CN101872094A - 面板处理装置及其方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供面板处理装置及其方法。该面板处理装置中包括：ACF粘贴机构，将ACF粘贴到面板的TAB搭载部；临时压接结合机构，将分别设置于TAB搭载部和半导体电路装置的外部引线部的标记间的当前偏移量与负反馈量相加而得到的值作为新的偏移量来进行位置对准，将TAB搭载部和半导体电路装置临时压接结合；正式压接结合机构，对临时压接结合的半导体电路装置在加热条件下加压将半导体电路装置经ACF压接结合于面板；偏移检查机构，测量压接结合后的标之间的位置偏移，针对TAB搭载部的位置、临时压接结合的与正式压接结合的压接结合头的组合相同的偏移，取得过去n次偏移数据的平均值，将平均值乘系数K得到的值作为临时压接结合机构的负反馈量来反馈。

Description

面板处理装置及其方法

技术领域

本发明涉及对液晶面板、等离子面板等平板型显示器面板、以及其他面板实施多个处理的面板处理装置及其方法。

背景技术

作为平板型显示器面板(下文中称为面板)的示例，为了制造液晶面板需要各种处理工序(下文中称为“阶段”(stage)。另外，面板处理装置执行各种处理工序的机构也与各个处理工序对应地称为“阶段”。)。例如，为了将驱动电路连接至面板，进行这样的阶段：在面板上粘贴各向异性导电片(下文中称为ACF(Anisotropic Conductive Film)，将作为驱动电路的半导体电路装置经ACF连接至面板，并在该半导体电路装置的另一端连接印刷电路基板(下文中称为PCB(Printed Circuit Board))。作为驱动电路即半导体电路装置，使用在膜载体上通过TAB(Tape Automated Bonding：带式自动焊接)法安装有芯片的TCP(Tape Carrier Package，带式载体封装)。

在面板的端部以狭窄的间距形成有电极，为了将半导体电路装置的外部引线经ACF压接结合到面板端部的电极来进行连接，需要进行高精度的位置对准。为了进行该位置对准，在面板的端部和半导体电路装置的外部引线上分别准备了标记。

使用标记来进行位置对准的技术记载于专利文献1中。专利文献1记载了这样的技术：位置偏移的原因在于压接结合工具的下表面和面板的电极面的平行度不一致、压接结合负载、温度、ACF的物理特性等，将面板端部的标记与半导体电路装置的外部引线的标记之间的错位叫做位置偏移，压接结合前的位置偏移量的分布和压接结合后的位置偏移量的分布之间存在一定的相关关系，在着眼于该状况的情况下，将压接结合后的位置偏移量的平均值作为用于压接结合前的位置对准(位置偏移为0)的偏移量来进行反馈。

现有技术文献

专利文献1：专利第3243973号公报

但是，若将专利文献1的技术应用于经ACF进行面板的端部和半导体电路装置的外部引线之间的压接结合，发明人注意到位置偏移(下文中称为“偏移”)的量未必会收敛于0。发明人还注意到专利文献1的技术构成使与目标值的偏差为0的比例控制系统，该控制系统有时会存在产生振荡或者发散的不稳定状态的情况。不稳定的状态是无法以预定的精度进行位置对准的状况，从而无法提高或者确保面板生产的合格率。

发明内容

本发明的面板处理装置及其方法包括：各向异性导电片粘贴阶段，接受各向异性导电片(ACF)的供给，将各向异性导电片粘贴到面板的带式自动焊接搭载部(TAB搭载部)；临时压接结合阶段，利用摄像装置对分别设置于面板的带式自动焊接搭载部和半导体电路装置的外部引线部的标记进行观察，将负反馈量与分别设置于所述各部的标记之间的当前偏移量相加而得到的值作为新的偏移量来进行位置对准，将面板的带式自动焊接搭载部和半导体电路装置临时压接结合在一起；正式压接结合阶段，对临时压接结合于面板的半导体电路装置在加热条件下进行加压，将半导体电路装置经各向异性导电片压接结合于面板；以及偏移检查阶段，使用其他摄像装置，对偏移进行测量，所述偏移是分别设置于压接结合在一起的面板的带式自动焊接搭载部与半导体电路装置的外部引线部的标记之间的位置偏移，针对面板的带式自动焊接搭载部的位置、将面板和半导体电路装置临时压接结合在一起的临时压接结合阶段的压接结合头与将面板和进行了正式压接结合的正式压接结合阶段的压接结合头的组合相同的偏移，取得过去n次的偏移数据的平均值，将平均值乘以系数K(K≤0.6)所得到的值作为临时压接结合阶段中的负反馈量来进行反馈。

