CN101996857A - 制造半导体装置的系统及方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种制造半导体装置的系统及方法。该系统包括半导体生产机台。半导体生产机台可整合的输入/输出信号，以及测量生产机台的第一工艺参数的界面。该系统也包括无线传感器。无线传感器可拆卸地耦接生产机台。无线传感器测量生产机台的第二(额外)工艺参数。第二工艺参数不同于第一工艺参数。本发明能够满足能满足机台设备各层面的需求。

Description

制造半导体装置的系统及方法
技术领域
本发明涉及测量系统，特别涉及一种用于半导体制造的无线测量与诊断系统。
背景技术
半导体制造需要许多生产机台。这些生产机台有标准输入/输出(I/O)界面以及通信端口。这些标准I/O界面与通信端口典型地提供一般介接与沟通能力，并且仅允许特定型态的数据被收集。然而，在半导体制造过程，通常需要收集不只是标准I/O界面与通信端口所提供的数据。因此，许多重要制造参数很少被监测，导致生产机台或晶片的异常。此外，传统应用上已经使用有线传输方式的I/O界面与通信端口。假如使用者决定改变数据收集的标的或方法，使用有线传输方式电缆需要实体重新布线或重新耦接，因此增加劳动与材料成本以及降低工艺的有效性。
因此，虽然现有的半导体制造传感器通常已能满足机台设备基本需求，然而在就各层面还是无法完全满足。
发明内容
为克服上述现有技术的缺陷，本发明其中一种形式包含一种制造半导体装置的系统。系统包括具有测量该生产机台的一第一工艺参数的一整合界面；以及一无线传感器，可拆卸地耦接该生产机台，其中该传感器测量该生产机台的一第二(指额外)工艺参数，该第二工艺参数不同于该第一工艺参数。
本发明的另一种形式包含一种制造半导体装置的系统。该系统包括一半导体生产机台，具有收集自该生产机台的制造数据的一传感器；一第一无线收发器，耦接到该传感器，该第一无线收发器传输包括该制造数据的无线信号；一第二无线收发器，无线地与该第一无线收发器沟通并且接收来自该第一收发器的制造数据；以及一诊断装置，耦接到该第二收发器以及接收该制造数据，并且对应该制造数据实施分析。
本发明的另一形式包含制造半导体装置的方法。该方法包括使用该工艺工具的一整合界面测量一半导体工具的一第一半导体工艺参数；以及使用一无线传感器测量该生产机台的一第二(指额外)半导体工艺参数，该无线传感器可拆卸地耦接该生产机台，该第二(指额外)半导体工艺参数不同于该第一半导体工艺参数。
本发明能够满足能满足机台设备各层面的需求。
附图说明
图1是半导体制造系统的示意图；
图2是图1的半导体制造系统的一部份的例证的实施例的示意图；
图3是无线可携式多功能传感器以及无线地耦接到传感器的诊断工具的示意图；
图4是图3的无线可携式多功能传感器的例证的实施例与应用的示意图；
图5A是图3的无线可携式多功能传感器的另一例证的实施例与应用的示意图；
图5B是说明无线可携式多功能传感器的运作的立体轴线的示意图；
图5C-图5E是图5A的无线可携式多功能传感器所产生的例证数据标绘图；以及
图6是图3的无线可携式多功能传感器的另一例证的实施例与应用的示意图。
其中，附图标记说明如下：
40～半导体制造系统  45～传动机械手臂
50～真空系统  55～电源供应
60～温度控制  65～输入/输出工具
70～化学机械研磨工具  75～循环系统
80～射频产生器及匹配系统
85、86、87、88、89、90、91、92～无线收发器
100～诊断系统  102～无线收发器
105～数据提取器  110～中央化服务器
112～电流传感器  114～压力传感器
116～震动传感器
118、122、127、135、146、158、168～I/O界面
120～压力传感器  125～功率传感器
130～电流传感器  132～电阻传感器
134～温度传感器  136～外部传感器
140～震动传感器  142～温度传感器
144～电阻传感器  150～流量传感器
152～温度传感器  154～光谱传感器
156～液位传感器  160～功率传感器
162～电流传感器  164～温度传感器
166～位置传感器  70～化学机械研磨工具
140A、140B、142、144～传感器
170～研磨头  172～研磨垫平整器
174～平台  176～平台变速箱
178～水槽  185～无线收发器
188～半导体晶片
200、250、265、275～无线可携式多功能传感器
201～诊断工具  202...210～传感器
215～信号转换器  220～微控制器单元
222～存储装置  223～通信界面
225～收发器  230～天线
240～真空泵  243泵抽气管线
246～排气管  255～曝光处理工具
260～移动台  270～传动机械手臂
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下：
可了解到以下揭示为了实施各种实施例的不同特征提供许多不同实施例与范例。特定范例的组成与排列描述于以下以简化本发明揭示。当然，仅仅是范例而不是限制本发明。举例来说，当描述第一特征在第二特征之上的形式时，可能包括第一特征与第二特征直接接触，以及可能包括额外的特征形成于第一特征与第二特征之间以致于第一与第二特征可能不是直接接触。此外，本揭示在各种实施例中可能重复参考数字和/或字母。这些重复是为了简化与清楚的目的，而不是指定各种实施例和/或组态之间的关系。
图1是半导体制造系统40的示意图。半导体制造系统40包括多个半导体生产机台。于一实施例中，半导体制造系统40包括传动机械手臂45、真空系统50、电源供应55、温度控制60以及输入/输出(I/O)工具65、化学机械研磨工具(CMP)70、循环系统75以及射频产生器及匹配系统80。一或更多传感器可拆卸地耦接生产机台45-80的每一项。这些传感器用于收集制造数据(也称为工艺参数)，详细将描述于下。生产机台45-80也分别包括无线收发器85、86、87、88、89、90、91与92。在图1所显示的无线收发器85-92每一个都是蓝牙收发器，但是在可选替的实施例中可能是不同技术的收发器，例如Wi-Fi或Zigbee等无线传输协定。无线收发器85-92每个都是电耦接各自生产机台45-80中的每个传感器112-166，所以收发器接收传感器所收集的制造数据。于一实施例中，无线收发器85-92整合到各自生产机台45-80上的传感器。
半导体制造系统40还包括诊断系统100。诊断系统100包括无线收发器102、数据提取器105以及中央化服务器110。无线收发器102类似于收发器85-92并且电耦接到数据提取器105。在本实施例中的数据提取器105是可携式计算装置，例如膝上型电脑。数据提取器105电耦接到中央化服务器110，在本实施例中是一种用于监控半导体工艺的电脑整合制造(CIM)系统。于选替的实施例中，数据提取器105以及中央化服务器110可能以其他适当的工艺与计算装置实施，并且可能整合成单一单元。
在每个生产机台45-80中的传感器将详细描述。传动机械手臂45包括电流传感器112、压力传感器114，震动传感器(或称为运动传感器)116，以及I/O界面118。为了在工艺期间移动物件例如晶片，传动机械手臂45使用电力马达(未显示)。电流传感器112用于感测马达中的电流量。假如感测的电流超过既定的正常范围，电流传感器112会指示出有马达操作的问题。举例来说，假如感测的电流太高，马达可能过载并且可能有误动作的危险。传动机械手臂45也可能有使用真空吸附晶片的(未显示)机械“手臂”。在真空管线内的压力量以压力传感器114监视所以真空管线的问题例如堵塞、断裂或泄漏将被检测到。震动传感器116借由感测这些组件的震动帮助测量传动机械手臂45的各种组件的性能与状况。
