CN101964344A - 基于绝缘体上硅平板显示器驱动芯片及其制备方法 - Google Patents

Abstract

提供一种基于绝缘体上硅(SOI)材料的平板显示器驱动芯片，由高压P型横向金属氧化物半导体管、高压N型横向金属氧化物半导体管、高压N型横向绝缘栅双极型晶体管、低压器件组成，各高压器件之间均以始自埋氧层穿过N型埋层和N型外延层终止于器件表面场氧并填充有二氧化硅的双槽结构隔离，在外延层与埋氧层相接区域有N型埋层。制备方法：在P型衬底上制作埋氧层，N型埋层，淀积外延层，再制作高压N型横向金属氧化物半导体管和高压N型横向绝缘栅双极型晶体管的高压P阱及高压P型横向金属氧化物半导体管的P型漂移区，高压管的缓冲层、低压管的低压阱，源漏区及接触孔，蒸铝，反刻铝，形成电极和金属场板，钝化处理。

Description

基于绝缘体上硅平板显示器驱动芯片及其制备方法

技术领域

本发明涉及一种平板显示器驱动芯片及其制备方法，尤其适用于等离子平板显示器(PDP)用行选址驱动芯片和列选址驱动芯片。

背景技术

从整体上讲，等离子平板显示器驱动芯片主要是由低压逻辑电路控制高压输出电路组成的。随着显示技术和驱动技术的不断提高，等离子平板显示器驱动芯片具有以下的发展趋势：工作频率更高，高压器件尺寸更小，功耗更低，性能更好。这对驱动芯片的输出级高压功率器件的要求越来越苛刻。目前主要由横向双扩散金属氧化物半导体管作为常用等离子平板显示器驱动芯片的输出级高压器件，而横向双扩散金属氧化物半导体管受其工作原理的限制，作为高压输出器件必定占用较大的芯片面积，而随着横向绝缘栅双极型晶体管的发展，它已经开始逐步取代横向双扩散金属氧化物半导体管的应用以实现芯片面积更小，功耗更低；主要的隔离结构包括：单槽填充二氧化硅和多晶硅隔离、深结隔离和pn结自隔离，然而单槽隔离结构对工艺条件要求高，可靠性不足，通过pn结隔离高压结构浪费芯片面积，芯片用于隔离的面积就超过20％，随着绝缘体上硅(SOI)技术的进步采用双槽隔离结构不仅可以保证隔离的可靠性，还可以有效提高芯片利用率，隔离结构对芯片面积的占用不足5％。虽然SOI材料成本比外延材料高，但是SOI制备工艺基本成熟，实现规模生产，降低成本已经切实可行，如今已经有很多基于SOI工艺的实用性产片进入生产阶段。

发明内容

本发明提供一种平板显示器驱动芯片及其制备方法，尤其适用于离子平板显示器驱动芯片，所述芯片结构能够降低芯片功率损耗，减小芯片面积，提高可靠性，同时所述方法能够兼容标准低压互补型横向金属氧化物半导体管的制造工艺。

本发明所述平板显示器驱动芯片的技术方案如下：

本发明所述平板显示器驱动芯片制备方法的技术方案如下：包括P型衬底，在P型衬上设有埋氧层，在埋氧层上设有N型埋层，在N型埋层上设有高压P型横向金属氧化物半导体管、高压N型横向金属氧化物半导体管、高压N型横向绝缘栅双极型晶体管和低压器件，高压P型横向金属氧化物半导体与高压N型横向金属氧化物半导体管相邻且高压P型横向金属氧化物半导体管的漏端与高压N型横向金属氧化物半导体管的源端相邻，高压N型横向绝缘栅双极型晶体管位于高压N型横向金属氧化物半导体管与低压器件之间，在高压P型横向金属氧化物半导体管源端一侧设有第一双槽结构，在高压P型横向金属氧化物半导体管与高压N型横向金属氧化物半导体管之间设有第二双槽结构，在高压N型横向金属氧化物半导体管与高压N型横向绝缘栅双极型晶体管之间设有第三双槽结构，在高压N型横向绝缘栅双极型晶体管与低压器件之间设有第四双槽结构，在低压器件之间没有槽结构隔离，在低压器件另一侧设有第五双槽结构，第一双槽结构由平行设置的第一氧化隔离层和第二氧化隔离层组成，第二双槽结构由平行设置的第一氧化隔离层和第二氧化隔离层组成，第三双槽结构由平行设置的第一氧化隔离层和第二氧化隔离层组成，第四双槽结构由平行设置的第一氧化隔离层和第二氧化隔离层组成，第五双槽结构由平行设置的第一氧化隔离层和第二氧化隔离层组成。

