CN102017121A - 使用通过系列晶片运动获得的补偿值的晶片动态对准 - Google Patents

Abstract

本发明中提供了一些利用受控的系列晶片运动来优化半导体制造设备中晶片位置可重复性的方法和系统。在一种实施方式中，执行初级站校准，教导机器人每个站的位置，其中每个站与用于半导体制造的真空传输模块(VTM)的多个面连接。该方法也用来校准系统，以获取补偿参数，这些参数把待放置晶片的站、各面中传感器的位置及源于机械手执行伸和缩工序的偏移量考虑在内。在另一种实施方式中，机器人有两只手，该方法用于校准系统，以便补偿源于使用这只手或者使用那只手的偏差。在制造过程中，通过利用补偿参数，将晶片放在不同的站。当从一个站捡起晶片时，补偿值用于测量晶片位置，以计算晶片中心相对于站中心所处的位置。

Description

使用通过系列晶片运动获得的补偿值的晶片动态对准

发明领域

本发明涉及半导体加工设备模块中的晶片传输，具体而言，涉及到利用装载晶片的支撑刀片将每一块晶片精确放置在模块里面。

背景技术

在半导体仪器的制备过程中，把加工室连接起来，以便晶片或者基片能在诸如连接的室之间传输。这样的传输是借助于传输模块进行的，传输模块通过诸如设置在连接的室的相邻墙上的狭缝或者通口运送晶片。传输模块通常与各种各样的晶片加工模块(PM)结合使用，其中晶片加工模块可能包含半导体刻蚀系统、物质淀积系统以及平板显示刻蚀系统。

真空传输模块(VTM)可以物理放置在一个或者多个储藏晶片的清洁的室储备设施和多个实际加工晶片的晶片加工模块之间，其中实际加工诸如刻蚀或者淀积。按这种方式，当需要对一块晶片加工时，可以用位于该传输模块里的机械手从储藏处取出一块被选晶片，并且将其放到该多个加工模块中的一个里面。

每一站数个面中的每一个面上的传感器用于提高在每一个站里晶片位置的精确度。然而，放置晶片的精确度会遭遇多个因素的影响。例如，传感器的位置不可能是精确的，并且传感器位置的小的偏差将造成计算晶片位置时有缺陷。此外，运送晶片的机器人不可能位于系统所相信的机器人应在的确切位置，这就产生了另一个误差源。还有，传输晶片的机器人常常有两只手，以增加系统速度和灵活性。实践中，在使用这只机械手还是使用那只机械手之间存在工序上的差异，导致不同的结果，在运送晶片时，机械手据此捡或者放晶片。此外，现存的方法易受操作员误差的影响，并且不是自动调节的，因而需要的校准时间长。

就是在这种背景下，本发明的实施方式出现了。

发明内容

本发明的实施方式提供了一些利用受控的系列晶片运动优化半导体制造设备中晶片位置可重复性的方法和系统。在一种实施方式中，执行初级站校准，教导机器人每个站的位置，其中每个站与用于半导体制造的真空传输模块的多个面连接。该方法也用来校准系统，以获取补偿参数，这些参数把待放置晶片的站、各面中传感器的位置及源于机械手执行伸和缩工序的偏差都考虑在内。在另一种实施方式中，机器人有两只手，该方法用来校准该系统，以补偿源于用这只手或者用那只手引起的偏差。在制造过程中，通过使用补偿参数，将晶片放在不同的站。

应该可以预期到，本发明能够应用于许多方面，例如，工艺、仪器、系统、设备或者计算机可读媒介上的方法。本发明的几种实施方式在下文描述。

在一种实施方式中，一种利用受控的系列晶片运动优化在半导体制造设备中晶片位置可重复性的方法。该方法通过执行初级站校准，教导机器人每个站的位置，其中每个站与用于半导体制造的真空传输模块的多个面连接，随后校准系统。在制造过程中，通过使用在校准过程中获得的补偿值，将晶片放在不同的站。该校准包括下列工序：

