CN101884091A - 用于沉积导电黏附材料的设备和方法 - Google Patents
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Abstract
本发明揭示一种用以减少等离子体处理室中微粒污染的方法与设备。在一个实施例中，本发明提供黏贴盘，该黏贴盘包括盘形基部，该盘形基部由高电阻材料组成，导电黏贴材料层施加到该基部之顶表面，因而该黏贴材料层部分地覆盖住该基部之顶表面。该黏贴盘被溅射蚀刻，以在等离子体处理室之内部面积的大范围上沉积导电黏贴材料，同时可以将在多个电介质部件上的沉积减到最少，其中该些电介质部件用以在衬底处理期间最适化溅射蚀刻处理。
Description
技术领域
本发明实施例一般涉及用来处理半导体晶片、太阳能面板和平板显示器的衬底处理系统与室，并且特别是涉及在等离子体处理室中沉积导电黏贴材料的设备与方法。
背景技术
为了确保半导体组件的整合性与效能，在衬底上沉积膜之前，时常清洁半导体衬底以去除可能留置在衬底表面上的污染物与原生氧化物。典型地，传统的预清洁处理包括溅射蚀刻处理以去除污染物并暴露原生氧化物。原生氧化物接着可以通过额外的溅射蚀刻和/或利用还原反应的反应性蚀刻来去除。
原生氧化物的一个实例为氧化硅，其倾向于形成在硅衬底或膜的表面上。原生氧化硅层是当硅衬底暴露于氧时所形成的薄层(诸如约30埃厚)。当在大气压条件下在处理室之间移动衬底时，或若氧残留在真空处理室中且接触衬底，可能发生氧暴露。在金属化处理之前，通常希望去除硅表面上的原生氧化硅层，以降低金属层与下方的硅材料间的接触电阻。
在例如通过溅射沉积或化学气相沉积来沉积金属层之前，通常利用溅射来去除硅膜/衬底的表面上的原生氧化硅层。典型地，溅射蚀刻处理是在真空等离子体蚀刻室中执行。惰性气体(诸如氩)用来形成等离子体，等离子体感应地或电容地耦合且将气体离子化以制造正电荷离子。衬底停置在靠近等离子体区域的衬底支撑件上，并且衬底支撑件耦接到电源供应装置(诸如射频产生器)以施加偏压到衬底支撑件，使得离子得以朝向衬底表面加速。离子撞击衬底表面，并且此冲击会从衬底表面放射出氧化硅。放射出或溅射出的材料通常是从真空室排出，但一些放射出或溅射出的材料可能会沉积在室内的壁表面与各种部件上。由于溅射蚀刻是非选择性的物理处理，溅射出的材料可能包括其它位于衬底表面处的材料。在此实例中，除了氧化硅以外，硅也会被溅射出且被沉积到溅射蚀刻室的壁上。其它材料也可能被沉积到室壁上，取决于溅射蚀刻应用而定。
尽管蚀刻期间所产生的大部分溅射材料得以从溅射蚀刻室排出，沉积在室内的溅射材料倾向于随着时间累积。当沉积的膜变得更厚，应力可能开始在膜内累积，并且这些内应力会造成膜脱落且剥落而致使衬底的微粒污染。为了避免这样的污染，必须周期性地在室内部涂覆材料(例如金属)，该材料作为“黏着(glue)”层以固定住溅射材料且对于额外的溅射材料提供黏附表面。这样的处理称为“黏贴(pasting)”。沉积在室表面上的黏贴材料层通常是低应力材料，并且形成为更高应力材料层间的破裂与剥落的阻障物，其中该破裂与剥落在衬底蚀刻期间造成。
可以通过将衬底更换成含黏贴材料的黏贴盘(pasting disk)以黏贴材料来处理溅射蚀刻室。例如，若期望的黏贴材料是铝，黏贴盘可以是尺寸及形状类似于衬底的铝板。黏贴盘接着可以被放置在衬底支撑件上，并且被溅射蚀刻以产生溅射材料，其中该溅射材料是由铝构成且其会涂覆溅射蚀刻室的内表面。然而，导电黏贴材料也会沉积在各种电介质室部件上，并且此沉积可能会影响室部件的电介质性质且造成衬底处理期间靠近衬底处的电场分布的改变。横跨衬底表面的溅射蚀刻的均匀性是部分取决于沿着衬底表面的电场分布，并且因此沉积导电黏贴材料的处理会造成不期望的偏差。
所以，存在一种经改善的用于沉积导电黏贴材料的方法与设备的需求，其不会不利地影响衬底处理并且也能减少衬底微粒污染。
发明内容
本发明大致上提供用以在等离子体处理室中沉积黏贴材料的改善方法与设备。等离子体处理室可以适于衬底蚀刻、清洁、或其它类型的衬底处理。
一个实施例提供一种在等离子体处理室中沉积黏贴材料的黏贴设备。该设备大致上包括用于等离子体处理室的黏贴盘，并且该黏贴盘包括盘形基部，该盘形基部由高电阻材料组成，黏贴材料层施加到该基部的顶表面，使得该黏贴材料层部分地覆盖住该基部的顶表面，由此在不含有黏贴材料的该基部上形成边缘排除区域。
另一个实施例提供一种用于沉积黏贴材料的等离子体处理室。该室为真空室，其围绕处理空间且包括衬底支撑件，该衬底支撑件具有载座，黏贴盘设置在该载座上。该黏贴盘包括盘形基邵，该盘形基部由高电阻材料组成，黏贴材料层施加到该基部的顶表面，使得该黏贴材料层部分地覆盖住该基部的顶表面，由此在不含有黏贴材料的该基部上形成边缘排除区域。