真空系统50控制各种类型的设备的内部压力，例如制造系统40的生产机台。真空系统50包括压力传感器120(生产舱室与泵线)以及I/O界面122。压力传感器120用于监测真空系统50的喷射速度、气分压与舱压(假如真空舱室用于真空系统50)。舱压涉及用于调整舱压的阀门角度。因此，调整阀门角度也即调整真空系统50的压力。来自压力传感器120的读数允许阀门角度的精确调整。另外，多个舱室的阀门角度可以匹配所以在这些舱室里面的压力会相同。
电源供应55提供电力到半导体制造系统的各种类型的设备，例如制造系统40的生产机台。电源供应55包括功率传感器125与I/O界面127。功率传感器125监测与比较电源供应55的输入功率量(“线内”功率)以及输出功率量。输入功率与输出功率之间的功率减少就是功率损失。假如功率损失变得过大，意味有些生产机台组件接近故障。
温度控制60调节半导体制造系统的各种类型的设备的温度，例如制造系统40的生产机台。温度控制包括电流传感器130、电阻传感器132、温度传感器134与I/O界面135。温度控制60使用加热装置(例如电阻加热器，未图示)产生热以及冷却装置(例如冷冻压缩器，未图示)产生冷流(冷却剂或去离子水)。加热与冷却装置都靠电流运转，并且电流传感器130监测这些装置中的电流量。如上述关于其他电流传感器，电流传感器130将基于测量的电流量检测在加热与冷却装置中的问题。此外，借由电阻传感器132测量加热装置的电阻，将有助于指示出问题是否存在于加热装置中。温度传感器134包括被耦接到在不同的内部与外部位置的生产机台的热电耦。因此，可获得遍布生产机台的温度。假如在特定位置的测量的温度太高或太低，温度设定被调整到应付这个情况。
机台I/O界面65包括安置在生产机台上的外部传感器136。外部传感器136使用于生产机台没有额外能力测量或缺少足够数量的I/O端口的时机。机台I/O界面65同时可被指定系统变异识别码(system variable identification，SVID)到测量的参数，所以后面工艺期间这些参数可被制造系统40识别。例如，外部传感器136可能是安装在回路上的流量计以确保稳定工艺状况，或不同压力计安装于排气管以保证适当的热损失与流量模式，或热电耦安装于舱室外壳/外盖/承载盘(housing/lid/chuck)以比较热量一致性。于一实施例中，这些外部传感器136可能包括上述传感器112-134与以下要简述的传感器。
CMP工具70用于磨平与移除晶片的表层。CMP工具700包括震动传感器140、温度传感器142、电阻传感器144以及I/O界面146。震动传感器140用于监测CMP工具700的各种组件的震动，温度传感器142用于监测垫面(用于磨平晶片，未图示)的温度，并且电阻传感器144用于监测去离子水冲洗的电阻，所以CMP处理被确保平顺地进行。CMP工具70之后将以生产机台为范例详加说明。
循环系统75用于实施半导体制造中的各种化学处理，例如在带有蚀刻溶剂的蚀刻槽中执行的蚀刻(未图示)。循环系统75包括流量传感器150、温度传感器152、光谱传感器154、液位传感器156以及I/O界面158。流量传感器150以及温度传感器152分别用于监测流量与蚀刻溶剂的温度。蚀刻溶剂的浓度关系到关于蚀刻溶剂的射线(例如光)的频谱。借由可能实施成电荷耦合装置的光谱传感器154检测射线光谱。借由液位传感器156监测蚀刻槽中蚀刻溶剂的量(或液位)。传感器150-156提供模拟输出，所以可借由各自的传感器150-156微调流量、温度、浓度与蚀刻溶剂的液位。
射频/匹配系统80包括射频功率系统以及匹配系统。匹配系统用于匹配高频操作时的输入与输出组抗以最小化功率损失及改良效率。匹配系统包括射频匹配网路(未图示)。射频功率系统有多个电子组件，例如电阻器、电容器、电感器、变压器以及一或更多级的放大器。射频/匹配系统80包括功率传感器160、电流传感器162、温度传感器164、位置传感器166以及I/O界面168。功率传感器160用于监测射频匹配系统80的输入与输出功率以检测关连不正常功率损失的潜在故障。电流传感器162用于监测不同级的放大器的电流以决定放大器的负载是否适当。温度传感器164用于监测与效能相反的变压器的温度。匹配系统的位置传感器166包括电位计(可变电阻)，电位计用于检测射频匹配系统的电容与电感改变引起电位计的电压变化，电位计实际上反映了射频匹配网路到需要的状态。因为电容与电感共同定义阻抗，可说成电位计的特定设定对应于射频匹配网路的各自的阻抗，因此阻抗传感器166监测射频匹配系统80的阻抗。
生产机台45-80可能集合起来称为测量系统。他们各自的生产机台45-80的I/O界面118、122、127、135、146、158与168是各自生产机台装设的内定I/O界面，并且I/O界面可能无法测量各自生产机台的各自传感器可实行去测量的工艺参数，或I/O界面不能提供足够数量的I/O端口以供应这些各自的数据到外部装置。I/O界面118、122、127、135、146、158与168的缺点代表没有装设上述各自传感器的生产机台的缺点。然而，对于上述生产机台45-80而言，没有这样的缺点存在，因为这些生产机台可以透过他们各自的传感器收集需要的数据。
在需要的数据被适当的传感器收集到之后，各自生产机台45-80的无线发送器85-92经由无线界面传送收集到的制造数据到诊断工具100。无线收发器接收制造数据然后发送数据到数据提取器105。数据提取器105然后传送数据到中央化服务器110做细节处理与分析。之后，中央化服务器100决定制造数据是否落入可接受的范围。假如没有，中央化服务器110可能命令数据提取器105经由发送器102送出信号去告诉适合的生产机台去进行调整。
现在参考图2，更详细举例讨论CMP工具70以提供半导体制造系统40的运作的实施例。图2说明图1的CMP工具70的示意图。CMP工具70包括研磨头170、研磨垫平整器172、平台174、平台变速箱176、充满去离子水的水槽178、传感器140A-B、142与144(上述关于图1)以及无线收发器185。半导体晶片被研磨头压紧，并且当研磨头170在平台上移动时晶片表面被平台磨平。在磨平后，一或更多半导体晶片188被放置到水槽178以解离子水清洗。传感器142是位于平台174上的一种红外线温度检测器。于一实施例中，传感器142架置于CMP工具的舱室的天花板(未图示)。
传感器142监测平台174的表面温度以确保平台不会过热。平台174的表面过热指示出CMP工具170的高故障可能性。传感器140A与140B是履行成加速计的震动传感器，并且分别耦接到研磨垫平整器172以及平台变速箱176。传感器140A-B监测CMP工具70中的震动量。过度震动量指示出CMP工具70的高故障可能性。传感器144是一种电阻传感器，其耦接到水槽178以监测槽内去离子水的电阻。不正常的电阻变化指示出水槽178中的去离子水被CMP研磨液沾污，意指去离子水已经被污染并且需要更换。
热数据、震动数据与电阻数据分别由传感器142、传感器140A-B与传感器144收集，之后送到无线收发器185，无线收发器185是耦接CMP工具70适当部位的蓝牙收发器。无线收发器185无线地传送收集的数据到诊断工具100(图1)借由中央化服务器110做处理与分析，诊断工具100是半导体晶片厂的CIM系统。根据分析结果，中央化服务器110经由无线收发器102(图1)与185传送信号回到CMP工具70。CMP工具170然后因此调整CMP程序。
