CN102007195B - 荧光体 - Google Patents

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Abstract

提供可以表现更高发射亮度的荧光体。其中活化剂被包含在由式xM1O·M2O·yM3O2(M1表示选自由Ca、Sr和Ba组成的组中的一种或多种元素，M2表示Mg和/或Zn，M3表示Si和/或Ge，x是在4至6的范围内的值，并且y是在2至4的范围内的值)表示的化合物中的荧光体。由式M1 5(1-z)EuzM2M3 3O12(其中M1、M2和M3具有与上述相同的含义，并且z是在0.0001至0.3的范围内的值)表示的荧光体。上述荧光体具有与白硅钙石相同的晶体结构。

Description

荧光体
技术领域
本发明涉及一种荧光体。
背景技术
荧光体用于发光器件。所述发光器件包括真空紫外线-激发的发光器件(例如，等离子体显示面板、稀有气体灯等)，其中用于荧光体的激发源是真空紫外线，而荧光体由上述激发源等的辐照而产生激发能从而发射光。
作为常规荧光体，非专利文献1公开了一种荧光体，其中作为活化剂的Eu被包含在由CaMgSi2O6表示的化合物中。
非专利文献1：Takashi Kunimoto的″用于真空紫外线激发的发蓝光Eu-活化的CaMgSi2O6荧光体(Blue light emitting Eu-activated CaMgSi2O6Phosphor for vacuum ultraviolet ray excitation)″，2000年会议论文集(Proceedings of 2000)，电子信息与通信工程师学会(the Institute ofElectronics Information and Communication Engineers(IEICE))，大会演讲论文集2(Society Conference Speech Articles 2)，第46页，2000年9月7日。
发明内容
本发明要解决的问题
上述荧光体没有足够的亮度，并且仍然存在改善的空间。本发明的目的在于提供可以表现出更高光发射亮度的荧光体。
用于解决问题的手段
本发明人为了解决上述问题而致力于研究，并且因而完成了本发明。
即，本发明人提供了下面的发明：
<1>一种荧光体，所述荧光体包括：
由式xM1O·M2O·yM3O2表示的化合物，其中M1表示选自由Ca、Sr和Ba组成的组中的一种或多种元素，M2表示Mg和/或Zn，M3表示Si和/或Ge，x是在4至6的范围内的值，并且y是在2至4的范围内的值；以及包含在所述化合物中的活化剂。
<2>一种荧光体，所述荧光体包含：
由式M1 5M2M3 3O12表示的化合物，其中M1、M2和M3具有与上述相同的含义，以及
包含在所述化合物中的活化剂。
<3>根据上述<1>或<2>所述的荧光体，其中所述活化剂是Eu。
<4>一种由式M1 5(1-z)EuzM2M3 3O12表示的荧光体，其中M1、M2和M3具有与上述相同的含义，并且z是在0.0001至0.3的范围内的值。
<5>根据上述<1>至<4>中任一项所述的荧光体，所述荧光体具有与白硅钙石的晶体结构相同类型的晶体结构。
<6>一种荧光体膏，所述荧光体膏具有根据上述<1>至<5>中任一项所述的荧光体。
<7>一种荧光体层，所述荧光体层是通过将根据上述<6>的荧光体膏涂布在基底上，之后将其热处理而获得的。
<8>一种发光器件，所述发光器件具有根据上述<1>至<5>中任一项所述的荧光体。
本发明的优点
