CN102034754B - 集成电路装置的制造方法及光致抗蚀剂去除组成物 - Google Patents

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Abstract

一种集成电路装置的制造方法及其光致抗蚀剂去除组成物，该制造方法包括：提供一基底；形成一第一材料层于该基底上；形成图案化的第二材料层于该基底上；以及采用一液体以移除该图案化的第二材料层，其中该液体包括一立体障碍有机碱以及一有机溶剂。本发明能够降低基底/下方膜层的毁损，降低水污染以及改善光致抗蚀剂材料的移除效果。

Description

集成电路装置的制造方法及光致抗蚀剂去除组成物
技术领域
本发明涉及集成电路装置的制造方法，尤其涉及用于图案化不同集成电路装置构件的一种方法及光致抗蚀剂去除溶液。
背景技术
半导体集成电路工业已经历了快速成长。在集成电路材料以及设计等方面的技术演进已经制造出了数个世代的集成电路，其中每一世代的产品较前一世代的产品具有更小与更为复杂的电路。在集成电路的演进路程中，随着几何尺寸(geometry size，即采用制造技术所制备出的最小元件或导线的尺寸)的缩减，功能密度(functional density，即每一芯片区域内的内连装置的数量)已经普遍地增加。如此的尺寸缩小工艺通常通过增加制作效率以及降低所需成本而增加了效益。如此的尺寸缩小也增加了工艺与集成电路制造的复杂性，由于可实现前述效益，因此在集成电路工艺与制造中便需要相同的发展。
目前观察到的是公知的光致抗蚀剂去除溶液(photoresist strippingsolution)可能表现出一个或多个缺点。举例来说，干蚀刻等离子体移除方法以及水基去除溶液的使用会造成位于下方的基底或图案化膜层的毁损。受毁损的膜层接着可能表现出不良的电性表现、不良的产率以及所有物的高成本。公知有机去除溶液可能残留部分的阻剂材料，这些残留的阻剂材料将会造成后续沉积膜层的形变。如此，便需要用于集成电路装置制造的一种方法及阻剂去除溶液，借以解决前述问题。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种光致抗蚀剂去除组成物以及集成电路装置的制造方法，以解决前述公知问题。
依据一实施例，本发明提供了一种光致抗蚀剂去除组成物，适用于集成电路装置的图案化工艺，包括：一有机溶剂以及一有机碱，其中该有机碱包括至少一级胺、二级胺、三级胺或四级胺的氢氧化物其中之一。
依据一实施例，本发明提供了一种光致抗蚀剂去除组成物，包括：一有机溶剂以及一有机碱，其中该有机碱包括至少一级胺、二级胺、三级胺或四级胺的氢氧化物其中之一，其中该胺或该胺的氢氧化物具有以下化学式：
其中R1、R2、R3或R4具有介于1～15的链碳数，而至少R1、R2、R3或R4其中之一具有大于苯基的一凡得瓦尺寸，以及Z1、Z2、Z3或Z4包括一悬基。
依据另一实施例，本发明提供了一种集成电路装置的制造方法，包括：提供一基底；形成一第一材料层于该基底上；形成图案化的第二材料层于该基底上；以及采用一液体以移除该图案化的第二材料层，其中该液体包括一立体障碍有机碱以及一有机溶剂。
依据另一实施例，本发明提供了一种集成电路装置的制造方法，包括：提供一基底；形成一第二材料层于该基底上；曝光该第二材料层；显影该第二材料层，以形成一图案化的第二材料层；以及利用一去除溶液，以移除该图案化的第二材料层，其中该去除溶液包括一立体障碍有机碱以及一有机溶剂的一液体。
本发明中的阻剂去除溶液包括一立体障碍有机碱。立体障碍有机碱具有一个或一个以上的优点，例如降低基底/下方膜层的毁损、降低H2O污染以及改善光致抗蚀剂材料的移除效果。