根据一个实施例，用以在等离子体处理室中沉积黏贴材料的方法包括下述步骤：提供黏贴盘，该黏贴盘具有黏贴材料层与基部，其中层直径被选择使其小于基部直径，以减少黏贴材料在电介质边缘环上的沉积，同时能提供在所期望室表面上的黏贴覆盖；将该黏贴盘从黏贴盘操纵装置传送到衬底支撑载座；将该载座定位于处理位置；溅射蚀刻该黏贴材料层，以沉积黏贴材料在处理室表面上；将该载座定位于传送位置；以及将该黏贴盘从该衬底支撑载座传送到该黏贴盘操纵装置。
附图说明
本发明之前所述特征、详细说明可以通过参照实施例而更加了解，其中一些实施例绘示在附图中。然而，应了解，附图仅绘示本发明的典型实施例，因而不会限制本发明范围，本发明允许其它等效的实施例。
图1为根据本发明一个实施例的用来实施本发明的溅射蚀刻室的截面图。
图2A为图1所示的当施加偏压到衬底时衬底与边缘环的具体截面图。
图2B为图1所示的衬底与边缘环在溅射蚀刻处理期间的具体截面图。
图3A为图1所示的载座与边缘环在进行黏贴处理后的具体截面图。
图3B为图3A所示载座与边缘环在进行黏贴处理后的另一个实施例的具体截面图。
图4A为根据本发明一个实施例的黏贴盘的截面图。
图4B为根据本发明一个实施例的图4A所示黏贴盘的俯视图。
图5A为根据本发明一个实施例的黏贴盘与边缘环的截面图。
图5B为根据本发明的黏贴盘与边缘环的另一个实施例的截面图。
图6为根据本发明一个实施例的图1所示室的上部的截面图。
图7A为图1所示室的另一个实施例的俯视截面图。
图7B为图7A所示室的截面图。
图7C为图7B所示室的另一个实施例的截面图。
图7D为图7C所示边缘环与黏贴盘的俯视图。
为了促进了解，尽可能在图式中使用相同的组件符号来指定相同的组件。应了解，实例中揭示的特征可以被并入其它实施例而不需详细赘述。
具体实施方式
本文描述的本发明实施例大致上提供一种减少等离子体处理室中微粒污染的方法与设备。尤其，本发明提供一种沉积导电黏贴材料在溅射蚀刻处理室表面与部件上的黏贴设备与处理，其不会不利地影响黏贴处理之后的衬底处理。
图1为根据本发明一个实施例的用来实施本发明的溅射蚀刻室的截面图。在另一个实施例中，可使用其它类型的等离子体处理室来实施本发明，室100包括室主体106，室主体106被具有顶内表面122A和侧壁内表面122B的圆盖104覆盖住，其中该顶内表面122A和侧壁内表面122B围绕处理空间119。在另一个实施例中，圆盖104可以设计成具有顶内表面122C，使得圆盖104的中心部分更靠近衬底101，由此得以降低靠近衬底101中心的蚀刻速率。室100也可以包括一个或多个具有壁121的沉积遮蔽件105，其围绕各种处理部件以避免这样的部件与离子化处理材料间的不期望反应。也可以在靠近圆盖104处设置多个圆盖遮蔽件(未示出)，以避免溅射材料沉积在顶内表面122A与侧壁内表面122B上。室主体106与圆盖104可以由例如铝的材料制成。室100是真空室，并且适于在衬底处理期间维持在次大气压力。
衬底支撑件124设置在处理空间119内，用以支撑可为半导体晶片的衬底101。衬底支撑件124还包括载座107与支撑杆112，衬底101停置在载座107上，支撑杆112耦接到升降机构113，升降机构113可以提供衬底支撑件124在上处理位置(如第1图所示)与下传送位置(未示出)间的移动。波纹管(bellow)组件110耦接在衬底支撑件124与室底部126之间，以提供柔性密封，其允许衬底支撑件124的垂直移动而同时避免蚀刻室100内的真空损失。衬底升降件130包括多个升降梢109，升降梢109安装在平台108上，平台108连接到杆111，该杆111耦接到第二升降机构132，以用于升高且降低衬底升降件130，由此衬底101可以被放置在载座107上或从载座107被移除。载座包括多个穿孔120，以容纳升降梢109。波纹管组件131耦接在衬底升降件130与室底部126之间，以提供柔性密封，其可在衬底升降件130的垂直运动期间维持住室真空。
室100耦接到真空系统114且与真空系统114流体连通，真空系统114包括节流阀(未示出)与真空泵(未示出)，真空泵用来将室100抽空。室100内的压力可以通过调整节流阀和/或真空泵来控制。室100也耦接到气体供应装置118且与气体供应装置118流体连通，气体供应装置118可向蚀刻室100供应一种或多种处理气体(诸如氩)，以用于蚀刻处理。
为了建立期望的等离子体以用于溅射蚀刻该衬底101，载座107耦接到射频(RF)匹配116与RF电源供应装置117。载座107可以包括多个设置在靠近衬底支撑件表面的电极(未示出)，并且这些电极可以耦接到一个或多个RF匹配116与一个或多个RF电源供应装置117。载座107作为RF阴极，其与连接到接地115的室主体106与圆盖104电隔绝。处理气体(例如氩)从气体供应装置118引入处理室100，并且气体压力调整到用于等离子体点燃的默认值。当RF功率输送到载座107时，可以经由电容耦合在处理空间119中点燃等离子体102。可以调整或预设RF匹配116，以改善从RF电源供应装置117至等离子体102之功率传送的效率。除了提供等离子体源之外，RF电源供应装置117也向载座107施加偏压，从而使得等离子体102中的正电荷离子可加速至衬底101的表面，并且溅射蚀刻该衬底表面。
