CN101945533A - 电路基板 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种制造实现电路基板的高密度化的具有无连接盘或窄小连接盘宽度的贯通孔的抗蚀图的形成方法、电路基板的制造方法和电路基板。是包含在具有贯通孔的基板的第一面形成树脂层和掩模层的步骤、从基板的与第一面相反一侧的第二面供给树脂层除去液并且除去第一面的贯通孔上和贯通孔周边部的树脂层的步骤的抗蚀图的形成方法、使用该抗蚀图的形成方法的电路基板的制造方法和电路基板。

Description

电路基板

本发明是申请人三菱制纸株式会社、新光电气工业株式会社于2008年11月12日向国家知识产权局递交的申请号为“200680054566.6”发明名称为“抗蚀图的形成方法、电路基板的制造方法和电路基板”的PCT申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及抗蚀图的形成方法、电路基板的制造方法和电路基板。更具体而言，涉及适合于电路基板的高密度化或布线图案的微细化的无连接盘或具有小连接盘宽度的抗蚀图的形成方法、电路基板的制造方法和电路基板。

背景技术

伴随着近年的电子仪器的小型、多功能化，电路基板也在进行高密度化，或布线图案的微细化也在进展，作为实现这样的条件的机构，举出了电路基板的多层化。如图45所示，层叠多个布线层而形成的电路基板通过一般称作贯通孔(贯通孔)31、转接孔(via hole)32、间隙转接孔33的用导电层覆盖内壁或者填充导电层的贯通孔、非贯通孔(以下将它们总称为“孔”)等细孔，进行各层间导通。

图46是从上部观察贯通孔的概略图。在贯通孔3的周围形成称作连接盘18的导电层。连接盘具有矩形、圆形、椭圆形、异形等各种，但是因为占有面积或者设计方面的使用容易程度，常常使用圆形状的连接盘。此外，为了与高密度化对应，无连接盘或窄小连接盘宽度的贯通孔成为必要。这里，连接盘宽度(Lw)在圆形连接盘的情况，意味着贯通孔周围的环状导通宽度的最小值。如果开孔加工时的贯通孔的直径为D₀，圆形连接盘的环状导体宽度的直径为D，无连接盘就意味着连接盘宽度Lw＝(D-D₀)/2是0，窄小连接盘宽度是指连接盘宽度Lw＝(D-D₀)/2比0大，40μm以下。

作为制造电路基板的方法，知道消去法、附加法、半附加法。附加法是在绝缘性基板的表面的非电路部设置抗蚀镀层，在相当于电路部的部分用无电解镀处理等形成导电层的方法。虽然对于微细电路的形成是有利的，但是用无电解镀形成全部导电层，所以具有制造成本高的问题。

半附加法是在表面具有薄的导电层的绝缘性基板的非电路部设置镀抗蚀层，在相当于电路部的部分用电解镀处理形成导电层，除去非电路部的抗蚀镀层后，通过光刻处理，除去非电路部的薄的导电层，形成电路的方法。由于能使用能进行高速作业的电解镀，作为微细电路形成方法，能优先使用。此外，与附加法相比，制造成本便宜。可是，通过电解镀，难以均匀地形成全部的布线图案的厚度，具有质量管理难的问题。

消去法是在表面设置导电层的绝缘性基板的电路部设置蚀刻防止层，蚀刻除去露出的非电路部的导电层，形成电路的方法。由于产生导电层的侧蚀刻引起的刻线的变细等，所以关于微细电路的形成的方面，与其他两个方法相比，具有界限，但是可以用简单的处理能制作电路基板，生产性高，制造成本最便宜，最广泛使用。

通过丝网印刷法、具有使用感光性材料的曝光显影步骤的金属表面光刻法、喷墨法等，形成蚀刻防止层和抗蚀镀层。制造无连接盘或窄小连接盘宽度的孔时，孔的开孔加工或丝网印刷法、曝光步骤、喷墨法等步骤的对位是重要的，特别是在高密度电路基板中要求的无连接盘或窄小连接盘宽度的孔中，非常高的对位精度成为必要。连接盘最希望在孔的全部方向具有均匀的宽度的形状，即孔和连接盘是同心圆，但是，如果对位不正确，就会有孔和连接盘不成为同心圆的问题。

举出用半附加法制造电路基板的方法的一个例子。首先，在绝缘性基板1(图47)开称作通孔(through hole)的贯通孔3(图48)，在包含贯通孔内壁的表面设置薄的第一导电层12(图49)。接着，在非电路部形成抗蚀镀层36(图50)。接着，通过电解镀处理，在第一导电层12露出的部分的表面形成第二导电层13(图51)。然后，除去抗蚀镀层36(图52)，光刻除去抗蚀镀层36下部的薄的第一导电层12，形成电路基板(图53)。

为了应对高密度化，用金属表面光刻法形成抗蚀镀层。作为金属表面光刻法，一般是使用负片型(光交联型)或正片型(光分解型)光刻胶的方法。在半附加法中，由于通过电解镀处理，在贯通孔内壁设置第二导电层，所以在贯通孔上和贯通孔内壁不残存抗蚀镀层的状态是必要的。

使用负片型(光交联型)干膜光刻胶时，如图54所示，用遮光部42将贯通孔和连接盘部遮光，负片型(光交联型)干膜光刻胶38不交联，除去未反应干膜光刻胶，成为在贯通孔上和连接盘部没有抗蚀镀层的状态。在这些步骤中，贯通孔的孔加工或曝光步骤的对位变得重要，特别是在高密度电路基板中要求的无连接盘或窄小连接盘宽度的孔中，非常高的对位精度成为必要。

例如如图55(b)所示，在连接盘宽度较大时，即使曝光掩模的对位时的位置偏移只发生距离x，贯通孔也变成完全遮光的状态，负片型(光交联型)干膜光刻胶不交联。可是，如图55(a)所示，窄小连接盘宽度的情况，如果曝光掩模的对位时的位置偏移发生相同的距离x，贯通孔就从连接盘偏移，具有在贯通孔的全部外周，无法形成窄小连接盘的问题。

制造无连接盘的贯通孔时，为了扩大对位精度的允许范围，如图56所示，按照只将负片型(光交联型)干膜光刻胶38的贯通孔上中央部不曝光的方式设置遮光部42，如图57所示，将抗蚀镀层36向贯通孔上中央部突出的状态的方法是众所周知的(例如专利文献1)。如图58(b)所示，大孔径的贯通孔3的情况，即使遮光部42发生只有距离y的位置偏移，成为贯通孔3的一部分遮光的状态。可是，如图58(a)所示，小孔径的贯通孔3的情况，如果遮光部42发生相同的距离y的位置偏移，遮光部42就从贯通孔3偏移，所以贯通孔上的负片型(光交联型)干膜光刻胶38交联，产生贯通孔上的抗蚀镀层36不被除去的问题。

开孔加工的精度、基板的伸缩、曝光用光掩模的尺寸变化等成为原因，在对位精度中存在界限是实际情况。此外，形成在高密度电路基板上的贯通孔的直径是多种，孔数也极多，所以非常难以对全部贯通孔，正确进行对位。因此，尽管在高密度电路基板要求无连接盘或窄小连接盘宽度的贯通孔，但是窄小连接盘宽度的贯通孔的情况，为了可靠地进行贯通孔的遮光，负片型(光交联型)干膜光刻胶不交联，发生必须较大地设计连接盘宽度的问题(例如专利文献2)。此外，在无连接盘的贯通孔的情况，为了可靠地进行贯通孔的遮光，负片型(光交联型)干膜光刻胶不交联，就必须将遮光部设计得小，因此，镀液变得难以侵入贯通孔内，发生不被镀的问题。

作为形成抗蚀镀层的方法，也知道电沉积光刻胶的方法。它是通过电沉积涂敷法，在包含贯通孔内壁的导电层上一样地设置电沉积光刻胶层，接着通过光掩模进行曝光，显影，由此设置抗蚀镀层的方法。

在电沉积光刻胶中具有负片型(光交联型)和正片型(光分解型)。正片型(光分解型)的情况，有必要曝光，使光刻胶分解，但是在圆柱形状的贯通孔中，无法使贯通孔内部完全曝光。因此，无法使贯通孔内部的电沉积光刻胶完全分解，无法作为抗蚀镀层使用。

而负片型(光交联型)电沉积光刻胶的情况，由于没必要使贯通孔内部曝光，所以说作为使用没有连接盘的图案的光掩模，形成无连接盘的贯通孔的机构，是有效的。由于在圆柱形状的贯通孔中，光不进入，所以能除去贯通孔内壁的负片型(光交联型)光刻胶层。但是，在贯通孔的角部具有锥形形状时，光也部分地进入贯通孔内部，存在无法除去贯通孔内壁的全部的抗蚀镀层的问题。

通过消去法制造电路基板时，用蚀刻防止层保护预先在孔内壁设置的导电层，在蚀刻步骤中，有必要不除去孔内壁的导电层地由抗蚀镀层来保护。使用负片型(光交联型)干膜光刻胶，形成蚀刻防止层时，在用将孔和连接盘部曝光，并交联的干膜光刻胶，在孔进行上盖的遮蔽法中，蚀刻液不进入孔内部，保护孔内壁的导电层。

用遮蔽法保护孔时，孔的开孔加工或曝光步骤的对位是重要的，特别是在高密度电路基板中要求的无连接盘或窄小连接盘宽度的孔中，非常高的对位精度成为必要。即如图55(b)所示，在较宽连接盘宽度的情况，即使发生只有距离x的位置偏移，在孔上也能完全形成抗蚀剂的盖，但是如图55(a)所示，在窄小连接盘宽度的情况，如果孔和连接盘偏移相同的距离x，连接盘就从孔部分偏移，蚀刻液进入孔内，发生变为导通不良的问题。可是，开孔加工的精度、基板的伸缩、曝光用光掩模的尺寸变化等成为原因，在对位精度上具有界限是实际情况。此外，形成在高密度电路基板上的孔的直径是多种，孔数也极多，所以非常难以对全部贯通孔，正确进行对位。因此，尽管在高密度电路基板要求无连接盘或窄小连接盘宽度的贯通孔，但是为了可靠地进行遮蔽，产生必须较大地设计连接盘宽度的问题。

此外，关于干膜光刻胶的厚度，为了更可靠地进行遮蔽，形成更结实的遮蔽物，有必要将光刻胶的厚度变厚，但是在消去法中，通过蚀刻，形成表面的布线图案时，如果由干膜光刻胶形成的蚀刻防止层的厚度较厚，在蚀刻时，蚀刻液的液转移性变差，具有无法形成精细图案的问题。

解决这些对位成为原因，发生的连接盘和孔的位置偏移的问题，提出为了电路基板的高密度化而要求的无连接盘或窄小连接盘宽度的孔所对应的电路基板的制造方法(专利文献3)。这是在具有孔的基板上形成第一树脂层，接着，在孔上以外的第一树脂层表面形成第二树脂层，接着，使用不溶解第二树脂层的第一树脂层用显影液，溶解除去孔上的第一树脂层，在孔上精度良好地形成开口部的技术。在该技术中，能精度良好地形成无连接盘或窄小连接盘宽度的孔。另一方面，在形成第二树脂层时，使用湿式粉末(toner)等。可是，为了使用湿式粉末的粉末电沉积，只用已经存在的制造装置无法制造，有必要新导入用于粉末电沉积的显影装置。因此，在没有用于新的设备的导入的资金和设置空间时，实施是困难的。此外，即使能导入时，用于稳定进行粉末电沉积的管理成为必要，具有粉末的异常附着或附着不足引起的电路短路或电路断线的危险性。

在现有的电路基板中，在锡焊所必要的焊盘以外的连接盘或电路部导电层等不附着焊锡，此外，为了保持电路表面的绝缘性，保护电路部导电层，一般在基板表面覆盖阻焊剂，填充在贯通孔的内部。这时，如果连接盘导电层顶端部的形状为锐角，因为表面张力和阻焊剂的硬化收缩，具有阻焊剂的顶端部的厚度极端变薄的问题。

专利文献1：日本特开平10-178031号公报

专利文献2：日本特开平07-007265号公报

专利文献3：国际公开第二005/086552号册页(pamphlet)

发明内容

本发明的课题在于，提供解决对位成为原因而发生的连接盘和孔的位置偏移的问题，为了电路基板的高密度化而要求的无连接盘或窄小连接盘宽度的孔所对应的抗蚀图的形成方法、电路基板的制造方法。特别是提供不需要粉末电沉积等的新设备的导入，用适宜组合孔掩埋墨水步骤、导电性墨水填充步骤、电沉积步骤、金属镀步骤、抗蚀剂形成步骤、蚀刻步骤的一系列的步骤，能制造具有无连接盘或窄小连接盘宽度的孔的电路基板的抗蚀图的形成方法、电路基板的制造方法。还提供能良好给予阻焊剂的抗蚀图的形成方法、电路基板的制造方法和电路基板。另外，在本发明中，无连接盘或窄小连接盘宽度的贯通孔是指所述定义的孔。

本发明的发明者们为了解决所述课题，锐意研究的结果，发现以下的发明。

抗蚀图的形成方法

(1)一种抗蚀图的形成方法，包括：在具有贯通孔的基板的第一面形成树脂层和掩模层的步骤；从基板的与第一面相反的第二面供给树脂层除去液，除去第一面的贯通孔上和贯通孔周边部的树脂层的步骤。