且在本发明提供的集成电路装置中，图案化的第二材料层可以通过包括立体障碍有机碱以及一有机溶剂的液体而被移除。上述包括立体障碍有机碱的去除溶液可降低基底(或下方膜层)的毁损情形和/或消除(或降低)在去除制造工艺后的阻剂材料的残留量。
附图说明
图1为一流程图，显示了依据本发明一实施例的集成电路装置的制造方法；以及
图2A-图2D为一系列剖面图，显示了如图1所示的集成电路装置的制造方法内不同制造阶段的集成电路装置。
上述附图中的附图标记说明如下：
100～集成电路装置的制造方法；
102、104、106、108、110、112～步骤；
200～半导体装置；
210～基底；
212～第一材料层；
214～第二材料层；
214A～曝光区域；
214B～未曝光区域。
具体实施方式
为让本发明的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下：。
可以被理解的是，在下文中将会提供许多不同的实施例以实施本发明中不同的特征。各特定实施例中的组成及配置将会在以下作描述以简化本发明。这些实施例并非用于限定本发明。举例来说，在第二构件上或之上形成第一构件的描述中除了揭示了包括第一构件与第二构件直接接触情形的实施例外，也可包括在第一构件与第二构件之间增设有额外构件的实施例。此外，本文中在不同实施例中将会重复使用标号与标示文字。如此的重复情形用于简单与明确的目的，而并非用已限定所讨论的不同实施例中和/或实施形态中的关系。
请参照图1与图2A-图2D，在下文中将一并解释方法100以及半导体装置200的实施情形。半导体装置可为一集成电路或其一部分，其可包括存储单元和/或逻辑线路。半导体装置200可包括如电阻、电容、电感和/或熔丝的无源元件、如P沟道场效应晶体管(PFET)、N沟道场效应晶体管(NFET)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)、互补型金属氧化物半导体(CMOSs)晶体管、高电压晶体管、和/或高频晶体管的有源元件以及其他元件和/或其组合。图1为一流程图，显示了依据一实施例的半导体装置200的制造方法100。图2A-图2D为一系列剖面图，显示了就部分或整体而言依据一实施例的半导体装置200在方法100内的不同制造阶段中的实施情形。可以理解的是，在方法100实施之前、之中或之后可施行额外的制造步骤，以及在方法的其他实施例中的可取代或删除于下文中描述的部分步骤。可以更理解的是，可在半导体装置200内增设额外构件，而在半导体装置200的其他实施例中则可取代或删除在下文中所描述的这些构件的一部分。方法100以及相关对应的半导体装置200作为解释之用而非以用于限制本发明。举例来说，在图2A-图2D描述的集成电路的结构仅作为解释之用，而可采用相似方法以形成相似的装置。
方法100为用于制造一半导体装置的一微影(光刻)方法。在下文中将互换地采用微影、浸润微影、光微影与光学微影等描述。微影为在如半导体制作的微制作中所使用的一程序，借以选择性地移除部分的薄膜或基底。上述程序采用了光线以将一光掩模上图案(如一几何图案)转移至位于基底上的一感光膜层(如阻剂)。光线于曝光区域内的感光膜层内造成了化学变化，其可增加或减少曝光区域内的溶解度。当曝光区域变得更容易溶解时，感光膜层为一正型光致抗蚀剂。若当感光区域变得较不容易溶解时，感光层为一负型光致抗蚀剂。在曝光基底之前或之后可施行一烘烤程序，例如为一曝光后烘烤程序。显影程序可采用一显影液而选择性地移除经曝光或未经曝光区域，以在基底上产生一曝光图案。接着可进行一系列的化学处理程序，以于图案化的阻剂保护了下方基底(或材料层)的区域状态下雕刻/蚀刻曝光图案至基底(或材料层)内。或者，也可施行如金属沉积、离子注入或其他程序。最后，利用一适当试剂以移除(或去除)剩余的光致抗蚀剂材料，而基底则可在整个程序中以重复进行下个阶段的下个电路工艺。在复杂的集成电路(例如当今CMOS装置)，基底可能经历了多次的微影步骤的循环。