本发明的其他形态为：对应于从面板的临时压接结合阶段经由正式压接结合阶段向偏移检查阶段的面板搬送，传输表示面板的带式自动焊接搭载部的位置、将面板和半导体电路装置临时压接结合在一起的临时压接结合阶段的压接结合头、以及将面板和半导体电路装置压接结合在一起的正式压接结合阶段的压接结合头的组合相同的信息。

本发明的其他形态为：使n为50～100，该n用于求偏移数据的平均值。

本发明的其他形态为：临时压接结合阶段中，在将面板的带式自动焊接搭载部和半导体电路装置临时压接结合在一起时，使所述新的偏移量在n次的范围内不变。

本发明的其他形态为：对表示供给到各向异性导电片粘贴工序中的各向异性导电片的生产批次的变化以及半导体电路装置的生产批次的变化中任一方的信息的输入进行响应，在偏移检查阶段中，在预定时间内使K为0.3附近，在经过预定时间后，将K变更设定成0.6附近。

本发明的另一形态为：在对面板和半导体电路装置中至少一方不同的多个品种进行切换来进行生产的情况下，在偏移检查阶段中，将每个品种的偏移数据的成绩保存起来，在发生了品种切换时，参照所保存的偏移数据的成绩，在存在与切换后的品种对应的偏移数据的成绩的情况下，将所述偏移数据的成绩作为所述平均值的初始值。

本发明的其他形态为：将每个品种的偏移数据的成绩与产生成绩的日期数据对应地保存起来。

根据本发明，能够使偏移稳定地保持在预定范围内，所述偏移是将半导体电路装置压接结合到面板的预定位置上所伴随的偏移。

附图说明

图1为面板的概略外观图。

图2为面板处理装置的阶段构成的概略图。

图3为压接结合装置的主要部分的外观图。

图4为表示面板和半导体电路装置经ACF压接结合在一起的状况的图。

图5为控制电路的构成图。

图6为通过偏移检查阶段的控制电路执行的控制程序的流程图。

图7为偏移数据表的一例。

符号说明

1：面板

2：半导体电路装置

3：印刷电路基板

4：ACF

5：面板的TAB搭载部的标记

6：半导体电路装置的外部引线侧的标记

11：清洁阶段

12：ACF粘贴阶段

13：临时压接结合阶段

14：正式压接结合阶段

15：正式压接结合阶段

16：偏移检查阶段

20：压接结合装置

21：主体

22：台座

23：加热器

24：工作台

25：加压机构

26：加热器

27：加压头

50：控制电路

70：偏移数据表

具体实施方式

下面，使用附图对本发明的实施方式进行说明。图1表示面板1的概略外观。通过面板处理装置，在图1(a)所示的面板1的长边1a和短边1b，如图1(b)所示，分别通过使用了ACF的热压压接接合来搭载多个TCP的半导体电路装置2，并以与面板1的各边1a和1b的半导体电路装置2连接的方式连接PCB3。

图2表示本实施方式的面板处理装置10中的阶段结构的概略。面板处理装置10的阶段结构包括：清洁阶段11、ACF粘贴阶段12、临时压接结合阶段13、正式压接结合阶段14、正式压接结合阶段15、以及偏移检查阶段16各阶段。实际上，在清洁阶段11之前，有面板1的搬入阶段，在偏移检查阶段16后接着有连接PCB的阶段等。

在清洁阶段11中，设有对搬入的面板1的TAB搭载部(搭载图1(b)的半导体电路装置2的部分)进行清洁的机构，例如，通过带清洁来拭去面板的TAB搭载部的脏污。在ACF粘贴阶段12中，接受ACF的供给，将ACF粘贴到面板1的TAB搭载部。ACF优选限定粘贴于TAB搭载部，但是也可以粘贴在面板1的长边1a和短边1b的全长范围内。

在临时压接结合阶段13中，使用照相机等摄像装置，对分别准备于面板1的端部1a、1b的TAB搭载部和半导体电路装置2的外部引线上的标记进行位置对准，将面板的端部1a、1b的TAB搭载部和半导体电路装置2临时压接结合在一起。在正式压接结合阶段14、15中，对临时压接结合在面板1上的半导体电路装置2在加热条件下进行加压，经ACF将其固定于面板1。经过临时压接结合阶段13、正式压接结合阶段14和15，如图1(b)所示，在面板1的长边1a和短边1b上分别固定有多个半导体电路装置2。