所述平板显示器驱动芯片的制备方法是：

第一步：取杂质浓度为1.0e15cm^-3的P型衬底，对其进行预清洗；在P型衬底上制备埋氧层；然后生长杂质浓度为1.5e15cm^-3的N型外延层，并通过剂量为1e12cm^-2的砷离子注入，在N型外延层上制作N型埋层；在N型外延层上分别制作高压N型横向金属氧化物半导体管的P型体区和高压N型横向绝缘栅双极型晶体管的P型体区；然后在N型外延层上制作的P型漂移区；接下来在N型外延层上制作高压N型横向金属氧化物半导体管的漏端N型缓冲层、高压N型横向绝缘栅双极型晶体管的漏端N型缓冲层和低压器件的低压P阱；再接着进行场氧化层的生长，并对高压P型横向金属氧化物半导体管漂移区上方场氧化层进行反刻得到栅氧；然后进行场氧注入，形成高压P型横向金属氧化物半导体管的P型阱区和低压器件中低压二极管的低压P阱；然后调整沟道阈值电压注入，高压N型横向金属氧化物半导体管的厚栅氧生长和低压器件中低压互补型横向金属氧化物半导体管的薄栅氧生长，淀积刻蚀多晶硅形成高压P型横向金属氧化物半导体管的多晶硅栅极和多晶硅场板、高压N型横向金属氧化物半导体管的多晶硅栅极和多晶硅场板、高压N型横向绝缘栅双极型晶体管的多晶硅栅极和多晶硅场板、低压管的多晶硅栅极以及多晶硅电阻条等；刻蚀隔离槽结构，填充、淀积二氧化硅层形成氧化层。

第二步：刻蚀氧化层制备高压P型横向金属氧化物半导体管的N型重掺杂阱、高压N型横向金属氧化物半导体管的源端N型重掺杂阱、高压N型横向金属氧化物半导体管的漏端N型阱区、高压N型横向绝缘栅双极型晶体管的源端N型重掺杂阱，高压P型横向金属氧化物半导体管的源端P型重掺杂阱、高压P型横向金属氧化物半导体管的漏端P型重掺杂阱、高压N型横向金属氧化物半导体管的P型重掺杂体接触阱高压N型横向绝缘栅双极型晶体管的漏端P型阱区及高压N型横向绝缘栅双极型晶体管的P型重掺杂体接触阱，接触孔刻蚀，蒸铝，反刻铝，形成电极，最后，钝化处理。

这些步骤与标准低压外延互补型横向金属氧化物半导体管工艺兼容，与现有技术相比，本发明具有如下优点：

(1)本发明结构及制备方法，基于SOI材料，埋氧层将外延层与衬底完全电隔离，避免了体硅或体硅外延的衬底漏电流问题，芯片功耗更低，可靠性能更优。

(2)本发明采用双槽结构作为高压器件之间或高压器件与低压器件之间的隔离，这样的隔离结构，使器件间实现了全介质隔离，抗闩锁性能更好，同时相对于传统的自隔离和pn结隔离等方式，隔离结构的面积非常小，低于芯片总面积的5％，有利于提高芯片利用率，降低成本。