本发明的荧光体可以表现出更高的发光亮度，并且特别优选用于其中荧光体用激发源是真空紫外射线的真空紫外线-激发发光器件，以及用于其中荧光体用激发源是近紫外线(例如，由紫外至蓝光LED发射的紫外光至蓝光)的近-紫外线-激发发光器件(例如，白光LED等)。而且，可以有效率地用于发光器件，比如其中荧光体用激发源是电子射线的电子射线-激发发光器件(例如，CRT、场发射显示器、表面电场显示器等)，其中荧光体用激发源是紫外线的紫外线-激发发光器件(例如，用于液晶显示器的背光、三波段荧光灯、高负荷荧光灯等)以及其中荧光体用激发源是X-射线的发光器件(X-射线装置等)，以及类似的发光器件。因此，本发明在工业上是非常有用的。
附图简述
[图1]荧光体1、荧光体2和荧光体3中的发射光谱。(横坐标轴表示发射光的波长，而纵坐标轴表示光照强度(相对值)，并且各个荧光体的最大光照强度被标准化为1)。
[图2]荧光体1、荧光体2和荧光体3中的粉末X-射线衍射图。
实施本发明的最佳方式
如下解释本发明。
本发明的荧光体的特征在于：通过包含在化合物中含有的活化剂而形成，所述化合物由式xM1O·M2O·yM3O2表示，其中M1表示选自由Ca、Sr和Ba组成的组中的一种或多种元素，M2表示Mg和/或Zn，M3表示Si和/或Ge，x是在4至6的范围内的值，优选为4.8至5.2，并且y是在2至4，优选2.8至3.2的范围内的值。
而且，本发明的荧光体通过包含在化合物中含有的活化剂而形成，所述化合物由式M1 5M2M3 3O12，其中M1、M2和M3具有与上述相同的含义。
在上述描述中，“通过包含在化合物中含有的活化剂而形成”是指：通过将构成所述化合物的选自M1、M2和M3中的一种或多种元素的一部分用活化剂取代而形成。如上所述，在本发明中，活化剂被包含在所述化合物中，由此而形成荧光体。此外，在本发明的荧光体中，优选的是，构成所述化合物的M1的一部分被活化剂取代。
在本发明中，活化剂可以选自稀土元素和过渡金属元素的组，并且作为活化剂的元素可以从它们中选择。从进一步提高发光亮度考虑，它们中，活化剂优选由选自Eu、Tb、Ce和Mn中的一种或多种元素构成，并且更优选由Eu构成。此外，当活化剂由选自Eu、Tb、Ce和Mn的一种或多种元素构成时，这些元素的一部分可以被选自由Al、Y、La、Gd、Pr、Nd、Sm、Dy、Ho、Er和Bi组成的组中的一种或多种元素取代(共活化)。
而且，本发明的荧光体由式M1 5(1-z)EuzM2M3 3O12表示，其中M1、M2和M3具有与上述相同的含义，并且z是在0.0001至0.3的范围的值，优选为0.01至0.1。在荧光体中，活化剂是Eu。
在本发明中，M1表示选自由Ca、Sr和Ba构成的组中的一种或多种元素，并且优选至少含有Ca。
在本发明中，M2表示Mg和/或Zn。从使用原料的容易性考虑，优选是Mg。
在本发明中，M3表示Si和/或Ge。从原料的易获得性考虑，优选是Si。
此外，优选地，本发明的荧光体具有与白硅钙石的晶体结构相同类型的晶体结构，因而变成能够表现出还更高的发光亮度。
接着，解释制备本发明的荧光体的方法。本发明的荧光体可以通过烧制金属化合物混合物而制备，所述金属化合物混合物具有可以通过烧制而变为本发明的荧光体的组成。具体地，它可以通过如下制备：称量各个含有对应金属元素(M1、M2、M3和活化剂)的化合物以得到所需组成、将它们混合、然后将所得金属化合物混合物烧制。
作为上述的含有对应金属元素的化合物，可以使用，例如氧化物，或可以通过在高温分解和/或氧化而变为氧化物的化合物，比如氢氧化物、碳酸盐、硝酸盐、卤化物、草酸盐、磷酸盐等。
通过使用合适量的卤化物比如复合物或氯化物作为上述含有金属元素的化合物，可以控制所得荧光体的结晶性以及构成荧光体的粒子的平均粒度。在这种情况下，卤化物有时候起着反应加速剂(熔剂)的作用。熔剂包括例如卤化物，比如MgF2、CaF2、SrF2、BaF2、MgCl2、CaCl2、SrCl2、BaCl2、MgI2、CaI2、SrI2、BaI2等；铵盐，比如NH4Cl、NH4I等；以及硼化合物，比如B2O3、H3BO3等。这些可以被用作用于金属化合物混合物的起始材料，或通过将它们以合适量添加到金属化合物混合物中而使用。