于上述CMP工具70的选替的实施例中，对照必须先发送制造数据到独立无线收发器185，传感器142-144可能具有无线收发器整合于其中，所以传感器142-144的每一个能无线地传送制造数据到诊断工具100(图1)。
图3是无线可携式多功能传感器(WPMF)200以及诊断工具201的示意图。无线可携式多功能传感器200可用于取代或连结图1的无线收发器85-92与传感器112-166。于本实施例中，无线可携式多功能传感器200可拆卸地耦接生产机台(举例来说，图1的生产机台45-80的一个)以收集关于那工具的制造数据。
无线可携式多功能传感器200包括多个传感器202到210、信号转换器215、微控制器单元(MCU，又称为微处理器)220、存储装置222、位于MCU220与存储装置222之间的通信界面223，以及非必要天线230的收发器225。传感器202-210类似于上述关于图1的传感器112-166并且用于监测制造数据(工艺参数)例如电压、电流、电阻、震动、温度等等。传感器202-210输出感测的制造数据当作模拟信号。任何数目的传感器202-210根据设计需求与制造限制可能实施在无线可携式多功能传感器200。于选替的实施例，传感器202-210可能在无线可携式多功能传感器200的外部实施，在这案例中无线可携式多功能传感器200可能包括耦接到外部传感器202-210的端口。
参考图3，信号转换器215接收无线可携式多功能传感器202-210的输出当作输入。于本实施例中，信号转换器215包括多通道模拟对数字转换器，每个通道能转换来自传感器202-210的一个的模拟信号输出成为数字形式。于选替的实施例中，传感器202-210输出数字信号，信号转换器215可能对传感器202-210的数字信号输出实施必要的数据处理。信号转换器215输出制造数据到更进一步处理数据的MCU 220的输入。于一实施例中，MCU 220控制信号转换器215与收发器225的操作。在另一实施例中，信号转换器215则整合至MCU 220。
界面223允许MCU 220与存储装置222沟通。举例来说，制造数据可能经由界面223在存储装置222与MCU之间转移。于本实施例中，存储装置222是一种安全数码(SD)卡，并且界面223是通用序列总线(USB)端口。于选替的实施例中，存储装置222可能是存储器形式，包括闪存、记忆棒、微记忆卡(micro-SD)或硬盘，并且界面233可能是序列端口、并列端口、火线端口(firewire port)或USB端口。于另一实施例中，存储装置222可能整合至MCU 220。
参考图3，制造数据由MCU 220的输出被送到要被发送的收发器225的输入。本实施例中收发器225包括蓝牙收发器。于选替的实施例中，收发器225可能是Wi-Fi或通用非同步收发器(Universal Asynchronous Receiver Transmitter，UART)。天线230是独立天线但可能在选替实施例中被整合至收发器225。于另一实施例中，收发器225整合至MCU 220所以MCU 220直接与外部装置沟通。于另一实施例中，MCU 220经由界面223或经由其他未图示的适合的界面与外部装置沟通。传输的制造数据被诊断装置201接收与分析。诊断装置201包括具有整合无线收发器(未图示)例如Wi-Fi或蓝牙收发器的一个膝上型电脑。可选替地，传输的数据可能被图1的诊断装置100使用中央化服务器110所接收且分析。
WPMF传感器200是可携式的并且可组态成适用于各种制造与通信平台。整合于WPMF传感器200的多个传感器允许不同型态的制造数据被同时收集。基于同时收集的制造数据，使用者可使用诊断装置201实施快速分析。假如分析结果指示出生产机台的潜在问题，生产机台可能立即被调整以防止制造故障。借由使用者或经由计算化的反馈控制回路执行调整。
参考图4，讨论例证的WPMF传感器的实施例与应用。图4说明真空泵240的示意图。真空泵240包括工艺泵线(入口)243、排气管(出口)246，以及WPMF传感器250。在本发明真空泵240是干式泵。于选替的实施例中真空泵240可能是冷冻泵(cryo-pump)。参考图4，真空泵240也包括多个内部传感器(未图示)，包括计算马达电流的电流传感器(用以监测马达负载)、测量出口压力的压力传感器(用以监测排气管246的阻塞)，以及测量内部泵温度的温度传感器(用以监测泵240的工作温度)。
WPMF传感器250是上述关于图3的WPMF传感器200的实施例。WPMF传感器250放置于真空泵240的外部表面并且包括震动传感器(未图示)以及温度传感器(未图示)。震动传感器作用为加速计，并且温度传感器作用为红外线检测器。震动传感器在泵运作期间监测真空泵240上的震动量，并且温度传感器在泵运作期间监测真空泵的温度。当震动或温度数据是在可接收范围的外但是其他参数在可接受范围之内时，无需要采取动作，因为只有一个参数脱离正常范围仅表示部分变异，但真空泵大体上仍为正常。然而，当震动与温度数据都超过可接受范围时，那就指示出真空泵240可能将要出错。因此，在实际故障发生之前，真空泵240可能被修复或置换。可了解到使用者可能使用膝上型电脑无线地经由WPMF传感器250得到来自真空泵震动与温度数据。因为是自动地测量，所以使用者需要对真空泵240实施实际测量。
参考图5A-图5E，讨论WPMF传感器200的其他实施例与应用。图5A说明曝光处理工具255。曝光处理工具255用于在微影工艺期间形成影像图案化于半导体晶片上。曝光处理工具255包括移动台与WPMF传感器265。WPMF传感器265附在移动台260侧边。于选替实施例中，WPMF是设置于移动台260的上表面。
参考图5A，曝光处理工具255的各种移动组件的缺陷可能引起曝光处理工具的震动，包括马达、齿轮、螺栓或轴承(皆未图示)。目前的制造科技没有提供曝光处理工具255的震动的测量。然而，相对少量的震动可能导致晶片图案化影像品质不佳。此外，假如移动台260没有平稳，晶片也会呈现不佳的图案化影像品质。假如图案化影像品质不佳的晶片没有即时拦截而通过蚀刻，他们可能没法挽救并且必须报废。
于本实施例中，WPMF传感器265包括震动传感器(未图示)以及水平传感器(未图示)。震动传感器用于监测曝光处理工具255的震动并且水平传感器用于监测移动台的水平度，以便确保适合的图案化影像品质。在本实施例中，震动传感器与水平传感器如同3轴微机电系统(MEMS)加速计。MEMS加速计对重力有相对高的灵敏度。重力灵敏度用于测量加速计的水平(也是移动台260的水平)，如下述。
参考图5B，WPMF 265内的加速计的方向可用具有X-轴、Y-轴与Z-轴的3度座标轴图示。X、Y与Z轴实质上是互相正交的(垂直的)。沿着每一轴所测量到的震动如同类似音频信号。这些类似音频信号的范例说明显示于图5C、图5D与图5E，其中纵轴表示加速计所测量的震动信号，以及横轴表示不同时间点。图5C显示相对时间沿着X轴测量到的震动信号，图5D显示相对时间沿着Y轴测量到的震动信号以及图5E显示相对时间沿着Z轴测量到的震动信号。之后，对测量到的震动信号实施数据平均化以确保更稳度的加速计读数。然后使用低通滤波器滤除震动信号的高频成分，并且震动信号留下的部份是水平信号(未图示)。要看频谱上的水平信号需要对震动信号实施快速傅立叶转换(FFT)。
当加速计实质上水平时，对于X-轴与Y轴的水平信号应非常接近0，然而对于Z轴的水平信号应该是1倍的重力(以g表示)。当加速计倾斜(不是水平)，对于X轴与Y轴的水平信号不等于0，并且对于Z轴的水平信号不等于g。分析水平信号(例如以图3的诊断工具201)以便指示加速计如何倾斜。如上述，加速计倾斜指示WPMF感测计如何倾斜以及移动台260是如何倾斜。经由计算化的反馈控制回路或使用者调整移动台260，所以加速计更加平稳。