(2)根据所述(1)所述的抗蚀图的形成方法，其中：一体形成树脂层和掩模层。

(3)根据所述(1)或(2)所述的抗蚀图的形成方法，其中：

树脂层是光交联性树脂层。

(4)根据所述(1)～(3)中的任意一项所述的抗蚀图的形成方法，其中：具有贯通孔的基板是在基板表面和贯通孔内壁具有导电层的绝缘性基板。

基于半附加法的电路基板的制造方法

(5)一种电路基板的制造方法，按顺序包含：(a)准备在具有贯通孔的绝缘性基板的第一面和与第一面相反一侧的第二面以及贯通孔内壁具有第一导电层的绝缘性基板的步骤；(b)在第一面形成光交联性树脂层和掩模层，用光交联性树脂层和掩模层覆盖第一面的第一导电层和贯通孔开口部的步骤；(c)从第二面供给光交联性树脂层除去液，除去第一面的贯通孔上和贯通孔周边部的光交联性树脂层，露出第一面的贯通孔周边部的第一导电层的步骤；(d)对第一面的光交联性树脂层进行图案曝光的步骤；(e)在第二面形成光交联性树脂层和掩模层，用光交联性树脂层和掩模层覆盖第二面的第一导电层和贯通孔开口部的步骤；(f)除去第一面的掩模层的步骤；(g)从第一面供给光交联性树脂层除去液，除去第一面的未硬化光交联性树脂层和第二面的贯通孔上以及贯通孔周边部的光交联性树脂层，露出第一面上的第一导电层和第二面的贯通孔周边部的第一导电层的步骤；(h)对第二面的光交联性树脂层进行图案曝光的步骤；(i)除去第二面的掩模层的步骤；(j)从第二面供给光交联性树脂层除去液，除去第二面的未硬化光交联性树脂层，露出第二面上的第一导电层的步骤；(k)在贯通孔内壁和贯通孔周边部、第一面和第二面上露出的第一导电层上，通过电解镀处理，形成第二导电层的步骤；(l)除去第一面和第二面上硬化光交联性树脂层，露出第一面和第二面上的第一导电层的步骤；(m)光刻并除去露出的第一导电层的步骤。

(6)根据所述(5)所述的电路基板的制造方法，其中：在(e)步骤之前进行(f)步骤。

(7)根据所述(5)所述的电路基板的制造方法，其中：在(d)步骤之前进行(f)步骤。

(8)根据所述(5)所述的电路基板的制造方法，其中：(g)步骤由(g1)从第一面供给光交联性树脂层除去液，除去第一面的未硬化光交联性树脂层，露出第一面上的第一导电层的步骤；(g2)从第一面供给光交联性树脂层除去液，除去第二面的贯通孔上和贯通孔周边部的光交联性树脂层，使第二面的贯通孔周边部的第一导电层露出的步骤构成；在(g1)步骤和(g2)步骤之间进行(e)步骤。

电路基板

(9)一种电路基板，由在具有贯通孔的绝缘性基板的贯通孔周边部形成的连接盘部导电层、在绝缘性基板的表面构成电路布线的电路部导电层、贯通孔内壁的导电层构成，其中：

与电路部导电层的非连结部的连接盘部导电层的外侧面的倾斜角度比90度小。

(10)根据所述(9)所述的电路基板，其中：与电路部导电层的非连结部的连接盘部导电层的外侧面的倾斜角度是60～80度。

(11)根据所述(9)或(10)所述的电路基板，其中：由连接盘部导电层的外侧面构成的直径和开孔加工时的贯通孔的直径的差是0～80μm。

(12)根据所述(9)～(11)中的任意一项所述的电路基板，其中：与电路部导电层的非连结部的连接盘部导电层的外侧面的倾斜角度比电路部导电层的侧面的倾斜角度小。

(13)根据所述(9)～(12)中的任意一项所述的电路基板，其中：电路部导电层的侧面的倾斜角度大致是90度。

(14)根据所述(9)～(13)中的任意一项所述的电路基板，其中：

连接盘部导电层对于贯通孔，形成为同心圆状。

基于消去法的电路基板的制造方法1

(15)一种电路基板的制造方法，按顺序包括：(A)准备在具有贯通孔的绝缘性基板的第一面和与第一面相反一侧的第二面以及贯通孔内壁具有导电层的绝缘性基板的步骤；(B)在第一面形成第一树脂层和掩模层，用第一树脂层和掩模层覆盖第一面的导电层和贯通孔开口部的步骤；(C)从第二面供给第一树脂层除去液，除去第一面的贯通孔上和贯通孔周边部的第一树脂层，露出第一面的贯通孔周边部的导电层的步骤；(D)对第一面的第一树脂层进行对第二树脂层除去液的耐性化处理的步骤；(E)除去第一面的掩模层的步骤；(F)在第二面形成第二树脂层和掩模层，用第二树脂层和掩模层覆盖第二面的导电层和贯通孔开口部的步骤：(G)从第一面供给第二树脂层除去液，除去第二面的贯通孔上和贯通孔周边部的第二树脂层，露出第二面的贯通孔周边部的导电层的步骤；(H)除去第二面的掩模层的步骤。

(16)根据所述(15)所述的电路基板的制造方法，其中：

接着(A)～(H)的步骤，按顺序包含：(I)在露出的导电层上形成蚀刻防止层的步骤；(J)除去第一树脂层和第二树脂层的步骤；(K)在第一面和第二面形成光交联性树脂层的步骤；(L)对第一面和第二面的光交联性树脂层进行图案曝光，光交联硬化为图案状的步骤；(M)除去第一面和第二面的未硬化的光交联性树脂层，在将导电层露出为图案状的步骤；(N)通过蚀刻液蚀刻除去第一面和第二面的露出的导电层的步骤；(O)除去蚀刻防止层和光交联硬化后的光交联性树脂层的步骤。

(17)根据所述(15)或(16)所述的电路基板的制造方法，其中：

第一树脂层是光交联性树脂层，耐性化处理是曝光处理。

(18)根据所述(16)或(17)所述的电路基板的制造方法，其中：

蚀刻防止层是在导电层的蚀刻液中不溶解的金属层，通过图案镀而形成。

(19)根据所述(15)～(18)中的任意一项所述的电路基板的制造方法，其中：在(D)步骤之前进行(E)步骤。

(20)根据所述(15)～(18)中的任意一项所述的电路基板的制造方法，其中：在(F)步骤之后进行(E)步骤。

基于消去法的电路基板的制造方法2

(21)一种电路基板的制造方法，按顺序包括：(α)准备在具有贯通孔的绝缘性基板的第一面和与第一面相反一侧的第二面以及贯通孔内壁具有导电层的绝缘性基板的步骤；(β)在第一面形成光交联性树脂层和掩模层，用光交联性树脂层和掩模层覆盖第一面的导电层和贯通孔开口部的步骤；(γ)从第二面供给光交联性树脂层除去液，除去第一面的贯通孔上和贯通孔周边部的光交联性树脂层，露出第一面的贯通孔周边部的导电层的步骤；(δ)对第一面的光交联性树脂层进行图案曝光，将其光交联硬化为图案状的步骤；(ε)在第二面形成光交联性树脂层和掩模层，用光交联性树脂层和掩模层覆盖第二面的导电层和贯通孔开口部的步骤；(ζ)除去第一面的掩模层的步骤；(η)从第一面供给光交联性树脂层除去液，除去第一面的未硬化光交联性树脂层和第二面的贯通孔上以及贯通孔周边部的光交联性树脂层，露出第一面上的导电层和第二面的贯通孔周边部的导电层的步骤；(θ)对第二面的光交联性树脂层进行图案曝光，将其光交联硬化为图案状的步骤；(ι)除去第二面的掩模层的步骤；(κ)从第二面供给光交联性树脂层除去液，除去第二面的未硬化的光交联性树脂层，露出第二面上的导电层的步骤；(λ)在贯通孔内壁和贯通孔周边部、第一面和第二面上露出的导电层上，形成蚀刻防止层的步骤；(μ)除去第一面和第二面上的光交联硬化后的光交联性树脂层，露出第一面和第二面上的导电层的步骤；(v)蚀刻并除去露出的导电层的步骤；(ξ)除去蚀刻防止层的步骤。

(22)根据所述(21)所述的电路基板的制造方法，其中：在(ε)步骤之前进行(ζ)步骤。

(23)根据所述(21)所述的电路基板的制造方法，其中：在(δ)步骤之前进行(ζ)步骤。

(24)根据所述(21)～(23)中的任意一项所述的电路基板的制造方法，其中：(η)步骤由(η1)从第一面供给光交联性树脂层除去液，除去第一面的未硬化光交联性树脂层，露出第一面上的导电层的步骤；(η2)从第一面供给光交联性树脂层除去液，除去第二面的贯通孔上和贯通孔周边部的光交联性树脂层，使第二面的贯通孔周边部的导电层露出的步骤构成；在(η1)步骤和(η2)步骤之间进行(ε)步骤。

本发明的抗蚀图的形成方法的效果

在本发明的抗蚀图的形成方法(1)中，在具有贯通孔的基板的单面(设为第一面)堵塞贯通孔地设置树脂层和掩模层，通过从相反面(设为第二面)供给的树脂层除去液，除去贯通孔上和贯通孔周边部的树脂层。

从第二面供给的树脂层除去液通过贯通孔到达第一面的树脂层，溶解除去贯通孔上和贯通孔周边部的树脂层。掩模层由对于该树脂层除去液，不溶性的成分构成，因此，树脂层除去液能正确并且有选择地精度良好地只除去树脂层的贯通孔上和贯通孔周边部。据此，能精度极好地形成只有贯通孔和贯通孔周边部在基板露出的树脂层，通过此后的步骤，能容易形成无连接盘或窄小连接盘宽度的图案。

在本发明的抗蚀图的形成方法(2)中，一体形成树脂层和掩模层，能简化步骤。此外，形成预先层叠树脂层和掩模层的薄膜，通过层压等方法，将它与基板一体形成，能简便地实现稳定性极高的抗蚀图形成方法。

在本发明的抗蚀图的形成方法(3)中，树脂层为光交联性树脂层。据此，除了贯通孔上和贯通孔周边部的树脂层的除去之外，基于基板表面的图案曝光的抗蚀图的形成成为可能，能简略进行此后的贯通孔和基板表面的电路图案形成步骤。

在本发明的抗蚀图的形成方法(4)中，具有贯通孔的基板为在表面和贯通孔内壁具有导电层的绝缘性基板，从而用于形成可靠性更高的电路基板的抗蚀图的形成成为可能。

基于半附加法的路板的制造方法

在本发明的路板的制造方法(5)中，在表面和贯通孔内壁具有第一导电层的绝缘性基板的第一面上形成光交联性树脂层和掩模层。然后，通过从第二面供给的光交联性树脂层除去液，除去贯通孔上和贯通孔周边部的光交联性树脂层。据此，不要对位，就能精度良好地使贯通孔和贯通孔周边部的第一导电层露出。此外，通过控制基于光交联性树脂层除去液的除去方法，能控制贯通孔上和贯通孔周边部的光交联性树脂层的除去状况，能控制贯通孔周边部的露出宽度。然后，对第一面的光交联性树脂层，进行图案曝光，使非电路部的光交联性树脂层硬化。接着，经过在第二面形成光交联性树脂层和掩模层的步骤、除去第一面的掩模层的步骤之后，从第一面供给光交联性树脂层除去液，除去第一面的未硬化光交联性树脂层和第二面的贯通孔上和贯通孔周边部的光交联性树脂层。这时，由于硬化后的光交联性树脂层不溶于光交联性树脂层除去液，所以基于硬化后的光交联性树脂层的抗蚀图形成在第一表面。第二面也同样，使贯通孔和贯通孔周边部精度良好地露出后，经过对第二面的光交联性树脂层进行图案曝光的步骤、除去第二面的掩模层的步骤、供给光交联性树脂层除去液并且除去第二面的未硬化光交联性树脂层的步骤，在第一面、第二面的两面能形成作为抗蚀镀层起作用的硬化后的光交联性树脂层构成的抗蚀图。接着，经过在露出的第一导电层上通过电解镀处理形成第二导电层的步骤、除去第一面和第二面的硬化光交联性树脂层的步骤、光刻除去露出的第一导电层的步骤，制造具有无连接盘或窄小连接盘宽度的电路基板。

在第一面和第二面的任意一面中，在对光交联性树脂层进行图案曝光的步骤之前，由于贯通孔和贯通孔周边部的第一导电层变为露出的状态，所以在图案曝光的步骤中，无论贯通孔周边部曝光，还是不曝光，都能确保良好的连接盘形状。即不进行对位，能精度良好并且可靠地形成无连接盘或窄小连接盘宽度，取得图案曝光时的对位的允许范围扩大的出众效果。

在本发明的抗蚀图的形成方法和电路基板的制造方法中，在具有掩模层的状态下的光交联性树脂层的除去步骤中，通过控制光交联性树脂层除去量，能任意调整连接盘宽度。此外，根据该方法，贯通孔周边部的连接盘如图46所示，成为具有均匀的宽度的连接盘。

这样，在本发明的抗蚀图的形成方法和电路基板的制造方法中，只在不需要对位的步骤中，就能形成对于贯通孔和贯通孔周边部，正确并且有选择地形成没有抗蚀镀层的状态，并且还具有能任意控制连接盘宽度的出众效果。

本发明的电路基板的效果

本发明的电路基板(9)是由本发明的电路基板的制造方法(5)～(8)制造的由在具有贯通孔的绝缘性基板的贯通孔周边部形成的连接盘部导电层、在绝缘性基板的表面构成电路布线的电路部导电层、贯通孔内壁的导电层构成的电路基板，与电路部导电层的非连结部的连接盘部导电层的外侧面的倾斜角度比90度小。此外，本发明的电路基板(10)～(14)分别是与电路部导电层的非连结部的连接盘部导电层的外侧面的倾斜角度是60～80度的所述(9)的电路基板；是由连接盘部导电层的外侧面构成的直径和开孔加工时的贯通孔的直径的差是0～80μm的(9)或(10)所述的电路基板；是与电路部导电层的非连结部的连接盘部导电层的外侧面的倾斜角度比电路部导电层的侧面的倾斜角度小的(9)～(11)中的任意一项所述的电路基板；是电路部导电层的侧面的倾斜角度大致是90度的(9)～(12)中的任意一项所述的电路基板；是连接盘部导电层对于贯通孔，形成同心圆状的(9)～(13)中的任意一项所述的电路基板。据此，能实现具有无连接盘或窄小连接盘宽度的连接盘的电路基板，并且能产生极良好地进行此后的阻焊剂的给予的效果。