请参照图1与图2A，在方法100的步骤102中，首先提供一基底210。基底210为一半导体基底，其例如为包括结晶态的硅和/或锗的一元素态半导体、包括碳化硅、砷化镓、磷化镓、磷化铟、砷化铟和/或锑化铟的一化合物半导体、包括SiGe、GaAsP、AlInAs、AlGaAs、GaInAs、GaInP、和/或GaInAsP之一合金化合物，或其组合。合金半导体基底可具有一梯度SiGe构件，其中在梯度SiGe构件内的Si与Ge成分自位于某处的一成分改变至位于另一处的另一成分。上述合金SiGe可形成于一硅基底上。而此SiGe基底系为经应变的基底。再者，基底可为一绝缘层上覆半导体(SOI)基底。在部分实施例中，基底可包括一掺杂的外延层。在其他实施例中，硅基底可包括一多膜层化合物半导体结构。或者，基底210可包括一非半导体基底，例如为用于薄膜晶体管液晶显示装置的一玻璃基底，或用于光掩模的融化石英或氟化钙材料的基底。
基底210可包括一个或多个材料膜层。此一个或多个材料膜层可包括一个或多个高介电常数介电层、栅极层、硬掩模层、中间层、上盖层、扩散/阻挡层、介电层、导电层、其他适当膜层，和/或其组合。高介电常数介电层可包括HfO2、HfSiO、HfSiON、HfTaO、HfTiO、HfZrO、金属氧化物、金属氮化物、金属硅酸盐、过渡金属氧化物、过渡金属氮化物、过渡金属硅酸盐、金属的氮氧化物、金属铝酸盐、锆硅酸盐、锆铝酸盐、氧化锆、氧化钛、氧化铝、HfO2-Al2O3合金、其他适当高介电常数材料，和/或其组合。栅极层可包括含硅材料、含锗材料、如铝、铜、钨、钛、钽、氮化钛、氮化钽、硅化镍、硅化钴、碳化钽、氮硅化钽和/或氮碳化钽等金属，其他适当材料和/或其组合。在一实施例中，栅极层包括二氧化硅层与高介电常数介电材料层。栅极层可为具有相同或相异掺质的经掺杂多晶硅。栅极层可包括一功函数层。举例来说，当需要使用时P型功函数金属(P-金属)时，可应用氮化钛、氮化钨或钨等材料。另一方面，当需使用N型功函数金属(N-金属)时，则可应用TiAl、TiAlN或TaCN等材料。在部分实施例中，功函数层可包括经掺杂的导电金属氧化物材料。
在一实施例中，基底210包括一介电材料。介电材料可具有介于1～40的一介电常数。在另一实施例中，基底210可包括至少硅、金属氧化物或金属氮化物其中之一。基底的组成可采用化学式MXb表示，其中M为金属或Si，而X可为N或O，以及b介于0.4～2.5。基底的组成物例如为包括至少硅、金属氧化物或包括二氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化铪、氧化镧、其他适当化合物以及其组合其中之一。在其他实施例中，基底210包括至少金属、金属合金、金属氮化物、金属硫化物、金属硒化物、金属氧化物或金属硅化物其中之一。基底的组成物可采用化学式MXa表示，其中M为金属，而X为N、S、Se、O或Si，以及a介于0.4～2.5。基底的组成物例如包括至少金属、金属合金、包括Ti、Al、Co、Ru、TiN、WN2、TaN其中的金属氮化物/硫化物/硒化物/氧化物、其他适当组成物，和/或其组合其中之一。或者，基底210可大体导电或半导电。举例来说，基底210的电阻值可少于103欧姆-米。
