CN101939881A - 半导体激光装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本申请提供一种半导体激光装置及其制造方法。半导体激光装置具备半导体层层叠体(20)，该半导体层层叠体(20)选择性地生成在基板的除规定区域外的区域上。半导体层层叠体(20)包括活性层(14)，并且具有带状的光波导路，该光波导路沿着与射出光的前方端面(20A)相交的方向延伸。活性层(14)具有形成在规定区域的周向边缘部的异常生成部(14a)和形成在异常生成部(14a)的周围的禁带带宽增大部(14b)，该禁带带宽增大部(14b)的禁带带宽比除异常生成部(14a)以外的活性层(14)的其他部分的禁带带宽大。光波导路与异常生成部(14a)相间隔并在前方端面(20A)包括禁带带宽增大部(14b)。

Description

半导体激光装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种半导体激光装置及其制造方法，特别是涉及一种具有端面窗结构的氮化物半导体激光装置及其制造方法。
背景技术
作为以蓝光盘(Blu-ray)为代表的高密度光盘装置的光源以及激光显示装置的光源，使用了以氮化镓(GaN)为代表的氮化物半导体的半导体激光装置是重要的元件。在蓝光盘装置中使用波长为405nm左右的蓝紫光，而在激光显示装置中使用波长大致为450nm左右的蓝色光。在光盘装置的领域中，为了提高记录速度以及多层记录的可靠性，要求数百mW级别(class)的光输出。而且，在激光显示装置的领域中，为了提高画面亮度，要求数W级别的光输出。
为了从半导体激光装置获取高输出的激光，共振器的端面形成是很重要的。共振器的端面一般通过结晶的解理而形成。因此，在端面形成有高密度的悬空键(未键合位(未結合手))。悬空键作为非发光再结合中心而发挥作用。在端面部，由于非发光再结合中心的作用而失去注入活性层的载体，所以在端面部的局部发热比共振器内部大。由于在发热的作用下温度上升，所以在端面部禁带带宽缩小，在共振器中往返的激光振荡光在端面部被吸收。因为被吸收的激光振荡光使端面部的温度上升，从而禁带带宽进一步缩小。发热所导致的禁带带宽的缩小和光吸收的增大被多次重复，从而在端面部随着局部的温度升高而发生结晶融解。该现象被称作光学灾变(Catastrophic Optical Damage：COD)。
为了抑制COD，在端面部上活性层的禁带带宽被形成得比共振器内部还大的结构已为公众所知，该结构被称作端面窗结构。通过形成端面窗结构，能够有效抑制在端面部的光吸收，从而抑制局部的温度上升。在砷化镓(GaAs)系的激光装置中，为了实现端面窗结构，使用通过杂质扩散或者离子注入而使活性层无秩序化的技术手段(例如，参照专利文献1)。例如，在使用杂质扩散法的情况下，在相当于端面部的部分形成扩散常数大的锌(Zn)等金属杂质层，并通过加热使金属杂质扩散至活性层。由此，活性层的周边被无秩序化，从而能够形成禁带带宽大的端面窗结构。
专利文献1：日本特开昭63-196088号公告。
但是，通过杂质扩散或者离子注入来形成端面窗结构的方法，难以适用于氮化镓系的半导体激光装置。对氮化镓等氮化物半导体而言，因为结晶中的镓(Ga)与氮(N)的结合很强，所以即使进行杂质的扩散或者离子注入等，也难以在活性层周边产生无秩序化。因此，端面窗结构还未被实用化于使用了氮化物半导体的激光装置。
发明内容
本发明的目的在于解决上述问题，能够不通过杂质扩散或者离子注入等而形成端面窗结构，并且即使在使用了氮化物半导体的情况下也能实现具有端面窗结构的半导体激光装置。
为了实现上述目的，所示例的半导体激光装置具备通过使用了掩模的选择生成而形成的半导体层层叠体，且在活性层的包括前方端面的区域形成有比有助于发光的部分禁带带宽大的部分。
