CN101903561B - 液体材料气化装置 - Google Patents
液体材料气化装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101903561B CN101903561B CN2008801217225A CN200880121722A CN101903561B CN 101903561 B CN101903561 B CN 101903561B CN 2008801217225 A CN2008801217225 A CN 2008801217225A CN 200880121722 A CN200880121722 A CN 200880121722A CN 101903561 B CN101903561 B CN 101903561B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- gas
- mixed
- vector gas
- channel
- liquid material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 title claims abstract description 50
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000009795 derivation Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000002309 gasification Methods 0.000 claims description 58
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 48
- 230000008676 import Effects 0.000 claims description 9
- 230000006837 decompression Effects 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 133
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 abstract description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 8
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 6
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 6
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 5
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01B—BOILING; BOILING APPARATUS ; EVAPORATION; EVAPORATION APPARATUS
- B01B1/00—Boiling; Boiling apparatus for physical or chemical purposes ; Evaporation in general
- B01B1/005—Evaporation for physical or chemical purposes; Evaporation apparatus therefor, e.g. evaporation of liquids for gas phase reactions
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D1/00—Evaporating
- B01D1/0082—Regulation; Control
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D1/00—Evaporating
- B01D1/16—Evaporating by spraying
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Nozzles (AREA)
- Accessories For Mixers (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明提供一种液体材料气化装置，目的在于不改变喷嘴形状就能使载体气体(CG)的流量增大，所述液体材料气化装置包括：气液混合室(1)，将液体材料(LM)以及载体气体(CG)混合；液体材料导入通道(2)，将所述液体材料(LM)导入气液混合室(1)；载体气体导入通道3，将载体气体(CG)导入气液混合室(1)；气化喷嘴部(4)，与气液混合室(1)连通，使由液体材料(LM)及载体气体(CG)构成的混合体减压气化；混合气体导出通道(5)，与气化喷嘴部(4)连通，将通过气化喷嘴部(4)气化的混合气体(MG)导出；以及旁路通道(6)，将载体气体导入通道(3)与混合气体导出通道(5)连通，且使载体气体(CG)从载体气体导入通道(3)向混合气体导出通道(5)流动。
Description
技术领域
本发明涉及对例如在半导体制造中使用的各种液体原料进行气化的液体材料气化装置。
背景技术
作为以往的液体材料气化装置，例如专利文献1所示，在利用加热器加热的主体块(main body block)内包含：气液混合部，对液体材料和载体气体进行混合；液体材料导入通道，将液体材料导入所述气液混合部；载体气体导入通道，所述将载体气体导入所述气液混合部；气化喷嘴部，使由液体材料和载体气体构成的混合体减压气化；以及混合气体导出通道，将通过气化喷嘴部气化的混合气体导出。
而且，在此种液体材料气化装置中，载体气体的流量因直接影响混合体中液体材料的分压，所以是决定液体材料气化产率的重要因子。
然而，在所述以往的液体材料气化装置中，其构造为导入的载体气体全部经过气化喷嘴部。如此一来，存在着在该气化喷嘴部的载体气体的压力损失大，载体气体的流量受到限制的问题。其结果，存在液体材料的气化产率受到限制的问题。
此外，虽然可以考虑单纯改变气化喷嘴部的喷嘴形状(喷嘴直径)从而使载体气体的流量增大，但由于喷嘴形状对气化效率具有极大的影响，因而存在不能轻易改变的问题。
专利文献1：日本专利公开公报特开2004-31441号
发明内容
因此，本发明是为了一举解决所述问题点而进行的，解决的主要问题是不改变喷嘴的形状就能使载体气体的流量增大。
即，本发明的液体材料气化装置，其特征在于包括：气液混合部，将液体材料与载体气体混合；液体材料导入通道，将所述液体材料导入所述气液混合部；载体气体导入通道，将所述载体气体导入所述气液混合部；气化喷嘴部，与所述气液混合部连通，使由所述液体材料及所述载体气体构成的混合体减压气化；混合气体导出通道，与所述气化喷嘴部连通，将通过所述气化喷嘴部气化的混合气体导出；以及旁路通道，将所述载体气体导入通道与所述混合气体导出通道不通过所述气化喷嘴部连通，且使所述载体气体从所述载体气体导入通道向所述混合气体导出通道流动。
如果是所述的装置，则因在载体气体导入通道中流动的载体气体并非全部通过气化喷嘴部，其中的一部分通过旁路通道流入混合气体导出通道内，所以能不改变气化喷嘴部的喷嘴形状就能使载体气体的流量增大。其结果，能够降低液体材料的分压，并且能够增大液体材料的气化量。
此外，优选的是：所述旁路通道在所述混合气体导出通道上的开口，设于所述气化喷嘴部的开口附近。如果是这样，就能利用来自旁路通道的载体气体与通过气化喷嘴部的混合体相碰撞，进一步促进混合体的气化。
为了提高装置的通用性，优选的是：所述液体材料气化装置还包括开闭机构，所述开闭机构使所述旁路通道打开或关闭。
为了进一步提高装置的通用性，并且又可以调节载体气体的流量使其符合液体材料的气化条件等，优选的是：所述液体材料气化装置还包括流量控制机构，所述流量控制机构对在所述旁路通道内流动的载体气体的流量进行控制。
按照如此构成的本发明，能够不改变喷嘴的形状就能使载体气体的流量增大。
附图说明
图1是本发明第一实施方式的液体材料气化装置的剖面图。
图2是以第一实施方式的气化喷嘴部以及旁路通道为主表示的局部放大剖面图。
图3是表示第一实施方式的主体块内部构造的立体图。
图4是表示第一实施方式的旁路直径与流量关系的图。
图5是本发明第二实施方式的液体材料气化装置的剖面图。
图6是以第二实施方式的气化喷嘴部及旁路通道为主表示的局部放大剖面图。
图7是变形实施方式的液体材料气化系统的概略图。
附图标记说明
100：液体材料气化装置
LM：液体材料
CG：载体气体
MG：混合气体
1：气液混合室
2：液体材料导入通道
3：载体气体导入通道
4：气化喷嘴部
5：混合气体导出通道
6：旁路通道
9：旁路流量控制部(开闭机构，流量控制机构)
具体实施方式
第一实施方式
下面，参照附图，对本发明的第一实施方式进行说明。此外，图1是本实施方式的液体材料气化装置100的纵剖面图，图2是以气化喷嘴部4及旁路通道6为主表示的局部放大剖面图，图3是表示主体块200的内部构造的剖面立体图。
<装置构成>
本实施方式的液体材料气化装置100，在具备流量控制功能的控制阀内，将半导体制造所使用的各种各样的液体材料LM气化。
具体而言，如图1所示，该液体材料气化装置100包括：气液混合室1，作为气液混合部，由主体块200及阀块300构成，其中：主体块200与向液体材料气化装置100供给液体材料LM的液体材料供给管、供给载体气体CG的载体气体供给管以及导出混合气体MG的混合气体导出管连接；阀块300控制在所述主体块200内流动的载体气体CG、液体材料LM以及混合气体MG的流量；液体材料导入通道2；载体气体导入通道3；气化喷嘴部4；混合气体导出通道5；以及旁路通道6。