即在电路基板中，为了锡焊所必要的焊盘以外的连接盘或电路部等不附着焊锡，此外，为了保持电路表面的绝缘性，保护导体图案，用阻焊剂覆盖基板表面，在贯通孔的内部填充阻焊剂。这时，由于连接盘部导电层顶端部的形状是比90度更大的钝角，所以不发生因为表面张力和阻焊剂的硬化收缩，阻焊剂的顶端部的厚度极端变薄的问题，进行良好的阻焊剂的给予。通常，为了取得良好的信号的传播速度，认为电路部导电层的截面形状是矩形好。在现有的电路基板的制造方法中，难以一边将电路部导电层的形状变为矩形，一边将连接盘部导电层的顶端部的形状变为钝角，但是在本发明的电路基板中，电路部导电层的截面形状为矩形，即电路部导电层的侧面的倾斜角度保持大致90度，连结盘导电层的顶端部的形状变为钝角，即连接盘部导电层的外侧面的倾斜角度比90度小。据此，不仅是具有无连接盘或窄小连接盘宽度的电路基板，还能产生避免因为表面张力和阻焊剂的硬化收缩，连接盘部的阻焊剂的厚度极端变薄的问题的效果。

基于本发明的消去法的电路基板的制造方法1的效果

在本发明的电路基板的制造方法(15)中，准备在具有贯通孔的绝缘性基板的第一面和与第一面相反一侧的第二面以及贯通孔内壁具有导电层的绝缘性基板。接着，在第一面形成第一树脂层和掩模层，用第一树脂层和掩模层覆盖第一面的导电层和贯通孔开口部。接着，从第二面供给第一树脂层除去液，除去第一面的贯通孔上和贯通孔周边部的第一树脂层，露出第一面的贯通孔周边部的导电层。

据此，不要对位，就能精度良好地使贯通孔和贯通孔周边部的导电层露出。此外，通过控制基于第一树脂层除去液的除去条件，能控制贯通孔上和贯通孔周边部的第一树脂层的除去状况，能将贯通孔周边部的导电层的露出宽度控制在所希望的值。

然后，对第一面的第一树脂层进行对第二树脂层除去液的耐性化处理。据此，对以后进行处理的第二树脂层除去液，第一面的第一树脂层不受影响，能维持已经形成的良好的开口状况。然后，除去第一面的掩模层，在第二面形成第二树脂层和掩模层，用第二树脂层和掩模层覆盖第二面的导电层和贯通孔开口部。

接着，从第一面供给第二树脂层除去液，除去第二面的贯通孔上和贯通孔周边部的第二树脂层，露出第二面的贯通孔周边部的导电层。据此，对已经形成的对第一面的第一树脂层的良好的开口状况不产生影响，在第二面，也不要对位，就能精度良好地使贯通孔和贯通孔周边部的导电层露出。此外，通过控制基于第二树脂层除去液的除去条件，能控制贯通孔上和贯通孔周边部的第二树脂层的除去状况，能将贯通孔周边部的导电层的露出宽度控制在所希望的值。

然后，除去第二面的掩模层，制作除去贯通孔内和第一面以及第二面的贯通孔周边部的树脂层，使其开口的基板(以下，称作带树脂的开口基板)。包含该步骤，通过进行适宜组合孔掩埋墨水步骤、导电性墨水填充步骤、电沉积步骤、金属镀步骤、抗蚀剂形成步骤、蚀刻步骤的一系列的步骤，能制造具有均匀且任意的宽度的连接盘的贯通孔的电路基板。

在本发明的电路基板的制造方法(16)中，通过(15)的方法，制造带树脂开口基板，在该基板上露出的导电层上形成蚀刻防止层。据此，在贯通孔内壁和贯通孔周边部能稳定地形成蚀刻防止层。在表面的布线图案的形成之外，另外进行对贯通孔内壁和贯通孔周边部的蚀刻防止层的形成，由此，能对贯通孔内壁和贯通孔周边部的导电层形成必要的充分的蚀刻防止层，保证贯通孔的导通可靠性和构造上的强度。此外，在用于表面的布线图案的形成的蚀刻防止层中，由于能配合电路基板的要求质量来选择厚度等，所以能良好地形成表面的布线图案。

然后，除去第一树脂层和第二树脂层之后，在第一面和第二面的表面形成用于形成布线图案的光交联性树脂层。接着，对第一面和第二面的光交联性树脂层进行图案曝光，使其光交联硬化为图案状。然后，除去第一面和第二面的未硬化的光交联性树脂层，将导电层露出为图案状，通过蚀刻液蚀刻除去第一面和第二面的露出的导电层，然后，除去贯通孔内和贯通孔周边部的蚀刻防止层和第一面以及第二面的光交联硬化后的光交联性树脂层。通过该步骤，能够以消去法，良好地制造具有均匀、任意宽度的连接盘的贯通孔的电路基板。此外，可以在基板的准备阶段将导电层的厚度设定为所希望的厚度，能确保充分的厚度的铜电路厚度，能制作包含具有可靠性的布线图案的电路基板。

在第一面和第二面的任意一面上，在对光交联性树脂层进行图案曝光的步骤之前，由于贯通孔和贯通孔周边部的导电层成为形成有蚀刻防止层的状态，所以在图案曝光的步骤中，无论贯通孔周边部曝光，还是不曝光，都能确保良好的连接盘形状。即不对位，就能以高精度可靠地形成无连接盘或窄小连接盘宽度，带来图案曝光时的对位的允许范围扩大的出众效果。

在本发明的电路基板的制造方法(17)中，第一树脂层和第二树脂层为光交联性树脂层，耐性化处理是曝光处理，能有效利用已经存在的设备，制造电路基板。

在本发明的电路基板的制造方法(18)中，通过图案镀，将不溶于蚀刻液的金属层形成为布线部分，金属层作为良好的蚀刻防止层起作用，接着通过蚀刻，形成良好的布线图案。

在本发明的电路基板的制造方法(19)中，在进行第一树脂层的耐性化处理之前，除去第一面的掩模层。据此，在第一树脂层的除去步骤之后，有必要追加进行贯通孔内的洗净或干燥等处理时，或者对耐性化处理，掩模层有可能带来不良影响时，除去基于掩模层的不稳定要素。

在本发明的电路基板的制造方法(20)中，在第二面的第二树脂层和掩模层的形成之后，进行第一掩模层的除去。据此，在第二面形成第二树脂层和掩模层时，在第一面有可能存在接触引起的损伤或异物附着等的情况下，第一面的掩模层也起到保护的作用。

在本发明的电路基板的制造方法(15)～(20)中，有效利用已经存在的制造设备，不必导入新的设备，即使是消去法等简便的方法，也能在贯通孔和贯通孔周边部正确并且稳定地形成蚀刻防止层，并且具有连接盘宽度也能任意控制的出众效果。此外，以往，为了遮蔽，必须变为厚膜的蚀刻防止层也能薄膜化，对优质图案的形成也产生有利的效果。

基于本发明的消去法的电路基板的制造方法2的效果

在本发明的电路基板的制造方法(21)中，在表面和贯通孔内壁具有导电层的绝缘性基板的第一面形成光交联性树脂层和掩模层。然后，通过从第二面供给的光交联性树脂层除去液，除去贯通孔上和贯通孔周边部的光交联性树脂层。据此，不要对位，就能精度良好地将贯通孔和贯通孔周边部的第一导电层露出。此外，通过变更基于光交联性树脂层除去液的除去条件，能改变贯通孔上和贯通孔周边部的光交联性树脂层的除去量，能控制贯通孔周边部的露出宽度。然后，对于第一面的光交联性树脂层，进行图案曝光，使非电路部的光交联性树脂层光交联硬化。接着，经过在第二面形成光交联性树脂层和掩模层的步骤、除去第一面的掩模层的步骤之后，从第一面供给光交联性树脂层除去液，除去第一面的未硬化光交联性树脂层和第二面的贯通孔上以及贯通孔周边部的光交联性树脂层。这时，由于光交联硬化后的光交联性树脂层在光交联性树脂层除去液中是不溶性或难溶性，所以光交联硬化后的光交联性树脂层在第一面表面形成为图案状。第二面也同样，精度良好地使贯通孔和贯通孔周边部的导电层露出后，经过对第二面的光交联性树脂层进行图案曝光的步骤、除去第二面的掩模层的步骤、供给光交联性树脂层除去液并且除去第二面的光交联性树脂层的步骤，在第一面、第二面的两面，能将光交联硬化后的光交联性树脂层形成为图案状。接着，经过在露出的导电层上形成蚀刻防止层的步骤、除去第一面、第二面的光交联硬化后的光交联性树脂层的步骤、蚀刻除去露出的导电层的步骤、除去蚀刻防止层的步骤，制造具有无连接盘或窄小连接盘宽度的电路基板。

在第一面和第二面的任意一面，在将各自的面的光交联性树脂层进行图案曝光的步骤之前，各面的贯通孔周边部的导电层成为露出的状态，由于在接着的步骤中，通过蚀刻防止层可靠地保护，所以在图案曝光的步骤中，无论贯通孔周边部曝光，还是不曝光，都能确保良好的连接盘形状。即不对位，就能以高精度可靠地形成无连接盘或窄小连接盘宽度，带来图案曝光时的对位的允许范围扩大的出众效果。

在本发明的电路基板的制造方法(21)中，在具有掩模层的状态下的光交联性树脂层的除去步骤中，控制光交联性树脂层除去量，能任意调整连接盘宽度。此外，根据该方法，贯通孔周边部的连接盘就如图46所示，成为具有均一的宽度的连接盘。

在本发明的电路基板的制造方法(21)中，通过消去法，能良好地制造具有均一、任意宽度的连接盘的贯通孔的电路基板。在基板的准备阶段能将导电层的厚度设定为所希望的厚度，能确保充分的导电层厚度，能制作包含具有可靠性的布线图案的电路基板。

在本发明的电路基板的制造方法(22)中，在第二面的光交联性树脂层和掩模层的形成之前进行第一面的掩模层的除去。据此，在第二面形成光交联性树脂层和掩模层时，在不担心在第一面，接触引起的损伤或异物的附着情况下，在第二面的光交联性树脂层和掩模层的形成之前除去第一面的掩模层。

在本发明的电路基板的制造方法(23)中，在进行第一面的光交联性树脂层的图案曝光处理之前除去第一面的掩模层。在除去第一面的贯通孔上和贯通孔周边部的光交联性树脂层的步骤之后，有必要追加进行贯通孔内的洗净或干燥等处理的情况，或者在图案曝光时，掩模层有可能带来不良影响的情况，通过在图案曝光处理之前除去掩模层，从而能除去由掩模层带来的析像度的恶化等不安要素。

在本发明的电路基板的制造方法(24)中，在第一面的光交联性树脂层，在图案曝光后，除去第一面的未硬化光交联性树脂层之后，进行第二面的贯通孔上和贯通孔周边部的光交联性树脂层的除去。据此，关于第一面的未硬化光交联性树脂层的除去处理条件和第二面的贯通孔上和贯通孔周边部的光交联性树脂层的除去处理条件，没有满足两者的除去处理条件时，作为不同的步骤，将各自的除去处理条件选择最佳的条件，能良好地进行处理。

这样，在本发明的电路基板的制造方法(21)～(24)中，有效利用已经存在的制造设备，不必导入新的设备，通过消去法，在贯通孔和贯通孔周边部和表面的布线图案部正确并且稳定地形成蚀刻防止层，并且具有连接盘宽度能任意控制的出众效果。能实现现有不导入用于粉末电沉积的显影装置等新的设备就无法实现的效果，能避免粉末异常电沉积等引起的缺陷发生的危险性。此外，现有技术中，为了遮蔽，必须变为厚膜的蚀刻防止层也能薄膜化，产生对优质图案的形成也有利的效果。