参考曝光处理工具255的应用可了解到WPMF传感器265的无线应用提供另一好处(可了解到不同实施例提供不同好处)：电缆或传统有线传感器的电线将会偶发地影响震动数据，而当本实施例中WPMF传感器无线地运行时就不会有电缆或电线引起震动干扰。
参考图6，讨论WPMF传感器200的另一实施例与应用。图6是类似于传动机械手臂45并且架置PMF传感器275的传动机械手臂270的示意图。WPMF传感器275包括电流传感器、电压传感器以及震动传感器(皆未图示)。电流传感器用于监测传动机械手臂270的马达(未图示)的电流负载。为了控制马达的操作，使用编码器(未图示)将数字控制信号转换成模拟信号。WPMF275的电压传感器用于监测编码器的电压，所以假如马达是服务马达可以计算相位特性，或假如马达是步进马达可以计算步进损失。震动传感器作用成加速计并且被用于监测传动机械手臂270的各种组件的震动以便测量这些组件的状况与性能。因此，WPMF 275收集关于马达电流、编码器电压以及传输机械手臂震动的制造数据。这些收集的制造数据，或独立地或共同地，无线地传送到诊断工具201(图3)，以决定传动机械手臂270的品质以及它是否需要被修理或彻底检查。
以上说明已经概述数个实施例的特征所以本领域技术人员可有效理解以下详细的描述。本发明所属技术领域技术人员，在不脱离本发明随附的权利要求的精神下，可以本发明所揭示的概念及实施例为基础，轻易地设计及修改其他用以达成与本发明目标相同的架构。

Claims (13)

1.一种用于制造一半导体装置的系统，包括：
一半导体生产机台，具有测量该生产机台的一第一工艺参数的一整合界面；以及
一无线传感器，可拆卸地耦接该生产机台，其中该传感器测量该生产机台的一第二工艺参数，即额外工艺参数，该第二工艺参数不同于该第一工艺参数。
2.如权利要求1所述的用于制造一半导体装置的系统，其中该整合界面用于测量一第一群组的工艺参数，该第一群组的工艺参数包括该第一工艺参数但不包括该第二工艺参数，并且该无线传感器用于测量一第二群组的工艺参数，即额外群组的工艺参数，该第二群组的工艺参数包括该第一与第二工艺参数。
3.如权利要求1所述的用于制造一半导体装置的系统，还包括无线地耦接该无线传感器的一诊断工具，该诊断工具用于与该无线传感器无线地沟通。
4.如权利要求3所述的用于制造一半导体装置的系统，其中该无线传感器无线地传输该第一及第二工艺参数的测量值，并且其中该诊断工具包括：
一另一无线传感器，接收该第一及第二工艺参数的该测量值；以及
一中央化服务器，自该另一无线传感器提取该第一及第二工艺参数的该测量值，该中央化服务器对该第一与第二工艺参数的测量值实施一分析，并且对应该分析产生一控制信号。
5.如权利要求4所述的用于制造一半导体装置的系统，其中该生产机台经由该无线传感器自该诊断工具接收该控制信号，并且对应该控制信号调整它的操作。
6.如权利要求4所述的用于制造一半导体装置的系统，其中该中央化服务器是用于监测及控制一半导体工艺的一电脑整合系统。
7.如权利要求1所述的用于制造一半导体装置的系统，其中该生产机台包括选自于群组的一机器，该群组包括：
一传动机器手臂，移动该生产机台的物件；
一真空系统，控制该生产机台的压力；
一电源供应，提供直流或交流电力到该生产机台；
一温度控制，调节该生产机台的温度；
一化学机械研磨工具，磨平及移除一半导体晶片的一表面层；
一循环系统，实施一化学处理；以及
一射频产生器及阻抗匹配系统，在供应射频功率时调整及匹配该生产机台的有效输入及输出阻抗。
8.如权利要求1所述的用于制造一半导体装置的系统，其中该生产机台选自包括下列的群组：
一传动机械手臂，其中可拆卸地耦接该传动机械手臂的该无线传感器选自于包括一电流传感器、一压力传感器以及一震动传感器的群组；
一真空系统，其中可拆卸地耦接该真空系统的该无线传感器是一压力传感器；
一电源供应，其中可拆卸地耦接该电源供应的该无线传感器是一电压传感器及一电流传感器；
一温度控制，其中可拆卸地耦接该温度控制的该无线传感器是选自于包括一电流传感器、一电阻传感器以及一温度传感器的群组；
一化学机械研磨工具，其中可拆卸地耦接该化学机械研磨工具的该无线传感器是选自于包括一震动传感器、一温度传感器以及一电阻传感器的群组；
一循环系统，其中可拆卸地耦接该循环系统的该无线传感器是选自于包括一流量传感器、一温度传感器、一射线传感器以及一位准传感器的群组；以及
一射频阻抗匹配系统，其中可拆卸地耦接该射频阻抗匹配系统的该无线传感器是选自于包括一功率传感器、一电流传感器、一温度传感器以及一位置传感器的群组。
9.如权利要求1所述的用于制造一半导体装置的系统，还包括一输入/输出工具，提供一模拟的输入/输出端口以及该第二工艺参数的一系统可变识别。
10.一种制造一半导体装置的方法，包括：
使用一工艺工具的一整合界面测量一半导体工具的一第一半导体工艺参数；以及
使用一无线传感器测量该生产机台的一第二半导体工艺参数，该无线传感器可拆卸地耦接该生产机台，该第二半导体工艺参数不同于该第一半导体工艺参数。
11.如权利要求10所述的用于制造一半导体装置的方法，还包括无线地与一诊断工具沟通。
12.如权利要求11所述的用于制造一半导体装置的方法，其中该沟通包括：
传输包括该测量的第一与第二工艺参数的一第一无线信号自该无线传感器到该诊断工具；以及
传输包括一控制信号的一第二无线信号自该诊断工具到该无线传感器。
13.如权利要求12所述的用于制造一半导体装置的方法，还包括：
使用该诊断工具对该测量的第一与第二工艺参数实施数据分析；
对应该数据分析使用该诊断工具产生该控制信号；以及
对应该控制信号调整该生产机台的一运作。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103397312A (zh) * 2013-07-16 2013-11-20 北京七星华创电子股份有限公司 一种lpcvd工艺生产环境的控制方法及其控制系统
CN103576463A (zh) * 2012-07-20 2014-02-12 上海微电子装备有限公司 光刻机工作台及其工作方法
CN104925413A (zh) * 2014-03-19 2015-09-23 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种实时检测集液罐液位系统及检测方法
TWI627546B (zh) * 2013-06-29 2018-06-21 新納普系統股份有限公司 故障分析期間之晶片截面識別和呈現
CN110044295A (zh) * 2017-11-30 2019-07-23 台湾积体电路制造股份有限公司 扫描及分析表面的方法、其检查系统及计算机可读媒体
CN110347196A (zh) * 2019-06-24 2019-10-18 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 温度控制装置、温度控制方法及干法刻蚀机
CN110488767A (zh) * 2018-05-14 2019-11-22 上海新微技术研发中心有限公司 机台控制装置及机台控制方法
CN112751406A (zh) * 2019-10-29 2021-05-04 台湾积体电路制造股份有限公司 电源供应装置、半导体工艺系统与电源管理方法
CN113313338A (zh) * 2020-02-11 2021-08-27 南亚科技股份有限公司 半导体制造设备的监测系统及方法