具体而言，所示例的半导体激光装置具备半导体层层叠体，该半导体层层叠体选择性地生成在基板的除规定区域外的区域上；半导体层层叠体包括第一导电型包层、活性层以及第二导电型包层，并具有带状的光波导路，该光波导路沿着与射出光的前方端面相交的方向延伸；活性层具有形成在规定区域的周向边缘部的异常生成部和形成在异常生成部的周围的禁带带宽增大部，该禁带带宽增大部的禁带带宽比除异常生成部以外的活性层的其他部分的禁带带宽大；光波导路与异常生成部相间隔并在前方端面包括禁带带宽增大部。
所示例的半导体激光装置具备通过使用了掩模的选择生成而在基板上形成的半导体层层叠体。因此，在不进行杂质扩散等的情况下，就能够在活性层的包括前方端面的区域形成禁带带宽比其他部分大的禁带带宽增大部。因而，即使在通过杂质扩散或者离子注入进行无秩序化存在困难的情况下，也能形成端面窗结构，从而能够抑制COD。
在示例的半导体激光装置中，可以在基板的规定区域上形成有阻碍半导体层层叠体生成的掩模。在这种情况下，掩模可以选择使用电介体或者高熔点金属。
在示例的半导体激光装置中，半导体层层叠体可以具有形成在规定区域的上方的开口部。
在示例的半导体激光装置中，规定区域可以以如下方式构成，即，从前方端面侧的端部到前方端面的距离为50μm以下，从光波导路侧的端部到光波导路的中心线的距离为20μm以上且60μm以下，沿光波导路方向的纵深为5μm以上且200μm以下。
在示例的半导体激光装置中，异常生成部可以形成在光波导路的两侧方。
在示例的半导体激光装置中，禁带带宽增大部可以形成在光波导路的包括前方端面的区域以及光波导路的包括后方端面的区域。
在示例的半导体激光装置中，活性层可以是包括铟的氮化物半导体层。
在示例的半导体激光装置中，半导体层层叠体可以由以{0001}面为主面的氮化物半导体构成，光波导路可以沿<1-100>方向形成。
示例的半导体激光装置的制造方法包括：在基板的规定区域上形成掩模的工序(a)；在形成有掩模的基板之上生成包括活性层的半导体层层叠体的工序(b)；与形成有掩模的区域相间隔地形成带状的光波导路的工序(c)；通过解理而形成与光波导路相交的方向上的端面的工序(d)；在工序(b)中，在活性层的掩模的周围边缘部形成因异常生成而产生的异常生成部，在异常生成部的周围形成禁带带宽比除异常生成部以外的活性层的其他部分大的禁带带宽增大部；在工序(c)中，以与异常生成部相间隔并位于禁带带宽增大部之上的方式形成光波导路；在工序(d)中，实施解理，以使禁带带宽增大部从端面中的射出光的前方端面露出。
在示例的半导体激光装置的制造方法中，在基板的规定区域上形成掩模之后，生成包括活性层的半导体层层叠体。因此，在活性层的掩模近旁生成的部分，成为表面波度未见异常但禁带带宽比其他区域大的禁带带宽增大部。通过在禁带带宽增大部之上形成光波导路且以禁带带宽增大部在前方端面露出的方式进行解理，能够抑制前方端面的激光振荡光的吸收。从而，即使在通过杂质扩散或者离子注入等来形成端面窗结构存在困难的情况下，也能够抑制COD。
在示例的半导体激光装置的制造方法中，在工序(b)中，可以在基板和活性层之间形成第一导电型包层，在活性层之上形成第二导电型包层；在工序(c)中，可以通过选择性蚀刻第二导电型包层来形成带状的脊部。另外，在工序(b)中，可以在基板和活性层之间形成第一导电型包层，在活性层之上从下侧依次形成下部第二导电型包层以及电流阻碍层；在工序(c)中，可以在通过对电流阻碍层选择性地蚀刻而形成带状的开口部之后，以填埋开口部的方式形成上部第二导电型包层。
在示例的半导体激光装置的制造方法中，在工序(b)之后，还可以包括去除掩模的工序(e)。
在示例的半导体激光装置的制造方法中，在工序(b)中，半导体层层叠体可以以在掩模之上形成开口部的方式生成。
在示例的半导体激光装置的制造方法中，掩模可由电介体或者高熔点金属构成。
在示例的半导体激光装置的制造方法中，可以在工序(a)中形成掩模，使得从前方端面侧的端部到前方端面的距离为50μm以下，从光波导路侧的端部到光波导路的中心线的距离为20μm以上且60μm以下，沿光波导路方向的纵深为5μm以上且200μm以下。
在示例的半导体激光装置的制造方法中，活性层可以为包括铟的氮化物半导体层。
在示例的半导体激光装置的制造方法中，在工序(b)中，可以由以{0001}面为主面的氮化物半导体形成半导体层层叠体，在工序(c)中，可以沿<1-100>方向形成光波导路。
根据本申请公开的半导体激光装置及其制造方法，能够不通过杂质扩散或者离子注入等而形成端面窗结构，并且即使在使用了氮化物半导体的情况下也能实现具有端面窗结构的半导体激光装置。
附图说明
图1(a～c)示出了根据一个实施方式的半导体激光装置，(a)是俯视图，(b)是(a)的沿Ib-Ib线的截面图，(c)是前方端面的截面图。
图2是示出形成在掩模周边区域的活性层的构造的扫描型电子显微镜照片。
图3是示出形成在掩模周边区域的活性层的禁带带宽的测定结果的曲线图。
图4是按照工序顺序示出根据一个实施方式的半导体激光装置的制造方法的俯视图。
附图标记说明
11   基板
12   n型半导体层
12A  n型包层
12B  n型光导层
14   活性层
14a  异常生成部
14b  禁带带宽增大部
16   p型半导体层
16A  p型光导层
16B  p型包层
16C  接触层
18   电介体层
20   半导体层层叠体
20A  前方端面
20B  后方端面
20a  脊部
22   掩模
22a  开口部
24   p侧电极
26   n侧电极
28  衰减电极(pad electrode)
具体实施方式
下面，参照附图对本发明的一个实施方式进行说明。图1(a～c)是一实施方式的半导体激光装置，(a)示出俯视时的结构，(b)示出(a)的Ib-Ib线的截面结构，(c)示出前方端面20A的截面结构。在图1中，对作为六方晶的氮化物半导体的具有代表性的结晶面方位进行表示，c示出与{0001}面等效的面或其法线矢量，a示出与{11-20}面等效的面或其法线矢量，m示出与{1-100}面等效的面或其法线矢量。在本申请说明书中，附加给面方位的密勒指数的负号“-”方便地表示出负号后面的指数的逆。并且，前方端面是共振器的两个端面中光输出大的端面，后方端面是前方端面相反侧的比前方端面的光输出小的端面。
如图1所示，本实施方式的半导体激光装置是具有带状脊部20a的氮化物半导体激光装置。在基板11的规定区域上选择性地形成有由厚度为400nm的SiO2构成的掩模22，所述基板11由以{0001}为主面的n型的氮化镓(n-GaN)构成。在基板11的除形成有掩模22的区域之外的区域，形成有半导体层层叠体20。半导体层层叠体具有从基板11侧依次生成的n型半导体层12、活性层14、p型半导体层16。
n型半导体12包括从下侧依次生成的n型包层12A以及n型光导层12B，所述n型包层12A由厚度为2μm的n-Al0.03Ga0.97N构成，n型光导层12B由厚度为0.1μm的n-Al0.003Ga0.997N构成。多重量子阱活性层14由阻挡层和阱层相互层叠而成，其中，阻挡层由厚度为8nm的In0.02Ga0.98N构成，阱层由厚度为3nm的In0.12Ga0.88N构成。p型半导体层16包括由厚度为0.1μm的p-GaN构成的p型光导层16A、由厚度为0.5μm的P-Al0.03Ga0.97N构成的P型包层16B以及由厚度为60nm的p-GaN构成的接触层16C。
p型包层16B除一部分之外均被蚀刻，从而形成沿m轴方向延伸的带状脊部20a。接触层16C形成在脊部20a之上。在接触层16C之上形成有p侧电极24，在基板11的半导体层层叠体20的相反侧形成有n侧电极26。除脊部20a的上方外，在基板11上的整个面形成有电介体层18，以横跨p侧电极24的上方和电介体层18的上方的方式形成有衰减电极28。该衰减电极28与共振器端面以及共振器侧面间隔开形成。
在基板11的形成掩模22的部分的上方不生成单结晶的半导体层。因此，半导体层层叠体20具有在掩模22的上侧形成的开口部22a。在掩模22的周围，发生比其他部分生成快的异常生成。由此，半导体层层叠体20的在掩模22的周围所生成的部分与其他部分的表面波度不同，呈隆起的状态。
图2示出扫描型电子显微镜(SEM)对掩模22的周边区域的观察结果。但是，对于半导体层层叠体20的观察，是在生成达到活性层14的阶段、而p型半导体层16还未形成的状态下进行的。如图2所示，在基板的形成有掩模22的区域上方，不生成单结晶的半导体层，而是形成有掩模22露出的开口部(严格来说，掩模22上所形成的多结晶的半导体层较薄，所以形成掩模22的表面的多结晶半导体层露出的开口部)。活性层14的在掩模22的周向边缘部生成的部分，也就是成为开口部侧面的部分，成为与活性层14的其他部分表面波度不同的异常生成部14a。在图2的示例中，异常生成部14a从SiO2掩模的端部沿a轴方向以30μm左右的宽度形成。
图3示出根据阴极射线发光(CL)的发光峰值波长、沿图2的III-III线评价活性层14的禁带带宽(Eg)的结果。对于活性层14的Eg的值而言，在掩模22的周向边缘生成的部分的Eg值比活性层14的其他部分大。Eg值大的部分包括表面波度与其他部分不同的异常生成部14a以及不能识别表面波度差异的禁带带宽增大部14b。异常生成部14a与禁带带宽增大部14b相比靠掩模22侧形成。活性层14的在掩模22的周向边缘部生成的部分的Eg值变大的理由被认为是在掩模的周向边缘部进行生成时的铟(In)的含量低。因此，在发光波长为大约405nm的蓝紫色激光装置中，认为Eg的增大最大可到330meV左右。另外，在发光波长约为540nm的绿色激光装置中，认为最大可到1100meV左右。
为了获得充分抑制COD的效果，将端面窗部的禁带带宽设置得比有助于发光的部分的禁带带宽至少大50meV左右即可，优选大100meV以上。在掩模22的周向边缘形成的异常生成部14a以及禁带带宽增大部14b充分满足能够获得抑制COD的效果的条件。但是，如果在表面波度不同的异常生成部14a形成对光进行波导的光波导路，则可能导致散射增大，因此不优选。另外，通过在光波导路的前方端面形成不能识别表面波度变化的禁带带宽增大部14b，则能够形成端面窗结构。光波导路是指激光分布的整个区域。具体而言，对于脊型的半导体激光装置而言，不仅包括脊部，还包括脊部侧方的激光分布的区域。另外，对于埋入型半导体激光装置而言，不仅包括电流阻碍层的开口部，还包括其周围的激光所分布的区域。
在本实施方式的半导体激光装置中，光波导路以与异常生成部14a相间隔且在前方端面20A包括禁带带宽增大部14b的方式形成。具体而言，以脊部20a与活性层14的异常生成部14a相间隔且禁带带宽增大部14b形成在脊部20a的下侧的包括前方端面20A的区域的方式，来调整脊部20a和掩模22的各自的形成位置。由此，禁带带宽增大部14b形成在光波导路的包括前方端面20A的区域，成为抑制激光振荡光的吸收的端面窗部，其中，光波导路形成于脊部20a的下方及其附近。
在本实施方式中，在共振器长600μm的情况下，设掩模22的平面尺寸为20μm×20μm、从掩模22的脊部20a侧的端面到脊部20a的沿着脊部20a的方向的中心线为止的距离为40μm。另外，掩模22以端面从前方端面20A露出的方式形成。由此，活性层14中的至少脊部20a的下侧的区域成为禁带带宽增大部14b，该禁带带宽增大部14b的从前方端面20A开始到50μm左右为止的范围内的Eg值比除异常生成部14a以外的部分即有助于发光的部分的Eg值大。另外，如图3所示，因为禁带带宽增大部14b中的脊部20a的下侧区域的Eg值比活性层14的有助于发光的部分大150meV左右，所以能够充分抑制振荡光的吸收，从而抑制COD。
异常生成部14a的宽度根据温度和气体流量等半导体层的生成条件以及半导体层的结晶朝向等而有所变动。掩模22的位置以及大小等需要根据制造条件来决定。但是，为了不使在脊部20a的下侧及其近旁扩展的光波导路形成在异常生成部14a上，而从掩模22的脊部20a侧的端部到脊部20a的脊凸方向的中心线为止的间隔s即光波导路的中心线和掩模22之间的间隔优选设为至少20μm以上，更优选设为30μm以上。另外，如果离开掩模22的距离过大，则活性层14的脊部20a的下侧的部分将不能成为禁带带宽增大部14b，因此，将从掩模22的脊部20a侧的端部到脊部20a的中心线为止的间隔s优选设为60μm以下，更优选设为50μm以下。
为了在包括前方端面20A的区域形成禁带带宽增大部14b，可以从前方端面20A来形成掩模22。但也可以与前方端面20A相间隔地形成掩模22。考虑到禁带带宽增大部14b的扩展，如果掩模22的前方端面侧的端部与前方端面20A的间隔小于50μm左右，则禁带带宽增大部14b完全可以到达前方端面20A。
由掩模22的沿着脊部20a的方向的纵深d来决定端面窗部的纵深。为此，掩模22的纵深d优选设为5μm以上。但是，如果掩模22的纵深d变大，则共振器的有效长度会变短。因此，在共振器长度为600μm左右的情况下，掩模22的纵深d优选设为200μm以下。但是，由于共振器的长度一般被设定为200μm左右～2000μm左右之间的各种长度，所以根据所需的共振器的有效长度来调整掩模22的纵深d即可。对于掩模22的沿着前方端面20A的方向上的宽度并没有特殊限制，设为10μm左右即可。如果考虑形成的难易度，则可以将其设为100μm以下。但是也可以设得更长，即使到达共振器侧面也没有问题。
在图1中，在前方端面20A的相反侧的端面即后方端面20B侧也形成有掩模22。但是，在后方端面20B侧没有必要一定形成端面窗结构。因此，可以只在前方端面20A侧形成掩模22。另外，也可以在脊部20a的两侧方分别形成掩模22。而且，在生成半导体层层叠体20之后掩模22即已无用。所以，在形成半导体层层叠体20之后即可去除掩模22。
本实施方式的半导体激光装置以下述方式形成即可。首先，如图4(a)所示，在基板11的规定区域的上方形成掩模22之后，依次生成n型包层12A、n型光导层12B、活性层14、p型光导层16A、p型包层16B以及接触层16C，从而形成半导体层层叠体20。在以二氧化硅形成掩模22的情况下，使用热化学气相沉积(热CVD)法等即可。另外，半导体层层叠体20通过有机金属气相生成(MOCVD)法或者分子束外延(MBE)法等形成即可。在使用MOCVD法的情况下，作为镓原料而使用三甲基镓(TMG)、作为铟原料而使用三甲基铟(TMI)、作为铝原料而使用三甲基铝(TMA)、作为N原料而使用氨(NH3)即可。而且，对于作为n型杂质的硅原料使用硅烷(SiH4)气体、对于作为p型杂质的镁原料使用二茂镁(CP2Mg)即可。
在包括活性层14的半导体层层叠体20中的掩模22的周向边缘部生成的部分，由于异常生成而成为比其他部分突出的异常生成部14a。另外，异常生成部14a的周围的部分成为表面平坦且Eg值比除异常生成部14a以外的其他部分的Eg值大的禁带带宽增大部14b。
接下来，通过热CVD法在接触层16C上形成由膜厚为0.2μm的二氧化硅构成的掩模膜。通过光刻法或者蚀刻法，将掩模膜图案化为平行于m轴方向的宽度为1.5μm的带状。然后，通过使用氯气作为蚀刻气体的电感耦合等离子(ICP)干蚀刻(dry etching)装置，对接触层16C和p型包层16B的一部分进行蚀刻。由此，形成如图4(b)所示的带状的脊部20a。脊部20a与活性层14的异常生成部14a相互间隔开并且位于禁带带宽增大部14b的上方。
接下来，通过热CVD法沉积由厚度为400nm的二氧化硅构成的用于光限制(optical confinement)的电介体层18。通过光刻法和湿式蚀刻法在电介体层18的包括脊部20a的顶部的区域形成开口部之后，使用分离(liftoff)法以与脊带顶部相接的方式形成由厚度为40nm的钯(Pd)和厚度为35nm的白金Pt构成的P侧电极24。然后，使用分离法来形成由厚度为50nm的钛(Ti)、厚度为35nm的白金(Pt)以及厚度为500nm的金(Au)构成的衰减电极28。
随后，对基板11的背面侧进行磨削/研磨，在其厚度成为100μm左右之后，形成由厚度为5nm的钛、厚度为100nm的白金以及厚度为1μm的金构成的n侧电极26。然后，沿着一次解理线进行一次解理，从而形成长方形的激光棒(laser bar)。以反射率控制和端面保护为目的对一次解理面(共振器端面)进行端面涂层之后，沿着二次解理线进行二次解理。如图4(b)所示，如果进行一次解理的解理线被设置成横切掩模22，则形成的半导体激光装置在其前方端面20A以及后方端面20B的两方都形成有禁带带宽增大部14b。
掩模22可使用氮化硅(SiN)膜来替代SiO2膜。另外，也可以使用钛(Ti)或者钼(Mo)等高熔点金属膜。一次解理线不横切掩模22的方式能够提高解理精度。因此，如果使禁带带宽增大部14b从前方端面露出，则也可以在没有形成掩模22的位置进行一次解理。在这种情况下，可以夹着一次解理线在两侧形成掩模22。
形成半导体层层叠体20的基板可以是蓝宝石基板或者碳化硅(SiC)基板等以替代氮化镓(GaN)基板。另外，虽然示出在m轴方向形成脊部20a的例子，但是也可以在其他的结晶方位形成脊部20a。
在本实施方式中，对脊带型的半导体激光装置进行了说明。但是，埋入型的半导体激光装置也可以得到同样的效果。在埋入型半导体激光装置的情况下，例如以与活性层14的异常生成部14a相间隔并在前方端面20A中位于禁带带宽增大部14b的上侧的方式形成电流阻碍层的开口部。
本实施方式的半导体激光装置由禁带带宽增大部形成端面窗结构，所述禁带带宽增大部是通过使用了掩模的选择生成而形成的。与通过杂质的扩散以及离子注入等形成的端面窗部不同，对于禁带带宽增大部而言，锌(Zn)等用于无秩序化的金属杂质不扩散。因而，活性层的禁带带宽增大部和活性层的有助于发光的部分均基本不含杂质，即使在含有杂质的情况下，其含量也是大致固定的。
本申请公开的半导体激光元件及其制造方法能够不通过杂质扩散或者离子注入等而形成端面窗结构，即使是在使用了氮化物半导体的情况下，也能实现具有端面窗结构的半导体激光装置，特别是在用作使用了氮化物半导体的半导体激光装置及其制造方法方面尤其有用，其中所述氮化物半导体能够作为光盘的光源以及激光显示器的光源等。

Claims (18)

1.一种半导体激光装置，其特征在于，
具备半导体层层叠体，该半导体层层叠体选择性地生成在基板的除规定区域外的区域上；
所述半导体层层叠体包括第一导电型包层、活性层以及第二导电型包层，并具有带状的光波导路，该光波导路沿着与射出光的前方端面相交的方向延伸；
所述活性层具有形成在所述规定区域的周向边缘部的异常生成部和形成在所述异常生成部的周围的禁带带宽增大部，该禁带带宽增大部的禁带带宽比除所述异常生成部以外的所述活性层的其他部分的禁带带宽大；
所述光波导路与所述异常生成部相间隔并在所述前方端面包括所述禁带带宽增大部。
2.如权利要求1所述的半导体激光装置，其中，
在所述基板的所述规定区域上形成有阻碍所述半导体层层叠体生成的掩模。
3.如权利要求2所述的半导体激光装置，其中，
所述掩模由电介体或者高熔点金属构成。
4.如权利要求1所述的半导体激光装置，其中，
所述半导体层层叠体具有形成在所述规定区域的上方的开口部。
5.如权利要求1所述的半导体激光装置，其中，
从所述前方端面侧的所述规定区域的端部到所述前方端面的距离为50μm以下，
从所述光波导路侧的所述规定区域的端部到所述光波导路的中心线的距离为20μm以上且60μm以下，
沿所述光波导路方向的纵深为5μm以上且200μm以下。
6.如权利要求1所述的半导体激光装置，其中，
所述异常生成部形成在所述光波导路的两侧方。
7.如权利要求1所述的半导体激光装置，其中，
所述禁带带宽增大部形成在所述光波导路的包括所述前方端面的区域以及所述光波导路的包括后方端面的区域，所述后方端面位于所述前方端面的相反侧。
8.如权利要求1所述的半导体激光装置，其中，
所述活性层为包括铟的氮化物半导体层。
9.如权利要求1所述的半导体激光装置，其中，
所述半导体层层叠体由以{0001}面为主面的氮化物半导体构成，
所述光波导路沿<1-100>方向形成。
10.一种半导体激光装置的制造方法，其特征在于，包括：
在基板的规定区域上形成掩模的工序(a)；
在形成有所述掩模的基板之上生成包括活性层的半导体层层叠体的工序(b)；
与形成有所述掩模的区域相间隔地形成带状的光波导路的工序(c)；
通过解理而形成与所述光波导路相交的方向上的端面的工序(d)；
在所述工序(b)中，在所述活性层的所述掩模的周围边缘部形成因异常生成而产生的异常生成部，在所述异常生成部的周围形成禁带带宽比除所述异常生成部以外的所述活性层的其他部分大的禁带带宽增大部；
在所述工序(c)中，以与所述异常生成部相间隔并包括所述禁带带宽增大部的方式形成所述光波导路；
在所述工序(d)中，实施解理，以使所述禁带带宽增大部从所述端面中的射出光的前方端面露出。
11.如权利要求10所述的半导体激光装置的制造方法，其中，
在所述工序(b)中，在所述基板和所述活性层之间形成第一导电型包层，在所述活性层之上形成第二导电型包层；
在所述工序(c)中，通过对所述第二导电型包层选择性地蚀刻而形成带状的脊部。
12.如权利要求10所述的半导体激光装置的制造方法，其中，
在所述工序(b)中，在所述基板和所述活性层之间形成第一导电型包层，在所述活性层之上从下侧依次形成下部第二导电型包层以及电流阻碍层；
在所述工序(c)中，在通过对所述电流阻碍层选择性地蚀刻而形成带状的开口部之后，以填埋所述开口部的方式形成第二导电型包层。
13.如权利要求10所述的半导体激光装置的制造方法，其中，
在所述工序(b)之后，还包括去除所述掩模的工序(e)。
14.如权利要求10所述的半导体激光装置的制造方法，其中，
在所述工序(b)中，所述半导体层层叠体以在所述掩模之上形成开口部的方式生成。
15.如权利要求10所述的半导体激光装置的制造方法，其中，
所述掩模由电介体或者高熔点金属构成。
16.如权利要求10所述的半导体激光装置的制造方法，其中，
在所述工序(a)中，从掩模所述前方端面侧的所述掩模的端部到所述前方端面的距离为50μm以下，从所述光波导路侧的所述掩模的端部到所述光波导路的中心线的距离为20μm以上且60μm以下，沿所述光波导路方向的纵深为5μm以上且200μm以下。
17.如权利要求10所述的半导体激光装置的制造方法，其中，
所述活性层为包括铟的氮化物半导体层。
18.如权利要求10所述的半导体激光装置的制造方法，其中，
在所述工序(b)中，由以{0001}面为主面的氮化物半导体形成所述半导体层层叠体，
在所述工序(c)中，沿<1-100>方向形成所述光波导路。
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