如步骤104与106所示，可在基底210之上形成一第一材料层212以及一第二材料层214。或者，可除去第一材料层212而仅于基底210之上形成第二材料层214。第一材料层212与第二材料层214包括不同的组成物。第一材料层212与第二材料层214可采用如旋转涂布、化学气相沉积(CVD)、等离子体加强型化学气相沉积(PECVD)、原子层沉积(ALD)、物理气相沉积(PVD)、高密度等离子体化学气相沉积(HDPCVD)、其他适当方法和/或其组合的适当工艺而形成于基底210上并具有任何厚度。第一材料层212与第二材料层214可包括不同的光学特性。举例来说，第一材料层212可包括一大体相异于第二材料层214的折射率(即n值)、消光系数(即k值)或T值。第一材料层212与第二材料层214还可包括不同的蚀刻阻抗能力。第一材料层212和/或第二材料层214可包括至少一蚀刻阻抗分子，其可包括低的大西数结构(low onishi number structure)、双键、三键、硅、氮化硅、钛、氮化钛、铝、氧化铝和/或氮氧化铝。
第一材料层212为一图案化膜层。图案化层可包括相似于前述膜层的一个或多个膜层，其包括阻剂层、抗反射涂层(即一上盖抗反射涂层(TARC)或一底部抗反射涂层(BARC))、高介电常数层、栅极层、硬掩模层、中间层、上盖层、扩散/阻挡层、介电层、导电层、其他适当膜层和/或其组合。在一实施例中，第一材料层包括一底部抗反射涂层(BARC)。在另一实施例中，第一材料层212包括至少一酸变分子(acid labile molecule)、一高分子、光酸产生剂(PAG)、抑制剂(quencher)、发色基(chromophore)、交联剂(crosslinker)、界面活性剂(surfactant)和/或溶剂。
第二材料层214则为包括任合适当材料的一光致抗蚀剂层。阻剂层可为一正型或一负型阻剂材料。第二材料层可具有一多膜层结构。阻剂材料之一例如为化学增幅型(chemical amplifying)阻剂。第二材料层包括至少高分子、光酸产生剂、抑制剂(碱)、发色基、交联剂、介面活性剂和/或溶剂其中之一。高分子包括具有一分子量介于约1000～20000的一有机或无机高分子。高分子还可包括一酸解高分子、一酸触媒交联高分子、高分子频那醇(polymerpinacol)和/或其他适当材料。第二材料层214还可具有一界面活性剂、光裂解碱(photodegradable base)、光碱产生剂(photobase generator，PBG)、一电子受体和/或交联剂。
在步骤108中，针对第二材料层214实施至少一曝光工艺。曝光工艺通过一照射光束而选择性地照射第二材料层214，以形成一个或多个曝光区域214A与未曝光区域214B，如图2B所示。可用于曝光第二材料层214的照射光束例如为紫外光和/或延伸并包括其他照射光线，例如离子束、X光、极紫外线(extreme ultraviolet)、深紫外线(deep ultraviolet)或其他的适当照射能量。在一实施例中，第二材料层214暴露于大体少于250nm的一波长下。图案化的曝光区域214A与未曝光区域214B的形成是通过利用一光源通过一个或多个光掩模而照射至第二材料层，进而形成一图像图案。上述工艺可采用KrF激发激光、ArF激发激光、ArF浸润型微影、深紫外光照射、极紫外光照射和/或分子印刷技术。上述曝光工艺也可通过如无光掩模微影工艺、离子束直写和/或电子束直写等其他适当方法所取代与施行。可以理解的是，在曝光工艺中可施行单一曝光图案化工艺、双重曝光图案化工艺或多重曝光图案化工艺。举例来说，第二材料层214可通过一第一波长曝光后，接着通过一第二波长曝光。