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8676537B2 (en) * 2009-08-07 2014-03-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Portable wireless sensor
WO2014064926A1 (ja) * 2012-10-25 2014-05-01 パナソニック株式会社 ロボットの異常表示方法
KR20140062888A (ko) * 2012-11-15 2014-05-26 지유철 원격제어 열처리장치
US10141166B2 (en) * 2014-08-15 2018-11-27 Applied Materials, Inc. Method of real time in-situ chamber condition monitoring using sensors and RF communication
US9873180B2 (en) 2014-10-17 2018-01-23 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
US9776361B2 (en) 2014-10-17 2017-10-03 Applied Materials, Inc. Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles
US10875153B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pad materials and formulations
CN113579992A (zh) 2014-10-17 2021-11-02 应用材料公司 使用加成制造工艺的具复合材料特性的cmp衬垫建构
US11745302B2 (en) 2014-10-17 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process
CN104647326B (zh) * 2015-01-13 2016-11-30 逄锦辉 移动式无线电子置物架、定位系统和方法及生产线
US11569138B2 (en) 2015-06-16 2023-01-31 Kla Corporation System and method for monitoring parameters of a semiconductor factory automation system
US10593574B2 (en) 2015-11-06 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables
US20170148652A1 (en) * 2015-11-20 2017-05-25 Lam Research Ag Spin chuck with in situ temperature monitoring
US10391605B2 (en) 2016-01-19 2019-08-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process
US10186439B2 (en) * 2016-07-25 2019-01-22 GlobalFoundries, Inc. Systems and methods for sensing process parameters during semiconductor device fabrication
US10930535B2 (en) 2016-12-02 2021-02-23 Applied Materials, Inc. RFID part authentication and tracking of processing components
CN108428642B (zh) * 2017-02-15 2021-06-18 台湾积体电路制造股份有限公司 机台诊断工具、晶圆处理机台载入端口诊断工具及其方法
US11471999B2 (en) 2017-07-26 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods
TWI650705B (zh) * 2017-08-17 2019-02-11 凌華科技股份有限公司 架構於非侵入式資料擷取系統客製化顯示畫面的系統模組及方法
JP2019125736A (ja) * 2018-01-18 2019-07-25 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理システム、半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラム
KR20200108098A (ko) 2018-02-05 2020-09-16 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 3d 프린트된 cmp 패드들을 위한 압전 엔드포인팅
JP6653722B2 (ja) * 2018-03-14 2020-02-26 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置
CN112654655A (zh) 2018-09-04 2021-04-13 应用材料公司 先进抛光垫配方
US11570020B2 (en) * 2021-02-04 2023-01-31 Archcyber Technology Co. Ltd. Communication converters of dry pumps

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020078770A1 (en) * 1998-03-06 2002-06-27 Applied Materials, Inc. Method for confirming alignment of a substrate support mechanism in a semiconductor processing system
CN1653326A (zh) * 2002-04-19 2005-08-10 应用材料有限公司 视觉系统
CN1930659A (zh) * 2004-03-09 2007-03-14 赛博光学半导体公司 改进的无线类基片传感器
US20070224712A1 (en) * 2006-03-24 2007-09-27 Tokyo Electron Limited Method of monitoring a semiconductor processing system using a wireless sensor network
US7335972B2 (en) * 2003-11-13 2008-02-26 Sandia Corporation Heterogeneously integrated microsystem-on-a-chip
US20080097646A1 (en) * 2006-10-23 2008-04-24 Ramsey Craig C Calibration of a substrate handling robot