附图说明

图1是表示本发明的方法的一个步骤的剖视图。

图2是表示本发明的方法的接着图1的步骤的剖视图。

图3是表示本发明的方法的接着图2的步骤的剖视图。

图4是表示本发明的方法的接着图3的步骤的剖视图。

图5是表示本发明的方法的接着图4的步骤的剖视图。

图6是表示本发明的方法的接着图5的步骤的剖视图。

图7是表示本发明的方法的接着图6的步骤的剖视图。

图8是表示本发明的方法的接着图7的步骤的剖视图。

图9是表示本发明的方法的接着图8的步骤的剖视图。

图10是表示本发明的方法的接着图9的步骤的剖视图。

图11是表示本发明的方法的接着图10的步骤的剖视图。

图12是表示本发明的方法的接着图11的步骤的剖视图。

图13是表示本发明的方法的接着图12的步骤的剖视图。

图14是表示本发明的方法的接着图13的步骤的剖视图。

图15是表示本发明的方法的接着图14的步骤的剖视图。

图16是表示本发明的方法的接着图15的步骤的剖视图。

图17是表示本发明的方法的接着图16的步骤的剖视图。

图18是表示本发明的方法的接着图17的步骤的剖视图。

图19是表示本发明的方法的接着图18的步骤的剖视图。

图20是表示本发明的方法的接着图19的步骤的剖视图。

图21是表示本发明的方法的接着图20的步骤的剖视图。

图22是表示本发明的方法的接着图21的步骤的剖视图。

图23是表示本发明的方法的接着图22的步骤的剖视图。

图24是表示本发明的方法的接着图23的步骤的剖视图。

图25是表示本发明的方法的接着图24的步骤的剖视图。

图26是表示本发明的方法的接着图25的步骤的剖视图。

图27是表示本发明的方法的接着图26的步骤的剖视图。

图28是表示本发明的方法的接着图27的步骤的剖视图。

图29是表示本发明的方法的接着图28的步骤的剖视图。

图30是表示本发明的方法的接着图29的步骤的剖视图。

图31是表示本发明的方法的接着图30的步骤的剖视图。

图32是表示本发明的方法的接着图31的步骤的剖视图。

图33是表示本发明的方法的接着图32的步骤的剖视图。

图34是表示本发明的方法的接着图33的步骤的剖视图。

图35是表示本发明的方法的接着图34的步骤的剖视图。

图36是表示本发明的方法的接着图35的步骤的剖视图。

图37是表示本发明的方法的接着图36的步骤的剖视图。

图38是表示本发明的方法的接着图37的步骤的剖视图。

图39是表示本发明的方法的接着图38的步骤的剖视图。

图40是表示本发明的电路基板的孔连接盘部的平面图。

图41是图40的线B部分的剖视图。

图42是图40的线C部分的剖视图。

图43是表示本发明的方法的开孔加工时的贯通孔孔径、镀加工时的贯通孔孔径和光交联性树脂层除去部的直径的剖视图。

图44是表示本发明的电路基板的孔连接盘部的剖视图。

图45是表示多层电路基板的一个例子的概略剖视图。

图46是表示贯通孔和连接盘的概略平面图。

图47是表示基于半附加法的电路基板的制造方法的一个步骤的剖视图。

图48是表示基于半附加法的电路基板的制造方法的接着图47的步骤的剖视图。

图49是表示基于半附加法的电路基板的制造方法的接着图48的步骤的剖视图。

图50是表示基于半附加法的电路基板的制造方法的接着图49的步骤的剖视图。

图51是表示基于半附加法的电路基板的制造方法的接着图50的步骤的剖视图。

图52是表示基于半附加法的电路基板的制造方法的接着图51的步骤的剖视图。

图53是表示基于半附加法的电路基板的制造方法的接着图52的步骤的剖视图。

图54是在附加法使用现有技术即光交联型干膜光刻胶的电路基板的制造方法中，表示曝光步骤的截面图。

图55是表示贯通孔和连接盘的位置偏移的概略图。

图56是在使用现有技术即光交联型干膜光刻胶的电路基板的制造方法中，表示曝光步骤的截面图。

图57是表示使用现有技术即光交联型光刻胶的电路基板的制造方法的一个步骤的截面图。

图58是表示贯通孔和光掩模遮光部的位置偏移的概略图。

具体实施方式

以下，详细说明本发明的抗蚀图的形成方法、电路基板的制造方法和电路基板。

抗蚀图的形成方法

在本发明的抗蚀图的形成方法中，如图4所示，在具有贯通孔3的基板的单面(第一面)堵塞贯通孔3地设置第一树脂层21和第一面的掩模层6，通过从与第一面相反的第二面供给的树脂层除去液，除去第一面的贯通孔3上和贯通孔3周边部的树脂层(图5)。

基于半附加法的电路基板的制造方法

在本发明的电路基板的制造方法(5)中，如以下那样在两面依次形成抗蚀图，通过半附加法，制造电路基板。作为抗蚀图的形成方法，利用本发明的(1)～(4)中的任意一个。

首先，在绝缘性基板1(图1)形成贯通孔3(图2)。接着，在绝缘性基板1的表面的和贯通孔3的内壁设置第一导电层12(图3)。然后，在第一面，遮蔽贯通孔3地设置第一面的光交联性树脂层25(图4)。这时，在光交联性树脂层25上，与光交联性树脂层25接触，形成掩模层6。接着，从位于与第一面相反一侧的第二面供给光交联性树脂层除去液，溶解除去第一面的贯通孔3上和贯通孔周边部的光交联性树脂层25(图5)。调整除去液的种类和浓度、除去处理的时间和温度，在使用喷射的情况，调整除去液的喷射压力、喷出量等除去处理的条件，能调整贯通孔3上和贯通孔周边部的光交联性树脂层25的除去量，能控制第一导电层12的露出宽度。因此，从无连接盘到窄小连接盘、宽大连接盘，此后的连接盘宽度的控制成为可能。在必要的情况，进行洗净、干燥，然后，对第一面的光交联性树脂层25进行图案曝光。通过该图案曝光，使非电路部的光交联性树脂硬化(图6)。

用与对第一面实施的方法同样的方法，在第二面也形成第二面的光交联性树脂层26和第二面的掩模层7(图7)。除去第一面的掩模层6之后(图8)，再度进行基于光交联性树脂层除去液的处理。至少由第一面供给除去液，溶解除去第一面的未硬化光交联性树脂层25，并且通过贯通孔3，溶解除去第二面的贯通孔3上和贯通孔3周边部的光交联性树脂层26(图9)。这时，与第一面的处理同样，能调整第二面的贯通孔3上和贯通孔3周边部的光交联性树脂层26的除去量，能控制第一导电层12的露出宽度。必要的情况，进行洗净、干燥，然后，对第二面的光交联性树脂层26进行图案曝光，使非电路部的光交联性树脂硬化(图10)。

第一面的掩模层6的除去如果是第一面的贯通孔3上和贯通孔3周边部的光交联性树脂层25的除去步骤之后，就也可以在第二面的光交联性树脂层26和掩模层7的形成以前进行。在第二面的光交联性树脂层26和掩模层7的形成时，在第一面的损伤、污染的可能性的情况下，在第二面的光交联性树脂层26和掩模层7的形成之后进行第一面的掩模层6的除去时能通过掩模层6保护图案曝光后的第一面，所以是优选。而在第一面的贯通孔3上和贯通孔3周边部的光交联性树脂层25的除去步骤之后，除去掩模层6后，能进行干燥、曝光等。还可以在除去第一面的未硬化光交联性树脂层之后，进行第二面的光交联性树脂层26和掩模层的形成，接着，除去第二面的贯通孔3上和贯通孔3周边部的光交联性树脂层。

除去图案曝光后的第二面的掩模层7之后(图11)，进行基于光交联性树脂层除去液的处理。至少由第二面供给除去液，溶解除去第二面的表面的未硬化光交联性树脂层26(图12)。

据此，在第一面、第二面的两面，能形成作为抗蚀镀层起作用的由硬化后的光交联性树脂27、28构成的抗蚀图。接着，在露出的第一导电层12上，通过电解镀处理，形成第二导电层13(图13)，然后，除去第一面和第二面的光交联硬化后的光交联性树脂层27、28(图14)，通过光刻一直露出的第一导电层12，能制造具有无连接盘或窄小连接盘宽度的电路基板(图15)。

电路基板

图40是表示本发明的电路基板(9)的连接盘部和电路部的平面概略图。本发明的电路基板(9)由本发明的电路基板的制造方法(5)～(8)制造。本发明的连接盘部导电层是形成连接盘的导电层，是图40中的符号“18”所表示的区域。此外，本发明的电路部导电层是构成在贯通孔3、连接盘以外的表面形成的布线的导电层，是由图40中的符号“19”所表示的区域。

此外，本发明的连接盘的与电路部导电层19的非连结部是连接盘部导电层18中与电路部导电层19不接触的区域。

使用图40～图42，以下说明本发明的连接盘部导电层18的外侧面的倾斜角度和电路部导电层19的侧面的倾斜角度。

图41(a)是图40的线B的概略剖视图，图42(a)是图40的线C的概略剖视图。图41(a)表示连接盘的与电路部导电层的非连结部的连接盘部导电层18的截面，连接盘部导电层18的外侧面的倾斜角度X是将连接盘部导电层顶端部18a和连接盘部导电层底端部18b连接的线段和绝缘性基板1的表面所成的角度，意味着夹着导电层一侧的角度。这里，连接盘部导电层底端部18b如图41(a)所示，是连接盘部导电层18与绝缘性基板1接触的面的外周轮廓部分。

图42(a)表示电路部导电层19的截面，电路部导电层19的侧面的倾斜角度Y是连接电路部导电层顶端部19a和电路部导电层底端部19b的线段和绝缘性基板1的表面所成的角度，意味着夹着导电层一侧的角度。这里，电路部导电层底端部19b如图42(a)所示，是电路部导电层19与绝缘性基板1接触的面的轮廓部分。

另外，在图41中，除了连接盘部导电层18的外侧面的倾斜角度X比90度小的情况(图41(a))之外，为了比较，表示连接盘部导电层18的外侧面的倾斜角度X大致为90度的情况(图41(b))、连接盘部导电层18的外侧面的倾斜角度X比90度更大的情况(图41(c))的连接盘部导电层18的截面。此外，在图42中，除了电路部导电层19的侧面的倾斜角度Y大致为90度的情况(图42(a))之外，为了比较，表示电路部导电层19的侧面的倾斜角度Y比90度更大的情况(图42(b))、电路部导电层19的侧面的倾斜角度Y比90度小的情况(图42(c))的电路部导电层19的截面。另外，这里，“大致90度”是指85～95度。

通常，电路部导电层19的截面形状为了取得良好的信号的传播速度，认为矩形好，但是在以往的电路基板的制造方法中，难以一边将电路部导电层19的形状变为矩形，一边变更连接盘部导电层18的顶端部的形状。在本发明的电路基板中，电路部导电层19的截面形状为矩形，即电路部导电层19的侧面的倾斜角度为大致90度，如图41(a)所示，对于贯通孔3，以同心圆状连续，在贯通孔3周边部形成的、连接盘部导电层18的与电路部导电层的非连结部的外侧面的倾斜角度X比90度小。

即本发明的电路基板是连接盘部导电层18的外侧面的倾斜角度X和电路部导电层19的侧面的倾斜角度Y不同，电路部导电层19的侧面的倾斜角度Y是大致90度，连接盘部导电层18的外侧面的倾斜角度X比90度小的电路基板。通过采用这样的电路基板的连接盘部导电层18和电路部导电层19的截面形状，不发生因为表面张力和阻焊剂的硬化收缩，阻焊剂的顶端部的厚度极端变薄的问题，具有能进行良好的阻焊剂的给予的好效果，能良好地保持电路部导电层19的信号的传播速度。连接盘部导电层18的外侧面的倾斜角度X理想的是30度～80度的范围，更优选是60度～80度的范围。

连接盘部导电层18的外侧面的倾斜角度X除了根据基于电解镀的镀层厚度之外，还根据光交联性树脂层的膜厚、基于光交联性树脂层除去液的光交联性树脂层的除去条件，而变化。例如，如果光交联性树脂层的除去条件相同，基于电解镀的镀层厚度越厚，连接盘部导电层18的外侧面的倾斜角度X越减小。此外，如果光交联性树脂层的除去条件相同，光交联性树脂层的膜厚越厚，连接盘部导电层18的外侧面的倾斜角度X越减小。可是，光交联性树脂层的除去条件的最优化对使连接盘部导电层18的外侧面的倾斜角度X较小也是有效的。如果增大基于光交联性树脂层除去液的除去，扩大连接盘宽度，连接盘部导电层18的外侧面的倾斜角度就增大，向接近90度的方向变化，越是形成更窄的连接盘宽度的条件，连接盘部导电层18的外侧面的倾斜角度X就越小。如上所述，调整除去液的种类和浓度、除去处理的时间和温度，在使用喷射的情况，调整除去液的喷射压力、喷出量等除去处理的条件，来控制光交联性树脂层的除去量。通过本发明的电路基板的制造方法，形成无连接盘或窄小连接盘宽度，由此取得具有良好的连接盘部导电层18的外侧面的倾斜角度的电路基板。虽然在本发明的电路基板的制造方法中，树脂层或光交联性树脂层的除去条件依存于这些树脂层的厚度，但是，例如光交联性树脂层的厚度是20～30μm的情况，优选的除去条件是作为除去液，使用1质量％的碳酸钠溶液，除去温度30℃，处理时间20～60秒，喷射压力0.1～0.3MPa。

基于消去法的电路基板的制造方法1

在本发明的电路基板的制造方法(15)中，如下所述，在两面依次形成抗蚀图，通过消去法，制造电路基板。作为抗蚀图的形成方法，使用本发明的(1)～(4)中的任意一个。首先，准备图3所示的在具有贯通孔3的绝缘性基板1的第一面和与第一面相反一侧的第二面以及贯通孔3内壁具有导电层12的绝缘性基板。接着，在第一面形成第一树脂层21和掩模层6，用第一树脂层21和掩模层6覆盖第一面的导电层12和贯通孔3开口部(图4)。然后，通过从与第一面相反一侧的面(第二面)供给的第一树脂层除去液，除去第一面的贯通孔3上和贯通孔3周边部的第一树脂层21(图5)。这时，能调整第一面的贯通孔3上和贯通孔3周边部的第一树脂层21的除去量，能控制导电层12的露出宽度。然后，对第一树脂层21进行耐性化处理，形成耐性化处理后的第一树脂层23，给予对接着的第二树脂层除去液的耐性(图16)。

用与对第一面进行的方法同样的方法，在第二面也形成第二树脂层22和掩模层7(图17)。除去第一面的掩模层6之后(图18)，从第一面供给除去液，通过贯通孔3，溶解除去第二面的贯通孔3上和贯通孔3周边部的第二树脂层22(图19)。这时，与第一面的处理同样，能调整第二面的贯通孔3上和贯通孔3周边部的第二树脂层22的除去量，能控制导电层12的露出宽度。在必要的情况，进行洗净、干燥，然后，进行第二面的掩模层7的除去(图20)。据此，能制作将开口宽度控制在所希望的宽度的带树脂的开口基板，然后，用适宜组合孔掩埋墨水步骤、导电性墨水填充步骤、电沉积步骤、金属镀步骤、抗蚀剂形成步骤、蚀刻步骤的一系列的步骤，能制造具有无连接盘或窄小连接盘宽度的孔的电路基板。此外，对以后步骤的处理液侵入第二树脂层和/或第一树脂层时，按照需要，通过对第二树脂层和/或第一树脂层分别进行耐性化处理，能给予对以后的步骤的耐性(图21)。

另外，第一面的掩模层6的除去可以在实施第一树脂层的耐性化处理之前，或者也可以在第二面的第二树脂层和掩模层的形成之后进行。据此，能期待除去掩模层引起的不稳定要素，第一面的掩模层6也能够实现保护的任务的效果。

