CN101868316A - 磁性体微粒的制造方法、由此得到的磁性体微粒、及磁性流体、磁性体制品的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明的课题为提供可制造单分散的磁性体微粒、且由于自排出性也没有生成物的堵塞、不需要大的压力、而且生产率也高的磁性体微粒的制造方法；至少使用2种的流体，其中至少1种的流体含有至少1种的磁性体原料，上述以外的流体中的至少1种流体含有至少1种磁性体微粒析出剂，在可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面间所形成的薄膜流体中，使上述的各流体合流，在前述的薄膜流体中使磁性体微粒析出而得到磁性体微粒。

Description

磁性体微粒的制造方法、由此得到的磁性体微粒、及磁性流体、磁性体制品的制造方法

技术领域

本发明涉及磁性体微粒的制造方法等。

背景技术

专利文献1：特开昭61-36907号公报

专利文献2：特开2005-123454号公报

专利文献3：特开2005-48213号公报

专利文献4：特开2005-97055号公报

专利文献5：特开2007-165782号公报

在金属、金属氧化物、或金属氮化物、金属硫化物这样的金属化合物中，具有所谓的被磁石吸引或排斥这样的磁性质(磁性)。具有这样的性质的物质被称为磁性体或磁性体物质。磁性体的微粒，即磁性体微粒，由于其磁的性质而在计算机等中使用的高密度记录介质、光磁记录介质、磁带、电磁波遮蔽用材料、电子照相用的调色剂等中被活用。并且，也开发了结合磁性体的聚合物制凝集剂这样的水质净化剂、在医药业界中使用有磁性赋予药剂的药物送达系统。

另外，所谓的磁性流体，是将上述的磁性体微粒在油类、水等的介质中胶体状分散的物质。在1960年代初，作为在NASA的空间计划中，在宇宙空间的无重力状态下的火箭用液体燃料的磁输送控制，或以作为太空服的液体封止材料的利用为目标而得到开发。这样的磁性流体，在角度传感器、倾斜传感器、旋转轴的密封、振荡系的减振器等的许多方面得到使用，对磁性流体的特性进行改良的研究也一直在进行。例如，在增大磁性流体的饱和磁化的研究中，公开有关于由钴的金属微粒和表面活性剂和碳系催化剂所构成的磁性流体的技术(专利文献1)。

为了利用上述那样的磁性体微粒的特性，制造具有高矫顽力、用于使矫顽力一定的单分散化、即均匀尺寸的磁性体微粒是非常重要的，并且控制其结晶性及结晶形状也很必要。

作为制造方法，有如专利文献1所示，在溶解由表面活性剂的烃介质中加入金属羰基化合物、加热、热分解，由此得到以高浓度含有平均粒径为7～12nm的金属微粒的磁性流体的方法；专利文献2所示，在存在表面活性剂的溶液中制造金属磁性流体时、通过分散在溶液中的有机金属化合物溶液的回流温度来控制生成的金属微粒的粒径的方法；以及通过对在表面上结合有机配位分子的直径为0.5～100nm的非晶质粒子的分散浆料照射激光来加热非晶质粒子而进行结晶化的方法(专利文献3)。另外，有包括将至少一方是强磁性体氧化物的2种金属氧化物微粒在高温的气相介质中混合、烧成、生成双方的微粒溶融接合了的复合氧化物微粒的烧成工序，以及在经过了烧成工序的气相介质中进行磁场作用、使复合氧化物微粒从气相介质分离、同时导入冷却体系、通过急速冷却而生成非晶质的复合氧化物微粒的急速冷却工序的复合氧化物微粒的制造方法(专利文献4)；有使含有构成磁性体的金属的原料气体流、与覆盖该原料气体流的反应气体流流入高温气氛的反应空间中、在原料气体流的外周部通过热反应来形成微粒、同时将该微粒在反应气体流中冷却来生成磁性体粒子或磁性体粒子的前体的方法(专利文献5)。

但是，专利文献2那样的必须大量使用2种以上的有机溶媒的制造法、专利文献3那样的、也就是说对反应后的磁性体微粒实施特别的后处理、加工的制造法，使得工序的复杂化、制造所需要时间的长期化的可能性很大。另外，在使用专利文献4、专利文献5那样的方法的情况下，存在必须使用高价、复杂的机构的装置这样的问题点，恐怕制品价格自然地升高。这些问题，全部都是在得到纳米尺寸的磁性体微粒时容易发生的、不能解决凝集的问题、结晶性的控制。即，在可简单地得到磁性体微粒的液相法反应中，由于反应容器的温度不均匀性、搅拌的不均匀性，不能有效地效率高地进行粒子尺寸的均匀化、反应产物的均匀化。

鉴于上述内容，本发明的课题为在可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面间形成的薄膜流体中，使磁性体原料与磁性体微粒析出剂进行反应而得到磁性体微粒；由于在该薄膜流体中的温度的均匀性高、另外在反应容器的搅拌中的均匀性也高，可根据目的制造单分散的磁性体微粒，并且由于自我排出性，也没有产物的堵塞，不需要大的压力，另外生产率也高的磁性体微粒的制造方法及由此得到的磁性体微粒以及含有其的磁性流体。

发明内容

本申请的权利要求1涉及的发明，为磁性体微粒的制造方法，其特征在于，使用至少2种流体，对于其中至少1种流体含有至少1种磁性体原料，对于上述以外的流体中的至少1种流体，含有至少1种磁性体微粒析出剂，在可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面之间形成的薄膜流体中使上述的各流体合流，在前述薄膜流体中使磁性体微粒析出而得到磁性体微粒。

另外，本申请的权利要求2涉及的发明，为权利要求1所述的磁性体微粒的制造方法，其特征在于，上述流体中，至少1种流体中含有分散剂。

另外，本申请的权利要求3涉及的发明，为磁性体微粒的制造方法，其特征在于，使用至少2种流体，其中至少1种流体，是在有机溶媒中加入分散剂与至少1种磁性体原料水溶液而得到的逆胶束溶液，上述以外的流体中的至少1种流体，是含有至少1种磁性体微粒析出剂的逆胶束溶液，在可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面之间形成的薄膜流体中使上述的各流体合流，在前述薄膜流体中使磁性体微粒析出而得到磁性体微粒。

另外，本申请的权利要求4涉及的发明，为权利要求1至3中任一项所述的磁性体微粒的制造方法，其特征在于，上述磁性体微粒中，含有镍、钴、铱、铁、铂、金、银、锰、铬、钯、钇、镧系元素(钕、钐、钆、铽)中的至少1种。

另外，本申请的权利要求5涉及的发明，为权利要求1至4中任一项所述的磁性体微粒的制造方法，其特征在于，上述磁性体微粒中，含有铜、锌、镁、铼、铋、硅中的至少1种。

另外，本申请的权利要求6涉及的发明，为权利要求1至5中任一项所述的磁性体微粒的制造方法，其特征在于，加热(加温)上述处理用面间、或对上述处理用面间照射紫外线(UV)、或对上述处理用面间给予超声波能。

另外，本申请的权利要求7涉及的发明，为权利要求1至6中任一项所述的磁性体微粒的制造方法，其特征在于，通过在能确保减压或真空状态的容器内进行上述析出、使至少处理后流体被排出的2次侧为减压或真空状态，进行上述析出反应中产生的气体及上述流体中所含有的气体的脱气、或上述流体的脱溶剂。

另外，本申请的权利要求8涉及的发明，为权利要求1至7中任一项所述的磁性体微粒的制造方法，其特征在于，上述磁性体微粒的体积平均粒径为0.5～1000nm。

另外，本申请的权利要求9涉及的发明，为权利要求1至8中任一项所述的磁性体微粒的制造方法，其特征在于，上述的制造方法，具有对被处理流体赋予规定压力的流体压力赋予机构，第1处理用部、及可相对于该第1处理用部相对地接近·分离的第2处理用部的至少2个处理用部，相对于上述的第1处理用部可相对地接近·分离的第2处理用部的至少2个处理用部，使第1处理用部和第2处理用部相对地进行旋转的旋转驱动机构，在上述的各处理用部中相互对向的位置上，设置有第1处理用面及第2处理用面的至少2个处理用面，上述的各处理用面构成上述规定压力的被处理流体流过的、被密封了的流路的一部分，在上述的两处理用面间，均匀混合至少任一种中含有反应物的2种以上的被处理流体，使其积极地反应，上述第1处理用部和第2处理用部中，至少第2处理用部具有受压面，并且，该受压面的至少一部分是由上述的第2处理用面构成，该受压面受到上述的流体压力赋予机构赋予被处理流体的压力，产生在使第2处理用面从第1处理用面向分离的方向移动的力，将上述规定压力的被处理流体导入可接近·分离且相对地进行旋转的第1处理用面和第2处理用面之间，上述被处理流体一边形成规定膜厚的流体膜，一边通过两处理用面间，并且，具有独立于上述规定压力的被处理流体流过的流路的另外的导入路，上述第1处理用面和第2处理用面至少任意一个中具有至少一个与上述的导入路相通的开口部，将从上述导入路输送来的至少一种被处理流体导入上述两处理用面间，至少上述的各被处理流体的任一种中所含有的上述的反应物和与前述被处理流体不同的被处理流体，通过在上述流体膜内的采用均匀搅拌的混合，可形成所希望的反应状态。

另外，本申请的权利要求10涉及的发明，为权利要求1至9中任一项所述的磁性体微粒的制造方法，其特征在于，所得到的磁性体微粒的再分散性良好。

另外，本申请的权利要求11涉及的发明，为通过权利要求1至10中任一项所述的制造方法所制造的磁性体微粒。

另外，本申请的权利要求12涉及的发明，为含有通过权利要求1至10中任一项所述的制造方法所制造的磁性体微粒的磁性流体。

另外，本申请的权利要求13涉及的发明，为至少含有通过权利要求1至10中任一项所述的制造方法所制造的磁性体微粒的磁性体制品的制造方法。

本发明为通过在可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面之间形成的薄膜流体中生成磁性体微粒而得到的磁性体微粒的制造方法以及由此得到的磁性体微粒及含有其的磁性流体；可得到与到现在为止的反应方法所得到的磁性体微粒相比体积平均粒径小、单分散的磁性体微粒。另外本发明能连续性地高效率地得到磁性体微粒，制造效率也好，可应对大量生产。另外本发明也可根据需要的生产量采用一般的放大(scale up)概念来进行装置的大型化。

附图说明

图1(A)是表示本申请发明的实施中使用的装置的概念的简略纵剖面图，(B)是表示上述装置的其它实施方式的概念的简略纵剖面图，(C)是表示上述装置的另外其它实施方式的概念的简略纵剖面图，(D)是表示上述装置的进一步其它实施方式的概念的简略纵剖面图。

图2(A)～(D)分别是表示图1所示装置的进一步其它实施方式的概念的简略纵剖面图。

图3(A)是图2(C)所示装置的主要部分的简略仰视图，(B)是上述装置的其它实施方式的主要部分的简略仰视图，(C)是另外其它实施方式的主要部分的简略仰视图，(D)是表示上述装置的进一步其它实施方式的概念的简略仰视图，(E)是表示上述装置的另外进一步其它实施方式的概念的简略仰视图，(F)是表示上述装置的进一步另外其它实施方式的概念的简略仰视图。

图4(A)～(D)分别是表示图1所示装置的进一步其它实施方式的概念的简略纵剖面图。

图5(A)～(D)分别是表示图1所示装置的进一步其它实施方式的概念的简略纵剖面图。

图6(A)～(D)分别是表示图1所示装置的进一步其它实施方式的概念的简略纵剖面图。

图7(A)～(D)分别是表示图1所示装置的进一步其它实施方式的概念的简略纵剖面图。

图8(A)～(D)分别是表示图1所示装置的进一步其它的实施方式的概念的简略纵剖面图。

图9(A)～(C)分别是表示图1所示装置的进一步其它的实施方式的概念的简略纵剖面图。

图10(A)～(D)分别是表示图1所示装置的进一步其它的实施方式的概念的简略纵剖面图。

图11(A)及(B)分别表示上述图1所示装置的进一步其它实施方式的概念的简略纵剖面图，(C)为图1(A)所示装置的主要部分的简略仰视图。

图12(A)是关于图1(A)所示装置的受压面、表示其它实施方式的主要部分的简略纵剖面图，(B)是该装置的进一步其它实施方式的主要部分的简略纵剖面图。

图13是关于图12(A)所示装置的连接触表面压力赋予机构4的、其它实施方式的主要部分的简略纵剖面。

图14是关于图12(A)所示装置上的、设置了温度调节用封套的、其它实施方式的主要部分的简略纵剖面图。

图15是关于图12(A)所示装置的接触表面压力赋予机构4的，进一步其它实施方式的主要部分的简略纵剖面图。

图16(A)是图12(A)所示装置的进一步其它实施方式的主要部分的简略横剖面图，(B)(C)(E)～(G)是该装置的另外其它实施方式的主要部分的简略横剖面图，(D)是该装置的另外其它实施方式的局部的主要部分的简略纵剖面图。

图17是图12(A)所示装置的进一步其它实施方式的主要部分的简略纵剖面图。

图18(A)是表示在本申请发明的实施中使用的装置的进一步其它实施方式的概念的简略纵剖面图，(B)是该装置的局部的主要部分的说明图。

图19(A)是图12(A)所示装置的第1处理用部的俯视图，(B)是其主要部分的纵剖面图。

图20(A)是图12(A)所示装置的第1及第2处理用部的主要部分的纵剖面图，(B)是隔开微小间隔的上述第1及第2处理用部的主要部分的纵剖面图。

图21(A)是上述第1处理用部的其它实施方式的俯视图，(B)是其主要部分的简略纵剖面图。

图22(A)是上述第1处理用部的进一步其它实施方式的俯视图，(B)是其主要部分的简略纵剖面图。

图23(A)是第1处理用部的另外其它实施方式的俯视图，(B)是第1处理用部的进一步另外其它实施方式的俯视图。

图24(A)(B)(C)分别是关于处理后的被处理物的分离方法、表示上述以外的实施方式的说明图。

图25是用于说明本申请发明的装置的概要的纵剖面的概略图。

图26(A)是图25所示装置的第1处理用面的简略俯视图，(B)是图25所示装置的第1处理用面的主要部分的扩大图。

图27(A)是第2导入路的剖面图，(B)是用于说明第2导入路的处理用面的主要部分的扩大图。

图28(A)及(B)分别是用于说明设置于处理用部的倾斜面的主要部分的扩大剖面图。

图29是用于说明设置于处理用部的受压面的图，(A)是第2处理用部的仰视图，(B)是第1及第2处理用部的主要部分的扩大剖面图。

具体实施方式

作为本发明所使用的、在可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面之间形成的薄膜流体中均匀搅拌·混合的方法，可以使用例如与本发明申请人的、特开2004-49957号公报中所记载的装置同原理的装置。

以下，对适于该方法的实施的流体处理装置进行说明。

如图1(A)所示，该装置具有对向的第1及第2的2个处理用部10、20，至少一方的处理用部进行旋转。两处理用部10、20的对向面分别作为处理用面1、2，在两处理用面间进行被处理流体的处理。第1处理用部10具有第1处理用面1，第2处理用部20具有第2处理用面2。

两处理用面1、2与被处理流体的流路连接，构成被处理流体的流路的一部分。

更详细而言，该装置构成至少2个被处理流体的流路，同时使各流路合流。

即，该装置与第1被处理流体的流路接接，形成该第1被处理流体的流路的一部分，同时形成除了第1被处理流体外的第2被处理流体的流路的一部分。并且，该装置使两流路合流，在处理用面1、2间，混合两流体，在伴有反应的情况下使其反应。在图1(A)所示的实施方式中，上述的各流路是被密闭的，形成液密(被处理流体为液体的情况)·气密(被处理流体为气体的情况)。

如果具体地说明，如图1(A)所示，该装置具有：上述的第1处理用部10、上述的第2处理用部20、保持第1处理用部10的第1托架11，保持第2处理用部20的第2托架21、接触表面压力赋予机构4、旋转驱动部、第1导入部d1、第2导入部d2、流体压力赋予机构p1、第2流体供给部p2及壳体3。

予以说明的是，旋转驱动部省略图示。

第1处理用部10和第2处理用部20的至少任一方可相对于至少任意另一方接近·分离，两处理用面1、2可接近·分离。

在本实施方式中，第2处理用部20相对于第1处理用部10接近·分离。但是，也可与之相反，第1处理用部10相对于第2处理用部20接近·分离，也可以两处理用部10、20相互接近·分离。

第2处理用部20配置在第1处理用部10的上方，第2处理用部20的朝向下方的面、即下表面，为上述的第2处理用面2，第1处理用部10的朝向上方的面、即上面，为上述的第1处理用面1。

如图1(A)所示，在本实施方式中，第1处理用部10及第2处理用部20分别为环状体，即圆环。以下，根据需要，称第1处理用部10为第1圆环10，称第2处理用部20为第2圆环20。

在本实施方式中，两圆环10、20是金属制的一端被镜面研磨了的构件，以该镜面作为第1处理用面1及第2处理用面2。即，第1圆环10的上端面作为第1处理用面1，被镜面研磨，第2圆环的下端面作为第2处理用面2，被镜面研磨。

至少一方的托架可通过旋转驱动部相对于另一方的托架相对地进行旋转。图1(A)的50表示旋转驱动部的旋转轴。在旋转驱动部中可采用电动机。通过旋转驱动部，可使一方的圆环的处理用面相对于另一方的圆环的处理用面相对地进行旋转。

在本实施方式中，第1托架11通过旋转轴50受到来自旋转驱动部的驱动力，相对于第2托架21进行旋转，这样，和第1托架11形成一体的第1圆环10相对于第2圆环20旋转。在第1圆环10的内侧，旋转轴50以如下方式设置在第1托架11上，即，俯视时，与圆形的第1圆环10的中心同心。

第1圆环10的旋转以圆环10的轴心为中心。虽未图示，但是，轴心指圆环10的中心线，是假想线。

如上所述，在本实施方式中，第1托架11使第1圆环10的第1处理用面1朝向上方，保持第1圆环10，第2托架21使第2圆环20的第2处理用面2朝向下方，保持第2圆环20。