Family Cites Families (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6569382B1 (en) * 1991-11-07 2003-05-27 Nanogen, Inc. Methods apparatus for the electronic, homogeneous assembly and fabrication of devices
US6209480B1 (en) * 1996-07-10 2001-04-03 Mehrdad M. Moslehi Hermetically-sealed inductively-coupled plasma source structure and method of use
US5846883A (en) * 1996-07-10 1998-12-08 Cvc, Inc. Method for multi-zone high-density inductively-coupled plasma generation
US6950193B1 (en) * 1997-10-28 2005-09-27 Rockwell Automation Technologies, Inc. System for monitoring substrate conditions
JP4776783B2 (ja) * 1999-05-07 2011-09-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
US6290576B1 (en) * 1999-06-03 2001-09-18 Micron Technology, Inc. Semiconductor processors, sensors, and semiconductor processing systems
US7530877B1 (en) * 1999-06-03 2009-05-12 Micron Technology, Inc. Semiconductor processor systems, a system configured to provide a semiconductor workpiece process fluid
US7180591B1 (en) * 1999-06-03 2007-02-20 Micron Technology, Inc Semiconductor processors, sensors, semiconductor processing systems, semiconductor workpiece processing methods, and turbidity monitoring methods
CA2402280C (en) * 2000-03-10 2008-12-02 Cyrano Sciences, Inc. Control for an industrial process using one or more multidimensional variables
US6812045B1 (en) * 2000-09-20 2004-11-02 Kla-Tencor, Inc. Methods and systems for determining a characteristic of a specimen prior to, during, or subsequent to ion implantation
US6673637B2 (en) * 2000-09-20 2004-01-06 Kla-Tencor Technologies Methods and systems for determining a presence of macro defects and overlay of a specimen
US6950196B2 (en) * 2000-09-20 2005-09-27 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a thickness of a structure on a specimen and at least one additional property of the specimen
US7655269B2 (en) * 2002-04-26 2010-02-02 The Penn State Research Foundation Integrated nanomechanical sensor array chips
US6751518B1 (en) * 2002-04-29 2004-06-15 Advanced Micro Devices, Inc. Dynamic process state adjustment of a processing tool to reduce non-uniformity
GB0211644D0 (en) * 2002-05-21 2002-07-03 Wesby Philip B System and method for remote asset management
EP1525447A4 (en) * 2002-05-31 2006-12-06 Univ California METHOD AND APPARATUS FOR DETECTING SUBSTANCES OF INTEREST
US20050011611A1 (en) * 2002-07-12 2005-01-20 Mahoney Leonard J. Wafer probe for measuring plasma and surface characteristics in plasma processing environments
US6830650B2 (en) 2002-07-12 2004-12-14 Advanced Energy Industries, Inc. Wafer probe for measuring plasma and surface characteristics in plasma processing environments
US7988398B2 (en) * 2002-07-22 2011-08-02 Brooks Automation, Inc. Linear substrate transport apparatus
US7959395B2 (en) * 2002-07-22 2011-06-14 Brooks Automation, Inc. Substrate processing apparatus
AU2003255254A1 (en) * 2002-08-08 2004-02-25 Glenn J. Leedy Vertical system integration
US7047095B2 (en) * 2002-12-06 2006-05-16 Tokyo Electron Limited Process control system and process control method
JP2004336024A (ja) * 2003-04-16 2004-11-25 Tokyo Electron Ltd 基板処理システム、基板処理方法及び該方法を実行するプログラム
JP2004327561A (ja) * 2003-04-22 2004-11-18 Ebara Corp 基板処理方法及び基板処理装置
US8213007B2 (en) * 2003-05-27 2012-07-03 Optotrace Technologies, Inc. Spectrally sensing chemical and biological substances
