CN101819076B - 基于金锡共晶的谐振型压力传感器芯片局部真空封装方法 - Google Patents
基于金锡共晶的谐振型压力传感器芯片局部真空封装方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101819076B CN101819076B CN2010101516476A CN201010151647A CN101819076B CN 101819076 B CN101819076 B CN 101819076B CN 2010101516476 A CN2010101516476 A CN 2010101516476A CN 201010151647 A CN201010151647 A CN 201010151647A CN 101819076 B CN101819076 B CN 101819076B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- tiw
- ring
- layer
- chip
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
本发明涉及一种基于金锡共晶的谐振型压力传感器芯片局部真空封装方法。本发明方法采用电镀和溅射淀积Sn/Au层，利用金锡合金在加热时的等温凝固和共晶反应，来实现局部真空封装，能使局部真空封装的成品率达到99％。与常规铅锡共晶烧结和硅玻璃的局部真空封装方法相比，具有金锡层的厚度均匀性好、传感器芯片的使用寿命提高等特点，是一种新颖的的芯片局部真空封装方法。本发明方法适用于微电子机械系统(MEMS)可动部件的局部真空封装领域。
Description
技术领域
本发明涉及一种在微电子机械系统(MEMS)芯片上对MEMS芯片的局部部件进行真空封装的方法，特别涉及一种基于金锡共晶的谐振型压力传感器芯片局部真空封装方法，它直接应用的领域是MEMS可动部件的局部真空封装领域。
背景技术
目前，在谐振型压力传感器的真空封装技术中，其真空封装的主要方法有：
1.硅玻璃局部真空封装技术。这种技术是在两个芯片中的一片上涂覆一定厚度的玻璃浆料，然后在硅-玻璃键合设备中加热熔化玻璃浆料，实现两个芯片的密封。这种方法有两个缺陷：1)封装后的气密性不好，导致封装后的真空度不高；2)由于玻璃烧结温度高，对芯片热冲击影响大，从而导致传感器芯片的使用寿命减小。
2.铅锡共晶烧结局部真空封装技术。此技术是在两个芯片中的一片上涂覆一定厚度的焊料膏，然后在硅-玻璃键合设备中加热熔化焊料膏，来实现两个芯片的密封。这种方法有以下缺点：1)上下两个芯片的键合区小，焊料膏的涂覆不方便；2)一般用的是锡铅焊料，铅有毒，不环保；3)焊料膏中的有机溶剂分解会产生大量杂质气氛，随着焊料膏的熔化，杂质气体被包裹在熔融焊料膏里面，烧结气密性变差，从而使其密封的真空度降低，导致局部真空封装的成品率低(一般只有80％)。
发明内容
为克服上述问题，本发明提供了一种基于金锡共晶的谐振型压力传感器芯片局部真空封装方法，采用电镀和溅射的方法淀积Sn/Au层，利用金锡合金的等温凝固和共晶反应，来实现局部真空封装，使局部真空封装的成品率达到99％，且使金锡层的厚度均匀性好、传感器芯片的使用寿命提高。
本发明解决上述技术问题的技术方案在于，该方法步骤包括：
(1)在待进行背面深槽腐蚀和正面释放可动部件的传感器硅片上，采用双面溅射TiW/Au层，再电镀Au层的工艺，形成厚度为3-10μm、环宽为100-200μm的TiW/Au环和进行深槽腐蚀和释放可动部件；
(2)在用于局部真空封装的上盖板硅片上，采用正面溅射TiW/Au层，再电镀Sn层，最后溅射Au层的工艺，形成厚度为3-10μm、环宽为100-200μm的TiW/Au/Sn/Au环；
(3)将划片后、带有TiW/Au环的传感器芯片与带有TiW/Au/Sn/Au环的上盖板芯片，通过上下环对接，真空加热，等温凝固和共晶键合，形成一个密闭真空腔室，实现局部真空封装。
所述在待进行背面深槽腐蚀和正面释放可动部件的传感器硅片上，形成厚度为3-10μm、环宽为100-200μm的TiW/Au环和进行深槽腐蚀和释放可动部件的方法包括：
(1)对待进行背面深槽腐蚀和正面释放可动部件的传感器硅片进行清洗，双面溅射淀积TiW/Au层，TiW/Au层的厚度为50nm/200nm，在400℃下退火处理40min；
(2)将上述双面已溅射TiW/Au层的硅片用光刻胶保护正面，进行背面光刻，腐蚀掉需要背面深槽腐蚀区域的Au层，再腐蚀掉TiW层，去胶；
(3)用Au层做屏蔽层，腐蚀掉背面的硅，深度达到200-300μm；
(4)用光刻胶保护硅片的背面，腐蚀掉硅片正面的可动部件区域的TiW/Au层，去胶，获得TiW/Au环；
(5)电镀，在TiW/Au环上淀积厚度3-10μm的Au层；
(6)腐蚀掉正面可动部件的硅，释放可动部件。
所述在用于局部真空封装的上盖板硅片上，形成厚度为3-10μm、环宽为100-200μm的TiW/Au/Sn/Au环的方法包括：
(1)采用常规硅片作上盖板硅片，清洗，氧化生长厚度为500-650nm的SiO2层；
(2)在硅片正面，溅射TiW/Au层，TiW/Au层的厚度为50nm/200nm，在400℃下退火处理40min；
(3)光刻正面的TiW/Au层，先腐蚀掉Au层，再腐蚀掉TiW层，去胶，获得环宽为100-200μm的TiW/Au环；
(4)光刻正面的TiW/Au环，让TiW/Au环选择性的留上光刻胶，电镀淀积3-10μm厚度的Sn层，再溅射淀积100-200nm厚度的Au层，去胶，形成厚度为3-10μm、环宽为100-200μm的TiW/Au/Sn/Au环。
所述将划片后、带有TiW/Au环的传感器芯片与带有TiW/Au/Sn/Au环的上盖板芯片，通过上下两环对接，真空加热，等温凝固和共晶键合，形成一个密闭真空腔室，实现局部真空封装的方法包括：
(1)将制作有TiW/Au环的传感器硅片和带有TiW/Au/Sn/Au环的上盖板硅片，一起进行划片，得到单个的芯片；
(2)将带有TiW/Au环的传感器芯片与带有TiW/Au/Sn/Au环的上盖板芯片，通过环对接叠放在一起，放入硅玻璃键合设备的腔内，抽真空，真空度达5×10-2Pa，加热到330+10℃，其中，上盖板芯片上的上环是TiW/Au/Sn/Au环，传感器芯片上的下环是TiW/Au环，上下环通过等温凝固和共晶键合粘在一起，上下环对接、共同环围，形成了一个密闭的真空腔室，实现了局部真空封装。
在传感器芯片上形成的TiW/Au环与上盖板芯片上形成的TiW/Au/Sn/Au环上下对接、共同环围后，形成了一个整体的环，此整体环中总的Au层与Sn层的厚度比为3∶2。
有益效果
由于本发明的基于金锡共晶的谐振型压力传感器芯片局部真空封装方法采用了上述技术方案，具有以下优点：
1.常规的铅锡共晶烧结和硅玻璃的局部真空封装技术中，由于焊料膏和玻璃浆料的涂覆面积小，且焊料膏和玻璃浆料具有流动性，其涂覆厚度均匀性不好控制，而本发明方法采用了电镀和溅射的方法淀积Sn/Au层，能很好地保证Sn/Au层、TiW/Au/Sn/Au层厚度的均匀性，其厚度偏差控制在10μm以内。
2.本发明方法采用了电镀和溅射工艺一次成型Sn/Au层，划片后不再需要涂覆焊料膏和玻璃浆料工艺，通过环对接，加热后实现密封。由于本发明方法的工艺过程中没有涉及到有机溶剂的分解，没有杂质气体的产生，从而提高了局部密封的真空度，局部真空封装的成品率可达到99％，而传统的铅锡共晶烧结工艺的成品率仅有80％。
3.本发明方法利用等温凝固和共晶烧结的原理，实现了上芯片和下芯片的密封。常规的硅玻璃局部封装工艺，其共晶键合温度为400℃，涂覆玻璃浆料工艺的键合温度为425℃～460℃，由于其温度高，会引起传感器芯片的机械和电性能下降。而本发明方法中，采用的键合温度只有330±10℃，能够有效地减弱键合温度对芯片的热冲击，从而提高传感器芯片的使用寿命。
附图说明
图1为本发明的待进行背面深槽腐蚀的正面释放可动部件的下传感器硅片示意图；
图2为在本发明图1的下传感器硅片上双面溅射TiW/Au后、背面光刻出所需图形的剖面示意图；
图3为在本发明图2的传感器硅片上正面光刻TiW/Au、形成TiW/Au环后的剖面示意图；
图4为在本发明图3的传感器硅片上电镀Au层后的剖面示意图；
图5为在本发明图4的传感器硅片上腐蚀释放可动部件后的剖面示意图；
图6为用于局部真空封装的上盖板硅片形成Sn层和Au层的剖面示意图；
图7为本发明图6的上盖板硅片上形成TiW/Au/Sn/Au环的剖面示意图；
图8为本发明图6的上盖板硅片上形成TiW/Au/Sn/Au环的俯视图；
图9为本发明图5与图7的硅片划片后，下传感器芯片对与上盖板芯片通过上下环对接后叠在一起后的剖面示意图；
图10为本发明图9的对接在一起后的下传感器芯片对与上盖板芯片通过真空加热、共晶键合后的剖面示意图。
注：图1-10中，1表示传感器谐振梁两侧准备腐蚀硅、释放形成谐振梁的槽区；2表示传感器硅片背面准备深槽腐蚀硅的区域；3表示传感器硅片；4表示为了制备可动的谐振梁而形成的微腔；5表示双面溅射的TiW/Au层；6表示传感器的谐振梁即可动部件；7表示上盖板硅片TiW/Au层上电镀的Sn层；8表示上盖板硅片TiW/Au/Sn层上溅射的Au层；9表示上盖板硅片；10表示TiW/Au/Sn/Au环；11表示密闭的真空腔室。
具体实施方式
本发明的具体实施方式不仅限于下面的描述，下面结合附图对本发明方法加以进一步说明。
1.在待进行背面深槽腐蚀和正面释放可动部件的传感器硅片3上，形成厚度为3-10μm，环宽为100-200μm的TiW/Au环5和进行深槽腐蚀和释放可动部件6的步骤包括：
(1)待进行背面深槽腐蚀和正面释放可动部件的传感器硅片3如图1所示，图1中的1表示传感器谐振梁两侧准备腐蚀硅，释放形成谐振梁的区域，2表示传感器硅片背面准备深槽腐蚀硅的区域。用通用的RCA清洗方法清洗传感器硅片，即传感器硅片3分别用1号清洗液(NH4OH∶H2O2∶H2O＝1∶2∶7)和2号清洗液(HCL∶H2O2∶H2O＝1∶2∶7)各清洗10分钟。用通用的方法，双面溅射TiW/Au层5，TiW层/Au层的厚度分别为50nm/200nm，TiW溅射靶材的成分为：10％的Ti，90％的W，溅射完后，在400℃下退火处理40min；
(2)将上述双面已经溅射TiW/Au层5后的硅片3用光刻胶保护正面，背面进行光刻，先用碘和碘化钾腐蚀液腐蚀掉背面需进行深槽腐蚀区域的Au层，再用双氧水腐蚀掉TiW层，去掉背面与正面所有的光刻胶；
(3)用Au层5做屏蔽层，用湿法腐蚀液(常用KOH溶液)腐蚀掉背面的硅，深度达到200-300μm，腐蚀形成的深槽2如图2所示，图2中的4表示为制备可动的谐振梁而形成的微腔；
(4)用光刻胶保护硅片的背面，光刻掉正面的TiW/Au层，腐蚀掉传感器可动部件区域的TiW/Au层5，去掉正面和背面的所有光刻胶，获得宽度为100-200μm的TiW/Au环5，如图3所示；
(5)电镀Au，在TiW/Au环5上，电镀3-10μμm的Au层，如图4所示；
(6)用KOH溶液湿法腐蚀，腐蚀掉正面可动部件区域的硅，释放可动部件6，这样传感器硅片上的可动部件6与局部真空封装用的厚度为3-10μm，环宽为100-200μm的TiW/Au环5也制备完毕，如图5所示。
2.在用于局部真空封装的上盖板硅片9上，形成厚度为3-10μm、环宽为100-200μm的TiW/Au/Sn/Au环10的步骤包括：
(1)采用常规硅片作上盖板硅片9，对其进行RCA清洗，即分别用1号清洗液(NH4OH∶H2O2∶H2O＝1∶2∶7)和2号清洗液(HCL∶H2O2∶H2O＝1∶2∶7)各清洗10分钟，氧化生长厚度为500-600nm的SiO2层；
(2)在上盖板硅片9正面溅射一层TiW/Au层，TiW层的厚度为50nm，Au层的厚度为200nm，TiW溅射靶材的成分为：10％Ti；90％W，溅射完后，在400℃下退火处理40min；
(3)通用方法，光刻正面的TiW/Au层，同样，先用碘和碘化钾腐蚀液腐蚀掉背面需进行深槽腐蚀区域的Au，再用双氧水腐蚀掉TiW，去掉背面与正面所有的光刻胶，获得宽为100-200μm的TiW/Au环；
(4)光刻正面的TiW/Au环，让TiW/Au环选择性的留上光刻胶，即TiW/Au环上没有光刻胶，电镀3-10μm厚度的Sn层7，再溅射100-200nm厚度的Au层8，如图6所示；去胶，形成厚度为3-10μm、环宽为100-200μm的TiW/Au/Sn/Au环10，如图7所示。
3.将划片后、带有TiW/Au环5的传感器芯片3与上盖板芯片9，通过上下环对接，真空加热，等温凝固和共晶反应，形成一个密闭真空腔室11，实现局部真空封装的步骤包括：
(1)将制备有TiW/Au环5的传感器硅片3与上盖板硅片9一起进行划片，得到需要封装的单个芯片；
(2)将带TiW/Au环5的传感器芯片3与上盖板芯片9通过环对接叠放在一起，放入硅-玻璃键合设备(DFJ-III型双面真空静电封接机)的腔室中，抽真空，如图9所示；在真空腔室中的真空度达到了5×10-2Pa时，进行加热，加热到330±10℃，其中，上盖板芯片上的上环是TiW/Au/Sn/Au环10，传感器芯片上的下环是TiW/Au环5，上下环通过等温凝固和共晶键合粘在一起，上下环对接、共同环围，形成了一个密闭的真空腔室11，实现了局部真空封装，如图10所示。
本发明中，在传感器芯片上形成的TiW/Au环5与上盖板芯片上形成的TiW/Au/Sn/Au环10上下对接、共同环围后，形成了一个整体的环，此整体环中总的Au层与Sn层的厚度比为3∶2。
本发明中，传感器硅片3和上盖板硅片9均为P型<100>硅材料片，电阻率为7～13Ω·cm。
本发明方法中的单项工艺技术，如清洗、氧化、双面溅射TiW/Au、电镀Sn层、电镀Au层、溅射Au层、TiW/Au腐蚀、硅及硅氧化层的腐蚀、涂胶、去胶等均为本领域技术人员通用技术，也不是本发明方法的主题，在此不再详述。
Claims (5)
1.一种基于金锡共晶的谐振型压力传感器芯片局部真空封装方法，其特征在于，该方法步骤包括：
(1)在待进行背面深槽腐蚀和正面释放可动部件的传感器硅片上，采用双面溅射TiW/Au层，再电镀Au层的工艺，形成厚度为3-10μm、环宽为100-200μm的TiW/Au环和进行深槽腐蚀和释放可动部件；
(2)在用于局部真空封装的上盖板硅片上，采用正面溅射TiW/Au层，再电镀Sn层，最后溅射Au层的工艺，形成厚度为3-10μm、环宽为100-200μm的TiW/Au/Sn/Au环；
(3)将划片后、带有TiW/Au环的传感器芯片与带有TiW/Au/Sn/Au环的上盖板芯片，通过上下环对接，真空加热，等温凝固和共晶键合，形成一个密闭真空腔室，实现局部真空封装。
2.根据权利要求1所述的一种基于金锡共晶的谐振型压力传感器芯片局部真空封装方法，其特征在于：所述在待进行背面深槽腐蚀和正面释放可动部件的传感器硅片上，形成厚度为3-10μm、环宽为100-200μm的TiW/Au环和进行深槽腐蚀和释放可动部件的方法包括：
(1)对待进行背面深槽腐蚀和正面释放可动部件的传感器硅片进行清洗，双面溅射淀积TiW/Au层，TiW/Au层的厚度为50nm/200nm，在400℃下退火处理40min；
(2)将上述双面已溅射TiW/Au层的硅片用光刻胶保护正面，进行背面光刻，腐蚀掉需要背面深槽腐蚀区域的Au层，再腐蚀掉TiW层，去胶；
(3)用Au层做屏蔽层，腐蚀掉背面的硅，深度达到200-300μm；
(4)用光刻胶保护硅片的背面，腐蚀掉硅片正面的可动部件区域的TiW/Au层，去胶，获得TiW/Au环；
(5)电镀，在TiW/Au环上淀积厚度3-10μm的Au层；
(6)腐蚀掉正面可动部件的硅，释放可动部件。
3.根据权利要求1所述的一种基于金锡共晶的谐振型压力传感器芯片局部真空封装方法，其特征在于：所述在用于局部真空封装的上盖板硅片上，形成厚度为3-10μm、环宽为100-200μm的TiW/Au/Sn/Au环的方法包括：
(1)采用常规硅片作上盖板硅片，清洗，氧化生长厚度为500-650nm的SiO2层；
(2)在硅片正面，溅射TiW/Au层，TiW/Au层的厚度为50nm/200nm，在400℃下退火处理40min；
(3)光刻正面的TiW/Au层，先腐蚀掉Au层，再腐蚀掉TiW层，去胶，获得环宽为100-200μm的TiW/Au环；
(4)光刻正面的TiW/Au环，让TiW/Au环选择性的留上光刻胶，电镀淀积3-10μm厚度的Sn层，再溅射淀积100-200nm厚度的Au层，去胶，形成厚度为3-10μm、环宽为100-200μm的TiW/Au/Sn/Au环。
4.根据权利要求1所述的一种基于金锡共晶的谐振型压力传感器芯片局部真空封装方法，其特征在于：所述将划片后、带有TiW/Au环的传感器芯片与带有TiW/Au/Sn/Au环的上盖板芯片，通过上下两环对接，真空加热，等温凝固和共晶键合，形成一个密闭真空腔室，实现局部真空封装的方法包括：
(1)将制作有TiW/Au环的传感器硅片和带有TiW/Au/Sn/Au环的上盖板硅片，一起进行划片，得到单个的芯片；
(2)将带有TiW/Au环的传感器芯片与带有TiW/Au/Sn/Au环的上盖板芯片，通过环对接叠放在一起，放入硅玻璃键合设备的腔内，抽真空，真空度达5×10-2Pa，加热到330±10℃，其中，上盖板芯片上的上环是TiW/Au/Sn/Au环，传感器芯片上的下环是TiW/Au环，上下环通过等温凝固和共晶键合粘在一起，上下环对接、共同环围，形成了一个密闭的真空腔室，实现了局部真空封装。
5.根据权利要求4所述的一种基于金锡共晶的谐振型压力传感器芯片局部真空封装方法，其特征在于：在传感器芯片上形成的TiW/Au环与上盖板芯片上形成的TiW/Au/Sn/Au环上下对接、共同环围后，形成了一个整体的环，此整体环中总的Au层与Sn层的厚度比为3∶2。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010101516476A CN101819076B (zh) | 2010-04-21 | 2010-04-21 | 基于金锡共晶的谐振型压力传感器芯片局部真空封装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010101516476A CN101819076B (zh) | 2010-04-21 | 2010-04-21 | 基于金锡共晶的谐振型压力传感器芯片局部真空封装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101819076A CN101819076A (zh) | 2010-09-01 |
| CN101819076B true CN101819076B (zh) | 2011-07-27 |
Family
ID=42654255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2010101516476A Active CN101819076B (zh) | 2010-04-21 | 2010-04-21 | 基于金锡共晶的谐振型压力传感器芯片局部真空封装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101819076B (zh) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102012206869B4 (de) * | 2012-04-25 | 2021-05-27 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements |
| CN104140072B (zh) * | 2013-05-09 | 2016-07-13 | 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 | 微机电系统与集成电路的集成芯片及其制造方法 |
| CN105502967A (zh) * | 2014-10-17 | 2016-04-20 | 北京自动化控制设备研究所 | 一种基于金锡共晶的石英键合方法 |
| CN112648989B (zh) * | 2020-11-30 | 2022-09-23 | 华中光电技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一七研究所） | 可同时用于谐振子退火和真空对接的装置及方法 |
| CN116275664B (zh) * | 2023-05-17 | 2023-08-04 | 广东润宇传感器股份有限公司 | 一种背金共晶焊接传感器的制造方法 |
| CN117602575A (zh) * | 2023-11-29 | 2024-02-27 | 山东中科思尔科技有限公司 | 一种传感器的硅硅键合真空封装工艺 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3844026A (en) * | 1973-06-14 | 1974-10-29 | T Hutchins | Bond preparation in electrical deflection-sensitive transducer |
| SE512906C2 (sv) * | 1998-10-02 | 2000-06-05 | Ericsson Telefon Ab L M | Förfarande vid lödning av ett halvledarchip samt RF-power transistor för genomförande därav |
| JP2001176999A (ja) * | 2000-11-27 | 2001-06-29 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 電子部品の気密封止方法 |
| CN1529343A (zh) * | 2003-10-13 | 2004-09-15 | 华中科技大学 | 一种基于金锡共晶的硅/硅键合方法 |
| CN1252806C (zh) * | 2003-12-31 | 2006-04-19 | 贵研铂业股份有限公司 | 集成电路用气密封装盖板制备方法 |
-
2010
- 2010-04-21 CN CN2010101516476A patent/CN101819076B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101819076A (zh) | 2010-09-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101819076B (zh) | 基于金锡共晶的谐振型压力传感器芯片局部真空封装方法 | |
| CN100560475C (zh) | 谐振型压力传感器芯片的局部真空封装方法 | |
| KR101296756B1 (ko) | 가느다란 실리콘 봉의 제조 방법 | |
| CN108529553B (zh) | 一种石墨烯高温压力传感器封装方法 | |
| KR20080081019A (ko) | 게터 물질을 함유한 마이크로기계 소자를 제조하는 방법 및이러한 방법에 의해 제조된 소자 | |
| CN104584237A (zh) | 光生伏打元件及其制造方法 | |
| TWI516435B (zh) | 接合方法 | |
| TW201025639A (en) | Edge deletion of thin-layer solar modules by etching | |
| JP2012104817A (ja) | はんだ上での酸化物の生成を抑制する方法 | |
| CN105140354A (zh) | 一种GaN基发光二极管芯片的制备方法 | |
| CN102208362B (zh) | 一种穿透硅通孔背部连接端的制备方法 | |
| CN106981423A (zh) | 基于Si衬底外延SiC基GaN HEMT的工艺方法 | |
| CN107221496A (zh) | 一种氮化物材料激光剥离后的表面处理方法 | |
| CN109728132A (zh) | 倒装型可见光增敏硅基雪崩光电二极管阵列的制备方法 | |
| CN103508414B (zh) | 一种mems陀螺仪芯片双面阳极键合工艺 | |
| CN101955152B (zh) | 具有倒y形通孔的圆片级气密性封装方法 | |
| CN108470812A (zh) | 一种薄膜倒装led芯片及其制作方法 | |
| CN112531077A (zh) | 一种空间用柔性砷化镓太阳电池制备方法 | |
| CN116581135A (zh) | 基于bsi工艺不同尺寸晶圆键合后背部腐蚀装置及方法 | |
| CN104681652A (zh) | 一种倒装多结太阳能电池及其制备方法 | |
| CN207925512U (zh) | 一种高可靠性led芯片 | |
| CN103224219A (zh) | 一种用于微器件圆片级封装的纳米吸气剂集成方法 | |
| CN111115555B (zh) | 一种用于mems晶圆级共晶键合封装的硅槽结构及制备方法 | |
| CN103972351B (zh) | Led芯片及其生长方法 | |
| US20210066531A1 (en) | Flexible solar cell and manufacturing method thereof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |