CN101923900B - 一种非易失存储器的擦除方法及装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种非易失存储器的擦除方法，包括：目标选定步骤：选定非易失存储器中欲擦除的2ⁿ个相邻存储块，其中n为自然数；预编程操作步骤：对所述2ⁿ个相邻存储块分组进行预编程操作；擦除步骤：同时擦除所述2ⁿ个相邻存储块；擦除校验步骤：分组校验所述2ⁿ个相邻存储块是否擦除成功，若是，则执行软编程操作步骤；若否，则返回擦除步骤；软编程操作步骤：对所述相邻存储块分组进行软编程操作。本发明可以节省进行擦除操作的时间，提高擦除速度和效率。

Description

一种非易失存储器的擦除方法及装置

技术领域

本发明涉及半导体存储器技术领域，特别是涉及一种非易失存储器器件的擦除方法，以及一种非易失存储器器件的擦除装置。

背景技术

随着各种电子装置及嵌入式系统的迅速发展和广泛应用，如计算机、个人数字助理、移动电话、数字相机等，大量需要一种能多次编程，容量大，读写、擦除快捷、方便、简单，外围器件少，价格低廉的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器件。非易失性存储器件就是在这种背景需求下应运而生的。一个非易失存储器通常也是一个MOS管，拥有一个源极（source），一个漏极（drain），一个门极（gate），另外还有一个浮动栅极（floating gate）。可见，它的构造和一般的MOS管略有不同，多了一个浮动栅极，该浮动栅极被绝缘体隔绝于其他部分。

以闪存（Flash Memory）为例，它是一种基于半导体的存储器，具有系统掉电后仍可保留内部信息、在线擦写等功能特点，闪存的擦除方法是在源极加正电压（或负电压），利用浮动栅极与源极之间的隧道效应，把注入至浮动栅极的负电荷（或正电荷）吸引到源极。由于利用源极加电压擦除，因此各单元的源极联在一起，这样，闪存不能按字节擦除，而只能以全片（Flash chip）或分块（block）的形式擦除。

一个闪存中包括若干个存储块（block），现有技术中，当对整个Flashchip进行擦除操作时，是以block为单位逐个进行擦除。例如，某个Flash包括A、B、C三个block，完成整个Flash chip的擦除操作则需要先对Ablock进行擦除，然后对B block进行擦除，最后对C block进行擦除。显然这种串行擦除方式比较耗费时间。再者，由于实际中一个闪存中所包+括的存储块较多，闪存的容量越来越大，并且为减少Flash的擦写次数，现有技术也越来越趋向于采用较小的存储块来作为擦除单位，在这种情况下，一个闪存中的存储块将更多，采用这种以block为单位逐个擦除的方式对整个Flash chip进行擦除，不仅耗时，而且速度较慢，擦除效率较为低下。

因此，目前需要本领域技术人员迫切解决的一个技术问题就是：如何能够创新地提出一种非易失存储器的擦除机制，用以在不增加硬件的基础上，减少存储器整片擦除的时间，提高擦除速度和效率。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种非易失存储器器件的擦除方法，用以节省进行擦除操作的时间，提高擦除速度和效率。

本发明所要解决的另一个技术问题是提供一种非易失存储器器件的擦除装置，用以保证上述方法在实际中的应用。

为了解决上述技术问题，本发明实施例公开了一种非易失存储器器件的擦除方法，包括：

目标选定步骤：选定非易失存储器中欲擦除的2ⁿ个相邻存储块，其中n为大于零的自然数；

预编程操作步骤：对所述2ⁿ个相邻存储块以2个或4个为一组进行预编程操作；

擦除步骤：同时擦除所述2ⁿ个相邻存储块；

擦除校验步骤：以2个或4个为一组校验所述2ⁿ个相邻存储块是否擦除成功，若是，则执行软编程操作步骤；若否，则返回擦除步骤；

软编程操作步骤：对所述相邻存储块以2个或4个为一组进行软编程操作。

优选的，所述对所述2ⁿ个相邻存储块以2个或4个为一组进行预编程操作的步骤包括：

以2个相邻存储块为一组顺序对所述2ⁿ个相邻存储块进行预编程校验，若某组存储块校验不成功则对该组存储块进行预编程，直到所述2ⁿ个相邻存储块均校验成功，则进入擦除步骤；