US7460224B2 (en) * 2005-12-19 2008-12-02 Opto Trace Technologies, Inc. Arrays of nano structures for surface-enhanced Raman scattering
US8081308B2 (en) * 2003-05-27 2011-12-20 Optotrace Technologies, Inc. Detecting chemical and biological impurities by nano-structure based spectral sensing
US7104116B2 (en) * 2003-09-25 2006-09-12 Rockwell Automation Technologies, Inc. Fluid sensor fixture for dynamic fluid testing
US7024920B2 (en) * 2003-09-30 2006-04-11 Rockwell Automation Technologies, Inc. Lubricity measurement using MEMs sensor
US20050170643A1 (en) * 2004-01-29 2005-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Forming method of contact hole, and manufacturing method of semiconductor device, liquid crystal display device and EL display device
JP4094574B2 (ja) * 2004-03-08 2008-06-04 シャープ株式会社 半導体装置及びその製造方法
US20050217796A1 (en) * 2004-03-31 2005-10-06 Carter Daniel C Techniques for packaging and encapsulating components of diagnostic plasma measurement devices
JP4192118B2 (ja) * 2004-05-31 2008-12-03 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査装置並びに欠陥検査システム
US20050284570A1 (en) * 2004-06-24 2005-12-29 Doran Daniel B Diagnostic plasma measurement device having patterned sensors and features
US7304302B1 (en) * 2004-08-27 2007-12-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems configured to reduce distortion of a resist during a metrology process and systems and methods for reducing alteration of a specimen during analysis
US20060043063A1 (en) * 2004-09-02 2006-03-02 Mahoney Leonard J Electrically floating diagnostic plasma probe with ion property sensors
KR100541821B1 (ko) * 2004-09-09 2006-01-11 삼성전자주식회사 폴리싱장치의 패드컨디셔너 오동작 감지장치 및 그 방법
US7695985B2 (en) * 2004-12-24 2010-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Light exposure apparatus and manufacturing method of semiconductor device using the same
US7722434B2 (en) * 2005-03-29 2010-05-25 Kla-Tencor Corporation Apparatus for measurement of parameters in process equipment
US7553582B2 (en) * 2005-09-06 2009-06-30 Oak Ridge Micro-Energy, Inc. Getters for thin film battery hermetic package
US8582099B2 (en) * 2005-12-19 2013-11-12 Optotrace Technologies, Inc. Monitoring network based on nano-structured sensing devices
US20090278556A1 (en) * 2006-01-26 2009-11-12 Nanoselect, Inc. Carbon Nanostructure Electrode Based Sensors: Devices, Processes and Uses Thereof
US8907384B2 (en) * 2006-01-26 2014-12-09 Nanoselect, Inc. CNT-based sensors: devices, processes and uses thereof
JP5077770B2 (ja) * 2006-03-07 2012-11-21 株式会社ニコン デバイス製造方法、デバイス製造システム及び測定検査装置
US7998708B2 (en) * 2006-03-24 2011-08-16 Handylab, Inc. Microfluidic system for amplifying and detecting polynucleotides in parallel
US20070221125A1 (en) * 2006-03-24 2007-09-27 Tokyo Electron Limited Semiconductor processing system with wireless sensor network monitoring system incorporated therewith
EP1855172A1 (de) * 2006-05-12 2007-11-14 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Alarmunterdrückung in einer Prozessanlage
US20070280526A1 (en) * 2006-05-30 2007-12-06 Irfan Malik Determining Information about Defects or Binning Defects Detected on a Wafer after an Immersion Lithography Process is Performed on the Wafer