例如，Ba∶Mg∶Si∶Eu的摩尔比为4.99∶1∶3∶0.01的荧光体，是在本发明中优选的荧光体之一，它可以通过称量BaCO3、MgO、SiO2和Eu2O3以产生4.99∶1∶3∶0.01的Ba∶Mg∶Si∶Eu的摩尔比、混合它们并且将所得金属化合物混合物烧制而制备。
对于上述混合，可以使用工业上通常使用的装置，例如，球磨机、V-型混合机、搅拌器等。此外，可以使用湿法混合或干法混合。而且，它可以通过结晶步骤进行。
本发明的荧光体可以通过将上述金属化合物混合物在例如600℃至1600℃的温度范围内并且在0.3小时至100小时的时间范围保持并且烧制而获得，这取决于其组成。上述在烧制时的保持温度优选为1100℃至1400℃。
在烧制时的气氛包括例如惰性气体气氛，比如氮气、氩气等；氧化气氛，比如空气、氧气、含氧的氮气，含氧的氩气等；还原气氛，比如含0.1至10体积％的氢的氮气、含0.1至10体积％的氢的氩气等。此外，当使用更强的还原气氛进行烧制时，例如，可以自由地使用将合适量的碳结合在金属化合物混合物中并且烧制所得混合物的技术。
而且，能够将金属化合物混合物保持在低于烧制时的保持温度的温度，并且进行煅烧，由此产生对应的氧化物或在上述烧制之前移除结晶水，之后进行上述烧制。煅烧可以在惰性气体气氛、氧化气氛或还原气氛中的任何一种气氛中进行。此外，研磨可以在煅烧之后进行。而且，在煅烧时的气氛可以是氧化气氛比如空气或还原气氛。
此外，通过上述工艺获得的荧光体可以使用例如球磨机、喷射磨机等进行研磨。而且，可以进行洗涤和分级。而且，可以将研磨和烧制进行两次或更多次。此外，荧光体的粒子表面可以进行表面处理比如使用表面改性材料进行涂布。表面改性材料包括含Si、Al、Ti、La、Y等的无机物质。
如上所述获得的本发明的荧光体可以表现出更高的发光亮度，并且优选用于发光器件，尤其是用于真空紫外线-激发发光器件，以及用于近紫外线-激发发光器件。
接着，解释本发明的具有所述荧光体的荧光体膏。
本发明的荧光体膏含有本发明的荧光体和有机物质作为主要组分。有机物质包括溶剂、粘结剂等。本发明的荧光体膏可以类似于在常规发光器件的制备中使用的荧光体膏使用。即，在荧光体膏中的有机物质可以通过挥发、燃烧、分解等经由热处理而移除，从而获得基本上由本发明的荧光体构成的荧光体层。
本发明的荧光体膏可以通过如公开在例如，JP-A-10-255671中的公知方法制备，例如，可以通过使用球磨机、三辊磨机等将本发明的荧光体、粘结剂和溶剂混合而获得。此外，本发明的荧光体膏可以含有除本发明的荧光体之外的荧光体。
上述的粘结剂包括纤维素树脂(乙基纤维素、甲基纤维素、硝化纤维素、乙酰纤维素、丙酸纤维素、羟丙基纤维素、丁基纤维素、苄基纤维素、改性纤维素等)、丙烯酸类树脂(至少一种单体的聚合物，所述单体比如是丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸丙酯、丙烯酸异丙酯、甲基丙烯酸异丙酯、丙烯酸正丁酯、甲基丙烯酸正丁酯、丙烯酸叔丁酯、甲基丙烯酸正丁酯、丙烯酸2-羟基乙酯、甲基丙烯酸2-羟基乙酯、丙烯酸2-羟基丙酯、甲基丙烯酸2-羟基丙酯、丙烯酸苄酯、甲基丙烯酸苄酯、苯氧基丙烯酸酯、苯氧基甲基丙烯酸酯、丙烯酸异冰片基酯、甲基丙烯酸异冰片基酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、苯乙烯、α-甲基苯乙烯、丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺、丙烯腈、甲基丙烯腈等)、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物树脂、聚乙烯醇缩丁醛、聚乙烯醇、聚丙二醇、聚环氧乙烷、氨基甲酸酯树脂、三聚氰胺树脂、酚树脂等)。