在本发明的电路基板的制造方法(16)中，用本发明的电路基板的制造方法(15)制作带树脂开口基板之后，通过消去法，制造电路基板。

在带树脂开口基板的露出的导电层上形成蚀刻防止层14(图22)。然后，在除去第一面和第二面的树脂层(图23)之后，在第一面和第二面形成光交联性树脂层29(图24)。接着，进行图案曝光，光交联硬化为图案状(图25)。这时，由于连接盘部已经由蚀刻防止层14保护，所以没必要将连接盘部曝光。接着，通过显影处理，除去未硬化部，形成由光交联硬化后的光交联性树脂层30构成的蚀刻防止层(图26)。

接着，通过蚀刻处理，除去导电层12中露出的部分(图27)。最后，除去贯通孔3部的蚀刻防止层14和表面的光交联硬化后的光交联性树脂层30构成的蚀刻防止层，制造电路基板(图28)。

基于消去法的电路基板的制造方法2

在本发明的电路基板的制造方法(21)中，如以下那样，在两面依次形成抗蚀图，通过消去法，制造电路基板。作为抗蚀图的形成方法，使用本发明的(1)～(4)中的任意一个。首先，准备图3所示的在具有贯通孔3的绝缘性基板1的第一面和与第一面相反一侧的第二面以及贯通孔3内壁具有导电层12的绝缘性基板。然后，在第一面，遮蔽贯通孔3地设置光交联性树脂层25(图4)。这时，在光交联性树脂层25上，与光交联性树脂层25接触，形成掩模层6。接着，从位于与第一面相反一侧的第二面供给光交联性树脂层除去液，溶解除去第一面的贯通孔3上和贯通孔3周边部的光交联性树脂层25(图5)。调整除去液的种类和浓度、除去处理的时间和温度，在使用喷射的情况，调整除去液的喷射压力、喷出量等除去处理的条件，能调整贯通孔3上和贯通孔3周边部的光交联性树脂层25的除去量，能控制导电层的露出宽度。因此，从无连接盘到窄小连接盘、宽大连接盘，连接盘宽度的控制成为可能。在必要的情况，进行洗净、干燥，然后，对第一面的光交联性树脂层25进行图案曝光。通过该图案曝光，使非电路部的光交联性树脂光交联硬化(图29)。

用与对第一面实施的方法同样的方法，在第二面也形成第二面的光交联性树脂层26和掩模层7(图30)。除去第一面的掩模层6之后(图31)，再次进行基于光交联性树脂层除去液的处理。至少从第一面供给光交联性树脂层除去液，溶解除去第一面表面的未硬化的光交联性树脂层25，并且通过贯通孔3，溶解除去第二面的贯通孔3上和贯通孔3周边部的光交联性树脂层26(图32)。这时，与第一面的处理同样，能调整第二面的贯通孔3上和贯通孔3周边部的光交联性树脂层26的除去量，能控制导电层12的露出宽度。必要的情况，进行洗净、干燥，然后，对第二面的光交联性树脂层26进行图案曝光，使非电路部的光交联性树脂光交联硬化(图33)。

第一面的掩模层6的除去如果是除去第一面的贯通孔3上和贯通孔3周边部的光交联性树脂层之后，则也可以在将第一面的光交联性树脂层25图案曝光之前或者第二面的光交联性树脂层26和掩模层的形成以前进行。在第二面的光交联性树脂层26和掩模层的形成时，具有第一面的损伤、污染的可能性时，在第二面的光交联性树脂层26和掩模层的形成之后进行第一面的掩模层6的除去时能通过掩模层保护图案曝光后的第一面，所以优选。而在来自第二面的光交联性树脂层除去液的处理之后，除去第一面的掩模层6后，能进行干燥、曝光等。还可以除去第一面的未硬化光交联性树脂层之后，进行第二面的光交联性树脂层和掩模层的形成，接着，除去第二面的贯通孔3上和贯通孔3周边部的光交联性树脂层。

除去图案曝光后的第二面的掩模层7之后(图34)，进行基于光交联性树脂层除去液的处理。至少从第二面供给光交联性树脂层除去液，溶解除去第二面表面的未硬化光交联性树脂层26(图35)。

据此，在第一面、第二面的两面，能将光交联硬化后的光交联性树脂层27、28形成图案状。接着，在露出的第一导电层12上，形成蚀刻防止层14(图36)，然后，通过除去第一面和第二面的光交联硬化后的光交联性树脂层27、28(图37)，蚀刻露出的第一导电层12，形成基于导电层的电路图案(图38)。除去蚀刻防止层14，制造电路基板。

材料和步骤

作为本发明的(第一)树脂层和第二树脂层(以下，合称作“树脂层”)，如果是通过(第一)树脂层除去液和第二树脂层除去液(以下，合称作“树脂层除去液”)，能溶解除去的树脂，就没有特别限定。能利用丙烯酸树脂、醋酸乙烯树脂、氯乙烯树脂、氯亚乙烯树脂、聚乙烯醇缩丁醛等乙烯缩醛树脂、聚苯乙烯、聚乙烯、聚丙烯及其氯化物、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚间苯二甲酸酯等聚脂树脂、聚酰胺树脂、乙烯变性醇酸树脂、酚醛树脂、二甲苯树脂、聚酰亚胺树脂、环氧树脂、明胶、羧甲基纤维素等纤维素脂衍生物等的电介质的树脂。此外，以下描述的光交联性树脂层也能作为树脂层使用。这些树脂即使是相同种类的树脂，根据该树脂中包含的官能团的种类或量、分子量的不同，溶解性变化。

使用碱水溶液作为树脂层除去液时，通过将对碱水溶液的溶解性高的树脂作为树脂层使用，由此通过树脂层除去液，溶解除去成为可能。将碱水溶液作为除去液使用时，作为树脂层，适合使用酸值为1mgKOH/g以上，更适合使用10mgKOH/g以上的树脂。将碱水溶液作为除去液使用时，作为树脂层，列举碳酸基、甲基丙烯酸胺、苯酚性羟基、磺酸基、磺酰胺基、磺醯亚胺基、含有具有磺酸基的单体的异分子聚合物、酚醛树脂、二甲苯树脂等。作为具体的例子，列举苯乙烯/马来酸单烷基脂异分子聚合物、甲基丙烯酸/甲基丙烯酸酯异分子聚合物、苯乙烯/甲基丙烯酸/甲基丙烯酸酯异分子聚合物、丙烯酸/甲基丙烯酸酯异分子聚合物、甲基丙烯酸/甲基丙烯酸酯/丙烯酸酯异分子聚合物、苯乙烯/甲基丙烯酸/丙烯酸酯异分子聚合物、苯乙烯/丙烯酸/甲基丙烯酸酯异分子聚合物、醋酸乙烯/丁烯酸异分子聚合物、醋酸乙烯/丁烯酸/甲基丙烯酸酯异分子聚合物、安息香酸乙烯/丙烯酸/甲基丙烯酸酯异分子聚合物等苯乙烯、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、醋酸乙烯、安息香酸乙烯和所述含碳素单体的异分子聚合物。这些树脂可以单独，或者也可以混合2种以上使用。此外，如果确保对除去液的溶解性，还能使用其他添加剂。

作为本发明的光交联性树脂层，例如，列举用于电路基板制造的光交联性干膜光刻胶。以下举例，但是只要与本发明的宗旨没有不同，就可以应用任何光交联性树脂层。例如，能使用包含碳酸基的聚合物粘合剂、光聚合性的多官能单体、光聚合开始剂、溶剂、其他添加剂构成的负片型的感光性树脂组成物。按照灵敏度、析像度、硬度、遮蔽性等要求的性质，决定它们的配合比率。这些例子在“光聚合物”(光聚合物畅谈会编，(株式会社)工业调查会，1989年)或“光聚合物技术”(山本亚夫、永松元太郎编，日刊工业报社，1988年)等中记载。作为市场销售品，例如能使用杜邦MRC干膜株式会社的リストン、日立化成工业株式会社的フオテツク、旭化成电子株式会社的サンフオ一ト。市场销售品成为光交联性树脂薄膜由聚酯等支承体薄膜和聚乙烯薄膜等保护膜夹着的状态。

作为本发明(15)的第一树脂层的耐性化处理，如果是通过该处理，对于第二树脂层除去液，变为不溶或难溶的状态的处理，就可以是任意的处理。基于光或热的硬化处理因为其简便性，所以适合使用。作为第一树脂层，能使用光交联性树脂层或热硬化性树脂。

在本发明(15)中，作为树脂层除去液，使用碱水溶液时，使用碱可溶性的树脂，并且给予光交联性的成分，由此使第一树脂层在第一树脂层除去液中溶解，在耐性化处理之后，在第二树脂层除去液不溶或难溶。此外，另一方面，通过给予环氧树脂等热硬化性成分，来热处理，进行耐性化处理，在耐性化处理之前，溶解于第一树脂层除去液，但是在耐性化处理之后，在第二树脂层除去液不溶或难溶。此外，第二树脂层除去液使用比第一树脂层除去液更低pH值的液体时，不进行第一树脂层的耐性化处理，对第二树脂层除去液，也能使第一树脂层不溶解。这时，也能不进行第一树脂层的耐性化处理。

本发明(15)的第二树脂层有必要是对于制造带树脂的开口基板之后的步骤的处理液，具有耐性的树脂。在必要的情况，进行光照射或热处理等耐性化处理。在蚀刻防止层的形成中使用图案镀时，使用对该镀液具有耐性的树脂。

作为本发明的掩模层，能使用对树脂层除去液或光交联性树脂层除去液，不溶性或难溶性的树脂或金属。作为树脂，能使用丙烯酸树脂、醋酸乙烯树脂、氯乙烯树脂、氯亚乙烯树脂、聚乙烯醇缩丁醛等乙烯缩醛树脂、聚苯乙烯、聚乙烯、聚丙烯及其氯化物、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚间苯二甲酸酯等聚脂树脂、聚酰胺树脂、乙烯变性醇酸树脂、酚醛树脂、二甲苯树脂、聚酰亚胺树脂、明胶、羧甲基纤维素等纤维素脂衍生物等的树脂。从通用性的观点出发，适合使用聚酯树脂、聚酰亚胺树脂等。作为金属，能使用铜或铝等。隔着掩模层进行与抗蚀图的形成有关的图案曝光时，为了对图案曝光没有障碍，使用具有光透过性的树脂。如果掩模层作为薄膜形状，与树脂层一体化，在基板上形成，步骤上就简便，且能稳定形成树脂层和掩模层，所以优选。作为光交联性树脂层，利用所述的干膜光刻胶时，能将支承体薄膜原封不动作为掩模层，所以优选。这些树脂即使是相同种类的树脂，根据该树脂中包含的官能团的种类或量、分子量的不同，溶解性变化。将碱水溶液作为树脂层除去液使用时，适合使用将这些树脂中对于碱水溶液的溶解性低的树脂作为掩模层使用，由此，对树脂除去液成为不溶性或难溶性。在将碱水溶液作为除去液使用的情况下，适当地使用掩模层的酸值是树脂层的酸值的1/10以下，优选是1/100以下的树脂。

作为本发明的树脂层除去液或光交联性树脂层除去液(以下，合称为“除去液”)，是能溶解或分散树脂层或光交联性树脂层的液体，使用与使用的树脂层或光交联性树脂层的组成相称的液体。通过除去液，除去贯通孔上或贯通孔周边部的树脂层或光交联性树脂层，在贯通孔上或贯通孔周边部形成不存在树脂层或光交联性树脂层的区域。贯通孔上的树脂层或光交联性树脂层的除去是指至少除去贯通孔的正上方的树脂层或光交联性树脂层的一部分，在贯通孔上形成开口部的状态。在树脂层或光交联性树脂层的开口部，这些树脂层上部的开口直径可以比贯通孔直径小。除去液无论是不溶解掩模层的液体，或者虽然是溶解掩模层的液体，但使用在将树脂层或光交联性树脂层只溶解适当量的条件下，掩模层不会膨润或者形状变化的液体。一般使用碱水溶液，例如能使用硅酸碱金属盐、碱金属氢氧化物、磷酸或碳酸碱金属盐、磷酸或碳酸铵盐等无机碱性化合物的水溶液、乙醇胺、乙二胺、丙二胺、三乙烯四氨、吗啉等有机盐基性化合物。这些水溶液为了控制对树脂层或光交联性树脂层的溶解性，必要调整浓度、温度、喷射压力等。除去液的供给如果按照从与具有掩模层的面相反的面通过贯通孔，除去液与树脂层或光交联性树脂层接触的方式供给，就可以使用任意的方式。能使用浸涂处理装置、两面喷淋喷射装置、单面喷淋喷射装置等。树脂层或光交联性树脂层的除去接着基于除去液的处理，通过进行水洗或酸处理，能迅速停止。

作为将本发明的树脂层或光交联性树脂层和掩模层一体形成的方法，适合使用通过层合机，将预先在成为掩模层的薄膜支承体形成树脂层或光交联性树脂层的干膜在基板积层的方法。

作为本发明的绝缘性基板，能使用纸基体材料的酚醛树脂或玻璃基体材料的环氧树脂的基板、聚酯薄膜、聚酰亚胺薄膜、液晶高分子薄膜等。作为导电层，能使用铜、银、金、铝、不锈钢、42合金、镍铬合金、钨、ITO、导电性高分子、各种金属络合物等。这些例子在“印刷电路技术便览”(社团法人日本印刷电路工业会编，日刊工业报社，1987年)中记载。

作为在本发明的绝缘性基板设置(第一)导电层的方法，有溅射法、蒸镀法、无电解镀法、在绝缘性基板粘贴金属箔等极薄导电层的方法、通过蚀刻处理将粘贴导电层的层叠板的导电层变为薄膜的方法。能单独或组合使用这些方法。在绝缘性基板开贯通孔后，能够在绝缘性基板的表面和贯通孔的内壁能设置(第一)导电层，此外，也可以在绝缘性基板表面设置(第一)导电层之后，开贯通孔，再度在表面和贯通孔的内壁设置(第一)导电层。此外，能通过对第一导电层的电解镀法，形成第二导电层。