(3)本发明加入高压N型绝缘栅双极型晶体管代替传统的高压横向金属氧化物半导体管作为高压输出级，电流驱动能力更强，相同电流能力情况下芯片面积更小，成本更低。

(4)本发明中高压N型绝缘栅双极型晶体管P型漏极阱区结深小于1μm，属于透集电极结构，器件频率特性比传统高压N型绝缘栅双极型晶体管好，更适合较高频率下工作。

(5)本发明中高压P型横向金属氧化物半导体管的源区和厚栅氧相接区域的下方设有P型阱区，可以避免出现鸟嘴处不能开启的问题，保证器件开态有效开启。

(6)本发明同时将高压P型横向金属氧化物半导体管和高压N型横向金属氧化物半导体管组成高压互补型横向金属氧化物半导体管结构，采用互补型横向金属氧化物半导体管工艺方法制作，并且先制备高压部分所特有结构，然后再制备低压及低压与高压部分共有的结构，鉴于低压器件部分制备在后，高压器件部分的制备在先，故不会对低压金属氧化物半导体管产生影响，所以，本发明的高压器件结构的制备方法能够兼容标准低压外延互补型横向金属氧化物半导体管的制造工艺。

附图说明

图1是剖面图，图示了本发明实施例的结构剖面。

图2是剖面图，各图示出了根据本发明的SOI高压显示器驱动用高压器件由初始状态的P型衬底经过一系列工艺最终完成器件制作的制备工艺例子，详细说明见具体实施方式，实施例2。

图3是器件模拟图，其中图3(a)示了高压N型横向绝缘栅双极型晶体管关态等势线分布情况，其中V_s为源极电势，V_gs为栅源电压，V_ds为漏源电压，V_sub为衬底电势，图3(b)示了高压N型横向绝缘栅双极型晶体管优化前后关态漏源电压为V_ds＝200V时，漏端正下方纵向电场强度分布情况。

图4是器件特性曲线图，其中图4(a)示出了高压N型横向双扩散金属氧化物半导体管优化前后开态电流曲线比较图，图4(b)示出了高压N型横向双扩散金属氧化物半导体管优化前后击穿特性曲线比较图，图4(c)示出了高压N型横向绝缘栅双极型晶体管优化前后开态电流曲线比较图，图4(d)示出了高压N型横向绝缘栅双极型晶体管优化前后击穿特性曲线比较图，图4(e)示出了高压N型横向绝缘栅双极型晶体管优化前后关断电流下降曲线比较图。

具体实施方式

实施例1

下面结合附图，对本发明作详细说明，如图1所示，一种平板显示器驱动芯片，包括P型衬底11，在P型衬底11上设有埋氧层10，其特征在于在埋氧层10上设有N型埋层9，在N型埋层9上设有高压P型横向金属氧化物半导体管1、高压N型横向金属氧化物半导体管2、高压N型横向绝缘栅双极型晶体管3和低压器件4，高压P型横向金属氧化物半导体管1与高压N型横向金属氧化物半导体管2相邻且高压P型横向金属氧化物半导体管1的漏端与高压N型横向金属氧化物半导体管2的源端相邻，高压N型横向绝缘栅双极型晶体管3位于高压N型横向金属氧化物半导体管2与低压器件4之间，在高压P型横向金属氧化物半导体管1源端一侧设有第一双槽结构，在高压P型横向金属氧化物半导体管1与高压N型横向金属氧化物半导体管2之间设有第二双槽结构，在高压N型横向金属氧化物半导体管2与高压N型横向绝缘栅双极型晶体管3之间设有第三双槽结构，在高压N型横向绝缘栅双极型晶体管3与低压器件4之间设有第四双槽结构，在低压器件4之间没有槽结构隔离，在低压器件4另一侧设有第五双槽结构，第一双槽结构由平行设置的第一氧化隔离层91A和第二氧化隔离层91B组成，第二双槽结构由平行设置的第一氧化隔离层92A和第二氧化隔离层92B组成，第三双槽结构由平行设置的第一氧化隔离层93A和第二氧化隔离层93B组成，第四双槽结构由平行设置的第一氧化隔离层94A和第二氧化隔离层94B组成，第五双槽结构由平行设置的第一氧化隔离层95A和第二氧化隔离层95B组成。