此外，上述溶剂包括例如具有高沸点的一元醇；多元醇，比如由乙二醇和甘油为代表的二醇和三元醇；其中醇被醚化和/或酯化的化合物(乙二醇单烷基醚、乙二醇二烷基醚、乙二醇烷基醚乙酸酯、二甘醇单烷基醚乙酸酯、二甘醇二烷基醚、丙二醇单烷基醚、丙二醇二烷基醚、丙二醇烷基醚乙酸酯)；等。
通过将上述获得的荧光体膏涂布在基底上，然后将其热处理而获得的荧光体层也具有类似于荧光体的高的发光强度。基底的材料可以是玻璃基底、树脂膜等，并且基底的形状可以是板的状态，或容器的状态，或可以是挠性的。此外，用于涂布的方法包括丝网印刷法、喷墨法等。此外，用于热处理的温度通常是300℃至600℃。而且，在基底上涂布之后进行热处理之前，可以在室温至300℃的温度进行干燥。
此外，本发明的发光器件具有上述荧光体。发光器件通常具有荧光体以及其激发源，以及必要时，具有另一种荧光体。至于另一种荧光体，发射红光的荧光体包括三价铕-活化的氧化钇荧光体(Y2O3:Eu)、三价铕-活化的氧硫化钇荧光体(Y2O2S:Eu)等；发射绿光的荧光体包括铈，铽-活化的磷酸镧(LaPO4:Ce，Tb)、铽-活化的铈·铽·镁·铝荧光体((Ce，Tb)MgAl11O19:Tb)、锰-活化的硅酸锌荧光体(Zn2SiO4:Mn)等；以及发射蓝光的荧光体包括铕-活化的磷酸锶荧光体(Sr5(PO4)3Cl:Eu)、铕-活化的锶·钡·钙磷酸盐荧光体((Sr，Ca，Ba)5(PO4)3Cl:Eu)、铕-活化的钡·镁·铝荧光体(BaMg2Al16O27:Eu、BaMgAl10O17:Eu等)、硅酸盐荧光体((Sr，Ca，Ba)MgSi2O6:Eu、(Sr，Ca，Ba)3MgSi2O8:Eu等)等。
本文中，作为具有本发明的荧光体的发光器件的一个实例，提及一种三波段荧光灯，它是一种紫外线-激发的发光器件，以及解释一种其制备方法。作为三波段荧光灯的制备方法，可以使用如在例如JP-A-2004-2569中公开的公知方法。即，将发射三波段光的荧光体分散在例如聚环氧乙烷水溶液等中以制备荧光体膏，在所述三波段光的荧光体中，将发射蓝光的荧光体、发射绿光的荧光体和发射红光的荧光体适当混合以发射所需白光。将这种荧光体膏涂布在玻璃泡的内表面上，然后在例如400℃至900℃的温度进行烘焙，从而形成荧光膜。之后，可以通过通常的步骤比如将灯把(stem)与玻璃泡末端密封、将泡内的空气抽空、填充水银和稀有气体、切割和密封空气释放管、组装基底等，制备三波段荧光灯。
接着，参考等离子体显示器面板，解释本发明的用于制备具有荧光体的发光器件的方法，所述等离子体显示器面板是一种真空紫外线-激发发光器件。作为制备等离子体显示器面板的方法，可以使用如在例如JP-A-10-195428中公开的公知方法。即，将各个由发射绿光的荧光体、发射红光的荧光体和发射蓝光的荧光体构成的荧光体与由例如纤维素树脂和/或聚乙烯醇和溶剂构成的粘结剂混合，以制备荧光体膏。通过诸如丝网印刷之类的方法将荧光体膏涂布在带条纹的基底表面上，所述带条纹的基底表面是用分隔壁划分的并且被提供有寻址电极，以及涂布在分隔壁的表面上，在背表面基底的内表面上，并且在300至600℃的温度范围热处理以获得各个荧光体层。其上叠加前面(front face)玻璃基底，这种前面玻璃基底与透明电极和总线电极(bus electrode)一起安装在与荧光体层正交的方向上，并且在内表面上提供有介电层和保护层，并且将它们彼此粘合。等离子体显示器面板可以通过抽空其内部的空气、在低压下在其内填充稀有气体比如Xe或Ne以及形成放电空间而制备。
其次，作为本发明的具有所述荧光体的发光器件的一个实例，提及一种场发射显示器，所述场发射显示器是一种电子射线-激发发光器件，并且解释其制备的方法。作为制备场发射显示器的方法，可以使用如在例如JP-A-2002-138279中公开的公知方法。即，将由发射绿光的荧光体、发射红光的荧光体和发射蓝光的荧光体构成的各个荧光体分别分散在例如聚乙烯醇水溶液等中，以制备荧光体膏。将该荧光体膏涂布在玻璃基底上，然后进行热处理，由此获得荧光体层，该荧光体层被用作面板。通过通常的步骤比如将面板与具有很多电子发射器件以及支撑框架的背板结合，并且立即气密密封它们中的空隙，同时从空隙中抽空空气等而制备。
接着，参考白光LED，解释本发明的制备具有所述荧光体的发光器件的方法，所述白光LED是一种近紫外线-激发发光器件。作为用于制备白光LED的方法，可以使用如在例如JP-A-5-152609和JP-A-7-99345中公开的公知方法。即，通过将至少含有本发明的荧光体的荧光体分散在半透明树脂比如环氧树脂、聚碳酸酯、硅氧橡胶等中并且模制其中分散有荧光体的该树脂以包围蓝光LED或紫外光LED，可以制备白光LED。此外，当本发明的荧光体是发射蓝光的荧光体时，可以将公知的发射红光的荧光体和发射绿光的荧光体与本发明的发射蓝光的荧光体一起分散在树脂中。发射红光的荧光体包括(Y，La，Gd，Lu)2O2S:Eu，而发射绿光的荧光体包括BaMgAl10O17:Eu，Mn。
而且，白光LED可以在不将荧光体分散在半透明树脂中的情况下制备。即，白光LED还可以通过模制不含荧光体的半透明树脂以包围近-紫外光LED以及在其表面上形成荧光体层而制备。关于这一点，荧光体层的表面可以用另外的半透明树脂覆盖。荧光体层可以通过将上述荧光体膏涂布在半透明树脂的表面上而形成。
实施例
接着，通过实施例更详细地解释本发明，但是本发明不应当由这些实施例限制。
由紫外线激发的光发射亮度的测量通过使用荧光分光光度计(FP6500，由JASCO Corporation制造)，将在气氛中对荧光体辐射近紫外线(400nm)而进行。
由真空紫外线激发的光发射亮度的测量通过如下进行：将荧光体放置在真空室中，将其保持在不大于6.7Pa(5x10-2托)的真空中，以及使用受激准分子146nm灯(H0012型，由USHIO INC.制造)或受激准分子172nm灯(H0016型，由USHIO INC.制造)对荧光体辐照真空紫外线。此外，对于亮度测量，使用辐射分光计(SR-3，由TOPCON CORPORATION制造)。
使用CuKα的特征X-射线，通过粉末X-射线衍射仪测量荧光体的粉末X-射线衍射图案。作为其测量装置，使用由Rigaku Corporation制造的RINT2500TTR型X-射线衍射测量装置。
比较例1
将和光纯药工业(株)(Wako Pure Chemical Industries，Ltd.)生产的碳酸钙CaCO3、由信越化学工业(株)(Shin-Etsu Chemical Co.，Ltd.)生产的氧化铕Eu2O3、由和光纯药工业(株)生产的碱式碳酸镁(MgCO3)4Mg(OH)2·5H2O以及由和光纯药工业(株)生产的二氧化硅SiO2用作原料进行配制和混合，以产生0.95∶0.05∶1∶2的Ca∶Eu∶Mg∶Si摩尔比，由此获得金属化合物混合物，之后将其在1200℃的温度，在含2体积％的H2的Ar气氛中，进行烧制2小时。这样，获得由式Ca0.95Eu0.05MgSi2O6表示的荧光体。当用400nm的近紫外线辐照在所得荧光体上时，发射蓝光并且其亮度显示为100。(关于这一点，采用由荧光分光光度计表示的Y值作为亮度)。而且，通过146nm灯的真空紫外线辐照在此荧光体上时，发射蓝光，并且显示12cd/m2的亮度。而且，当通过172nm灯的真空紫外线辐照在此荧光体上时，发射蓝光，并且显示5cd/m2的亮度。
实施例1
将和光纯药工业(株)生产的碳酸钙CaCO3、由信越化学工业(株)生产的氧化铕Eu2O3、由和光纯药工业(株)生产的碱式碳酸镁(MgCO3)4Mg(OH)2·5H2O以及由和光纯药工业(株)生产二氧化硅SiO2用作原料进行配制和混合，以产生4.95∶0.05∶1∶3的Ca∶Eu∶Mg∶Si摩尔比，由此获得金属化合物混合物，之后将其在1300℃的温度，在含2体积％的H2的Ar气氛中，进行烧制2小时。这样，获得由式Ca4.95Eu0.05MgSi3O12表示的荧光体1。当用400nm的近紫外线辐照在所得荧光体1上时，发射绿光并且其亮度相比于比较例1中显示为100的亮度为473。此时得到的发射光谱显示在图1中。而且，当通过146nm灯的真空紫外线辐照在该荧光体1上时，发射绿光，并且显示62cd/m2的亮度。而且，当通过172nm灯的真空紫外线辐照在此荧光体1上时，发射绿光，并且显示102cd/m2的亮度。而且，当荧光体1的晶体结构通过进行粉末X-射线衍射测量来检查(结果显示在图2中)时，发现荧光体1具有与白硅钙石相同类型的晶体结构。
实施例2
将和光纯药工业(株)生产的碳酸钙CaCO3、和光纯药工业(株)生产的SrCO3、由信越化学工业(株)生产的氧化铕Eu2O3、由和光纯药工业(株)生产的碱式碳酸镁(MgCO3)4Mg(OH)2·5H2O以及由和光纯药工业(株)生产二氧化硅SiO2用作原料进行配制和混合，以产生4.45∶0.5∶0.05∶1∶3的Ca∶Sr∶Eu∶Mg∶Si摩尔比，由此获得金属化合物混合物，之后将其在1300℃的温度，在含2体积％的H2的Ar气氛中，进行烧制2小时。这样，获得由式Ca4.45Sr0.5Eu0.05MgSi3O12表示的荧光体2。当用400nm的近紫外线辐照在所得荧光体2上时，发射绿光并且显示66cd/m2的亮度。相比于比较例1显示为100的亮度，该亮度为440。此时得到的发射光谱显示在图1中。而且，当通过146nm灯的真空紫外线辐照在此荧光体2上时，发射绿光，并且显示55cd/m2的亮度。而且，当通过172nm灯的真空紫外线辐照在此荧光体2上时，发射绿光，并且显示91cd/m2的亮度。而且，当荧光体2的晶体结构通过进行粉末X-射线衍射测量来检查(结果显示在图2中)时，发现荧光体2具有与白硅钙石相同类型的晶体结构。
实施例3
将和光纯药工业(株)生产的碳酸钙CaCO3、和光纯药工业(株)生产的BaCO3、由信越化学工业(株)生产的氧化铕Eu2O3、由和光纯药工业(株)生产的碱式碳酸镁(MgCO3)4Mg(OH)2·5H2O以及由和光纯药工业(株)生产二氧化硅SiO2用作原料进行配制和混合，以产生4.45∶0.5∶0.05∶1∶3的Ca∶Ba∶Eu∶Mg∶Si摩尔比，之后将其在1300℃的温度，在含2体积％的H2的Ar气氛中，进行烧制2小时。这样，获得由式Ca4.45Ba0.5Eu0.05MgSi3O12表示的荧光体3。当用400nm的近紫外线辐照在所得荧光体3上时，发射蓝光并且其亮度相比于比较例1显示为100的亮度为220。此时得到的发射光谱显示在图1中。而且，当通过146nm灯的真空紫外线辐照在此荧光体3上时，发射蓝光，并且显示23cd/m2的亮度。而且，当通过172nm灯的真空紫外线辐照在此荧光体3上时，发射蓝光，并且显示50cd/m2的亮度。而且，当荧光体3的晶体结构通过进行粉末X-射线衍射测量来检查(结果显示在图2中)时，发现荧光体3具有与白硅钙石相同类型的晶体结构。

Claims (5)

1.一种由式M1 5-zEuzM2M3 3O12表示的荧光体，其中M1表示选自由Ca、Sr和Ba组成的组中的一种或多种元素，M2表示Mg和/或Zn，而M3表示Si和/或Ge，并且z是在0.0001至0.3的范围内的值。
2.根据权利要求1所述的荧光体，所述荧光体具有与白硅钙石的晶体结构相同类型的晶体结构。
3.一种荧光体膏，所述荧光体膏具有根据权利要求1或2所述的荧光体。
4.一种荧光体层，所述荧光体层是通过将根据权利要求3所述的荧光体膏涂布在基底上，之后将其热处理而获得的。
5.一种发光器件，所述发光器件具有根据权利要求1或2所述的荧光体。
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