下面，对各部分进行说明。
首先，对主体块200及阀块300进行说明。如图1、图2以及图3所示，主体块200例如大体为长方体形状，由不锈钢等富有耐热性及耐腐蚀性的材料形成，在其内部形成有：液体材料导入通道2；载体气体导入通道3；气化喷嘴部4；混合气体导出通道5以及旁路通道6。此外，在安装有阀块300的主体块200的顶面，形成有形成气液混合室1的凹部201。此外，图1中的加热器8把主体块200整体加热至预定的温度，例如，可使用筒式加热器。
设于液体材料导入通道2下游侧的垂直部21在凹部201上开口，而且在凹部201的中央部，形成有比凹部201略高的阀座202，在该阀座202上形成有混合槽203，载体气体导入通道3的防止逆流用的喷嘴部31及气化喷嘴部4在该混合槽203上开口。
阀块300作为控制阀起作用，如图1所示，隔着密封构件7设于主体块200的顶面，例如由不锈钢等热传导性以及耐腐蚀性良好的材料形成。而且，阀块300包括：隔膜(diaphragm)301，与形成在所述主体块200顶面上的凹部201之间形成气液混合室1；以及致动器(actuator)302，推压该隔膜301使其变形。
隔膜301由耐热性以及耐腐蚀性良好且具有适当弹性的材料构成，包括：阀部301a，与阀座202的顶面抵接或分离；薄壁部301b，在该阀部301a的周围形成；厚壁部301c，在该薄壁部301b的周围形成，固定 在主体块200上；以及轴部301d，将来自致动器302的推压力向阀部301a传递。而且，虽然通过利用弹簧平时对隔膜301施加朝向上方的力，使阀部301a与阀座202分离，但如果利用轴部301d作用向下的推压力，则阀部301a会向与阀座202抵接的方向位移。如此一来，利用阀部301a与阀座202的位置关系，能够控制载体气体CG、液体材料LM以及混合气体MG的流量。
致动器302将隔膜301向下方推压使其位移，为一压电致动器，致动器302包括：压电堆(piezostack)302a，在设于阀块300上部的外壳303内由多个压电元件层叠构成；以及圆球302b，设于所述压电堆302a与隔膜301之间，将压电堆302a的力向轴部301d传递。
接下来，对气液混合室1、液体材料导入通道2、载体气体导入通道3、气化喷嘴部4、混合气体导出通道5以及旁路通道6进行说明。如图1及图2所示，气体混合室1是将液体材料LM与载体气体CG混合的空间，由阀块300的隔膜301及主体块200顶面的凹部201形成，实质作为气液混合室1起作用的是由凹部201的混合槽203与隔膜301所形成的空间(尤其参照图2)。
液体材料导入通道2向气液混合室1导入所述液体材料LM。而且，如图3所示，液体材料导入通道2的一端在主体块200的侧面上开口，且另一端在主体块200顶面的气液混合室1(混合槽203)上开口，液体材料导入通道2大体呈L字形。
载体气体导入通道3向气液混合室1导入载体气体CG，而且，如图1以及图3所示，载体气体导入通道3的一端在主体块200的侧面(例如，在设置有液体材料导入通道2的开口的侧面以外的侧面。)开口，且另一端在主体块200顶面的气液混合室1上开口，载体气体导入通道3大体呈L字形。此外，向气液混合室1开口的垂直部，形成有防止逆流用喷嘴部31，使得从载体气体导入通道3向气液混合室1内流入的载体气体CG不会再次向气体导入通道3内逆流。
尤其如图2所示，气化喷嘴部4，被设置成与气液混合室1(具体而言为混合槽203)连通，使在气液混合室1内生成的由液体材料LM与载 体气体CG所构成的混合体减压气化。对于气化喷嘴部4的形状，其直径与混合气体导出通道5的内径相比相当小，此外，长度也相当短，例如其直径在1.0mm以下，且长度为1.0mm左右。
混合气体导出通道5，被设置成与气化喷嘴部4连通，将通过气化喷嘴部4气化的混合气体MG导出。而且，如图1及图3所示，混合气体导出通道5的一端在主体块200的侧面(例如，在设置有液体材料导入通道2的开口的侧面以及设置有载体气体导入通道3的开口的侧面以外的侧面)上开口，且另一端与在上游侧侧周面5b上开口的气化喷嘴部4的下游侧连通。具体而言，以气化喷嘴部4在混合气体导出通道5的另一端的侧周面(上游侧侧周面5b)上开口的方式连通(参照图2)。此外，液体材料导入通道2的一端、载体气体导入通道3的一端以及混合气体导出通道5的一端也可以在主体块200的同一侧面上开口。
如图1～图3所示，载体气体导入通道3及混合气体导出通道5形成为：载体气体导入通道3的流道方向与混合气体导出通道5的流道方向大体在同一直线上。此外，它们的内径大体上相同。而且，载体气体导入通道3与混合气体导出通道5隔着分隔壁204分开。