上述第一双槽结构用于高压P型横向金属氧化物半导体管1与本发明以外且制作于同一片芯片上的其它器件的隔离；第五双槽用于低压器件4与本发明以外且制作于同一片芯片上的其它高压器件的隔离。若与低压器件4相邻的是低压器件，则取消此双槽结构。在本实施例中，第一双槽结构、第二双槽结构、第三双槽结构、第四双槽结构和第五双槽结构中均填充以二氧化硅介质。

上述高压P型横向金属氧化物半导体管1主要由N型埋层9、N型外延层81、P型漂移区12、栅氧化层13、源端P型重掺杂阱14、多晶硅栅和场板15，P型阱16、漏端P型重掺杂阱17以及N型重掺杂阱18构成。

上述高压N型横向金属氧化物半导体管2主要由N型埋层9、N型外延层82、P型体区23、P型重掺杂体接触阱19、源端N型重掺杂阱20、多晶硅栅极和多晶硅场板21、漏端N型缓冲层24以及漏端N型阱区22构成。

上述高压绝缘栅双极型晶体管3主要由N型埋层9、N型外延层83、P型体区30、P型重掺杂体接触阱28、源端N型重掺杂阱27、多晶硅栅极和多晶硅场板26、漏端N型缓冲层29以及漏端P型阱区25构成。

上述低压器件4中低压互补型横向金属氧化物半导体管主要由低压N型管和低压P型管构成，低压N型金属氧化物半导体管设置在P型阱31中，低压P型金属氧化物半导体管设置在N型外延层84中。

上述低压器件4中低压二极管主要由低压P型阱32和N型外延层84构成。

上述低压器件4中多晶硅电阻主要由多晶硅条33构成。

实施例2

本发明平板显示器驱动用高压器件的制备方法是：

第一步：取杂质浓度为1.0e15cm^-3的P型衬底11如图2(a)所示，对其进行预清洗；在P型衬底11上制备埋氧层10如图2(b)所示；然后生长杂质浓度为1.5e15cm^-3的N型外延层8，并通过剂量为1e12cm^-2的砷离子注入，在N型外延层8上制作N型埋层9如图2(c)所示；在N型外延层8上分别制作高压N型横向金属氧化物半导体管2的P型体区23和高压N型横向绝缘栅双极型晶体管3的P型体区30如图2(d)所示；然后在N型外延层8上制作的P型漂移区12如图2(e)所示；接下来在N型外延层8上制作高压N型横向金属氧化物半导体管2的漏端N型缓冲层24、高压N型横向绝缘栅双极型晶体管3的漏端N型缓冲层29和低压器件4的低压P阱31如图2(f)所示；再接着进行场氧化层5的生长，并对高压P型横向金属氧化物半导体管1漂移区上方场氧化层5进行反刻得到栅氧13；然后进行场氧注入，形成高压P型横向金属氧化物半导体管1的P型阱区16和低压器件4中低压二极管的低压P阱32如图2(h)所示；然后调整沟道阈值电压注入，高压N型横向金属氧化物半导体管2的厚栅氧生长和低压器件4中低压互补型横向金属氧化物半导体管的薄栅氧生长，淀积刻蚀多晶硅形成高压P型横向金属氧化物半导体管1的多晶硅栅极和多晶硅场板15、高压N型横向金属氧化物半导体管2的多晶硅栅极和多晶硅场板21、高压N型横向绝缘栅双极型晶体管3的多晶硅栅极和多晶硅场板26、低压管的多晶硅栅极以及多晶硅电阻条7等如图2(i)所示；刻蚀隔离槽结构，填充、淀积二氧化硅层形成氧化层6如图2(j)所示。