1.访问有每个面上标称传感器位置的表。典型地，实际传感器位置稍微偏离系统所认为的传感器实际所处的位置。

2.确定站中的一个作为基准站，确定基准传输方向(伸对缩)，确定基准机械手(假如机器人有多只手)。

3.使用诸如对准器，在基准站捡一块已知位置放置正确的晶片。该位置确定为相对于机器人是居中的。

4.将所捡的晶片运送通过多个面，并且测量机器人用一只手运送该晶片进出站时伸和缩的偏移量；

5.创设一个偏移表，以补偿因伸和缩方向之间的差异而导致的可重复的测量误差，以及因为使用标称传感器位置而导致的误差(对于每只手)。偏移表使系统能够确定相对于机器人实际晶片的位置，也可以用作补偿偏差，以实现晶片放置位置最优化。

6.调整每个站的机器人值，以确保用基准手将晶片放置在期望的位置。这能够通过对准器或者固定装置，捡拾并且测量相对于站居中的晶片来完成。

7.使用基于计量的对准精调站位置，以确保用基准手将晶片放置在期望的位置。

8.反复放和捡该晶片获取数据，进而微调偏移表值和每一站的机器人位置。通过使用多次测量的数据，并算得代表值，该系统就能够获得较精确的微调值。

通过下文的详细描述，并结合附图，使用例子阐明本发明的原理，本发明的其他方面就将变得显而易见。

附图说明

参照下面的说明，结合附图，本发明可能最好理解，其中：

图1所示是一个典型的半导体加工集群结构，图示的是与真空传输模块(VTM)连接的各种模块。

图2所示是初级站校准工艺。

图3描述的是在校准工艺中，使用标称传感器位置的一种实施方式。

图4所示的是一种实施方式的样本标称传感器位置表。

图5A-5B描述的是本发明一种实施方式中偏移表的形成。

图6所示为一个偏移表样本。

图7A-7B描述的是在一种实施方式中的站值最优化工序。

图8所示为根据本发明的一种实施方式，在校准过程中，使用基于计量的对准。

图9A-9B所示为在一种实施方式中，校准过程中的微调工序。

图10所示为微调工序结果的样本分布。

图11A-11D所示为获得补偿值以及在制造过程中使用补偿值的工艺流程。

图12所示为根据图11D所述方法，图示描述动态对准法III的使用。

实施方式

本发明提供了利用受控的系列晶片运动优化半导体制造设备中晶片位置可重复性的方法和系统。在一种实施方式中，执行初级站校准，教导机器人每个站的位置，其中每个站与用于半导体制造的真空传输模块(VTM)的多个面连接。该方法也校准系统，以获取补偿参数，这些参数把待放置晶片的站、各面中传感器的位置及源于机械手执行伸和缩工序的偏移量考虑在内。一个对准好的晶片用于微调每一个站的晶片的位置，并且帮助补偿一些传感器位置与期望位置之间的小偏差。

在另一种实施方式中，机器人有两只手，该方法用于校准系统，以便补偿源于使用这只手或者使用那只手的偏差。在制造过程中，通过利用补偿参数，将晶片放在不同的站。此外，当从一个站捡起晶片时，补偿值用于测量晶片位置，以计算晶片中心相对于站中心所处的位置。

然而，即使没有这些具体细节中的一些或者全部，本发明也可以实施，这一点对于本领域的技术人员是明显的。在其他的事例中，公知的工艺工序没有详细描述，以防止不必要地模糊本发明。

图1描述的是一个典型的半导体加工集群结构，图示的是与真空传输模块38(VTM)连接的各种模块。在多个储存设备和加工模块中“传输”晶片的传输模块的布局常常被称为“集群工具结构”系统，这一点对于本领域技术人员是公知的。气锁30，也称装载室或者传输模块，与单个就能最优化以执行各种制造工艺的4个加工模块20a-20d一起展示在VTM38中。举例而言，加工模块20a-20d能安装成可以实施变换耦合等离子体(TCP)基片刻蚀、层淀积和/或溅射。当概括地说气锁30或者加工模块20时，术语站有时将用于指气锁或者加工模块。每个站有一个将站连接到真空输送模块38的面36。在每个面里面，传感器1-18用于检测晶片26进出各自站时的通行情况。