具体而言，第1及第2托架11、21分别具有凹状的圆环收容部。在本实施方式中，第1圆环10嵌合于第1托架11的圆环收容部，第1圆环10固定于圆环收容部，以使得不能从第1托架11的圆环收容部出没。

即，上述第1处理用面1从第1托架11露出，面向第2托架21侧。

第1圆环10的材质除了金属以外，还可采用对陶瓷、烧结金属、耐磨耗钢、其它金属实施了固化处理的材质、对硬质材料进行内衬、涂覆、实行了镀覆等的材质。特别是，因为旋转，优选用轻质的原料形成第1处理部10。关于第2圆环20的材质，也可以采用与第1圆环10相同的材质。

另一方面，第2托架21所具有的圆环收容部41可出没地收容第2圆环20的处理用部2。

该第2托架21所具有的圆环收容部41是收容第2圆环20的、主要是与处理用面2侧相反侧部位的凹部，在俯视时呈圆形，即形成环状的沟槽。

圆环收容部41的尺寸比第2圆环20大，与第2圆环20之间有足够的间隔，收容第2圆环20。

通过该间隔，在该圆环收容部41内，该第2圆环20可在环状的圆环收容部41的轴方向以及在与该轴方向交叉的方向位移。换言之，通过该间隔，该第2圆环20能够以改变与上述圆环收容部41的轴方向的平行关系的方式使圆环20的中心线相对于圆环收容部41位移。

以下，将第2托架21的被第2圆环20围绕的部位称为中央部分22。

对于上述说明，换言之，该第2圆环20以如下方式收容在圆环收容部41内，即，能够在圆环收容部41的推力方向即上述出没方向位移，另外，能够在相对于圆环收容部41的中心偏心的方向位移。并且，第2圆环20以如下方式被收容，即，相对于圆环收容部41，在圆环20的周方向的各位置，能够以从圆环收容部41出没的幅度分别不同的方式位移，即，能够中心振摆。

虽然第2圆环20具有上述3个位移的自由度，即，与圆环收容部41相对的第2圆环20的轴方向、偏心方向、中心振摆方向的自由度，但第2圆环20以不随第1圆环10旋转的方式保持在第2托架21上。虽未图示，但有关这一点，只要在圆环收容部41和第2圆环20上分别相对于圆环收容部41设置限制在其周方向的旋转的适当的突出部即可。但是，该突出部不得破坏上述3个位移的自由度。

上述接触表面压力赋予机构4沿使第1处理用面1和第2处理用面2接近的方向对处理用部赋予力。在本实施方式中，接触表面压力赋予机构4设置在第2托架21上，将第2圆环20向第1圆环10弹压。

接触表面压力赋予机构4将第2圆环20的周方向的各位置、即处理用面2的各位置均等地向第1圆环10弹压。接触表面压力赋予机构4的具体结构在后面进行详细叙述。

如图1(A)所示，上述壳体3配置在两圆环10、20外周面的外侧，收容产物，该产物在处理用面1、2之间生成并排出到两圆环10、20的外侧。如图1(A)所示，壳体3是收容第1托架10和第2托架20的液密的容器。但是，第2托架20可以作为该壳体的一部分而与壳体3一体地形成来实施。

如上所述，不必说形成壳体3的一部分的情况，即使在与壳体3分体地形成的情况下，第2托架21也同样不可动，以使得不会影响两圆环10、20间的间隔，即，两处理用面1、2之间的间隔。换言之，第2托架21不会对两处理用面1、2之间的间隔产生影响。

在壳体3上，壳体3的外侧设有用于排出产物的排出口32。

第1导入部d1向两处理用面1、2之间供给第1被处理流动物。

上述流体压力赋予机构p1直接或间接地与该第1导入部d1连接，对第1被处理流体赋予流体压力。在流体压力赋予机构p1中，可采用压缩机等其它泵。

在该实施方式中，第1导入部d1是设置在第2托架21的上述中央部分22内部的流体通道，其一端在第2托架21的俯视为圆形的第2圆环20的中心位置开口。另外，第1导入部d1的另一端在第2托架20的外部、即壳体3的外部与上述流体压力赋予机构p1相连接。

第2导入部d2向处理用面用1、2供给与第1被处理流体混合的第2流体。在该实施方式中，第2导入部为设置在第2圆环20内部的流体通道，其一端在第2处理用面2开口，其另一端与第2流体供给部p2相连接。

在第2流体供给部p2中，可采用压缩机等其它泵。

通过流体压力赋予机构p1加压的第1被处理流体从第1导入部d1被导入两圆环10、20的内侧的空间，通过第1处理用面1和第2处理用面2之间，从两圆环10、20的外侧穿过。

此时，受到第1被处理流体的输送压力的第2圆环20克服接触表面压力赋予机构4的弹压，远离第1圆环10，使两处理用面间分开微小的间隔。关于因两处理用面1、2的接近·分离而形成的两面1、2间的间隔，后面详细叙述。

在两处理用面1、2间，从第2导入部d2供给第2被处理流体并与第1被处理流体合流，利用处理用面的旋转促进混合(反应)。然后，两流体的混合(反应)所生成的产物从两处理用面1、2排出到两圆环10、20的外侧。在圆环10、20外侧排出的产物最终通过壳体的排出口排出到壳体的外部(自我排出)。

上述的被处理流体的混合及反应(在伴有反应的情况下)通过相对于第2处理用部20的第1处理用部10的由驱动部5所产生的旋转，在第1处理用面1与第2处理用面2进行。

在第1及第2处理用面1、2间，第2导入部d2的开口部m2的下游侧形成使上述第1被处理流体和第2被处理流体混合的处理室。具体而言，在两处理用面1、2间，在表示第2圆环20的底面的图11(C)中以斜线表示的第2圆环20直径的内外方向r1上，第2导入部的开口部m2即第2开口部m2的外侧区域H作为上述处理室发挥功能。因此，该处理室在两处理用面1、2间位于第1导入部d1和第2导入部d2的两开口部m1、m2的下游侧。

从第2开口部m2导入至两处理用面1、2间的第2被处理流体，在上述形成处理室的区域H内，与从第1开口部m1经过圆环内侧的空间的导入至两处理用面1、2之间的第1被处理流体混合，在伴有反应的情况下两被处理流体反应。流体通过流体压力赋予机构p1而受到输送压力，并在两处理用面1、2间的微小间隔中朝着圆环的外侧移动，但是，由于第1圆环10旋转，所以，在上述反应区域H内，被混合的流体并不是在圆环直径的内外方向上从内侧向外侧直线地移动，而是在俯视处理用面的状态下，以圆环的旋转轴为中心，涡旋状地从圆环的内侧向外侧移动。这样，在进行混合(反应)的区域H，通过螺旋状地从圆环的内侧向外侧移动，从而可以确保在两处理用面1、2间的微小间隔中具有充分的混合(反应)所需要的区间，可促进均匀的混合。

另外，混合(反应)产生的产物在上述微小的第1及第2处理用面1、2间形成均质的产物，特别是在结晶、析出的情况下形成微粒。

至少，在上述流体压力赋予机构p1负荷的输送压力、上述接触表面压力赋予机构4的弹压力、以及圆环的旋转所产生的离心力的平衡的基础上，可使两处理用面1、2之间的间隔平衡为为优选的微小间隔，并且，受到流体压力赋予机构p1负荷的输送压力及圆环的旋转所产生的离心力的被处理流体，涡旋状地在上述处理用面1、2之间的微小间隔中移动，促进混合(反应)。

上述的混合(反应)通过流体压力赋予机构p1负荷的输送压力、圆环的旋转而强制地进行。即，混合(反应)在可接近·分离地对向配设的且至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面1、2，强制地均匀发生。

所以，特别是，由反应所产生的产物的结晶或析出，可通过流体压力赋予机构p1负荷的输送压力的调整、圆环的旋转速度即圆环的转速的调整这样的、比较容易控制的方法来控制。

这样，该流体处理装置，通过输送压力、离心力的调整，进行对产物的大小给予影响的处理用面1、2间的间隔的控制，并且，在对产物的均匀生成给予影响的上述反应区域H中进行移动的距离的控制方面优异。

另外，上述的处理的产物并不局限于产物析出的情况，也包括液体的情况。另外，在产物为微粒等的微细的固体物的情况下，产物也可以在处理后的流体中沉淀，另外，也可处于在连续相中分散相存在的分散液的状态。

予以说明的是，旋转轴50并不限于垂直配置，也可以水平方向配置，也可倾斜配置。处理中，图示为两处理用面1、2间的微小间隔内进行混合(反应)的情况，这是因为实质上可以排除重力的影响。

图1(A)中示出第1导入部d1在第2托架21中，与第2圆环20的轴心一致，上下垂直第进行延伸的机构。但是，第1导入部d1并不仅限于与第2圆环20的轴心一致，只要是能够向两圆环10、20所围成的空间供给第1被处理流体即可，也可以设置在第2托架21的中央部分22的其它位置，而且，也可以是非垂直的倾斜进行延伸。

图12(A)表示上述装置的更优选的实施方式。如图所示，第2处理用部20具有上述第2处理用面2，同时具有受压面23，该受压面23位于第2处理用面2的内侧并与该第2处理用面2邻接。以下，该受压面23又称为分离用调整面23。如图所示，该分离用调整面23为倾斜面。

如前所述，在第2托架21的底部、即下部，形成圆环收容部41，该圆环收容部41内收容有第2处理用部20。另外，虽没有图示，但通过旋转阻止装置，使第2处理用部20相对于第2托架21不旋转地被收容。上述的第2处理用面2从第2托架21中露出。

在该实施方式中，处理用面1、2间的、第1处理用部10及第2处理用部20的内侧为被处理物的流入部，第1处理用部10及第2处理用部20的外侧为被处理物的流出部。

上述的接触表面压力赋予机构4相对于第1处理用面1以压接或接近的状态推压第2处理用面2，通过该接触表面压力与流体压力等的使两处理用面1、2间分离的力的均衡，产生上述的规定膜厚的流体膜。换言之，通过上述力的均衡，两处理用面1、2间的间隔保持为规定的微小间隔。

具体而言，在该实施方式中，接触表面压力赋予机构4由以下部分构成：上述的圆环收容部41；发条收容部42，该发条收容部42设置在圆环收容部41的内部即圆环收容部41的最深处；弹簧43；和空气导入部44。

但是，接触表面压力赋予机构4也可具有上述圆环收容部41、上述发条收容部42、弹簧43以及空气导入部44中的至少任意一个。

圆环收容部41与第2处理用部20间隙配合，以使得圆环收容部41内的第2处理用部20的位置或深或浅地、即上下位移。

上述弹簧43的一端与发条收容部42的内部抵接，弹簧43的另一端与圆环收容部41内的第2处理用部20的前部即上部抵接。在图1中，弹簧43虽仅显示1个，但是优选通过多个弹簧44来推压第2处理用部20的各个部分。即，这是因为通过增加弹簧43的数目，可以给予第2处理用部20更加均等的推压力。所以，对于第2托架21，优选为安装数个至数十个弹簧43的复合型。

在该实施方式中，可通过上述空气导入部44向圆环收容部41内导入空气。通过这样的空气的导入，将圆环收容部41与第2处理用部20之间作为加压室，将弹簧43与空气压力一起作为推压力给予第2处理用部20。因此，通过调整从空气导入部44导入的空气压力，可调整运转中第2处理用面2相对于第1处理用面1的接触表面压力。予以说明的是，也可代替利用空气压力的空气导入部44、利用通过油压等其它的流体压力而产生推压力的机构来实施。

接触表面压力赋予机构4除了供给、调节上述推压力即接触表面压力的一部分之外，还兼作位移调整机构和缓冲机构。

详细而言，接触表面压力赋予机构4作为位移调整机构，通过空气压力的调整而追随启动时、运转中的向轴方向的伸展、磨耗所引起的轴向位移，可维持初期的推压力。另外，如上所述，接触表面压力赋予机构4通过采用可位移地保持第2处理用部20的浮动机构，也作为作为微振动、旋转定位的缓冲机构而发挥功能。

接着，对于采用上述的构成的处理装置的使用的状态，根据图1(A)进行说明。

首先，第1被处理流体受到来自流体压力赋予机构p1的输送压力，从第1导入部d1导入被密闭了的壳体的内部空间。另一方面，通过由旋转驱动部所产生的旋转轴50的旋转，第1处理用部10旋转。由此，第1处理用面1与第2处理用面2在保持微小间隔的状态下相对地进行旋转。

第1被处理流体在保持微小间隔的两处理用面1、2间形成流体膜，从第2导入部d2导入的第2被处理流体在两处理用面1、2间与该流体膜合流，同样构成流体膜的一部分。通过该合流，第1及第2被处理流体混合而形成产物。而且，在伴有反应的情况下两流体反应，均匀的反应得到促进，形成该反应产物。由此，在伴有析出的情况下可比较均匀地生成微细的粒子，即使在不伴有析出的情况下，仍可实现均匀的混合状态(在伴有反应的情况下均匀的反应)。予以说明的是，可认为析出的产物由于第1处理用面1的旋转而在与第2处理用面2之间受到剪切，有时被进一步微小化。在此，通过将第1处理用面1与第2处理用面2的间隔调整为1μm至1mm、特别是1μm至10μm的微小间隔，从而能够实现均匀的混合状态(伴有反应的情况下均匀的反应)，同时，可生成数nm单位的超微粒。

产物从两处理用面1、2间排出，从壳体3的排出口33排出到壳体外部。排出的产物通过公知的减压装置在真空或减压了的环境内形成雾状，在碰到环境内的其它部分后作为流体而流下，可以作为除气后的液态物回收。

予以说明的是，在该实施方式中，处理装置虽具有壳体，但也可以不设置这样的壳体来实施。例如，可以设置除气用的减压罐，即真空罐，在该罐内部配置处理装置来实施。在该情况下，在处理装置上当然不具有上述排出口。

如上所述，可将第1处理用面1与第2处理用面2的间隔调整为机械的间隔设定不可能达到的μm单位的微小间隔，其机理说明如下。

第1处理用面1与第2处理用面2可相对地接近分离，并且相对地进行旋转。在该例中，第1处理用面1旋转，第2处理用面2具有在轴方向可移动的构造(浮动构造)、相对于第1处理用面1接近分离。

因此，在该例中，第2处理用面2的轴方向位置通过力、即上述的接触表面压力与分离力的平衡，设定为μm单位的精度，由此进行处理用面1、2间的微小间隔的设定。

如图12(A)所示，作为接触表面压力，可以举出以下：在接触表面压力赋予机构4中，从空气导入部44赋予的空气压力、即正压的情况下的该压力、弹簧43的推压力。

予以说明的是，在图13～15所示的实施方式中，为避免图面的繁杂，第2导入部d2省略进行描述。关于这一点，也可以看成是未设置第2导入部d2的位置的剖面。另外，图中，U表示上方，S表示下方。

另一方面，作为分离力，可以举出以下：作用在分离侧的受压面、即第2处理用面2及分离用调整面23上的流体压力、第1处理用部1的旋转所产生的离心力和对空气导入部44施加负压的情况下的该负压。

予以说明的是，在对装置进行清洗时，通过增大施加于上述空气导入部44的负压，可加大两处理用面1、2的分离，可容易地进行清洗。

并且，通过这些力的均衡，使第2处理用面2以相对于第1处理用面1隔开规定的微小间隔的位置来稳定化，由此实现μm单位的精度的设定。

对分离力进一步详细地说明。

首先，关于流体压力，在密闭了的流路中的第2处理用部20受到来自于流体压力赋予机构p的被处理流体的送入压力即流体压力。此时，与流路中的第1处理用面对向的面、即第2处理用面2和分离用调整面23成为分离侧的受压面，流体压力作用在该受压面上，产生因流体压所引起的分离力。

其次，关于离心力，如果第1处理用部10高速旋转，则离心力作用于流体，该离心力的一部分成为分离力，该分离力作用在两处理用面1、2相互远离的方向上。

而且，在从上述的空气导入部44向第2处理用部20给予负压的情况下，该负压作为分离力起作用。

以上，在本申请的发明中，将使第1与第2处理用面1、2相互分离的力作为分离力进行说明，并非将上述表示的力从分离力中排除。

如上所述，在被密闭了的被处理流体的流路中，介由处理用面1、2间的被处理流体，形成分离力与接触表面压力赋予机构4实现的接触表面压力达到均衡的状态，由此在两处理用面1、2间实现均匀的混合状态，在伴有反应的情况下实现均匀的反应，同时形成适合进行微细产物的结晶·析出的流体膜。这样，该装置，通过在两处理用面1、2间强制地介由流体膜，可维持两处理用面1、2间的间隔为以往的机械的装置中不可能实现的微小间隔，从而实现高精度地生成作为产物的微粒。

换言之，处理用面1、2间的流体膜的膜厚，通过上述的分离力与接触表面压力的调整而调整至所希望的厚度，能够进行必要的均匀的混合状态(在伴有反应的情况下均匀的反应)的实现和微细的产物的生成处理。因此，在要形成小的流体膜厚度的情况下，只要调整接触表面压力或分离力以使得接触表面压力对于分离力相对第增大即可，相反地，在要形成大的流体膜厚度的情况下，只要调整接触表面压力或分离力以使得分离力对于接触表面压力相对地增大即可。

在增加接触表面压力的情况下，在接触表面压力赋予机构4中，从空气导入部44赋予空气压力即正压，或者，将弹簧43变更为推压力大的弹簧或增加其个数即可。

在增加分离力的情况下，可以增加流体压力赋予机构p1的送入压力，或者增加第2处理用面2、分离用调整面23的面积，另外除此之外，还可以调整第2处理用部20的旋转使离心力增大，或者降低来自空气导入部44的压力。或者可以赋予负压。弹簧43是作为在伸长方向产生推压力的推力发条，但是，也可以是作为在收缩方向产生力的拉力发条，可形成接触表面压力赋予机构4的构成的一部分或全部。

在减小分离力的情况下，可以减少流体压力赋予机构p1的送入压力，或者减少第2处理用面2、分离用调整面23的面积，另外除此之外，还可以调整第2处理用部20的旋转使离心力减小，或者增大来自空气导入部44的压力。或者也可以降低负压。

而且，作为接触表面压力以及分离力的增加减少的要素，除上述以外，还可加入粘度等的被处理流体的性状，这样的被处理流体的性状的调整也可作为上述要素的调整来进行。

予以说明的是，分离力中，作用于分离侧的受压面即第2处理用面2以及分离用调整面23上的流体压力，可理解为构成机械密封中的开启力的力。

在机械密封中，第2处理用部20相当于密封环，但在对该第2处理用部20施加流体压力的情况下，当从第1处理用部1分离第2处理用部2的力发挥作用时，该力为开启力。

更详细而言，如上述的第1实施方式那样，当在第2处理用部20中仅设置分离侧的受压面、即第2处理用面2以及分离用调整面23的情况下，送入压力的全部构成开启力。予以说明的是，当在第2处理用部20的背面侧也设置受压面的情况下，具体而言，在后述的图12(B)及图17的情况下，在送入压力中，作为分离力发挥作用的力与作为接触表面压力发挥作用的力的差形成开启力。

在此，使用图12(B)对第2处理用部20的其它实施方式进行说明。

如图12(B)所示，在从该第2处理用部20的圆环收容部41露出的部位并且在内周面侧，设置面向第2处理用面2的相反侧即上方侧的接近用调整面24。

即，在该实施方式中，接触表面压力赋予机构4由圆环收容部41、空气导入部44以及上述接近用调整面24构成。但是，接触表面压力赋予机构4也可以只具备上述圆环收容部41、上述发条收容部42、弹簧43、空气导入部44以及上述接近用调整面24中的至少任意一个。

该接近用调整面24受到施加在被处理流体上的规定压力，产生使第2处理用面2向第1处理用面1接近的方向移动的力，作为接近用接触表面压力赋予机构4的一部分，担当接触表面压力的供给侧的作用。另一方面，第2处理用面2与上述的分离用调整面23，受到施加在被处理流体上的规定压力，产生在使第2处理用面2从第1处理用面1分离的方向移动的力，担当对于分离力的一部分的供给侧的作用。

接近用调整面24、第2处理用面2以及分离用调整面23均为受到上述的被处理流体的输送压力的受压面，根据其方向，实现产生上述接触表面压力与产生分离力这样的不同的作用。

接近用调整面24的投影面积A1与合计面积A2的面积比A1/A2称为平衡比K，对上述的开启力的调整是重要的，其中，接近用调整面24的投影面积A1是在与处理用面的接近·分离的方向、即第2圆环20的出没方向正交的假想平面上投影的接近用调整面24的投影面积，合计面积A2是在该假想平面上投影的第2处理用部20的第2处理用面2及分离侧受压面23的投影面积的合计面积。

接近用调整面24的前端与分离侧受压面23的前端，一同被限定在环状的第2调整用部20的内周面25即前端线L1上。因此，通过决定接近用调整面24的基端线L2的位置，可进行平衡比K的调整。

即，在该实施方式中，在利用被处理用流体的送出压力作为开启力的情况下，通过使第2处理用面2以及分离用调整面23的合计投影面积大于接近用调整面24的投影面积，可产生与其面积比率相对应的开启力。

对于上述的开启力，变更上述平衡线、即接近用调整面24的面积A1，由此，能够通过被处理流体的压力、即流体压力进行调整。

滑动面实际表面压力P、即接触表面压力中的流体压力所产生的表面压力可用下式计算。

P＝P1×(K-k)+Ps

式中，P1表示被处理流体的压力、即流体压力，K表示上述平衡比，k表示开启力系数，Ps表示弹簧及背压力。

通过该平衡线的调整来调整滑动面实际表面压力P，由此使处理用面1、2间形成所希望的微小间隔量，形成被处理流体所产生的流体膜，使产物变微细，进行均匀的混合(反应)。

通常，如果两处理用面1、2之间流体膜的厚度变小，则可使产物更细。相反，如果流体膜的厚度变大，处理变得粗糙，每单位时间的处理量增加。所以，通过上述的滑动面实际表面压力P的调整，能够调整两处理用面1、2间的间隔，可以实现所希望的均匀混合状态(伴有反应的情况下均匀的反应)，同时得到微细的产物。以下，称滑动面实际表面压力P为表面压力P。

归纳该关系，在上述产物粗的情况下，可以减小平衡比，减小表面压力P，增大上述间隔，增大上述膜厚。相反，在上述产物较细的情况下，可以增大平衡比K，增大表面压力P，减小上述间隔，减小上述膜厚。

这样，作为接触表面压力赋予机构4的一部分，形成接近用调整面24，通过其平衡线的位置，可以实施接触表面压力的调整，即可调整处理用面间的间隔。

在上述间隔的调整中，如上所述，考虑通过改变上述弹簧43的推压力、空气导入部44的空气压力来进行。另外，流体压力即被处理流体的输送压力的调整、及成为离心力的调整的第1处理用部10即第1托架11的旋转的调整，也是重要的调整要素。

如上所述，该装置以如下方式构成，即，对于第2处理用部20及相对于第2处理用部20进行旋转的第1处理用部10，通过取得被处理流体的送入压力、该旋转离心力以及接触表面压力的压力平衡，在两处理用面上形成规定的流体膜。另外，圆环的至少一方作为浮动构造，吸收芯振动等的定位，排除接触所引起的磨耗等的危险性。

该图12(B)的实施方式中，对于具备上述调整用面以外的构成，与图1(A)所示的实施方式一样。

另外，在图12(B)所示的实施方式中，如图17所示，页可以不设置上述分离侧受压面23来实施。

如图12(B)、图17所示的实施方式那样，在设置接近用调整面24的情况下，通过使接近用调整面24的面积A1大于上述面积A2，从而不产生开启力，相反，施加在被处理流体上的规定压力全部作为接触表面压力而起作用。也可进行这样的设定，在该情况下，通过增大其它的分离力，可使两处理用面1、2均衡。

通过上述的面积比决定了作用在使第2处理用面2从第1处理用面1分离方向的力，该力作为从流体所受到的力的合力。

上述实施方式中，如上所述，弹簧43为了对滑动面即处理用面给予均匀的应力，安装个数越多越好。但是，该弹簧43也可如图13所示那样，采用单卷绕型弹簧。其为如图所示的、中心与环状的第2处理用部20同心的1个卷绕型弹簧。

第2处理用部20与第2托架21之间以成为气密的方式密封，该密封可采用公知的手段。

如图14所示，第2托架21中设有温度调整用封套46，该温度调整用封套46冷却或加热第2处理用部20，可调节其温度。并且，图14的3表示上述的壳体，在该壳体3中，也设有同样目的的温度调节用封套35。

第2托架21的温度调节用封套46是水循环用空间，该水循环用空间形成于在第2托架21内的圆环收容部41的侧面，并与与第2托架21外部相通的通道47、48相连接。通道47、48的其中一方向温度调整用封套46导入冷却或加热用的介质，其中另一方排出该介质。

另外，壳体3的温度调整用封套35是通过加热用水或冷却水的通道，其通过设置在覆盖壳体3的外周的覆盖部34而设置在壳体3的外周面与该覆盖部34之间。

在该实施方式中，第2托架21及壳体3具备上述温度调整用封套，但是，第1托架11中也可设置这样的封套。

作为接触表面压力赋予机构4的一部分，除上述以外，也可设置如图15所示的汽缸机构7。

该汽缸机构7具有：汽缸空间部70，该汽缸空间部70设置在第2托架21内；连接部71，该连接部71连接汽缸空间部70与圆环收容部41；活塞体72，该活塞体72收容在汽缸空间部70内且通过连接部71与第2处理用部20相连接；第1喷嘴73，该第1喷嘴73与汽缸空间部70的上部相连接；第2喷嘴74，该第2喷嘴74位于汽缸空间部70的下部；推压体75，该推压体75为介于汽缸空间部70上部与活塞体72之间的发条等。

活塞体72可在汽缸空间部70内上下滑动，通过活塞体72的该滑动，第2处理用部20上下滑动，从而可变更第1处理用面1与第2处理用面2之间的间隔。

虽未图示，具体而言，将压缩机等的压力源与第1喷嘴73相连接，通过从第1喷嘴73向汽缸空间部70内的活塞体72的上方施加空气压力即正压，使活塞体72向下方滑动，第2处理用部20可使第1与第2处理用面1、2之间的间隔变窄。另外，虽未图示，将压缩机等的压力源与第2喷嘴74相连接，通过从第2喷嘴74向汽缸空间部70内的活塞体72的下方施加空气压力即正压，使活塞体72向上方滑动，从而可使第2处理用部20朝着扩大第1与第2处理用面1、2之间的间隔的方向即打开的方向移动。这样，利用从喷嘴73、74得到的空气压力，可调整接触表面压力。

即使圆环收容部41内的第2处理用部20的上部与圆环收容部41的最上部之间有足够的空间，通过与汽缸空间部70的最上部70a抵接地设定活塞体7，该汽缸空间部70的最上部70a也限定了两处理用面1、2间的间隔的宽度的上限。即，活塞体7与汽缸空间部70的最上部70a作为抑制两处理用面1、2分离的分离抑制部而发挥作用，换言之，作为限制两处理用面1、2之间的间隔的最大分开量的机构发挥作用。

另外，即使两处理用面1、2彼此未抵接，通过与汽缸空间部70的最下部70b抵接地设定活塞体7，该汽缸空间部70的最下部70b限定了两处理用面1、2之间的间隔宽度的下限。即，活塞体7与汽缸空间部70的最下部70b作为抑制两处理用面1、2接近的接近抑制部而发挥作用，更换言之，作为限制两处理用面1、2之间的间隔的最小分开量的机构而发挥作用。

这样，一边限定上述间隔的最大及最小的分开量，一边可通过上述喷嘴73、74的空气压力来调整汽缸体7与汽缸空间部70的最上部70a的间隔z1，换言之，调整汽缸体7与汽缸空间部70的最下部70b的间隔z2。

喷嘴73、74可以与另一个压力源连接，也可以通过切换或转接连接于一个压力源。

另外压力源可以是供给正压或供给负压的任一种来实施。在真空等的负压源与喷嘴73、74相连接的情况下，形成与上述的动作相反。

取代上述的其它接触表面压力赋予机构4或者作为上述的接触表面压力赋予机构4的一部分，设置这样的汽缸机构7，根据被处理流体的粘度、性状，进行与喷嘴73、74相连接的压力源的压力、间隔z1、z2的设定，使流体液膜的厚度达到所期望的值，施以剪切力，实现均匀的混合状态(在伴有反应的条件下为均匀的反应)，可生成微细的粒子。特别是，通过这样的汽缸机构7，可以在清洗、蒸汽灭菌时等进行滑动部的强制开闭，可提高清洗、灭菌的可靠性。

如图16(A)～(C)所示，可以在第1处理用部10的第1处理用面1上形成从第1处理用部10的中心侧朝向外侧、即在径向上延伸的沟槽状凹部13...13来实施。在该情况下，如图16(A)所示，凹部13...13可作为在第1处理用面1上弯曲或涡旋状延伸来实施，如图16(B)所示，也可以各个凹部13弯曲为L字型来实施，另外，如图16(C)所示，凹部13...13也可呈直线放射状延伸来实施。

另外，如图16(D)所示，优选图16(A)～(C)的凹部13以成为向第1处理用面1的中心侧逐渐加深的方式形成梯度来实施。另外，沟槽状的凹部13除了可以是连续的之外，也可是间断的来实施。

通过形成这样的凹部13，具有应对被处理流体的排出量的增加或发热量的减少、空蚀控制、流体轴承等的效果。

在上述的图16所示的各实施方式中，凹部13虽然形成在第1处理用面1上，但也可实施为形成在第2处理用面2上，并且，也可实施为形成在第1及第2处理用面1、2双方上。

在处理用面上未设置上述凹部13、锥形的情况下，或者，在使它们偏置于处理用面的一部分的情况下，处理用面1、2的表面粗糙度给予被处理流体的影响比形成上述凹部13的大。因此，在这样的情况下，如果要使被处理流体的粒子变小，就必须降低表面粗糙度，即形成光滑的面。特别是，在以均匀的混合(反应)为目的的情况下，对于其处理用面的表面粗糙度，在以实现均匀的混合状态(在伴有反应的情况下均匀的反应)、得到微粒为目的的情况下，前述镜面、即施加了镜面加工的面有利于实现微细的单分散的产物的结晶·析出。

在图12至图17所示的实施方式中，对于特别明示了的以外的构成，与图1(A)或图11(C)所示实施方式相同。

另外，在上述的各实施方式中，壳体内全部被密封，但除此以外，也可实施为，仅第1处理用部10及第2处理用部20的内侧被密封，其外侧开放。即，直到通过第1处理用面1及第2处理用面2之间为止，流路被密封，被处理流体受到全部输送压力，但是，在通过后，流路被开放，处理后的被处理流体不受到输送压力。

在流体压力赋予机构p1中，作为加压装置，如上所述，优选使用压缩机来实施，但是，只要能一直对被处理流体施加规定压力，也可使用其它的手段来实施。例如，可以通过利用被处理流体的自重、一直对被处理流体施加一定的压力来实施。

概括上述各实施方式中的处理装置，其特征为，对被处理流体施加规定压力，在受到该规定压力的被处理流体所流过的被密封了的流体流路中，连接第1处理用面1及第2处理用面2的至少2个可接近·分离的处理用面，赋予使两处理用面1、2接近的接触表面压力，通过使第1处理用面1与第2处理用面2相对地进行旋转，使用被处理流体而产生机械密封中用于密封的流体膜，与机械密封相反(不是将流体膜用于密封)，使该流体膜从第1处理用面1及第2处理用面2之间特意漏出，在两面1、2间成为膜的被处理流体间，实现混合(反应)的处理，进行回收。

通过这样的划时代的方法，可将两处理用面1、2间的间隔调整为1μm至1mm，特别是可以为1～10μm的调整。

在上述的实施方式中，装置内构成被密闭了的流体的流路，通过在处理装置的(第1被处理流体的)导入部侧设置的流体压力赋予机构p1，被处理流体被加压。

另外，也可以不用这样的流体压力赋予机构p1进行加压，而是通过被处理流体的流路被开放来实施。

图18至图20表示这样的处理装置的一个实施方式。予以说明的是，在该实施方式中，作为处理装置，示例有具有除气功能的装置、即，具有从作为处理物而生成的物质中除去液体、最终仅确保作为目的的固体(结晶)的功能的装置。

图18(A)为处理装置的简略纵剖面图，图18(B)是其局部的扩大剖面图。图19是图18所示的处理装置具有的第1处理用部1的俯视图。图20是上述处理装置的第1及第2处理用部1、2的局部的主要部分的简略纵剖面图。

该图18至图20中所示的装置，如上所述在大气压下，投入作为处理的对象的流体，即被处理流体或输送这样的处理的对象物的流体。

予以说明的是，图18(B)及图20中，为避免图面的繁杂，第2导入部d2省略进行描述(也可看成不设有第2导入部d2位置的剖面)。

如图18(A)所示，该流体处理装置具备混合装置G及减压泵Q。该混合装置G具备：作为进行旋转的构件的第1处理用部101；保持该处理用部101的第1托架111；作为相对于壳体被固定了的构件的第2处理用部102；固定该第2处理用部102的第2托架121；弹压机构103；动压发生机构104(图19(A))；使第1处理用部101与第1托架111一同旋转的驱动部；罩体106；供给(投入)第1被处理流体的第1导入部d1；向减压泵Q排出流体的排出部108。关于驱动部省略图示。

上述第1处理用部101及第2处理用部102分别为具有挖空圆柱中心的形状的环状体。两处理用部101、102是分别把两处理用部101、102所呈圆柱的一个底面为作为处理用面110、120的构件。

上述处理用面110、120具有被镜面研磨了的平坦部。在该实施方式中，第2处理用部102的处理用面120是整个面都实施了镜面研磨的平坦面。另外，虽然使第1处理用部101的处理用面110的整个面成为与第2处理用部102相同的平坦面，但是，如图19(A)所示，在平坦面中，有多个沟槽112...112。该沟槽112...112以第1处理用部101所呈圆柱的中心为中心侧，向圆柱的外周方向放射状地延伸。

对于的上述第1及第2处理用部101、102的处理用面110、120的镜面研磨，优选表面粗糙度Ra为0.01～1.0μm。对于该镜面研磨更优选Ra为0.03～0.3μm。

对于处理用部101、102的材质，采用硬质且可以镜面研磨的材质。有关处理用部101、102的该硬度，优选为至少维氏硬度1500以上。另外，优选采用线膨胀系数小的原料或热传导高的原料。这是由于，在处理时产生热量的部分与其它部分之间，如果膨胀率的差较大，就会发生变形，从而影响适当间隔的确保。

作为上述处理用部101、102的原料，尤其优选采用以下物质等：SIC即碳化硅，其维式硬度为2000～2500；表面以DLC即类金刚石碳涂层的SIC，其中类金刚石碳的维式硬度为3000～4000；WC即碳化钨，其维式硬度为1800；表面施加了DLC涂层的WC、ZrB₂或以BTC、B4C为代表的硼系陶瓷，维式硬度为4000～5000。

图18所示的罩体106虽省略了底部的图示，但是为有底的筒状体，上方被上述第2托架121覆盖。第2托架121在其下表面固定有上述第2处理构件102，在上方设有上述导入部d1。导入部d1具有用于从外部投入流体、处理物的料斗170。

虽未图示，上述的驱动部具有电动机等的动力源和从该动力源接受动力供给而旋转的轴50。

如图18(A)所示，轴50配置于罩体106的内部朝上下延伸。并且，轴50的上端部设有上述的第1托架111。第1托架111是保持第1处理用部101，通过设置在上述轴50上，使第1处理用部101的处理用面110与第2处理用部102的处理用面120相对应。

第1托架111为圆柱状体，在其上表面中央固定有第1处理用部101。第1处理用部101与第1托架111成为一体地被固定，相对于第1托架111不改变其位置。

另一方面，在第2托架121的上表面中央形成有收容第2处理用部102的收容凹部124。

上述的收容凹部124具有环状的横剖面。第2处理用部102以与收容凹部124同心的方式收容在圆柱状的收容凹部124内。

该收容凹部124的构成与图1(A)所示的实施方式相同(第1处理用部101对应第1圆环10，第1托架111对应第1托架11，第2处理用部102对应第2圆环20，第2托架121对应第2托架21)。

并且，该第2托架121具备上述的弹压机构103。优选弹压机构103使用弹簧等的弹性体。弹压机构103与图1(A)的接触表面压力赋予机构4对应，采用同样构成。即，弹压机构103推压与第2处理用部102的处理用面120相反侧的面、即底面，对位于第1处理用部101侧、即下方的第2处理用部102的各位置均等地弹压。

另一方面，收容凹部124的内径大于第2处理用部102的外径，由此，当如上所述同心地配设时，在第2处理用部102的外周面102b与收容凹部124的内周面之间，如图18(B)所示那样，设定间隔t1。

同样，在第2处理用部102的内周面102a与收容凹部124的中心部分22的外周面之间，如图18(B)所示那样，设定间隔t2。

上述间隔t1、t2分别用于吸收振动、偏心举动，其大小以如下方式设定，即，大于等于能够确保动作的尺寸并且可以形成密封。例如，在第1处理用部101的直径为100mm至400mm的情况下，优选该间隔t1、t2分别为0.05～0.3mm。

第1托架111被一体地固定在轴50上，与轴50一起旋转。另外，虽未图示，利用制动器，第2处理用部102不会相对于第2托架121旋转。但是，在两处理用面110、120间，为了确保处理所必要的0.1～10微米的间隔，即图20(B)所示的微小间隔t，如图18(B)所示，在收容凹部124的底面、即顶部以及面向第2处理用部102的顶部124a、即上面之间，设有间隔t3。对于该间隔t3，与上述间隔一起，考虑轴50振动、伸长而设定。

如上所述，通过间隔t1～t3的设定，第1处理用部101，如图18(B)所示，在相对于第2处理用部102接近·分离的方向z1上可变，对于其处理用面110的倾斜方向z2也可变。

即，在该实施方式中，弹压机构103和上述间隔t1～t3构成浮动机构，通过该浮动机构，至少第2处理用部102的中心、倾斜可以在从数微米至数毫米左右的很小量可变。由此，吸收旋转轴的芯振动、轴膨胀、第1处理用部101的面振动、振动。

对第1处理用部101的处理用面110所具有的上述的沟槽112，进一步详细地说明如下。沟槽112的后端到达第1处理用部101的内周面101a，其前端朝着第1处理用部101的外侧y即外周面侧延伸。该沟槽112如图19(A)所示，其横截面积从环状的第1处理用部101的中心x侧朝着第1处理用部101的外侧y即外周面侧逐渐减少。

沟槽112的左右两侧面112a、112b的间隔w1随着从第1处理用部101的中心x侧朝着第1处理用部101的外侧y即外周面侧减小。并且，沟槽112的深度w2如图19(B)所示，随着从第1处理用部101的中心x侧朝着第1处理用侧101的外侧y即外周面侧减小。即，沟槽112的底112c随着从第1处理用部101的中心x侧朝着第1处理用部101的外侧y即外周面侧变浅。

这样，沟槽112的宽度及深度两者随着朝着外侧y即外周面侧逐渐减小，从而使其横截面积朝着外侧y逐渐减小。并且，沟槽112的前端即y侧成为终点。即，沟槽112的前端即y侧不到达第1处理用部101的外周面101b，在沟槽112的前端与外周面101b之间，隔着外侧平坦面113。该外侧平坦面113为处理用面110的一部分。

在该图19所示的实施方式中，这样的沟槽112的左右两侧面112a、112b及底112c构成流路限制部。该流路限制部、第1处理用部101的沟槽112周围的平坦部以及第2处理用部102的平坦部构成动压发生机构104。

但是，也可仅对沟槽112的宽度及深度的其中任一方采用上述构成，减小截面积。

上述的动压发生机构104通过在第1处理用部101旋转时穿过两处理用部101、102间的流体，在两处理用部101、102间可确保所希望的微小间隔，在使两处理用部101、102分离的方向上产生作用力。通过这样的动压的发生，可在两处理用面110、120间产生0.1～10μm的微小间隔。这样的微小间隔，虽可以根据处理的对象进行调整选择，但是，优选1～6μm，更优选1～2μm。在该装置中，可实现通过上述微小间隔产生的以往不可能的均匀的混合状态(在伴有反应的情况下均匀的反应)和生成微粒。

沟槽112...112分别能够以如下方式实施，即，笔直地从中心x侧朝向外侧y延伸。但是，在该实施方式中，如图19(A)所示，对于第1处理用部101的旋转方向r，沟槽112的中心x侧以比沟槽112的外侧y先行的方式、即位于前方的方式弯曲，使沟槽112延伸。

通过这样的沟槽112...112弯曲地延伸，可更有效地通过动压发生机构104产生分离力。

下面，对该装置的动作进行说明。

如图18(A)所示，从料斗170投入的、通过第1导入部d 1的第1被处理流体R通过环状的第2处理用部102的中空部，受到第1处理用部101的旋转所产生的离心力，进入两处理用部101、102间，在进行旋转的第1处理用部101的处理用面110与第2处理用部102的处理用面120之间，进行均匀的混合(反应)及根据情况进行微细粒子的生成，随后，来到两处理用部101、102的外侧，从排出部108排出至减压泵Q侧(以下，根据需要将第1被处理流体R仅称为流体R)。

在上述中，进入到环状的第2处理用部102的中空部的流体R如图20(A)所示，首先，进入旋转的第1处理用部101的沟槽112。另一方面，被镜面研磨的、作为平坦部的两处理用面110、120即使通入空气或氮气等气体也维持气密性。所以，即使受到旋转所产生的离心力，流体R也不能够原样从沟槽112进入由弹压机构103压合的两处理用面110、120之间。但是，流体R与作为流路限制部而形成的沟槽112的上述两侧面112a、112b、底112c慢慢地碰撞，产生作用于使分离两处理用面110、120分离的方向上的动压。如图20(B)所示，由此，流体R从沟槽112渗出到平坦面上，可确保两处理用面110、120间的微小间隔t即间隙。而且，在这样的被镜面研磨了的平坦面之间，进行均匀的混合(反应)、以及根据情况的微细粒子的生成。另外上述沟槽112的弯曲更为可靠地对流体作用离心力，更有效地产生上述的动压。

这样，该流体处理装置通过动压与弹压机构103所产生的弹压力的均衡，能够在两镜面即处理用面110、120之间确保微细、均匀的间隔即间隙。而且，通过上述的构成，该微小间隔可形成为1μm以下的超微细间隔。

另外，通过采用上述浮动机构，处理用面110、120间的定位的自动调整成为可能，对于因旋转、产生的热所引起的各部分的物理变形，能够抑制处理用面110、120间的各个位置的间隔的偏差，可维持该各个位置的上述微小间隔。

予以说明的是，在上述实施方式中，浮动机构是仅在第2托架121上设置的机构。除此以外，还可以取代第2托架121，或者与第2托架121一起在第1托架111上也设置浮动机构来实施。

图21至图23表示上述的沟槽112，示出其它的实施方式。

如图21(A)(B)所示，沟槽112作为流路限制部的一部分，可在前端具备平坦的壁面112d来实施。并且，在该图21所示的实施方式中，在底112c中，在第1壁面112d与内周面101a之间设有台阶112e，该台阶112e也构成流路限制部的一部分。

如图22(A)(B)所示，沟槽112可实施为，具有多个分叉的枝部112f...112f，各枝部112f通过缩小其宽度而具有流路限制部来实施。

在图21及图22的实施方式中，特别是对于没有示出的结构，与图1(A)、图11(C)、图18至图20中所示的实施方式相同。

并且，在上述各实施方式中，对于沟槽112的宽度及深度的至少其中一方，从第1处理用部101的内侧朝向外侧，逐渐减小其尺寸，由此构成流路限制部。此外，如图23(A)、图23(B)所示，通过不改变沟槽112的宽度、深度，在沟槽112中设置终端面112f，该沟槽112的终端面112f也可以形成流路限制部。如图19、图21及图22表示的实施方式所示，动压产生以如下方式进行，即，通过沟槽112的宽度及深度如前述那样变化，使沟槽112的底、两侧面成为倾斜面，由此，该倾斜面成为相对于流体的受压部，产生动压。另一方面，在图23(A)(B)所示实施方式中，沟槽112的终端面成为相对于流体的受压部，产生动压。

另外，在该图23(A)(B)所示的情况下，也可同时使沟槽112的宽度及深度的至少其中一方的尺寸逐渐减小来实施。

予以说明的是，关于沟槽112的结构，并不限定于上述图19、图21至图23所示，也可具有其它形状的流路限制部来实施。

例如，在图19、图21至图23所示结构中，沟槽112并不穿透到第1处理用部101的外侧。即，在第1处理用部101的外周面与沟槽112之间，存在外侧平坦面113。但是，并不限定于这样的实施方式，只要能产生上述的动压，沟槽112也可到达第1处理用部101的外周面侧来实施。

例如，在图23(B)所示的第1处理用部101的情况下，如虚线所示，可实施为，使剖面面积小于沟槽112的其它部位的部分形成于外侧平坦面113上。

另外，如上所述，以从内侧向外侧逐渐减小截面积的方式形成沟槽112，使沟槽112的到达第1处理用部101的外周的部分(终端)形成最小截面积即可(未图示)。但是，为有效地产生动压，如图19、图21至图23所示，优选沟槽112不穿透第1处理用部101的外周面侧。

在此，对上述图18至图23所示的各种实施方式进行总结。

该流体处理装置使具有平坦处理用面的旋转构件与同样具有平坦处理用面的固定构件以它们的平坦处理用面同心地相互对向、在旋转构件的旋转下，一边从固定构件的开口部供给被反应原料，一边在两构件的对向平面处理用面间进行处理的流体处理装置中不机械地调整间隔、而是在旋转构件上设置增压机构，通过其其压力的产生来保持间隔，并且可形成机械的间隔调整所不可能达到的1～6μm的微小间隔，混合(反应)的均匀化以及、根据情况的生成粒子的微细化的能力也显著提高。

即，在该流体处理装置中，旋转构件与固定构件在其外周部具有平坦处理用面，该平坦处理用面中，通过具有面上的密封功能，提供产生流体静力学的力即流体静力、流体动力学的力即流体动力、或者空气静力学-空气动力学的力的高速旋转式的流体处理装置。上述的力使上述密封面间产生微小的间隔，并可提供具有如下功能的流体处理装置，即，非接触、机械安全、具有高度的混合(反应)的均匀化的功能。能形成该微小间隔的要因，一个是旋转构件的转速，另一个是被处理物(流体)的投入侧与排出侧的压力差。在投入侧设置压力赋予机构的情况下，在投入侧未设置压力赋予机构的情况即在大气压下投入被处理物(流体)的情况下，由于无压力差，必须只依靠旋转构件的转速来产生密封面间的分离。这作为流体动力学的力或空气动力学的力而已知。

图18(A)所示装置中，虽表示为将减压泵Q连接在混合装置G的排出部，但也可如前面所述那样实施为，不设置罩体106，且不设置减压泵Q，而是如图24(A)所示，将处理装置作为减压用的罐T，在该罐T中配设混合装置G。

在该情况下，通过使罐T内减压至真空或接近真空的状态，混合装置G中生成的被处理物成雾状地喷射到罐T内，通过回收碰到罐T的内壁而流下的被处理物，或，回收相对于上述流下的被处理物作为气体(蒸汽)被分离的、充满罐T内上部的物质，可得到处理后的目的物。

另外，在使用减压泵Q的情况下，如图24(B)所示，混合装置G经由减压泵Q连接气密的罐T，在该罐T内，处理后的被处理物形成雾状，可进行目的物的分离·抽出。

此外，如图24(C)所示，减压泵Q直接连接于罐T，在该罐T内，连接减压泵Q以及除了减压泵Q之外的流体R的排出部，可进行目的物的分离。在该情况下，对于气化部，液体R(液状部)被减压泵Q吸引聚集，从排出部排出，而不从气化部排出。

在上述各实施方式中，示出了如下，即，将第1及第2的两种被处理流体分别从第2托架21、121及第2圆环20、102导入，使其混合(反应)。

下面，对被处理流体向装置导入所涉及的其它实施方式按顺序进行说明。

如图1(B)所示，可实施为，在图1(A)所示的处理装置中，设置第3导入部d3，将第3被处理流体导入两处理用面1、2间，使其与第2被处理流体同样地与第1被处理流体混合(反应)。

第3导入部d3向处理用面1、2间供给与第1被处理流体混合的第3流体。在该实施方式中，第3导入部d3是设在第2圆环20的内部的流体的通道，其一端在第2处理用面2上开口，另一端连接第3流体供给部p3。

在第3流体供给部p3中，可采用压缩机、其它的泵。

第3导入部d3在第2处理用面2上的开口部与第2导入部d2的开口部相比，位于第1处理用面1的旋转中心的外侧。即，在第2处理用面2上，第3导入部d3的开口部较第2导入部d2的开口部位于下游侧。在第3导入部d3的开口部与第2导入部d2的开口之间，在第2圆环20的直径的内外方向上隔开间隔。

该图1(B)所示装置中，第3导入部d3以外的构成也与图1(A)所示的实施方式相同，予以说明的是，在该图1(B)及下面说明的图1(C)、图1(D)、图2～图11中，为避免图面的繁杂，省略了壳体3。予以说明的是，在图9(B)(C)、图10、图11(A)(B)中，描述了壳体3的一部分。

另外，如图1(C)所示，可实施为，在图1(B)所示处理装置中，设置第4导入部d4，将第4被处理流体导入两处理用面1、2间，使其与第2及第3被处理流体同样地与第1被处理流体混合(反应)。

第4导入部d4向处理用面1、2间供给与第1被处理流体混合的第4被处理流体。在该实施方式中，第4导入部d4是设在第2圆环20的内部的流体的通道，其一端在第2处理用面2上开口，另一端连接第4流体供给部p4。

在第4流体供给部p4中，可采用压缩机、其它的泵。

第4导入部d4在第2处理用面2上的开口部较第3导入部d3开口部位于第1处理用面1的旋转中心的外侧。即，在第2处理用面2上，第4导入部d4的开口部较第3导入部d3的开口部位于下游侧。

对于图1(C)所示装置的第4导入部d4以外的构成，与图1(B)所示的实施方式相同。

并且，虽未图示，也可实施为，另外设置第5导入部、第6导入部等5个以上的导入部，分别使5种以上的被处理流体混合(反应)。

另外，如图1(D)所示，可实施为，在图1(A)的装置中，将设置在第2托架21上的第1导入部d1与第2导入部d2同样地设置在第2处理用面2上，以取代将其设置在第2托架21上。在该情况下，在第2处理用面2上，第1导入部d1的开口部也较第2导入部d2位于旋转的中心侧即上游侧。

在上述图1(D)所示装置中，第2导入部d2的开口部与第3导入部d3的开口部一起配置在第2圆环20的第2处理用面2上。但是，导入部的开口部并不限于上述相对于处理用面的配置。特别是，可如图2(A)所示，将第2导入部d2的开口部设置在第2圆环20的内周面的、与第2处理用面2邻接的位置来实施。在该图2(A)所示装置中，第3导入部d3的开口部虽与图1(B)所示装置同样地配置在第2处理用面2上，但是，也可通过将第2导入部d2的开口部配置在上述第2处理用面2的内侧，即与第2处理用面2邻接的位置上，从而将第2被处理流体立刻导入到处理用面上。

这样通过将第1导入部d1的开口部设置在第2托架21上，将第2导入部d2的开口部配置在第2处理用面2的内侧，即与第2处理用面2邻接的位置(在该情况下，设置上述第3导入部d3不是必须的)，从而，特别是在使多个被处理流体反应的情况下，能够将从第1导入部d1导入的被处理流体与从第2导入部d2导入的被处理流体在不反应的状态下导入两处理用面1、2间，并且可使两者在两处理用面1、2之间初次发生反应。因此，上述构成特别适合于使用反应性高的被处理流体的情况。

予以说明的是，上述的“邻接”并不仅限于以下情况，即，将第2导入部d2的开口部如图2(A)所示地以与第2圆环20的内侧侧面接触的方式设置。从第2圆环20至第2导入部d2的开口部的距离为以下程度即可，即，在多个的被处理流体被导入两处理用面1、2间以前，不被完全混合(反应)的程度，例如，也可以设置在接近第2托架21的第2圆环20的位置。并且，也可以将第2导入部d2的开口部设置在第1圆环10或第1托架11侧。

另外，在上述的图1(B)所示装置中，在第3导入部d3的开口部与第2导入部d2的开口之间，在第2圆环20的直径的内外方向隔开间隔，但也可实施为，如图2(B)所示，不设置上述间隔，将第2及第3被处理流体导入两处理用面1、2之间，立刻两流体合流。根据处理的对象选择上述图2(B)所示装置即可。

另外，在上述的图1(D)所示装置中，第1导入部d1的开口部与第2导入部d2的开口之间，在第2圆环20直径的内外方向隔开了间隔，但也可实施为，不设置该间隔，而将第1及第2被处理流体导入两处理用面1、2之间，立刻使两流体合流。根据处理的对象选择这样的开口部的配置即可。

在上述的图1(B)及图1(C)所示实施方式中，在第2处理用面2上，将第3导入部d3的开口部配置在第2导入部d2的开口部的下游侧，换言之，在第2圆环20的直径的内外方向上，配置在第2导入部d2的开口部的外侧。此外，如图2(C)及图3(A)所示，可在第2处理用面2上，将第3导入部d3的开口部配置于在第2圆环20的周方向r0上与第2导入部d2开口部不同的位置来实施。在图3中，m1表示第1导入部d1的开口部即第1开口部，m2表示第2导入部d2的开口部即第2开口部，m3表示第3导入部d3的开口部(第3开口部)，r1为圆环直径的内外方向。

另外，在将第1导入部d1设置在第2圆环20上的情况下，也可如图2(D)所示，在第2处理用面2上，将第1导入部d1的开口部配置于在第2圆环20的周方向与第2导入部d2的开口部不同的位置来实施。

在上述图3(A)所示装置中，在第2圆环20的处理用面2上，2个导入部的开口部被配置在周方向r0的不同位置，但是，也可实施为，如图3(B)所示，在圆环的周方向r0的不同位置配置3个导入部的开口部，或如图3(C)所示，在圆环的周方向r0的不同位置配置4个导入部的开口部。予以说明的是，在图3(B)(C)中，m4表示第4导入部的开口部，在图3(C)中，m5表示第5导入部的开口部。并且，虽未图示，也可实施为，在圆环的周方向r0的不同位置配置5个以上的导入部的开口部。

在上述所示装置中，第2导入部至第5导入部分别可导入不同的被处理流体，即第2、第3、第4、第5被处理流体。另一方面，可实施为，从第2～第5的开口部m2～m5，将全部同类的、即第2被处理流体导入处理用面之间。虽未图示，在该情况下，可实施为，第2导入部至第5导入部在圆环内部连通，并连接到一个流体供给部，即第2流体供给部p2。

另外，可以通过组合以下来实施，即，在圆环的周方向r0的不同位置设置多个导入部的开口部、和在圆环直径方向即直径的内外方向r1的不同位置设置多个导入部的开口部。

例如，如图3(D)所示，在第2处理用面2上设有8个导入部的开口部m2～m9，其中的4个m2～m5设置在圆环的周方向r0的不同位置且在直径方向r1上的相同位置设置，其它4个m6～m9设置在圆环的周方向r0的不同位置且在直径方向r1上的相同位置。并且，该其它的开口部m6～m9在直径方向r上配置在上述4个开口部m2～m5的直径方向的外侧。并且，该外侧的开口部虽可分别设置于在圆环的周方向r0上与内侧的开口部相同的位置，但是，考虑圆环的旋转，也可实施为，如图3(D)所示，设置在圆环的周方向r0的不同位置。另外，在该情况下，开口部可为图3(D)所示的配置、数量。

例如，如图3(E)所示，也可将径方向外侧的开口部配置在多边形的顶点位置，即该情况下的四边形的顶点位置，将直径方向内侧的开口部配置在该多边形的边上。当然，也可采用其它的配置。

另外，在第1开口部m1以外的开口部都将第2被处理流体导入处理用面间的情况下，可以实施为，各导入第2被处理流体的该开口部不是在处理用面的周方向r0上散布，而是如图3(F)所示，在周方向r0上形成连续的开口部。

予以说明的是，根据处理的对象，如图4(A)所示，可实施为，在图1(A)所示装置中，将设置在第2圆环20上的第2导入部d2与第1导入部d1同样地设置在第2托架21的中央部分22。在该情况下，相对于位于第2圆环20的中心的第1导入部d1的开口部，第2导入部d2的开口部位于其外侧，并隔开间隔。并且，如图4(B)所示，可实施为，在图4(A)所示装置中，将第3导入部d3设置于第2圆环20。如图4(C)所示，可实施为，在图4(A)所示装置中，第1导入部d1的开口部与第2导入部d2的开口部之间不设置间隔，将第2及第3被处理流体导入第2圆环20内侧的空间后，立刻两流体合流。另外，根据处理的对象，可实施为，如图4(D)所示，在图4(A)所示装置中，和第2导入部d2相同，第3导入部d3也设置在第2托架21上。虽未图示，但是，也可实施为，在第2托架21上设置4个以上的导入部。

并且，根据处理的对象，如图5(A)所示，可实施为，在图4(D)所示的装置中，在第2圆环20上设置第4导入部d4，将第4被处理流体导入两处理用面1、2之间。

如图5(B)所示，可实施为，在图1(A)所示装置中，将第2导入部d2设置于第1圆环10，在第1处理用面1上具有第2导入部d2的开口部。

如图5(C)所示，可实施为，在图5(B)所示装置中，第1圆环10上设有第3导入部d3，在第1处理用面1上，第3导入部d3的开口部配置在与第2导入部d2的开口部在第1圆环10的周方向上不同的位置。

如图5(D)所示，可实施为，在图5(B)所示装置中，取代在第2托架21上设置第1导入部d1，在第2圆环20上设置第1导入部d1，在第2处理用面2上配置第1导入部d1的开口部。在该情况下，第1及第2导入部d1、d2的两开口部在圆环直径的内外方向上配置在相同位置。

另外，如图6(A)所示，也可实施为，在图1(A)所示装置中，第3导入部d3设置于第1圆环10，第3导入部d3的开口部设置在第1处理用面1上。在该情况下，第2及第3导入部d2、d3的两开口部在圆环直径的内外方向上配置在相同位置。但是，也可以将上述两开口部在圆环的直径的内外方向上配置于不同的位置。

图5(C)所示装置中，虽然将第2及第3导入部d2、d3的两开口部在第1圆环10的直径的内外方向上设置在相同的位置，同时在第1圆环10的周方向即旋转方向上设置在不同的位置，但是，也可实施为，在该装置中，如图6(B)所示，将第2及第3导入部d2、d3的两开口部在第1圆环10的周方向上设置在相同的位置、同时在第1圆环10的直径的内外方向上设置在不同的位置。在该情况下，可实施为，如图6(B)所示，在第2及第3导入部d2、d3的两开口部之间，在第1圆环10的直径的内外方向上隔开间隔，另外，虽未图示，也可实施为，不隔开该间隔，立刻使第2被处理流体与第3被处理流体合流。

另外，可实施为，如图6(C)所示，取代在第2托架21上设置第1导入部d1，而是与第2导入部d2一起，将第1导入部d1设置在第1圆环10上。在该情况下，在第1处理用面1中，第1导入部d1的开口部设置在第2导入部d2的开口部的上游侧(第1圆环11的直径的内外方向的内侧)。在第1导入部d1的开口部与第2导入部d2的开口部之间，在第1圆环11的直径的内外方向上隔开间隔。但是，虽未图示，也可不隔开该间隔地实施。

另外，可实施为，如图6(D)所示，在图6(C)所示装置的第1处理用面1中，在第1圆环10的周方向的不同位置，分别配置第1导入部d1及第2导入部d2的开口部。

另外，虽未图示，在图6(C)(D)所示的实施方式中，可实施为，在第1圆环10上设置3个以上的导入部，在第2处理用面2上的周方向的不同位置，或者，在圆环直径的内外方向的不同位置，配置各开口部。例如，也可在第1处理用面1中采用第2处理用面2中所采用的图3(B)～图3(F)所示开口部的配置。

如图7(A)所示，可实施为，在图1(A)所示装置中，取代在第2圆环20上设置第2导入部d2，在第1托架11上设置第2导入部。在该情况下，在被第1托架11上面的第1圆环10所包围的部位中，优选在第1圆环10的旋转的中心轴的中心配置第2导入部d2的开口部。

如图7(B)所示，在图7(A)所示的实施方式中，可将第3导入部d3设置于第2圆环20，将第3导入部d3的开口部配置在第2处理用面2上。

另外，如图7(C)所示，可实施为，取代在第2托架21上设置第1导入部d1，在第1托架11上设置第1导入部d1。在该情况下，在被第1托架11上面的第1圆环10所包围的部位中，优选在第1圆环10的旋转的中心轴上配置第1导入部d1的开口部。另外，在该情况下，如图所示，可将第2导入部d2设置于第1圆环10，将其开口部配置在第1处理用面1上。另外，虽未图示，在该情况下，可将第2导入部d2设置于第2圆环20，在第2处理用面2上配置其开口部。

并且，如图7(D)所示，可实施为，将图7(C)所示的第2导入部d2与第1导入部d1一起设置在第1托架11上。在该情况下，在被第1托架11上面的第1圆环10所包围的部位中，配置第2导入部d2的开口部。另外，在该情况下，在图7(C)中，也可把第2圆环20上设置的第2导入部d2作为第3导入部d3。

在上述图1～图7所示的各实施方式中，第1托架11及第1圆环10相对于第2托架21及第2圆环20旋转。此外，如图8(A)所示，可实施为，在图1(A)所示装置中，在第2托架2上设置受到来自旋转驱动部的旋转力而旋转的旋转轴51，使第2托架21在与第1托架11相反的方向上旋转。对于旋转轴51的旋转驱动部，也可以与使第1托架11的旋转轴50旋转的装置分开设置，或者作为如下实施，即，通过齿轮等动力传递手段，从使第1托架11的旋转轴50旋转的驱动部受到动力。在该情况下，第2托架2与上述壳体分体地形成，并与第1托架11同样地可旋转地收容在该壳体内。

并且，如图8(B)所示，可实施为，在图8(A)所示装置中，与图7(B)的装置同样，在第1托架11上设置第2导入部d2，以取代在第2圆环20上设置第2导入部d2。

另外，虽未图示，也可实施为，图8(B)所示装置中，在第2托架21上设置第2导入部d2，以取代在第1托架11上设置第2导入部d2。在该情况下，第2导入部d2与图4(A)的装置相同。如图8(C)所示，也可实施为，在图8(B)所示装置中，在第2圆环20上设置第3导入部d3，将该导入部d3的开口部设置在第2处理用面2上。

并且，如图8(D)所示，也可实施为，不使第1托架11旋转，仅旋转第2托架21。虽未图示，也可实施为，在图1(B)～图7所示的装置中，第2托架21与第1托架11都旋转，或仅第2托架21单独旋转。

如图9(A)所示，第2处理用部20为圆环，第1处理用部10不是圆环，而是与其它的实施方式的第1托架11同样的、直接具有旋转轴50作为进行旋转的构件。在该情况下，将第1处理用部10的上表面作为第1处理用面1，该处理用面不是环状，即不具备中空部分，形成一样的平坦面。并且，在图9(A)所示装置中，与图1(A)的装置同样，第2圆环20上设有第2导入部d2，其开口部配置在第2处理用面2上。

如图9(B)所示，可实施为，在图9(A)所示装置中，第2托架21与壳体3独立，在壳体3与该第2托架21之间，设置接触表面压力赋予机构4，该接触表面压力赋予机构4是使第2托架21向设有第2圆环20的第1处理用部10接近·分离的弹性体等。在该情况下，如图9(C)所示，第2处理用部20不形成圆环，作为相当于上述第2托架21的构件，可将该构件的下表面作为第2处理用面2来形成。并且，如图10(A)所示，可实施为，在图9(C)所示装置中，第1处理用部10也不形成圆环，与图9(A)(B)所示装置一样，在其它的实施方式中，将相当于第1托架11的部位作为第1处理用部10，将其上表面作为第1处理用面1。

在上述各实施方式中，至少第1被处理流体是从第1处理用部10与第2处理用部20即第1圆环10与第2圆环20的中心部供给的，通过利用其它的被处理流体所进行的处理，即混合(反应)后，被排出至其直径的内外方向的外侧。

此外，如图10(B)所示，也可实施为，从第1圆环10及第2圆环20的外侧朝向内侧供给第1被处理流体。在该情况下，如图所示，以壳体3密闭第1托架11及第2托架21的外侧，将第1导入部d1直接设置于该壳体3，在壳体的内侧，该导入部的开口部配置在与两圆环10、20的对接位置相对应的部位。并且，图1(A)的装置中，在设有第1导入部d1的位置，即成为第1托架11中的圆环1的中心的位置，设有排出部36。另外，夹着托架的旋转的中心轴，在壳体的该开口部的相反侧配置第2导入部d2的开口部。但是，第2导入部d的开口部与第1导入部d1的开口部相同，只要是在壳体的内侧并且配置在与两圆环10、20的对接位置相对应的部位即可，而不限定为上述那样的形成在第1导入部d1的开口部的相反侧。

在该情况下，两圆环10、20的直径的外侧成为上游，两圆环10、20的内侧成为下游侧。

这样，在从外侧向内侧进行被处理流体的移动的情况下，如图16(E)所示，可在第1处理用部10的第1处理用面1中，从第1处理用部10的外侧向中心侧延伸的沟槽状凹部13...13来实施。通过形成这样的凹部13...13，对于上述的平衡K，优选形成100％以上的不平衡型。其结果，在旋转时，在上述的沟槽状的凹部13...13中产生动压，两处理用面1、2可可靠地非接触地进行旋转，由接触产生的磨耗等的危险消失，在如图16(E)所示的实施方式中，由处理流体的压力产生的分离力，在凹部13的内端13a处产生。

如图10(C)所示，可实施为，在图10(B)所示装置中，将设置于壳体3的侧部的第2导入部d2，改变该位置，设置于第1圆环11上，将其开口部配置在第1处理用面1上。在该情况下，如图10(D)所示，可实施为，第1处理用部10不作为圆环形成，与图9(A)、图9(B)、图10(A)所示装置相同，在其它的实施方式中，将相当于第1托架11的部位作为第1处理用部10，将其上表面作为第1处理用面1，并且，将第2导入部d2设置于该第1处理用部10内，将其开口部设置在第1处理用面1上。

如图11(A)所示，可实施为，在图10(D)所示的装置中，第2处理用部20不作为圆环形成，在其它的实施方式中，将相当于第2托架21的构件作为第2处理用部20，将其下表面作为第2处理用面2。而且，可以实施为，将第2处理用部20作为与壳体3独立的构件，在壳体3与第2处理用部20之间，与图9(B)(C)、图10(A)所示装置相同，设有接触表面压力赋予机构4。

另外，如图11(B)所示，也可实施为，将图11(A)所示装置的第2导入部d2作为第3导入部d3，另外设置第2导入部d2。在该情况下，在第2处理用面2中，将第2导入部d2的开口部相比第3导入部d3的开口部配置在下游侧。

上述图4所示的各装置、图5(A)、图7(A)(B)(D)、图8(B)(C)所示装置是其它被处理流体在到达处理用面1、2之间之前与第1被处理流体合流的装置，不适合结晶、析出的反应快速的物质。但是，对于反应速度慢的物质则可采用这样的装置。

关于适合本申请所涉及的方法发明的实施的流体处理装置，归纳如下。

如上所述，该流体处理装置具有：流体压力赋予机构，该流体压力赋予机构对被处理流体赋予规定压力；第1处理用部10和第2处理用部20的至少2个处理用部，该第1处理用部10设置在该规定压力的被处理流体流过的被密封了的流体流路中，该第2处理用部20相对于第1处理部10能够相对地接近分离；该第1处理用面1及第2处理用面2的至少2个处理用面，第1处理用面1及第2处理用面2的至少2个处理用面在上述处理用部10、20中相互对向的设置；旋转驱动机构，该旋转驱动机构使第1处理用部10与第2处理用部20相对地旋转；在两处理用面1、2之间，进行至少2种被处理流体的混合的的处理(在伴有反应的情况下也进行反应的处理)。在第1处理用部10和第2处理用部20中的至少第2处理用部20具有受压面，并且该受压面的至少一部分由第2处理用面2构成，受压面受到流体压力赋予机构赋予被处理流体的至少一方的压力，产生在第2处理用面2从第1处理用面1分离的方向上使其移动的力。而且，在该装置中，在可接近分离且相对地旋转的第1处理用面1与第2处理用面2之间，通入受到上述的压力的被处理流体，由此，各被处理流体一边形成规定膜厚的流体膜一边通过两处理用面1、2之间，从而，在该被处理流体间产生所希望的混合状态(反应)。

另外，在该流体处理装置中，优选采用具备缓冲机构的装置，该缓冲机构调整第1处理用面1及第2处理用面2的至少一方的微振动、定位。

另外，在该流体处理装置中，优选采用具备位移调整机构，该位移调整机构调整第1处理用面1及第2处理用面2的一方或双方的、由磨耗等导致的轴方向的位移，可维持两处理用面1、2之间的流体膜的膜厚。

并且，在该流体处理装置中，作为上述的流体压力赋予机构，可采用对被处理流体施加一定的送入压力的压缩机等的加压装置。

予以说明的是，这是因为上述的加压装置采用进行送入压力的增减的调整的装置。该加压装置需要能将设定的压力保持一定，但作为调整处理用面间的间隔的参数，也有必要能进行调整。

另外，在该流体处理装置中，可以采用具有分离抑制部的结构，该分离抑制部规定上述的第1处理用面1与第2处理用面2之间的最大间隔，抑制最大间隔以上的两处理用面1、2的分离。

而且另外，在该流体处理装置中，可以采用具有接近抑制部的结构，该接近抑制部规定上述第1处理用面1与第2处理用面2之间的最小间隔，抑制最小间隔以下的两处理用面1、2的接近。

并且，在该流体处理装置中，可以采用以下结构，即，第1处理用面1与第2处理用面2双方朝着相互想法反的方向旋转。

另外，在该流体处理装置中，可以采用具有温度调整用的封套的结构，该温度调整用的封套调整上述第1处理用面1与第2处理用面2的一方或双方的温度。

另外进一步，在该流体处理装置中，优选采用以下结构，即，上述第1处理用面1与第2处理用面2的一方或双方的至少一部分进行了镜面加工。

在该流体处理装置中，可以采用以下结构，即，上述第1处理用面1与第2处理用面2的一方或双方具有凹部。

并且，在该流体处理装置中，优选采用以下结构，即，作为向一方的被处理流体中混合(反应)的另一方的被处理流体的供给手段，具有独立于一方的被处理流体的通道的另外的导入路，在上述第1处理用面1与第2处理用面2的至少任意一方上，具有与上述另外的导入路相通的开口部，可以将从该另外的导入路输送的另一方的被处理流体导入上述一方的被处理流体。

另外，作为实施本申请发明的流体处理装置，可采用如下：具有流体压力赋予机构，该流体压力赋予机构对被处理流体附加规定压力；第1处理用面1及第2处理用面2的至少2个可相对地接近分离的处理用面，该第1处理用面1及第2处理用面2与该规定压力的被处理流体流过的被密封了的流体流路连接；接触表面压力赋予机构，该接触表面压力赋予机构对两处理用面1、2间赋予接触表面压力；旋转驱动机构，该旋转驱动机构使第1处理用面1及第2处理用面2相对旋转；由此，在两处理用面1、2间，进行至少2种的被处理流体的混合(反应)处理，在被赋予接触表面压力的同时相对进行旋转的第1处理用面1及第2处理用面2之间，通入从流体压力赋予机构赋予了压力的至少1种被处理流体，并且，通过通入另一种被处理流体，从流体压力赋予机构被赋予了压力的上述1种被处理流体一边形成规定膜厚的流体膜，一边通过两处理用面1、2之间，此时，该另一种被处理流体被混合，在被处理流体间，发生所希望的混合状态(反应)。

该接触表面压力赋予机构可以构成上述装置中的调整微振动、定位的缓冲机构或位移调整机构来实施。

进而，作为实施本申请发明的流体处理装置，可以采用以下装置，即，该装置具有：第1导入部，该第1导入部将被混合(反应)的2种被处理流体中的至少一方的被处理流体导入该装置；流体压力赋予机构p，该流体压力赋予机构p连接于第1导入部并向该一方的被处理流体赋予压力；第2导入部，该第2导入部将被混合(反应)的2种被处理流体中的至少其它一方的被处理流体导入该装置；至少2个处理用部，该至少2个处理用部为设置于该一方的被处理流体流过的被密封了的流体流路的第1处理用部10和相对于第1处理用部10可相对接近·分离的第2处理用部20；第1处理用面1及第2处理用面2的至少2个处理用面，该第1处理用面1及第2处理用面2在这些处理用部10、20中设置在相互对向的位置；托架21，该托架21以第2处理用面2露出的方式收容第2处理用部20；旋转驱动机构，该旋转驱动机构使第1处理用部10与第2处理用部20相对地进行旋转；接触表面压力赋予机构4，该接触表面压力赋予机构4推压第2处理用部20，使第2处理用面2相对于第1处理用面1处于压接或接近的状态；在两处理用面1、2间，进行被处理流体间的混合(反应)处理，上述托架21是不可动体，以使得在具有上述第1导入部的开口部的同时，对处理用面1、2间的间隔给予影响，第1处理用部10与第2导入部20的至少一方具有上述第2导入部的开口部，第2处理用部20为环状体，第2处理用面2相对于托架21滑动，与第1处理用面1接近分离，第2处理用部20具有受压面，受压面受到流体压力赋予机构p赋予被处理流体的压力的作用，在使第2处理用面2从第1处理用面1分离的方向上产生使其移动的力，上述受压面的至少一部分由第2处理用面2构成，在可接近·分离且相对旋转的第1处理用面1与第2处理用面2之间，被赋予了压力的一方的被处理流体通入，同时，通过将另外一方的被处理流体供给到两处理用面1、2间，两被处理流体一边形成规定膜厚的流体膜一边通过两处理用面1、2间，将通过中的被处理流体混合，由此促进被处理流体间的所希望的混合(反应)，通过接触表面压力赋予机构4的接触表面压力与流体压力赋予机构p所赋予的流体压力的使两处理用面1、2之间分离的力的均衡，在两处理用面1、2间保持产生上述规定膜厚的流体膜的微小间隔。

该流体处理装置也可实施为，第2导入部也与连接于第1导入部一样地连接于另外的流体压力赋予机构，从而被加压。并且，也可实施为，从第2导入部导入的被处理流体不是被另外的流体压力赋予机构加压，而是被第2导入部中产生的负压吸引并供给到两处理用面1、2之间，上述负压是由第1导入部所导入的被处理流体的流体压力所产生的。并且，也可实施为，该另一方的被处理流体在第2导入部内通过其自重移动，即从上方流向下方，从而被供给至处理用面1、2之间。

如上所述，不仅限于将第1导入部的开口部设置在第2托架上，也可将第1导入部的该开口部设置在第1托架上，上述第1导入部的开口部成为一方的被处理流体的向装置内的供给口。另外，也可实施为，将第1导入部的该开口部形成在两处理用面的至少一方。但是，在以下情况下，即，根据反应，有必要从第1导入部供给必须先导入处理用面1、2之间的被处理流体的情况下，形成另一方的被处理流体的装置内的供给口的第2导入部的开口部无论位于哪一个处理用面，相比上述第1导入部的开口部都必须配置在下游侧的位置。

并且，作为用于实施本申请发明的流体处理装置，可采用以下的装置。

该流体处理装置具有：多个的导入部，该多个的导入部分别导入混合(反应)的2种以上的被处理流体；流体压力赋予机构p，该流体压力赋予机构对该2种以上的被处理流体的至少一种赋予压力；至少2个处理用部，该至少2个处理用部是设置在该被处理流体流动的被密封了的流体流路中的第1处理用部10与可相对于第1处理用部10相对地接近·分离的第2处理用部20；第1处理用面1及第2处理用面2的至少2个处理用面1、2，该第1处理用面1及第2处理用面2设置在这些处理用部10、20中相互对向的位置；旋转驱动机构，该旋转驱动机构使第1处理用部10与第2处理用部20相对旋转；在两处理用面1、2间，进行被处理流体间的混合(反应)处理，在第1处理用部10与第2处理用部20中，至少第2处理用部20具有受压面，并且，该受压面的至少一部分由第2处理用面2构成，受压面受到流体压力赋予机构赋予被处理流体的压力，在使第2处理用面2从第1处理用面1分离方向上产生使其移动的力，并且，第2处理用部20具有朝向与第2处理用面2相反侧的接近用调整面24，接近用调整面24受到施加在被处理流体上的规定压力，在使第2处理用面2向第1处理用面1接近的方向上产生使其移动的力，通过上述接近用调整面24的接近分离方向的投影面积与上述受压面的接近分离方向的投影面积的面积比，决定第2处理用面2相对于第1处理用面1向分离方向移动的力，该力作为从被处理流体所受到的全压力的合力，被赋予了压力的被处理流体通入可接近分离且相对进行旋转的第1处理用面1与第2处理用面2之间，在该被处理流体中被混合(反应)的其它的被处理流体在两处理用面间被混合，被混合的被处理流体一边形成规定膜厚的流体膜一边通过两处理用面1、2间，在处理用面间的通过中得到所希望的产物。

另外，对本申请发明的处理方法归纳如下。该流体处理方法为赋予第1被处理流体规定压力，将第1处理用面1及第2处理用面2至少的2个可相对接近·分离的处理用面连接于受到该规定压力的被处理流体所流过的被密封了的流体流路，赋予使两处理用面1、2接近的接触表面压力，使第1处理用面1与第2处理用面2相对地旋转、且将被处理流体导入该处理用面1、2间，通过除了上述外的流路，将与该被处理流体混合(反应)的第2被处理流体导入上述处理用面1、2间，使两被处理流体混合(反应)，至少将赋予第1被处理流体的上述规定压力作为使两处理用面1、2分离的分离力，使该分离力与上述接触表面压力介由处理用面1、2间的被处理流体而均衡，由此在两处理用面1、2间维持规定的微小间隔，被处理流体成为规定厚度的流体膜通过两处理用面1、2间，在该通过中均匀地进行两被处理流体的混合(反应)，在伴有析出反应的情况下，可结晶、析出所希望的反应产物。

以下，对本申请发明的其它实施方式进行说明。图25是在可接近·分离的至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面之间对被处理物进行处理流体处理装置的简略化剖面图。图26的(A)为图25所示装置的第1处理用面的简略化俯视图，(B)为图25所示装置的处理用面的主要部分的放大图。图27的(A)为第2导入路的剖面图，(B)是用于说明第2导入路的处理用面的主要部分的放大图。

在图25中，U表示上方，S表示下方。图26(A)、图27(B)中，R表示旋转方向。在图27(B)中，C表示离心力的方向(半径方向)。

该装置使用至少2种流体，其中至少1种流体含有至少1种被处理物，在可接近·分离的相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面之间，使上述各流体合流而形成薄膜流体，在该薄膜流体中对上述的被处理物进行处理反应。予以说明的是，上述的“处理”，不限予被处理物反应的形式，也包括不伴有反应而仅仅进行混合·分散的形式。

如图25所示，该装置具有：第1托架11、在第1托架11上方配置的第2托架21、流体压力赋予机构P、及接触表面压力赋予机构。接触表面压力赋予机构由弹簧43及空气导入部44构成。

在第1托架11上设有第1处理用部10及旋转轴50。第1处理用部10是称为配合环的环状体，具有被镜面加工了的第1处理用面1。旋转轴50以螺栓等的固定件81固定在第1托架11的中心，其后端与电动机等的旋转驱动装置82(旋转驱动机构)连接，将旋转驱动装置82的驱动力传递给第1托架11而使该第1托架11旋转。第1处理用部10与上述第1托架11成为一体而进行旋转。

在第1托架11的上部，设有可收容第1处理用部10的收容部，通过嵌入该收容部内，第1处理用部10安装在第1托架11上。并且，第1处理用部10通过止转销83固定，以使得不相对于第1托架11旋转。但是，也可以取代止转销83，以热压配合等方法固定以使得不旋转。

上述第1处理用面1从第1托架11露出，朝向第2托架21。第1处理用面的材质采用对陶瓷、烧结金属、耐磨耗钢、其它金属实施了固化处理的材质、对硬质材料进行内衬、涂覆、实行了镀覆等的材质。

在第2托架21上设有：第2处理用部20；从处理用部内侧导入流体的第1导入部d1；作为上述的接触表面压力赋予机构的弹簧43；和空气导入部44。

第2处理用部20是称为压缩环的环状体，具有被镜面加工了的第2处理用面2以及受压面23(以下称其为分离用调整面23)，该受压面23位于第2处理用面2的内侧并与该第2处理用面2邻接。如图所示，该分离用调整面23为倾斜面。对第2处理用面2所施加的镜面加工采用与上述的第1处理用面1相同的方法。另外，第2处理用部20的原材料采用与第1处理用部10相同的原材料。分离用调整面23与环状的第2处理用部20的内周面25邻接。

在第2托架21的底部(下部)，形成圆环收容部41，O形圆环与第2处理用部20一起被收容在该圆环收容部41内。并且，通过止转销84，第2处理用部20相对于第2托架21不旋转地被收容。上述第2处理用面2从第2托架21露出。在该状态下，第2处理用面2与第1处理用部10的第1处理用面1面对。

该第2托架21所具有的圆环收容部41是收容第2圆环20的、主要是处理用面2侧的相反侧的部位的凹部，在俯视时，为形成环状的沟槽。

圆环收容部41以大于第2圆环20的尺寸的方式形成，在其与第2圆环20之间具有充分的间隔，收容第2圆环20。

通过该间隔，该第2处理用部20以能够在收容部41的轴向以及在与该轴向交叉的方向位移的方式收容在该圆环收容部41内。并且，该第2处理用部20以能够以如下方式位移的方式被收容，即，相对于圆环收容部41，使第2处理用部20的中心线(轴方向)与上述圆环收容部41的轴方向不平行。

至少在第2托架21的圆环收容部41中设有作为处理用部弹压部的弹簧43。弹簧43将第2处理用部20向第1处理用部10弹压。并且，作为其它的弹压方法，也可使用空气导入部44等供给空气压力或其它流体压力的加压手段，将第2托架21保持的第2处理用部20朝着接近第1处理用部10的方向弹压。

弹簧43及空气导入部44等接触表面压力赋予机构将第2处理用部20的周方向的各位置(处理用面的各位置)均等地向第1处理用部10弹压。

在该第2托架21的中央设有上述第1导入部d1，从第1导入部d1朝着处理用部外周侧被压送的流体首先被导入以下空间内，即，该第2托架21保持的第2处理用部20、第1处理用部10及保持该第1处理用部10的第1托架11所围的空间内。并且，在使第2处理用部20克服弹压部的弹压而从第1处理用部10分离的方向上，在第2处理用部20中设置的受压面23上，受到来自流体压力赋予机构P所产生的上述流体的输送压力(供给压力)。

予以说明的是，在其它位置，为简略说明，虽仅对受压面23加以说明，但是，正确而言，如图29(A)(B)所示，与上述受压面23一起，在与后述沟槽状的凹部13的第2处理用部20相对应的轴方向投影面中，将未设有上述受压面23的部分23X也作为受压面，受到流体压力赋予机构P所产生的上述流体的输送压力(供给压力)。

也可实施为，不设置上述受压面23。在该情况下，如图26(A)所示，也可使用通过第1处理用面1旋转而得到的被处理流体向处理用面间的导入效果(微泵效果)，上述第1处理用面1具有接触表面压力赋予机构发挥功能而形成的沟槽状的凹部13。这里的微泵效果是指，通过第1处理用面1的旋转，凹部内的流体具有速度地向凹部13的外周方向前端前进，接着送入凹部13的前端的流体进一步受到来自凹部13的内周方向的压力，最终形成向使处理用面分离的方向的压力，同时具有将流体导入处理用面间的效果。并且，即使在不进行旋转的情况下，设置于第1处理用面1的凹部13内的流体所受压力最终作用在第2处理用面2上，该第2处理用面2作为作用于分离侧的受压面。

对于设置于处理用面的凹部13，可对应于含有被处理物及产物的流体的物性来实施其深度、相对于处理用面在水平方向的总面积、条数、及形状。

予以说明的是，可实施为，将上述受压面23与上述凹部13一同设置在一个装置内。

对于该凹部13的深度，是1μm～50μm，更优选3μm至20μm，并且为设置在上述处理用面上的凹部，相对于处理用面在水平方向的总面积占处理用面整体的5％～50％，优选15％～25％，并且为设置在上述处理用面上的凹部，其条数为3～50条，优选8～24条，形状为在处理用面上的弯曲或螺旋状延伸的形状，或者为呈L字形弯折的形状，并且深度具有梯度，从高粘度区域到低粘度区域，即使在利用微泵效果导入的流体含有固体的情况下，也可将流体稳定地导入处理用面间。并且，设置在处理用面上的凹部在导入侧即处理用面内侧各凹部之间可以彼此连接，也可以断开。

如上所述，受压面23为倾斜面。该倾斜面(受压面23)以如下方式形成，即，以被处理流体的流动方向为基准的上游侧端部的、与设有凹部13的处理用部的处理用面相对的轴方向上的距离，比下游侧端部的同距离大。而且，优选该倾斜面的以被处理流体的流动方向为基准的下游侧端部设置在上述凹部13的轴方向投影面上。

具体而言如图28(A)所示，上述倾斜面(受压面23)的下游侧端部60设置为使得在上述凹部13的轴方向投影面上。上述倾斜面的相对于第2处理用面2的角度θ1优选在0.1°至85°的范围，更优选在10°至55°的范围，进一步优选在15°至45°的范围。该角度θ1可根据被处理物的处理前的性状进行适当变更。另外，上述倾斜面的下游侧端部60设置在以下区域，即，从与第1处理用面1上设置的凹部13的上游侧端部13-b向下游侧离开0.01mm的位置开始，到与下游侧端部13-c向上游侧离开0.5mm的位置为止的区域内。更优选的是，设置在以下区域内，即，从与上游侧端部13-b向下游侧离开0.05mm的位置开始，到与下游侧端部13-c向上游侧离开1.0mm的位置为止的区域内。与上述倾斜面的角度相同，对于该下游侧端部60的位置，也可根据被处理物的性状进行适当变更。另外，也可如图28(B)所示将倾斜面(受压面23)作为弧形面来实施。由此，可进一步均匀地进行被处理物的导入。

凹部13除如上述那样连接之外，也可实施为间断的形式。在间断的情况下，间断的凹部13的、第1处理用面1的最内周侧上的上游侧端部成为上述13-b；同样第1处理用面1的最外周侧上的上游侧端部形成成为13-c。

另外，虽然在上述中将凹部13形成在第1处理用面1上、将受压面23形成在第2处理用面2上，但是，也可相反地实施为将凹部13形成在第2处理用面2上，将受压面23形成在第1处理用面1上。

进一步，也可为：将凹部13形成在第1处理用面1与第2处理用面2两方、将凹部13与受压面23交替地设置在各处理用面1、2的周方向上，由此第1处理用面1上形成的凹部13与第2处理用面2上形成的受压面23对向、同时、第1处理用面1上形成的受压面23与第2处理用面2上形成的凹部13对向。

在处理用面上，也可实施与凹部13不同的沟槽。作为具体的实例，如图16(F)、图16(G)所示，在较凹部13的径向外侧(图16(F))或径向内侧(图16(G))，可实施放射状延伸的新的凹部14。这在想延长在处理用面间的停留时间的情况下、处理高粘稠物的流体的情况下是有利的。

予以说明的是，对于与凹部13不同的沟槽，并不对形状、面积、条数、深度作特别限定。可根据目的实施该沟槽。

在上述的第2处理用部20中，独立于被导入上述处理用面的流体的流路，形成具有与处理用面间相通的开口部d20的第2导入部d2。

具体而言，第2导入部d2，如图27(A)所示，从上述的第2处理用面2的开口部d20的导入方向相对于第2处理用面2以规定的仰角(θ1)倾斜。该仰角(θ1)被设定为大于0度小于90度，并且在反应速度快的反应的情况下，优选设置为1度以上45度以下。

另外，如图27(B)所示，从上述的第2处理用面2的开口部d20的导入方向在沿上述第2处理用面2的平面内具有方向性。对于该第2流体的导入方向，处理用面的半径方向的成分为从中心远离的外方向，并且，与旋转的处理用面间的流体的旋转方向相对的成分为正向。换言之，以通过开口部d20的半径方向即外方向的线段作为基准线g，从该基准线g向旋转方向R具有固定的角度(θ2)。

对于该角度(θ2)，也设定为大于0度小于90度，向图27(B)的网线部分，从开口部d20被排出。并且在反应速度快的反应的情况下，该角度(θ2)也可为小的角度，在反应速度慢的反应的情况下，优选该角度(θ2)设定为大的角度。另外，该角度可根据流体的种类、反应速度、粘度、处理用面的旋转速度等的各种条件进行变更来实施。

开口部d20的口径优选为0.2μm～3000μm，更优选为10μm～1000μm。另外实质上，在开口部d20的直径不影响流体的流动的情况下，第2导入部d2的直径设置在该范围内即可。另外，在要求直线传播性的情况下和要求扩散性的情况下，优选使开口部d20的形状等变化，这些可根据流体的种类、反应速度、粘度、处理用面的旋转速度等各种条件进行变更来实施。

并且，上述另外的流路中的开口部d20可设置在以下点的外径侧，即，从设置在第1处理用面1的凹部通过微泵效果导入时的流动方向变换为在处理用面间形成的螺旋状层流的流动方向的点。即，图26(B)中，优选从第1处理用面1上设置的凹部13的处理用面径向最外侧向径向外侧的距离n为0.5mm以上。并且在对相同流体设置多个开口部的情况下，优选设置在同心圆上。另外，在对不同流体设置多个开口部的情况下，优选设置在半径不同的同心圆上。如以(1)A+B→C(2)C+D→E这样的反应以顺序进行，有效地避免A+B+C→F这样本来不应该同时反应的反应发生、被处理物无法有效的接触而不进行反应这样的问题。

另外可实施为，将上述处理用部浸入流体中，将在上述处理用面间混合(反应)而得到的流体直接投入到在处理用部的外部的液体、或空气以外的气体中。

并且也可对刚刚从处理用面间或处理用面排出的被处理物附加超声波能。

接着，为了在上述第1处理用面1与第2处理用面2之间，即处理用面间产生温度差，对于第1处理用部10及第2处理用部20的至少之一设置调温机构(温度调节机构)J1、J2的情况进行说明。

虽然该调温机构没有特别的限定，但是，在以冷却为目的的情况下，将冷却部设置于处理用部10、20。具体而言，将作为调温用介质的冰水、各种冷介质所通过的配管或者珀尔帖元件等能够电或化学地进行冷却作用的冷却元件安装于处理用部10、20。

在以加热为目的的情况下，在处理用部10、20上设有加热部。具体而言，将作为调温用介质的蒸汽、各种热介质所通过的配管、或电加热器等的能够电或化学地进行发热作用的发热元件安装于处理用部10、20。

另外，也可在圆环收容部设置可与处理用部直接接触的新的调温用介质用的收容部。由此，可以利用处理用部的热传导进行处理用面的调温。并且，将冷却元件、发热元件埋入处理用部10、20中并通电，或埋入冷热介质通过用通道并使调温用介质(冷热介质)通过该通道，从而能够从内侧对处理用面进行调温。予以说明的是，图25所示的调温机构J1、J2为其一例，是设置在各处理用部10、20内部的调温用介质所通过的配管(封套)。

利用上述调温机构J1、J2，使一方的处理用面的温度高于另一方的处理用面温度，在处理用面间产生温度差。例如，将第1处理用部10以上述任意的方法加温至60℃，将第2处理用部20以上述任意的方法加温至15℃。此时，导入处理用面间的流体的温度从第1处理用面1向第2处理用面2从60℃变化至15℃。即，该处理用面间的流体中产生温度梯度。而且，处理用面间的流体由于该温度梯度开始对流，产生相对于处理用面垂直方向的流动。予以说明的是，上述的“垂直方向的流动”是指流动的方向成分中，至少含有垂直上述处理用面的成分。

即使在第1处理用面1或第2处理用面2进行旋转的情况下，由于相对于该处理用面垂直方向的流动持续，因此，可对处理用面进行旋转所产生的处理用面间的螺旋状层流的流动附加垂直方向的流动。该处理用面间的温度差可实施为1℃～400℃，优选为5℃～100℃。

予以说明的是，本装置中的旋转轴50并不限定为垂直地配置。例如也可为倾斜地配置。这是因为在处理中，通过在两处理用面1、2之间形成的流体的薄膜，实质上可排除重力的影响。如图25所示，第1导入部d1在第2托架21中与第2圆环20的轴心一致，并上下垂直地延伸。但是，第1导入部d1并不限于与第2圆环20的轴心一致，如果能向两圆环10、20所围空间供给第1被处理流体，在第2托架21的中央部分22中，也可设置在上述轴心以外的位置，并且，也可为非垂直而是斜向延伸。无论在哪个配置角度的情况下，通过处理用面间的温度梯度，可产生相对于处理用面垂直的流动。

上述处理用面间的流体的温度梯度中，如果其温度梯度小，则仅仅进行对流体热传导，但如果温度梯度超过某临界值，流体中产生所谓的贝纳德(ベナ一ル)对流现象。该现象，在处理用面间的距离为L、重力加速度为g、流体的体积热膨胀率为β、流体的运动粘度系数为v、流体的温度传导率为α、处理用面间的温度差为ΔT时，被以下式定义的无因次数的瑞利(レイリ一)数Ra所支配。

Ra＝L³·g·β·ΔT/(α·ν)

开始产生贝纳德对流的临界瑞利数根据处理用面与被处理物流体的分界面的性质而不同，但大约为1700。比其大时产生贝纳德对流。并且，当该瑞利数Ra满足大于10¹⁰附近的值的条件时，流体为紊流状态。即，通过调节该处理用面间的温度差ΔT或处理用面的距离L、以使瑞利数Ra为1700以上的方式调节本装置，可在处理用面间产生相对于处理用面垂直方向的流动，可实施上述混合(反应)操作。

但是，上述贝纳德对流在1～10μm左右的处理用面间的距离中难以产生。严密来说，上述瑞利数适用于10μm以下的间隔中的流体，当研究贝纳德对流的发生条件时，如果为水，则其温度差必须为数千℃以上，现实中很难实现。贝纳德对流是由流体的温度梯度的密度差所形成的对流，即与重力相关的对流。10μm以下的处理用面之间为微重力场的可能性高，在这样的情况，浮力对流被抑制。即，在该装置中现实地产生贝纳德对流的是在处理用面间的距离超过10μm的情况。

当处理用面间的距离为1～10μm左右时，并非通过密度差产生对流，而是通过温度梯度所产生的流体的表面张力差来产生对流。这样的对流为马兰哥尼(マランゴニ)对流，在处理用面间的距离为L、流体的运动粘度系数为v、流体的温度传导率为α、处理用面间的温度差为ΔT、流体的密度为ρ、表面张力的温度系数(表面张力的温度梯度)为σ时，被下式定义的无因次数的马兰哥尼数所支配。

Ma＝σ·ΔT·L/(ρ·ν·α)

开始产生马兰哥尼对流的临界马兰哥尼数为80左右，在大于该值的条件下产生马兰哥尼对流。即，通过调节该处理用面间的温度差ΔT或处理用面的距离L、调节本装置以使得马兰哥尼数Ma为80以上，即使10μm以下的微小流路也能够在处理用面间产生相对于处理用面垂直方向的流动，可实施上述混合(反应)操作。

瑞利数的计算使用下式。

【数式1】

$\mathrm{Ra}=\frac{L^3\·\mathrm{\β}\·g}{v\·\mathrm{\α}}\mathrm{\ΔT}$

ΔT＝(T₁-T₀)

$\mathrm{\α}=\frac{k}{\mathrm{\ρ}\·C_p}$

L：处理用面间的距离[m]，β：体积热膨胀率[1/K]，g：重力加速度[m/s²]

v：运动粘度系数[m²/s]，α：温度传导率[(m²/s)]，ΔT：处理用面间的温度差[K]

ρ：密度[kg/m³]，Cp：定压比热[J/kg·K]，k：热传导率[W/m·K]

T₁：处理用面中的高温侧的温度[K]，T₀：处理用面中的低温侧的温度[K]

在将开始产生贝纳德对流时的瑞利数作为临界瑞利数Ra_c的情况下，此时的温度差ΔT_c1可以如下求得。

【数式2】

${\mathrm{\ΔT}}_{C1}=\frac{{\mathrm{Ra}}_C\·v\·\mathrm{\α}}{L^3\·\mathrm{\β}\·g}$

马兰哥尼数的计算使用下式。

【数式3】

$\mathrm{Ma}=\frac{{\mathrm{\σ}}_t\·L}{\mathrm{\ρ}\·v\·\mathrm{\α}}\mathrm{\ΔT}$

ΔT＝(T₁-T₀)

$\mathrm{\α}=\frac{k}{\mathrm{\ρ}\·C_p}$

L：处理用面间的距离【m]，v：运动粘度系数[m²/s]，α：温度传导率[(m²/s)]

ΔT：处理用面间的温度差[K]，ρ：密度[kg/m³]，Cp：定压比热[J/kg·K]

k：热传导率[W/m·K]，σ_t：表面张力温度系数[N/m·K]

T₁：处理用面中的高温侧的温度[K]，T₀：处理用面中的低温侧的温度[K]

在将开始产生马兰哥尼对流的马兰哥尼数作为临界马兰哥尼数Ma_c的情况下，此时的温度差ΔT_c2可以如下方式求得。

【数式4】

${\mathrm{\ΔT}}_{C2}=\frac{{\mathrm{Ma}}_C\·\mathrm{\ρ}\·v\·\mathrm{\α}}{{\mathrm{\σ}}_t\·L}$

可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面1、2的材质，并不作特别的限制，可用对陶瓷、烧结金属、耐磨耗钢、其它金属实施了固化处理的材质、对硬质材料进行内衬、涂覆、实行了镀覆等的材质等来制作。本发明中的可接近·分离地相互对向配设的至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面1、2间的距离为0.1μm～100μm，特别优选为1～10μm。

以下，对本发明的磁性体微粒的生成反应进行更详细说明。

该反应，使用如图1(A)所示的装置的、可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面1、2间，强制地一边均匀混合一边发生。

首先，从作为1个流路的第1导入部d1，将含有至少一种磁性体原料的流体，导入可接近·分离地相互对向配置的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面1、2间，在该处理用面间生成该第1流体膜。

然后，从作为其它流路的第2导入部d2，将作为第2流体的含有至少一种还原剂等的磁性体微粒析出剂的流体，直接导入在上述处理用面1、2之间所生成的第1流体膜中。

如上所述，在通过流体的供给压和在进行旋转的处理用面之间施加的压力的压力平衡而将距离控制了的处理用面1、2之间可形成薄膜流体。而且，在该薄膜流体中第1流体与第2流体合流而被混合，可进行使磁性体微粒析出而生成磁性体微粒的反应。从反应处理装置，作为含有磁性体微粒的磁性流体被取出。

予以说明的是，由于能够在处理用面1、2之间进行上述反应即可，因此，与上述相反，也可从第1导入部d1导入第2流体，从第2导入部d2导入第1流体。即，各流体中的所谓第1、第2的称谓，是表示多个存在的流体的第n个，只是为了识别的记号而已，也可以存在第3以上的流体。

得到的磁性体微粒的粒径、单分散度，另外结晶型的控制，可通过改变处理用面1、2的转速或处理用面1、2之间的距离、以及薄膜流体的流速或温度，或者原料浓度等进行调节。

另外，在本发明中，在使用在有机溶媒中加入分散剂合磁性体原料水溶液而得到的第1逆胶束溶液作为上述第1流体、和使用含有至少一种磁性体微粒析出剂的第2逆胶束溶液作为上述第2流体的情况下，即，在作为合成磁性体的方法使用逆胶束法的情况下，也可制作磁性流体及磁性体微粒。

作为用本发明的制造方法得到的磁性体微粒中含有的金属，只要以单体或化合物的状态具有磁性，就不对其作特别限定，但优选含有镍、钴、铱、铁、铂、金、银、锰、铬、钯、钇、镧系元素(钕、钐、钆、铽)等的过渡元素中的至少1种。

磁性体微粒中，也可以含有上述以外的元素。例如，铜、锌、镁、铼、铋、硅。

予以说明的是，上述的磁性体微粒，也可共同具有磁性以外的物性、例如作为半导体的物性。例如，由居里温度比150k还低的EuX(X表示S，Se等的VI族元素)、CdCr₂Se₄形成的磁性半导体微粒。

另外，有由混晶半导体形成的磁性半导体微粒，所述混晶半导体如下而成：在II-VI族化合物半导体、III-V族化合物半导体、IV族化合物半导体、I-III-VI族化合物半导体中，将Mn等的3d过渡金属作为磁性元素而混入。该例中，作为代表性的II-VI族DMS(稀薄磁性半导体)，有CdMnTe，CdHgMnTe。而且，作为代表性的III-V族DMS，有InMnAs(50k)，GaMnAs(160k)，InGaMnAs(130k)。予以说明的是，上述()内的数值表示强磁转变温度，上述各物质为在低温显示强磁性的物质。

作为其它物质，有由BeMnZnSe形成的磁性体微粒。

另一方面，特别是，也可为不具有上述物性的物质。例如铁铜合金，铁铂合金，镍，镍铁合金，钴，钴铁合金，锰，锰铁合金，钛，钛铁合金，钒，钒铜合金，磁铁(Fe₃O₄)，作为原材料本身，为不具有作为半导体的物性的磁性体。

但是，对于原材料单位即使是如上所述具有单一的物性，在与上述不同类的原材料被添加到由单一原材料形成的微粒中的情况下，或在由单一原材料形成的微粒形成多种进行集合了的集合体的情况下，具有来自各原材料的多种物性。因此在本申请中，在至少含有磁性体微粒的制品中，在该制品所具有的多个物性中，将利用磁性的物质作为磁性体制品来对待。例如，即使是共同具有作为磁性体的物性和作为半导体的物性的集合体，将专门利用作为磁性体的物性的制品作为磁性体制品。

作为该磁性体制品的实例，可举出以将作为制品全体的磁极固定了状态利用的物质(永久磁石)，利用在制品全体中磁极进行转换的现象的物质(电磁石的磁心，磁性体结合聚合物制凝集剂，磁性赋予药剂等)，利用制品中部分的磁极转换的物质(磁盘等的磁记录介质)，进行磁场的遮断的物质(电磁波遮蔽材料等)。另外，磁性体制品并不限定于固体状物质，粉体的制品(印刷机用调色剂等)或液体状的制品(磁性流体)也为该磁性体制品的一种。

作为这些磁性体产品的制造方法，可用各种的方法，例如，可如下进行制造：固化含有磁性体微粒的多数的微粒或其它原材料，成形为各种形状；或在树脂等中混入含有磁性体微粒的多数的微粒；或在盘等的表面上以涂布、蒸镀、溅射等的手段附着含有磁性体微粒的多数的微粒。而且，可在流体中将含有磁性体微粒的多数的微粒胶体状的分散而进行制造。

在本发明中，在可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面之间所形成的薄膜流体中得到磁性体微粒的情况下，例如，在制作由FeCu(铁铜合金)微粒这样的由金属形成的磁性体微粒的情况中，首先，可通过使用在水系溶媒中溶解了作为铁盐例如氯化亚铁、作为铜盐的硫酸铜等的水溶液作为第1流体，使用溶解了作为肼或二甲基氨基乙醇等的还原剂的磁性体微粒析出剂的水溶液作为第2流体，制作FeCu微粒。另外作为上述水系溶媒，并不作特别限定，可使用离子交换水或纯水等的精制水。

作为磁性体微粒析出剂而使用的还原剂，并不作特别限定，例如，可举出硼氢化钠，次亚磷酸钠，肼，过渡金属元素的离子(三价的钛离子，二价的钴离子等)，甲醇，乙醇，2-丙醇等的醇，或抗坏血酸，除此之外可举出乙二醇，谷胱甘肽，有机酸类(柠檬酸，苹果酸，酒石酸等)，还原性糖类(葡萄糖，半乳糖，甘露糖，果糖，蔗糖，麦芽糖，棉子糖，水苏糖等)，及糖醇类或山梨糖醇等。另外，作为还原剂也可使用胺，作为所涉及的胺，例如可丙胺，丁胺，己胺，二乙胺，二丙胺，二甲基乙基胺，二乙基甲胺，三乙胺，乙二胺，N，N，N′，N′-四甲基乙二胺，1，3-二氨基丙烷，N，N，N′，N′-四甲基-1，3-二氨基丙烷，三亚乙基四胺，四亚乙基戊胺等的脂肪族胺，哌啶，N-甲基哌啶，哌嗪，N，N′-二甲基哌嗪，吡咯烷，N-甲基吡咯烷，吗啉等的脂环式胺，苯胺，N-甲基苯胺，N，N-二甲基苯胺，甲苯胺，茴香胺，氨基苯乙醚等的芳香族胺，苄胺，N-甲基苄胺，N，N-二甲基苄胺，苯乙胺，苯二甲胺，N，N，N′，N′-四甲基苯二甲胺等的芳烷基胺等。另外，作为上述胺，例如也可举出甲基氨基乙醇，二甲基氨基乙醇，三乙醇胺，乙醇胺，二乙醇胺，甲基二乙醇胺，丙醇胺，2-(3-氨基丙基氨基)乙醇，丁醇胺，己醇胺，二甲基氨基丙醇等的烷醇胺。

在上述反应中，为了氮化磁性体微粒也可向处理用面间导入含氮气体或氮和氢的混合气体，或氨气。同样，在磁性体微粒中形成氧化皮膜的情况下，可向处理用面间导入适当氧浓度的氧与惰性气体的混合气体来实施。而且，为了促进各处理，可加热(加温)处理用面间、或向处理用面间照射紫外线(UV)、或向处理用面间赋予超声波能来实施。

另外，在制作由磁铁(Fe₃O₄)微粒这样的金属氧化物形成的磁性体微粒的情况下，例如，通过将以下的水溶液作为第1流体：在水系溶媒中将使用作为2价铁离子盐的氯化亚铁或硝酸亚铁或硫酸亚铁、使用作为3价铁离子盐的氯化铁等溶解以使得2价铁离子和3价铁离子为2价∶3价＝1∶2的水溶液，使用第2流体中溶解了作为氢氧化钠或氢氧化钾或氨等的碱性共沉剂的磁性体微粒析出剂的水溶液，可制作磁铁微粒。另外作为上述水系溶媒，并不作特别的限定，可使用离子交换水和纯水等的精制水。另外，也可以以各种的目的混合甲醇等的水溶性有机溶媒。

另外，在制作由金属硫化物形成的磁性体微粒的情况下，例如，通过使用在水系溶媒中溶解了作为磁性体的钴的硝酸盐及除此之外作为其它金属的铜的硝酸盐等的水溶液作为上述第1流体，使用在第2流体中溶解了硫化钠(Na₂S)这样的硫(S)源的水溶液或硫化氢(H₂S)这样的气体的硫(S)源作为磁性体微粒析出剂，可制作该磁性体微粒。这些也和上述同样，可根据目的进行氮化处理或氧化处理，加热处理或UV处理等。

另外，在上述的流体中的至少一种的流体中，可添加在磁性体微粒的表面上配位的分散剂。作为分散剂，并不作特别限定，对溶液有良好的溶解性、同时可将析出的磁性体微粒在溶液中良好地分散的各种分散剂，均可使用。特别是，优选使用高分子分散剂。作为上述高分子分散剂，可使用各种物质，例如，可举出聚乙烯亚胺，聚乙烯吡咯烷酮等的高分子分散剂，聚丙烯酸，羧甲基纤维素等的分子中具有羧酸基的烃类的高分子分散剂，poval(聚乙烯醇)，或，在1分子中有聚乙烯亚胺部分和聚环氧乙烷部分的共聚物等的具有极性基的高分子分散剂。另外，其分子量优选为100000以下。另外，也可使用市售的分散剂。作为上述市售品，例如可举出Solsperse 20000，Solsperse24000，Solsperse 26000，Solsperse 27000，Solsperse 28000，Solsperse 41090(以上、Avecia社制)；Disperbyk 160，Disperbyk161，Disperbyk 162，Disperbyk 163，Disperbyk 166，Disperbyk 170，Disperbyk 180，Disperbyk 181，Disperbyk 182，Disperbyk 183，Disperbyk 184，Disperbyk 190，Disperbyk 191，Disperbyk 192，Disperbyk 2000，Disperbyk 2001(以上、BYK Chemie社制)；Polymer100，Polymer 120，Polymer 150，Polymer 400，Polymer 401，Polymer402，Polymer 403，Polymer 450，Polymer 451，Polymer 452，Polymer453，EFKA-46，EFKA-47，EFKA-48，EFKA-49，EFKA-1501，EFKA-1502，EFKA-4540，EFKA-4550(以上、EFKA Chemical社制)；FLOWLENDOPA-158，FLOWLEN DOPA-22，FLOWLEN DOPA-17，FLOWLEN G-700，FLOWLEN TG-720W，FLOWLEN-730W，FLOWLEN-740W，FLOWLEN-745W(以上、共荣社化学制)；AJISPER PA111，AJISPER PB711，AJISPER PB811，AJISPER PB821，AJISPER PW911(以上、味之素社制)；JONCRYL 678，JONCRYL 679，JONCRYL 62(以上、Johnson Polymer社制)等。这些分散剂可以单独使用，也可以2种以上并用。可使用如下物质来实施：油酸及芥酸，亚油酸，六磷酸，八磷酸，四磷酸，三磷酸等的多磷酸类，乙酸，丙烯酸或甲基丙烯酸等的高分子有机酸或聚乙烯吡咯烷酮，聚乙烯醇或六偏磷酸纳这样的高分子有机物，2-巯基乙醇，巯基乙酸，2-巯基乙胺，β-硫二甘醇，2，2′-硫代二乙酸等的硫醇类，或聚苯乙烯，氧化膦类。

另外可适宜地添加为了调整反应时的pH值的pH调整剂。反应条件作为碱性的情况下，作为pH调整剂，可使用氢氧化钠水溶液，氢氧化钾溶液，氢氧化钙水溶液，氢氧化钡水溶液，氨水等的强碱性或弱碱性的水溶液。

反应条件作为酸性的情况下，作为pH调整剂，可使用盐酸水溶液或硝酸溶液，乙酸水溶液或柠檬酸水溶液等的强酸性或弱酸性的水溶液。

而且，可加热(加温)处理用面间、或对处理用面间照射紫外线(UV)、或对处理用面间给予超声波能。特别是，在第1处理用面1与第2处理用面2设置了温度差的情况下，由于可在薄膜流体中发生对流，因此具有由此具有可使反应促进的优点。

更具体而言，对于加热(加温)，例如通过在各处理用部10、20的至少一方设置加热器或通过热介质的封套，可加热(加温)薄膜流体。另外，对于照射紫外线(UV)，例如在各处理用部10、20的至少一方设置照射紫外线的灯等的元件，可从对应的处理用面对薄膜流体照射紫外线(UV)。另外，对于供给超声波能，例如可在各处理用部10、20的至少一方设置超声波振荡器。

而且，通过在能确保减压或真空状态的容器内进行上述析出、至少处理后流体被排出的2次侧成为减压或形成真空状态，进行在析出反应中产生的气体及上述流体中所含气体的脱气，或上述流体的脱溶剂。由此，即使在与磁性体微粒析出的几乎同时进行脱溶剂处理的情况下，因为含有在处理用面间析出的磁性体微粒的流体从处理用面以喷雾状态被排出，因此该流体的表面积增大，脱溶剂效率非常高。因此比到现在为止还简单、实质上1个工序进行磁性体微粒制作处理和脱溶剂处理。

这样，可制造在水系溶媒中分散了体积平均粒径0.5～1000nm、优选1～30nm、更优选5～11nm的磁性体微粒的水系分散体(悬浮液)的磁性流体。而且，在溶解了金属的硝酸盐等的水溶液中添加分散剂的情况下，可制作表面上分散剂被配位了的磁性体微粒被分散了的水系分散液(悬浮液)即磁性流体，得到的磁性体微粒的再分散性良好。因此在再次调制根据目的的磁性流体的情况下也方便。

如上所述，除第1导入部d1，第2导入部d2以外，也可在处理装置上设置第3导入部d3，该情况下，例如可从各导入部，将pH调整剂，金属离子的水溶液，分散剂，磁性体微粒析出剂分别导入处理装置中。这样，可各个管理各溶液的浓度、压力，能更精密地控制磁性体微粒生成的反应。即使在设置了第4以上的导入部的情况下，同样也可以如此将向处理装置导入的流体细分化。

另外，在本发明中，在可接近·分离地相互对向配设的、至少一方向对于另一方进行旋转的处理用面之间形成的薄膜流体中的磁性体微粒的制造方法中使用逆胶束法的情况下，也与上述情况下大体相同，例如，在制作FePt微粒的情况下，在适当的有机溶媒例如庚烷中、辛烷、壬烷等的碳数7～12的烷烃或二乙基醚及二丙醚等的醚中，加入水及适当的分散剂例如十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)或戊亚甲基二醇十二烷基醚，制作逆胶束溶液。在该逆胶束溶液中，加入铁及铂的硝酸盐或硫酸盐，盐酸盐，乙酸盐或金属羰基等的铁或铂的化合物的水溶液，制作作为第1流体的含有铁及铂化合物的逆胶束溶液。其次通过使用含有磁性体微粒析出剂即还原剂的逆胶束溶液作为第2流体，由此可得到含有FePt微粒的悬浮液。

实施例

以下，对于本发明公开实施例更详细地进行说明。但本发明并不只限定于这些实施例。

使用在如图1(A)所示的、可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面1、2之间所形成的薄膜流体中均匀搅拌·混合的反应装置，将铁·铜混合水溶液在薄膜中还原，在薄膜中一边均匀混合一边得到磁性体微粒。

予以说明的是，在以下的实施例中，所谓“从中央”，指得是上述的、图1(A)所示处理装置的“从第1导入部d1”的意思，第1流体是指上述的第1被处理流体，第2流体是指上述的、图1(A)所示处理装置的“从第2导入部d2导入的、上述的第2被处理流体。

(实施例1)

一边从中央将作为第1流体的10％肼水溶液，以供给压力/背压力＝0.02MPa/0.01MPa、转速1000rpm、送液温度80℃进行送液，一边将刚刚用氨水调制pH为12的20％硫酸亚铁/18％硫酸铜/2％BYK-190(BYKChemie社制)水溶液作为第2流体，以10ml/min导入处理用面1、2之间。作为水系的铁铜合金胶体溶液的磁性流体从处理用面间1、2之间被排出。

其次，对于得到的铁铜合金胶体溶液，使用透析管除去杂质，使用透射电子显微镜(TEM)，观察了该分散液中的铁铜微粒。从其中任意选出100个粒子，测定平均一次粒径，结果为9.3nm。而且，铁离子与铜离子的配合比率(原子数比)为10∶9。而且该铁铜粒子的收率为94％。另外，通过透射型显微镜对得到的铁铜合金微粒进行确认，结果粒子的形状为球形。

(实施例2)

一边从中央将作为第1流体的0.3mol/L苛性钠(氢氧化钠)水溶液，以供给压力/背压力＝0.40MPa/0.01MPa、转速500rpm、送液温度95℃进行送液，一边将作为第2流体的、使用作为原料金属盐的氯化铁六水合物、氯化钴六水合物、氯化镍六水合物、及氯化铬六水合物，将0.25mol/L的Fe³⁺水溶液、0.10mol/L的Co²⁺水溶液、0.10mol/L的Ni²⁺水溶液、及0.10mo l/L的Cr³⁺水溶液进行混合以使得形成Fe³⁺∶Co²⁺∶Ni²⁺∶Cr³⁺＝2∶1∶0.3∶0.3的溶液，以10ml/min导入处理用面1、2之间。作为黑色微粒分散体的磁性流体从处理用面间被排出。

对将得到的黑色微粒分散体的一部分进行过滤而得到的沉淀物进行元素分析，结果Fe为47.6％，Co为14.1％，Ni为2.9％。Cr为2.4％。使用应用了激光多普勒法的粒度分布测定装置(日机装株(株)制的商品名microtrac UPA150)测定粒度分布，结果体积平均粒径为18nm。该粒子用物理特性测定系统(PPMS)进行了磁测量，结果饱和磁化σ为57.2×10^-6Wb·m/kg，保持力HcJ为421kA/m。

而且，将该黑色微粒用纯水洗净后，真空干燥得到黑色微粒粉体。将该粉体再次投入到离子交换水中，用高速搅拌型分散机(商品名：ClearMix，M技术社制)进行搅拌，结果再次得到黑色微粒分散物，体积平均粒径与真空干燥前相同，体积平均粒径为18nm，确认为得到的黑色微粒粉体的再分散性良好。

(实施例3)

一边从中央将在水中(脱氧：0.1mg/L以下)溶解了NaBH₄的还原剂水溶液中添加、混合混合了气溶胶OT与癸烷及油烯胺2ml的烷烃溶液而得到的逆胶束溶液(0.9％NaBH₄/18.8％脱氧水/12.7％气溶胶OT/65.9％癸烷/1.7％油烯胺)作为第1流体，以供给压力/背压力＝0.10MPa/0.01MPa、转速1000rpm、送液温度50℃进行送液；一边将作为第二流体的在水(脱氧)中溶解了三草酸三铵铁(Fe(NH₄)₃(C₂O₄)₃)与氯化铂酸钾(K₂PtCl₄)的金属盐水溶液中添加、混合混合了气溶胶OT与癸烷的烷烃溶液而调制成逆胶束溶液(1.1％Fe(NH₄)₃(C₂O₄)₃/0.9K₂PtCl₄/18.9％脱氧水/12.8％气溶胶OT/66.3％癸烷)的物质，以10ml/min导入处理用面1、2之间。作为含有微粒分散体的逆胶束溶液的磁性流体从处理用面被排出。

为了破坏得到的逆胶束，添加水∶甲醇＝1∶1的混合溶液，分离为水相和油相。在油相侧得到纳米粒子分散了的状态。将油相侧用水∶甲醇＝3∶1的混合溶液洗净5次。

其后，添加甲醇，使纳米粒子发生絮凝而使其沉降。除去上清液，添加庚烷进行再分散。而且，反复3次利用甲醇添加的沉降与庚烷分散的沉降分散，最后添加庚烷，调制水与表面活性剂的质量比(水/表面活性剂)为2的FePt(铁铂合金)纳米粒子分散液。

对于得到的FePt纳米粒子分散液，用透析管除去杂质，使用透射电子显微镜(TEM)观察该分散液中的铁铜微粒。从其中任意选出100个粒子，测定平均一次粒径，结果为4.0nm。

(比较例)

一边用高速搅拌型分散机(商品名：ClearMix，M技术社制)以液温95℃、20000rpm搅拌0.3mol/L苛性钠(氢氧化钠)水溶液，一边导入以下溶液：使用作为原料金属盐的氯化铁六水合物、氯化钴六水合物、氯化镍六水合物、及氯化铬六水合物，混合0.25mol/L的Fe³⁺水溶液，0.10mol/L的Co²⁺水溶液，0.10mol/L的Ni²⁺水溶液，及0.10mol/L的Cr³⁺水溶液以使得Fe³⁺∶Co²⁺∶Ni²⁺∶Cr³⁺＝2∶1∶0.3∶0.3的溶液。得到作为黑色微粒分散体的磁性流体。

使用应用了激光多普勒法的粒度分布测定装置(日机装株(株)制的商品名microtrac UPA150)测定得到的黑色微粒的粒度分布，结果体积平均粒径为970nm。

而且，将用实施例2相同的方法得到的黑色微粒粉体再次投入到离子交换水中，用高速搅拌型分散机(商品名：ClearMix，M技术社制)进行搅拌，结果再次得到黑色微粒分散物，体积平均粒径比真空干燥前还大，体积平均粒径为1640nm。

为得到磁性体微粒所需要的能量量，与比较例相比，虽然本发明的实施例方的体积平均粒径变小，但全部为十分之一以下。由此可知实施例的制造方法的能源效率优异。

Claims (13)

1.磁性体微粒的制造方法，其特征在于，

使用至少2种流体，

对于其中至少1种流体含有至少1种磁性体原料，

对于上述以外的流体中的至少1种流体，含有至少1种磁性体微粒析出剂，

在可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面之间形成的薄膜流体中使上述的各流体合流，在前述薄膜流体中使磁性体微粒析出而得到磁性体微粒。

2.权利要求1所述的磁性体微粒的制造方法，其特征在于，上述流体中，至少1种流体中含有分散剂。

3.磁性体微粒的制造方法，其特征在于，

使用至少2种流体，

其中至少1种流体，是在有机溶媒中加入分散剂与至少1种磁性体原料水溶液而得到的逆胶束溶液，

上述以外的流体中的至少1种流体，是含有至少1种磁性体微粒析出剂的逆胶束溶液，

在可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面之间形成的薄膜流体中使上述的各流体合流，在前述的薄膜流体中使磁性体微粒析出而得到磁性体微粒。

4.权利要求1至3中任一项所述的磁性体微粒的制造方法，其特征在于，上述磁性体微粒中，含有镍、钴、铱、铁、铂、金、银、锰、铬、钯、钇、镧系元素(钕、钐、钆、铽)中的至少1种。

5.权利要求1至4中任一项所述的磁性体微粒的制造方法，其特征在于，上述磁性体微粒中，含有铜、锌、镁、铼、铋、硅中的至少1种。

6.权利要求1至5中任一项所述的磁性体微粒的制造方法，其特征在于，加热(加温)上述处理用面间、或对上述处理用面间照射紫外线(UV)、或对上述处理用面间给予超声波能。

7.权利要求1至6中任一项所述的磁性体微粒的制造方法，其特征在于，通过在能确保减压或真空状态的容器内进行上述析出、使至少处理后流体被排出的2次侧为减压或真空状态，进行上述析出反应中产生的气体及上述流体中所含有的气体的脱气、或上述流体的脱溶剂。

8.权利要求1至7中任一项所述的磁性体微粒的制造方法，其特征在于，上述磁性体微粒的体积平均粒径为0.5～1000nm。

9.权利要求1至8中任一项所述的磁性体微粒的制造方法，其特征在于，上述的制造方法，

具有对被处理流体赋予规定压力的流体压力赋予机构，第1处理用部、及可相对于该第1处理用部相对地接近·分离的第2处理用部的至少2个处理用部，相对于上述的第1处理用部可相对地接近·分离的第2处理用部的至少2个处理用部，使第1处理用部和第2处理用部相对地进行旋转的旋转驱动机构，

在上述的各处理用部中相互对向的位置上，设置有第1处理用面及第2处理用面的至少2个处理用面，

上述的各处理用面构成上述规定压力的被处理流体流过的、被密封了的流路的一部分，

在上述的两处理用面间，均匀混合至少任一种中含有反应物的2种以上的被处理流体，使其积极地反应，

上述第1处理用部和第2处理用部中，至少第2处理用部具有受压面，并且，该受压面的至少一部分是由上述的第2处理用面构成，该受压面受到上述的流体压力赋予机构赋予被处理流体的压力，产生在使第2处理用面从第1处理用面向分离的方向移动的力，

将上述规定压力的被处理流体导入可接近·分离且相对地进行旋转的第1处理用面和第2处理用面之间，上述被处理流体一边形成规定膜厚的流体膜，一边通过两处理用面间，

并且，具有独立于上述规定压力的被处理流体流过的流路的另外的导入路，上述第1处理用面和第2处理用面至少任意一方中具有至少一个与上述的导入路相通的开口部，

将从上述导入路输送来的至少一种被处理流体导入上述两处理用面间，至少上述的各被处理流体的任一种中所含有的上述的反应物和与前述被处理流体不同的被处理流体，通过在上述流体膜内的采用均匀搅拌的混合，可形成所希望的反应状态。

10.权利要求1至9中任一项所述的磁性体微粒的制造方法，其特征在于，所得到的磁性体微粒的再分散性良好。

11.通过权利要求1至10中任一项所述的制造方法所制造的磁性体微粒。

12.含有通过权利要求1至10中任一项所述的制造方法所制造的磁性体微粒的磁性流体。

13.至少含有通过权利要求1至10中任一项所述的制造方法所制造的磁性体微粒的磁性体制品的制造方法。

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