本发明的无电解镀处理、电解镀处理例如能使用“印刷电路技术便览”(社团法人日本印刷电路工业会编，日刊工业报社，1987年)中记载的技术。

在本发明的电路基板的制造方法中，作为除去作为抗蚀镀层或蚀刻防止层使用的光交联硬化后的光交联性树脂层的方法，列举用高pH值的碱性水溶液、有机溶剂等来进行除去的方法。具体而言，能列举含氢氧化纳、氢氧化钾、间硅酸钠等的强碱水溶液，酒精、酮等有机溶剂。

在本发明的第一导电层的光刻中使用的蚀刻液是能溶液除去第一导电层12的溶液就可以。例如，能使用碱性铵、硫酸-过氧化氢、氯化铜、过硫酸盐、氯化铁等一般的蚀刻液。此外，作为装置或方法，例如能使用水平喷射蚀刻、浸渍蚀刻等装置或方法。它们的细节在“印刷电路技术便览”(社团法人日本印刷电路工业会编，日刊工业报社，1987年)中记载。

作为与本发明的电路基板的制造方法(16)和(21)有关的在导电层上形成蚀刻防止层14的方法，能使用电沉积的方法或镀的方法。导电层为铜，作为蚀刻防止层14，利用金属时，能使用金、锡、锡-铅类焊锡合金、镍、锡-镍合金、镍-金合金、银、锌、钯、钌、铑等。此外，可以使用电沉积树脂作为蚀刻防止层。这种情况下，为了使树脂能够电沉积，具有电荷，作为具体的例子，能使用聚酰亚胺类、环氧类、丙烯酸类、聚酯类、氟类、硅类等树脂乳化液。能使用保持的电荷为阴离子型，也可以是阳离子型的，作为阴离子型，列举羧基、磺酸基或它们的阴离子基等，作为阳离子型，列举氨基、其阳离子基、进而其第四级离子基等。

此外，通过激光直接描画、通过光掩模的紧贴曝光、近接式曝光、投影曝光等，进行本发明的图案曝光。作为光源，除了各种激光光源，还能使用超高压水银灯、高压水银灯、金属卤化物灯、氙气灯等。通过该图案曝光，使电路部或非电路部的光交联性树脂层光交联硬化。

本发明的基于消去法的电路基板的制造方法中使用的蚀刻液是能溶解除去导电层12的蚀刻液就可以。例如，能使用碱性铵等碱性蚀刻液、硫酸-过氧化氢、氯化铜、过硫酸氯、氯化铁等一般的蚀刻液。导电层为铜，在贯通孔部使用金属抗蚀镀层，在表面的布线图案部，将干膜光刻胶作为蚀刻防止层使用时，两者表现耐性，能良好地蚀刻铜。适合使用市场销售的碱性蚀刻液、过硫酸铵、过氧化氢/硫酸等。作为装置和方法，例如能使用水平喷射蚀刻、浸渍蚀刻等装置和方法。它们的细节在“印刷电路技术便览”(社团法人日本印刷电路工业会编，日刊工业报社，1987年)中记载。

在本发明的基于消去法的电路基板的制造方法中，作为蚀刻防止层，使用金属抗蚀镀层时，通过用于焊锡的剥离，在市场销售的硝酸类、硫酸类、胺类等酸类的处理液，能进行蚀刻防止层的除去。此外，将电沉积树脂作为蚀刻防止层使用时，能用碱性水溶液、有机溶剂等除去蚀刻防止层。

以下，通过实施例进一步详细说明本发明，但是本发明并不被限于该实施例。

实施例

基于半附加法的电路基板的制造方法的实施例

(实施例1)

对玻璃基体材料环氧树脂基板(面积340mm×510mm，基体材料厚度0.1mm)，使用钻加工机，形成0.1mmφ的贯通孔后，进行去表面去污处理，接着进行无电解镀处理，在包含贯通孔内壁的表面将厚度约0.5μm的无电解镀铜层作为第一导电层设置。使用干膜光刻胶用层合机，将由25μm的光交联性树脂层和12μm的掩模层(支承体薄膜，材料：聚酯)构成的电路形成用干膜光刻胶热压接在基板的单面(设为第一面)上，设置光交联性树脂层和掩模层(支承体薄膜)。

接着，使用1质量％的碳酸钠水溶液(30℃)的除去液，从基板的第二面一侧，以喷射压力0.2MPa进行32秒的喷淋喷射，溶解除去第一面的贯通孔上和贯通孔周边部的光交联性树脂层。用光学显微镜观察贯通孔和贯通孔周边部，以与贯通孔同心圆状，除去贯通孔周边部的光交联性树脂层。图19所示的关于贯通孔的各种参数是开孔加工时的贯通孔孔径L1＝100μm，镀加工时的贯通孔孔径L2＝99μm，光交联性树脂层除去部的直径L3＝139μm，光交联性树脂层上部的直径L4＝121μm。另外，光交联性树脂层除去部的直径L3测定光交联性树脂层与第一导电层接触的部分的开口直径，光交联性树脂层上部的直径L4测定光交联性树脂层与掩模层接触的部分的开口部。

将描画电路图案的光掩模(导体宽度和间隙：35μm)装载在基板的第一面，使用具有吸引紧贴机构的烘培用高压水银灯光源装置(ユニレツクURM300，ウシオ电机制造)，进行30秒的紫外线图案曝光。

接着，在曝光处理结束的基板的第二面，使用干膜光刻胶用层合机，将与第一面相同的电路形成用干膜光刻胶热压接，设置光交联性树脂层和掩模层。然后，剥离、除去第一面的掩模层。

接着，使用1质量％碳酸钠水溶液(30℃)的除去液，从基板的第一面侧，以喷射压力0.2MPa进行33秒的喷淋喷射，溶解除去第一面的光交联性树脂层的未硬化部分，并且溶解除去第二面的贯通孔上和贯通孔周边部的光交联性树脂层。用光学显微镜观察第二面的贯通孔和贯通孔周边部，以与贯通孔同心圆状，除去贯通孔周边部的光交联性树脂层。开孔加工时的贯通孔孔径L1＝100μm，镀加工时的贯通孔孔径L2＝99μm，光交联性树脂层除去部的直径L3＝139μm，光交联性树脂层上部的直径L4＝121μm。

将描画电路图案的光掩模(导体宽度和间隙：35μm)装载在基板的第二面，使用具有吸引紧贴机构的烘培用高压水银灯光源装置(ユニレツクURM300，ウシオ电机制造)，进行30秒的紫外线图案曝光。然后，剥离、除去第二面的掩模层。

接着，使用1质量％碳酸钠水溶液(30℃)的除去液，从基板的第二面一侧以喷射压力0.2MPa进行25秒的喷淋喷射，除去第二面的光交联性树脂层的部分。

观察第一面、第二面的由光交联性树脂层构成的抗蚀图，作为结果，在贯通孔和贯通孔周边部，以同心圆状，精度良好地露出第一导电层地形成抗蚀图，也良好地形成基板表面的抗蚀图。

接着，进行电解镀铜，在第一导电层上，将厚度约12μm的电解镀铜层作为第二导电层形成。接着，用3质量％的氢氧化钠水溶液处理，剥离除去作为蚀刻防止层使用的光交联性树脂层的交联部。

用硫酸-过氧化氢类的蚀刻液(三菱气化学制造，制品名CPE，30℃、喷射压力、0.2MPa)处理，除去露出的第一导电层。用光学显微镜观察取得的电路基板，连接盘与贯通孔形成同心圆状。图20所示的光刻后的贯通孔孔径L5＝76μm，连接盘直径L6＝138μm，连接盘宽度为19μm。能制造在电路基板没有断线，具有良好的窄小连接盘宽度的电路基板。此外，对该电路基板给予阻焊剂，即使在连接盘部导电层顶端部，也不发生阻焊剂的厚度极端变薄的问题，良好地进行阻焊剂的给予。

此外，进行该电路基板的截面的观察，详细进行连接盘直径的调查，作为结果，连接盘的底部(与绝缘性基板的接触面)的连接盘端部的连接盘直径L6是138μm，连接盘的顶部(连接盘部导电层的最高部分的轮廓)的连接盘顶端部的连接盘直径L7是129μm，连接盘部导电层的外侧面的倾斜角度是70度。此外，电路部导电层的截面形状是布线的顶部的线宽度、底部的线宽度都是34μm，电路部导电层的侧面的倾斜角度Y是90度。

(实施例2)

在实施例1中，溶解除去第一面和第二面的贯通孔上和贯通孔周边部的光交联性树脂层时，除了使用1质量％碳酸钠水溶液(30℃)的除去液的处理时间在第一面设定为26秒，在第二面设定为28秒以外，与实施例1同样进行电路基板的制作。

在第一面、第二面，分别用光学显微镜观察进行电解镀铜之前的贯通孔和贯通孔周边部，以与贯通孔同心圆状，除去贯通孔周边部的光交联性树脂层，开孔加工时的贯通孔孔径L1＝100μm，镀加工时的贯通孔孔径L2＝99μm，光交联性树脂层除去部的直径L3＝115μm，光交联性树脂层上部的直径L4＝86μm。

进行与实施例1同样的处理，用光学显微镜观察光刻之后取得的电路基板，连接盘以与贯通孔同心圆状除去，光刻后的贯通孔孔径L5＝76μm，连接盘直径L6＝114μm，连接盘宽度为7μm。能制造在电路基板没有断线，具有良好的窄小连接盘宽度的电路基板。此外，在该电路基板给予阻焊剂，即使在连接盘部导电层顶端部，也不发生阻焊剂的厚度极端变薄的问题，良好地进行阻焊剂的给予。

此外，进行该电路基板的截面的观察，详细进行连接盘直径的调查，作为结果，在连接盘的底部(与绝缘性基板的接触面)的在连接盘端部的连接盘直径L6是114μm，在连接盘的顶部(连接盘部导电层的最高部分的轮廓)的在连接盘顶端部的连接盘直径L7是100μm，连接盘部导电层的外侧面的倾斜角度X是60度。此外，电路部导电层的截面形状是布线的顶部的线宽度、底部的线宽度都是34μm，电路部导电层的侧面的倾斜角度Y是90度。

(实施例3)

在实施例1中，溶解除去第一面和第二面的贯通孔上和贯通孔周边部的光交联性树脂层时，除了使用1质量％碳酸钠水溶液(30℃)的除去液的处理时间在第一面、第二面都设定为50秒以外，与实施例1同样进行电路基板的制作。

在第一面、第二面，分别用光学显微镜观察进行电解镀铜之前的贯通孔和贯通孔周边部，以与贯通孔同心圆状，除去贯通孔周边部的光交联性树脂层，开孔加工时的贯通孔孔径L1＝100μm，镀加工时的贯通孔孔径L2＝99μm，光交联性树脂层除去部的直径L3＝149μm，光交联性树脂层上部的直径L4＝140μm。

进行与实施例1同样的处理，用光学显微镜观察光刻处理之后取得的电路基板，连接盘以与贯通孔同心圆状除去，光刻后的贯通孔孔径L5＝76μm，连接盘直径L6＝148μm，连接盘宽度为24μm。能制造在电路基板没有断线，具有良好的窄小连接盘宽度的电路基板。此外，在该电路基板给予阻焊剂，在连接盘部导电层顶端部，也不发生阻焊剂的厚度极端变薄的问题，良好地进行阻焊剂的给予。

此外，进行该电路基板的截面的观察，详细进行连接盘直径的调查，作为结果，在连接盘的底部(与绝缘性基板的接触面)的在连接盘端部的连接盘直径L6是148μm，在连接盘的顶部(连接盘部导电层的最高部分的轮廓)的在连接盘顶端部的连接盘直径L7是144μm，连接盘部导电层的外侧面的倾斜角度X是80度。此外，电路部导电层的截面形状是布线的顶部的线宽度、底部的线宽度都是34μm，电路部导电层的侧面的倾斜角度Y是90度。

(实施例4)

在实施例1中，使用由40μm的光交联性树脂层和12μm的掩模层(支承体薄膜，材料：聚酯)构成的电路形成用干膜光刻胶，溶解除去第一面和第二面的贯通孔上和贯通孔周边部的光交联性树脂层时，除了使用1质量％碳酸钠水溶液(30℃)的除去液的处理时间在第一面、第二面都设定为88秒以外，与实施例1同样进行电路基板的制作。

在第一面、第二面，分别用光学显微镜观察进行电解镀铜之前的贯通孔和贯通孔周边部，以与贯通孔同心圆状，除去贯通孔周边部的光交联性树脂层，开孔加工时的贯通孔孔径L1＝100μm，镀加工时的贯通孔孔径L2＝99μm，光交联性树脂层除去部的直径L3＝181μm，光交联性树脂层上部的直径L4＝166μm。

进行与实施例1同样的处理，用光学显微镜观察光刻处理之后取得的电路基板，连接盘以与贯通孔同心圆状除去，光刻后的贯通孔孔径L5＝76μm，连接盘直径L6＝180μm，连接盘宽度为40μm。能制造在电路基板没有断线，具有良好的窄小连接盘宽度的电路基板。此外，在该电路基板给予阻焊剂，在连接盘部导电层顶端部，也不发生阻焊剂的厚度极端变薄的问题，良好地进行阻焊剂的给予。

此外，进行该电路基板的截面的观察，详细进行连接盘直径的调查，作为结果，在连接盘的底部(与绝缘性基板的接触面)的在连接盘端部的连接盘直径L6是180μm，在连接盘的顶部(连接盘部导电层的最高部分的轮廓)的在连接盘顶端部的连接盘直径L7是176μm，连接盘部导电层的外侧面的倾斜角度X是80度。此外，电路部导电层的截面形状是布线的顶部的线宽度、底部的线宽度都是34μm，电路部导电层的侧面的倾斜角度Y是90度。