机器人22在站间传输晶片26。在一种实施方式中，机器人22有一只手，在另一种实施方式中，机器人22有两只手，每只手有一个捡要输送的晶片的末端执行器24。在大气传输模块40(ATM)中，用前端机器人32将晶片从盒或者装载口模块(LPM)42中的前开口联合夹(FOUP)34传输到气锁30。在加工模块20里面的模块中心28指明了放置晶片26的理想位置。在ATM40里的对准器44用于对准晶片。

当将晶片从气锁30传输到真空传输模块38里时，相对于站，晶片的中心不可能精确地放置。因此，当在VTM38里的机器人22的刀片捡晶片时，相对于刀片中心，晶片的中心不一定能精确地定位，或者对准。当机器人执行一道“伸”的工序时，刀片(连同由刀片装载的晶片)被移送通过加工模块里的狭缝，并且，晶片被放置在诸如加工模块20a的管脚上，同时，这种刀片中心与晶片中心的不正确对准，也称作“晶片-刀片不对准”，或者仅仅称作“晶片不对准”持续存在。

当机器人实施一道“缩”的工序时，刀片(连同由刀片装载的晶片)被移送通过加工模块20c的一个狭缝，同时，这种晶片不对准可能持续。这样的晶片不对准在一个随后的伸的工序中也可能持续，通过伸的工序，该晶片被放置在加工模块中的另一个诸如PM20b的模块里。

应当注意，相对于集群结构，控制晶片运行的计算机可以是局域的，或能够位于制造地的某个地方，或者在一个遥远的位置，并且借助网络连接到集群结构上。

2002年12月31日公布的名称为“基片动态对准的方法和设备”并转让给与本发明相同的受让人的在先专利(6502054)，在此并入本发明作为参考，该专利提供了一种被称为动态对准(DA)的方法，该方法在不同的表面使用传感器，以改善晶片的位置。然而，尽管动态对准法改善了放置晶片的精确性，但是即使使用传感器，在该系统里的其他因素也会造成晶片位置的误差。例如，传感器的放置不可能是完美的，并且传感器位置的小偏差可能造成计算晶片位置的缺陷。另外，输送晶片的机器人不可能在该系统认为的其应该在的确切位置，这产生了另一个误差源。还有，输送晶片的机器人常常有两只手，以增加系统的速度和灵活性。在使用这只手还是那只手之间，有工序上的差异，导致不同的结果，机器人在输送晶片时，据此捡或者放晶片。

另外，需要发明一种使校准过程自动化的方法，改善对准的可重复性，减少对工程师时间的依赖。此外，也需要增强独立于晶片流动和站的动态对准的一致性。

在一种制造环境下，为了获得较好的晶片位置，本发明的实施方式改善了对动态对准法的使用。在此提供的实施方式已经被命名为动态对准III。

图2所示是初级站校准工艺。这道工序教导机器人每个站的值。初级站校准后，假如在机械手中央的晶片放置在没有DA的站，在校准固定装置210里面的晶片将落在位置208，位置208位于校准固定装置210与站中心204之间的公差范围内。假如另一只手也这样，晶片将落在位于不同地点的位置206上，位置206位于校准固定装置210与站中心204之间的公差范围内。

在一种实施方式中，初级站校准工艺重复了几次，直至固定装置正确位于站里面，并在被要求的公差范围内。固定装置公差的样本值是500um。

图3描述了一种实施方式，其在校准过程中，使用标称传感器位置。这是在校准工序中，动态对准III法的第一工序300。标称传感器位置表指明了在每个面传感器的估测位置。通过使用对准器或者另一种可重复的机构，使晶片位于基准站的中心。本领域的技术人员将会了解，当使用术语“居中晶片”时，意指“放置正确的晶片”。总体上，该系统被设计为使用术语“正确放置”或者“最优放置”，即使是在对于圆形电极术语“居中”实际上是优选并且明确定义的情况下。在另一种实施方式中，位置可能偏离轴心，或者对准是在没有考虑轴对称的特征时实施。

图4所示是一种实施方式中的一个样本标称传感器的位置表402。表格显示有六个不同的站，包括四个加工模块，和两个气锁。每个站有三个与站相联系的传感器1-3，每个传感器有两个测量值，以指明集群工具结构中一个点的位置。在一种实施方式中，基准点是机器人的原始位置。两个测量值中，一个是用英尺计量的半径R，另一个是角T。

图5A描述了在本发明的一种实施方式中偏移表的形成。将居中晶片308从基准站捡起，并考虑相对于机械手居中。将晶片带至初级机器人位置312，通过传感器302和304，并且基于传感器的标称位置以及晶片进(伸)出(缩)时的测量值，用动态对准法测量晶片的偏移量。在一种实施方式中，两只机械手的伸和缩的测量结果对于每个站产生四个测量值，即EEA-Ex，EEA-Re，EEB-Ex，和EEB-Re。

在一种实施方式中，伸和缩的工序被重复多次，例如连续重复10-20次，接着平均测量值，得到一个代表值。这降低了机器人可重复性对测量结果的影响。在另一种实施方式中，改变手的工序在基准站实施，以下降的速度放下晶片仅仅一次，以减少在捡和放的过程中晶片移动的影响。

对于手、站和方向的每一个组合，偏移表由往返通过机器人站位置的居中晶片的动态对准测得的偏移量组成。在相对于初级站校准的公差范围内，偏移表将用于确定相对于机器人晶片所处的位置，但是仍然不能确切地知道相对于站机械手所处的位置。记载在偏移表中的偏移量反应了在自动对准测量中的未知却一致的偏差，这些偏差产生于传感器位置相对于其标称位置的偏差、伸与缩动作的差异、机械手之间的差异(假如适用)以及其他公差和每个面-刀片-方向组合的不确定叠加。偏移表的形成用于确定这些居中晶片的未知偏移量，并且用于校准偏移表中的所有面、刀片和方向，以便动态校准III测量值保持一致，即独立于面-刀片-方向测量值。

在制造过程中，用软件将测得的偏移量用于校正晶片居中工序中的晶片位置。下文是根据本发明的一种实施方式，用于计算偏移表值的工序的详尽描述：

1.用基准刀片从基准站捡晶片。

2.朝着机器人站位置，通过基准面和VTM里的所有的面伸和缩多次。预设值是20次，但是其他的值也是可能的。在每次通过时，测量伸和缩的偏移量。

3.减少机器人的Z速度。

4.把晶片放回基准站，并用非基准刀片捡晶片。

5.恢复到最初的机器人Z速度。

6.用非基准刀片将晶片输送通过每个面多次，测量每一次通过的伸和缩的偏移量。

7.对于每一个站，通过计算手、站和方向的每一组合的平均偏移量，算出站偏移量。图5B图示的是本发明的一种实施方式中的站偏移量的计算。对于每一个站和手，这样计算下面的值：

伸的偏移表值(CeR，CeT)＝(平均测得的RO，TO)_伸

缩的偏移表值(CrR，CrT)＝(平均测得的RO，TO)_缩

图6所示是一个样本偏移表602，其用手、站和方向的每一组合的平均偏移值填充。最左边的栏是组合刀片-站的名称。紧邻的两栏，表示伸值，再紧邻的两栏是缩值。只要在这里描述的发明的原理被保持，本领域的技术人员将预见到其他的表格能用于记载偏移量。

图7A描述的是一种实施方式中的站值最优化工序。该工序用于教导站中心。基准手值需要调整，以便基准手将晶片放在站中心，让机器人中心和站中心对准。理想的站中心为加工模块(PMs)而设定，该PMs使用用于晶片位置机械对准的集中夹具。通过将对准的晶片放在站里，为气锁设定理想的机器人站中心。

在一种实施方式中，为适合基准刀片，通过履行下面的工序调整站值：

1.降低Z速度，

2.从可能是PM固定装置或者气锁的狭缝的站捡晶片。机器人伸到初级站值(R₀，T₀)捡晶片。

3.传送晶片通过面多次，并计算在基准方向的平均测得偏移量，即(平均测得的R_O，T_O)_基准方向。预设的次数是20，但是其他的数值也是可以接受的。

4.将晶片放回到PM的固定装置或者气锁里。

5.计算机器人的新站值：

新站值(R_F，T_F)＝初始站值(R₀，T₀)+

(平均测得的RO，TO)_基准方向-

(偏移表Ce/rR，Ce/rT)_{站，手，方向}

图7B图示的是使用在机器人新站值计算上的不同矢量。重复工序1-5，直至站值调整值是非常小的，也就是在允许公差以下。假如在可设置的最大重复次数以后，期望的调整值水平没有达到，那么错误的信息就产生了。最大可重复次数的典型值可以从2至5，但是其他的值也是可能的。

通过用非基准刀片捡晶片，并且重复已经提前用基准刀片执行的过程，非基准刀片的站值接着被调整。完成以后，将机器人回复到最初的Z速度。

图8所示是根据本发明的一种实施方式，在校准过程中，基于对准的测量方法的使用。该工序也被用于教导站中心。在一种实施方式中，通过使用斜面分析软件(BAS)分析刻蚀率的结果，微调站位置的最终对准。这种使用蚀刻晶片设立晶片处理的技术叫做基于计量的对准(MBA)。

图9A描述的是一种实施方式中，校准过程中的微调工序。用动态对准III居中法将晶片放置在PM里，接着捡晶片，并且使用动态对准III法，用同一的或者不同的手测得偏移量。下面根据图11C的说明，对实施动态对准III法的一种实施方式进行描述。实施这一工序有两个目标。第一个目标是相对于基准手放置居中晶片的地点，确定非基准手放置居中晶片的位置。第二个目标是居中以后，在缩的过程中，测量晶片的位置。每次捡放机箱就产生一组值，计算也称为“中值”的组值的代表值，以改变非基准放置的位置，以及偏移表中的缩回值。该办法中，两手将晶片放在同一个区域，并且测量居中晶片作为无偏移。已知基准手使用伸值将晶片放置在正确的位置，现在来评估放和捡的影响，这产生一个从理想的零值开始变化的缩值。

小的不确定性和误差可能导致最初的测量值、机器人补偿值和报告偏移量之间的差异。报告偏移量以组的形式聚集成类，这依赖于用哪一个刀片放/捡晶片。使用这些组的分布来微调校准过的值是可能的。

在一种实施方式中，用动态对准III法，通过使用所有的放/捡组合的伸修正值和缩报道值，晶片循环通过所有的站。下面的工序在每个站都实施：

1.组AA：用基准刀片放，并且用基准刀片捡。

2.组AB：用基准刀片放，并且用非基准刀片捡。

3.组BB：用非基准刀片放，并且用非基准刀片捡。

4.组BA：用非基准刀片放，并且用基准刀片捡。

5.重复5-20次，或者重复用户设置的另一个值，并且计算每组数的平均值，即组[刀片-刀片](RO，TO)_平均

下面的变化适用于微调后的偏移表以及机器人站值：参见计算向量代表值的图9B。

1.计算基准刀片的新偏移表缩值：

基准刀片新偏移表缩值，(NrR，NrT)_基准手＝

现偏移表缩值(CrR，CrT)_基准手+

组Ref-Ref(RO，TO)_平均

2.计算非基准刀片的新站值：

新站值非基准手(R_F，T_F)_非基准手＝

现站值(R₀，T₀)_非基准手-

组Nonref-Ref(RO，TO)_平均+

组Ref-Ref(RO，TO)_平均

3.计算非基准刀片偏移表缩值：

新偏移表缩值(NrR，NrT)_非基准手＝

现偏移表缩值(CrR，CrT)_非基准手+

组Nonref-Nonref(RO，TO)_平均

4.根据最优化所需，重复1-3。

图10所示是微调工序结果的样本分布。每组值的分布通过两条轴显示，即R_偏移轴和T_偏移轴。

图11A-11D所示是获得补偿值并在制造过程中使用这些值的工艺流程。图11A为使用受控的系列晶片运动，实现在半导体制造设备中，晶片位置可重复性的最优化的工艺流程。在工序902里，执行初级站校准工序，教机器人明白每个站的位置，站连接到用于半导体制造的VTM的面，如同前面根据图2所描述的。接着，在工序904中，校准系统以获得补偿参数，补偿参数把放置晶片的站、每个面上的传感器位置以及因为一只机械手的伸和缩工序的偏差和不同机械手之间的差异而导致的偏移量考虑在内。工序904的结果用于工序906，以便在制造过程中，通过利用补偿参数，将晶片放在站里。

图11B根据图11A更详细描述了校准系统的工序904。在工序910里，访问有每个面标称传感器位置的表。接着是工序912，其中确定一个站作为基准站、并确定基准手和基准方向。在工序914中，从基准站捡起一块位置放置正确的晶片。在一种实施方式中，通过使用对准器，将晶片放置在正确位置。

在工序916中，将先前捡起的晶片运送通过站的不同面，并且当机器人用一只手将晶片传送进出站时，测量伸和缩的偏移量。工序918创设了一个偏移表，以补偿测得的伸和缩偏移量和标称传感器位置间的差异。该工序的一种实施方式已经在前文根据图5和6描述了。在工序920中，通过执行一个站值最优化步骤对机器人值进行调整，其中站值最优化步骤根据所计算的偏移表值进行了调整。在工序922里，通过从反复放和捡晶片获得数据，进而对偏移表进行微调。

图11C根据图11A对工序906进行了更详细的描述，在制造时，通过使用补偿参数，将晶片放在站里。在工序930中，将晶片传送通过传感器后，使用动态对准计算法测量晶片的中心。在一种实施方式中，当向站放晶片时，测量合适的面和方向的偏移量(测得的RO，TO)。在工序932中，使用偏移表(站，伸方向，手)中的合适的值计算相对于校准的站中心晶片中心的位置，该值被称为DAIII偏移量，即(DAIII RO，TO)。DAIII偏移量用于计算补偿偏移量，即(补偿RO，TO)，(补偿RO，TO)是测得的晶片中心和偏移表值之间的差。

(DAIII RO，TO)＝(测得的RO，TO)-

(偏移表Ce/rR，Ce/rT)_{站，手，方向}＝-(补偿RO，TO)

在工序934中，补偿偏移量用于执行“放”指令的过程中。在一种实施方式中，缩偏移量图示在动态对准图上。通过增加补偿和表列矢量，获得测得的矢量等式。

图11D描述了从站捡晶片时测量晶片位置的工艺。在图1中的工序906后的工序940中，从一个站捡晶片，并且用动态对准法测量DAIII偏移量。在一种实施方式中，该值图示在动态对准图中。在工序942中，从偏移表(站，缩方向，手)中选取的合适的值用于计算相对于站中心晶片中心的位置。图12图示描述了，根据在图11D中描述的方法，动态对准III的使用。

(DAIII RO，TO)＝(测得的RO，TO)-

(偏移表Ce/rR，Ce/rT)_{站，手，方向}

补偿偏移(r，t)用于将晶片放到校准的站中心。DAIII偏移(r，t)是相对于站中心(r，t)晶片的报告位置。

本发明的实施方式可以通过各种计算机系统配置实施，其中系统配置包括手持设备、微处理系统、微处理基或者程控消费电器、微型计算机、中央处理计算机以及类似配置。本发明也可以在计算机分散的环境下实施，通过遥控处理设备执行任务，其中遥控处理设备与有线或者无线网络相连。

基于上面的实施方式，可以理解本发明能够用于各种装载计算机的工序，该工序涉及到储存在计算机系统里的数据的处理。这些工序就是那些需要对物理量进行物理处理的工序。

此文所描述的作为本发明的组成部分的任何工序是有用的机器工序，本发明也涉及执行这些工序的仪器或者设备。该设备能根据所要求的目的而专门制造，或者，该设备可能是通用的计算机，能选择性地被储藏在计算机里的计算机程序激活或者设定。特别是，安装根据本发明的教导编写的计算机程序，就能够使用各种各样的通用机器，或者，能制造更专业的设备，使执行所要求的工序变得更方便。

尽管本方法工序以一定的先后顺序进行了描述，但应当理解，在各工序之间，可以实施一些辅助工序，或者，可以调整工序，以便在稍微不同的时间里执行工序，或者，可以在一个系统里分布工序，该系统允许在各种与加工相关的间隔里执行加工工序，只要是以一种理想的方式执行重叠工序的加工过程。

尽管为便于清晰理解的目的，前述发明已经被详细描述了，但在从属权利要求保护的范围里，可以进行某些变化或者调整，这一点是清楚的。因此，这些实施方式被认为是例示说明性质的，而不是限制性质的，并且本发明不受本文所给细节的限制，可以在从属权利要求的范围里或者等同的情况下进行调整。

Claims (23)

1.一种使用受控的系列晶片运动来优化半导体制造设备中晶片位置可重复性的方法，该方法包括：

(a)执行初级站校准以教导机器人各站的位置，该各站与半导体制造中所用真空传输模块的各面相连接；

(b)校准系统以获取补偿参数，这些参数把待放置晶片的站、各面中传感器的位置及源于执行一只机械手伸和缩工序的偏移考虑在内；并且

(c)在制造过程中，通过使用补偿参数将晶片放在站里。

2.根据权利要求1所述的方法，其中工序(a)和(b)由被确定作为机器人基准手的第一手执行，该方法还包括用机器人的第二手执行工序(a)和(b)。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括，

在用该第一手执行工序(a)以后，并且在用该第二手执行工序(a)以前，将该捡起的晶片放下一次以切换手，该放下以降低的速度进行，以减少晶片移动的影响，并且

在用该第一手执行工序(b)以后，并在用该第二手执行工序(b)以前，将该捡起的晶片放下一次，以切换手。

4.根据权利要求2所述的方法，其中工序(b)还包括：

(i)访问有每个面上标称传感器位置的表；

(ii)确定基准站、基准传输方向和基准机械手；

(iii)在基准站捡起已知是正确放置的晶片；

(iv)将该捡起的晶片运送通过多个面，并且在机器人用每一只手运送晶片进出站时，测量伸和缩的偏移量；

(v)创设偏移表，以补偿由于伸和缩方向的差异而导致的重复的测量误差，以及由于使用标称传感器位置而导致的误差；并且

(vi)调整每一站的机器人值。

5.根据权利要求4所述的方法，其中该偏移表的行列中包括，

用于所用站和手的组合的识别器，

与伸的工序相联系的一对值，该对值包括一个半径和一个角，以及

与缩的工序相联系的一对值。

6.根据权利要求5所述的方法，其中工序(b)还包括：

(vii)使用基于计量的对准精确调整该站位置；以及

(viii)反复放和捡该晶片，以获取数据，再据此微调偏移表值和每个站的机器人值。

7.根据权利要求6所述的方法，其中(viii)微调偏移表值还包括，

对于用一只手放晶片，接着用相同的或者不同的手捡拾该晶片执行不同组合的多次测量，

从每一组合的多次测量中得到一组值，以及

计算与每一组合相联系的每一组值的代表值，以调整第二手放置位置和该偏移表中的缩值。

8.根据权利要求5所述的方法，其中工序(c)还包括，

在将该晶片运送通过站传感器后，使用动态对准法测量晶片的中心；

计算补偿偏移量，作为测得的晶片中心与偏移表值之间的差距，以及

在晶片放置过程中，通过调整补偿偏移量而将晶片居中放置。

9.根据权利要求5所述的方法，还包括

(d)从一个站捡该晶片时，测量晶片位置，该测量晶片位置包括，

(i)从一个站捡该晶片，并且使用动态对准法测量该晶片中心，以及

(ii)使用偏移表值，计算相对于该站的中心晶片中心的位置。

10.根据权利要求5所述的方法，其中有标称传感器位置的表的行列中包括，

站识别，

传感器识别，

半径值，和

角值。

11.根据权利要求1所述的方法，其中(a)还包括，

使用动态对准法教导机器人每个站的位置。

12.一种使用可控的系列晶片运动优化半导体制造设备中晶片位置可重复性的方法，该方法包括：

(a)进行初级站校准，以教导机器人每个站的位置，该每个站与用于半导体制造的VTM的多个面连接；

(b)校准系统，该校准包括，

(i)访问有每个面的标称传感器位置的表；

(ii)确定基准站、基准传输方向和基准机械手；

(iii)在该基准站捡已知放置正确的晶片；

(iv)将该捡起的晶片输送通过多个面，并在该机器人用每只手输送晶片进出多个站时，测量伸和缩的偏移量；

(v)创设偏移表，以补偿由于伸和缩方向的差异而导致的重复的测量误差，以及由于使用标称传感器位置而导致的误差；以及

(vi)调整每个站的机器人值；以及

(c)在制造过程中，通过使用校准结果将晶片放在站里。

13.根据权利要求12所述的方法，其中工序(a)和(b)由被确定作为机器人基准手的第一手执行，该方法还包括用该机器人的第二手执行工序(a)和(b)。

14.根据权利要求12所述的方法，其中工序(b)还包括，

(vii)用基于计量的对准精确调整该站位置。

15.根据权利要求12所述的方法，其中工序(b)还包括，

(viii)反复放和捡该晶片以获取数据，进而微调偏移表值和每一站的机器人位置。

16.根据权利要求12所述的方法，其中，在工序(b)中，该晶片被校准固定装置放回。

17.一种使用受控的系列晶片运动优化半导体制造设备中晶片位置的可重复性的方法，该方法包括：

(a)执行初级站校准工序，以教导机器人每一站的位置，该每一站与用于半导体制造的VTM的多个面连接；

(b)校准系统，该校准包括，

(i)访问有每个面的标称传感器位置的表；

(ii)将该些站中的一个确定作为基准站；

(iii)在基准站捡已知放置正确的晶片；

(iv)将该捡起的晶片输送通过多个面，并在机器人输送晶片进出多个站时，测量伸和缩的偏移量；

(v)创设偏移表以补偿由于伸和缩方向的差异而导致的重复的测量误差，以及由于使用标称传感器位置而导致的误差；

(vi)调整每个站的机器人值；

(vii)用基于计量的对准再微调该站位置；并且

(viii)反复放和捡该晶片以获取数据，进而微调偏移表值和每一站的机器人位置；以及

(c)在制造过程中，使用校准结果将晶片放在站里。

18.根据权利要求17所述的方法，

其中(iv)中运送捡起的晶片通过每个面被重复多次，并且

其中，根据平均(iv)中运送捡起的晶片多次的结果，(v)中的该创设偏移表得以执行。

19.根据权利要求17所述的方法，其中，在(iii)中是通过使用对准器将该晶片居中放置在该基准站，从而使该晶片放置正确。

20.根据权利要求17所述的方法，其中，在(b)中的每一道工序的开始，该机器人的垂直速度就下降了。

21.根据权利要求17所述的方法，其中，工序(a)和(b)用被确定作为该机器人基准手的第一手执行，该方法还包括用该机器人的第二手执行工序(a)和(b)。

22.根据权利要求21所述的方法，其中工序(viii)还包括，

对于用一只手放晶片，接着用相同的或者不同的手捡拾该晶片执行不同组合的多次测量，

从每一组合的多次测量中得到一组值，以及

计算与每个组合相联系的每一组值的代表值，以调整第二手放置位置和该偏移表中的缩值。

23.一种使用受控的系列晶片运动优化半导体制造设备中晶片位置可重复性的系统，包括：

用于半导体制造中的真空传输模块(VTM)；

该VTM中的机器人；

与该VTM的多个面连接的多个站；

每个面的多个传感器；

带处理器的计算机仪器；

显示晶片运动结果的显示器；和

存储器，该存储器包括，

晶片位置程序，

有每个面上标称传感器位置的表，

偏移表，和

站位置微调值；

其中，该处理器执行该晶片位置程序所产生的程序指令促使该信息处理器

(a)执行初级站校准，教导机器人每站的位置，

(b)校准该系统，其促使该处理器

(i)访问该有标称传感器位置的表；

(ii)将该些站中的一个确定作为基准站；

(iii)在该基准站捡一块已知放置正确的晶片；

(iv)将该捡起的晶片运送通过多个面，并且测量机器人运送该晶片进出站时的伸和缩的偏移量；

(v)创设偏移表，以补偿因伸和缩方向之间的差异而导致的重复的测量误差，以及因为使用标称传感器位置而导致的误差；

(vi)调整每一站的机器人值；

(vii)使用基于对准的计量精确调整站位置；以及

(viii)反复放和捡该晶片以获取数据，进而微调偏移表值和每一站的机器人位置；以及

(c)在制造时，使用校准结果将晶片放在站里。

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