第二步：刻蚀氧化层6制备高压P型横向金属氧化物半导体管1的N型重掺杂阱18、高压N型横向金属氧化物半导体管2的源端N型重掺杂阱20、高压N型横向金属氧化物半导体管2的漏端N型阱区22、高压N型横向绝缘栅双极型晶体管3的源端N型重掺杂阱27，高压P型横向金属氧化物半导体管1的源端P型重掺杂阱14、高压P型横向金属氧化物半导体管1的漏端P型重掺杂阱17、高压N型横向金属氧化物半导体管2的P型重掺杂体接触阱19高压N型横向绝缘栅双极型晶体管3的漏端P型阱区25及高压N型横向绝缘栅双极型晶体管3的P型重掺杂体接触阱28，接触孔刻蚀，蒸铝，反刻铝，形成电极，最后，钝化处理如图2(k)所示。

参照图3(b)可以看出，优化结构的高压N型横向绝缘栅双极型晶体管埋氧层中电场强度比传统结构高压N型横向绝缘栅双极型晶体管提高了1/4左右，这样在漏极电压一定的情况下就可以有效降低外延层中的电场强度正如图中所示，提高器件的纵向击穿电压，具有更高的可靠性。

参照图4(a)可以看出，相较传统结构的高压N型横向双扩散金属氧化物半导体管优化结构高压N型横向双扩散金属氧化物半导体管开态电流的饱和区更接近水平，饱和效果更好，同时饱和电流比传统结构更高一些，引进埋层结构改善了器件开态电流的饱和区特性，改善了开态电流曲线上翘严重造成的器件失效问题，同样有利于提高器件和芯片的可靠性。

参照图4(b)可以看出，优化结构的高压N型横向双扩散金属氧化物半导体管击穿电压明显比传统结构的高压N型横向双扩散金属氧化物半导体管高，关态击穿特性更好。

参照图4(c)可以看出，优化结构的高压N型横向绝缘栅双极型晶体管的开态电流与传统结构的高压N型横向绝缘栅双极型晶体管变化不十分明显。

参照图4(d)可以看出，优化结构的高压N型横向绝缘栅双极型晶体管的击穿电压明显比传统结构的高压N型横向绝缘栅双极型晶体管高，关态击穿特性更好。

参照图4(e)可以看出，在关断栅压后相同时刻情况下，优化结构的高压N型横向绝缘栅双极型晶体管的关断尾电流明显比传统结构的高压N型横向绝缘栅双极型晶体管小，关断时间更短，器件工作的开关功率损耗更低，有利于降低芯片的功耗。

Claims (7)

1.一种平板显示器驱动芯片，包括P型衬底(11)，在P型衬底(11)上设有埋氧层(10)，其特征在于在埋氧层(10)上设有N型埋层(9)，在N型埋层(9)上设有高压P型横向金属氧化物半导体管(1)、高压N型横向金属氧化物半导体管(2)、高压N型横向绝缘栅双极型晶体管(3)和低压器件(4)，高压P型横向金属氧化物半导体管(1)与高压N型横向金属氧化物半导体管(2)相邻且高压P型横向金属氧化物半导体管(1)的漏端与高压N型横向金属氧化物半导体管(2)的源端相邻，高压N型横向绝缘栅双极型晶体管(3)位于高压N型横向金属氧化物半导体管(2)与低压器件(4)之间，在高压P型横向金属氧化物半导体管(1)源端一侧设有第一双槽结构，在高压P型横向金属氧化物半导体管(1)与高压N型横向金属氧化物半导体管(2)之间设有第二双槽结构，在高压N型横向金属氧化物半导体管(2)与高压N型横向绝缘栅双极型晶体管(3)之间设有第三双槽结构，在高压N型横向绝缘栅双极型晶体管(3)与低压器件(4)之间设有第四双槽结构，在低压器件(4)之间没有槽结构隔离，在低压器件(4)另一侧设有第五双槽结构，第一双槽结构由平行设置的第一氧化隔离层(91A)和第二氧化隔离层(91B)组成，第二双槽结构由平行设置的第一氧化隔离层(92A)和第二氧化隔离层(92B)组成，第三双槽结构由平行设置的第一氧化隔离层(93A)和第二氧化隔离层(93B)组成，第四双槽结构由平行设置的第一氧化隔离层(94A)和第二氧化隔离层(94B)组成，第五双槽结构由平行设置的第一氧化隔离层(95A)和第二氧化隔离层(95B)组成。