偏移检查阶段16，是判定各半导体电路装置2是否在预定的精度内搭载于面板1的预定位置的阶段。该偏移检查阶段16中，也使用照相机等摄像装置，对分别准备于面板1的TAB搭载部和半导体电路装置2的外部引线上的标记之间的位置偏移进行观测。将半导体电路装置2的搭载位置距预定位置的偏差叫做偏移。

图3表示正式压接结合阶段14和15中使用的压接结合装置的主要部分的外观。压接结合装置20在安装于主体21的台座22上隔着加热器23具有载置面板1的工作台24。另外，在主体21上安装有加压机构25，在加压机构25的下部隔着加热器26具有加压头27。在进行压接结合时，加压机构25被控制成将加压头27朝向工作台24的方向按压。压接结合装置20在图3中是示出了四个加压头的多加压头结构。

在压接结合装置20中，安装有用于保持面板1的面板保持架，但是其省略了图示。对于工作台24和面板1的搭载部分，预先对X方向、Y方向、Z方向的位置以及θ_x方向(绕X轴的倾斜度)、θ_y方向(绕Y轴的倾斜度)、θ_z方向(绕Z轴的倾斜度)的姿态进行了调整。另外，压接结合头27的位置和姿态也被调整到正确的位置使得载荷均等地作用。当通过未图示的面板搬送装置将面板1交给面板保持架时，压接结合头27通过使用了加压缸的加压机构25被朝向工作台24(图3中的下方向)按下。通过该压接结合头27的按下，载置在工作台24上的面板1和半导体电路装置2经ACF压接结合在一起。由于完全无法在事前对压接结合头27的下表面和面板1的电极面(TAB搭载部)的平行度(绕X轴的旋转和绕Y轴的旋转)进行调整，因此，即使压接结合头27被与X-Y平面垂直地按下，半导体电路装置2的外部引线相对于面板1的电极也会具有偏差。作为工作台24和压接结合头27的平行度具有误差的原因，调整时的残留误差和运转过程中装置框架或设置环境的温度变动引起的装置形变被认为是主要原因。对于引起偏差的其他原因将在后文叙述。

图4表示面板1和半导体电路装置2经ACF4压接结合在一起的状况。图4(a)表示在面板1上粘贴有ACF4，在ACF4上压接结合有半导体电路装置2的剖视图。图4(b)表示在临时压接结合阶段13中面板1和半导体电路装置2经ACF4压接结合在一起的俯视图。由于ACF4是透明的，因此通过使用照相机等摄像装置能够获得该俯视图中所表示的状况。图4(c)表示在偏移检查阶段16中面板1和半导体电路装置2经ACF4正式压接结合在一起的俯视图。该俯视图所表示的状况也可以通过使用照相机等摄像装置来获得。在图4(b)和(c)中，圆圈5表示TAB搭载部的标记，×6表示半导体装置2的外部引线侧的标记。

图4(d)是在临时压接结合阶段13中关注于某一处的标记的放大图。图4(e)是与临时压接结合阶段13中关注的标记(图4(d))对应的标记在偏移检查阶段16中的放大图。

如图4(d)所示，设通过同一压接结合头27正式压接结合在一起的面板1和半导体电路装置2的第i个x-y平面内的偏移为(x_bi，y_bi)。另外，如图4(e)所示，设通过同一压接结合头27正式压接结合在一起的偏移检查阶段16中的面板1和半导体电路装置2的第i个x-y平面内的偏移为(x_ai，y_ai)。

在图4中，表示了x-y平面内的偏移，但是绕z轴的旋转角度θ也通过摄像装置进行观测。旋转角度θ的观测方法使用图4(b)和(c)所示的左右的标记对。即，将连接左右的TAB搭载部的标记5的线和连接左右的半导体电路装置2的外部引线的标记6的线所成的角度为θ。

这些x方向的偏移、y轴方向的偏移、绕z轴的旋转角度θ的偏移可通过使用摄像装置获得的图像的分辨率(像素的大小)和相当于偏移的像素的数量的计数来获得。例如，在求x轴方向的偏移时，图像数据被作为排列成格子状的深浅不一的像素组获得，因此，对于用圆圈表示的TAB搭载部的标记5和用×表示的半导体电路装置2的外部引线的标记6，分别通过与预先设置的字典图像的深浅模式匹配的手法，来求到像素单位以下的坐标值。此时，标记5和标记6以左右构成一对的方式存在，因此，实施两次摄影，半导体电路装置2的x轴方向的偏移作为左右计算结果的平均值被求出。另外，绕z轴的旋转角度θ的偏移，通过测量保持摄像方向与z轴平行的状态的多个照相机在x-y平面内的位置关系来获得。为了获得该多个照相机视野，可以使用两台照相机，也可以使用以光学方法对视野进行了分割的双视野照相机。