RF电源供应装置117可以提供频率为1356MHz的功率，但也可以使用其它频率。在一个实施例中，可以使用两种RF频率来驱动该载座107。可以使用较低的频率来驱动偏压以及离子能量，并且可以使用较高的频率来驱动等离子体产生和等离子体能量。
衬底101表面处的蚀刻均匀性部分取决于处理期间的室100压力，其较佳是维持在约0.5milliTorr与100milliTorr之间。压力可以通过调整真空系统114来控制。如前所述，蚀刻均匀性也部分取决于靠近衬底表面处的电场分布。若电场沿着衬底表面不是均匀的，蚀刻速率也将倾向于沿着衬底表面不是均匀的。电场的非均匀性在靠近衬底边缘处是特别明显的，这是因为电荷倾向于沿着尖的边缘或半径聚集，且这在靠近衬底边缘处会造成较高的蚀刻速率。为了减轻此“边缘效应(edge effect)”，由电介质材料制成的边缘环103设置在载座107上，使得边缘环103环绕衬底101的边缘。边缘环103可以阻挡溅射蚀刻期间的一些离子流通量，并且也有助于在靠近衬底101边缘处产生更均匀的电场。边缘环103可以由石英、氧化铝或其它电介质材料制成。
图2A为图1所示的当藉由经偏压的载座107施加偏压给衬底101时衬底101和边缘环103的具体截面图。电场线201表示电场(E场)，其显示当随时间改变的偏压通过RF电源供应装置117提供到载座107时的时间点的靠近衬底101顶表面204的电场。在另一个实施例中，偏压可以由DC电源供应装置来提供。由于衬底顶表面204的平坦表面区域上相当均匀的电荷分布，由电场线201来表示的电场在衬底之衬底顶表面204上方是相当均匀的。这样的均匀性倾向于产生平行的电场线201，其约垂直于衬底顶表面204。然而，在衬底边缘202处，表面区域显著地减少，并且电荷的集中会增加而造成该些电场线201在靠近衬底边缘202处会聚。该些电场线201的会聚在靠近角落211处特别明显。虽然衬底边缘202实际上可以是圆滑的(且没有角)，该些电场线201实际上也可能沿着具有小半径的表面会聚。设置边缘环103在靠近衬底边缘202处可以限制衬底边缘202处的电场线201会聚或将其减到最小，但无法完全消除此种电场线201的“边缘效应(edge effect)”，如图2A所示。
图2B为图1所示的衬底与电介质环在溅射蚀刻处理期间的具体截面图。等离子体102提供正电荷离子207(例如氩离子)。经偏压的衬底101在靠近衬底顶表面204与衬底边缘202处具有电场线201(见图2A)。正电荷离子207通过电场加速且移动于电场线201的方向。除了衬底边缘202，电场可以是相当均匀的，并且正电荷离子207朝着衬底顶表面204沿约垂直于衬底顶表面204的方向加速。例如，正电荷离子207沿着冲击轨道线203移动，其中该冲击轨道线203与靠近衬底顶表面204(即冲击表面)处的电场线201相切。正电荷离子207在顶表面204的冲击点210A以冲击角β来冲击衬底101，其中该冲击角β定义为冲击表面和冲击轨道线203间的角。在此实例中，冲击角β远离衬底边缘202且可为约90度。冲击力量将材料从衬底顶表面204弹射出或溅射出，如沿着弹射轨道205被弹射出的溅射材料206所示。弹射角定义为靠近冲击表面处冲击轨道线203与弹射轨道205间的角。因为离子冲击而造成的材料的弹射或去除称为溅射蚀刻。材料去除速率或蚀刻速率可能取决于许多参数，例如正电荷离子207的质量、等离子体102的离子密度、以及电场强度等等。弹射轨道205可以约略为直线或目视轨道线(“line-of-sighttrajectory)，这是因为经弹射的材料通常未被离子化且不受电场影响。经溅射的材料206在与气体原子/分子或离子撞击后，其轨道可能改变方向，但撞击之间的轨道约略为直线。
在靠近衬底边缘202处，一些电场线201可能会聚，并且一些正电荷离子207可能朝着衬底边缘202加速且在冲击点210B冲击衬底边缘202，如图2B所示。典型地，冲击角β可能小于90度，但弹射角可能具有广范围的数值而其会造成溅射材料206沉积在附近区域(例如边缘环103的顶表面140A、侧壁表面140B、以及下表面140C)。可以接收大部分沉积的表面是能够拦截来自一个或多个可能离子冲击点的弹射轨道205的表面。沉积也可能由于溅射材料206沉积于表面之前从多个室表面反弹但没有从任何中间表面反弹且依循笔直线、直线或目视轨道线行进到接收表面的溅射材料206占接收表面上沉积的大部分而引起的。然而，沉积的程度也取决于溅射材料206到接收表面的黏附性以及室真空系统114的排气路径，其中该室真空系统114可以将一些溅射材料在沉积于表面上之前将其移除。
边缘环103也可以通过将沿着非垂直于衬底顶表面204轨道行进且朝向衬底边缘202前进的离子予以阻挡，来避免一些离子撞击衬底101的表面。参照图2B，正电荷离子207在冲击点210C冲击边缘环103的顶表面140A。间隙219可以存在于衬底101与边缘环103之间。可以理解，通过将间隙219缩窄和/或相对于衬底顶表面204升高顶表面140A，边缘环103可以阻挡更多离子且因而避免更多溅射材料206沉积在边缘环103的表面上。
如前所述，溅射蚀刻通常用来去除衬底表面上的原生氧化物。在此应用中，溅射材料206主要是氧化硅，但也可以包括一些硅，并且这些材料可以沉积在室的各种表面上(例如顶与侧壁内表面122A、122B以及前述用于边缘环103的表面)。取决于溅射蚀刻应用而定，也可以将其它材料沉积于室表面上。
为了避免溅射材料206造成可能的衬底101的微粒污染，可以使用黏贴处理来周期性地处理室100，其中该黏贴处理将室100的内表面涂覆有黏贴材料。黏贴材料经过较佳地选择而使得材料良好地黏附到室100内的部件与表面，否则黏贴材料本身可能是微粒污染源。此外，黏贴材料经过较佳地选择而使得材料具有低内应力且良好地黏附到溅射材料206、作为溅射材料206的黏附层、以及避免先前沉积的溅射材料206的脱落与剥落。
在一些黏贴应用中，金属黏贴材料是较佳的，这是因为一些金属是高度可弯曲的且可延展的，并且倾向于具有低内应力。此外，许多室部件与表面通常是由金属制成，并且因此对于各种类型之金属黏贴材料可以提供良好的黏附性。可以根据黏贴材料的期望性质(例如对于欲涂覆的表面的良好黏附性、以及形成可抵抗脱落和剥落的黏贴材料层能力)，来选择金属黏贴材料。如所述，后者性质可以由金属黏贴材料来提供，其为高度可弯曲的且可延展的并且可产生具有低内应力的黏贴材料层。
图3A为图1所示的载座107与边缘环103在进行黏贴处理后的具体截面图。衬底101已经被更换成黏贴盘(pasting disk)300，其用于将金属材料黏贴到室100的内表面上。黏贴盘300可以包括金属板，其具有与衬底101约相等的尺寸及形状，从而使得金属黏贴盘300可以通过使用衬底操纵机械手臂来传送进出室100。黏贴盘300可以包括黏贴应用所需要的一种或多种金属和/或金属合金。
为了沉积金属黏贴材料到室100的内表面上，黏贴盘300被溅射蚀刻，并且溅射材料206以类似于衬底101和图2B所示的方式从黏贴盘顶表面304以及黏贴盘的其它暴露表面被弹射出。然而，在溅射蚀刻处理期间，导电黏贴盘300在靠近黏贴盘边缘302处比衬底边缘202处具有更大的电荷浓度，并且因此电场线201有更大的倾向在黏贴盘边缘302处会聚，并且这会增加溅射蚀刻速率以及因而溅射材料206沉积到靠近黏贴盘边缘302的表面上的沉积速率。
参照图3A，溅射材料206可以在边缘环103的一个或多个表面上形成金属沉积物301，并且金属沉积物301可以在室100的重复黏贴处理后随着时间累积。金属沉积物301可以形成在边缘环103的顶表面140A、侧壁表面140B以及下表面140C上。下表面140C接收较少的金属沉积物301，这是因为此表面没有如同边缘环103的顶表面140A和侧壁表面140B暴露于溅射材料206。边缘环103的外表面140D和内表面140E几乎没有接收溅射材料206，这是因为这些表面没有暴露于从黏贴盘300弹射出的目视轨道线。
图3B为图3A中设计用于黏贴处理的载座与边缘环的另一个实施例的具体截面图。设置在载座107周围的边缘环103可以具有不同形状，如图3B所示的矩形截面，但边缘环103的一个或多个表面将大致上暴露于溅射材料206，其中该溅射材料206可在该些表面(例如顶表面140A)上形成金属沉积物301。
边缘环103上的金属沉积物301的出现将倾向于改变靠近衬底边缘202处的电场分布，这是因为边缘环103的表面导电性被金属沉积物301改变了。此外，金属沉积物301在进行室100的每一次黏贴处理后会改变形状与范围，并且这对于靠近衬底边缘202处的电场分布会造成无法预测的变化。为了防止溅射蚀刻处理中不希望的偏差，因此期望将导电材料到边缘环103上的沉积减到最少。
图4A为根据本发明一个实施例的黏贴盘的截面图。黏贴盘400是由超过一种材料组成的复合盘。黏贴盘400包括基部402和黏贴材料层401，黏贴材料层401施加在基部402的顶表面406上。黏贴材料层401包括可导电的黏贴材料。在另一个实施例中，黏贴材料可以是非导电的或电气绝缘的黏贴材料层401，通过遮蔽基部402且使用适当的沉积处理(例如电弧喷涂(arc spraying)、溅射、或其它可以将基部402涂覆有黏贴材料层401的沉积方法)来沉积黏贴材料来施加。在另一个实施例中，黏贴材料层401可以包括薄片或盘的黏贴材料，其利用适当的接合处理被施加到基部402。
黏贴材料层401具有层顶表面404，其在黏贴处理期间被溅射蚀刻。黏贴材料层401具有层顶表面404到基部顶表面406间的层厚度T1，并且基部402具有基部顶表面406到基部底表面409间的基部厚度T2，层厚度T1可以介于约1μm到约100μm的范围内，并且基部厚度T2可以介于约0.5mm到约5mm的范围内，但也可以使用其它的厚度值。黏贴盘400具有整体厚度T，其约略为个别之层厚度T1与基部厚度T2的总和。
图4B为根据本发明一个实施例之图4A所示黏贴盘400的俯视图。黏贴材料层401具有测量到层边缘表面407的层直径D1，并且基部402具有测量到基部边缘表面408的基部直径D2。黏贴材料层401被施加成产生不含黏贴材料的边缘排除区域403，边缘排除区域403具有边缘排除宽度410。基部直径D2约等于层直径D1与两倍边缘排除宽度410的总和。层直径D1小于基部直径D2，并且层与基部的直径比D1/D2可以介于约0.4到约0.98的范围内。在另一个实施例中，直径比D1/D2可以介于约0.7到约0.98的范围内。黏贴盘400的基部直径D2可以介于约200mm到约300mm的范围内。在另一个实施例中，基部直径D2可以超过300mm。在又一个实施例中，黏贴“盘”400可以包括其它形状(例如卵形、方形矩形、或其它形状)的黏贴材料层401与基部402，并且可以结合不同的形状(例如方形的黏贴材料层401位在圆形或盘行的基部402上)。
基部402可以由电介质质或高电阻材料制成，例如石英、氧化铝(Al2O3)、硅(例如本征硅)、氧化硅(例如SiO2)、陶瓷、或其它适当的高电阻材料。用于黏贴材料层401的黏贴材料可以依据希望的黏贴应用而变化。在一个实施例中，黏贴材料层401包括一种或多种金属和/或合金，例如铝、铜、银或金。在另一个实施例中，黏贴材料层401可以使用其它导电材料。在又另一个实施例中，黏贴材料层401可以包括非导电或电气绝缘的材料。
图5A为根据本发明一个实施例的黏贴盘400与边缘环103的截面图。黏贴盘400设置在载座107上，并且黏贴盘400在黏贴处理期间被溅射蚀刻。黏贴材料层401具有层直径D1A，并且基部402具有基部直径D2A。导电黏贴材料在层顶表面404处被溅射蚀刻，且也可以在黏贴材料层401的层边缘表面407处被溅射蚀刻。同样地，电介质质材料可以在基部顶表面406与基部边缘表面408处从基部402被溅射出。正电荷离子207在冲击点510冲击黏贴材料层401，其中冲击点510位于层边缘表面407或附近处与层顶表面404处。黏贴材料从冲击点510被弹射出，并且沿着弹射轨道506(实线箭头)和被阻挡的弹射轨道505(虚线箭头)的目视轨道线行进。沿着被阻挡的弹射轨道505的目视轨道线行进弹射出的黏贴材料被基部402阻挡或拦截，并且无法沉积在边缘环103上。沿着弹射轨道506弹射出的黏贴材料没有被基部402阻挡，并且黏贴材料行进越过边缘环103而没有被边缘环103的任何表面拦截。
位在黏贴材料层401上的冲击点510代表层直径D1A的圆上的点轨迹，从而对于黏贴材料层401上的任何离子冲击位置，弹射出的黏贴材料将沿着被基部402所拦截或阻挡的轨道行进，或者行进超过基部402而不被边缘环103的任何表面所拦截。换句话说，黏贴盘400的几何型态参数的数值，诸如层直径D1A、边缘排除宽度410、层厚度T1与基部厚度T2，可以经适当地选择用于特定的边缘环103几何型态，因此没有溅射出的黏贴材料(其依循直线或目视轨道线)会沉积在边缘环103的任何表面上。尽管一些溅射的黏贴材料在沉积于边缘环103之前可能从多个室100表面反弹和/或从气体原子/分子或离子散射，消除或减少具有直线或目视轨道线(其源自黏贴材料层401表面上任何点)的黏贴材料的沉积可能显著地减少沉积在边缘环103上的黏贴材料的量。
参照图5A，极限距离d是测量在边缘环103之顶表面140A与基部顶表面406之间测量的。极限距离d为需要用来避免弹射轨道506被边缘环103的顶表面140A拦截的最小距离。因为极限距离d参照边缘环103的特征(即顶表面140A)，可以理解的是，黏贴盘400的几何型态参数的数值的选择可以部分地根据边缘环103的各种特征的位置来选择，以为了满足边缘环103上几乎没有或没有发生溅射黏贴材料(其依循来自黏贴材料层401的目视轨道线)的沉积的状况。黏贴盘400的几何型态参数可以被选择以将黏贴材料在靠近衬底处理区域处的其它室部件上的沉积减到最少，并且边缘环103仅是这样的部件的实例。
依蚀刻应用而定，导电黏贴材料可以沉积在边缘环103上而不会使溅射蚀刻处理偏差超过可接受的限制，并且因此可以增加黏贴盘400的几何型态参数的可接受数值的范围。例如，导电材料在靠近边缘环103的外表面140D处的顶表面140A的有限量沉积对于靠近衬底边缘202处的电场分布具有最小的效应，并且因此对于层直径D1的大数值范围，溅射蚀刻处理可以维持在可接受的限制内。
在黏贴盘400的溅射蚀刻期间，基部402也会被溅射，并且基部材料可能沉积在边缘环103与其它室表面和部件上。由于基部材料足电介质质或高电阻材料，沉积的基部材料将倾向于将电介质性质留给边缘环103和其它不受影响的室部件，因此溅射蚀刻处理中没有不期望的偏差。然而，由于依循被阻挡的弹射轨道505且沉积在基部顶表面406土的黏贴材料，室100的多个黏贴处理可能造成导电黏贴材料在基部402上的累积。
导电黏贴材料在基部402上的累积有效地减少黏贴盘400的边缘排除宽度410，其可能造成黏贴处理期间导电黏贴材料在边缘环103上的不期望的沉积。因此，黏贴盘400周期性地被更换或被清洁，以保持边缘排除区域403不含有黏贴材料且避免黏贴材料在边缘环103上的不期望的沉积。此外，由于在多次黏贴材料处理之后黏贴材料的耗尽，黏贴盘400必须周期性地被更换。
图5B为根据本发明的黏贴盘400与边缘环103的另一个实施例的截面图，黏贴材料层401具有层直径D1B，并且基部402具有基部直径D2B。边缘环103具有不同的截面轮廓，其使顶表面140A相对于基部顶表面406降低且使极限距离d增加。为了比较，载座107尺寸、基部直径D2B、与基部厚度T1、T2相对于图5A保持不变，并且D2A＝D2B。值得注意，增加的极限距离d允许更大的层直径D1B(以及更小的边缘排除宽度410)，因此D1B/D2B＞D1A/D2A，同时仍能避免弹射轨道506被边缘环103的顶表面140A所拦截。如第5A和5B图所示，用以避免溅射导电材料沉积在边缘环103上所需的边缘排除宽度410部分取决于边缘环103上各种特征的位置。
图6为根据本发明一个实施例的图1所示室100的上部的截面图。黏贴盘400设置在位于处理位置的载座107上。黏贴材料层401的层顶表面404与圆盖104的顶内表面122A相隔距离H。黏贴材料层401具有测量到边缘表面607A的层直径D1A。冲击点601A位在层顶表面404与边缘表面607A处，并且在溅射蚀刻期间接收离子。导电材料经由分散角γ从冲击点601A被弹射出，并且沿着弹射轨道603A(实线箭头)的目视轨道线行进，并且冲击其中导电材料在黏贴处理期间可能沉积于室100的各种内表面(例如顶内表面122A、侧壁内表面122B、以及沉积遮蔽件的壁121)。一些弹射出的导电材料可能沿着弹射轨道603A行进，并且沉积在圆盖104的侧壁内表面122B上的点605A。
为了清晰，仅显示冲击点601A的两个目视弹射轨道线603A，但冲击点601A可以具有许多目视弹射轨道线603A，如代表着目视弹射轨道线603A的方向范围的分散角γ所示。此外，分散角γ仅为全分散角2γ的一半，其中全分散角2γ代表着目视弹射轨道线603A对于冲击点601A的可能方向的全范围(以二维)。全分散角2γ可以介于0度与180度之间，或甚至取决于相对于黏贴材料层401的边缘表面607A的离子冲击点位置。
图6显示在黏贴材料层401具有更大层直径D1B(其测量到边缘表面607B)情况下的第二冲击点601B。导电材料经由分散角γ从冲击点601B被弹射出，并且沿着弹射轨道603B(虚线箭头)的目视轨道线行进。为了比较，冲击点601B具有与冲击点601A相对于黏贴材料层401相同的位置，并且仅显示平行于弹射轨道603A的弹射轨道603B。弹射出的导电黏贴材料沿着弹射轨道603B行进，并且沉积在侧壁内表面122B的点605B处。值得注意，从黏贴材料层401的层直径D1A到层直径D1B的增加降低了弹射轨道603B，因此点605B在侧壁内表面122B比点605A低上距离X，并且因此通过增加黏贴材料层401在黏贴盘400上的直径，黏贴处理期间黏贴材料可以更有效地覆盖住圆盖104与室100的更大内表面区域。
图6也显示，通过增加层顶表面404与圆盖104的顶内表面122A间的距离H，可以降低弹射轨道603A到点605B，并且因此增加距离H也可以增加黏贴材料在圆盖104的内表面上的沉积覆盖区域。然而，距离H部分地取决于圆盖104几何型态以及溅射蚀刻期间邻近层顶表面404处的等离子体102的条件，并且因此黏贴处理期间的距离H的数值的可调整性可能受限。
由于通常希望增加室100的黏贴覆盖区域(其靠近衬底101或位在衬底101上方)以降低微粒污染的风险，黏贴盘400的直径D1可以被选择成具有可提供大黏贴覆盖区域而同时避免或最小化黏贴材料在边缘环103上的沉积的数值。为了更进一步促进黏贴处理处理，黏贴盘400具有适当的尺寸与形状以用于利用衬底操纵机械手臂(未示出)来传送进出室100。另外，室100可以更改成使得黏贴盘400可以在衬底101处理期间维持在室100内。
图7A为图1所示室的另一个实施例的俯视截面图。室100可以适应于包括枢转设备700，枢转设备700包括枢转机械手臂壳体701、枢转机械手臂702、以及枢转机械手臂轴703。枢转机械手臂壳体701耦接到室主体106，使得真空密封存在于枢转机械手臂壳体701与室主体106之间。枢转机械手臂702耦接到枢转机械手臂轴703，因此枢转机械手臂702可以旋转于壳体位置A与室位置B之间。旋转致动器(未示出)或其它适当的装置可以耦接到枢转机械手臂轴703的一端，而使框转机械手臂702旋转于壳体位置A与室位置B之间。枢转机械手臂702适于接收且支撑黏贴盘400，由此使黏贴盘400传送到升降梢109从升降梢109传送(见图7B)。
图7B为图7A所示室的截面图。在衬底101处理期间，枢转机械手臂702在壳体位置A支撑黏贴盘400于枢转机械手臂壳体701内。在衬底101处理之后，衬底支撑件124被升降机构1131降低到传送位置。接着，衬底升降件130可以升高平台108与升降梢109，由此使得升降梢109接触衬底101以及将衬底101从载座107提升，因而衬底操纵机械手臂叶片(未示出)得以进入室100且移动到衬底101下方。然后，衬底升降件130可以稍微地下降到交换位置，而使得衬底101从升降梢109传送到衬底操纵机械手臂叶片。衬底操纵机械手臂叶片可以接着从室100移除衬底101。
为了预备黏贴处理，枢转机械手臂702可以接着旋转到室位置B(见图7A)，使得黏贴盘400位在升降梢109上方。然后，衬底升降件130稍微地上升到交换位置，由此使黏贴盘400从枢转机械手臂702传送到升降梢109。枢转机械手臂702可以进而旋转回到壳体位置A，并且衬底升降件130可以向下移动，藉此使黏贴盘400从升降梢109传送到载座107。在黏贴盘400已经传送到载座107之后，衬底支撑件124可以向上移动到处理位置，因此黏贴盘400位在处理空间119内，并且黏贴处理可以开始。
在黏贴盘400已经被溅射蚀刻之后且黏贴处理已将完成，黏贴盘400可以藉由将前述步骤反转而被传送回到枢转机械手臂702。本文所述传送黏贴盘400至且从枢转机械手臂702与载座107之步骤的顺序和方式并非意图作为限制，以及可以了解本发明这些步骤的其它实施例。
图7C为图7B所示室的另实施例的截面图。除了不必从室100移除黏贴盘400以外，枢转设备700具有额外的优点，即可允许使用直径比衬底101(其被衬底操纵机械手臂所传送)大的黏贴盘400。枢转机械手臂702可以适于支撑和传送基部直径为D2的黏贴盘400，其中该基部直径D2大于衬底101直径。边缘环103的顶表面140A的位置也可以使黏贴盘400停置在载座107上而不干扰边缘环103，如图7C所示。基部直径D2的尺寸可以超过衬底101的直径，因此在黏贴处理期间，边缘环103之所有的或至少部分的顶表面140A被基部402覆盖住，以避免或最小化黏贴材料在边缘环103上的沉积。应了解，顶表面140A可以包括边缘环103的一个或多个表面，其中这些表面面对处理区域119。
图7D为图7C所示电介质环与黏贴盘的俯视图。边缘环103具有测量到内表面140E的边缘环内径Di(虚线)以及测量到外表面140D的边缘环外径D0(虚线)。黏贴盘400具有基部直径D2与层直径D1，并且基部402覆盖住部分的边缘环103顶表面140A。在另一个实施例中，基部直径D2约等于边缘环外径D0，并且基部完全覆盖住边缘环103。
尽管前述说明着重在本发明的实施例，在不悖离本发明的基本范围下，可以构想出本发明的其它与进一步实施例，并且本发明的范围是由随附权利要求来决定。
Claims (17)
1.一种用于等离子体处理室的黏贴盘，包括：
盘形基部，其由高电阻材料组成且具有顶表面；以及
黏贴材料层，其施加到所述基部的所述顶表面，其中，所述黏贴材料层部分地覆盖所述基部的所述顶表面。
2.如权利要求1所述的黏贴盘，其中所述黏贴材料层是包括铝的金属。
3.如权利要求1所述的黏贴盘，其中所述高电阻材料选自于由氧化铝、石英、硅以及氧化硅所构成的组。
4.如权利要求1所述的黏贴盘，其中所述黏贴材料层包括厚度介于约1μm至约100μm之间的导电材料。
5.如权利要求1所述的黏贴盘，其中所述黏贴材料层为盘形，并且其直径小于所述盘形基部的直径。
6.如权利要求5所述的黏贴盘，其中所述黏贴材料层直径与所述基部直径的比例介于约0.4至约0.98之间。
7.一种等离子体处理室，包括：
真空室，围绕处理空间；
衬底支撑件，具有载座用于支撑所述衬底；以及
黏贴盘，设置在所述真空室内，所述黏贴盘包括盘形基部和黏贴材料层，所述盘形基部由高电阻材料组成且具有顶表面，所述黏贴材料层施加到所述顶表面，其中所述黏贴材料层部分地覆盖所述基部的所述顶表面。
8.如权利要求7所述的等离子体处理室，其中所述等离子体处理室为溅射蚀刻处理室。
9.如权利要求7所述的等离子体处理室，还包括枢转设备，其用于支撑所述黏贴盘且用于在枢转机械手臂壳体与所述载座之间传送所述黏贴盘，由此所述黏贴盘可以在衬底处理期间与之后维持在所述等离子体处理室内。
10.如权利要求7所述的等离子体处理室，其中所述等离子体处理室为电容地耦合的等离子体处理室。
11.如权利要求7所述的等离子体处理室，还包括电介质边缘环与圆盖，其中所述圆盖围绕所述处理空间，并且所述圆盖由金属制成。