如图1～图3所示，旁路通道6的一端在载体气体导入通道3上开口，且另一端在混合气体导出通道5上开口，旁路通道6连通载体气体导入通道3和混合气体导出通道5，使载体气体CG从载体气体导入通道3向混合气体导出通道5流动。
尤其如图2所示，本实施方式的旁路通道6，设置在分隔壁204上，旁路通道6的一端在载体气体导入通道3的下游侧端面3a上开口，且另一端在混合气体导出通道5的上游侧端面5a上开口，旁路通道6大致呈圆柱形。而且，旁路通道6的流道方向被设置成与载体气体导入通道3的流道方向及混合气体导出通道5的流道方向大体在相同的方向上。由于以如此方式将流道方向设为相同，所以能使载体气体导入通道3内的一部分载体气体CG容易通过旁路通道6。
此外，旁路通道6在混合气体导出通道5上的开口(旁路通道6在混合气体导出通道5的上游侧端面5a上的开口)，位于气化喷嘴部4的 下游侧的开口附近。在本实施方式中，设置成使来自气化喷嘴部的混合体的混合流，与来自旁路通道6的载体气体的气流以约为直角的方式碰撞。由此，通过旁路通道6流入混合气体导出通道5内的载体气体CG，与通过气化喷嘴部4的混合体直接碰撞，因而能将在气化喷嘴部4未被微粒化的液滴微粒化，并能提高气化效率。
在如此构成的液体材料气化装置100中，载体气体CG在载体气体导入通道3流动，并分流为：从防止逆流用喷嘴部31经气液混合室1再通过气化喷嘴部4的路线；以及通过旁路通道6的路线。
此时，虽然通过气化喷嘴部4的载体气体CG的流量，在压力差0.1MPa下为数LM(L/min)的程度，但通过旁路通道6的载体气体CG的流量能达到数十LM的程度。
在此参照图3，对旁路通道6的直径与流量的关系进行说明。此外，通过喷嘴的气体流量，在压力条件固定的理想条件下，与喷嘴的横截面的面积成比例。
根据图3，简单地假设旁路通道6的形状与喷嘴的形状为相同的形状，设喷嘴直径为0.2(mm)时的流量为Q(SLM)，例如，相对于直径0.4(mm)的气化喷嘴部4，在具有直径1.0(mm)的旁路通道6的液体材料气化装置100中，能流动4Q(气化喷嘴部4的流量)+25Q(旁路通道6的流量)＝29Q的流量。也就是说，相对于没有旁路通道6时的流量4Q约可流动7倍的流量。通过增大旁路通道6的直径，能够进一步使载体气体CG的流量增大。
<本实施方式的效果>
按照如此构成的本实施方式的液体材料气化装置100，在载体气体导入通道3中流动的载体气体CG并非全部通过喷嘴部31、4，其中一部分通过旁路通道6流入混合气体导出通道5内，因而能使载体气体CG的流量增大。其结果，能降低液体材料LM的分压，并能使液体材料LM的气化量增大。
此外，即使在由于混合体造成气化喷嘴部4堵塞的情况下，因载体气体CG流过旁路通道6，所以能够避免无法清洗的状态。
第二实施方式
接着参照附图，对本发明第二实施方式的液体材料气化装置100进行说明。此外，与所述第一实施方式的液体材料气化装置100相同或是对应的构件，使用相同的附图标记。此外，图5是第二实施方式的液体材料气化装置100的纵剖面图，图6是以气化喷嘴部4及旁路通道6为主表示的局部放大剖面图。
本实施方式的液体材料气化装置100与所述第一实施方式的液体材料气化装置100在旁路通道6的构造上不同。
如图5及图6所示，旁路通道6的一端在载体气体导入通道3的下游侧的侧周面3b上开口，且另一端在混合气体导出通道5的上游侧的侧周面5b上开口。
更加详细来说，旁路通道6的一端在载体气体导入通道3的下游侧的侧周面3b上，设于防止逆流用喷嘴部31的相反一侧，旁路通道6的另一端在混合气体导出通道5的上游侧的侧周面5b上，设于气化喷嘴部4的相反一侧。
本实施方式的旁路通道6，由第一流道61与第二流道62构成，且该各流道61、62在设于主体块200底面的凹部205上开口。详细来说，如图5所示，第一流道61与第二流道62在阀座206上开口，所述阀座206设于凹部205的中央部，且比凹部205略高。
而且，在旁路通道6之间设有旁路流量控制部9，该旁路流量控制部9起到使旁路通道6打开或关闭的开闭机构以及对在旁路通道6内流动的载体气体CG的流量进行控制的流量控制机构的作用。
该旁路流量控制部9为控制阀，隔着密封构件10设置在主体块200的底面上，也就是设置在所述主体块200上的与设置阀块300的表面相反一侧的表面上。旁路流量控制部9的构造与所述第一实施方式的阀块300相同，包括：隔膜901，相对于在所述主体块200底面上形成的凹部205的阀座206进行前进或后退的移动；以及致动器902，推压该隔膜901使其变形。
于是，如果利用致动器902使隔膜901与阀座206抵接，则旁路通 道6被堵塞(断开)。另一方面，如果利用致动器902使隔膜901从阀座206离开，则旁路通道6被打开(开通)，且载体气体CG向混合气体导出通道5流动。此时，能利用隔膜901与阀座206的距离，调节在旁路通道6流动的载体气体CG的流量。
即，利用旁路流量控制部9，如果旁路通道6处于开放(OPEN)状态，则能将载体气体CG向旁路通道6分流；如果处于闭塞(CLOSE)状态，则能与以往相同，使载体气体CG只在从防止逆流用喷嘴部31经气液混合室1再通过气化喷嘴部4的路线流动。此外，在旁路通道6处于开放状态时，利用旁路流量控制部9，能控制在旁路通道6中流动的载体气体CG流量。
<第二实施方式的效果>
按照所述构成的本实施方式的液体材料气化装置100，除具有所述第一实施方式的效果以外，还具有下述效果：即，由于可直接控制在旁路通道6流动的载体气体CG的流量，因而能配合各种各样的液体材料LM进行准确的流量控制，能使气化效率提高。
其他的变形实施方式
此外，本发明并非仅限于所述实施方式。在以下的说明中，与所述实施方式对应的构件使用相同的附图标记。
例如，在所述第一实施方式中，载体气体导入通道3也可以不具备防止逆流用喷嘴部31。
此外，载体气体导入通道3、混合气体导出通道5、液体材料导入通道2以及旁路通道6的形状，不限于所述各实施方式中的形状，也可以进行适当改变。
此外，在所述实施方式中，因防止逆流用喷嘴部31与气化喷嘴部4以彼此为相同尺寸的方式构成，所以能把载体气体导入通道3作为混合气体导出通道5使用，并且能把混合气体导出通道5作为载体气体导入通道3使用，能够增加液体材料气化装置100的配管连接的自由度。
而且，旁路通道6不限于一个，也可以设置多个。
在所述第二实施方式中，虽然利用一个旁路流量控制部构成使旁路通道6打开或关闭的开闭机构以及对旁路通道6内流动的载体气体的流量进行控制的流量控制机构，但也可以分别设置开闭机构与流量控制机构，还可以仅设置它们中的任意一个。
此外，也可以使用所述第二实施方式的液体材料气化装置100构成图7所示液体材料气化系统。该液体材料气化系统包括：液体材料气化装置100，具有控制旁路通道6内载体气体流量的流量控制机构(旁路流量控制部9)；液体材料供给管400，用于向该液体材料气化装置100供给液体材料LM；载体气体供给管500，用于向所述液体材料气化装置100供给载体气体；以及质量流量计600、700，分别设置在所述液体材料供给管400以及载体气体供给管500中。按照这样的构成，根据来自设于载体气体供给管500中的质量流量计700的输出信号，反馈控制旁路流量控制部9，调节在旁路通道6中流动的载体气体的流量。此外，根据来自设于液体材料供给管400中的质量流量计600的输出信号，反馈控制阀块300，调节流向气化喷嘴部4的液体材料LM的流量。
此外，所述质量流量计600、700只要是热式或差压式质量流量计即可。用热式或差压式质量流量控制器也能得到同样的效果。
此外，所述实施方式的液体材料气化装置不仅能够用于半导体制造工程，当然进而也能用于诸如将半导体制造工程以外的液体材料气化的一般用途。
此外，可将所述实施方式或变形实施方式的一部分或全部适当组合，且本发明不限于所述实施方式，当然可在不脱离其精神的范围内作出各种各样的变形。
工业上利用的可能性
利用本发明，在液体材料气化装置中，能不改变喷嘴的形状就能使载体气体的流量增大。
Claims (4)
1.一种液体材料气化装置，包括：
气液混合部，将液体材料与载体气体混合；
液体材料导入通道，将所述液体材料导入所述气液混合部；
载体气体导入通道，将所述载体气体导入所述气液混合部；
气化喷嘴部，与所述气液混合部连通，使由所述液体材料及所述载体气体构成的混合体减压气化；
混合气体导出通道，与所述气化喷嘴部连通，将通过所述气化喷嘴部气化的混合气体导出；以及
旁路通道，将所述载体气体导入通道与所述混合气体导出通道不通过所述气化喷嘴部连通，且使所述载体气体从所述载体气体导入通道向所述混合气体导出通道流动。
2.根据权利要求1所述的液体材料气化装置，其特征在于：所述旁路通道在所述混合气体导出通道上的开口，设于所述气化喷嘴部的下游侧的开口附近。
3.根据权利要求1所述的液体材料气化装置，其特征在于：所述液体材料气化装置还包括开闭机构，所述开闭机构使所述旁路通道打开或关闭。
4.根据权利要求1所述的液体材料气化装置，其特征在于：所述液体材料气化装置还包括流量控制机构，所述流量控制机构对在所述旁路通道内流动的载体气体的流量进行控制。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007-326748 | 2007-12-19 | ||
| JP2007326748 | 2007-12-19 | ||
| PCT/JP2008/072153 WO2009078293A1 (ja) | 2007-12-19 | 2008-12-05 | 液体材料気化装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101903561A CN101903561A (zh) | 2010-12-01 |
| CN101903561B true CN101903561B (zh) | 2012-08-22 |
Family
ID=40795409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2008801217225A Active CN101903561B (zh) | 2007-12-19 | 2008-12-05 | 液体材料气化装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8544828B2 (zh) |
| JP (1) | JP5357053B2 (zh) |
| KR (1) | KR101501311B1 (zh) |
| CN (1) | CN101903561B (zh) |
| TW (1) | TWI501290B (zh) |
| WO (1) | WO2009078293A1 (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101078411B1 (ko) | 2011-07-06 | 2011-10-31 | 주식회사 신명 | 액체의 기화장치 |
| US9454158B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-09-27 | Bhushan Somani | Real time diagnostics for flow controller systems and methods |
| KR102483924B1 (ko) | 2016-02-18 | 2023-01-02 | 삼성전자주식회사 | 기화기 및 이를 구비하는 박막 증착 장치 |
| US10983537B2 (en) | 2017-02-27 | 2021-04-20 | Flow Devices And Systems Inc. | Systems and methods for flow sensor back pressure adjustment for mass flow controller |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101006197A (zh) * | 2005-01-14 | 2007-07-25 | 东京毅力科创株式会社 | 气化装置以及处理装置 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0784662B2 (ja) * | 1989-12-12 | 1995-09-13 | アプライドマテリアルズジャパン株式会社 | 化学的気相成長方法とその装置 |
| DE69312436T2 (de) * | 1992-12-15 | 1998-02-05 | Applied Materials Inc | Verdampfung von flüssigen Reaktionspartnern für CVD |
| JPH11106921A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-04-20 | Nissan Motor Co Ltd | バブリング型液体原料気化装置及びその原料蒸気輸送開始操作方法 |
| JP2000334005A (ja) * | 1999-05-31 | 2000-12-05 | Field Science:Kk | 床ずれ防止マット用植物エキス気化装置およびそれを使用した床ずれ防止マット装置 |
| KR100649852B1 (ko) * | 1999-09-09 | 2006-11-24 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 기화기 및 이것을 이용한 반도체 제조 시스템 |
| JP4393677B2 (ja) * | 1999-09-14 | 2010-01-06 | 株式会社堀場エステック | 液体材料気化方法および装置並びに制御バルブ |
| JP3881569B2 (ja) * | 2002-03-13 | 2007-02-14 | 株式会社堀場エステック | 液体材料気化装置 |
| JP4276409B2 (ja) | 2002-06-21 | 2009-06-10 | 株式会社堀場エステック | 液体材料気化装置 |
| JP4601535B2 (ja) * | 2005-09-09 | 2010-12-22 | 株式会社リンテック | 低温度で液体原料を気化させることのできる気化器 |
-
2008
- 2008-12-05 US US12/809,051 patent/US8544828B2/en active Active
- 2008-12-05 KR KR1020107014983A patent/KR101501311B1/ko active IP Right Grant
- 2008-12-05 CN CN2008801217225A patent/CN101903561B/zh active Active
- 2008-12-05 WO PCT/JP2008/072153 patent/WO2009078293A1/ja active Application Filing
- 2008-12-05 JP JP2009546220A patent/JP5357053B2/ja active Active
- 2008-12-11 TW TW097148233A patent/TWI501290B/zh active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101006197A (zh) * | 2005-01-14 | 2007-07-25 | 东京毅力科创株式会社 | 气化装置以及处理装置 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| JP平6-220641A 1994.08.09 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW200931502A (en) | 2009-07-16 |
| WO2009078293A1 (ja) | 2009-06-25 |
| JP5357053B2 (ja) | 2013-12-04 |
| KR20100093588A (ko) | 2010-08-25 |
| TWI501290B (zh) | 2015-09-21 |
| JPWO2009078293A1 (ja) | 2011-04-28 |
| US20110115104A1 (en) | 2011-05-19 |
| KR101501311B1 (ko) | 2015-03-10 |
| CN101903561A (zh) | 2010-12-01 |
| US8544828B2 (en) | 2013-10-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101903561B (zh) | 液体材料气化装置 | |
| US9121349B2 (en) | Fuel system | |
| CN101523572B (zh) | 液体材料气化装置 | |
| CN102829488B (zh) | 分流器组件 | |
| KR101187492B1 (ko) | 기화기, 기화 모듈, 성막 장치 | |
| US8540120B2 (en) | Fluid mixing and delivery system | |
| KR20080106544A (ko) | 직접 액체 분사 장치 | |
| KR20180005939A (ko) | 폼드 아스팔트의 포밍 장치 및 방법 | |
| CN104246369A (zh) | 提高调节比的燃烧装置 | |
| JP3881569B2 (ja) | 液体材料気化装置 | |
| JP4568032B2 (ja) | ガス供給システム、弁アセンブリ、および弁アセンブリを操作することによる反応物質パルス形成方法 | |
| CN101511460A (zh) | 直接液体喷射装置 | |
| JP4704894B2 (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
| US6848250B2 (en) | Fuel injection system for a combustion engine | |
| KR102216526B1 (ko) | 밸브 조립체 | |
| JP3409910B2 (ja) | 液体材料気化供給装置 | |
| CN203586258U (zh) | 一种燃料喷射装置 | |
| CN104541035B (zh) | 用于分配流体的歧管 | |
| RU2589413C2 (ru) | Передатчик хода для газовой турбины | |
| JP3898002B2 (ja) | 燃焼装置の燃料制御装置 | |
| JPH07230322A (ja) | 気化流量制御器 | |
| JPH07243591A (ja) | 液体材料気化流量制御器 | |
| JP2009079302A (ja) | 液体材料気化装置 | |
| JP2016118271A (ja) | モジュール方式集合弁 | |
| JP2012097940A (ja) | 燃料供給用ヘッドおよびこれを備えた燃焼装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |