CN101859572A

CN101859572A - 垂直磁记录写系统

Info

Publication number: CN101859572A
Application number: CN200910262512A
Authority: CN
Inventors: 约翰·T·康特雷拉斯; 曼弗雷德·E·沙布斯; 戴维·J·西格尔
Original assignee: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV
Current assignee: Western Digital Technologies Inc
Priority date: 2009-04-06
Filing date: 2009-12-29
Publication date: 2010-10-13
Anticipated expiration: 2029-12-29
Also published as: CN101859572B; JP2010244678A; US20100254042A1; US8116032B2

Abstract

本发明涉及垂直磁记录写系统，用于磁化垂直磁记录层中的区域，具有写头，该写头包括：主极；耦合到所述主极的主导电线圈，用于在所述主极中产生磁通；辅助极；及耦合到所述辅助极的辅助导电线圈，用于以相对于所述主极的大于15度且小于或等于90度的一角度在所述辅助极中产生磁通；写驱动器，能够沿两个方向向所述主线圈供应写电流；及耦合到所述辅助线圈的电路，用于当所述写驱动器变换供给所述主线圈的写电流的所述方向时激励所述辅助线圈。

Description

垂直磁记录写系统

技术领域

本发明总地涉及垂直磁记录系统，更具体而言，涉及垂直写头的磁化方向快速变换的系统。

背景技术

在磁记录硬盘驱动器中，记录位以垂直或离面取向存储在记录层中的垂直磁记录允许超高记录密度。写头必须能够不仅以高位密度而且以高数据速率写数据。写速率在企业级磁盘驱动器中尤其重要。然而，随着数据速率提高，写头的主极从一个磁化方向变换到另一磁化方向的变换时间是一个限制因素。在高数据速率下，从盘上的记录层来看，来自写头的可用磁通由写头的低频磁通输出主导。写磁通损失的原因包括写头的主极中磁化反转的慢的固有时间常数。另外，低数据速率系统仍然需要来自盘驱动器的写驱动器电路的写电流的额外过冲来辅助磁化反转。该额外过冲要求来自写驱动器电路的额外功率。

已经提出了具有高频辅助写入的垂直磁记录系统，如US6816339B1和US7256955B2中所述。在这些所建议的系统中，写线圈产生主垂直写场和高频辅助场。辅助场具有接近记录层中的磁晶粒的共振频率的频率，从而促进晶粒的磁化的翻转。US2007/0253106A1描述一种高频辅助写系统，其中辅助线圈用于向记录层的磁晶粒施加高频辅助场。

因此，对于高数据速率和低数据速率的垂直磁记录，所需的是减少主极的磁化反转时间和主极的过冲而不向记录层施加高频辅助场的写头和系统。

发明内容

本发明涉及具有写头的垂直磁记录系统，所述写头具有主线圈(写线圈)和主极(写极)、以及辅助线圈和辅助极，主极沿垂直于磁记录介质中的记录层的方向引导写磁通，辅助极以相对于写极的主轴或垂直轴的一角度注入磁通到写极中。非平行地注入到主极的主磁化的来自辅助极的附加磁通向主极的磁化施加一个较大的转矩(torque)，由此促进主极的磁化反转。辅助极使其纵轴相对于主极的主轴或垂直轴以一角度(大于15度)且优选基本垂直(70至90度)地取向。

电路连接到主线圈和辅助线圈从而产生与主极的磁化的变换同步的辅助磁通。在一实施例中，所述电路包括产生供给写线圈的写信号的写驱动器电路、以及连接到写驱动器电路并耦合到辅助线圈的振荡器。振荡器提供高频信号给辅助线圈，优选地高于来自写驱动器的写信号的频率。相对于写信号的相位控制振荡器的相位，使得辅助线圈产生与来自写线圈的写电流的变换同相的辅助磁通。在另一实施例中，所述电路包括耦合到所述写驱动器电路和写线圈之间的连接的高通滤波器。写信号的高通滤波信号用于激励辅助线圈并产生辅助磁通。当写信号变换写电流的方向时，高通滤波器通过送往辅助线圈的高频分量从而产生辅助磁通。高频分量通过写电流的高通转变(high-pass transition)产生。

送往辅助线圈的电流优选地具有写电流的幅度的至少约20％的幅度。送往辅助线圈的信号的频率优选地大于最大写频率，且优选地接近写极的磁材料的铁磁共振频率。铁磁共振源于在存在来自辅助线圈的辅助磁场时写极的磁材料的旋进运动(precessional motion)。辅助磁场对写极的磁材料的磁化施加转矩，这引起磁矩旋进。然而，当相对于写极的磁各向异性的主方向以显著的角度施加时，频率低于铁磁共振频率的辅助场也将有助于写极的磁化的变换。如果辅助磁场处于比铁磁共振频率低的频率，则辅助磁场对写极的磁化变换的有益效果将由与sin(θ)成比例的磁反转矩的增加主导，其中θ是来自主线圈和辅助线圈的总场的局部方向(local direction)与写极的磁化的局部方向之间的角度。

为了对本发明的本质和优点进行更全面的理解，应当结合附图参照下面的详细说明。

附图说明

图1是硬盘驱动器的头/盘组件的俯视图；

图2是沿图1的方向2-2取得的滑块的放大端视图和盘的剖视图；

图3是沿图2的方向3-3的视图并示出了从盘观察的读/写头的末端；

图4A是部分滑块的剖视图，示出了具有扁平线圈的现有技术垂直写头和部分垂直磁记录盘；

图4B沿图4A的方向4B-4B的视图并示出了用于垂直写头的展开的写极的展开区域；

图5是部分滑块的侧剖视图，示出了读头、具有螺旋线圈的现有技术垂直写头和垂直磁记录盘；

图6A是通过平行于数据道的平面取得的部分滑块的侧剖视图，平面垂直写头具有螺旋线圈；

图6B是沿图6A方向6B-6B的视图并示出了图6A的垂直写头的共平面的主极和返回极；

图7A示意性说明本发明的基本构思，示出了主极的主线圈(MC)和辅助极的辅助线圈(AC)，辅助极基本垂直于主极取向；

图7B是代表写极的柱形磁纳米结构在具有(曲线B)和没有(曲线A)辅助垂直磁场时的磁化反转的计算机产生的微磁模拟图；

图8A示出了连接到主线圈(MC)和辅助线圈(AC)的具有单独的振荡器信号源和单独的互连线的电路的实施例；

图8B是用于图8A的电路实施例的作为时间的函数的给MC的写电流(I_w)和给AC的辅助电流的曲线图；

图9A示出了连接到主线圈(MC)和辅助线圈(AC)的不需要振荡器作为单独的信号源和单独的互连线的电路的实施例；

图9B是用于图9A的电路实施例的作为时间的函数的给MC的写电流(I_w)和给AC的辅助电流的曲线图；

图10A-10B示出了根据本发明的写头的实施例，作为相应的图6A-6B所示的具有螺旋线圈的平面写头的变型。

具体实施方式

图1是去除了盖的硬盘驱动器10的头/盘组件的顶平面图。盘驱动器10包括支承主轴14的刚性基座12，主轴14支承包括顶部盘16的盘堆叠。主轴14通过用于沿弯曲箭头17所示的方向旋转盘的主轴马达(未示出)旋转。硬盘驱动器10具有至少一个负载梁组件20，负载梁组件20具有集成引线悬架(ILS)或挠性部(flexure)30，该ILS具有导电互连线缆或线路的阵列32。负载梁组件20附着到刚性臂22，刚性臂22连接到有时称为E块(E-block)24的E形支承结构。每个挠性部30连接到气垫滑块28。磁记录读/写头29位于滑块28的末端或拖尾表面25。挠性部30使滑块28能够在旋转的盘16产生的气垫上“俯仰”和“滚转”。盘驱动器10还包括在枢转点41处旋转地安装到刚性基座12的旋转致动器组件40。致动器组件40是音圈马达(VCM)致动器，其包括固定到基座12的磁体组件42和音圈43。当通过控制电路(未示出)激励时，音圈43移动并由此旋转连接有臂22和负载梁组件20的E块24从而定位读/写头29到盘上的数据道。线缆互连阵列32在一端连接到读/写头29并且在另一端连接到固定到E块24的一侧的电模块或芯片50中包含的读/写电路。芯片50包括读前置放大器和写驱动器电路。

图2是沿图1的方向2-2取得的滑块28的放大端视图和盘16的剖面。滑块28附着到挠性部30并具有面对盘16的气垫面(ABS)27和基本垂直于ABS 27的末端或拖尾表面25。ABS 27使得源自旋转盘16的气流产生气垫，该气垫支承滑块28非常靠近或几乎接触盘16的表面。读/写头29形成为沉积在滑块28的拖尾表面25上的一系列薄膜。通常，绝缘材料层例如氧化铝沉积在读/写头29之上并作为滑块28的外表面。读/写头29连接到端子焊盘31。端子焊盘31连接到挠性部30上的线缆阵列32以用于电连接到芯片50中的读前置放大器和写驱动器(图1)。

图3是沿图2的方向3-3的视图并示出了从盘16观察的读/写头29的末端。读/写头29包括读头96和写头33，它们形成为在滑块28的拖尾表面25上沉积并光刻构图的一系列薄膜，读头的薄膜首先沉积且写头的膜沉积在读头之上。磁致电阻读传感器或头96位于两个磁屏蔽件S1和S2之间，第一屏蔽件S1位于拖尾表面25上。写头33具有垂直写头且包括具有WP极尖72的磁写极(WP)和磁通返回极76。WP极尖72可在ABS处被可选的侧屏蔽件84和拖尾屏蔽件80基本围绕。拖尾屏蔽件80和侧屏蔽件84可连接从而形成包绕屏蔽件(WAS)。WAS作为用于常规垂直记录头的屏蔽件在受让给与本申请相同的受让人的美国专利7002775B2中有详细描述。通过非磁间隙材料与WP极尖72分开的WAS改变了写场的角度并改善了写入点处的写场梯度，并且还屏蔽了在盘的离开正被写入的道的区域处的写场。用于读头96的屏蔽件S1、S2和用于WP极尖72的屏蔽件80、84由导磁材料形成。绝缘材料层例如氧化铝沉积在写头33之上，得到外表面26。WP极尖72和读头96在跨道方向的宽度基本对应于盘16上的数据道的道宽(TW)。

图4A是部分滑块28的剖视图，示出了垂直写头33和部分垂直磁记录盘16。盘16包括形成在盘衬底上的“软”或较低矫顽力导磁衬层(SUL)上的垂直磁数据记录层(RL)。写头33包括由主极74、磁通返回极76、连接主极74和磁通返回极76的轭柱78构成的轭；以及示出为围绕轭柱78的截面的薄膜扁平线圈79。返回极76和轭柱78由软磁铁磁材料形成，例如通常通过电镀形成的NiFe、CoFe和NiFeCo合金。图4A中的写头33示出为没有可选的WAS(图3)。线圈79连接到滑块28的外表面26上的端子，例如端子31。展开的写极(WP)70是主极74的一部分并且具有展开部分71和面对盘16的表面的极尖72。WP70由高磁矩材料形成，例如高磁矩CoFe合金，其通常通过溅射沉积形成，并且可以是层叠结构。通过薄膜线圈79的写电流感应磁场(虚线90所示)，从展开的WP 70经过数据RL 70(以磁化WP 70下面的RL的区域)、经过SUL提供的磁通返回路径，回到返回极76。当盘16沿箭头100所示的方向移动经过写头33时，滑块28使其气垫面(ABS)27支承在盘16的表面之上。RL示出为具有与极尖72相邻的表示数据的垂直记录或磁化的区域。前面的区域示出为具有随机的预先记录的磁化方向，如箭头所示。磁转变可由读头(图4A中未示出)检测作为记录的位。写线圈79称为“扁平”线圈，因为其在滑块的拖尾端上沉积并构图为基本单层，于是所有的线圈匝位于基本相同的平面中。当来自芯片50(图1)中的写驱动器的写电流沿一方向送往线圈79时，例如在图4A中在具有点的上线圈部分79中离开纸面且在具有X的下线圈部分79中进入纸面，WP极尖72下面的RL的区域沿一方向(图4A中向下或进入盘)被磁化。当写驱动器变换送往线圈79的写电流的方向时，WP极尖72下面的RL的区域沿相反方向被磁化，即在图4A中向上或离开盘。

图4B是沿图4A的方向4B-4B的视图并示出了展开的WP 70的展开区域71。WP极尖72与展开部分71之间的区域称为展开点75。WP 70的展开点75有时称为“扼流(choke)”点，因为其是磁通密度最高的点且该点处WP 70饱和。WP极尖72使其主轴或垂直轴取向为垂直于ABS并具有从ABS到展开点75的称为喉高(TH)的“高度”或距离。如图4B所示，WP极尖72的两个侧壁限定其沿跨道方向的宽度，该宽度基本界定盘16的RL中所记录的数据的道宽(TW)。

图4A的垂直写头具有“扁平”线圈79。图5示出了滑块28，具有拖尾表面25、外表面26和如图4A-4B中的屏蔽件S1、S2之间的读头96，但是其中垂直写头133具有围绕主极74的薄膜“螺旋”线圈(以线圈剖面139a、139b示出)。具有螺旋线圈的垂直写头在受让给与本申请相同的受让人的US2008/0186628A1中做了描述。写头133形成在具有外表面26滑块28上并且还包括由主极74、屏蔽层135、以及连接到主极74的连接柱137构成的轭。极136是用于磁通90的返回路径，并连接到可以是WAS的一部分的拖尾屏蔽件150。返回极136具有将返回极136连接到主极74的轭柱138。展开的WP 70是主极74的一部分并且具有展开部分71和WP极尖72，如图4A-4B所示的那样。通过线圈139a、139b的写电流感应磁场(虚线90所示)，从WP 70经过RL(以磁化WP极尖72下面的RL的区域)、经过SUL提供的磁通返回路径，回到返回极136。WP极尖72的末端基本位于ABS处，返回极136具有基本位于ABS处的末端136a并因而与WP极尖72末端基本共面。

图6A是侧剖视图，示出具有拖尾表面25、外表面26和屏件S1、S2之间的读头96的滑块28，如图5中那样，但是其中垂直写头233是“平面”写头，具有围绕主极274的薄膜“螺旋”线圈(以线圈剖面239a、239b示出)。图6A示出第一组线圈段239a、主极274和所连接的WP 270、以及第二组线圈段239b。在图6A中，与图5中的项目90不同，磁通返回路径不可见，因为返回极与主极274基本共面。

图6B是沿图6A方向6B-6B的视图。主极274、第一返回极235、第二返回极236和连接柱237都形成为单个连续层。返回极235、236沿跨道方向分开在主极274的相对两侧。图6还示出了两组线圈段239a、239b。第一线圈段239a在主极和返回极之前形成，第二线圈段239b在主极和返回极之后形成。两组线圈段239a、239b然后在它们的端部连接从而形成围绕主极274的螺旋线圈。来往于引线239c、239d的写电流沿围绕主极274的螺旋路径传送。取决于电流的方向，从基本垂直于RL的WP 270沿两个方向之一感应磁场。例如，在图6B中，线圈沿一方向缠绕使得从引线239c进入并通过引线239d流出的写电流感应垂直地朝向RL的磁场，如WP极尖272末端正下方RL中的箭头的方向所示。返回极235、236可选地分别具有朝向WP极尖272的末端渐缩的末端235a、236a。这使得返回极端面235a、236a比从ABS缩回的返回极区域更靠近主极274，有利于磁通返回路径290并同时仍然提供用于形成线圈段239a、239b的空间。图6A-6B所示的具有螺旋线圈的平面垂直写头在2007年5月2日提交的未决申请11/743150中做了描述，该申请公开为US2008/0273268A1，并受让给与本申请相同的受让人。

在本发明中，使用具有辅助线圈的辅助极相对于主极的主轴以一角度(优选地，基本垂直)注入磁通到主极中。来自主极的写磁通沿垂直于ABS的方向流动，或者朝向RL或者从RL离开，取决于主线圈中写电流的方向。与主极的主磁化非平行地注入的来自辅助极的附加磁通向主极的磁化施加一个相对大的转矩(torque)，由此促进主极的磁化反转。本发明的基本概念示于图7A，其示出了主极和主线圈(MC)以及辅助极和辅助线圈(AC)，写磁通指向为垂直于盘的RL，辅助磁通相对于主极以一角度(大于15度)且优选基本垂直(70至90度)地指向。

计算机模拟已经证实，与数据速率性能直接相关的主极中磁通反转所需的时间利用本发明显著减少。该减少的变换时间或者增大的写头变换速度允许具有增大的数据速率的盘驱动器。图7B示出表示写极的柱形磁纳米结构的磁化反转的计算机产生的微磁模拟。纳米结构具有直径D＝8nm和高度h＝10nm。在时间t＝0，纳米结构具有+1的归一化磁化。曲线A示出通过以0.5GHz的频率施加平行于纳米结构高度的场来试图将磁化反转到-1。如曲线A所示，磁化没有变换而是在大约1ns之后仅减小到大约+0.3。曲线B示出了相同的平行场和垂直于纳米结构高度的辅助场一起施加时的结果。垂直的辅助场具有等于平行场的幅度的20％的幅度，并且以1.0GHz的频率施加，是平行场频率的两倍。如曲线B所示，在大约0.8ns以后，磁化完全变换到-1。在不同频率的辅助垂直场下的额外模拟显示，越高的频率越进一步改善变换时间。例如，在6.5GHz频率的辅助垂直场下，磁化在大约0.5ns后变换到-1。

因此，已经确定，写极磁化的变换受益于垂直辅助磁场的施加，得到的改善取决于辅助场的频率。如本领域所公知的，铁磁材料在其铁磁共振频率处或附近更有效地吸收所施加的磁场[Kittel C.，“On the Theory ofFerromagnetic Resonance Absorption”，Phys.Rev.73，p.155-161(1948)]。因此，来自辅助线圈的辅助磁场的频率可以选择为优选地在构成写极的磁材料的铁磁共振频率附近的范围，这通常表示比主写场的频率高的频率。存在来自辅助线圈的辅助磁场时，铁磁共振源于写极的磁材料的旋进运动(precessional motion)。辅助磁场对写极的磁材料的磁化施加转矩，这引起磁矩旋进。铁磁旋进的共振频率取决于材料特性，包括磁各向异性和磁矩密度以及磁结构的形状。例如，对于常规盘驱动器写头中用作写极的材料而言，铁磁共振频率通常在1-4GHz的范围。然而，当相对于写极的磁各向异性的主方向以显著的角度施加时，频率低于铁磁共振频率的辅助场也将有助于写极的磁化的变换。如果辅助磁场处于比铁磁共振频率低的频率，则辅助磁场对写极的磁化变换的有益效果将由与sin(θ)成比例的磁反转矩的增加主导，其中θ是来自主线圈和辅助线圈的总磁场的局部方向(local direction)与写极的磁化的局部方向之间的角度。磁转矩与sin(θ)的比例也解释了为什么辅助磁场相对于写极不仅在90度有用，而且在较小的角度(优选在15-90度的范围)也有用。

图8A示出了连接到主线圈(MC)和辅助线圈(AC)的电路的实施例，辅助线圈产生与主极的磁化的变换同步的辅助磁通。写驱动器电路在芯片50(图1)的读/写集成电路中，芯片50位于远离滑块的位置处，通常在E块24上(图1)。写驱动器通过集成引线悬架(ILS)上的互连线在端子T1、T2处连接到MC。写头具有电阻R_w，MC具有电感L_MC，术语C_MC表示寄生电容。在图8A的实施例中，振荡器也位于芯片50的电路中，作为用于具有电感L_AC的辅助线圈(AC)的独立信号源。振荡器通过与写驱动器和MC之间的互连线分开但也位于ILS上的互连线连接到AC。振荡器向AC提供高频信号(高于来自写驱动器的写信号的频率)。振荡器的频率通过电压(V_fcntl)控制。相对于写信号的相位控制振荡器的相位(θ)，使得AC产生与来自MC的写电流的变换同相的辅助磁通。用于相位与写信号的相位匹配的辅助电流的独立信号源能够利用常规锁相环(PLL)和电压控制振荡器(VCO)实现。

图8B是作为时间的函数的给MC的写电流(I_w)和给AC的辅助电流的曲线图。在该示例中，写电流示出为以250MHz的频率从+50mA变换到-50mA，这对应于500Mb/sec的最大数据速率。辅助电流应具有比最大写频率大的频率，优选接近写极的磁材料的铁磁共振频率。辅助电流应具有写电流幅度的至少约20％的幅度。例如，在图8B中，辅助信号是写信号的频率的约12倍的频率，信号幅度为写信号的幅度的约20％，因而AC中的电流从+10mA变换到-10mA。

图9A示出连接到主线圈(MC)和辅助线圈(AC)的电路的实施例，其不需要作为单独的信号源的振荡器和单独的互连线。在该实施例中，写信号的高通过滤信号用于激励AC并产生辅助磁通。一对匹配的电容器C_AC与AC串联，并用作高通滤波器(HPF)以用于从写驱动器到MC的写信号。HPF与MC并联。在图9B中，I_w是给MC的写电流，且与从HPF产生的到AC的电流一起示出。当写信号改变写电流的方向时，例如在2ns处从正变换到负，HPF通过送往AC的高频分量从而产生辅助磁通。高频分量通过写电流的高通转变(high-pass transition)产生。下面的等式示出了写信号的自然共振频率(f_HP)的计算，其是HPF的高通频率，

f_{HP} \approx \frac{1}{2 π} \sqrt{\frac{2}{C_{AC} (L_{MC} + L_{AC})}}

无源器件可以形成在滑块上从而产生HPF，并且利用与在滑块上制造读/写头相同的材料和薄膜工艺来制造。大约数欧姆至数十千欧姆的电阻器可以从电阻率在从0.01Ohm/sq到20Ohm/sq范围的已有的膜制造。数飞法(femtoF)到数十皮法(picoF)范围的电容器可由从10nm到数微米范围的氧化铝间隙制造。可从屏蔽件和读/写头所需的极材料制造数十纳亨(nanoH)的电感器。此外，可增加电阻性无源元件与L_AC和/或L_MC串联以辅助阻尼HPF共振。

图10A-10B示出了本发明的写头的一个实施例，作为图6A-6B所示的具有螺旋线圈的平面写头的变型。在图10A的侧剖面图中，形成辅助极280，辅助极280的纵轴优选地取向为基本垂直于(70-90度)主极274及其附着的WP 270二者的主轴。单匝辅助线圈282以截面示出为围绕辅助极280。辅助线圈282也可以是多匝线圈。辅助极280可具有附着的磁通引导部281，磁通引导部281面对WP 270并辅助向WP 270引导磁通。辅助极280和磁通引导部281可由与常规写极例如WP 270中使用的相同的高磁矩材料形成。图10B是滑块28的外表面的视图，去除了保护性氧化铝涂层从而示出了下面的本发明的写头的特征。辅助线圈282连接到滑块28上的端子T3、T4。主线圈239a、239b连接到滑块28上的端子T1、T2。在图10B中，写头示出为连接到电路实施例，其中辅助线圈被高通过滤的写信号激励，如图9A所示的那样。因此，形成HPF的两个匹配的电容器C_AC示出为制造在滑块28上并分别连接在T1和T4之间以及T2和T3之间。

具有螺旋线圈和辅助线圈的写头的其它实施例也是可以的。例如，参照图5所示的螺旋写线圈，通过在WP 70和返回极136之间增加辅助线圈和辅助极(类似图10A、10B中具有磁通引导部281的极280和线圈282)，可以修改该结构。

尽管已经如图10A-10B所示关于具有螺旋线圈和辅助螺旋线圈的平面写头描述了用于产生写电流和辅助电流的电路，但是本发明不限于具体的写头结构。相反，电路可以与任何类型的具有辅助线圈的垂直写头一起实现，辅助线圈产生非平行于写极的写磁通从而促进写极的磁化反转。这些类型的写头不仅包括具有螺旋线圈的写头，也包括具有扁平线圈的写头，如图4A-4B所示的写头。

尽管已经参照优选实施例特别地显示和说明了本发明，但是本领域技术人员应当理解，在不脱离本发明的实质和范围的情况下，可以进行形式和细节上的各种改变。因此，所公开的发明应当仅理解为示意性的，范围上的限制只由后附的权利要求指定。

Claims

1.一种垂直磁记录写系统，用于磁化垂直磁记录层中的区域，该垂直磁记录写系统包括：

写头，包括：

主极；

耦合到所述主极的导电的主线圈，用于在所述主极中产生磁通；

辅助极；以及

耦合到所述辅助极的导电的辅助线圈，用于以相对于所述主极大于

15度且小于或等于90度的角度在所述辅助极中产生磁通；

写驱动器，能沿两个方向向所述主线圈供应写电流；以及

耦合到所述辅助线圈的电路，用于当所述写驱动器变换供给所述主线圈的写电流的方向时激励所述辅助线圈。

2.如权利要求1所述的垂直磁记录写系统，其中所述辅助极基本垂直于所述主极取向。

3.如权利要求1所述的垂直磁记录写系统，其中所述主线圈是多匝线圈，所述多匝线圈中的所有线圈匝基本位于相同平面中。

4.如权利要求3所述的垂直磁记录写系统，其中所述辅助线圈是围绕所述辅助极的螺旋线圈。

5.如权利要求1所述的垂直磁记录写系统，其中所述主极具有铁磁共振频率，耦合到所述辅助线圈的所述电路激励所述辅助线圈从而以所述铁磁共振频率产生辅助磁场。

6.如权利要求1所述的垂直磁记录写系统，其中所述写驱动器以写频率产生主信号，耦合到所述辅助线圈的所述电路包括用于以高于所述写频率的频率施加辅助信号的振荡器。

7.如权利要求6所述的垂直磁记录写系统，其中所述写驱动器耦合到所述振荡器，且其中来自所述振荡器的所述辅助信号的相位匹配来自所述写驱动器的所述主信号的相位。

8.如权利要求1所述的垂直磁记录写系统，其中所述写驱动器产生主信号，且其中耦合到所述辅助线圈的所述电路包括高通滤波器，所述高通滤波器用于从所述主信号过滤对应于所述写电流的电流方向变换的高频分量。

9.如权利要求8所述的垂直磁记录写系统，其中所述高频滤波器包括与所述辅助线圈串联的两个匹配的电容器，所述辅助线圈位于所述两个电容器之间。

10.如权利要求1所述的垂直磁记录写系统，其中来自所述写驱动器的所述写电流具有幅度I_w，其中耦合到所述辅助线圈的所述电路产生幅度大于0.2I_w的辅助电流I_a。

11.一种垂直磁记录写系统，用于磁化垂直磁记录层中的区域，所述垂直磁记录写系统包括：

写头，包括：

主极；

辅助极，基本垂直于所述主极取向；以及

耦合到所述辅助极的导电的辅助线圈，用于在所述辅助极中产生磁通；

写驱动器，用于产生主信号以沿两个方向向所述主线圈供应写电流；以及

耦合到所述辅助线圈的电路，用于当所述写驱动器变换供给所述主线圈的写电流的方向时激励所述辅助线圈，所述电路包括高通滤波器，所述高通滤波器用于从所述主信号过滤对应于所述写电流的电流方向变换的高频分量。

12.如权利要求11所述的垂直磁记录写系统，其中所述主线圈是多匝线圈，所述多匝线圈中的所有线圈匝基本位于相同平面中。

13.如权利要求12所述的垂直磁记录写系统，其中所述辅助线圈是围绕所述辅助极的螺旋线圈。

14.如权利要求11所述的垂直磁记录写系统，其中所述高频滤波器包括与所述辅助线圈串联的两个匹配的电容器，所述辅助线圈位于所述两个电容器之间。

15.如权利要求11所述的垂直磁记录写系统，其中来自所述写驱动器的所述写电流具有幅度I_w，其中耦合到所述辅助线圈的所述电路产生幅度大于0.2I_w的辅助电流I_a。

16.如权利要求11所述的垂直磁记录写系统，其中所述主极具有铁磁共振频率，且所述高频分量的频率等于所述铁磁共振频率。