当压接结合头27不同时，其物理特性(载荷和温度等)不同，因此，要关注每个压接结合头27的偏移。下文中，关注基于同一压接结合头27的标记位置在x轴方向的偏移进行说明。关于y轴方向和z轴的旋转方向θ，被认为与x轴方向的偏移一样，因此省略说明。

如图4(d)和(e)所示，临时压接结合状态(before状态)的第i个x轴方向的偏移为x_bi，偏移检查阶段16(after状态)中的第i个x轴方向的偏移为x_ai。x轴方向的偏移使用了左右成对的标记5和标记6的偏移的平均值，这里，为了简化说明，使用所着眼的标记5和标记6的偏移进行说明。在图(d)和(e)中，也示出了before状态的第i个y轴方向的偏移y_bi和after状态的第i个x轴方向的偏移x_ai。实际上，在正式压接结合阶段14、15中产生的偏移x_i为x_i＝x_ai-x_bi。对该式子进行变形，可知，x_ai＝x_i+x_bi。该式子意味着通过在before状态的偏移x_bi上加上正式压接结合阶段14、15中产生的偏移x_i，能够预测after状态的偏移x_ai。另外，before状态的偏移x_bi是在临时压接结合阶段13中一边使用摄像装置进行观测一边进行位置对准时的偏移量。

因此，在正式压接结合阶段14、15中产生的第k个偏移x_k为到第(k-1)个为止的n次after状态的偏移x_ai的平均值乘以系数K得到的偏移，使用公式(1)进行预测。使用偏移x_ai的平均值是因为偏移x_ai是离散的。

公式1

$x_k=\frac{K}{n}\underset{i=k-1-n}{\overset{k-1}{\mathrm{\Σ}}}{x}_{\mathrm{ai}}-\frac{1}{n}\underset{i=k-1-n}{\overset{k-1}{\mathrm{\Σ}}}{x}_{\mathrm{bi}}---\left(1\right)$

因此，通过公式(2)来预测偏移检测阶段16(after状态)下的偏移x_ak。

公式2

$x_{\mathrm{ak}}=x_{\mathrm{bk}}+\frac{K}{n}\underset{i=k-1-n}{\overset{k-1}{\mathrm{\Σ}}}{x}_{\mathrm{ai}}-\frac{1}{n}\underset{i=k-1-n}{\overset{k-1}{\mathrm{\Σ}}}{x}_{\mathrm{bi}}---\left(2\right)$

由于只要控制成使x_ai接近0即可，因此，当x_ak≈0时，可以获得公式(3)。

公式(3)

$x_{\mathrm{bk}}=\frac{1}{n}\underset{i=k-1-n}{\overset{k-1}{\mathrm{\Σ}}}{x}_{\mathrm{bi}}-\frac{K}{n}\underset{i=k-1-n}{\overset{k-1}{\mathrm{\Σ}}}{x}_{\mathrm{ai}}---\left(3\right)$

这里，如果将到(k-1)为止的n次after状态的偏移x_ai的平均值控制在0附近，则偏移量不变，因此，成为公式(4)所示。

公式(4)

$x_{\mathrm{bk}}=\frac{1}{n}\underset{i=k-1-n}{\overset{k-1}{\mathrm{\Σ}}}{x}_{\mathrm{bi}}-\frac{K}{n}\underset{i=k-1-n}{\overset{k-1}{\mathrm{\Σ}}}{x}_{\mathrm{ai}}\≈x_{b(k-1)}-\frac{K}{n}\underset{i=k-1-n}{\overset{k-1}{\mathrm{\Σ}}}{x}_{\mathrm{ai}}---\left(4\right)$

公式(4)表示：before状态的偏移x_bk、即第k次的偏移量为，从第k-1次的偏移量x_b(k-1)减去反馈量(负反馈)，所述反馈量是对过去的n次after状态的偏移x_ai的平均值以系数K为增益而得到的量。即，表示：在偏移检查阶段16中，与压接结合头27对应地持续观测after状态的偏移x_ai，求出最新的n次偏移x_ai的平均值，从临时压接结合阶段13中的上次偏移量减去将该平均值乘以系数K所得到的值，从而作为本次的偏移量即可。

在实际的面板处理装置10中，无法使用公式(4)所示的刚好前面一次的(第k-1次)的after状态的偏移x_a(k-1)。这是因为在从临时压接结合阶段13到偏移检查阶段16的阶段中存在多个面板1。在临时压接结合阶段13中，在设定偏移量x_bk的时刻，恰好前面的临时压接结合的面板1处于正式压接结合阶段14、15或者阶段之间的搬送装置上。这样，在临时压接结合阶段13中在设定偏移量x_bk的时刻使用的最新的after状态的偏移为x_a(k-m)(其中，m为存在于从临时压接结合阶段13到偏移检查阶段16的阶段中的通过同一压接结合头27进行压接结合的面板1的数量)，因此，代替公式(4)，使用公式(5)。公式(5)使用了在偏移检查阶段16中观测到的最新的偏移数据，但是，从临时压接结合阶段13来看，在负反馈中伴随着延迟。

公式(5)

通过图5所示的控制电路实现基于图(5)所示的控制。图5所示的控制电路50为了控制图2所示的面板处理装置10整体，可以针对面板处理装置10设置一个，但是，由于面板处理装置10的各阶段都有固有的控制(例如，临时压接结合阶段13中有用于位置对准的摄像装置的控制和工作台的(x、y、θ)的控制，在正式压接结合阶段14、15中有压接结合头27的温度控制和载荷控制等)，因此，按各阶段来设置控制电路50。控制电路50的硬件在各阶段是共用的，关于各阶段的控制，通过使执行的软件不同(成为对应于阶段的控制的软件)来应对。另外，在面板处理装置10中设置有连接各阶段的通信网络，经该网络来协调控制各阶段。在该网络上根据需要连接用于面板处理装置10整体的控制和管理的PC等。

图5所示的控制电路50具有：CPU51、存储器52、用于与网络进行连接的通信接口53、用于与各阶段的包含报警灯等的显示装置和操作面板连接的输入输出接口54、用于进一步监视和控制各阶段的温度和可动部位的控制接口55、以及用于从摄像装置读取图像数据的图像接口56等。CPU51执行保存在存储器52中的控制程序。存储器52包括保存各阶段对应的控制软件的非易失性存储器和保存输入数据和控制数据的易失性存储器。另外，根据需要，也可以连接磁盘装置，将磁盘装置作为存储器52的一部分进行使用。各接口可以根据输入输出对象或者输入输出数据的类别的数量而具有多个。控制接口55根据需要而内置有D/A、A/D转换电路。

图6表示通过偏移检查阶段16的控制电路50执行的控制程序(偏移观测程序)的流程图。在偏移检查阶段16中每当载置正式压接结合有半导体电路装置2的面板1时，按每个压接结合头27执行偏移观测程序。在图2所示的面板处理装置10的情况下，由于有临时压接结合阶段13和正式压接结合阶段14、15，因此，按与各个阶段的压接结合头27的组合，来执行偏移观测程序。临时压接结合阶段13的压接结合头27和正式压接结合阶段14、15以及压接结合于面板1的半导体电路装置2(TAB搭载部)的位置的对应关系可以从面板处理的工序管理系统获得。偏移观测程序将用于求取偏移量的平均的所述n以及系数K的值保存在存储器52中。

偏移观测程序经图像接口56输入来自摄像装置的图像数据(S600)，并根据输入的图像数据获得偏移数据x_aj，并保存到设置于存储器52的偏移数据表70中(S605)。偏移数据例如通过使用图4说明过的方法来获得。图7表示偏移数据表70的一例。偏移数据表70也按与各个阶段的压接结合头27的组合来设置。

图7的偏移数据71和平均值72为了说明而示出了标准化的值。例如，偏移数据71表示像素数，符号表示产生偏移的方向。所获得的偏移数据x_aj(在图中为4)作为第j个偏移数据被保存起来。接着，求出到第j个为止的n个偏移数据71的平均值，并作为第j个的平均值72保存起来(S610)。将求出的平均值72乘以系数K(S615)，与表示各阶段的压接结合头27的组合的信息对应地将相乘的结果经网络发送到临时压接结合阶段13的控制电路50(S620)。

临时压接结合阶段13的控制电路50从最近使用的偏移量减去接收到的相乘结果，作为新的偏移量。使用该偏移量来控制临时压接结合阶段13的工作台24的位置。

在如上所述的控制下，当测量偏移数据x_aj时，在图7的第j个和第j+1个偏移数据之间产生了看得到的突变。突变是因为临时性原因和持续性原因而产生的。所谓临时性原因，例如是与加压机构25的驱动电动机的电流的干扰所致的变化相伴随的压力变化等。所谓持续性原因，是面板1在TAB搭载部的位置的变化(尽管为同一压接结合头27的组合，但是用于向与此前不同的TAB搭载部的压接结合)，所粘贴的ACF4或所压接结合的半导体电路装置2的生产批次的变化等。ACF4或半导体电路装置2即使规格相同，当生产批次变化时，其物理特性(形状、粘度等)不同。另外，在将面板1载置于工作台24时，有时在面板1下面铺上垫板。垫板的变化虽然是持续性原因，但是即使是相同垫板，也会存在局部的厚度波动，该波动成为临时性的原因。对于临时性的原因，优选使系数K小。

对于作为持续性的原因的面板1的TAB搭载部的变化，不仅要与同一压接结合头27的组合对应，还可以与TAB搭载部的位置对应地观测偏移。使用的压接结合头27的组合在上文中作为工序管理信息而被获得，但是，简单来说，可以与面板1的阶段之间的搬送对应地将表示面板1的TAB搭载部的信息以及识别所使用的压接结合头27的信息发送给面板1的搬送目的地的阶段的控制电路50。

可以将粘贴的ACF4或压接结合的半导体电路装置2的生产批次的变化作为工序管理信息的一部分输入到面板处理装置20(临时压接结合阶段13的控制电路50)，但是，由于无法知道它们的物理特性，因此伴随着批次变化的对ACF和半导体电路装置2的压接结合的影响不可预知。因此，当输入批次变化时，为了对应新的批次的ACF4或半导体电路装置2的特性，临时性地增大系数K的值也是一种方法。另一方面，在无法输入批次变化时，由于无法与干扰之类的临时性的原因相区别，因此，优选系数K的值很小。

如前所述，无法使用公式(4)而使用伴随着延迟的公式(5)，因此，如果系数K过大，则偏移检查阶段16(after状态)的偏移xai会振荡或者发散。

当通过偏移检查阶段16中的偏移x_ai的平均值乘以系数K得到的负反馈量，与面板1的TAB搭载部以及所使用的压接结合头27的组合对应地执行设定临时压接结合阶段13的位置对准的偏移量的控制时，特别是偏移检查阶段16的控制电路50的负载变高。因此，考虑例如使取平均值的次数n为100，通过该平均值和系数K来确定负反馈量，连续100次使用基于所确定的负反馈量的偏移量(100次均为相同的偏移量)。这样的情况下，与求出每次的负反馈量并再次设定偏移量的情况相比，控制电路50的载荷变为1％(1/100)。

当这样抑制控制载荷时，从控制电路50的载荷的立场来看是优选的，但是，会产生使公式(5)所示的延迟进一步增大的作用，需要进一步减小系数K的值。

考虑到引起偏移数据的突变的临时性原因、持续性原因以及控制上的制约，发明人通过实验确认了取平均值的次数n和系数K的值。次数n优选为50～100次。当n不到50时，确认到由于上述的延迟所致的偏移检查阶段16中的偏移x_ai的振荡或者发散不可避免。另外，超过100也可以，但是可知：由于在中途阶段伴随ACF4或半导体电路装置2的生产批次的变化的概率升高，因此，平均值的含义变淡。对于次数n＝50～100，系数K的优选值通过反复实验确认到高达0.6(60％)左右。如已经说明的那样，当设定成K＞0.6时，偏移x_ai变得不稳定。这是由于负反馈量很大，特别是在偏移x_ai没有收敛到0附近的情况下，不稳定性会增大。另一方面，当设定成K＜0.3时，到偏移x_ai收敛到0为止需要时间。

当设定成n＝50～100，K＝0.3～0.6时，确认到：偏移检查阶段16中的偏移x_ai收敛到0附近，满足所希望的位置对准精度。

当上述的ACF4或半导体电路装置2的生产批次的变化输入到控制电路50中的情况下，还有这样的方法：预定时间通过K＝0.3附近控制，在经过预定时间后，将设定变更成K＝0.6附近。这里，所谓预定时间相当于上述的延迟的时间，是生产批次的变化作为偏移检查阶段16中的偏移x_ai的变化表现出来并对偏移x_ai的平均值开始产生影响的时间。

在以上的实施方式中，说明了在偏移检查阶段16中求出对临时压接结合阶段13的负反馈量的情况，但考虑对各控制电路50的载荷来确定各种功能分担，所述功能分担包括：在偏移检查阶段16中求出平均值，在临时压接结合阶段13中执行乘以系数K从而求出负反馈量的处理，或者在各阶段或者连接的PC等中共享偏移数据表70，将在偏移检查阶段16中测量到的偏移数据保存到偏移数据表70中，通过PC或在临时压接结合阶段13中执行求出平均值的处理或求出负反馈量的处理等。

根据本实施方式，能够使偏移稳定地保持在预定范围内，所述偏移是将半导体电路装置压接结合到面板的预定位置上所伴随的偏移。

在以上的实施方式中，以生产单一品种的情况为例进行了说明，但是，在进行多个品种的切换生产的情况下，通过进一步追加以下功能能够使品种刚切换之后的误差收敛提早。所谓多个品种的切换生产，是对面板1和半导体电路装置2中至少一方不同的多个品种进行切换来进行生产。

例如，将每个生产品种的偏移数据的成绩保存到偏移检查阶段16中的控制电路50的存储器52中，当发生了品种切换时，参照过去的偏移数据(偏移数据的成绩)，在存在生产成绩的情况下，从存储器52将过去的偏移数据作为初始值进行展开。例如，作为确定负反馈量的偏移数据的初始值使用。由此，能够在由调整误差的残留误差或压接结合头固有的热特性的差异等引起的固定误差减轻了的状态下开始控制，因此误差的收敛很早。

另外，在该过去的偏移数据中，一并保存上次的成绩的日期，由此，按照上次成绩以后有无设备维修或半导体装置2和面板1的尺寸规格的微调的信息，来进行选择反映还是不反映的画面显示，由此，能够提高稳定性。

Claims (14)

1.一种面板处理装置，其特征在于，包括：

各向异性导电片粘贴机构，接受各向异性导电片的供给，将所述各向异性导电片粘贴到面板的带式自动焊接搭载部；

临时压接结合机构，利用摄像装置对分别设置于所述面板的所述带式自动焊接搭载部和半导体电路装置的外部引线部的标记进行观察，将负反馈量与所述分别设置的标记之间的当前偏移量相加而得到的值作为新的偏移量来进行位置对准，将所述面板的所述带式自动焊接搭载部和所述半导体电路装置临时压接结合在一起；

正式压接结合机构，对临时压接结合于所述面板的所述半导体电路装置在加热条件下进行加压，将所述半导体电路装置经所述各向异性导电片压接结合于所述面板；以及

偏移检查机构，使用其他摄像装置，取得对偏移进行测量而得到的偏移数据，所述偏移是所述分别设置于压接结合在一起的所述面板的所述带式自动焊接搭载部和所述半导体电路装置的外部引线部的标记之间的位置偏移，针对所述面板的所述带式自动焊接搭载部的位置、将所述面板和所述半导体电路装置临时压接结合在一起的所述临时压接结合机构的压接结合头与将所述面板和所述半导体电路装置压接结合在一起的所述正式压接结合机构的压接结合头的组合相同的所述偏移，取得含有所述偏移数据的过去n次的偏移数据的平均值，将所述平均值乘以系数K所得到的值作为所述临时压接结合机构中的所述负反馈量来进行反馈，其中，K≤0.6。

2.根据权利要求1所述的面板处理装置，其特征在于，

对应于从所述面板的所述临时压接结合机构经由所述正式压接结合机构向所述偏移检查机构的所述面板的搬送，传输表示所述面板的所述带式自动焊接搭载部的位置、将所述面板和所述半导体电路装置临时压接结合在一起的所述临时压接结合机构的压接结合头、以及将所述面板和所述半导体电路装置压接结合在一起的所述正式压接结合机构的压接结合头的组合相同的信息。

3.根据权利要求2所述的面板处理装置，其特征在于，

使n为50～100，该n用于求所述偏移数据的所述平均值。

4.根据权利要求2所述的面板处理装置，其特征在于，

所述临时压接结合机构中，在将所述面板的所述带式自动焊接搭载部和所述半导体电路装置临时压接结合在一起时，使所述新的偏移量在所述n次的范围内不变。

5.根据权利要求2所述的面板处理装置，其特征在于，

对表示供给到所述各向异性导电片粘贴机构中的所述各向异性导电片的生产批次的变化以及所述半导体电路装置的生产批次的变化中任一方的信息的输入进行响应，在所述偏移检查机构中，在预定时间内使所述K为0.3附近，在经过预定时间后，将所述K变更设定成0.6附近。

6.根据权利要求1所述的面板处理装置，其特征在于，

在对所述面板和所述半导体电路装置中至少一方不同的多个品种进行切换来进行生产的情况下，

在所述偏移检查机构中，将每个所述品种的所述偏移数据的成绩保存起来，在发生了品种切换时，参照所保存的所述偏移数据的成绩，

在存在与切换后的所述品种对应的所述偏移数据的成绩的情况下，将所存在的所述偏移数据的成绩作为所述平均值的初始值。

7.根据权利要求6所述的面板处理装置，其特征在于，

将每个所述品种的所述偏移数据的成绩与产生所述成绩的日期数据对应地保存起来。

8.一种面板处理方法，其包括：

各向异性导电片粘贴阶段，接受各向异性导电片的供给，将所述各向异性导电片粘贴到面板的带式自动焊接搭载部；

临时压接结合阶段，利用摄像装置对分别设置于所述面板的所述带式自动焊接搭载部和半导体电路装置的外部引线部的标记进行观察，对所述分别设置的标记之间进行位置对准，将所述面板的所述带式自动焊接搭载部和所述半导体电路装置临时压接结合在一起；

正式压接结合阶段，对临时压接结合于所述面板的所述半导体电路装置在加热条件下进行加压，将所述半导体电路装置经所述各向异性导电片压接结合于所述面板；以及

偏移检查阶段，使用其他摄像装置，取得对偏移进行测量而得到的偏移数据，所述偏移是所述分别设置于压接结合在一起的所述面板的所述带式自动焊接搭载部和所述半导体电路装置的外部引线部的标记之间的位置偏移，

其特征在于，

在所述临时压接结合阶段中，将负反馈量与所述位置对准的当前偏移量相加而得到的值作为新的偏移量来进行所述位置对准，

在所述偏移检查阶段中，针对所述面板的所述带式自动焊接搭载部的位置、将所述面板和所述半导体电路装置临时压接结合在一起的所述临时压接结合阶段的压接结合头与将所述面板和所述半导体电路装置压接结合在一起的所述正式压接结合阶段的压接结合头的组合相同的所述偏移，取得含有所述偏移数据的过去n次的偏移数据的平均值，将所述平均值乘以系数K所得到的值作为所述临时压接结合阶段中的所述负反馈量来进行反馈，其中，K≤0.6。

9.根据权利要求8所述的面板处理方法，其特征在于，

对应于从所述面板的所述临时压接结合阶段经由所述正式压接结合阶段向所述偏移检查阶段的所述面板的搬送，传输表示所述面板的所述带式自动焊接搭载部的位置、将所述面板和所述半导体电路装置临时压接结合在一起的所述临时压接结合阶段的压接结合头、以及将所述面板和所述半导体电路装置压接结合在一起的所述正式压接结合阶段的压接结合头的组合相同的信息。

10.根据权利要求9所述的面板处理方法，其特征在于，

使n为50～100，该n用于求所述偏移数据的所述平均值。

11.根据权利要求9所述的面板处理方法，其特征在于，

所述临时压接结合阶段中，在将所述面板的所述带式自动焊接搭载部和所述半导体电路装置临时压接结合在一起时，使所述新的偏移量在所述n次的范围内不变。

12.根据权利要求9所述的面板处理方法，其特征在于，

对表示供给到所述各向异性导电片粘贴工序中的所述各向异性导电片的生产批次的变化以及所述半导体电路装置的生产批次的变化中任一方的信息的输入进行响应，在所述偏移检查阶段中，在预定时间内使所述K为0.3附近，在经过预定时间后，将所述K变更设定成0.6附近。

13.根据权利要求8所述的面板处理方法，其特征在于，

在对所述面板和所述半导体电路装置中至少一方不同的多个品种进行切换来进行生产的情况下，

在所述偏移检查阶段中，将每个所述品种的所述偏移数据的成绩保存起来，响应品种切换，参照所保存的所述偏移数据的成绩，

在存在与切换后的所述品种对应的所述偏移数据的成绩的情况下，将所存在的所述偏移数据的成绩作为所述平均值的初始值。

14.根据权利要求13所述的面板处理方法，其特征在于，

将每个所述品种的所述偏移数据的成绩与产生所述成绩的日期数据对应地保存起来。

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