所述对所述2ⁿ个相邻存储块以2个或4个为一组进行软编程操作的步骤包括：

以2个相邻存储块为一组顺序对所述2ⁿ个相邻存储块进行软编程校验，若某组存储块校验不成功则对该组存储块进行软编程，直到所述2ⁿ个相邻存储块均校验成功，则结束所述2ⁿ个相邻存储块的擦除过程。

优选的，所述擦除校验步骤为，

以2个相邻存储块为一组顺序校验所述2ⁿ个相邻存储块是否擦除成功，若是，则执行软编程操作步骤；若否，则返回擦除步骤。

优选的，所述n为小于或等于7，且大于零的自然数。

优选的，所述n为大于或等于2且小于或等于7的自然数，所述对所述2ⁿ个相邻存储块以2个或4个为一组进行预编程操作的步骤包括：

以4个相邻存储块为一组顺序对所述2ⁿ个相邻存储块进行预编程校验，若某组存储块校验不成功则对该组存储块进行预编程，直到所述2ⁿ个相邻存储块均校验成功，则进入擦除步骤；

所述对所述2ⁿ个相邻存储块以2个或4个为一组进行软编程操作的步骤包括：

以4个相邻存储块为一组顺序对所述2ⁿ个相邻存储块进行软编程校验，若某组存储块校验不成功则对该组存储块进行软编程，直到所述2ⁿ个相邻存储块均校验成功，则结束所述2ⁿ个相邻存储块的擦除过程。

优选的，所述擦除校验步骤为，

以2个相邻存储块为一组顺序校验所述2ⁿ个相邻存储块是否擦除成功，若是，则执行软编程操作步骤；若否，则返回擦除步骤；

或者，

以4个相邻存储块为一组顺序校验所述2ⁿ个相邻存储块是否擦除成功，若是，则执行软编程操作步骤；若否，则返回擦除步骤。

本发明实施例还公开了一种非易失存储器的擦除装置，所述装置包括内部电源模块，用于同时对多个存储块进行供电，以及进行多个存储块的选通控制、电源切换控制和操作状态控制；所述的装置还包括：

目标选定模块，用于选定非易失存储器中欲擦除的2ⁿ个相邻存储块，其中n为大于零的自然数；

预编程操作模块，用于对所述2ⁿ个相邻存储块分组进行预编程操作；

所述预编程操作模块包括：

第二预编程操作子模块，用于以2个或4个相邻存储块为一组顺序对所述2ⁿ个相邻存储块进行预编程校验，若某组存储块校验不成功则对该组存储块进行预编程，直到所述2ⁿ个相邻存储块均校验成功，则转至擦除模块；

擦除模块，用于同时擦除所述2ⁿ个相邻存储块；

擦除校验模块，用于分组校验所述2ⁿ个相邻存储块是否擦除成功，若是，则转至软编程操作模块；若否，则转至擦除模块；

软编程操作模块，用于对所述2ⁿ个相邻存储块分组进行软编程操作；

所述软编程操作模块包括：

第二软编程操作子模块，用于以2个或4个相邻存储块为一组顺序对所述2ⁿ个相邻存储块进行软编程校验，若某组存储块校验不成功则对该组存储块进行软编程，直到所述2ⁿ个相邻存储块均校验成功，则结束所述2ⁿ个相邻存储块的擦除过程；

所述擦除校验模块包括：第三擦除校验子模块，用于以2个或4个相邻存储块为一组顺序校验所述2ⁿ个相邻存储块是否擦除成功，若是，则转至第二软编程操作子模块；若否，则转至擦除模块。

优选的，所述n为小于或等于7，且大于零的自然数。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：

首先，应用本发明实施例，每次擦除的对象是多个（偶数个或4的倍数个）目标存储块，并且，在擦除过程中，编程操作（包括预编程校验、预编程、软编程校验和软编程）是以1个、2个或4个存储块为单位顺序进行，擦除操作是多个目标存储块同时进行，由于在整个Flash chip的擦除中，编程操作和擦除操作所占的时间比例是最大的，通过本发明这种并行处理的方式，可以有效减少存储器整片擦除的时间，提高擦除速度和效率。尤其对于大容量的非易失存储器件而言，可以节约更多擦除时间，效果更为明显。

再者，考虑到擦除校验操作在擦除过程中所占时间比例较小，本发明可以逐个对所述多个存储块进行擦除校验，从而减小存储器的面积；当然，作为另一种实现，本发明也可以采用以1个、2个或4个存储块为单位顺序对所述多个存储块进行擦除校验，从而进一步节省存储器整片擦除的时间。

并且，本发明在编程过程中，只以1个、2个或4个存储块为单位顺序进行，只需要提前设置好控制变量，并不需要额外增加电源或其它硬件，采用现有的电源系统就能实现；而同时多个存储块的擦除也只需要加强擦除脉冲，也不需要额外增加其它硬件。

附图说明

图1是本发明的一种非易失存储器的擦除方法实施例1的流程图；

图2是本发明的一种非易失存储器的擦除方法实施例2的流程图；

图3是本发明的一种非易失存储器的擦除方法实施例3的流程图；

图4是本发明的一种非易失存储器的擦除方法实施例4的流程图；

图5是本发明的一种非易失存储器的擦除装置实施例的结构框图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。

为使本领域技术人员更好地理解本发明，以下简单介绍非易失存储器的基本原理。

非易失存储器由存储单元（cell）组成，cell包括电容和晶体管，cell中的数据取决于存储在电容中的电荷，晶体管的开关控制数据的存取。一般而言，一个cell可以包括源极（source，S），漏极（drain，D），栅极（gate，G），以及浮动栅极（floating gate，FG），FG可用于接电压VG。若VG为正电压，FG与漏极D之间产生隧道效应，使电子注入FG，导致阈值电压（VT）上升，该操作发生时，cell的逻辑状态从“1”变到“0”，即编程写入；擦除则可以在源极S加电压（正电压或负电压），利用FG与源极S之间的隧道效应，把注入至FG的电荷（负电荷或正电荷）吸引到源极S，即cell的逻辑状态又从“0”变到“1”。

参考图1，示出了本发明的一种非易失存储器的擦除方法实施例1的流程图，具体可以包括以下步骤：

目标选定步骤101：选定非易失存储器中欲擦除的2ⁿ个相邻存储块，其中n为自然数；

预编程操作步骤102：对所述2ⁿ个相邻存储块分组进行预编程操作；

擦除步骤103：同时擦除所述2ⁿ个相邻存储块；

擦除校验步骤104：校验所述2ⁿ个相邻存储块是否擦除成功，若是，则执行软编程操作步骤105；若否，则返回擦除步骤103；

软编程操作步骤：对所述2ⁿ个相邻存储块分组进行软编程操作。

本实施例的一个重要改进在于，针对非易失存储器（以下简称存储器）的多个（偶数个）存储块并行擦除，在擦除过程中，编程（program）操作（包括预编程操作和软编程操作）和擦除校验操作是分组进行的，擦除（erase）操作是2ⁿ个相邻存储块同时进行的，由于擦除操作在整片擦除中所占的时间比例较大，因此通过并行的操作可以有效减少其擦除时间，从而提高整片擦除的效率。其中，分组进行的编程操作和擦除校验操作是为了保证电源系统的稳定性。

在具体实现中，用户可以通过命令用户接口（CUI）向存储器发送欲擦除的2ⁿ个相邻存储块的erase指令，存储器对指令进行译码后，选定该2ⁿ个相邻存储块的地址，并启动内部写入状态机（WSM），同时对这些存储块进行erase操作。其中，所述相邻存储块的选定是为了保证在并行操作时能提供稳定的编程及擦除电压。

其中，预编程是将欲擦除存储块中各个cell的逻辑状态置0的操作，用以提高擦除的稳定性；预编程校验是通过读出存储块中cell浮动栅极中的电荷，转化为电压后与参考电压进行对比判断，由判断结果决定是否可以进入擦除步骤。

擦除步骤是将欲擦除存储块中各个cell的逻辑状态置1的操作，是在预编程校验成功后（如cell的逻辑状态为0）转至的，为同时针对较多存储块进行擦除，在具体实现中，可以施加较强的擦除条件，如擦除脉冲的持续时间为10us--200us，在本实施例中，会针对2ⁿ个相邻存储块同时进行擦除操作，并在所述存储块全部擦除完成后，执行擦除校验步骤。

一种负压型擦除的示例为，在A1、A2、A3和A4四个存储块的栅极加-8V电压，漏极悬空，源极加0V电压，P阱（Pwell）加8V电压，擦除时间为10us--200us。当进行擦除操作时，擦除电压被施加到被选中存储块的P阱，P阱加的正压会加到所有存储块上，从而同时完成多个存储块的擦除。

在实际中，校验是否擦除成功的方法是在不同的操作过程中，使用不同的参考电压和阈值电压去读cell中所存储的数据。当把某一个阈值电压（V_T）加到cell的栅极，把漏极上的电流转换为电压后，同参考电压进行比较，判断是“1”还是“0”，由判断结果即可确定擦除成功还是失败。

公知的是，擦除操作是针对整个存储块中来进行的，因此在擦除过程中，一个存储块中只要有cell没有达到擦除状态，则需要重新向整个存储块施加擦除脉冲。由于一个存储块中每个cell浮动栅极上电子数都不同，因此各个cell受擦除脉冲的影响也不同。即向某个存储块施加擦除脉冲时，这个存储块中每个cell的浮动栅极上的电子向源极迁移的数目也不同，在多次施加擦除脉冲直至存储块中所有cell都完成擦除时，那些电子迁移数目较多的cell的阈值电压可能就会低于擦除状态范围（过擦除），此时，就需要通过软编程操作来调整cell的阈值电压范围，即通过向过擦除的cell施加编程脉冲，把cell的阈值电压收敛到正常擦除状态的范围。

软编程校验是通过读出存储块中cell浮动栅极中的电荷，转化为电压后与参考电压进行对比判断，由判断结果即可确定是否需要进行软编程。

参考图2，示出了本发明的一种非易失存储器的擦除方法实施例2的流程图，具体可以包括以下步骤：

步骤201：选定非易失存储器中欲擦除的2ⁿ个相邻存储块，其中n为小于或等于7的自然数；

步骤202：针对所述2ⁿ个相邻存储块逐个进行预编程校验，若某个存储块校验不成功则对该存储块进行预编程，直到所述2ⁿ个相邻存储块均校验成功，则进入步骤203；

步骤203：同时擦除所述2ⁿ个相邻存储块；

步骤204：逐个校验所述2ⁿ个相邻存储块是否擦除成功，若是，则执行步骤205；若否，则返回步骤203；

步骤205：针对所述2ⁿ个相邻存储块逐个进行软编程校验，若某个存储块校验不成功则对该存储块进行软编程，直到所述2ⁿ个相邻存储块均校验成功，则结束所述2ⁿ个相邻存储块的擦除过程。