接着，第二材料层214可接着置放于一曝光后烘烤工艺中。在图案曝光之后和/或曝光后烘焙程序中，第二材料层(即阻剂)214内的光酸产生剂可产生酸并进而增加或减少其溶解度。其可在正型阻剂中增加溶解度，以及在负型阻剂中减少溶解度。
请参照图2C，在步骤110中，采用任何适当工艺显影第二材料层214，以形成图案化第二材料层214。可利用一显影液以移除部分的第二材料层214。显影液例如为氢氧化四甲铵(tetramethylammoniumhydroxide，TMAH)。其可使用任何浓度的TMAH显影液，例如为浓度约为2.38％TMAH显影液。依照其阻剂形态，显影液可用于移除曝光区域214A或未曝光区域214B。举例来说，在本实施例中，第二材料层214包括一负型阻剂，因此曝光区域214A并不会为显影液溶解，而残留于第一材料层212(或基底210)上。当第二材料层214包括一正型阻剂时，曝光区域214A将可为显影液所溶解，因而留下未曝光区域214。半导体装置可接着进行清洗工艺，例如为去离子水清洗程序。清洗程序可移除残留的微粒。
残留的曝光部分214A定义出了一图案。此图案包括一个或多个开口，并露出部分的下方第一材料层212(或基底210)。后续程序可包括移除于开口内的露出部分的第一材料层和/或基底210。或者，可在第一材料层210和/或基底210上施行如金属沉积、离子注入或其他工艺。第二材料层，例如剩余的曝光部分214A可置于一或多个处理制造工艺中，例如离子注入程序、等离子体处理程序、紫外光处理程序、其他适当制造工艺和/或上述制造工艺的组合。可针对第一材料层212施行离子注入程序以注入曝光区内的第一材料层212，也可将图案化的第二材料层214置入于离子轰击之中。离子注入可包括砷、磷、硼、氮、碳、锗、氧、碲或其他适当离子。离子注入可利用卤素元素。等离子体处理程序可采用一制造工艺气体混合物，其包括如氧气或含氮成分的气体(例如N2O、N2H2等)的任一适当等离子体气体。等离子体处理程序可利用至少一种卤素，卤化或未卤化的组成物、分支或非分支的组成物、环状或非环状的组成物、饱和或未饱和的组成物、烷烃(alkane)组成物和/或其他适当的组成物。前述的制造工艺可采用任何操作温度，例如介于22℃～300℃的温度。在一实施例中，操作温度介于40℃～120℃。如前所述的制造工艺可在任一操作压力下实施，例如是介于0.9～10atm的一压力。
请参照图2D，在步骤112中，利用一液体移除(或去除)经图案化的第二材料层214(即第二材料层214的剩余部分)。由于图案化的第二材料层214先前置入于一离子轰炸或等离子体处理程序中，故采用上述液体去除经离子轰炸的图案化的第二材料层214和/或经离子处理的图案化第二材料层214。公知的去除方法可能具有以下多个缺点，包括可能造成底部膜层(例如第一材料层212)的毁损和/或在下方膜层之上残留少量的阻剂材料，其可能造成后续形成膜层的形变。因此，在本发明中，图案化的第二材料层214(即剩余的曝光区域214A或未曝光区域214B)可以通过包括立体障碍有机碱以及一有机溶剂的液体而被移除。上述包括立体障碍有机碱的去除溶液可降低基底(或下方膜层)的毁损情形和/或消除(或降低)在去除制造工艺后的阻剂材料的残留量。
上述立体障碍有机碱包括一级胺、二级胺、三级胺或四级胺的氢氧化物。而其包括的胺或胺的氢氧化物具有以下化学式：
Figure G2010100020628D00091
R1、R2、R3或R4包括未分支基、分支基、环状基、非环状基、饱和基、未饱和基或烷链。R1、R2、R3或R4具有介于1～15的链碳数。在一实施例中，链碳数介于1～5。在本实施例中，至少R1、R2、R3或R4其中之一具有大于苯基的凡得瓦尺寸。
Z1、Z2、Z3或Z4包括一悬基。而悬基择自由-Cl、-Br、-I、-NO2、-SO3-、-H-、-CN、-NCO、-OCN、-CO2-、-OH、-OR*、-OC(O)CR*、-SR、-SO2N(R*)2、-SO2R*、SOR、-OC(O)R*、-C(O)OR*、-C(O)R*、-Si(OR*)3、-Si(R*)3、及环氧基所组成的族。R*包括至少氢原子、未分支基、分支基、环状基、非环状基、饱和基、未饱和基、烷基、烯基或炔基其中之一。
有机溶剂可包括任何适当的溶剂，例如二甲基亚砜(dimethyl sulfoxide，DMSO)、四氢呋喃(TETRAHYDROFURAN)、丙二醇甲醚醋酸酯Propyleneglycol methyl ether(PGME)，、丙二醇单甲基醚醋酸酯(Propylene GlycolMonomethyl Ether Acetate，PGMEA)、乙醇、丙醇、丁醇、甲醇、乙烯、乙二醇、伽玛丁基丙酮(gamabutyl actone)、N-甲基吡咯酮(N-Methyl-2-Pyrrolidone，NMP)、其他适当溶剂和/或其组合。在部分实施例中，有机溶剂可包括至少烷基亚砜(alkylsulfoxide)、羧酯(carboxylic ester)、羧酸(carboxylic acid)、醇、乙二醇、醛、酮、酸酐(Acid anhydride)，内酯、卤化或未卤化的基团、分支或非分支的基团、环状或非环状的基团、饱和或未饱和的基团、烷烃(alkane)基团和/或杂环基团其中之一。
立体障碍有机碱的成分约为溶剂的0.01％～40％。上述液体还可包括一去除抑制剂(stripping inhibitor)，其可包括至少乙二醇和/或二氨。此外，可以观察到H2O污染的减少、下方膜层(或下方基底)毁损的减少。包括立体障碍有机碱以及溶剂的去除溶液可有利地于具有水污染少于5％的溶剂中溶解有机碱。在图案化的第二材料层214移除后，可继续后续工艺。举例来说，半导体装置200可进行一个或多个制造工艺，例如为额外的图案化、蚀刻、沉积等工艺以形成额外的构件。
总而言之，前述实施例提供了一种集成电路装置的制造方法。一示范性微影工艺可包括如阻剂涂布、软烤、光掩模对准、曝光、曝后烘烤、显影、硬烤和/或阻剂去除等制造工艺步骤。本发明中的阻剂去除溶液包括一立体障碍有机碱。立体障碍有机碱具有一个或一个以上的优点，例如降低基底/下方膜层的毁损、降低H2O污染以及改善光致抗蚀剂材料的移除效果。可以理解的是不同实施中可具有不同优点，并不需要于任一实施例中具有特定的优点。
虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然而其并非用以限定本发明，任何本领域普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作更动与润饰，因此本发明的保护范围当视所附的权利要求所界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种集成电路装置的制造方法，包括： 
提供一基底； 
形成一第一材料层于该基底上； 
形成图案化的第二材料层于该基底上；以及 
采用一液体以移除该图案化的第二材料层，其中该液体包括一立体障碍有机碱以及一有机溶剂，其中该立体障碍有机碱包括四级胺的氢氧化物，并且该立体障碍有机碱所包括的胺或胺的氢氧化物具有以下化学式： 
Figure FSB00000965309200011
其中，R1、R2、R3或R4择自由未分支基、分支基、环状基、非环状基、饱和基、未饱和基与烷链所组成的族； 
其中，Z1、Z2、Z3或Z4包括一悬基；该悬基择自由-Cl、-Br、-I、-NO2、-SO3-、-H-、-CN、-NCO、-OCN、-CO2-、-OH、-OR*、-OC(O)CR*、-SR、-SO2N(R*)2、-SO2R*、SOR、-OC(O)R*、-C(O)OR*、-C(O)R*、-Si(OR*)3、-Si(R*)3及环氧基所组成的族，其中该R*包括至少氢原子、未分支基、分支基、环状基、非环状基、饱和基、未饱和基、烷基、烯基或炔基其中之一。 
2.如权利要求l所述的集成电路装置的制造方法，其中至少R1、R2、R3或R4其中之一具有大于苯基的凡得瓦尺寸。 
3.如权利要求1所述的集成电路装置的制造方法，其中R1、R2、R3或R4具有介于1～15的链碳数。 
4.如权利要求1所述的集成电路装置的制造方法，在移除该图案化的第二材料层之前，还包括施行一离子注入程序或一等离子体处理程序。 
5.如权利要求1所述的集成电路装置的制造方法，其中形成该图案化的第二材料层于该基底上包括： 
曝光该第二材料层；以及 
显影该第二材料层，以移除部分的该第二材料层。 
6.一种集成电路装置的制造方法，包括： 
提供一基底； 
形成一第二材料层于该基底上； 
曝光该第二材料层； 
显影该第二材料层，以形成一图案化的第二材料层；以及 
利用一去除溶液，以移除该图案化的第二材料层，其中该去除溶液包括一立体障碍有机碱以及一有机溶剂的一液体，其中该立体障碍有机碱包括四级胺的氢氧化物，而该胺或该胺的氢氧化物具有以下化学式： 
Figure FSB00000965309200021
其中，R1、R2、R3或R4择自由未分支基、分支基、环状基、非环状基、饱和基、未饱和基与烷链所组成的族； 
其中，Z1、Z2、Z3或Z4包括一悬基；该悬基择自由-Cl、-Br、-I、-NO2、-SO3-、-H-、-CN、-NCO、-OCN、-CO2-、-OH、-OR*、-OC(O)CR*、-SR、-SO2N(R*)2、-SO2R*、SOR、-OC(O)R*、-C(O)OR*、-C(O)R*、-Si(OR*)3、-Si(R*)3及环氧基所组成的族，其中该R*包括至少氢原子、未分支基、分支基、环状基、非环状基、饱和基、未饱和基、烷基、烯基或炔基其中之一。 
7.如权利要求6所述的集成电路装置的制造方法，还包括施行一离子注入程序、一等离子体处理程序、一紫外光处理程序或上述程序的组合。 
8.如权利要求6所述的集成电路装置的制造方法，还包括施行一曝光后烘烤程序。 
9.如权利要求6所述的集成电路装置的制造方法，其中至少R1、R2、 R3或R4其中之一具有大于苯基的凡得瓦尺寸 。
10.一种光致抗蚀剂去除组成物，包括： 
一有机溶剂以及一有机碱，其中该有机碱包括四级胺的氢氧化物，其中该胺或该胺的氢氧化物具有以下化学式： 
Figure FSB00000965309200031
其中： 
R1、R2、R3或R4具有介于1～15的链碳数，而至少R1、R2、R3或R4其中之一具有大于苯基的一凡得瓦尺寸，并且R1、R2、R3或R4择自由未分支基、分支基、环状基、非环状基、饱和基、未饱和基与烷链所组成的族；以及 
Z1、Z2、Z3或Z4包括一悬基，其中该悬基择自由-Cl、-Br、-I、-NO2、-SO3-、-H-、-CN、-NCO、-OCN、-CO2-、-OH、-OR*、-OC(O)CR*、-SR、-SO2N(R*)2、-SO2R*、SOR、-OC(O)R*、-C(O)OR*、-C(O)R*、-Si(OR*)3、-Si(R*)3及环氧基所组成的族，其中R*包括至少氢原子、未分支基、分支基、环状基、非环状基、饱和基、未饱和基、烷基、烯基或炔基其中之一。 
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