基于半附加法的电路基板的制造方法1的实施例

(实施例5)

使用具有厚度12μm的铜箔的200×200×0.1mm的贴铜层叠板，用钻形成多个0.1mm直径的贯通孔，实施无电解镀铜处理，在表面和贯通孔内壁形成约0.5μm厚度的无电解镀铜层。然后，进行电解镀铜处理，在孔内壁和贴铜层叠板的铜上形成厚度约12μm的电解镀铜层，准备在贯通孔内和表面具有导电层的绝缘性基板。

接着，使用干膜光刻胶用层合机，将由25μm的光交联性树脂层和12μm的掩模层(支承体薄膜，材料：聚酯)构成的电路形成用干膜光刻胶热压接在基板的单面(第一面)上，设置第一树脂层(光交联性树脂层)和掩模层(支承体薄膜)。

接着，使用1质量％的碳酸钠水溶液(30℃)的第一树脂层除去液，从基板的第二面一侧，以喷射压力0.2MPa进行50秒的喷淋喷射，溶解除去第一面的贯通孔上和贯通孔周边部的光交联性树脂层。用光学显微镜观察贯通孔和贯通孔周边部，以与贯通孔同心圆状，除去贯通孔周边部的光交联性树脂层。贯通孔周边部的铜露出部的外径是110μm。

接着，对第一面的第一树脂层，使用具有吸引紧贴机构的烘培用高压水银灯光源装置(ユニレツクURM300，ウシオ电机制造)，进行45秒的整面曝光，使整面光交联硬化，由此进行对接着的第二树脂层的耐性化处理。

接着，在曝光处理结束的基板的第二面，使用干膜光刻胶用层合机，将与第一面中使用的同样的电路形成用干膜光刻胶热压接，设置第二树脂层和掩模层。然后，剥离、除去第一面的掩模层。

接着，使用1质量％碳酸钠水溶液(30℃)的除去液，从基板的第一面，以喷射压力0.2MPa进行50秒的喷淋喷射，溶解除去第二面的贯通孔上和贯通孔周边部的第二树脂层。之后，进行第二面的掩模层的除去，制作带树脂开口基板。然后，用光学显微镜观察第二面的贯通孔和贯通孔周边部，以与贯通孔同心圆状，除去贯通孔周边部的光交联性树脂层。贯通孔周边部的铜露出部的外径是110μm。

(实施例6)

使用具有厚度12μm的铜箔的200×200×0.1mm的贴铜层叠板，用钻形成多个0.10mm直径的贯通孔，实施无电解镀铜处理，在表面和贯通孔内壁形成约0.5μm厚度的无电解镀铜层。

接着，使用干膜光刻胶用层合机，将由25μm的光交联性树脂层和12μm的掩模层(支承体薄膜，材料：聚酯)构成的电路形成用干膜光刻胶热压接在基板的单面(第一面)上，设置第一树脂层(光交联性树脂层)和掩模层(支承体薄膜)。

接着，使用1质量％的碳酸钠水溶液(30℃)的除去液，从基板的第二面一侧，以喷射压力0.2MPa进行32秒的喷淋喷射，溶解除去第一面的贯通孔上和贯通孔周边部的光交联性树脂层。用光学显微镜观察贯通孔和贯通孔周边部，以与贯通孔同心圆状，除去贯通孔周边部的光交联性树脂层。贯通孔周边部的铜露出的外径是140μm。

接着，对第一面的第一树脂层，使用烘培用高压水银灯光源装置(ユニレツクURM300，ウシオ电机制造)，进行45秒的整面曝光，使整面硬化，由此进行对接着的第二树脂层的耐性化处理。

接着，在曝光处理结束的基板的第二面，使用干膜光刻胶用层合机，将与第一面中使用的同样的电路形成用干膜光刻胶热压接，设置第二树脂层和掩模层。然后，剥离、除去第一面的掩模层。

接着，使用1质量％碳酸钠水溶液(30℃)的除去液，从基板的第一面，以喷射压力0.2MPa进行33秒的喷淋喷射，溶解除去第二面的贯通孔上和贯通孔周边部的第二树脂层。然后，进行第二面的掩模层的除去，制造带树脂的开口基板。用光学显微镜观察第二面的贯通孔和贯通孔周边部，以与贯通孔同心圆状，除去贯通孔周边部的光交联性树脂层。贯通孔周边部的铜露出部的外径是140μm。

接着，对第二面的第二树脂层，使用烘培用高压水银灯光源装置(ユニレツクURM300，ウシオ电机制造)，进行45秒的整面曝光，是整面光交联硬化，强化对接着的电解镀铜处理的耐性。

接着，实施电解镀铜处理，在孔内壁和表面的铜露出部形成厚度约12μm的电解镀铜层。制造不使表面的电路形成部的铜厚度变厚，增加孔内壁的铜厚度的带树脂的开口基板。

(实施例7)

使用具有厚度12μm的铜箔的200×200×0.1mm的贴铜层叠板，用钻形成多个0.10mm直径的贯通孔，实施无电解镀铜处理，在表面和贯通孔内壁形成约0.5μm厚度的无电解镀铜层。然后，实施电解镀铜处理，在孔内壁和贴铜层叠板的铜上形成厚度约12μm的电解镀铜层，准备在贯通孔内和表面具有导电层的绝缘性基板。

接着，使用干膜光刻胶用层合机，将由25μm的光交联性树脂层和12μm的掩模层(支承体薄膜，材料：聚酯)构成的电路形成用干膜光刻胶热压接在基板的单面(第一面)上，设置第一树脂层(光交联性树脂层)和掩模层(支承体薄膜)。

接着，使用1质量％的碳酸钠水溶液(30℃)的第一树脂层除去液，从基板的第二面一侧，以喷射压力0.2MPa进行65秒的喷淋喷射，溶解除去第一面的贯通孔上和贯通孔周边部的光交联性树脂层。用光学显微镜观察贯通孔和贯通孔周边部，以与贯通孔同心圆状，除去贯通孔周边部的光交联性树脂层。贯通孔周边部的铜露出部的外径是126μm。

接着，对第一面的第一树脂层，使用烘培用高压水银灯光源装置(ユニレツクURM300，ウシオ电机制造)，进行45秒的整面曝光，使整面光交联硬化，由此进行对接着的第二树脂层的耐性化处理。

接着，在曝光处理结束的基板的第二面，使用干膜光刻胶用层合机，将与第一面中使用的同样的电路形成用干膜光刻胶热压接，设置第二树脂层和掩模层。然后，剥离、除去第一面的掩模层。

接着，使用1质量％碳酸钠水溶液(30℃)的除去液，从基板的第一面一侧，以喷射压力0.2MPa进行65秒的喷淋喷射，溶解除去第二面的贯通孔上和贯通孔周边部的第二树脂层。然后，进行第二掩模层的除去，制造带树脂开口基板。用光学显微镜观察第二面的贯通孔和贯通孔周边部，以与贯通孔同心圆状，除去贯通孔周边部的光交联性树脂层。贯通孔周边部的铜露出部的外径是126μm。

(实施例8)

使用具有厚度12μm的铜箔的200×200×0.1mm的贴铜层叠板，用钻形成多个0.10mm直径的贯通孔，实施无电解镀铜处理，在表面和贯通孔内壁形成约0.5μm厚度的无电解镀铜层。然后，进行电解镀铜处理，在孔内壁和贴铜层叠板的铜上形成厚度约12μm的电解镀铜层，准备在贯通孔内和表面具有导电层的绝缘性基板。

接着，使用干膜光刻胶用层合机，将由25μm的光交联性树脂层和12μm的掩模层(支承体薄膜，材料：聚酯)构成的电路形成用干膜光刻胶热压接在基板的单面(第一面)上，设置第一树脂层(光交联性树脂层)和掩模层(支承体薄膜)。

接着，使用1质量％的碳酸钠水溶液(30℃)的除去液，从基板的第二面一侧，以喷射压力0.2MPa进行80秒的喷淋喷射，溶解除去第一面的贯通孔上和贯通孔周边部的光交联性树脂层。用光学显微镜观察贯通孔和贯通孔周边部，以与贯通孔同心圆状，除去贯通孔周边部的光交联性树脂层。贯通孔周边部的铜露出的外径是138μm。

接着，对第一面的第一树脂层，使用烘培用高压水银灯光源装置(ユニレツクURM300，ウシオ电机制造)，进行45秒的整面曝光，使整面光交联硬化，由此进行对接着的第二树脂层的耐性化处理。

接着，在曝光处理结束的基板的第二面，使用干膜光刻胶用层合机，将与第一面中使用的同样的电路形成用干膜光刻胶热压接，设置第二树脂层和掩模层。然后，剥离、除去第一面的掩模层。

接着，使用1质量％碳酸钠水溶液(30℃)的除去液，从基板的第一面一侧，以喷射压力0.2MPa进行80秒的喷淋喷射，溶解除去第二面的贯通孔上和贯通孔周边部的第二树脂层。然后，进行第二面的掩模层的除去，制造带树脂开口基板。用光学显微镜观察第二面的贯通孔和贯通孔周边部，以与贯通孔同心圆状，除去贯通孔周边部的光交联性树脂层。贯通孔周边部的铜露出部的外径是138μm。

(实施例9)

对实施例5中取得的带树脂开口基板的第二面，使用烘培用高压水银灯光源装置(ユニレツクURM300，ウシオ电机制造)，进行45秒的整面曝光，使整面光交联硬化，进行对接着的用于形成蚀刻防止层的处理液的耐性化处理。接着，通过镀锡液(Meltex公司制造的ソルダロンSN-2670)，在露出的铜表面，将镀锡层作为蚀刻防止层形成。

接着，使用3质量％氢氧化钠水溶液(30℃)，除去第一树脂层和第二树脂层的光交联硬化后的光交联性树脂层。

接着，使用干膜光刻胶用层合机，将由15μm的光交联性树脂层和12μm的掩模层(支承体薄膜，材料：聚酯)构成的电路形成用干膜光刻胶热压接在基板的两面上。将描画布线图案的光掩模(导体宽度和间隙：40μm)装载在基板的第二面，使用具有吸引紧贴机构的烘培用高压水银灯光源装置(ユニレツクURM300，ウシオ电机制)，进行40秒的紫外线图案曝光。然后，除去两面的支承体薄膜之后，进行1质量％碳酸钠水溶液(30℃)的碱显影处理，在基板两面形成由光交联硬化后的光交联性树脂层构成的蚀刻防止层。

接着，作为蚀刻液，使用氨碱蚀刻剂(Meltex公司制造エ一プロセス)，进行露出的铜的除去。然后，使用3质量％氢氧化钠水溶液(30℃)，进行由光交联硬化后的光交联性树脂层构成的蚀刻防止层的除去，接着，使用镀锡剥离专用处理液(Meltex公司制造エンストリツプTL)，剥离铜上的镀锡层，进行电路基板的制造。用显微镜观察电路基板，连接盘与贯通孔形成同心圆状，连接盘宽度Lw是5μm，能制造在电路基板没有断线，具有良好的窄小连接盘宽度的电路基板。

(实施例10)

在由实施例6取得的带树脂的开口基板，通过镀锡液(Meltex公司制造的ソルダロンSN-2670)，在露出的铜表面，将镀锡层作为蚀刻防止层形成。

接着，使用3质量％氢氧化钠水溶液(30℃)，除去第一树脂层和第二树脂层的光交联硬化后的光交联性树脂层。

接着，使用干膜光刻胶用层合机，将由15μm的光交联性树脂层和12μm的掩模层(支承体薄膜，材料：聚酯)构成的电路形成用干膜光刻胶热压接在基板的两面上。将描画布线图案的光掩模(导体宽度和间隙：30μm)装载在基板的第二面，使用具有吸引紧贴机构的烘培用高压水银灯光源装置(ユニレツクURM300，ウシオ电机制造)，进行40秒的紫外线图案曝光。然后，除去两面的支承体薄膜之后，进行1质量％碳酸钠水溶液(30℃)的碱显影处理，在基板两面形成由光交联硬化后的光交联性树脂层构成的蚀刻防止层。

接着，作为蚀刻液，使用氨碱蚀刻剂(Meltex公司制造エ一プロセス)，进行露出的铜的除去。然后，使用3质量％氢氧化钠水溶液(30℃)，进行由光交联硬化后的光交联性树脂层构成的蚀刻防止层的除去，接着，使用镀锡剥离专用处理液(Meltex公司制造エンストリツプTL)，剥离铜上的镀锡层，进行电路基板的制造。用显微镜观察电路基板，连接盘与贯通孔形成同心圆状，连接盘宽度Lw是20μm，能制造在电路基板没有断线，具有良好的窄小连接盘宽度的电路基板。

(实施例11)

对实施例7中取得的带树脂的开口基板的第二面，使用烘培用高压水银灯光源装置(ユニレツクURM300，ウシオ电机制造)，进行45秒的整面曝光，使整面光交联硬化，由此进行对接着的用于形成蚀刻防止层的处理液的耐性化处理。接着，通过镀锡液(Meltex公司制造的ソルダロンSN-2670)，在露出的铜表面，将镀锡层作为蚀刻防止层形成。

接着，使用3质量％氢氧化钠水溶液(30℃)，除去第一树脂层和第二树脂层的光交联硬化后的光交联性树脂层。

接着，使用干膜光刻胶用层合机，将由15μm的光交联性树脂层和12μm的掩模层(支承体薄膜，材料：聚酯)构成的电路形成用干膜光刻胶热压接在基板的两面上。将描画布线图案的光掩模(导体宽度和间隙：40μm)装载在基板的第二面，使用具有吸引紧贴机构的高频用高压水银灯光源装置(ユニレツクURM300，ウシオ电机制造)，进行40秒的紫外线图案曝光。然后，在除去两面的支承体薄膜之后，进行1质量％碳酸钠水溶液(30℃)的碱显影处理，在基板两面形成由光交联硬化后的光交联性树脂层构成的蚀刻防止层。

接着，作为蚀刻液，使用氨碱蚀刻剂(Meltex公司制造エ一プロセス)，进行露出的铜的除去。然后，使用3质量％氢氧化钠水溶液(30℃)，进行由光交联硬化后的光交联性树脂层构成的蚀刻防止层的除去，接着，使用镀锡剥离专用处理液(Meltex公司制造エンストリツプTL)，剥离铜上的镀锡层，进行电路基板的制造。用显微镜观察电路基板，连接盘与贯通孔形成同心圆状，连接盘宽度Lw是13μm，能制造在电路基板没有断线，具有良好的窄小连接盘宽度的电路基板。

(实施例12)

对实施例8中取得的带树脂开口基板的第二面，使用烘培用高压水银灯光源装置(ユニレツクURM300，ウシオ电机制造)，进行45秒的整面曝光，使整面光交联硬化，由此进行对接着的用于形成蚀刻防止层的处理液的耐性化处理。接着，通过镀锡液(Meltex公司制造的ルダロンSN-2670)，在露出的铜表面，将镀锡层作为蚀刻防止层形成。

接着，使用3质量％氢氧化钠水溶液(30℃)，除去第一树脂层和第二树脂层的光交联硬化后的光交联性树脂层。

接着，使用干膜光刻胶用层合机，将由15μm的光交联性树脂层和12μm的掩模层(支承体薄膜，材料：聚酯)构成的电路形成用干膜光刻胶热压接在基板的两面上。将描画布线图案的光掩模(导体宽度和间隙：40μm)装载在基板的第二面，使用具有吸引紧贴机构的印相用高压水银灯光源装置(ユニレツクURM300，ウシオ电机制造)，进行40秒的紫外线图案曝光。然后，除去两面的支承体薄膜之后，进行1质量％碳酸钠水溶液(30℃)的碱显影处理，在基板两面形成由光交联硬化后的光交联性树脂层构成的蚀刻防止层。

接着，作为蚀刻液，使用氨碱蚀刻剂(Meltex公司制造エ一プロセス)，进行露出的铜的除去。然后，使用3质量％氢氧化钠水溶液(30℃)，进行由光交联硬化后的光交联性树脂层构成的蚀刻防止层的除去，接着，使用镀锡剥离专用处理液(Meltex公司制造エンストリツプTL)，剥离铜上的镀锡层，进行电路基板的制造。用显微镜观察电路基板，连接盘与贯通孔形成同心圆状，连接盘宽度Lw是19μm，能制造在电路基板没有断线，具有良好的窄小连接盘宽度的电路基板。

基于消去法的电路基板的制造方法2的实施例

(实施例13)

对贴铜层叠板(面积340mm×510mm，基体材料厚度0.1mm，铜厚度12μm)，使用钻加工机，形成0.1mmφ的贯通孔后，进行去表面污处理，接着进行无电解镀处理，在贯通孔内壁，将厚度约0.5μm的无电解镀铜层作为导电层设置。然后，通过电解镀处理，在贯通孔内壁和表面进一步形成12μm厚度的铜层。使用干膜光刻胶用层合机，将由15μm的光交联性树脂层和12μm的掩模层(支承体薄膜，材料：聚酯)构成的电路形成用干膜光刻胶热压接在基板的单面(第一面)上，设置光交联性树脂层和掩模层(支承体薄膜)。

接着，使用1质量％的碳酸钠水溶液(30℃)的除去液，从基板的第二面一侧，以喷射压力0.2MPa进行50秒的喷淋喷射，溶解除去第一面的贯通孔上和贯通孔周边部的光交联性树脂层。用光学显微镜观察贯通孔和贯通孔周边部，以与贯通孔同心圆状，除去贯通孔周边部的光交联性树脂层。贯通孔周边部的铜露出部的外径是110μm。

将描画电路图案的光掩模(导体宽度和间隙：40μm)装载在基板的第一面，使用具有吸引紧贴机构的烘培用高压水银灯光源装置(ユニレツクURM300，ウシオ电机制造)，进行40秒的紫外线图案曝光。

接着，在曝光处理结束的基板的第二面，使用干膜光刻胶用层合机，将与第一面相同的电路形成用干膜光刻胶热压接，设置光交联性树脂层和掩模层。然后，剥离、除去第一面的掩模层。

接着，使用1质量％碳酸钠水溶液(30℃)的除去液，从基板的第一面一侧，以喷射压力0.2MPa进行50秒的喷淋喷射，除去第一面的光交联性树脂层的未硬化部分，并且溶解除去第二面的贯通孔上和贯通孔周边部的光交联性树脂层。用光学显微镜观察第二面的贯通孔和贯通孔周边部，以与贯通孔同心圆状，除去贯通孔周边部的光交联性树脂层。贯通孔周边部的铜露出部的外径是110μm。

将描画电路图案的光掩模(导体宽度和间隙：40μm)装载在基板的第二面，使用具有吸引紧贴机构的烘培用高压水银灯光源装置(ユニレツクURM300，ウシオ电机制造)，进行30秒的紫外线图案曝光。然后，剥离、除去第二面的掩模层。

接着，使用1质量％碳酸钠水溶液(30℃)的除去液，从基板的第二面一侧以喷射压力0.2MPa进行20秒的喷淋喷射，除去第二面的光交联性树脂层的未硬化部分。

观察第一面、第二面的图案状的光交联硬化后的光交联性树脂层，作为结果，在贯通孔和贯通孔周边部，以同心圆状，按照精度良好地露出导电层的方式形成抗蚀图，也良好地形成基板表面的抗蚀图。

接着，通过镀锡液(Meltex公司制造的ソルダロンSN-2670)，在露出的铜表面，将镀锡层作为蚀刻防止层形成。接着，用3质量％的氢氧化钠水溶液处理，剥离除去光交联硬化后的光交联性树脂层，使蚀刻防止层以外的部分的铜露出。

进而，作为蚀刻液，使用氨碱蚀刻剂(Meltex公司制造エ一プロセス)，进行露出的铜的除去。然后，使用镀锡剥离专用处理液(Meltex公司制造エンストリツプTL)，剥离铜上的镀锡层，进行电路基板的制造。

用显微镜观察电路基板，连接盘与贯通孔形成同心圆状，连接盘宽度Lw是5μm，能制造在电路基板没有断线，具有良好的窄小连接盘宽度的电路基板。

(实施例14)

在实施例13中，溶解除去第一面和第二面的贯通孔上和贯通孔周边部的光交联性树脂层时，除了使用1质量％碳酸钠水溶液(30℃)的光交联性树脂层除去液的处理时间在第一面、第二面都为65秒以外，与实施例13同样进行电路基板的制作。

溶解除去第一面和第二面的贯通孔上和贯通孔周边部的光交联性树脂层时的贯通孔周边部的铜露出部的外径在第一面、第二面都为126μm。

用光学显微镜观察蚀刻防止层的剥离除去后的电路基板，以与贯通孔同心圆状，除去连接盘，连接盘宽度Lw＝13μm。能制造在电路基板没有断线，具有良好的窄小连接盘宽度的电路基板。

(实施例15)

在实施例13中，溶解除去第一面和第二面的贯通孔上和贯通孔周边部的光交联性树脂层时，除了使用1质量％碳酸钠水溶液(30℃)的光交联性树脂层除去液的处理时间在第一面、第二面都为80秒以外，与实施例13同样进行电路基板的制作。

溶解除去第一面和第二面的贯通孔上和贯通孔周边部的光交联性树脂层时的贯通孔周边部的铜露出部的外径在第一面、第二面都为138μm。

用光学显微镜观察蚀刻防止层的剥离除去后的电路基板，以与贯通孔同心圆状，除去连接盘，连接盘宽度Lw＝19μm。能制造在电路基板没有断线，具有良好的窄小连接盘宽度的电路基板。

(实施例16)

在实施例13中，除了在第一面的曝光处理后，第二面的光交联性树脂层以及掩模层的积层之前进行第一面的掩模层的除去以外，与实施例13同样进行电路基板的制作。

用显微镜观察电路基板，以与贯通孔同心圆状，形成连接盘，连接盘宽度Lw＝5μm。能制造在电路基板没有断线，具有良好的窄小连接盘宽度的电路基板。

(实施例17)

在实施例13中，除了在溶解除去第一面的贯通孔上和贯通孔周边部的光交联性树脂层除去液之后，第一面的曝光处理之前进行第一面的掩模层的除去以外，与实施例13同样进行电路基板的制作。

用显微镜观察电路基板，以与贯通孔同心圆状，形成连接盘，连接盘宽度Lw＝5μm。能制造在电路基板没有断线，具有良好的窄小连接盘宽度的电路基板。

(实施例18)

对贴铜层叠板(面积340mm×510mm，基体材料厚度0.1mm，铜厚度12μm)，使用钻加工机，形成0.1mmφ的贯通孔后，进行去表面污处理，接着进行无电解镀处理，在贯通孔内壁，将厚度约0.5μm的无电解镀铜层作为导电层设置。然后，通过电解镀处理，在贯通孔内壁和表面形成12μm厚度的铜层。使用干膜光刻胶用层合机，将由15μm的光交联性树脂层和12μm的掩模层(支承体薄膜，材料：聚酯)构成的电路形成用干膜光刻胶热压接在基板的单面(设为第一面)上，设置光交联性树脂层和掩模层(支承体薄膜)。

接着，使用1质量％的碳酸钠水溶液(30℃)的除去液，从基板的第二面一侧，以喷射压力0.2MPa进行50秒的喷淋喷射，溶解除去第一面的贯通孔上和贯通孔周边部的光交联性树脂层。用光学显微镜观察贯通孔和贯通孔周边部，以与贯通孔同心圆状，除去贯通孔周边部的光交联性树脂层。贯通孔周边部的铜露出部的外径是110μm。

将描画电路图案的光掩模(导体宽度和间隙：40μm)装载在基板的第一面，使用具有吸引紧贴机构的烘培用高压水银灯光源装置(ユニレツクURM300，ウシオ电机制造)，进行40秒的紫外线图案曝光。

剥离、除去第一面的掩模层之后，使用1质量％碳酸钠水溶液(30℃)的除去液，从基板的第一面一侧，以喷射压力0.2MPa进行20秒的喷淋喷射，除去第一面的光交联性树脂层的未硬化部分。

接着，在基板的第二面，使用干膜光刻胶用层合机，将与第一面相同的电路形成用干膜光刻胶热压接，设置光交联性树脂层和掩模层。

接着，使用1质量％碳酸钠水溶液(30℃)的除去液，从基板的第一面一侧，以喷射压力0.2MPa进行50秒的喷淋喷射，溶解除去第二面的贯通孔上和贯通孔周边部的光交联性树脂层。用光学显微镜观察第二面的贯通孔和贯通孔周边部，以与贯通孔同心圆状，除去贯通孔周边部的光交联性树脂层。贯通孔周边部的铜露出部的外径是110μm。

将描画电路图案的光掩模(导体宽度和间隙：40μm)装载在基板的第二面，使用具有吸引紧贴机构的烘培用高压水银灯光源装置(ユニレツクURM300，ウシオ电机制造)，进行40秒的紫外线图案曝光。然后，剥离、除去第二面的掩模层。

接着，使用1质量％碳酸钠水溶液(30℃)的除去液，从基板的第二面一侧以喷射压力0.2MPa进行20秒的喷淋喷射，除去第二面的光交联性树脂层的未硬化部分。

观察第一面、第二面的图案状的光交联硬化后的光交联性树脂层，作为结果，在贯通孔和贯通孔周边部，以同心圆状，精度良好地露出导电层地形成图案，也良好地形成基板表面的图案。

接着，通过镀锡液(Meltex公司制造的ソルダロンSN-2670)，在露出的铜表面，将镀锡层作为蚀刻防止层形成。接着，用3质量％的氢氧化钠水溶液处理，剥离除去光交联硬化后的光交联性树脂层，使蚀刻防止层以外的部分的铜露出。

作为蚀刻液，使用氨碱蚀刻剂(Meltex公司制造エ一プロセス)，进行露出的铜的除去。然后，使用镀锡剥离专用处理液(Meltex公司制造エンストリツプTL)，剥离铜上的镀锡层，进行电路基板的制造。

用显微镜观察电路基板，连接盘与贯通孔形成同心圆状，连接盘宽度Lw是5μm，能制造在电路基板没有断线，具有良好的窄小连接盘宽度的电路基板。

(实施例19)

在实施例18中，除了在溶解除去第一面的贯通孔上和贯通孔周边部的光交联性树脂层除去液之后、第一面的曝光处理之前进行第一面的掩模层的除去以外，与实施例18同样进行电路基板的制作。

用显微镜观察电路基板，以与贯通孔同心圆状，形成连接盘，连接盘宽度Lw＝5μm。能制造在电路基板没有断线，具有良好的窄小连接盘宽度的电路基板。

工业上的可利用性

本发明能在印刷电路基板、半导体器件等的电路基板的制造中使用。

Claims (6)

1.一种电路基板，由在具有贯通孔的绝缘性基板的贯通孔周边部形成的连接盘部导电层、在绝缘性基板的表面构成电路布线的电路部导电层、贯通孔内壁的导电层构成，其中：

与电路部导电层的非连结部的连接盘部导电层的外侧面的倾斜角度比90度小。

2.根据权利要求1所述的电路基板，其中：

与电路部导电层的非连结部的连接盘部导电层的外侧面的倾斜角度是60～80度。

3.根据权利要求1或2所述的电路基板，其中：

由连接盘部导电层的外侧面构成的直径和开孔加工时的贯通孔的直径的差是0～80μm。

4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的电路基板，其中：

与电路部导电层的非连结部的连接盘部导电层的外侧面的倾斜角度比电路部导电层的侧面的倾斜角度小。

5.根据权利要求1～4中的任意一项所述的电路基板，其中：

电路部导电层的侧面的倾斜角度大致是90度。

6.根据权利要求1～5中的任意一项所述的电路基板，其中：

连接盘部导电层对于贯通孔，形成为同心圆状。

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