本实施例示出了串行进行编程和擦除校验操作，同时进行擦除操作的过程，在整片擦除中通过并行的擦除操作减少擦除时间，提高整片擦除的效率。

参考图3，示出了本发明的一种非易失存储器的擦除方法实施例3的流程图，具体可以包括以下步骤：

步骤301：选定非易失存储器中欲擦除的2ⁿ个相邻存储块，其中n为小于或等于7的自然数；

步骤302：以2个相邻存储块为一组顺序对所述2ⁿ个相邻存储块进行预编程校验，若某组存储块校验不成功则对该组存储块进行预编程，直到所述2ⁿ个相邻存储块均校验成功，则进入步骤303；

假设本例中选定需要擦除4个相邻存储块为A1、A2、A3和A4，进行预编程操作的过程为：

S11、先同时对A1和A2进行预编程校验，若校验不成功则执行S12，若校验成功，则接着同时对A3和A4进行预编程校验；若校验不成功则执行S12；若校验成功，则进入步骤303；

S12、同时对A1和A2进行预编程，然后返回S11再次进行预编程校验；或者，同时对A3和A4进行预编程，然后返回S11再次进行预编程校验。

步骤303：同时擦除所述2ⁿ个相邻存储块；

步骤304：以2个相邻存储块为一组顺序校验所述2ⁿ个相邻存储块是否擦除成功，若是，则执行步骤305；若否，则返回步骤303；

假设本例中选定需要擦除4个相邻存储块为A1、A2、A3和A4，进行擦除校验的过程为，首先同时对A1和A2进行擦除校验操作，如果校验不成功则返回步骤303对该组存储块重新进行擦除，如果校验成功则接着同时对A3和A4进行擦除校验操作，如果校验不成功则返回步骤303对该组存储块重新进行擦除，如果A1、A2、A3和A4全部擦除成功后，则跳转至软编程操作步骤305。

为节省存储器的面积，使多个存储块可以共用一个地址计数器，步骤304也可以为，逐个校验所述2ⁿ个相邻存储块是否擦除成功，若是，则执行步骤305；若否，则返回步骤303；

步骤305：以2个相邻存储块为一组顺序对所述2ⁿ个相邻存储块进行软编程校验，若某组存储块校验不成功则对该组存储块进行软编程，直到所述2ⁿ个相邻存储块均校验成功，则结束所述2ⁿ个相邻存储块的擦除过程。

假设本例中选定需要擦除4个相邻存储块为A1、A2、A3和A4，进行软编程操作的过程为：

S13、先同时对A1和A2进行软编程校验，若校验不成功则执行S14，若校验成功，则接着同时对A3和A4进行软编程校验；若校验不成功则执行S14；若校验成功，则结束当次存储块的擦除过程；

S14、同时对A1和A2进行预编程，然后返回S13再次进行预编程校验；或者，同时对A3和A4进行预编程，然后返回S13再次进行预编程校验。

本实施例的一个重要改进在于，针对存储器的多个存储块并行擦除，在擦除过程中，编程操作和擦除校验操作以2个相邻存储块为单位顺序进行，擦除操作是多个存储块同时进行，从而进一步减少整片擦除的时间，提高擦除效率。

参考图4，示出了本发明的一种非易失存储器的擦除方法实施例4的流程图，具体可以包括以下步骤：

步骤401：选定非易失存储器中欲擦除的2ⁿ个相邻存储块，其中n为小于或等于7的自然数；

步骤402：以4个相邻存储块为一组顺序对所述2ⁿ个相邻存储块进行预编程校验，若某组存储块校验不成功则对该组存储块进行预编程，直到所述2ⁿ个相邻存储块均校验成功，则进入步骤303；

假设本例中选定需要擦除8个相邻存储块为A1、A2、A3、A4、A5、A6、A7和A8，进行预编程操作的过程为：

S21、先同时对A1、A2、A3、A4进行预编程校验，若校验不成功则执行S22，若校验成功，则接着同时对A5、A6、A7、A8进行预编程校验；若校验不成功则执行S22；若校验成功，则进入步骤403；

S22、同时对A1、A2、A3、A4进行预编程，然后返回S21再次进行预编程校验；或者，同时对A5、A6、A7、A8进行预编程，然后返回S21再次进行预编程校验。

步骤403：同时擦除所述2ⁿ个相邻存储块；

步骤404：以4个相邻存储块为一组顺序校验所述2ⁿ个相邻存储块是否擦除成功，若是，则执行步骤405；若否，则返回步骤403；

假设本例中选定需要擦除8个相邻存储块为A1、A2、A3、A4、A5、A6、A7和A8，进行擦除校验的过程为，首先同时对A1、A2、A3、A4进行擦除校验操作，如果校验不成功则返回步骤403对该组存储块重新进行擦除，如果校验成功则接着同时对A5、A6、A7、A8进行擦除校验操作，如果校验不成功则返回步骤403对该组存储块重新进行擦除，如果A1、A2、A3和A4全部擦除成功后，则跳转至软编程操作步骤405。

为节省存储器的面积，使多个存储块可以共用一个地址计数器，步骤404也可以为，逐个校验所述2ⁿ个相邻存储块是否擦除成功，若是，则执行步骤405；若否，则返回步骤403；

作为另一实施例，步骤404还可以为，以2个相邻存储块为一组顺序校验所述2ⁿ个相邻存储块是否擦除成功，若是，则执行步骤405；若否，则返回步骤403。

步骤405：以4个相邻存储块为一组顺序对所述2ⁿ个相邻存储块进行软编程校验，若某组存储块校验不成功则对该组存储块进行软编程，直到所述2ⁿ个相邻存储块均校验成功，则结束所述2ⁿ个相邻存储块的擦除过程。

假设本例中选定需要擦除8个相邻存储块为A1、A2、A3、A4、A5、A6、A7和A8，进行软编程操作的过程为：

S23、先同时对A1、A2、A3、A4进行软编程校验，若校验不成功则执行S24，若校验成功，则接着同时对A5、A6、A7、A8进行软编程校验；若校验不成功则执行S24；若校验成功，则结束当次存储块的擦除过程；

S24、同时对A1、A2、A3、A4进行预编程，然后返回S23再次进行预编程校验；或者，同时对A5、A6、A7、A8进行预编程，然后返回S23再次进行预编程校验。。

本实施例的一个重要改进在于，针对存储器的多个存储块并行擦除，在擦除过程中，编程操作和擦除校验操作以2个相邻存储块为单位顺序进行，擦除操作是多个存储块同时进行，从而进一步减少整片擦除的时间，提高擦除效率。

参考图5，示出了本发明的一种非易失存储器的擦除装置实施例的结构框图，可以包括以下模块：

目标选定模块501，用于选定非易失存储器中欲擦除的2ⁿ个相邻存储块，其中n为自然数；

预编程操作模块502，用于对所述2ⁿ个相邻存储块分组进行预编程操作；

擦除模块503，用于同时擦除所述2ⁿ个相邻存储块；

擦除校验模块504，用于分组校验所述2ⁿ个相邻存储块是否擦除成功，若是，则转至软编程操作模块505；若否，则转至擦除模块503；

软编程操作模块505，用于对所述2ⁿ个相邻存储块分组进行软编程操作。

在本发明的一种优选装置实施例中，所述n为小于或等于7的自然数，所述预编程操作模块可以包括：

第一预编程操作子模块，用于针对所述2ⁿ个相邻存储块逐个进行预编程校验，若某个存储块校验不成功则对该存储块进行预编程，直到所述2ⁿ个相邻存储块均校验成功，则转至擦除模块；

所述软编程操作模块可以包括：

第一软编程操作子模块，用于针对所述2ⁿ个相邻存储块逐个进行软编程校验，若某个存储块校验不成功则对该存储块进行软编程，直到所述2ⁿ个相邻存储块均校验成功，则结束所述2ⁿ个相邻存储块的擦除过程。

在这种情况下，所述擦除校验模块包括：

第一擦除校验子模块，用于逐个校验所述2ⁿ个相邻存储块是否擦除成功，若是，则转至第一软编程操作子模块；若否，则转至擦除模块。

在本发明的另一种优选装置实施例中，所述n为小于或等于7的自然数，所述预编程操作模块可以包括：

第二预编程操作子模块，用于以2个相邻存储块为一组顺序对所述2ⁿ个相邻存储块进行预编程校验，若某组存储块校验不成功则对该组存储块进行预编程，直到所述2ⁿ个相邻存储块均校验成功，则转至擦除模块；

所述软编程操作模块可以包括：

第二软编程操作子模块，用于以2个相邻存储块为一组顺序对所述2ⁿ个相邻存储块进行软编程校验，若某组存储块校验不成功则对该组存储块进行软编程，直到所述2ⁿ个相邻存储块均校验成功，则结束所述2ⁿ个相邻存储块的擦除过程。

在这种情况下，所述擦除校验模块可以包括：

第二擦除校验子模块，用于逐个校验所述2ⁿ个相邻存储块是否擦除成功，若是，则转至第二软编程操作子模块；若否，则转至擦除模块；

或者，

第三擦除校验子模块，用于以2个相邻存储块为一组顺序校验所述2ⁿ个相邻存储块是否擦除成功，若是，则转至第二软编程操作子模块；若否，则转至擦除模块。

在本发明的又一种优选装置实施例中，所述n为大于或等于2且小于或等于7的自然数，所述预编程操作模块可以包括：

第三预编程操作子模块，用于以4个相邻存储块为一组顺序对所述2ⁿ个相邻存储块进行预编程校验，若某组存储块校验不成功则对该组存储块进行预编程，直到所述2ⁿ个相邻存储块均校验成功，则转至擦除模块；

所述软编程操作模块可以包括：

第三软编程操作子模块，用于以4个相邻存储块为一组顺序对所述2ⁿ个相邻存储块进行软编程校验，若某组存储块校验不成功则对该组存储块进行软编程，直到所述2ⁿ个相邻存储块均校验成功，则结束所述2ⁿ个相邻存储块的擦除过程。

在这种情况下，所述擦除校验模块包括：

第四擦除校验子模块，用于逐个校验所述2ⁿ个相邻存储块是否擦除成功，若是，则转至第三软编程操作子模块；若否，则转至擦除模块；

或者，

第五擦除校验子模块，用于以2个相邻存储块为一组顺序校验所述2ⁿ个相邻存储块是否擦除成功，若是，则转至第三软编程操作子模块；若否，则转至擦除模块；

或者，

第六擦除校验子模块，用于以4个相邻存储块为一组顺序校验所述2ⁿ个相邻存储块是否擦除成功，若是，则转至第三软编程操作子模块；若否，则转至擦除模块。

在具体实现中，还需要配置内部电源模块，以同时给多个存储块进行供电，并满足多个存储块的选通控制，电源切换控制，操作状态控制等，从而确保并行擦除的可行性和灵活性。在实际中，还可以通过配置寄存器用来设定将要编程的存储块的个数，然后根据设置的地址，即可确定将要擦除的存储块的位置。

本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。对于装置实施例而言，由于其与方法实施例基本相似，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。

以上对本发明所提供的非易失存储器的擦除方法及非易失存储器的擦除装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (8)

1.一种非易失存储器的擦除方法，其特征在于，包括：

目标选定步骤：选定非易失存储器中欲擦除的2ⁿ个相邻存储块，其中n为大于零的自然数；

预编程操作步骤：对所述2ⁿ个相邻存储块以2个或4个为一组进行预编程操作；

擦除步骤：同时擦除所述2ⁿ个相邻存储块；

擦除校验步骤：以2个或4个为一组校验所述2ⁿ个相邻存储块是否擦除成功，若是，则执行软编程操作步骤；若否，则返回擦除步骤；

软编程操作步骤：对所述相邻存储块以2个或4个为一组进行软编程操作。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述2ⁿ个相邻存储块以2个或4个为一组进行预编程操作的步骤包括：

以2个相邻存储块为一组顺序对所述2ⁿ个相邻存储块进行预编程校验，若某组存储块校验不成功则对该组存储块进行预编程，直到所述2ⁿ个相邻存储块均校验成功，则进入擦除步骤；

所述对所述2ⁿ个相邻存储块以2个或4个为一组进行软编程操作的步骤包括：

以2个相邻存储块为一组顺序对所述2ⁿ个相邻存储块进行软编程校验，若某组存储块校验不成功则对该组存储块进行软编程，直到所述2ⁿ个相邻存储块均校验成功，则结束所述2ⁿ个相邻存储块的擦除过程。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述擦除校验步骤为，

以2个相邻存储块为一组顺序校验所述2ⁿ个相邻存储块是否擦除成功，若是，则执行软编程操作步骤；若否，则返回擦除步骤。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述n为小于或等于7，且大于零的自然数。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述n为大于或等于2且小于或等于7的自然数，所述对所述2ⁿ个相邻存储块以2个或4个为一组进行预编程操作的步骤包括：

以4个相邻存储块为一组顺序对所述2ⁿ个相邻存储块进行预编程校验，若某组存储块校验不成功则对该组存储块进行预编程，直到所述2ⁿ个相邻存储块均校验成功，则进入擦除步骤；

所述对所述2ⁿ个相邻存储块以2个或4个为一组进行软编程操作的步骤包括：

以4个相邻存储块为一组顺序对所述2ⁿ个相邻存储块进行软编程校验，若某组存储块校验不成功则对该组存储块进行软编程，直到所述2ⁿ个相邻存储块均校验成功，则结束所述2ⁿ个相邻存储块的擦除过程。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述擦除校验步骤为，

以2个相邻存储块为一组顺序校验所述2ⁿ个相邻存储块是否擦除成功，若是，则执行软编程操作步骤；若否，则返回擦除步骤；

或者，

以4个相邻存储块为一组顺序校验所述2ⁿ个相邻存储块是否擦除成功，若是，则执行软编程操作步骤；若否，则返回擦除步骤。

7.一种非易失存储器的擦除装置，其特征在于，所述装置包括内部电源模块，用于同时对多个存储块进行供电，以及进行多个存储块的选通控制、电源切换控制和操作状态控制；所述的装置还包括：

目标选定模块，用于选定非易失存储器中欲擦除的2ⁿ个相邻存储块，其中n为大于零的自然数；

预编程操作模块，用于对所述2ⁿ个相邻存储块分组进行预编程操作；所述预编程操作模块包括：第二预编程操作子模块，用于以2个或4个相邻存储块为一组顺序对所述2ⁿ个相邻存储块进行预编程校验，若某组存储块校验不成功则对该组存储块进行预编程，直到所述2ⁿ个相邻存储块均校验成功，则转至擦除模块；

擦除模块，用于同时擦除所述2ⁿ个相邻存储块；

擦除校验模块，用于分组校验所述2ⁿ个相邻存储块是否擦除成功，若是，则转至软编程操作模块；若否，则转至擦除模块；

软编程操作模块，用于对所述2ⁿ个相邻存储块分组进行软编程操作；所述软编程操作模块包括：第二软编程操作子模块，用于以2个或4个相邻存储块为一组顺序对所述2ⁿ个相邻存储块进行软编程校验，若某组存储块校验不成功则对该组存储块进行软编程，直到所述2ⁿ个相邻存储块均校验成功，则结束所述2ⁿ个相邻存储块的擦除过程；

所述擦除校验模块包括：第三擦除校验子模块，用于以2个或4个相邻存储块为一组顺序校验所述2ⁿ个相邻存储块是否擦除成功，若是，则转至第二软编程操作子模块；若否，则转至擦除模块。

8.如权利要求7所述的装置，其特征在于，所述n为小于或等于7，且大于零的自然数。

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