2.根据权利要求1所述的显示器驱动芯片，其特征在于高压P型横向金属氧化物半导体管(1)包括设在N型埋层(9)上的N型外延层(81)，在N型外延层(81)内设有P型漂移区(12)、漏端P型重掺杂阱(17)及N型重掺杂阱(18)，在P型漂移区(12)上设有源端P型重掺杂阱(14)，在外延层(81)及P型漂移区(12)上的源端P型重掺杂阱(14)、漏端P型重掺杂阱(17)及N型重掺杂阱(18)以外的区域设有栅氧化层(13)和场氧化层(5)且栅氧化层(13)位于源端P型重掺杂阱(14)与漏端P型重掺杂阱(17)之间，在栅氧化层(13)的与漏端P型重掺杂阱(17)相邻的鸟嘴下方设有P型阱(16)，在栅氧化层(13)上方设有多晶硅栅极(15)，在场氧化层(5)、栅氧化层(13)、源端P型重掺杂阱(14)、多晶硅栅极(15)、漏端P型重掺杂阱(17)及N型重掺杂阱(18)的上方设有氧化层(6)，在源端P型重掺杂阱(14)、多晶硅栅极(15)、漏端P型重掺杂阱(17)及N型重掺杂阱(18)上分别连接有金属引线。

3.根据权利要求1所述的显示器驱动芯片，其特征在于高压N型横向金属氧化物半导体管(2)包括设在N型埋层(9)上的N型外延层(82)，在N型外延层(82)内设有P型体区(23)、漏端N型缓冲层(24)，在P型体区(23)上设有P型重掺杂体接触阱(19)和源端N型重掺杂阱(20)，在漏端N型缓冲层(24)内部设有漏端N型阱区(22)，在外延层(82)上方的P型重掺杂体接触阱(19)右侧，P型体区(25)和漏端N型阱区(22)之间以及漏端N型阱区(22)的左侧区域均设有场氧化层(5)，在P型体区(23)上方，源端N型重掺杂阱(20)右侧的沟道区上方以及P型体区(23)和漏端N型阱区(22)之间的场氧化层(5)上方设有多晶硅栅极和多晶硅场板(21)，在P型重掺杂体接触阱(19)、源端N型重掺杂阱(20)、多晶硅栅极和多晶硅场板(21)、漏端N型阱区(22)及场氧化层(5)的上方设有氧化层(6)，在P型重掺杂体接触阱(19)、源端N型重掺杂阱(20)、多晶硅栅极和多晶硅场板(21)、漏端N型阱区(22)上分别连接有金属引线。

4.根据权利要求1所述的显示器驱动芯片，其特征在于高压N型横向绝缘栅双极型晶体管(3)包括设在N型埋层(9)上的N型外延层(83)，在N型外延层(83)内设有P型体区(30)、漏端N型缓冲层(29)，在P型体区(30)上设有P型重掺杂体接触阱(28)和源端N型重掺杂阱(27)，在漏端N型缓冲层(29)内部设有漏端P型阱区(25)，在外延层(83)上方的P型重掺杂体接触阱(28)左侧，P型体区(30)和漏端N型阱区(25)之间以及漏端P型阱区(25)的右侧区域均设有场氧化层(5)，在P型体区(30)上方，源端N型重掺杂阱(27)右侧的沟道区上方以及P型体区(30)和漏端P型阱区(25)之间的场氧化层(5)上方设有多晶硅栅极和多晶硅场板(26)，在P型重掺杂体接触阱(28)、源端N型重掺杂阱(27)、多晶硅栅极和多晶硅场板(26)、漏端P型阱区(25)及场氧化层(5)的上方设有氧化层(6)，在P型重掺杂体接触阱(28)、源端N型重掺杂阱(27)、多晶硅栅极和多晶硅场板(26)、漏端P型阱区(25)上分别连接有金属引线。

5.根据权利要求4所述的显示器驱动芯片，其特征在于在高压N型横向绝缘栅双极型晶体管(3)的漏端P型阱区(25)的结深小于1μm。

6.根据权利要求4所述的显示器驱动芯片，其特征在于在高压N型横向绝缘栅双极型晶体管(3)的漏端P型阱区(25)被N型缓冲层(29)所包围。

7.一种权利要求1所述平板显示器驱动芯片的制备方法，其特征在于：

第一步：取杂质浓度为1.0e15cm^-3的P型衬底(11)，对其进行预清洗；在P型衬底(11)上制备埋氧层(10)；然后生长杂质浓度为1.5e15cm^-3的N型外延层(8)，并通过剂量为1e12cm^-2的砷离子注入，在N型外延层(8)上制作N型埋层(9)；在N型外延层(8)上分别制作高压N型横向金属氧化物半导体管(2)的P型体区(23)和高压N型横向绝缘栅双极型晶体管(3)的P型体区(30)；然后在N型外延层(8)上制作的P型漂移区(12)；接下来在N型外延层(8)上制作高压N型横向金属氧化物半导体管(2)的漏端N型缓冲层(24)、高压N型横向绝缘栅双极型晶体管(3)的漏端N型缓冲层(29)和低压器件(4)的低压P阱(31)；再接着进行场氧化层(5)的生长，并对高压P型横向金属氧化物半导体管(1)漂移区上方场氧化层(5)进行反刻得到栅氧(13)；然后进行场氧注入，形成高压P型横向金属氧化物半导体管(1)的P型阱区(16)和低压器件(4)中低压二极管的低压P阱(32)；然后调整沟道阈值电压注入，高压N型横向金属氧化物半导体管(2)的厚栅氧生长和低压器件(4)中低压互补型横向金属氧化物半导体管的薄栅氧生长，淀积刻蚀多晶硅形成高压P型横向金属氧化物半导体管(1)的多晶硅栅极和多晶硅场板(15)、高压N型横向金属氧化物半导体管(2)的多晶硅栅极和多晶硅场板(21)、高压N型横向绝缘栅双极型晶体管(3)的多晶硅栅极和多晶硅场板(26)、低压管的多晶硅栅极以及多晶硅电阻条(7)等；刻蚀隔离槽结构，填充、淀积二氧化硅层形成氧化层(6)。

第二步：刻蚀氧化层(6)制备高压P型横向金属氧化物半导体管(1)的N型重掺杂阱(18)、高压N型横向金属氧化物半导体管(2)的源端N型重掺杂阱(20)、高压N型横向金属氧化物半导体管(2)的漏端N型阱区(22)、高压N型横向绝缘栅双极型晶体管(3)的源端N型重掺杂阱(27)，高压P型横向金属氧化物半导体管(1)的源端P型重掺杂阱(14)、高压P型横向金属氧化物半导体管(1)的漏端P型重掺杂阱(17)、高压N型横向金属氧化物半导体管(2)的P型重掺杂体接触阱(19)高压N型横向绝缘栅双极型晶体管(3)的漏端P型阱区(25)及高压N型横向绝缘栅双极型晶体管(3)的P型重掺杂体接触阱(28)，接触孔刻蚀，蒸铝，反刻铝，形成电极，最后，钝化处理。

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