US7840305B2 (en) * 2006-06-28 2010-11-23 3M Innovative Properties Company Abrasive articles, CMP monitoring system and method
US7968453B2 (en) * 2006-10-12 2011-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device, and etching apparatus
JP2008159819A (ja) * 2006-12-22 2008-07-10 Tdk Corp 電子部品の実装方法、電子部品内蔵基板の製造方法、及び電子部品内蔵基板
JP2008159820A (ja) * 2006-12-22 2008-07-10 Tdk Corp 電子部品の一括実装方法、及び電子部品内蔵基板の製造方法
US8104342B2 (en) * 2007-02-23 2012-01-31 Kla-Tencor Corporation Process condition measuring device
EP1988575A3 (en) * 2007-03-26 2008-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2009054707A (ja) * 2007-08-24 2009-03-12 Renesas Technology Corp 半導体記憶装置およびその製造方法
US20090181475A1 (en) * 2008-01-11 2009-07-16 Novellus Systems, Inc. Detecting the presence of a workpiece relative to a carrier head
US8571904B2 (en) * 2008-02-08 2013-10-29 Rockwell Automation Technologies, Inc. Self sensing component interface system
US8381601B2 (en) * 2008-05-05 2013-02-26 John F. Stumpf Transducer matrix film
CN102119129A (zh) * 2008-06-09 2011-07-06 P2W有限公司 用于从污染水中电凝移除污染物的系统
US7795589B2 (en) * 2008-07-17 2010-09-14 Advanced Micro Devices, Inc. Infrared sensor and method of calibrating the same
US7905197B2 (en) * 2008-10-28 2011-03-15 Athenaeum, Llc Apparatus for making epitaxial film
US8676537B2 (en) * 2009-08-07 2014-03-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Portable wireless sensor

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020078770A1 (en) * 1998-03-06 2002-06-27 Applied Materials, Inc. Method for confirming alignment of a substrate support mechanism in a semiconductor processing system
CN1653326A (zh) * 2002-04-19 2005-08-10 应用材料有限公司 视觉系统
US7335972B2 (en) * 2003-11-13 2008-02-26 Sandia Corporation Heterogeneously integrated microsystem-on-a-chip
CN1930659A (zh) * 2004-03-09 2007-03-14 赛博光学半导体公司 改进的无线类基片传感器
US20070224712A1 (en) * 2006-03-24 2007-09-27 Tokyo Electron Limited Method of monitoring a semiconductor processing system using a wireless sensor network
US20080097646A1 (en) * 2006-10-23 2008-04-24 Ramsey Craig C Calibration of a substrate handling robot

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103576463A (zh) * 2012-07-20 2014-02-12 上海微电子装备有限公司 光刻机工作台及其工作方法
CN103576463B (zh) * 2012-07-20 2015-09-30 上海微电子装备有限公司 光刻机工作台及其工作方法
TWI627546B (zh) * 2013-06-29 2018-06-21 新納普系統股份有限公司 故障分析期間之晶片截面識別和呈現
CN103397312A (zh) * 2013-07-16 2013-11-20 北京七星华创电子股份有限公司 一种lpcvd工艺生产环境的控制方法及其控制系统
CN103397312B (zh) * 2013-07-16 2016-02-03 北京七星华创电子股份有限公司 一种lpcvd工艺生产环境的控制方法及其控制系统
CN104925413A (zh) * 2014-03-19 2015-09-23 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种实时检测集液罐液位系统及检测方法
CN110044295A (zh) * 2017-11-30 2019-07-23 台湾积体电路制造股份有限公司 扫描及分析表面的方法、其检查系统及计算机可读媒体
CN110044295B (zh) * 2017-11-30 2021-12-03 台湾积体电路制造股份有限公司 扫描及分析表面的方法、其检查系统及计算机可读媒体
CN110488767A (zh) * 2018-05-14 2019-11-22 上海新微技术研发中心有限公司 机台控制装置及机台控制方法
CN110347196A (zh) * 2019-06-24 2019-10-18 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 温度控制装置、温度控制方法及干法刻蚀机
CN112751406A (zh) * 2019-10-29 2021-05-04 台湾积体电路制造股份有限公司 电源供应装置、半导体工艺系统与电源管理方法
CN113313338A (zh) * 2020-02-11 2021-08-27 南亚科技股份有限公司 半导体制造设备的监测系统及方法
CN113313338B (zh) * 2020-02-11 2024-01-12 南亚科技股份有限公司 半导体制造设备的监测系统及方法

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