12.如权利要求7所述的等离子体处理室，其中所述黏贴材料层为盘形，并且其直径小于所述盘形基部的直径。
13.如权利要求7所述的等离子体处理室，其中所述黏贴材料层的厚度介于约1μm至约100μm之间。
14.一种用于在等离子体处理室中沉积黏贴材料的方法，包括下述步骤：
提供黏贴盘，所述黏贴盘具有黏贴材料层与基部，其中黏贴材料层直径与基部直径的比例被选择为减少黏贴材料在电介质边缘环上的沉积，同时能提供在所期望室表面上的黏贴覆盖；
将所述黏贴盘从黏贴盘操纵装置传送到衬底支撑载座；
将所述载座定位于处理位置；
溅射蚀刻所述黏贴材料层，以将黏贴材料沉积在处理室表面上，其中在所述处理室内不含有衬底的状态下执行此步骤；
将所述载座定位于传送位置；以及
将所述黏贴盘从所述衬底支撑载座传送到所述黏贴盘操纵装置。
15.如权利要求14所述的方法，其中所述黏贴盘操纵装置为衬底操纵机械手臂。
16.如权利要求14所述的方法，其中所述黏附材料层直径与所述基部直径的比例介于约0.4至约0.98之间。
17.如权利要求14所述的方法，其中所述基部直径被选择成覆盖住所述电介质边缘环的至少一部分。
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|---|---|---|---|---|
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| KR20200135550A (ko) * | 2018-04-18 | 2020-12-02 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 자기-중심조정 피쳐를 갖는 2-피스 셔터 디스크 조립체 |
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|---|---|---|---|---|
| US5556501A (en) * | 1989-10-03 | 1996-09-17 | Applied Materials, Inc. | Silicon scavenger in an inductively coupled RF plasma reactor |
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| US6045670A (en) * | 1997-01-08 | 2000-04-04 | Applied Materials, Inc. | Back sputtering shield |
| JPH11162859A (ja) * | 1997-11-28 | 1999-06-18 | Canon Inc | シリコン結晶の液相成長方法及びそれを用いた太陽電池の製造方法 |
| US6444083B1 (en) * | 1999-06-30 | 2002-09-03 | Lam Research Corporation | Corrosion resistant component of semiconductor processing equipment and method of manufacturing thereof |
| US6699375B1 (en) | 2000-06-29 | 2004-03-02 | Applied Materials, Inc. | Method of extending process kit consumable recycling life |
| US6440879B1 (en) | 2001-01-05 | 2002-08-27 | Integrated Device Technology, Inc. | Physical vapor deposition apparatus with modified shutter disk and cover ring |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108807275A (zh) * | 2017-04-27 | 2018-11-13 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体器件的制作方法 |
| CN112385014A (zh) * | 2018-07-17 | 2021-02-19 | 瓦里安半导体设备公司 | 使用角度化离子来选择性地沉积层的方法、系统及装置 |
| CN112385014B (zh) * | 2018-07-17 | 2023-07-04 | 瓦里安半导体设备公司 | 使用角度化离子来选择性地沉积层的方法、系统及装置 |
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