷却方法，其特征在于，
包括以下工序：
将基板载置在载置台的载置面上；
将上述基板支承在设置于上述载置面的突起上；
为了冷却上述载置面，使制冷剂在设置于上述载置台的制冷剂流路中流通；
从在上述载置面的周缘部沿着周向设置的多个气体喷出口喷出用于冷却基板的冷却气体；
自设置于上述载置面的中央部的气体吸引口吸引上述冷却气体；
利用设置于上述载置面的槽，使冷却气体朝向基板的周向扩散。
10.根据权利要求9所述的基板冷却方法，其特征在于，
替代进行从在上述载置面的周缘部沿着周向设置的多个气体喷出口喷出上述冷却气体的工序，而进行从设置在上述载置面的中央部的气体喷出口喷出上述冷却气体的工序；
替代进行自设置于上述载置面的中央部的气体吸引口吸引上述冷却气体的工序，而进行从沿着上述载置面的周缘部的周向设置的多个气体吸引口吸引上述冷却气体的工序。
11.根据权利要求9或10所述的基板冷却方法，其特征在于，
该基板冷却方法包括将供给到上述制冷剂流路的制冷剂的温度控制成低于供给到气体喷出口的冷却气体的温度的工序。
12.根据权利要求9～11中任一项所述的基板冷却方法，其特征在于，
将从气体喷出口供给到基板的冷却气体的流量控制成低于由气体吸引口吸引的气体的流量。
13.一种存储介质，该存储介质存储有基板冷却装置所使用的计算机程序，其特征在于，
上述计算机程序用于实施权利要求9～12中任一项所述的基板冷却方法。
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